CN116918252A - 用于阻抗匹配的方法、阻抗匹配布置和等离子体*** - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于借助阻抗匹配网络(2)的阻抗匹配的方法，该阻抗匹配网络具有用于连接HF功率发生器(5)的输入端(3)和用于连接到负载(6)的输出端(4)，该阻抗匹配网络至少具有第一和第二串联接通的匹配级(10，12)，所述匹配级分别具有可变电抗(XP，XS)，该方法具有以下步骤：a)测量输入阻抗(Z_in)，b)由所测量的输入阻抗(Zin)和所述匹配级中的至少一个匹配级的至少一个当前状态值来求取中间阻抗(Z_inter)，c)由该中间阻抗(Z_inter)和该阻抗匹配网络(2)的模型来求取针对匹配级(10，12)的至少一个电抗(XP，XS)的改变期望值(dXP，dXS)，d)基于该改变期望值(dXP，dXS)来改变所述匹配级(10，12)中的至少一个匹配级的状态，e)重复所述步骤a)至d)。

Description

用于阻抗匹配的方法、阻抗匹配布置和等离子体***

技术领域

本发明涉及一种用于借助阻抗匹配网络的阻抗匹配的方法，该阻抗匹配具有用于连接HF功率发生器的输入端和用于连接到负载的输出端，该阻抗匹配网络具有串联接通的至少一个第一和第二匹配级，所述匹配级分别具有可变电抗。此外，本发明涉及一种阻抗匹配布置、一种计算机程序产品和一种非易失性的存储介质。本发明还涉及一种具有这种阻抗匹配布置或具有这样的阻抗匹配网络的等离子体***。

背景技术

所述负载在此可以是等离子体工艺设备，特别是HF激励的等离子体工艺设备——即用于执行等离子体工艺的设备。阻抗匹配网络常常被用于HF激励的等离子体工艺中。设计用于针对用于阻抗匹配的方法和/或具有这样的阻抗匹配网络和与其连接的等离子体工艺设备的布置在下文中称为等离子体***。在此典型地，频率为1MHz或以上，特别是在1MHz至200MHz的范围内。HF激励的等离子体工艺例如用于在生产建筑玻璃、半导体、光伏元件、平板显示屏、显示器等时对衬底进行涂覆(溅射)和/或蚀刻。在这样的工艺中的阻抗通常非常快速地发生变化，因此，通常应非常快速地(在几毫秒或者更短时间内)匹配阻抗匹配。通常供给给这种过程的电功率为几百W，例如300W及以上，但是也不乏千瓦或以上，通常也为10kW及以上。在这样的功率的情况下，阻抗匹配组件内的电压通常为几百V，例如300V及以上，也不乏1000V及以上。这样的电路中的电流可以为几安培，通常为10A及以上，有时也可以为100A及以上。在这样的电压和电流的情况下实现阻抗匹配组件，已经一直是一种巨大的挑战。这种阻抗匹配网络中的电抗的快速可改变性是附加的、非常高的挑战。这样的阻抗匹配网络的示例例如在DE 10 2015 220 847 A1、DE 10 2011 076 404 A1、DE 10 2009001355A1、DE 10 2011 007 598 A1、DE 10 2011 007 597 A1、DE 10 2014209 469A1、DE 202021 100 710 U1中或者在DE 20 2020 103 539 U1中公开。

阻抗匹配网络通常用于将负载的阻抗与马达的阻抗匹配。通常，该阻抗匹配网络用于将该负载的阻抗转换到50Ohm。阻抗匹配网络可以具有一个或多个可变电抗，例如电容器，例如呈L配置。该电容器的电容可以通过马达驱动改变。通过测量装置可以求取阻抗匹配网络的输入阻抗。匹配算法试图找到正确的马达位置或开关位置或其他控制可能性，以便实现阻抗匹配。

当负载是其阻抗发生变化、尤其是快速地变化的负载时，通过阻抗匹配网络的阻抗匹配常常被证实为是困难的。为了找到用于电容器的驱动的目标位置，已知要调节输入阻抗的量值和相位。然而，这两个参量与电容器的电容值相关。这可能导致缓慢的调节。阻抗的符号变化、同样地针对两个电容器的相关关系dPhase/dC、d|(Z)|/dC、dRe(Z)/dC或dIm(Z)/dC的符号变化，可能导致不稳定性。在此C是电容，Z是阻抗，Re()是实部，以及Im()是虚部，而|(Z)|是括号中的复变量的量值。

发明内容

本发明的任务因此是给出一种用于阻抗匹配的方法，借助该方法能够快速、可靠地执行阻抗匹配。

根据本发明，该任务通过用于借助阻抗匹配网络的阻抗匹配的方法来解决，该阻抗匹配网络具有用于连接HF功率发生器的输入端和用于连接到负载、特别是到HF激励的等离子体工艺设备的输出端，该阻抗匹配网络具有至少一个第一和第二串联接通的匹配级，所述匹配级分别具有可变电抗，该方法具有以下步骤：

a)测量输入阻抗Z_in；

b)由所测量的输入阻抗Z_in和所述匹配级中的至少一个匹配级的至少一个当前状态值来求取中间阻抗Z_inter，其中，该中间阻抗尤其是在所述匹配级之间出现的阻抗；

c)由该中间阻抗Z_inter和该阻抗匹配网络的模型来求取针对匹配级的至少一个电抗的改变期望值；

d)基于该改变期望值来改变至少一个匹配级的状态；

e)重复步骤a)至d)。

可变电抗可以构造为电感和/或电容。电容是优选的，因为其在制造上和在运行上是简单的。例如，匹配级可以具有电感和电容的串联。则匹配级不仅电容式地而且电感式地起作用。

测量输入阻抗Z_in可以意味着，测量进入阻抗匹配网络的输入端的阻抗。可以根据量值、相位和/或实部和虚部来检测该阻抗。

测量输入阻抗Z_in也可以意味着，测量反射系数，然后推导出Z_in。

中间阻抗是进入位于阻抗匹配网络的输出端之前的匹配级的测量的阻抗。中间阻抗也可以通过量值、相位和/或实部和虚部测量或求取。

阻抗匹配网络的模型也意味着针对所述匹配级中的每个匹配级的模型，因为这些匹配级的模型都分别是阻抗匹配网络的模型的一部分。

借助这种方法，能够实现机械的和/或电子的阻抗匹配网络的更快且更稳健的调节。已知算法常常不收敛，因此不导致期望的点或者不能够充分利用所使用的驱动的机械动力。

可以重复上述步骤a)至d)，直到输入阻抗高于或低于预给定的值。已发现，与传统方法相比，借助根据本发明的方法需要显著更少的迭代次数。因此能够进行更快的阻抗匹配。

可以检测机械可变电抗的位置或电子可变电抗的电路状态作为状态值。例如可以检测机械可变的电容的驱动的位置作为状态。

可以基于根据状态的、输入阻抗到中间阻抗的配属来求取中间阻抗。该配属可以在校准时根据所检测的状态来求取。特别是可以以这种方式方法在校准期间产生针对每个匹配级的查找表。优选独立于一个或多个其他匹配级进行所述校准和每个匹配级的查找表的创建。

当基于中间阻抗期望值Z_intersoll求取改变期望值时，可以产生优势。为补偿查找表的变化或不准确性，有利的是相对地进行计算。例如，如果针对Z_inter的虚部的被检测的值j40Ohm求取到j45Ohm的中间阻抗期望值，则可以从当前的查找表的条目中查找大于j5Ohm的值。这则是目标位置或者说改变期望值，并且具有优点：由此补偿偏移误差，并且越接近所期望的匹配，缩放误差就越小。

在机械的阻抗匹配网络的情况下，相比于电容器的驱动的马达速度，输入阻抗的测量快多个数量级。由于多样性的误差(模型、测量、可变的等离子体阻抗)，中间阻抗的求取是不精确的。但该求取可以在开始时提供驱动的大致的目标位置。这些驱动由此能够完全地加速。在电抗改变期间，Z_in和Z_inter的求取连续地继续执行，而由此校正Z_intersoll。

可以根据至少一个预给定的边界条件、例如实部Z_in＝50Ohm来求取中间阻抗期望值。这种边界条件将中间阻抗期望值的求取简化。

所述匹配级中的至少一个匹配级的状态的改变可以以改变期望值进行或朝改变期望值的方向进行。如已经描述的那样，有利的是相对地进行匹配。因此，不必求取改变的状态的绝对值。足够的是，求取匹配级的状态必须改变多少，以此能够这样改变其他匹配级的状态，从而进行匹配。这可以借助于中间阻抗来进行。

两个匹配级的状态可以同时地改变。由此能够加速阻抗匹配。

可以将电路模型用作阻抗匹配网络的模型。这具有特别的优点，如果阻抗匹配网络简单地构造，例如具有L配置。

替代地可以设置，将传输参数模型、散射参数模型或可由传输参数模型或散射参数模型推导的参数模型用作阻抗匹配网络的模型。例如可以由散射参数求取Z参数、Y参数、M参数、X参数。

可以将L配置、T配置、逆L配置或π配置用作阻抗匹配网络。借助L配置可以实现特别快速的阻抗匹配。这种配置也可以相对地简单地在模型中被推导。

由中间阻抗和所述匹配级中的每个匹配级的模型来针对两个匹配级的电抗分别求取改变期望值。可以基于该改变期望值改变两个匹配级的状态。

改变期望值可以是线性独立的。由此可以实现在匹配级中彼此独立地执行匹配。

在本发明的范畴内此外涉及一种阻抗匹配布置，该阻抗匹配布置具有

a)一种阻抗匹配网络，该阻抗匹配具有用于连接HF功率发生器的输入端和用于连接到负载、尤其是HF激励的等离子体工艺设备的输出端，该阻抗匹配网络具有至少两个匹配级，所述匹配级分别具有可变电抗，

b)该阻抗匹配网络的模型，

c)用于测量该输入阻抗的阻抗测量装置，

d)至少一个查找表，所述查找表包含允许由输入阻抗推断中间阻抗的值，该中间阻抗尤其是在所述匹配级之间出现的阻抗，

f)求取装置，该求取装置用于根据测量的输入阻抗和该查找表求取中间阻抗，和用于由该中间阻抗和该阻抗匹配网络的模型求取匹配级的至少一个电抗的至少一个改变期望值，

g)设定装置，该设定装置用于根据所求取的改变期望值来改变至少一个匹配级的状态。

查找表优选具有仅一个维度。在最简单的情况下，该查找表具有可设定的电抗的阻抗值。借助于模型、特别是电路模型，能够由该阻抗通过压力分布计算来计算出中间阻抗。

在例如T参数模型的情况中，可以在查找表中保存匹配级的T参数的至少部分。保存T参数的部分是足够的，如果能够执行对称性观测。否则，也可考虑，在查找表中保存匹配级的所有T参数。借助T参数(根据匹配级的状态)和输入阻抗，能够推断中间阻抗。

阻抗匹配网络的模型和/或查找表可以作为数字模型保存在存储器中。

在本发明的范畴内进一步涉及一种用于控制阻抗匹配网络的计算机程序产品，该阻抗匹配网络具有用于连接HF功率发生器的输入端和用于连接到负载的输出端，该阻抗匹配网络具有串联接通的至少一个第一和第二匹配级，所述匹配级分别具有可变电抗，该计算机程序产品包括指令，所述指令在通过计算机执行程序时实施以下方法步骤：

a)由所测量的输入阻抗和所述匹配级中的至少一个匹配级的至少一个当前状态值来求取中间阻抗，其中，该中间阻抗尤其是在所述匹配级之间出现的阻抗，

b)由该中间阻抗和该阻抗匹配网络的模型来求取针对匹配级的至少一个电抗的改变期望值，

c)基于该改变期望值来输出用于改变所述匹配级中的至少一个匹配级的状态的信号，

d)重复步骤a)至c)。

此外，在本发明的范畴内涉及一种非易失性的存储介质，该存储介质具有保存在其上指令，该指令用于借助处理器的实施或用于可编程的逻辑模块、例如FPGA的配置，以执行所述计算机程序产品的步骤a)至d)。

在数据处理中，非易失性的存储介质(non-volatile、non-transitory)是各种各样的数据存储器，其所存储的信息能够持久地被保持，即在计算机不处于运行期间或不被供电期间也是如此。

根据本发明设置，创建阻抗匹配网络的模型。这用于将二维问题分成两个一维(调节-)问题。借助关于(被测量的)输入阻抗和匹配级的状态的知识，可以实现通过该模型的应用确定两个匹配级之间的复负载阻抗(中间阻抗)。在该中间阻抗处，匹配级的可映射的阻抗轨迹必须相交，以便实现匹配。由该条件能够确定目标位置(中间阻抗期望值)。

根据本发明，根据所求取的输入阻抗和匹配级的当前状态这样设定匹配级的电抗的设定参量，使得在阻抗匹配网络的输入端处设定匹配。通过适合的校准过程能够针对每个匹配级来确定查找表，这些查找表包含关于匹配级的当前状态的、可变电抗的各个阻抗。

各个电抗的变化从对应的匹配级的输入端的阻抗出发得出在阻抗平面、导纳平面或反射系数平面中的线/轨迹。在匹配期间，从第一匹配级的输入阻抗和第一可变电抗的设定值出发，结合查找表和作为阻抗匹配网络的模型一部分的匹配级模型，来求取在第二匹配级的输入端处的阻抗。这在此是中间阻抗。通过该模型已知，该中间阻抗必须位于哪个轨迹上，第一匹配级以此能够将该阻抗转换到目标值、例如50Ohm。在并联电容器作为电抗的情况中例如适用，中间阻抗的所有可匹配的阻抗的倒数必须具有实部0.02S。现在，由于第二匹配级的第二电抗的变化，中间阻抗可以在定义的轨迹上位移。在L拓扑的串联元件的情况下，该轨迹通过中间阻抗的恒定的实部和变化的虚部来描述。因此，现在通过第二匹配级的电抗的变化可以进行设定，从而使中间阻抗位于第一电抗的轨迹上。该新的中间阻抗形成两个轨迹的交点。同时可以预测，第一匹配级必须采取哪个位置(状态)，以便匹配新的中间阻抗。

在阻抗匹配网络的L配置的情况下，能够以如下方式进行校准、尤其是查找表的产生。第一匹配级是具有可变电容的并联谐振电路，第二匹配级是与阻抗匹配网络的输出端串联的谐振电路。为了校准查找表，首先将该阻抗匹配网络的输出端以空载运行中止。于是，在阻抗匹配网络的输入端仅测量并联元件的阻抗。通过电容器的变化，其可以被改变并将数值保存在表中。对于该串联元件的表，将输出端短路并将该并联元件设定到最小值(最高阻抗)。在阻抗匹配网络的输入端处测量并联元件与串联元件的并联连接。由于该并联元件的阻抗已知，能够计算该串联元件并针对其求取表。

由第一匹配级的输入阻抗和并联元件的查找表可以直接地计算中间阻抗。理想电容器仅改变导纳在阻抗匹配网络的输入端处的虚部。因此，1/Z_inter必须具有实部0.02S，以便能够匹配。串联元件允许直接地变化中间阻抗的虚部。在导纳平面中得出椭圆。该椭圆潜在地与0.02S线(根据电容器的设定范围)在两点处相交。相应地相同地设定得出二次方程，由此得到新的串联阻抗。由此则也可以计算完整的新中间阻抗。结合并联阻抗的当前值，可以确定，必须改变多少以便达到50Ohm的输入阻抗。

此外，在本发明的范畴内涉及一种等离子体***，该等离子体***设计用于一种用于阻抗匹配的方法和/或具有如上所述的阻抗匹配布置并且具有作为负载的等离子体工艺设备、尤其是HF激励的等离子体工艺设备——即用于执行等离子体工艺的设备。该等离子体工艺设备优选用于对衬底进行涂覆和/或蚀刻。该等离子体工艺设备优选适合用于在生产建筑玻璃、半导体、光伏元件、平板显示屏或者显示器时使用。

高频功率信号的高频可以为1MHz或者以上，特别是在1MHz到200MHz的范围内。

供给等离子体工艺所需要的电功率可以为300W及以上、尤其是为1千瓦及以上，功率供给装置设计用于提供该等离子体工艺。

-等离子体工艺设备可以构造为用于连接另外的功率供给装置，例如可以使用下述功率供给装置中的一个或者多个功率供给装置：具有相同的或者不同的高频率的HF功率供给装置。

-DC功率供给装置、尤其是脉冲式DC功率供给装置

-具有小于1MHz的频率的MF功率供给装置。

附图说明

本发明的其他特征和优点从以下对本发明的实施例的详细说明中，根据附图的示出对本发明至关重要的细节的示图，以及从权利要求中得出。在那里示出的特征应理解为不一定是按比例绘制的并且这样被示出：使得根据本发明的特殊特征明显地可见。在本发明的变型中，不同的特征可以本身单独地或以多个呈任意组合地实现。

本发明的实施例在示意图中示出并在以下说明中阐释。

示出：

图1：阻抗匹配布置

图2：用于阐释根据本发明的方法的导纳平面；

图3：用于阐释根据本发明的方法的第一方法步骤的导纳平面；

图4：用于阐释根据本发明的方法的第二方法步骤的导纳平面；

图5：用于阐释本发明工艺的第三方法步骤的导纳平面；

图6：用于阐释根据本发明的方法的框图。

具体实施方式

图1示出具有阻抗匹配网络2的阻抗匹配布置1，该阻抗匹配网络具有输入端3和输出端4。在输入端3处可以连接HF功率发生器5，并且在输出端4处可以连接负载6、特别是等离子体工艺设备。HF功率发生器5可以产生频率大于等于1MHz、特别是在1MHz至200MHz的范围内的高频功率。

阻抗匹配网络2的在输入端3处的输入阻抗Z_in可以通过阻抗测量装置7来检测。阻抗测量装置7可以设计用于复输入阻抗Z_in的测量。例如，阻抗测量装置7可以构造为V/I采样器，即用于电压和电流的测量，特别是用于电压和电流的包含其彼此的相位相关关系的测量。

所示出的阻抗匹配网络2具有L配置，该L配置具有第一匹配级10和与其串联地布置的第二匹配级12。第一匹配级10具有可变电抗XP，该可变电抗在所示出的实施例中被构造为电容器。该可变电抗XP与电感L1串联地布置。

第二匹配级12同样具有构造为电容器的可变电抗XS。其与电感器L2串联地接通。

中间阻抗Z_inter是在第二匹配级12输入端处的阻抗。

通过阻抗测量装置7可以测量阻抗匹配网络2的输入阻抗Z_in。测量的输入阻抗Z_in可以被求取装置14用于根据所测量的输入阻抗Z_in和至少一个查找表16、18来求取中间阻抗Z_inter。查找表16、18已在校准过程中被创建。查找表16、18可以包含可设定的电抗XP、XS针对电抗XP、XS的不同状态的阻抗值，而因此也具有匹配级10、12的不同状态。

求取装置14还构造用于，由中间阻抗Z_inter和阻抗匹配网络2的模型20来求取针对匹配级10、12的至少一个电抗XP、XS的至少一个改变期望值。

设定装置22构造用于根据所求取的改变期望值来改变至少一个匹配级10、12的状态。

图2示出输入导纳的导纳平面、即1/Z_in。Z_in表示在阻抗匹配网络2的输入端处测量的阻抗Z_in。借助Z_intarget表示通过阻抗匹配应实现的导纳。通过第一匹配级10的电抗XP的变化，能够仅仅改变输入导纳的虚部，如通过垂直双箭头30所表明的那样。

第二匹配级12的电抗XS能够使输入导纳在椭圆形的轨迹上运动，这通过箭头32。

根据图3可看出，在已知的输入导纳(Z_in的倒数)和已知的XP值的情况下，能够基于查找表16(在知道第二匹配级12的当前状态、即特别是电抗XP的驱动的马达位置的情况下)求取中间阻抗Z_inter。由此得出，在哪个椭圆上由于电抗XS的改变进行导纳改变。

现在可以求取电抗XS必须改变多少，使得椭圆或者说轨迹T与目标线ZL相交，即Z_inter的实部采用值0.02S。由此得出改变目标值dXS。

在根据图4所阐述的进一步的步骤中，现在可以求取XP必须改变多少，以便达到Z_intarget。因此得出另外的改变期望值dXP。

进一步根据图6的框状图来阐释根据本发明的方法。在步骤100中，测量阻抗匹配网络的输入阻抗Z_in。随后，在步骤101中，由所测量的输入阻抗Z_in和该阻抗匹配网络的匹配级中的至少一个匹配级的至少一个当前状态值来求取中间阻抗。

在步骤102中，由该中间阻抗和该阻抗匹配网络的模型来求取针对匹配级的至少一个电抗的改变期望值。

在步骤103中，基于该改变期望值来改变所述匹配级中的至少一个匹配级的状态。在步骤104中检验，现在所求取的输入阻抗是否高于或低于预给定的值。如果没有高于或低于该预给定的值，则返回步骤100中。否则实现匹配。

Claims (17)

1.一种用于借助阻抗匹配网络(2)进行阻抗匹配的方法，所述阻抗匹配网络具有用于连接HF功率发生器(5)的输入端(3)和用于连接到负载(6)、尤其是到HF激励的等离子体工艺设备的输出端(4)，所述阻抗匹配网络具有串联接通的至少一个第一和第二匹配级(10，12)，所述第一和第二匹配级分别具有可变电抗(XP，XS)，所述方法具有以下步骤：

a)测量输入阻抗(Z_in)，

b)由所测量的输入阻抗(Z_in)和所述匹配级中的至少一个匹配级的至少一个当前状态值来求取中间阻抗(Z_inter)，其中，所述中间阻抗(Z_inter)是在所述匹配级(10，12)之间出现的阻抗，

c)由所述中间阻抗(Z_inter)和所述阻抗匹配网络(2)的模型来求取针对匹配级(10，12)的至少一个电抗(XP，XS)的改变期望值(dXP，dXS)，

d)基于所述改变期望值(dXP，dXS)来改变所述匹配级(10，12)中的至少一个匹配级的状态，

e)重复所述步骤a)至d)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，重复所述步骤1a)至1d)，直到所述输入阻抗(Z_in)高于或低于预给定的值。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，检测机械可变电抗(XP，XS)的位置或电子可变电抗的电路状态作为状态值。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，基于根据所述状态的、所述输入阻抗(Z_in)到所述中间阻抗(Z_inter)的配属来求取所述中间阻抗(Z_inter)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，基于中间阻抗期望值(Z_intersoll)来求取所述改变期望值(dXP，dXS)。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据至少一个预给定的边界条件来求取所述中间阻抗期望值(Z_intersoll)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述匹配级中的至少一个匹配级的状态的改变以所述改变期望值进行，或朝所述改变期望值的方向进行。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，两个匹配级(10，12)的状态同时地改变。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将电路模型用作所述阻抗匹配网络(2)的模型。

10.根据前述权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，将传输参数模型、散射参数模型或可以由传输参数模型或散射参数模型推导的参数模型用作所述阻抗匹配网络(2)的模型。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将L配置、T配置、逆L配置或π配置用作阻抗匹配网络(2)。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，由所述中间阻抗(Z_inter)和所述匹配级(10，12)中的每个匹配级的模型来针对两个匹配级(10，12)的电抗(XP，XS)分别求取改变期望值(dXP，dXS)，并基于所述改变期望值(dXP，dXS)来改变两个匹配级(10，12)的状态。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述改变期望值(dXS、dXP)线性独立。

14.一种阻抗匹配布置(1)，所述阻抗匹配布置具有

a.阻抗匹配网络(2)，所述阻抗匹配网络具有用于连接HF功率发生器(5)的输入端(3)和用于连接到负载(6)、尤其是到HF激励的等离子体工艺设备的输出端(4)，所述阻抗匹配网络具有至少两个匹配级(10，12)，所述至少两个匹配级分别具有可变电抗(XP，XS)，

b.所述阻抗匹配网络的模型(2)，

c.用于测量所述输入阻抗的阻抗测量装置，

d.至少一个查找表(16，18)，所述查找表包含以下值：所述值允许由输入阻抗(Z_in)推断中间阻抗(Z_inter)，其中，所述中间阻抗(Z_inter)是在所述匹配级(10，12)之间出现的阻抗，

e.求取装置(14)，所述求取装置用于根据测量的输入阻抗(Z_in)求取中间阻抗(Z_inter)，并且用于由所述中间阻抗(Z_inter)和所述阻抗匹配网络(2)的模型求取针对匹配级(10，12)的至少一个电抗(XP，XS)的至少一个改变期望值(dXP，dXS)，

f.设定装置(22)，所述设定装置用于根据所求取的改变期望值(dXP，dXS)来改变至少一个匹配级(10，12)的状态。

15.一种用于控制阻抗匹配网络(2)的计算机程序产品，所述阻抗匹配网络具有用于连接HF功率发生器(5)的输入端(3)和用于连接到负载(6)的输出端(4)，所述阻抗匹配网络具有串联接通的至少一个第一和第二匹配级(10，12)，所述第一和第二匹配级分别具有可变电抗(XP，XS)，所述计算机程序产品包括指令，所述指令在通过计算机实施程序时实施以下方法步骤：

a)由所测量的输入阻抗(Z_in)和所述匹配级(10，12)中的至少一个匹配级的至少一个当前状态值来求取中间阻抗(Z_inter)，其中，所述中间阻抗(Z_inter)是在所述匹配级(10，12)之间出现的阻抗，

b)由所述中间阻抗(Z_inter)和所述阻抗匹配网络(2)的模型来求取针对匹配级(10，12)的至少一个电抗(XP，XS)的改变期望值(dXP，dXS)，

c)基于所述改变期望值(dXP，dXS)输出用于改变所述匹配级(10，12)中的至少一个匹配级的状态的信号，

d)重复所述步骤a)至c)。

16.一种非易失性的存储介质，所述非易失性的存储介质具有保存在其上的指令，所述指令用于借助处理器的实施或用于可编程的逻辑模块的配置，以执行权利要求15的步骤a)至d)。

17.一种等离子体***，所述等离子体***设计用于根据权利要求1至13中任一项所述的用于阻抗匹配的方法，和/或具有根据权利要求14所述的阻抗匹配布置，并且具有作为负载(6)的等离子体工艺设备、特别是HF激励的等离子体工艺设备。