CN118077053A - 显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置 - Google Patents

显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN118077053A
CN118077053A CN202280052082.7A CN202280052082A CN118077053A CN 118077053 A CN118077053 A CN 118077053A CN 202280052082 A CN202280052082 A CN 202280052082A CN 118077053 A CN118077053 A CN 118077053A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
display device
region
light blocking
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280052082.7A
Other languages
English (en)
Inventor
金炫享
徐政源
玄旻官
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN118077053A publication Critical patent/CN118077053A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • G09F9/3023—Segmented electronic displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域，显示区域具有光阻挡区域和多个发射区域，非显示区域围绕显示区域；薄膜晶体管层，设置在基底上并且包括多个薄膜晶体管；发光元件层，设置在薄膜晶体管层上并且包括多个发光元件；波长转换层，设置在发光元件层上并且转换由多个发光元件中的至少一些提供的光的峰值波长；以及滤色器层，设置在波长转换层上，其中，滤色器层包括：多个滤色器，分别设置在多个发射区域中；第一光阻挡部，设置在光阻挡区域中；以及第二光阻挡部，设置在非显示区域中。

Description

显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置。
背景技术
随着信息化社会的发展，对用于以各种方式显示图像的显示装置提出了越来越多的要求。例如，显示装置用于各种电子装置(诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视)中。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置。在平板显示装置之中，在发光显示装置中，由于显示面板的像素中的每个包括能够自身发射光的发光元件，因此图像可以在没有向显示面板提供光的背光单元的情况下显示。
当以大尺寸制造显示装置时，发光元件的缺陷率会由于像素的数量的增加而增加，从而降低显示装置的生产率或可靠性。为了解决这个问题，在拼接显示装置中，可以通过连接多个具有相对小尺寸的显示装置来实现大尺寸的屏幕。由于多个显示装置中的每个的非显示区域或边框区域彼此相邻，因此拼接显示装置可以包括在多个显示装置之间的被称为接缝的边界部分。当在整个屏幕上显示单个图像时，在多个显示装置之间的边界部分遍及整个屏幕带来断开感，从而降低图像的沉浸感。
发明内容
技术问题
本公开的方面提供了一种能够防止光从显示装置泄漏出来或泄漏到多个显示装置之间的结合区域并且减小非显示区域或结合区域中的顶表面的高度差的显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置。
本公开的方面还提供了一种能够通过防止识别多个显示装置之间的边界部分或非显示区域来去除多个显示装置之间的断开感并改善图像的沉浸感的拼接显示装置。
然而，本公开的方面不限于在此阐述的内容。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上面和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域，显示区域具有发射区域和光阻挡区域，非显示区域围绕显示区域；薄膜晶体管层，设置在基底上并且包括薄膜晶体管；发光元件层，设置在薄膜晶体管层上并且包括发光元件；波长转换层，设置在发光元件层上，以转换从发光元件中的至少一些提供的光的峰值波长；以及滤色器层，设置在波长转换层上。滤色器层包括：滤色器，设置在发射区域中的每个中；第一光阻挡部，设置在光阻挡区域中；以及第二光阻挡部，设置在非显示区域中。
第二光阻挡部的高度可以大于或等于第一光阻挡部的高度且小于或等于滤色器的高度。
非显示区域可以包括图案区域和除了图案区域之外的开口区域，第二光阻挡部设置在图案区域中。图案区域与开口区域的面积比可以为1.5至3:1。
第二光阻挡部可以具有围绕显示区域的至少一个闭环形状。
第二光阻挡部可以具有圆形形状、椭圆形形状、半圆形形状和多边形形状中的至少一种。
第二光阻挡部可以包括阻挡可见光并且透射红外光的材料。
设置在非显示区域的最外部分处的第二光阻挡部的宽度可以小于另一第二光阻挡部的宽度。
发射区域可以包括发射不同颜色的光的第一发射区域至第三发射区域。波长转换层可以包括：第一波长转换部，设置在第一发射区域中，以将从发光元件入射的光的峰值波长转换为第一峰值波长；第二波长转换部，设置在第二发射区域中，以将从发光元件入射的光的峰值波长转换为不同于第一峰值波长的第二峰值波长；以及透光部，设置在第三发射区域中，以透射从发光元件入射的光。
滤色器可以包括：第一滤色器，设置在第一波长转换部上；第二滤色器，设置在第二波长转换部上；以及第三滤色器，设置在透光部上。第一光阻挡部可以设置在波长转换层上，并且具有围绕第一滤色器至第三滤色器的网格形状。
第一光阻挡部之中的设置在最外部分处的第一光阻挡部可以围绕波长转换层的侧表面。
第二光阻挡部可以设置在发光元件层上，并且可以围绕波长转换层的侧表面以与波长转换层间隔开。
根据公开的实施例，拼接显示装置包括：显示装置，包括具有发射区域和光阻挡区域的显示区域以及设置在显示区域之间的结合区域；以及接合构件，在结合区域中接合显示装置。显示装置中的每个包括：基底；薄膜晶体管层，设置在基底上并且包括薄膜晶体管；发光元件层，设置在薄膜晶体管层上并且包括发光元件；波长转换层，设置在发光元件层上，以转换从发光元件中的至少一些提供的光的峰值波长；以及滤色器层，设置在波长转换层上。滤色器层包括：滤色器，设置在发射区域中的每个中；第一光阻挡部，设置在光阻挡区域中；以及第二光阻挡部，设置在结合区域中。
第二光阻挡部的高度可以大于或等于第一光阻挡部的高度且小于或等于滤色器的高度。
结合区域可以包括图案区域和除了图案区域之外的开口区域，第二光阻挡部设置在图案区域中。图案区域与开口区域的面积比可以为1.5至3:1。
第二光阻挡部可以具有围绕显示区域的至少一个闭环形状。
第二光阻挡部可以具有圆形形状、椭圆形形状、半圆形形状和多边形形状中的至少一种。
第二光阻挡部可以包括阻挡可见光并且透射红外光的材料。
接合构件可以被构造为接合显示装置的基底的侧表面、薄膜晶体管层的侧表面、发光元件层的侧表面和第二光阻挡部的侧表面。
显示装置中的每个还可以包括：封装层，设置在滤色器层上；以及抗反射层，设置在封装层上以防止外部光的反射。
拼接显示装置还可以包括：盖构件，被构造为覆盖显示装置中的每个的抗反射层和接合构件的顶表面。
有益效果
在根据实施例的显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置中，通过包括设置在非显示区域或结合区域中的光阻挡部，能够防止光从显示装置泄漏出来或泄漏到多个显示装置的结合区域，并且减小非显示区域或结合区域中的顶表面的高度差。因此，可以防止结合区域被用户识别，并且改善多个显示装置之间的断开感，从而改善图像的沉浸感。
本公开的效果不限于上述效果，并且各种其它效果包括在本说明书中。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的上面和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据一个实施例的拼接显示装置的平面图；
图2是示出根据一个实施例的显示装置的平面图；
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图；
图4是图3的区域A1的放大图；
图5是示出根据一个实施例的显示装置的仰视图；
图6是示出根据一个实施例的显示装置的切割区域的剖视图；
图7至图9是示出根据一个实施例的显示装置的切割工艺的平面图；
图10至图12是示出根据另一实施例的显示装置的切割工艺的平面图；
图13至图15是示出根据又一实施例的显示装置的切割工艺的平面图；
图16至图18是示出根据又一实施例的显示装置的切割工艺的平面图；
图19是示出根据一个实施例的拼接显示装置的接合结构的平面图；并且
图20是沿着图19的线II-II'截取的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对公开的各种实施例或实施方式的透彻理解。如在此使用的，“实施例”和“实施方式”是作为采用在此所公开的公开中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其它情况中，为了避免使各种实施例不必要地模糊，以框图形式示出了公知的结构和装置。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排它性的。例如，在不脱离公开的情况下，可以在其它实施例中使用或实现实施例的特定形状、构造和特性。
除非另外说明，否则所示的实施例将被理解为提供可以在实践中以其实现公开的一些方式的变化细节的特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离公开的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供附图中交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。
此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且因此X轴、Y轴和Z轴可以以更广泛的意义解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。
图1是示出根据一个实施例的拼接显示装置的平面图。
参照图1，拼接显示装置TD可以包括多个显示装置10。多个显示装置10可以以网格形式布置，但不限于此。多个显示装置10可以在第一方向(X轴方向)或第二方向(Y轴方向)上连接，并且拼接显示装置TD可以具有特定形状。例如，多个显示装置10可以具有相同尺寸，但不限于此。对于另一示例，多个显示装置10可以具有不同尺寸。
多个显示装置10中的每个可以具有包括长边和短边的矩形形状。多个显示装置10可以布置为使得其长边或短边彼此连接。显示装置10中的一些显示装置10可以设置在拼接显示装置TD的边缘处，以形成拼接显示装置TD的一条边。显示装置10中的一些其它显示装置10可以设置在拼接显示装置TD的拐角处，以形成拼接显示装置TD的两条相邻边。显示装置10中的又一些其它显示装置10可以设置在拼接显示装置TD的内侧，并且可以被其它显示装置10围绕。
多个显示装置10中的每个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括用于显示图像的多个像素。多个像素中的每个可以包括包含有机发光层的有机发光二极管、微型LED、包含量子点发光层的量子点发光二极管或包含无机半导体的无机发光元件。在下文中，将主要描述多个像素中的每个包括无机发光元件的情况，但是本公开不限于此。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。
拼接显示装置TD整体上可以具有平面形状，但不限于此。拼接显示装置TD可以具有三维形状，以向用户提供三维效果。例如，当拼接显示装置TD具有三维形状时，多个显示装置10中的至少一些可以具有弯曲形状。对于另一示例，多个显示装置10可以均具有平面形状，并且可以以预定角度彼此连接，使得拼接显示装置TD可以具有三维形状。
拼接显示装置TD可以包括设置在多个显示区域DA之间的结合区域SM。拼接显示装置TD的结合区域SM可以通过连接相邻显示装置10的非显示区域NDA来形成。多个显示装置10可以通过设置在结合区域SM中的接合构件或粘合构件彼此连接。多个显示装置10的结合区域SM中的每个可以不包括垫(“pad”，又被称为焊盘或焊垫)部或附着到垫部的柔性膜。多个显示装置10的显示区域DA之间的距离可以足够小，使得多个显示装置10之间的结合区域SM不被用户识别。多个显示装置10的显示区域DA的外部光的反射率可以与多个显示装置10之间的结合区域SM的外部光的反射率基本上相同。因此，在拼接显示装置TD中，可以防止多个显示装置10之间的结合区域SM被用户识别，从而降低多个显示装置10之间的断开感并且改善图像的沉浸感。
图2是示出根据一个实施例的显示装置的平面图。
参照图2，显示装置10可以包括沿着显示区域DA中的多个行和多个列布置的多个像素。多个像素中的每个可以包括由像素限定层或堤限定的发射区域LA，并且可以通过发射区域LA发射具有预定峰值波长的光。例如，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个可以是其中从显示装置10的发光元件产生的光发射到显示装置10的外部的区域。
第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以将具有预定峰值波长的光发射到显示装置10的外部。第一发射区域LA1可以发射第一颜色光，第二发射区域LA2可以发射第二颜色光，并且第三发射区域LA3可以发射第三颜色光。例如，第一颜色光可以是具有在610nm至650nm的范围内的峰值波长的红光，第二颜色光可以是具有在510nm至550nm的范围内的峰值波长的绿光，并且第三颜色光可以是具有在440nm至480nm的范围内的峰值波长的蓝光，但是本公开不限于此。
第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以在显示区域DA中在第一方向(X轴方向)上顺序地重复布置。例如，第一发射区域LA1可以在尺寸上大于第二发射区域LA2，并且第二发射区域LA2可以在尺寸上大于第三发射区域LA3。对于另一示例，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以在尺寸上基本上相同。
显示装置10的显示区域DA可以包括围绕多个发射区域LA的光阻挡区域BA。光阻挡区域BA可以防止从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射的颜色光彼此混合。
显示装置10的非显示区域NDA可以包括围绕显示区域DA的第二光阻挡部BK2。第二光阻挡部BK2可以具有至少一个闭环形状，但不限于此。当非显示区域NDA包括多个第二光阻挡部BK2时，多个第二光阻挡部BK2可以彼此间隔开预定距离。例如，设置在非显示区域NDA的最外部分处的第二光阻挡部BK2的宽度可以小于另一第二光阻挡部BK2的宽度，但不限于此。对于另一示例，设置在非显示区域NDA的最外部分处的第二光阻挡部BK2的宽度可以与另一第二光阻挡部BK2的宽度基本上相同。第二光阻挡部BK2可以阻挡光的透射。因此，第二光阻挡部BK2可以防止光泄漏到显示装置10的外部。
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。图4是图3的区域A1的放大图。
参照图3和图4，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个可以是其中从显示装置10的发光二极管(在下文中，或称为“发光元件”)ED产生的光发射到显示装置10的外部的区域。
显示装置10可以包括基底SUB、显示层DPL、封装层TFE、抗反射层ARF、第一垫部PD1、引线LDL、第二垫部PD2、柔性膜FPCB和数据驱动器DIC。
基底SUB可以是基体基底或基体构件。基底SUB可以支撑显示装置10。基底SUB可以包括由第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3和光阻挡区域BA形成的显示区域DA以及围绕显示区域DA的非显示区域NDA。例如，基底SUB可以包括玻璃材料，但不限于此。对于另一示例，基底SUB可以包括聚合物树脂(诸如聚酰亚胺(PI))。基底SUB可以包括第一垫部PD1***到其中的第一接触孔CNT1。
显示层DPL可以设置在基底SUB上。显示层DPL可以包括薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL。薄膜晶体管层TFTL可以包括金属层BML、第一连接线CWL1、缓冲层BF、薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2、第二连接线CWL2、第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1。
金属层BML可以设置在基底SUB上。金属层BML可以在厚度方向(Z轴方向)上与薄膜晶体管TFT叠置，以阻挡入射在薄膜晶体管TFT上的外部光。例如，金属层BML可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单个层或多层。
第一连接线CWL1可以设置在基底SUB上以与金属层BML间隔开。第一连接线CWL1可以由与金属层BML的材料相同的材料制成。第一连接线CWL1的一端可以连接到第一垫部PD1，并且第一连接线CWL1的另一端可以连接到第二连接线CWL2。第一连接线CWL1可以通过第二连接线CWL2向薄膜晶体管层TFTL供应从第一垫部PD1接收的电信号。
缓冲层BF可以覆盖金属层BML、第一连接线CWL1和基底SUB。缓冲层BF可以包括第二连接线CWL2***到其中的第二接触孔CNT2。缓冲层BF可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机材料。例如，缓冲层BF可以包括交替层压的多个无机层。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上，并且可以构成多个像素中的每个的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是像素电路的开关晶体管或驱动晶体管。薄膜晶体管TFT可以包括半导体区域ACT、栅电极GE、漏电极DE和源电极SE。
半导体区域ACT、漏电极DE和源电极SE可以布置在缓冲层BF上。半导体区域ACT可以在厚度方向上与栅电极GE叠置，并且可以通过栅极绝缘层GI与栅电极GE绝缘。可以通过使半导体区域ACT的材料导电来设置漏电极DE和源电极SE。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以与半导体区域ACT叠置且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体区域ACT之间。
栅极绝缘层GI可以设置在半导体区域ACT、漏电极DE和源电极SE上。例如，栅极绝缘层GI可以覆盖半导体区域ACT、漏电极DE、源电极SE和缓冲层BF，并且可以使半导体区域ACT与栅电极GE绝缘。栅极绝缘层GI可以包括第二连接线CWL2***到其中的第二接触孔CNT2。栅极绝缘层GI可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个穿过其的接触孔。
层间绝缘层ILD可以设置在栅电极GE上。层间绝缘层ILD可以包括第二连接线CWL2***到其中的第二接触孔CNT2。因此，第二接触孔CNT2可以穿透层间绝缘层ILD、栅极绝缘层GI和缓冲层BF。层间绝缘层ILD可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个穿过其的接触孔。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置为在层间绝缘层ILD上彼此间隔开。第一连接电极CNE1可以将数据线或电力线连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一连接电极CNE1可以通过设置在层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI中的接触孔与漏电极DE接触。
第二连接电极CNE2可以将薄膜晶体管TFT的源电极SE连接到第一电极RME1。第二连接电极CNE2可以通过设置在层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI中的接触孔与源电极SE接触。
第二连接线CWL2可以设置在层间绝缘层ILD上以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2间隔开。第二连接线CWL2可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2形成在同一层中，并且可以由与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的材料相同的材料制成。第二连接线CWL2可以***到第二接触孔CNT2中并且连接到设置在基底SUB上的第一连接线CWL1。
例如，第二连接线CWL2可以连接到数据线以向薄膜晶体管TFT供应数据电压。在另一示例中，第二连接线CWL2可以连接到电力线以向薄膜晶体管TFT供应电力电压。
第一钝化层PAS1可以覆盖第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2、第二连接线CWL2和层间绝缘层ILD。第一钝化层PAS1可以保护薄膜晶体管TFT。第一钝化层PAS1可以包括第一电极RME1穿过其的接触孔。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上，以使薄膜晶体管层TFTL的顶部平坦化。例如，第一平坦化层OC1可以包括第一电极RME1穿过其的接触孔。这里，第一平坦化层OC1的接触孔可以连接到第一钝化层PAS1的接触孔。第一平坦化层OC1可以包括有机材料。
发光元件层EML可以包括第一电极RME1、第二电极RME2、发光元件ED、第一堤BNK1、第二堤BNK2、第二钝化层PAS2和第二平坦化层OC2。
第一电极RME1可以设置在第一平坦化层OC1上。例如，第一电极RME1可以设置于设置在第一平坦化层OC1上的第一堤BNK1上。第一电极RME1可以设置为与由第二堤BNK2限定的第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的一个叠置。第一电极RME1可以通过第二连接电极CNE2与薄膜晶体管TFT的源电极SE接触。第一电极RME1可以是发光元件ED的阳极电极，但不限于此。
第二电极RME2可以设置在第一平坦化层OC1上以与第一电极RME1间隔开。例如，第二电极RME2可以设置于设置在第一平坦化层OC1上的第一堤BNK1上。第二电极RME2可以设置为与由第二堤BNK2限定的第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的一个叠置。例如，第二电极RME2可以接收从低电位线供应到所有像素的低电位电压。第二电极RME2可以是发光元件ED的阴极电极，但不限于此。
发光二极管ED可以在第一平坦化层OC1上设置在第一电极RME1与第二电极RME2之间。发光二极管ED的一端可以电连接到第一电极RME1，并且发光二极管ED的另一端可以电连接到第二电极RME2。发光二极管ED可以具有微米尺寸或纳米尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以通过在两个电极之间在特定方向上形成的电场而在彼此面对的两个电极之间对准。
例如，多个发光二极管ED可以包括具有相同材料的活性层，并且发射相同波段的光或同一颜色的光。从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个发射的光可以具有相同颜色。例如，发光二极管ED可以发射具有在440nm至480nm的范围内的峰值波长的第三颜色光或蓝光。因此，发光元件层EML可以发射第三颜色光或蓝光。
第二堤BNK2可以在第一平坦化层OC1上设置在光阻挡区域BA中。第二堤BNK2可以限定第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。例如，第二堤BNK2可以围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个，但不限于此。第二堤BNK2可以使多个发光元件ED中的相邻的发光元件ED的第一电极RME1或第二电极RME2分离和绝缘。
第二钝化层PAS2可以设置在多个发光元件ED和第二堤BNK2上。第二钝化层PAS2可以覆盖多个发光元件ED并且可以保护多个发光元件ED。第二钝化层PAS2可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗透，以防止对多个发光元件ED损坏。
第二平坦化层OC2可以设置在第二钝化层PAS2上以使发光元件层EML的顶部平坦化。例如，第二平坦化层OC2可以包括有机材料。
波长转换层WLCL可以包括第一覆盖层CAP1、第三堤BNK3、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、透光部LTU、第二覆盖层CAP2和第三平坦化层OC3。
第一覆盖层CAP1可以设置在发光元件层EML的第二平坦化层OC2上。第一覆盖层CAP1可以密封透光部LTU以及第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2的底表面。例如，第一覆盖层CAP1可以包括无机材料。
第三堤BNK3可以在第一覆盖层CAP1上设置在光阻挡区域BA中。第三堤BNK3可以在厚度方向上与第二堤BNK2叠置。在平面图中，第三堤BNK3可以围绕第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU。第三堤BNK3可以阻挡光的透射。第三堤BNK3可以防止第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3之间的光渗透和颜色混合，这使得显示装置10的颜色再现性的改善。第三堤BNK3可以在平面图中具有围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的网格形状。
第一波长转换部WLC1可以在第一覆盖层CAP1上设置在第一发射区域LA1中。第一波长转换部WLC1可以被第三堤BNK3围绕。第一波长转换部WLC1可以包括第一基体树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长移位器WLS1。
第一基体树脂BS1可以包含具有相对高的透光率的材料。第一基体树脂BS1可以由透明有机材料形成。例如，第一基体树脂BS1可以包含有机材料(诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂或酰亚胺树脂)中的至少一种。
第一散射体SCT1可以具有与第一基体树脂BS1的折射率不同的折射率，并且与第一基体树脂BS1形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包含散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包含金属氧化物(诸如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2))或者可以包含有机颗粒(诸如丙烯酸树脂和氨基甲酸乙酯树脂)。在入射光的峰值波长没有任何实质性变化的情况下，第一散射体SCT1可以在随机方向上散射光，而与入射光的入射方向无关。
第一波长移位器WLS1可以将入射光的峰值波长改变或移位到第一峰值波长。例如，第一波长移位器WLS1可以将从显示装置10提供的蓝光转换为具有在610nm至650nm的范围内的单峰值波长的红光并发射红光。第一波长移位器WLS1可以是量子点、量子棒或荧光物质。量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射特定颜色的光的颗粒材料。
从发光元件层EML发射的蓝光的一部分可以穿过第一波长转换部WLC1，而不被第一波长移位器WLS1转换为红光。在从发光元件层EML发射的蓝光之中，入射在第一滤色器CF1上的未被第一波长转换部WLC1转换的光可以被第一滤色器CF1阻挡。由转换从发光元件层EML发射的蓝光的第一波长转换部WLC1产生的红光可以穿过第一滤色器CF1以发射到外部。因此，红光可以通过第一发射区域LA1发射。
第二波长转换部WLC2可以在第一覆盖层CAP1上设置在第二发射区域LA2中。第二波长转换部WLC2可以被第三堤BNK3围绕。第二波长转换部WLC2可以包括第二基体树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长移位器WLS2。
第二基体树脂BS2可以包含具有相对高的透光率的材料。第二基体树脂BS2可以由透明有机材料形成。例如，第二基体树脂BS2可以由与第一基体树脂BS1的材料相同的材料制成，或者可以由与第一基体树脂BS1相关联地例示的材料制成。
第二散射体SCT2可以具有与第二基体树脂BS2的折射率不同的折射率，并且与第二基体树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包含散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2可以由与第一散射体SCT1的材料相同的材料制成，或者可以由与第一散射体SCT1相关联地例示的材料制成。
第二波长移位器WLS2可以将入射光的峰值波长改变或移位到与第一波长移位器WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长移位器WLS2可以将从显示装置10提供的蓝光转换为具有在510nm至550nm的范围内的单峰值波长的绿光并发射绿光。第二波长移位器WLS2可以是量子点、量子棒或荧光物质。第二波长移位器WLS2可以包含在目的上与第一波长移位器WLS1相关联地例示的材料相同的材料。第二波长移位器WLS2可以由量子点、量子棒或荧光物质形成，以具有与第一波长移位器WLS1的波长转换范围不同的波长转换范围。
透光部LTU可以在第一覆盖层CAP1上设置在第三发射区域LA3中。透光部LTU可以被第三堤BNK3围绕。透光部LTU可以允许入射光穿过其，同时保持光的峰值波长。透光部LTU可以包括第三基体树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基体树脂BS3可以包含具有相对高的透光率的材料。第三基体树脂BS3可以由透明有机材料形成。例如，第三基体树脂BS3可以由与第一基体树脂BS1或第二基体树脂BS2的材料相同的材料制成，或者可以由与第一基体树脂BS1相关联地例示的材料制成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基体树脂BS3的折射率不同的折射率，并且与第三基体树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包含散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3可以由与第一散射体SCT1或第二散射体SCT2的材料相同的材料形成，或者可以由与第一散射体SCT1相关联地例示的材料制成。
由于波长转换层WLCL直接设置在发光元件层EML的第二平坦化层OC2上，因此显示装置10可以不需要针对第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的单独的基底。因此，第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU可以分别在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中容易地对准，并且显示装置10的厚度可以相对减小。
第二覆盖层CAP2可以在显示区域DA中设置在第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2、透光部LTU和第三堤BNK3上。第二覆盖层CAP2可以在显示区域DA中覆盖第三堤BNK3的最外侧表面，并且在非显示区域NDA中设置在第一覆盖层CAP1上。例如，第二覆盖层CAP2可以密封第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU，以防止第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU被损坏或被污染。例如，第二覆盖层CAP2可以包括无机材料。
第三平坦化层OC3可以在显示区域DA中设置在第二覆盖层CAP2上，以使第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的顶部平坦化。例如，第三平坦化层OC3可以包括有机材料。
滤色器层CFL可以包括第一光阻挡部BK1、第二光阻挡部BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第三钝化层PAS3。
第一光阻挡部BK1可以在波长转换层WLCL的第三平坦化层OC3上设置在光阻挡区域BA中。第一光阻挡部BK1可以在厚度方向上与第三堤BNK3或第二堤BNK2叠置。第一光阻挡部BK1可以在显示区域DA的边缘处覆盖第三平坦化层OC3的侧表面。第一光阻挡部BK1之中的设置在最外部分处的第一光阻挡部BK1可以围绕波长转换层WLCL的侧表面。第一光阻挡部BK1可以阻挡光的透射。第一光阻挡部BK1可以防止第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3之间的光渗透和颜色混合，这使得显示装置10的颜色再现性的改善。在平面图中，第一光阻挡部BK1可以具有围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的网格形状。
例如，第一光阻挡部BK1可以包括有机黑色颜料，但不限于此。有机黑色颜料可以包括内酰胺黑、苝黑和苯胺黑中的至少一种。
第二光阻挡部BK2可以在非显示区域NDA中设置在第二覆盖层CAP2上。在平面图中，第二光阻挡部BK2可以围绕显示区域DA。第二光阻挡部BK2可以在平面图中具有至少一个闭环形状，但不限于此。第二光阻挡部BK2可以在剖视图中具有分隔壁的形状，但不限于此。当非显示区域NDA包括多个第二光阻挡部BK2时，多个第二光阻挡部BK2可以彼此间隔开预定距离。例如，可以通过切割工艺切割设置在非显示区域NDA的最外部分处的第二光阻挡部BK2。第二光阻挡部BK2可以阻挡光的透射。因此，第二光阻挡部BK2可以防止光泄漏到显示装置10的外部。
第二光阻挡部BK2可以在与第一光阻挡部BK1的工艺相同的工艺中由相同的材料制成，但不限于此。例如，第二光阻挡部BK2可以包括有机黑色颜料，但不限于此。有机黑色颜料可以包括内酰胺黑、苝黑和苯胺黑中的至少一种。
在图4中，第二光阻挡部BK2的高度H2可以高于或等于第一光阻挡部BK1的高度H1并且低于或等于第一滤色器CF1的高度H3(H1≤H2≤H3)。这里，第一滤色器CF1的高度H3可以对应于从第二光阻挡部BK2的底表面到第一滤色器CF1的顶表面的长度。第一滤色器CF1的高度H3可以与第二滤色器CF2的高度和第三滤色器CF3的高度基本上相同。随着第二光阻挡部BK2的高度H2增大，第二光阻挡部BK2与抗反射层ARF之间的距离可以减小。随着第二光阻挡部BK2的高度H2变得更接近第一滤色器CF1的高度H3，非显示区域NDA中的抗反射层ARF的高度差可以减小。因此，通过包括第二光阻挡部BK2，可以防止光从显示装置10泄漏出来并且减小在显示装置10的外部处的抗反射层ARF的高度差。
第二光阻挡部BK2可以阻挡可见光并且透射红外光。例如，可以在显示装置10的制造工艺期间通过使用红外激光的切割工艺在厚度方向(Z轴方向)上切割第二光阻挡部BK2。第二光阻挡部BK2透射红外光，从而当照射红外激光时使激光的热量传输到其的区域最小化，并且可以使被激光损坏的区域最小化。随着第二光阻挡部BK2的红外透射率增大，可以减小被激光损坏的区域。因此，由于显示装置10包括阻挡可见光并且透射红外光的第二光阻挡部BK2，因此在激光切割工艺中可以使第二光阻挡部BK2的损坏区域最小化，从而减小切割工艺的公差并使非显示区域NDA的尺寸最小化。
第一滤色器CF1可以在第三平坦化层OC3上设置在第一发射区域LA1中。第一滤色器CF1可以被第一光阻挡部BK1围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换部WLC1叠置。第一滤色器CF1可以选择性地允许第一颜色光(例如，红光)穿过其，并且阻挡或吸收第二颜色光(例如，绿光)和第三颜色光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器并且包含红色着色剂。
第二滤色器CF2可以在第三平坦化层OC3上设置在第二发射区域LA2中。第二滤色器CF2可以被第一光阻挡部BK1围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换部WLC2叠置。第二滤色器CF2可以选择性地允许第二颜色光(例如，绿光)穿过其，并且阻挡或吸收第一颜色光(例如，红光)和第三颜色光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器并且包含绿色着色剂。
第三滤色器CF3可以在第三平坦化层OC3上设置在第三发射区域LA3中。第三滤色器CF3可以被第一光阻挡部BK1围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与透光部LTU叠置。第三滤色器CF3可以选择性地允许第三颜色光(例如，蓝光)穿过其，并且阻挡或吸收第一颜色光(例如，红光)和第二颜色光(例如，绿光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器并且包含蓝色着色剂。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收来自显示装置10的外部的光的一部分，以减少外部光的反射光。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止由外部光的反射引起的颜色失真。
由于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3直接设置在波长转换层WLCL的第三平坦化层OC3上，因此显示装置10可以不需要针对第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的单独的基底。因此，可以相对减小显示装置10的厚度。
第三钝化层PAS3可以在显示区域DA中覆盖第一光阻挡部BK1以及第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3，并且在非显示区域NDA中覆盖第二光阻挡部BK2和第二覆盖层CAP2。第三钝化层PAS3可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装层TFE可以设置在滤色器层CFL的第三钝化层PAS3上。封装层TFE可以使滤色器层CFL的顶表面平坦化。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机膜以防止空气或湿气的渗透。此外，封装层TFE可以包括至少一个有机膜以保护显示装置10免受诸如灰尘的异物的影响。
抗反射层ARF可以设置在封装层TFE上。抗反射层ARF可以防止外部光的反射，从而降低由于外部光的反射引起的可见度的降低。抗反射层ARF可以保护显示装置10的顶表面。可以省略抗反射层ARF。对于另一示例，抗反射层ARF可以用偏振膜代替。
第一垫部PD1可以设置在基底SUB的底表面上。第一垫部PD1可以***到穿透基底SUB的第一接触孔CNT1中，以连接到第一连接线CWL1。第一垫部PD1可以通过第二垫部PD2向第一连接线CWL1供应从柔性膜FPCB接收的电信号。
第二垫部PD2可以设置在基底SUB的底表面上，并且可以与第一垫部PD1间隔开。第二垫部PD2可以通过引线LDL连接到第一垫部PD1。第二垫部PD2可以从柔性膜FPCB接收各种电压或信号，并且可以向第一垫部PD1、第一连接线CWL1和第二连接线CWL2供应对应的电压或信号。
连接膜ACF可以将柔性膜FPCB附着到第二垫部PD2。连接膜ACF的一个表面可以附着到第二垫部PD2，并且连接膜ACF的另一表面可以附着到柔性膜FPCB。例如，连接膜ACF可以覆盖整个第二垫部PD2，但不限于此。
连接膜ACF可以包括各向异性导电膜。当连接膜ACF包括各向异性导电膜时，连接膜ACF可以在柔性膜FPCB的接触垫与第二垫部PD2彼此接触的区域中具有导电性，并且可以将柔性膜FPCB电连接到第二垫部PD2。
柔性膜FPCB可以设置在基底SUB的底表面上。柔性膜FPCB的一侧可以连接到第二垫部PD2，并且柔性膜FPCB的另一侧可以连接到基底SUB的底表面上的源极电路板(未示出)。柔性膜FPCB可以将数据驱动器DIC的信号传输到显示装置10。例如，数据驱动器DIC可以为集成电路(IC)。数据驱动器DIC可以基于时序控制器的数据控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以通过柔性膜FPCB将模拟数据电压供应到显示区域DA的数据线。
图5是示出根据一个实施例的显示装置的仰视图。
参照图5，第一垫部PD1可以设置在基底SUB的底表面上。第一垫部PD1可以***到第一接触孔CNT1中以连接到第一连接线CWL1。第一垫部PD1可以设置在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3之间，但不限于此。第一垫部PD1可以通过第二垫部PD2向第一连接线CWL1供应从柔性膜FPCB接收的电信号。
第二垫部PD2可以设置在基底SUB的底表面上，并且可以与第一垫部PD1间隔开。第二垫部PD2可以通过引线LDL连接到第一垫部PD1。第二垫部PD2可以从柔性膜FPCB接收各种电压或信号，并且可以通过第一垫部PD1向第一连接线CWL1供应对应的电压或信号。
柔性膜FPCB可以设置在基底SUB的底表面上。柔性膜FPCB的一侧可以连接到第二垫部PD2，并且柔性膜FPCB的另一侧可以连接到基底SUB的底表面上的源极电路板(未示出)。柔性膜FPCB可以将数据驱动器DIC的信号传输到显示装置10。
图6是示出根据一个实施例的显示装置的切割区域的剖视图。图7至图9是示出根据一个实施例的显示装置的切割工艺的平面图。
参照图6至图9，显示层DPL可以堆叠在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL可以顺序地堆叠在基底SUB上。封装层TFE可以覆盖滤色器层CFL的顶表面，并且抗反射层ARF可以附着在封装层TFE上。
第二光阻挡部BK2的高度可以高于第一光阻挡部BK1的高度并且低于第一滤色器CF1的高度。随着第二光阻挡部BK2的高度更接近第一滤色器CF1的高度，间隙GAP可以减小。间隙GAP可以在显示装置10的最外部分处形成在抗反射层ARF与封装层TFE之间。当存在间隙GAP时，会出现抗反射层ARF的高度差。因此，当使用红外激光的切割线形成得比间隙GAP更向内时，可以去除抗反射层ARF与封装层TFE之间的间隙GAP。通过去除间隙GAP，显示装置10可以防止异物或湿气渗透通过间隙GAP。
在图6中，可以通过使用红外激光的切割工艺来切割非显示区域NDA。红外激光可以切割抗反射层ARF、封装层TFE、第三钝化层PAS3、第二光阻挡部BK2、第二覆盖层CAP2、第一覆盖层CAP1、发光元件层EML、薄膜晶体管层TFTL和基底SUB。第二光阻挡部BK2可以透射红外光，从而使激光的热量传输到其的区域最小化并且使被激光损坏的区域最小化。随着第二光阻挡部BK2的红外透射率增大，被激光损坏的区域可以减小。
在图7中，多个第二光阻挡部BK2可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(X轴方向)上彼此间隔开。第二光阻挡部BK2可以具有闭环形状，但不限于此。第二光阻挡部BK2可以阻挡光的透射。因此，第二光阻挡部BK2可以防止光泄漏到显示装置10的外部。
当沿着第二方向(Y轴方向)执行使用红外激光的切割工艺时，切割表面会被红外激光损坏并且会具有预定误差。因此，非显示区域NDA的切割表面会具有不平坦的表面或不规则的平面。
在图8中，可以通过抛光工艺对显示装置10的切割表面进行抛光。可以通过抛光工艺去除切割表面的突出部分，并且可以使显示装置10的侧表面平坦化。显示装置10可以通过抛光工艺使激光损坏区域最小化并且减小非显示区域NDA的尺寸。
在图9中，由于对显示装置10的切割表面执行了抛光工艺，因此设置在非显示区域NDA的最外部分处的第二光阻挡部BK2的宽度可以小于第二光阻挡部BK2的宽度。
非显示区域NDA可以包括图案区域BMA和开口区域OPA。图案区域BMA可以是非显示区域NDA的其中设置有第二光阻挡部BK2的区域，并且开口区域OPA可以是非显示区域NDA的除了图案区域BMA之外的区域。例如，图案区域BMA与开口区域OPA的面积比可以是1.5至3:1(1.5～3:1)。由于非显示区域NDA包括是开口区域OPA的面积的1.5倍至3倍大的图案区域BMA，因此能够防止光泄漏到显示装置10的外部并防止非显示区域NDA被用户识别。
图10至图12是示出根据另一实施例的显示装置的切割工艺的平面图。
在图10中，多个第二光阻挡部BK2可以在第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开。多个第二光阻挡部BK2可以在第一方向(X轴方向)与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向上或者在第一方向(X轴方向)的相反方向与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向上彼此相邻。例如，第二光阻挡部BK2可以具有椭圆形形状，但不限于此。对于另一示例，第二光阻挡部BK2可以具有圆形形状或半圆形形状。第二光阻挡部BK2可以阻挡光的透射。因此，第二光阻挡部BK2可以防止光泄漏到显示装置10的外部。
当沿着第二方向(Y轴方向)执行使用红外激光的切割工艺时，切割表面会被红外激光损坏并且会具有预定误差。因此，非显示区域NDA的切割表面会具有不平坦的表面或不规则的平面。
在图11中，可以通过抛光工艺对显示装置10的切割表面进行抛光。可以通过抛光工艺去除切割表面的突出部分，并且可以使显示装置10的侧表面平坦化。显示装置10可以通过抛光工艺使激光损坏区域最小化并且减小非显示区域NDA的尺寸。
在图12中，由于对显示装置10的切割表面执行了抛光工艺，因此设置在非显示区域NDA的最外部分处的第二光阻挡部BK2的面积可以小于第二光阻挡部BK2的面积。
非显示区域NDA可以包括图案区域BMA和开口区域OPA。图案区域BMA可以是非显示区域NDA的其中设置有第二光阻挡部BK2的区域，并且开口区域OPA可以是非显示区域NDA的除了图案区域BMA之外的区域。例如，图案区域BMA与开口区域OPA的面积比可以是1.5至3:1(1.5～3:1)。由于非显示区域NDA包括是开口区域OPA的面积的1.5倍至3倍大的图案区域BMA，因此能够防止光泄漏到显示装置10的外部并防止非显示区域NDA被用户识别。
图13至图15是示出根据又一实施例的显示装置的切割工艺的平面图。
在图13中，多个第二光阻挡部BK2可以在第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开。多个第二光阻挡部BK2可以在第一方向(X轴方向)与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向上或者在第一方向(X轴方向)的相反方向与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向上彼此相邻。例如，第二光阻挡部BK2可以具有菱形形状，但不限于此。第二光阻挡部BK2可以阻挡光的透射。因此，第二光阻挡部BK2可以防止光泄漏到显示装置10的外部。
当沿着第二方向(Y轴方向)执行使用红外激光的切割工艺时，切割表面会被红外激光损坏并且会具有预定误差。因此，非显示区域NDA的切割表面会具有不平坦的表面或不规则的平面。
在图14中，可以通过抛光工艺对显示装置10的切割表面进行抛光。可以通过抛光工艺去除切割表面的突出部分，并且可以使显示装置10的侧表面平坦化。显示装置10可以通过抛光工艺使激光损坏区域最小化并且减小非显示区域NDA的尺寸。
在图15中，由于对显示装置10的切割表面执行了抛光工艺，因此设置在非显示区域NDA的最外部分处的第二光阻挡部BK2的面积可以小于第二光阻挡部BK2的面积。
非显示区域NDA可以包括图案区域BMA和开口区域OPA。图案区域BMA可以是非显示区域NDA的其中设置有第二光阻挡部BK2的区域，并且开口区域OPA可以是非显示区域NDA的除了图案区域BMA之外的区域。例如，图案区域BMA与开口区域OPA的面积比可以是1.5至3:1(1.5～3:1)。由于非显示区域NDA包括是开口区域OPA的面积的1.5倍至3倍大的图案区域BMA，因此能够防止光泄漏到显示装置10的外部并防止非显示区域NDA被用户识别。
图16至图18是示出根据又一实施例的显示装置的切割工艺的平面图。
在图16中，多个第二光阻挡部BK2可以在第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开。多个第二光阻挡部BK2可以在第一方向(X轴方向)与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向上或者在第一方向(X轴方向)的相反方向与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向上彼此相邻。例如，第二光阻挡部BK2可以具有矩形形状，但不限于此。对于另一示例，第二光阻挡部BK2可以具有多边形形状。第二光阻挡部BK2可以阻挡光的透射。因此，第二光阻挡部BK2可以防止光泄漏到显示装置10的外部。
当沿着第二方向(Y轴方向)执行使用红外激光的切割工艺时，切割表面会被红外激光损坏并且会具有预定误差。因此，非显示区域NDA的切割表面会具有不平坦的表面或不规则的平面。
在图17中，可以通过抛光工艺对显示装置10的切割表面进行抛光。可以通过抛光工艺去除切割表面的突出部分，并且可以使显示装置10的侧表面平坦化。显示装置10可以通过抛光工艺使激光损坏区域最小化并且减小非显示区域NDA的尺寸。
在图18中，由于对显示装置10的切割表面执行了抛光工艺，因此设置在非显示区域NDA的最外部分处的第二光阻挡部BK2的面积可以小于第二光阻挡部BK2的面积。
非显示区域NDA可以包括图案区域BMA和开口区域OPA。图案区域BMA可以是非显示区域NDA的其中设置有第二光阻挡部BK2的区域，并且开口区域OPA可以是非显示区域NDA的除了图案区域BMA之外的区域。例如，图案区域BMA与开口区域OPA的面积比可以是1.5至3:1(1.5～3:1)。由于非显示区域NDA包括是开口区域OPA的面积的1.5倍至3倍大的图案区域BMA，因此能够防止光泄漏到显示装置10的外部并防止非显示区域NDA被用户识别。
图19是示出根据一个实施例的拼接显示装置的接合结构的平面图，并且图20是沿着图19的线II-II'截取的剖视图。
参照图19和图20，拼接显示装置TD可以包括多个显示装置10、接合构件20和盖构件30。多个显示装置10可以以网格形式布置，但不限于此。多个显示装置10可以在第一方向(X轴方向)或第二方向(Y轴方向)上连接，并且拼接显示装置TD可以具有特定形状。例如，多个显示装置10可以具有相同尺寸，但不限于此。对于另一示例，多个显示装置10可以具有不同尺寸。
拼接显示装置TD可以包括第一显示装置10-1、第二显示装置10-2、第三显示装置10-3和第四显示装置10-4。显示装置10的数量和连接关系不限于图19的实施例。可以根据显示装置10中的每个和拼接显示装置TD的尺寸来确定显示装置10的数量。
显示装置10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括用于显示图像的多个像素。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。
显示装置10可以包括沿着显示区域DA中的多个行和多个列布置的多个像素。多个像素中的每个可以包括由像素限定层或堤限定的发射区域LA，并且可以通过发射区域LA发射具有预定峰值波长的光。例如，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个可以是其中从显示装置10的发光元件产生的光发射到显示装置10的外部的区域。
第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以在显示区域DA中在第一方向(X轴方向)上顺序地重复布置。例如，第一发射区域LA1可以在尺寸上大于第二发射区域LA2，并且第二发射区域LA2可以在尺寸上大于第三发射区域LA3。对于另一示例，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以在尺寸上基本上相同。
显示装置10的显示区域DA可以包括围绕多个发射区域LA的光阻挡区域BA。光阻挡区域BA可以防止从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射的颜色光彼此混合。
拼接显示装置TD可以包括设置在多个显示区域DA之间的结合区域SM。拼接显示装置TD可以通过连接相邻显示装置10的非显示区域NDA来形成。多个显示装置10可以通过设置在结合区域SM中的接合构件20或粘合构件而彼此连接。多个显示装置10的结合区域SM中的每个可以不包括垫部或附着到垫部的柔性膜。因此，多个显示装置10的显示区域DA之间的距离可以足够小，使得多个显示装置10之间的结合区域SM不被用户识别。此外，多个显示装置10的显示区域DA的外部光的反射率可以与多个显示装置10之间的结合区域SM的外部光的反射率基本上相同。因此，在拼接显示装置TD中，可以防止多个显示装置10之间的结合区域SM被用户识别，从而降低多个显示装置10之间的断开感并改善图像的沉浸感。
结合区域SM可以包括第二光阻挡部BK2。例如，与接合构件20相邻的第二光阻挡部BK2的宽度可以小于第二光阻挡部BK2的宽度，但不限于此。第二光阻挡部BK2可以防止多个显示装置10的光通过结合区域SM泄漏。通过包括设置在结合区域SM中的第二光阻挡部BK2，可以降低显示区域DA与结合区域SM之间的亮度比。可选择地，通过包括设置在结合区域SM中的第二光阻挡部BK2，可以减小显示区域DA的最大亮度与结合区域SM的最大亮度之间的差。因此，第二光阻挡部BK2可以防止多个显示装置10之间的结合区域SM被用户识别，从而降低多个显示装置10之间的断开感并改善图像的沉浸感。
结合区域SM可以包括图案区域BMA、开口区域OPA和接合构件20。图案区域BMA可以是结合区域SM的其中设置有第二光阻挡部BK2的区域，并且开口区域OPA可以是结合区域SM的除了图案区域BMA和接合构件20之外的区域。例如，图案区域BMA与开口区域OPA的面积比可以是1.5至3:1(1.5～3:1)。由于结合区域SM包括是开口区域OPA的面积的1.5倍至3倍大的图案区域BMA，因此能够防止结合区域SM被用户识别，改善多个显示装置10之间的断开感，并且改善图像的沉浸感。
拼接显示装置TD可以通过使用设置在多个显示装置10之间的接合构件20将相邻显示装置10的侧表面彼此接合。接合构件20可以连接以网格形式布置的第一显示装置10-1至第四显示装置10-4的侧表面，以实现拼接显示装置TD。接合构件20可以接合彼此相邻的显示装置10的基底SUB的侧表面、薄膜晶体管层TFTL的侧表面、发光元件层EML的侧表面、第一覆盖层CAP1和第二覆盖层CAP2的侧表面、第二光阻挡部BK2的侧表面、第三钝化层PAS3的侧表面、封装层TFE的侧表面和抗反射层ARF的侧表面。
例如，接合构件20可以由具有相对薄的厚度的粘合剂或双面胶带制成，以使多个显示装置10之间的间隙最小化。对于另一示例，接合构件20可以由具有相对薄的厚度的接合框架形成，以使多个显示装置10之间的间隙最小化。因此，在拼接显示装置TD中，能够防止用户识别多个显示装置10之间的结合区域SM。
盖构件30可以设置在多个显示装置10和接合构件20的顶表面上以覆盖多个显示装置10和接合构件20。例如，盖构件30可以设置在多个显示装置10中的每个的抗反射层ARF和接合构件20的顶表面上。盖构件30可以保护拼接显示装置TD的顶表面。
尽管上面参照附图已经描述了本发明的实施例，但是本发明所属领域的普通技术人员可以理解的是，在不改变本发明的技术构思或必要特征的情况下，可以以其它具体形式实施本发明。因此，上述实施例应该理解为在所有方面中是示例性的，而不是出于限制。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域具有发射区域和光阻挡区域，所述非显示区域围绕所述显示区域；
薄膜晶体管层，设置在所述基底上并且包括薄膜晶体管；
发光元件层，设置在所述薄膜晶体管层上并且包括发光元件；
波长转换层，设置在所述发光元件层上，以转换从所述发光元件中的至少一些提供的光的峰值波长；以及
滤色器层，设置在所述波长转换层上，
其中，所述滤色器层包括：滤色器，设置在所述发射区域中的每个中；第一光阻挡部，设置在所述光阻挡区域中；以及第二光阻挡部，设置在所述非显示区域中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡部的高度大于或等于所述第一光阻挡部的高度且小于或等于所述滤色器的高度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述非显示区域包括图案区域和除了所述图案区域之外的开口区域，所述第二光阻挡部设置在所述图案区域中，并且
所述图案区域与所述开口区域的面积比为1.5至3:1。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡部具有围绕所述显示区域的至少一个闭环形状。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡部具有圆形形状、椭圆形形状、半圆形形状和多边形形状中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡部包括阻挡可见光并且透射红外光的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，设置在所述非显示区域的最外部分处的所述第二光阻挡部的宽度小于另一第二光阻挡部的宽度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发射区域包括发射不同颜色的光的第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域，
其中，所述波长转换层包括：第一波长转换部，设置在所述第一发射区域中，以将从所述发光元件入射的光的峰值波长转换为第一峰值波长；第二波长转换部，设置在所述第二发射区域中，以将从所述发光元件入射的光的峰值波长转换为不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长；以及透光部，设置在所述第三发射区域中，以透射从所述发光元件入射的光。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述滤色器包括：
第一滤色器，设置在所述第一波长转换部上；
第二滤色器，设置在所述第二波长转换部上；以及
第三滤色器，设置在所述透光部上，
其中，所述第一光阻挡部设置在所述波长转换层上，并且具有围绕所述第一滤色器至所述第三滤色器的网格形状。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，在所述第一光阻挡部之中的设置在最外部分处的所述第一光阻挡部围绕所述波长转换层的侧表面。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二光阻挡部设置在所述发光元件层上，并且围绕所述波长转换层的侧表面以与所述波长转换层间隔开。
12.一种拼接显示装置，所述拼接显示装置包括：
显示装置，包括具有发射区域和光阻挡区域的显示区域以及设置在所述显示区域之间的结合区域；以及
接合构件，在所述结合区域中接合所述显示装置，
其中，所述显示装置中的每个包括：基底；薄膜晶体管层，设置在所述基底上并且包括薄膜晶体管；发光元件层，设置在所述薄膜晶体管层上并且包括发光元件；波长转换层，设置在所述发光元件层上，以转换从所述发光元件中的至少一些提供的光的峰值波长；以及滤色器层，设置在所述波长转换层上，
其中，所述滤色器层包括：滤色器，设置在所述发射区域中的每个中；第一光阻挡部，设置在所述光阻挡区域中；以及第二光阻挡部，设置在所述结合区域中。
13.根据权利要求12所述的拼接显示装置，其中，所述第二光阻挡部的高度大于或等于所述第一光阻挡部的高度且小于或等于所述滤色器的高度。
14.根据权利要求12所述的拼接显示装置，其中，所述结合区域包括图案区域和除了所述图案区域之外的开口区域，所述第二光阻挡部设置在所述图案区域中，并且
所述图案区域与所述开口区域的面积比为1.5至3:1。
15.根据权利要求12所述的拼接显示装置，其中，所述第二光阻挡部具有围绕所述显示区域的至少一个闭环形状。
16.根据权利要求12所述的拼接显示装置，其中，所述第二光阻挡部具有圆形形状、椭圆形形状、半圆形形状和多边形形状中的至少一种。
17.根据权利要求12所述的拼接显示装置，其中，所述第二光阻挡部包括阻挡可见光并且透射红外光的材料。
18.根据权利要求12所述的拼接显示装置，其中，所述接合构件被构造为接合所述显示装置的所述基底的侧表面、所述薄膜晶体管层的侧表面、所述发光元件层的侧表面和所述第二光阻挡部的侧表面。
19.根据权利要求12所述的拼接显示装置，其中，所述显示装置中的每个还包括：
封装层，设置在所述滤色器层上；以及
抗反射层，设置在所述封装层上以防止外部光的反射。
20.根据权利要求19所述的拼接显示装置，所述拼接显示装置还包括：盖构件，被构造为覆盖所述显示装置中的每个的所述抗反射层和所述接合构件的顶表面。
CN202280052082.7A 2021-07-26 2022-07-25 显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置 Pending CN118077053A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210097691A KR20230016738A (ko) 2021-07-26 2021-07-26 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
KR10-2021-0097691 2021-07-26
PCT/KR2022/010858 WO2023008852A1 (ko) 2021-07-26 2022-07-25 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN118077053A true CN118077053A (zh) 2024-05-24

Family

ID=84975910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280052082.7A Pending CN118077053A (zh) 2021-07-26 2022-07-25 显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230027254A1 (zh)
KR (1) KR20230016738A (zh)
CN (1) CN118077053A (zh)
WO (1) WO2023008852A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11818912B2 (en) * 2019-01-04 2023-11-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode display panels with moisture blocking structures

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050055358A (ko) * 2003-12-08 2005-06-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 대형 디스플레이 및 그 제조 방법
KR20170020594A (ko) * 2015-08-12 2017-02-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN107589578A (zh) * 2017-10-31 2018-01-16 武汉华星光电技术有限公司 拼接显示器及其制造方法
KR102597018B1 (ko) * 2018-08-23 2023-10-31 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210052618A (ko) * 2019-10-29 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102302803B1 (ko) * 2019-12-27 2021-09-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 패널

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230016738A (ko) 2023-02-03
US20230027254A1 (en) 2023-01-26
WO2023008852A1 (ko) 2023-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220293670A1 (en) Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same
CN115000132A (zh) 显示设备、制造其的方法和包括其的拼接显示设备
CN114067695A (zh) 拼接型显示装置
CN118077053A (zh) 显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置
US20220328724A1 (en) Display device, method of providing the same, and tiled display device including display device
KR20230020039A (ko) 표시 장치, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
CN113972250A (zh) 显示装置及包括显示装置的拼接式显示装置
EP3985739A1 (en) Tiled display
EP4060737A1 (en) Display device and tiled display device including the same
EP4239680A1 (en) Display device and tiled display device including the same
CN114695421A (zh) 显示装置和拼接式显示装置
US20240105897A1 (en) Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same
US11989481B2 (en) Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same
US20230275188A1 (en) Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same
US20230143994A1 (en) Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same
US20220208850A1 (en) Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same
KR20230129095A (ko) 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
CN116666418A (zh) 显示装置、制造其的方法及包括其的拼接显示装置
KR20230140659A (ko) 표시 장치, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
CN117546223A (zh) 显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置
KR20230139898A (ko) 표시 장치, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
CN114551491A (zh) 显示装置、制造其的方法以及包括其的拼接显示装置
CN114597297A (zh) 显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置
CN113921562A (zh) 显示装置及包括显示装置的拼接式显示装置
CN114078883A (zh) 显示装置和包括显示装置的拼接显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination