CN116666418A - 显示装置、制造其的方法及包括其的拼接显示装置 - Google Patents

显示装置、制造其的方法及包括其的拼接显示装置 Download PDF

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Abstract

提供了一种显示装置、该显示装置的制造方法以及包括该显示装置的拼接显示装置，所述显示装置包括：第一基底，包括第一接触孔；第一阻挡绝缘层，设置在第一基底上，并且包括第二接触孔；扇出线，设置在第一阻挡绝缘层上的第一金属层中，扇出线包括***第二接触孔中以从第一阻挡绝缘层的下方突出的突出部分和由第二接触孔形成的凹陷部分；蚀刻电极，设置在扇出线的凹陷部分中；第二基底，设置在扇出线和蚀刻电极上，并且包括第三接触孔；显示层，设置在第二基底上；以及柔性膜，设置在第一基底下方，并且***第一接触孔中以电连接到扇出线的突出部分。

Description

显示装置、制造其的方法及包括其的拼接显示装置
技术领域
公开涉及显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，针对用于显示图像的显示装置的需求已经多样化。例如，显示装置已经应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航***和智能电视的各种电子装置。显示装置的示例包括诸如液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置或有机发光二极管(OLED)显示装置的平板显示装置。作为一类平板显示装置的发光显示装置包括能够发光的发光元件，因此可以在不需要用于向显示面板提供光的背光单元的情况下显示图像。
当制造大尺寸显示装置时，发光元件的缺陷率会由于像素的数量的增加而增加，并且显示装置的生产率或可靠性会降低。为了解决这些问题，可以通过连接具有相对小尺寸的多个显示装置来实现具有大屏幕的拼接显示装置。由于多个显示装置的非显示区域或边框的存在，拼接显示装置可以在多个显示装置之间包括接缝(或边界部分)。然而，当在拼接显示装置的整个屏幕上正显示图像时，接缝引起不连续的感觉，不利地影响遍及多个显示装置显示的图像的沉浸感。
发明内容
公开的方面提供了一种能够改善扇出线的可靠性的显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置。
公开的方面还提供了一种能够通过防止多个显示装置之间的边界部分或非显示区域变得可见来消除多个显示装置之间的不连续感并增强图像的沉浸感的显示装置、制造该显示装置的方法和包括该显示装置的拼接显示装置。
然而，公开的方面不限于在这里阐述的方面。通过参考下面给出的公开的详细描述，公开的上述和其它方面对于公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
根据公开的实施例，显示装置可以包括：第一基底，包括第一接触孔；第一阻挡绝缘层，设置在第一基底上，并且包括第二接触孔；扇出线，设置在第一阻挡绝缘层上的第一金属层中，扇出线包括突出部分和凹陷部分，突出部分***第二接触孔中以从第一阻挡绝缘层的下方突出，凹陷部分由第二接触孔形成；蚀刻电极，设置在扇出线的凹陷部分中；第二基底，设置在扇出线和蚀刻电极上，并且包括第三接触孔；显示层，设置在第二基底上；以及柔性膜，设置在第一基底下方，并且***第一接触孔中以电连接到扇出线的突出部分。
蚀刻电极的顶表面的高度可以比扇出线的顶表面的高度小。
蚀刻电极的厚度可以比扇出线的设置在第一阻挡绝缘层上的部分的厚度大，并且扇出线的设置在第一阻挡绝缘层上的部分的厚度可以比扇出线的突出部分的厚度大。
扇出线的设置在第一阻挡绝缘层上的部分的厚度可以是扇出线的突出部分的厚度的至少两倍。
蚀刻电极的厚度可以是扇出线的设置在第一阻挡绝缘层上的部分的厚度的约1.2至约2倍。
蚀刻电极的厚度可以为约或更大，扇出线的设置在第一阻挡绝缘层上的部分的厚度可以为约/>或更大，并且扇出线的突出部分的厚度可以为约/>或更大。
扇出线可以包括钛，并且蚀刻电极可以包括铜。
显示装置还可以包括：显示驱动器，安装在柔性膜上，并且提供数据电压、电源电压和栅极信号中的至少一个。
显示层可以包括：连接线，设置在第二基底上的第二金属层中；以及薄膜晶体管，设置在第二金属层上的有源层中并且设置在第三金属层中。
柔性膜可以通过扇出线和连接线向薄膜晶体管提供数据电压、电源电压和栅极信号中的至少一个。
显示装置还可以包括：电压线，设置在第二金属层中，并且电连接到薄膜晶体管。
显示装置还可以包括：连接电极，设置在第三金属层上的第四金属层中。连接电极的一端可以连接到电压线。连接电极的另一端可以连接到薄膜晶体管。
显示装置还可以包括：发光元件层，设置在第四金属层上。发光元件层可以包括：第一电极，连接到连接电极；第二电极，与第一电极设置在同一层；以及发光元件，在第一电极与第二电极之间对准，并且电连接在第一电极与第二电极之间。
根据公开的实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：提供基底；设置阻挡绝缘层，阻挡绝缘层设置在基底上并且包括第一接触孔；形成扇出线，扇出线设置在阻挡绝缘层上并且包括***第一接触孔中的突出部分和由第一接触孔形成的凹陷部分；在扇出线上形成蚀刻电极；蚀刻扇出线和蚀刻电极，使得蚀刻电极保留在凹陷部分中；在扇出线和蚀刻电极上形成显示层；形成从基底下方穿透的第二接触孔；以及形成柔性膜，柔性膜设置在基底下方，***第二接触孔中，并且电连接到扇出线的突出部分。
形成第二接触孔的步骤可以包括部分地蚀刻扇出线的突出部分。
扇出线的设置在阻挡绝缘层上的部分的厚度可以是扇出线的被部分蚀刻的突出部分的厚度的至少两倍。
蚀刻电极的厚度可以为约或更大，扇出线的设置在阻挡绝缘层上的部分的厚度可以为约/>或更大，并且扇出线的被部分蚀刻的突出部分的厚度可以为约或更大。
形成第二接触孔的步骤可以包括：执行激光蚀刻和大气压(AP)等离子体蚀刻中的至少一种。
蚀刻电极的厚度可以是扇出线的设置在阻挡绝缘层上的部分的厚度的约1.2倍至约2倍。
根据公开的实施例，拼接显示装置可以包括：多个显示装置，多个显示装置中的每个具有包括像素的显示区域和围绕显示区域的非显示区域；以及结合构件，将多个显示装置彼此结合。显示装置中的每个可以包括：第一基底，包括第一接触孔；第一阻挡绝缘层，设置在第一基底上，并且包括第二接触孔；扇出线，设置在第一阻挡绝缘层上的第一金属层中，扇出线包括***第二接触孔中以从第一阻挡绝缘层的下方突出的突出部分以及由第二接触孔形成的凹陷部分；蚀刻电极，设置在扇出线的凹陷部分中；第二基底，设置在扇出线和蚀刻电极上，并且包括第三接触孔；显示层，设置在第二基底上；以及柔性膜，设置在第一基底下方，并且***第一接触孔中以电连接到扇出线的突出部分。
根据公开的上述和其它实施例，由于扇出线的突出部分具有一定厚度，因此即使突出部分被过度蚀刻，突出部分可以仍然能够保持在阻挡绝缘层下方，并且因此能够容易地连接到柔性膜的引线电极。因此，即使在使用激光蚀刻和AP等离子体蚀刻中的至少一者的情况下，也可以改善扇出线的突出部分的可靠性。
由于基底下方的显示驱动器可以电连接到基底上的连接线，因此可以使显示装置的非显示区域的尺寸最小化。因此，可以使包括在拼接显示装置中的多个显示装置之间的距离最小化，结果，可以防止多个显示装置之间的非显示区域或接缝对用户而言变得可识别。
应当注意的是，公开的效果不限于上述那些效果，并且公开的其它效果从以下描述中将是明显的。
附图说明
通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的上述以及其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据公开的实施例的拼接显示装置的示意性平面图；
图2是沿着图1的线I-I'截取的示意性剖视图；
图3是图2的区域A1的放大的示意性剖视图；
图4是根据公开的实施例的显示装置的示意性仰视图；
图5是图4的显示装置的放大的示意性仰视图；
图6是沿着图1的线II-II'截取的示意性剖视图；
图7至图11是示出如何制造图4的显示装置的示意性剖视图；
图12是示出根据公开的实施例的激光蚀刻速率的示意图；
图13是示出根据公开的实施例的大气压(AP)等离子体蚀刻速率的示意图；以及
图14至图16是示出如何制造根据公开的实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照其中示出了实施例的附图更充分地描述公开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。
在一些示例中，以框图形式示出了结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离公开的情况下，实施例的具体形状、构造和特性可以在其它实施例中使用或实现。
除非另外说明，否则示出的实施例将被理解为提供可以在实践中实现公开的一些方式的变化的细节的特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离公开的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或暗示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，可以不存在中间元件或中间层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。
此外，X轴、Y轴和Z轴可以不限于直角坐标系的三个轴，因此X轴、Y轴和Z轴可以以更广泛的意义来解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
为了公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。术语“和”以及“或”可以以合取含义或析取含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
为了描述性的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中所示的一个元件与其他元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图还包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，术语“包含”、“具有”、“包括”和/或它们的变型当在这里使用时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指：考虑到所讨论的测量和与具体量的测量相关的误差(即，测量***的限制)，在如本领域普通技术人员确定的具体值的偏差的可接受范围内。例如，“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在这里参照可以是理想化实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在这里公开的实施例应该不必被解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且不必意图成为限制。
作为本领域的惯例，根据功能块、单元、部件(部)和/或模块在附图中描述和示出了一些实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元、部件(部)和/或模块可以通过可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术而形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接件等)物理地实现。在由微处理器或其它类似硬件来实现所述块、单元、部件(部)和/或模块的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制以执行在这里讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来对它们进行驱动。还预期的是，每个块、单元、部件(部)和/或模块可以由专用硬件来实现，或者实现为执行一些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和关联电路)的组合。此外，在不脱离公开的范围的情况下，一些实施例的每个块、单元、部件(部)和/或模块可以被物理地分成两个或更多个交互且分立的块、单元、部件(部)和/或模块。此外，在不脱离公开的范围的情况下，一些实施例的块、单元、部件(部)和/或模块可以被物理地组合成更复杂的块、单元、部件(部)和/或模块。
除非在这里另外限定或暗示，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下和公开中的意思一致的意思，而不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在这里如此明确定义。
术语“与……叠置”或“叠置的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方或者侧面，反之亦然。另外，术语“与……叠置”可以包括层叠、堆叠、面或面对、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
图1是根据公开的实施例的拼接显示装置的示意性平面图。
参照图1，拼接显示装置TD可以包括多个显示装置10。显示装置10可以布置为格子图案，但是公开不限于此。显示装置10可以在第一方向(或X轴方向)或第二方向(或Y轴方向)上连接，并且拼接显示装置TD可以具有具体的形状。例如，显示装置10可以全部具有相同的尺寸，但是公开不限于此。在另一示例中，显示装置10可以具有不同的尺寸。
拼接显示装置TD可以包括第一显示装置10-1至第四显示装置10-4。包括在拼接显示装置TD中的显示装置10的数量以及显示装置10可以如何彼此结合不受具体地限制。包括在拼接显示装置TD中的显示装置10的数量可以由显示装置10的尺寸和拼接显示装置TD的尺寸来确定。
显示装置10可以呈具有一对长边和一对短边的矩形形状。可以通过连接显示装置10中的每个的长边或短边来布置显示装置10。显示装置10中的一些可以沿着拼接显示装置TD的边缘布置，以形成拼接显示装置TD的边。显示装置10中的一些可以布置在拼接显示装置TD的拐角处，以形成拼接显示装置TD的每对相邻的边。显示装置10中的一些可以设置在拼接显示装置TD的中间，并且可以被其它显示装置10围绕。
显示装置10中的每个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括像素，并且可以显示图像。像素中的每个可以包括包含有机发光层的有机发光二极管(OLED)、包含量子点发光层的量子点发光二极管(QLED)、微型发光二极管(microLED)或包含无机半导体的无机发光二极管(LED)。像素中的每个将在下文中被描述为包括无机发光二极管(LED)，但是公开不限于此。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。
显示装置10中的每个可以在显示区域DA中包括可以布置为多行和多列的像素。像素中的每个可以包括可以由像素限定膜或堤限定的发射区域LA，并且可以通过发射区域LA发射具有一定峰值波长的光。例如，显示装置10中的每个的显示区域DA可以包括第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以是将由显示装置10中的每个的发光元件产生的光输出到拼接显示装置TD的外部的区域。
第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以向拼接显示装置TD的外部发射具有一定峰值波长的光。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。例如，第一颜色光可以是具有约610nm至约650nm的峰值波长的红色光，第二颜色光可以是具有约510nm至约550nm的峰值波长的绿色光，第三颜色光可以是具有约440nm至约480nm的峰值波长的蓝色光。然而，公开不限于此示例。
第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以在显示区域DA中的每个中在第一方向(或X轴方向)上顺序地布置。例如，第三发射区域LA3可以在尺寸上大于第一发射区域LA1，并且第一发射区域LA1可以在尺寸上大于第二发射区域LA2。然而，公开不限于此示例。在另一示例中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以全部具有基本上相同的尺寸。
显示装置10中的每个的显示区域DA还可以包括围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的阻光区域BA。阻光区域BA可以防止从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射的光束混合在一起。
拼接显示装置TD通常可以具有平坦的形状，但是公开不限于此。拼接显示装置TD可以具有立体的形状，因此可以向用户提供深度的感觉。例如，在拼接显示装置TD具有立体的形状的情况下，显示装置10中的至少一些可以具有弯曲的形状。在另一示例中，显示装置10可以全部具有平坦的形状，并且可以以一定角度彼此连接，使得拼接显示装置TD可以具有立体的形状。
拼接显示装置TD可以包括可以设置在多个显示区域DA之间的结合区域SM。可以通过连接显示装置10的非显示区域NDA来获得拼接显示装置TD。显示装置10可以经由设置在结合区域SM中的结合构件或粘合构件彼此连接。结合区域SM可以不包括垫(pad，也被称为焊盘、焊垫)单元或附着到垫单元的柔性膜。因此，显示装置10的显示区域DA之间的距离可以如此接近使得结合区域SM可以变得对用户而言几乎不可见。显示装置10的显示区域DA的反射率可以与结合区域SM的反射率基本上相同。因此，拼接显示装置TD可以克服显示装置10之间的不连续的感觉，并且通过防止结合区域SM对用户而言变得可识别来改善图像的沉浸度。
图2是沿着图1的线I-I'截取的示意性剖视图。图3是图2的区域A1的放大的示意性剖视图。图4是根据公开的实施例的显示装置的示意性仰视图。图5是图4的显示装置的放大的示意性仰视图。
参照图2至图5，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以是将由显示装置10的发光元件ED产生的光输出到显示装置10的外部的区域。
显示装置10可以包括第一基底SUB1、第一阻挡绝缘层BIL1、第一金属层MTL1、蚀刻电极ECE、第二基底SUB2、第二阻挡绝缘层BIL2、第三阻挡绝缘层BIL3、显示层DPL、封装层TFE、抗反射膜ARF、柔性膜FPCB和显示驱动器DIC。
第一基底SUB1可以支撑显示装置10。第一基底SUB1可以是基体基底或基体构件。第一基底SUB1可以是柔性基底，该柔性基底可以是可弯曲的、可折叠的和/或可卷曲的。例如，第一基底SUB1可以包括诸如聚合物树脂(例如，聚酰亚胺)的绝缘材料，但是公开不限于此。在其它实施例中，第一基底SUB1可以是包括玻璃材料的刚性基底。
第一基底SUB1可以包括第一接触孔CNT1。第一接触孔CNT1可以从第一基底SUB1的底表面蚀刻以穿过到第一基底SUB1的顶表面。例如，第一接触孔CNT1的下宽度可以大于第一接触孔CNT1的上宽度。在显示装置10的制造期间，扇出线FOL的可以***第二接触孔CNT2中的突出部分FOLa可以通过第一接触孔CNT1暴露，并且扇出线FOL可以通过可以***第一接触孔CNT1中的连接膜ACF电连接到柔性膜FPCB的引线电极LDE。
第一阻挡绝缘层BIL1可以设置在第一基底SUB1上。第一阻挡绝缘层BIL1可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机膜。例如，第一阻挡绝缘层BIL1可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一个，但是公开不限于此。
第一阻挡绝缘层BIL1可以包括第二接触孔CNT2。可以从第一阻挡绝缘层BIL1的顶表面蚀刻第二接触孔CNT2以穿过到第一阻挡绝缘层BIL1的底表面。例如，第二接触孔CNT2的上宽度可以大于第二接触孔CNT2的下宽度。
第一金属层MTL1可以设置在第一阻挡绝缘层BIL1上。第一金属层MTL1可以包括扇出线FOL。第一金属层MTL1可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、钯(Pd)、铟(In)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。例如，扇出线FOL可以包括Ti，因此可以能够容易地形成在第一阻挡绝缘层BIL1上。然而，扇出线FOL的材料不受具体地限制。
扇出线FOL可以电连接柔性膜FPCB和连接线CWL。扇出线FOL的突出部分FOLa可以***第二接触孔CNT2中，因此可以突出超过第一阻挡绝缘层BIL1的底表面，并且通过第一基底SUB1的第一接触孔CNT1暴露。扇出线FOL的突出部分FOLa可以通过连接膜ACF电连接到柔性膜FPCB的引线电极LDE。扇出线FOL可以通过连接线CWL电连接到数据线、电力线或栅极线。数据线或电力线可以连接到薄膜晶体管(TFT)TFT的漏电极DE。栅极线可以连接到薄膜晶体管TFT的栅电极GE。因此，扇出线FOL可以将来自柔性膜FPCB的显示驱动器DIC的数据电压、电源电压或栅极信号提供给薄膜晶体管TFT。由于显示装置10在显示区域DA中包括扇出线FOL，所以可以使非显示区域NDA的尺寸最小化。
在激光蚀刻或大气压(AP)等离子体蚀刻期间，蚀刻电极ECE的蚀刻速率可以比扇出线FOL的蚀刻速率快得多。参照图3，扇出线FOL的突出部分FOLa可以具有第一厚度T1，扇出线FOL的其余部分可以具有第二厚度T2，蚀刻电极ECE可以具有第三厚度T3。第三厚度T3可以大于第二厚度T2，并且第二厚度T2可以大于第一厚度T1。第二厚度T2可以是第一厚度T1的约至少两倍。第三厚度T3可以是第二厚度T2的大约1.2至约2倍。例如，第一厚度T1可以是但不限于约或更大，第二厚度T2可以是但不限于约/>或更大，第三厚度T3可以是但不限于约/>或更大。因此，即使在蚀刻第一基底SUB1期间扇出线FOL的突出部分FOLa会被过度蚀刻，突出部分FOLa的部分可以仍然能够保留在第一阻挡绝缘层BIL1下方，并且因此可以容易地连接到柔性膜FPCB的引线电极LDE。因此，即使在使用激光蚀刻和AP等离子体蚀刻中的至少一种的情况下，也可以改善扇出线FOL的突出部分FOLa的可靠性。
蚀刻电极ECE可以设置在扇出线FOL的凹陷部分FOLb中。由于蚀刻电极ECE与扇出线FOL的蚀刻速率不同，蚀刻电极ECE可以能够保留在扇出线FOL的可以形成在第二接触孔CNT2中的凹陷部分FOLb中。蚀刻电极ECE的顶表面的高度可以小于扇出线FOL的顶表面的高度，但是公开不限于此。蚀刻电极ECE可以防止第二基底SUB2被凹进，结果，第二基底SUB2可以具有平坦的顶表面。
蚀刻电极ECE可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ag、Ti、Ni、Pd、In、Nd和Cu中的至少一种的单层或多层。例如，蚀刻电极ECE可以包括CU，但是公开不限于此。
第二阻挡绝缘层BIL2可以设置在第一阻挡绝缘层BIL1、第一金属层MTL1和填充构件FIL上。第二阻挡绝缘层BIL2可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机膜。例如，第二阻挡绝缘层BIL2可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一个，但是公开不限于此。
第二基底SUB2可以设置在第二阻挡绝缘层BIL2上。第二基底SUB2可以是基体基底或基体构件。第二基底SUB2可以是可弯曲的、可折叠的和/或可卷曲的柔性基底。例如，第二基底SUB2可以包括诸如聚合物树脂(例如，聚酰亚胺)的绝缘材料，但是公开不限于此。
第三阻挡绝缘层BIL3可以设置在第二基底SUB2上。第三阻挡绝缘层BIL3可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机膜。例如，第三阻挡绝缘层BIL3可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层和非晶硅层中的至少一个，但是公开不限于此。
第三阻挡绝缘层BIL3、第二基底SUB2和第二阻挡绝缘层BIL2可以包括第三接触孔CNT3。第三接触孔CNT3可以从第三阻挡绝缘层BIL3的顶表面蚀刻以穿过到第二阻挡绝缘层BIL2的底表面。例如，第三接触孔CNT3的上宽度可以大于第三接触孔CNT3的下宽度。在显示装置10的制造期间，扇出线FOL的顶表面可以通过第三接触孔CNT3暴露，并且扇出线FOL可以与连接线CWL接触，连接线CWL可以***第三接触孔CNT3中。
显示层DPL可以设置在第三阻挡绝缘层BIL3上。显示层DPL可以包括TFT层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL。TFT层TFTL可以包括第二金属层MTL2、缓冲层BF、有源层ACTL、栅极绝缘层GI、第三金属层MTL3、层间绝缘层ILD、第四金属层MTL4、第一钝化层PV1和第一平坦化层OC1。
第二金属层MTL2可以设置在第三阻挡绝缘层BIL3上。第二金属层MTL2可以包括连接线CWL、第一电压线VL1和第二电压线VL2。连接线CWL、第一电压线VL1和第二电压线VL2可以形成在同一层并且由相同的材料形成，但是公开不限于此。例如，第二金属层MTL2可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ag、Ti、Ni、Pd、In、Nd和Cu中的至少一种的单层或多层。
连接线CWL可以***第三接触孔CNT3中，并且因此可以连接到扇出线FOL。例如，连接线CWL可以电连接到数据线，并且可以向薄膜晶体管TFT提供数据电压。连接线CWL可以电连接到电力线，并且可以向薄膜晶体管TFT提供电源电压。连接线CWL可以连接到栅极线，并且可以向薄膜晶体管TFT的栅电极GE提供栅极信号。因此，连接线CWL可以通过扇出线FOL将数据电压、电源电压或栅极信号从显示驱动器DIC提供给薄膜晶体管TFT。
第一电压线VL1和第二电压线VL2可以在显示区域DA中在第二方向(或Y轴方向)上延伸。第一电压线VL1和第二电压线VL2可以电连接到扇出线FOL。第一电压线VL1和第二电压线VL2可以电连接到薄膜晶体管TFT或发光元件ED。例如，第一电压线VL1和第二电压线VL2可以是数据线、驱动电压线、低电位线和/或初始化电压线，但是公开不限于此。
缓冲层BF可以设置在第二金属层MTL2和第三阻挡绝缘层BIL3上。缓冲层BF可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机材料。例如，缓冲层BF可以包括可以彼此交替堆叠的无机膜。
有源层ACTL可以设置在缓冲层BF上。有源层ACTL可以包括薄膜晶体管TFT的半导体区域ACT、漏电极DE和源电极SE。半导体区域ACT可以在厚度方向(或Z轴方向)上与栅电极GE叠置，并且可以通过栅极绝缘层GI与栅电极GE绝缘。漏电极DE和源电极SE可以通过使用半导体区域ACT的材料形成导体来获得。薄膜晶体管TFT可以形成像素的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACTL和缓冲层BF上。栅极绝缘层GI可以使半导体区域ACT与薄膜晶体管TFT的栅电极绝缘。栅极绝缘层GI可以包括可以被第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2穿透的接触孔。
第三金属层MTL3可以设置在栅极绝缘层GI上。第三金属层MTL3可以包括薄膜晶体管TFT的栅电极GE。栅电极GE可以与半导体区域ACT叠置且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体区域ACT之间。栅电极GE可以从栅极线接收栅极信号。例如，第三金属层MTL3可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ag、Ti、Ni、Pd、In、Nd和Cu中的至少一种的单层或多层。
层间绝缘层ILD可以设置在第三金属层MTL3上。层间绝缘层ILD可以使第三金属层MTL3和第四金属层MTL4绝缘。层间绝缘层ILD可以包括可以被第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2穿透的接触孔。
第四金属层MTL4可以设置在层间绝缘层ILD上。第四金属层MTL4可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以形成在同一层并且由相同的材料形成，但是公开不限于此。例如，第四金属层MTL4可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ag、Ti、Ni、Pd、In、Nd和Cu中的至少一种的单层或多层。
第一连接电极CNE1可以电连接第一电压线VL1和薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一连接电极CNE1的第一端可以与第二金属层MTL2的第一电压线VL1接触，并且第一连接电极CNE1的第二端可以与有源层ACTL的漏电极DE接触。
第二连接电极CNE2可以电连接薄膜晶体管TFT的源电极SE和第一电极RME1。第二连接电极CNE2的第一端可以与有源层ACTL的源电极SE接触，并且发光元件层EML的第一电极RME1可以与第二连接电极CNE2的第二端接触。
第一钝化层PV1可以设置在第四金属层MTL4和层间绝缘层ILD上。第一钝化层PV1可以保护薄膜晶体管TFT。第一钝化层PV1可以包括可以被第一电极RME1穿透的接触孔。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PV1上，并且可以使薄膜晶体管TFT的顶部平坦化。例如，第一平坦化层OC1可以包括可以被第一电极RME1穿透的接触孔。这里，第一平坦化层OC1的接触孔可以连接到第一钝化层PV1的接触孔。第一平坦化层OC1可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
发光元件层EML可以设置在TFT层TFTL上。发光元件层EML可以包括突出图案BP、第一电极RME1、第二电极RME2、第一绝缘层PAS1、子堤SB、发光元件ED、第二绝缘层PAS2、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2和第三绝缘层PAS3。
突出图案BP可以设置在第一平坦化层OC1上。突出图案BP可以从第一平坦化层OC1的顶表面突出。突出图案BP可以设置在像素的发射区域LA或开口区域中。发光元件ED可以设置在突出图案BP之间。突出图案BP中的每个可以具有倾斜的侧表面，并且由发光元件ED发射的光可以被突出图案BP上的第一电极RME1或第二电极RME2反射。例如，突出图案BP可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
第一电极RME1可以设置在第一平坦化层OC1和突出图案BP上。第一电极RME1可以设置在发光元件ED的第一侧上的突出图案BP上。第一电极RME1可以设置在发光元件ED的第一侧上的突出图案BP的倾斜的侧表面上，以反射由发光元件ED发射的光。第一电极RME1可以***第一平坦化层OC1和第一钝化层PV1的接触孔中，因此可以连接到第二连接电极CNE2。第一电极RME1可以通过第一接触电极CTE1电连接到发光元件ED的第一端。例如，第一电极RME1可以从薄膜晶体管TFT接收可以与发光元件ED的亮度成比例的电压。
第二电极RME2可以设置在第一平坦化层OC1和突出图案BP上。第二电极RME2可以设置在发光元件ED的第二侧上的突出图案BP上。第二电极RME2可以设置在发光元件ED的第二侧上的突出图案BP的倾斜侧表面上，以反射由发光元件ED发射的光。第二电极RME2可以通过第二接触电极CTE2电连接到发光元件ED的第二端。例如，第二电极RME2可以从低电位线接收将要供应给所有像素的低电位电压。
第一电极RME1和第二电极RME2可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括Al、Ag、Cu、Ni和镧(La)中的至少一种。在另一示例中，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)的材料。在又一示例中，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括具有透明导电材料层和具有高反射率的金属层的多层或者包括透明导电材料或高反射率金属的单层。第一电极RME1和第二电极RME2可以具有诸如ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构。
第一绝缘层PAS1可以设置在第一平坦化层OC1、第一电极RME1和第二电极RME2上。第一绝缘层PAS1可以保护第一电极RME1和第二电极RME2并使第一电极RME1和第二电极RME2绝缘。在发光元件ED的对准期间，第一绝缘层PAS1可以防止发光元件ED被放置成与第一电极RME1和第二电极RME2直接接触。
子堤SB可以在第一绝缘层PAS1上设置在阻光区域BA中。子堤SB可以沿着像素中的每个的边界设置，以限定和分离像素。子堤SB可以具有一定高度，并且可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以在第一电极RME1与第二电极RME2之间平行对准。发光元件ED的长度可以大于第一电极RME1与第二电极RME2之间的距离。发光元件ED中的每个可以包括半导体层，并且发光元件ED的第一端和第二端可以基于半导体层来限定。发光元件ED的第一端可以设置在第一电极RME1上，并且发光元件ED的第二端可以设置在第二电极RME2上。发光元件ED的第一端可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极RME1，并且发光元件ED的第二端可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极RME2。
发光元件ED可以具有几微米或纳米的尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管(LED)。根据在对应的一对相对的第一电极RME1和第二电极RME2之间的具体方向上形成的电场，发光元件ED可以在相对的第一电极RME1和第二电极RME2中的每对之间对准。
例如，发光元件ED可以包括包含相同材料的有源层，因此可以发射相同波长范围的光或相同颜色的光。从发光元件层EML的第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射的光束可以全部具有相同的颜色。例如，发光元件ED可以发射具有约440nm至约480nm的峰值波长的第三颜色的光或蓝色光，但是公开不限于此。
第二绝缘层PAS2可以设置在发光元件ED上。例如，第二绝缘层PAS2可以围绕发光元件ED的部分，并且可以不覆盖发光元件ED中的每个的两端。第二绝缘层PAS2可以保护发光元件ED并且可以在显示装置10的制造期间固定发光元件ED。第二绝缘层PAS2可以填充发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间的空间。
第一接触电极CTE1可以设置在第一绝缘层PAS1上，并且可以***第一绝缘层PAS1中的接触孔中以连接到第一电极RME1。例如，第一绝缘层PAS1中的接触孔可以设置在突出图案BP上方，但是公开不限于此。第一接触电极CTE1的第一端可以连接到突出图案BP上的第一电极RME1，并且第一接触电极CTE1的第二端可以连接到发光元件ED的第一端。
第二接触电极CTE2可以设置在第一绝缘层PAS1上，并且可以***第一绝缘层PAS1中的接触孔中以连接到第二电极RME2。例如，第一绝缘层PAS1中的接触孔可以设置在突出图案BP上方，但是公开不限于此。在突出图案BP上，第二接触电极CTE2的第一端可以连接到发光元件ED的第二端，并且第二接触电极CTE2的第二端可以连接到第二电极RME2。
第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2、子堤SB、第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2上。第三绝缘层PAS3可以设置在发光元件层EML的顶部处以保护发光元件层EML。
波长转换层WLCL也可以设置在发光元件层EML上。波长转换层WLCL可以包括第一阻光构件BK1、第一波长转换器WLC1、第二波长转换器WLC2、透光器LTU、第二钝化层PV2和第二平坦化层OC2。
第一阻光构件BK1可以在第三绝缘层PAS3上设置在阻光区域BA中。第一阻光构件BK1可以在厚度方向(或Z轴方向)上与子堤SB叠置。第一阻光构件BK1可以阻挡光的透射。第一阻光构件BK1可以通过防止从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射的光束混合在一起来改善显示装置10的颜色再现性。在平面图中，第一阻光构件BK1可以布置为格子形式以围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。
第一波长转换器WLC1可以在第三绝缘层PAS3上设置在第一发射区域LA1中。第一波长转换器WLC1可以被第一阻光构件BK1围绕。第一波长转换器WLC1可以将入射光的峰值波长转换或移位为第一峰值波长。第一波长转换器WLC1中的每个可以包括第一基体树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长移位器WLS1。
第一基体树脂BS1可以包括具有相对高透光率的材料。第一基体树脂BS1可以由透明有机材料形成。例如，第一基体树脂BS1可以包括以下有机材料中的至少一种：环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂和酰亚胺树脂。
第一散射体SCT1可以具有与第一基体树脂BS1不同的折射率，并且可以与第一基体树脂BS1形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包括能够使穿过第一波长转换器WLC1的光中的至少一些散射的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包括诸如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和/或氧化锡(SnO2)的金属氧化物或者诸如丙烯酸树脂或氨基甲酸乙酯树脂的颗粒的有机颗粒。不管入射在第一散射体SCT1上的光的入射方向如何，第一散射体SCT1可以在随机方向上散射光而基本上不改变入射光的峰值波长。
第一波长移位器WLS1可以将入射光的峰值波长转换或移位为第一峰值波长。例如，第一波长移位器WLS1可以将由显示装置10提供的蓝色光转换成具有约610nm至约650nm的单峰值波长的红色光，并且可以发射红色光。第一波长移位器WLS1可以包括量子点、量子棒和/或磷光体。量子点可以是响应于电子从导带跃迁到价带而发射具体颜色的光的颗粒材料。
由发光元件层EML提供的蓝色光中的一些可以不被第一波长转换器WLC1的第一波长移位器WLS1转换成红色光，而是可以穿过第一波长转换器WLC1。入射在第一滤色器CF1上的未被第一波长移位器WLS1转换为红色光的蓝色光可以被第一滤色器CF1阻挡。通过第一波长转换器WLC1从蓝色光获得的红色光可以穿过第一滤色器CF1并且可以被发射到显示装置10的外部。因此，第一发射区域LA1可以发射红色光。
第二波长转换器WLC2可以在第三绝缘层PAS3上设置在第二发射区域LA2中。第二波长转换器WLC2可以被第一阻光构件BK1围绕。第二波长转换器WLC2可以将入射光的峰值波长转换或移位为第二峰值波长。第二波长转换器WLC2中的每个可以包括第二基体树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长移位器WLS2。
第二基体树脂BS2可以包括具有相对高透光率的材料。第二基体树脂BS2可以由透明有机材料形成。例如，第二基体树脂BS2可以包括与第一基体树脂BS1相同的材料。
第二散射体SCT2可以具有与第二基体树脂BS2不同的折射率，并且可以与第二基体树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括能够使穿过第二波长转换器WLC2的光中的至少一些散射的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2可以包括与第一波长转换器WLC1的第一散射体SCT1相同的材料。
第二波长移位器WLS2可以将入射光的峰值波长转换或移位为不同于第一峰值波长的第二峰值波长。例如，第二波长移位器WLS2可以将由发光元件层EML提供的蓝色光转换为具有510nm至550nm的单峰值波长的绿色光，并且可以发射红色光。第二波长移位器WLS2可以包括量子点、量子棒或磷光体。第二波长移位器WLS2可以包括与第一波长转换器WLC1的第一波长移位器WLS1相同的材料。第二波长移位器WLS2可以被形成为具有与第一波长转换器WLC1的第一波长移位器WLS1不同的波长转换范围的量子点、量子棒和/或磷光体。
透光器LTU可以在第三绝缘层PAS3上设置在第三发射区域LA3中。透光器LTU可以被第一阻光构件BK1围绕。透光器LTU可以透射通过其的入射光同时保持入射光的峰值波长。透光器LTU中的每个可以包括第三基体树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基体树脂BS3可以包括具有相对高透光率的材料。第三基体树脂BS3可以由透明有机材料形成。例如，第三基体树脂BS3可以包括与第一基体树脂BS1或第二基体树脂BS2相同的材料。
第三散射体SCT3可以具有与第三基体树脂BS3不同的折射率，并且可以与第三基体树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括能够使穿过透光器LTU的光中的至少一些散射的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3可以包括与第一波长转换器WLC1的第一散射体SCT1和第二波长转换器WLC2的第二散射体SCT2相同的材料。
由于波长转换层WLCL可以设置在发光元件层EML的第三绝缘层PAS3上(例如，直接设置在发光元件层EML的第三绝缘层PAS3上)，因此显示装置10可以不需要用于第一波长转换器WLC1、第二波长转换器WLC2和透光器LTU的单独的基底。因此，第一波长转换器WLC1、第二波长转换器WLC2和透光器LTU可以分别在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中容易地对准，并且可以减小显示装置10的厚度。
第二钝化层PV2可以覆盖第一波长转换器WLC1、第二波长转换器WLC2、透光器LTU和第一阻光构件BK1。例如，第二钝化层PV2可以密封第一波长转换器WLC1、第二波长转换器WLC2和透光器LTU，从而可以防止第一波长转换器WLC1、第二波长转换器WLC2和透光器LTU被损坏或污染。例如，第二钝化层PV2可以包括无机材料。
第二平坦化层OC2可以设置在第二钝化层PV2上，以使第一波长转换器WLC1、第二波长转换器WLC2和透光器LTU的顶部平坦化。例如，第二平坦化层OC2可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
滤色器层CFL可以设置在波长转换层WLCL上。滤色器层CFL可以包括第二阻光构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3和第三钝化层PV3。
第二阻光构件BK2可以在波长转换层WLCL的第二平坦化层OC2上设置在阻光区域BA中。第二阻光构件BK2可以在厚度方向(或Z轴方向)上与第一阻光构件BK1或子堤SB叠置。第二阻光构件BK2可以阻挡光的透射。第二阻光构件BK2可以通过防止从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射的光束混合在一起来改善显示装置10的颜色再现性。例如，在平面图中，第二阻光构件BK2可以布置为格子形式以包围第一发射区域LA1、第二发射区域LA2以及第三发射区域LA3。
第一滤色器CF1可以在第二平坦化层OC2上设置在第一发射区域LA1中。第一滤色器CF1可以被第二阻光构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向(或Z轴方向)上与第一波长转换器WLC1叠置。第一滤色器CF1可以选择性地使第一颜色光(例如，红色光)透射过它，并且可以阻挡或吸收第二颜色光(例如，绿色光)和第三颜色光(例如，蓝色光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，并且可以包括红色着色剂。
第二滤色器CF2可以在第二平坦化层OC2上设置在第二发射区域LA2中。第二滤色器CF2可以被第二阻光构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向(或Z轴方向)上与第二波长转换器WLC2叠置。第二滤色器CF2可以选择性地使第二颜色光(例如，绿色光)透射过它，并且可以阻挡或吸收第一颜色光(例如，红色光)和第三颜色光(例如，蓝色光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色着色剂。
第三滤色器CF3可以在第二平坦化层OC2上设置在第三发射区域LA3中。第三滤色器CF3可以被第二阻光构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向(或Z轴方向)上与透光器LTU叠置。第三滤色器CF3可以选择性地使第三颜色光(例如，蓝色光)透射过它，并且可以阻挡或吸收第一颜色光(例如，红色光)和第二颜色光(例如，绿色光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色着色剂。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以通过吸收外部光的一部分来减小外部光的反射。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止会由外部光的反射引起的颜色失真。
由于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以设置在波长转换层WLCL的第二平坦化层OC2上(例如，直接设置在波长转换层WLCL的第二平坦化层OC2上)，因此显示装置10可以不需要用于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的单独的基底。因此，可以减小显示装置10的厚度。
第三钝化层PV3可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第三钝化层PV3可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装层TFE可以设置在滤色器层CFL的第三钝化层PV3上。封装层TFE可以覆盖显示层DPL的顶表面和侧表面。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机膜，并且可以防止氧或湿气的渗透。封装层TFE还可以包括至少一个有机膜，并且可以保护显示装置免受异物(诸如灰尘)的影响。
抗反射膜ARF可以设置在封装层TFE上。抗反射膜ARF可以防止外部光的反射，因此可以减小会由外部光的反射引起的显示装置10的可见度的降低。抗反射膜ARF可以保护显示装置10的顶表面。可以不设置抗反射膜ARF。例如，抗反射膜ARF可以用偏振膜代替。
柔性膜FPCB可以设置在第一基底SUB1下方。柔性膜FPCB可以沿着显示装置10的底表面的边缘设置。柔性膜FPCB可以经由连接膜ACF附着到第一基底SUB1的底表面。柔性膜FPCB可以包括可以设置在柔性膜FPCB的顶表面上的引线电极LDE。引线电极LDE可以通过连接膜ACF电连接到扇出线FOL的突出部分FOLa。柔性膜FPCB可以支撑可以设置在柔性膜FPCB的底表面上的显示驱动器DIC。引线电极LDE可以经由可以设置在柔性膜FPCB的底表面上的引线(未示出)电连接到显示驱动器DIC。柔性膜FPCB可以在第一基底SUB1下方连接到源极电路板(未示出)。柔性膜FPCB可以将信号和电压从显示驱动器DIC传输到显示装置10。
连接膜ACF可以将柔性膜FPCB的引线电极LDE附着到扇出线FOL的突出部分FOLa。连接膜ACF的第一表面可以附着到扇出线FOL的突出部分FOLa，并且连接膜ACF的第二表面可以附着到引线电极LDE。例如，连接膜ACF可以包括各向异性导电膜。在该示例中，连接膜ACF可以在扇出线FOL的突出部分FOLa和引线电极LDE可以彼此接触的区域中具有导电性，并且可以将柔性膜FPCB电连接到扇出线FOL。
显示驱动器DIC可以安装在柔性膜FPCB上。显示驱动器DIC可以是集成电路(IC)。显示驱动器DIC可以根据从时序控制器(未示出)接收的数据控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以通过柔性膜FPCB将模拟数据电压提供给显示区域DA中的数据线。显示驱动器DIC可以通过柔性膜FPCB将来自电源单元(未示出)的电源电压提供给显示区域DA的电力线。显示驱动器DIC可以根据栅极控制信号产生栅极信号，并且可以按顺序将栅极信号顺序地提供给栅极线。由于显示装置10包括可以设置在第一基底SUB1上的扇出线FOL和可以设置在第一基底SUB1下方的显示驱动器DIC，因此可以最小化非显示区域NDA的尺寸。
图6是沿着图1的线II-II'截取的示意性剖视图。
参照图6，拼接显示装置TD可以包括多个显示装置10和结合构件20。具体地，拼接显示装置TD可以包括第一显示装置10-1至第四显示装置10-4。包括在拼接显示装置TD中的显示装置10的数量以及显示装置10可以如何彼此结合不受具体限制。包括在拼接显示装置TD中的显示装置10的数量可以由显示装置10的尺寸和拼接显示装置TD的尺寸来确定。
显示装置10中的每个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括像素并且可以显示图像。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的周围以围绕显示区域DA并且可以不显示图像。
拼接显示装置TD可以包括可以设置在多个显示区域DA之间的结合区域SM。可以通过连接显示装置10的非显示区域NDA来获得拼接显示装置TD。显示装置10可以经由设置在结合区域SM中的结合构件或粘合构件彼此连接。结合区域SM可以不包括垫单元或附着到垫单元的扇出线。因此，显示装置10的显示区域DA之间的距离可以如此接近，使得结合区域SM可以变得对用户而言几乎不可见。显示装置10的显示区域DA的反射率可以与结合区域SM的反射率基本上相同。因此，拼接显示装置TD可以克服显示装置10之间的不连续的感觉，并且通过防止结合区域SM对用户而言变得可识别来改善图像的沉浸度。
在拼接显示装置TD中，显示装置10的侧边可以经由可以设置在显示装置10之间的结合构件20结合在一起。结合构件20可以连接可以布置为格子图案的第一显示装置10-1、第二显示装置10-2、第三显示装置10-3和第四显示装置10-4的侧边，因此可以实现拼接显示装置TD。结合构件20可以将每两个相邻的显示装置10的第一基底SUB1、第一阻挡绝缘层BIL1、第二阻挡绝缘层BIL2、第二基底SUB2、第三阻挡绝缘层BIL3、显示层DPL、封装层TFE和抗反射膜ARF的侧边结合在一起。
例如，结合构件20可以形成为相对薄的粘合剂或双面胶带，因此可以使显示装置10之间的距离最小化。在另一示例中，结合构件20可以形成为相对薄的结合框架，因此可以使显示装置10之间的距离最小化。因此，拼接显示装置TD可以防止显示装置10之间的结合区域SM对用户而言变得可见。
图7至图11是示出如何制造显示装置10的示意性剖视图。图12是示出根据公开的实施例的激光蚀刻速率的示意图。图13是示出根据公开的实施例的大气压(AP)等离子体蚀刻速率的示意图。图14至图16是示出如何制造根据公开的实施例的显示装置10的示意性剖视图。
参照图7，在显示装置10的制造期间，第一载体基底CG1可以支撑显示装置10。例如，第一载体基底CG1可以包括载体玻璃，但是公开不限于此。
可以在第一载体基底CG1上设置第一基底SUB1。第一基底SUB1可以是基体基底或基体构件。例如，第一基底SUB1可以包括诸如聚合物树脂(例如，聚酰亚胺)的绝缘材料，但是公开不限于此。
可以在第一基底SUB1上设置第一阻挡绝缘层BIL1。第一阻挡绝缘层BIL1可以包括能够防止空气或湿气渗透的无机膜。第一阻挡绝缘层BIL1可以包括第二接触孔CNT2。可以从第一阻挡绝缘层BIL1的顶表面蚀刻第二接触孔CNT2以穿透到第一基底SUB1的顶部。可以通过干法蚀刻或湿法蚀刻形成第二接触孔CNT2，但是公开不限于此。
可以在第一阻挡绝缘层BIL1上设置第一金属层MTL1。第一金属层MTL1可以包括扇出线FOL。扇出线FOL的突出部分FOLa可以在第二接触孔CNT2中***到第一基底SUB1的顶部中。第一金属层MTL1可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ag、Ti、Ni、Pd、In、Nd和Cu中的至少一种的单层或多层。例如，扇出线FOL可以包括Ti，因此可以能够容易地形成在第一阻挡绝缘层BIL1上。然而，扇出线FOL的材料不受具体地限制。扇出线FOL可以具有第二厚度T2。蚀刻之前的扇出线FOL的突出部分FOLa的厚度可以大于蚀刻之后的扇出线FOL的突出部分FOLa的厚度(即，第一厚度T1)。
可以在第一金属层MTL1上设置蚀刻电极ECE。蚀刻电极ECE可以***扇出线FOL的凹陷部分FOLb中。蚀刻电极ECE可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ag、Ti、Ni、Pd、In、Nd和Cu中的至少一种的单层或多层。例如，蚀刻电极ECE可以包括Cu，但是公开不限于此。
参照图8，可以通过湿法蚀刻或干法蚀刻来形成蚀刻电极ECE和扇出线FOL。在激光蚀刻或AP等离子体蚀刻期间，蚀刻电极ECE的蚀刻速率可以比扇出线FOL的蚀刻速率快得多。由于蚀刻电极ECE与扇出线FOL的蚀刻速率不同，蚀刻电极ECE能够保留在可以由第二接触孔CNT2形成的扇出线FOL的凹陷部分FOLb中。剩余的蚀刻电极ECE可以具有第三厚度T3。第三厚度T3可以大于扇出线FOL的厚度(即，第二厚度T2)。第三厚度T3可以是第二厚度T2的大约1.2至约2倍。例如，第二厚度T2可以是但不限于约或更大，第三厚度T3可以是但不限于约/>或更大。
参照图9，可以在第一阻挡绝缘层BIL1、扇出线FOL和蚀刻电极ECE上设置第二阻挡绝缘层BIL2。可以在第二阻挡绝缘层BIL2上顺序地堆叠第二基底SUB2和第三阻挡绝缘层BIL3。可以从第三阻挡绝缘层BIL3的顶表面蚀刻第三接触孔CNT3以使第三接触孔CNT3穿透到第二阻挡绝缘层BIL2的底表面。例如，可以通过干法蚀刻或湿法蚀刻穿透第二阻挡绝缘层BIL2和第三阻挡绝缘层BIL3以及第二基底SUB2，但是公开不限于此。扇出线FOL的顶表面可以通过第三接触孔CNT3暴露。
参照图10，可以在第三阻挡绝缘层BIL3上堆叠显示层DPL。可以在第三阻挡绝缘层BIL3上顺序地堆叠TFT层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL。封装层TFE可以覆盖显示层DPL的顶表面和侧面。可以在封装层TFE上形成抗反射膜ARF。
参照图11至图14，可以倒置显示装置10以形成柔性膜FPCB。可以从第一基底SUB1去除第一载体基底CG1。例如，可以通过在第一载体基底CG1与第一基底SUB1之间使用牺牲层(未示出)从第一基底SUB1的底部(例如，颠倒时的顶部)移除第一载体基底CG1，但是公开不限于此。
可以在抗反射膜ARF的表面上设置第二载体基底CG2。第二载体基底CG2可以支撑已经倒置的显示装置10。例如，第二载体基底CG2可以是载体玻璃，但是公开不限于此。
可以通过激光蚀刻来蚀刻第一基底SUB1的部分。参照图12，在激光蚀刻期间，第一基底SUB1的蚀刻速率可以比扇出线FOL的蚀刻速率快得多。
例如，在第一基底SUB1具有10μm的厚度的情况下，3W激光扫描可能无法引起激光烧蚀并蚀刻第一基底SUB1，3.75W激光扫描可以能够蚀刻第一基底SUB1约的平均值，5W激光扫描可以能够蚀刻第一基底SUB1约/>的平均值。/>
例如，在扇出线FOL具有1μm的厚度的情况下，3W激光扫描可以能够蚀刻扇出线FOL约的平均值，3.75W激光扫描可以能够蚀刻扇出线FOL约/>的平均值，5W激光扫描可以能够蚀刻扇出线FOL约/>的平均值。
例如，在扇出线FOL具有的厚度的情况下，3W激光扫描可以能够蚀刻扇出线FOL约/>的平均值，3.75W激光扫描可以能够蚀刻扇出线FOL约/>的平均值，并且5W激光扫描可以能够蚀刻扇出线FOL约/>的平均值。
可以通过AP等离子体蚀刻来蚀刻第一基底SUB1的部分。参照图13，在AP等离子体蚀刻期间，第一基底SUB1的蚀刻速率可以比扇出线FOL的蚀刻速率快得多。AP等离子体蚀刻可以使用蚀刻气体蚀刻第一基底SUB1。蚀刻气体可以包括三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)、氟化甲烷(CH3F)和二氟化甲烷(CH2F2)中的至少一种以及压缩干燥的空气(CDA)，但是公开不限于此。
例如，在蚀刻气体包括NF3的情况下，蚀刻气体的NF3含量越大，蚀刻速率越高。在蚀刻气体包含0.05％的NF3的情况下，第一基底SUB1的蚀刻速率可以为约/扫描，并且扇出线FOL的蚀刻速率可以为约/>/扫描/>在蚀刻气体包含0.08％的NF3的情况下，第一基底SUB1的蚀刻速率可以为约/>/扫描，扇出线FOL的蚀刻速率可以为约/>/扫描。
因此，可以相对快地蚀刻第一基底SUB1，使得可以形成第一接触孔CNT1，并且激光扫描的功率越强，扇出线FOL的突出部分FOLa将越可能被蚀刻。由于可以部分地蚀刻扇出线FOL的突出部分FOLa，因此扇出线FOL的突出部分FOLa可以具有第一厚度T1。扇出线FOL的厚度(即，第二厚度T2)可以大于扇出线FOL的突出部分FOLa的厚度(即，第一厚度T1)。第二厚度T2可以是第一厚度T1的约至少两倍。例如，第一厚度T1可以是但不限于约或更大，第二厚度T2可以是但不限于约/>或更大。
因此，即使扇出线FOL的突出部分FOLa可能在蚀刻第一基底SUB1的步骤期间被过度蚀刻，突出部分FOLa的部分也会仍然能够保留在第一阻挡绝缘层BIL1下方，因此可以容易地连接到柔性膜FPCB的引线电极LDE。因此，即使在使用激光蚀刻和AP等离子体蚀刻中的至少一者的情况下，也可以改善扇出线FOL的突出部分FOLa的可靠性。
参照图15和图16，柔性膜FPCB可以设置在第一基底SUB1的表面上。柔性膜FPCB和连接膜ACF可以在扇出线FOL的突出部分FOLa上对准。例如，柔性膜FPCB和连接膜ACF可以通过超声波结合或热结合附着到扇出线FOL的突出部分FOLa，但是公开不限于此。连接膜ACF可以在扇出线FOL的突出部分FOLa和引线电极LDE可以彼此接触的区域中具有导电性，并且可以将柔性膜FPCB电连接到扇出线FOL。
在这里已经公开了实施例，尽管采用了术语，但是它们仅以一般的和描述性的含义来使用并将被解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将明显的是，除非另外明确指出，否则结合实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的公开的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节方面的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括第一接触孔；
第一阻挡绝缘层，设置在所述第一基底上，并且包括第二接触孔；
扇出线，设置在所述第一阻挡绝缘层上的第一金属层中，所述扇出线包括：突出部分，***所述第二接触孔中以从所述第一阻挡绝缘层的下方突出；以及凹陷部分，由所述第二接触孔形成；
蚀刻电极，设置在所述扇出线的所述凹陷部分中；
第二基底，设置在所述扇出线和所述蚀刻电极上，并且包括第三接触孔；
显示层，设置在所述第二基底上；以及
柔性膜，设置在所述第一基底下方，并且***所述第一接触孔中以电连接到所述扇出线的所述突出部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述蚀刻电极的顶表面的高度比所述扇出线的顶表面的高度小。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述蚀刻电极的厚度比所述扇出线的设置在所述第一阻挡绝缘层上的部分的厚度大，并且
所述扇出线的设置在所述第一阻挡绝缘层上的所述部分的所述厚度比所述扇出线的所述突出部分的厚度大。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述扇出线的设置在所述第一阻挡绝缘层上的所述部分的所述厚度是所述扇出线的所述突出部分的所述厚度的至少两倍。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述蚀刻电极的所述厚度是所述扇出线的设置在所述第一阻挡绝缘层上的所述部分的所述厚度的1.2倍至2倍。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述蚀刻电极的所述厚度为或更大，
所述扇出线的设置在所述第一阻挡绝缘层上的所述部分的所述厚度为或更大，并且
所述扇出线的所述突出部分的所述厚度为或更大。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扇出线包括钛，并且
所述蚀刻电极包括铜。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
显示驱动器，安装在所述柔性膜上，并且提供数据电压、电源电压和栅极信号中的至少一个。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示层包括：
连接线，设置在所述第二基底上的第二金属层中；以及
薄膜晶体管，设置在所述第二金属层上的有源层中并且设置在第三金属层中。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述柔性膜通过所述扇出线和所述连接线向所述薄膜晶体管提供数据电压、电源电压和栅极信号中的至少一个。
11.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
电压线，设置在所述第二金属层中，并且电连接到所述薄膜晶体管。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
连接电极，设置在所述第三金属层上的第四金属层中，其中，
所述连接电极的一端连接到所述电压线，并且
所述连接电极的另一端连接到所述薄膜晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括：
发光元件层，设置在所述第四金属层上，
其中，所述发光元件层包括：
第一电极，连接到所述连接电极；
第二电极，与所述第一电极设置在同一层；以及
发光元件，在所述第一电极与所述第二电极之间对准，并且电连接在所述第一电极与所述第二电极之间。
14.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
提供基底；
设置阻挡绝缘层，所述阻挡绝缘层设置在所述基底上并且包括第一接触孔；
形成扇出线，所述扇出线设置在所述阻挡绝缘层上，并且包括***所述第一接触孔中的突出部分和由所述第一接触孔形成的凹陷部分；
在所述扇出线上形成蚀刻电极；
蚀刻所述扇出线和所述蚀刻电极，使得所述蚀刻电极保留在所述凹陷部分中；
在所述扇出线和所述蚀刻电极上形成显示层；
形成从所述基底的下方穿透的第二接触孔；以及
形成柔性膜，所述柔性膜设置在所述基底下方，***所述第二接触孔中，并且电连接到所述扇出线的所述突出部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述第二接触孔的步骤包括：
部分地蚀刻所述扇出线的所述突出部分。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述扇出线的设置在所述阻挡绝缘层上的部分的厚度是所述扇出线的被部分蚀刻的所述突出部分的厚度的至少两倍。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，
所述蚀刻电极的厚度为或更大，
所述扇出线的设置在所述阻挡绝缘层上的所述部分的所述厚度为或更大，并且
所述扇出线的被部分蚀刻的所述突出部分的所述厚度为或更大。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述第二接触孔的步骤包括：执行激光蚀刻和大气压等离子体蚀刻中的至少一种。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述蚀刻电极的厚度是所述扇出线的设置在所述阻挡绝缘层上的部分的厚度的1.2倍至2倍。
20.一种拼接显示装置，所述拼接显示装置包括：
多个显示装置，所述多个显示装置中的每个具有包括像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；以及
结合构件，将所述多个显示装置彼此结合，
其中，所述显示装置中的每个包括：
第一基底，包括第一接触孔；
第一阻挡绝缘层，设置在所述第一基底上，并且包括第二接触孔；
扇出线，设置在所述第一阻挡绝缘层上的第一金属层中，所述扇出线包括：突出部分，***所述第二接触孔中以从所述第一阻挡绝缘层的下方突出；
以及凹陷部分，由所述第二接触孔形成；
蚀刻电极，设置在所述扇出线的所述凹陷部分中；
第二基底，设置在所述扇出线和所述蚀刻电极上，并且包括第三接触孔；
显示层，设置在所述第二基底上；以及
柔性膜，设置在所述第一基底下方，并且***所述第一接触孔中以电连接到所述扇出线的所述突出部分。
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