CN116648095B - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种显示面板。一种显示面板包括基板、多个子像素和隔离结构。多个子像素间隔设置于基板上,隔离结构设于基板上,隔离结构用于将相邻的子像素间隔开;隔离结构包括多个子隔离结构,多个子隔离结构包括第一子隔离结构和第二子隔离结构,第一子隔离结构的至少部分在基板上的正投影的宽度为D1,第二子隔离结构的至少部分在基板上的正投影的宽度为D2。宽度为子隔离结构在基板上的正投影,在垂直于子隔离结构的延伸方向上的尺寸。其中,D1>D2。D1>D2的设计,可提高显示面板的开口率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板是当今显示面板研究领域的热点之一,OLED显示面板具有低能耗、低成本、自发光、宽视角及响应速度快等优点。相关技术中,若开口率较低时,实际发光面积受到限制,像素分辨率难以提升、发光亮度也会受到影响,因此,提升开口率是OLED显示面板的未来发展趋势之一。
发明内容
基于此,有必要针对上述问题中的至少一个,提供一种显示面板。
根据本申请的第一方面,提供了一种显示面板,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;以及
隔离结构,设于所述基板上,所述隔离结构用于将相邻的所述子像素间隔开;
所述隔离结构包括多个子隔离结构,所述多个子隔离结构包括第一子隔离结构和第二子隔离结构;
所述第一子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第二子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D2;所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸;
其中,D1>D2。
根据本申请的第二方面,提供了一种显示面板,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;所述子像素包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极;
隔离结构,设于所述基板上,所述隔离结构用于将相邻的所述子像素间隔开;
电源信号线,设置于所述基板上;
其中,所述隔离结构包括多个子隔离结构,所述多个子隔离结构包括第一子隔离结构和第二子隔离结构;
所述第一子隔离结构包括沿其延伸方向延伸的接线结构,所述接线结构在所述基板上的正投影的宽度,大于所述第二子隔离结构在所述基板上的正投影的宽度;所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸;
至少部分所述子像素的所述第二电极与所述第一子隔离结构电接触,且所述第一子隔离结构的所述接线结构通过第一过孔连接结构与所述电源信号线电连接;
所述第一过孔连接结构在所述基板上的正投影,位于所述接线结构在所述基板上的正投影的范围内。
根据本申请的第三方面,提供了一种显示面板,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;以及
隔离结构,设于所述基板上,所述隔离结构用于将相邻的所述子像素间隔开;
所述隔离结构包括沿同一方向延伸的多个子隔离结构;
至少一个所述子隔离结构中的至少部分在所述基板上的正投影的宽度,大于其余所述子隔离结构在所述基板上的正投影的宽度;
所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸。
根据本申请的第四方面,提供了一种显示面板,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;以及
隔离结构,设于所述基板上,所述隔离结构用于将相邻的所述子像素间隔开;
所述隔离结构包括多个子隔离结构,所述多个子隔离结构中的部分沿第一方向延伸,其余部分沿第二方向延伸;
沿第一方向延伸的子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度,大于沿第二方向延伸的子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度;
所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸。
本申请实施例提供的显示面板,由于隔离结构用于将相邻的子像素间隔开,采用蒸镀方式形成子像素的过程中,可摒弃昂贵的精细金属掩膜板,如此,子像素的结构设计不再受限于精细金属掩膜板(FMM),可根据显示面板100的开口率的提升需求设计隔离结构和子像素,因此,在设计上允许隔离结构和子像素形成不规则的结构,比如允许隔离结构在设计上包括多个子隔离结构,且至少一子隔离结构的至少部分在基板上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板上的正投影的宽度,也就是说,部分子隔离结构的至少部分在基板上的正投影的宽度较小,如此,在基板的尺寸保持不变的情况下,D1>D2的设计,可使至少部分子像素在基板上的占用面积更大,有利于提高该子像素的发光面积,进而可提高显示面板的开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的隔离结构和多个子像素的排布示意图。
图2为本申请另一实施例提供的隔离结构和多个子像素的排布示意图。
图3为本申请又一实施例提供的隔离结构和多个子像素的排布示意图。
图4为本申请一实施例提供的显示面板的截面示意图。
图5为本申请另一实施例提供的显示面板的截面示意图。
图6为本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。
附图标记说明:
10、显示装置;
100、显示面板;
110、基板;111、阵列基板;112、像素限定层;1121、像素开口;1101、电源信号线;1102、第一过孔连接结构;1103、第二过孔连接结构;
120a、重复单元;120、子像素;1201、第一子像素;1202、第二子像素;1203、第三子像素;121、第一电极;122、第二电极;123、发光功能层;
130、隔离结构;131、第一子隔离结构;132、第二子隔离结构;133、第三子隔离结构;134、第四子隔离结构;135、第一边界部;136、第二边界部;1311、第一部分;1312、第二部分;1341、第三部分;1342、第四部分;1313、第五部分;1314、第六部分;1315、第七部分;1301、第一隔离部;1302、第二隔离部;1303、第一开口;
140、封装单元;
150、封装层。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
在本文中,空间相关的术语如“上部”和“下部”是参照附图定义的。因此,将理解“上部”和“下部”可互换地使用。将理解,当层被称为在另一个层“上”时,其可直接地形成在其他层上,或者也可存在中间层。因此,将理解,当层被称为是“直接在”另一个层“上”时,没有中间层***在其中间。
在附图中,为了清楚说明,可以夸大层和区域的尺寸。可以理解的是,当层或元件被称作“在”另一层或基板“上”时,该层或元件可以直接在所述另一层或基板上,或者也可以存在中间层。另外,还可以理解的是,当层被称作“在”两个层“之间”时,该层可以是所述两个层之间的唯一层,或者也可以存在一个或更多个中间层。另外,同样的附图标记始终表示同样的元件。
在下文中,尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件,但是这些组件不必须限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。还将理解的是,以单数形式使用的表达包含复数的表达,除非单数形式的表达在上下文中具有明显不同的含义。此外,在下面的实施例中,还将理解的是,这里使用的术语“包含”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件,但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
在下面的实施例中,当层、区域或元件被“连接”时,可以解释为所述层、区域或元件不仅被直接连接还通过置于其间的其他组成元件被连接。例如,当层、区域、元件等被描述为被连接或电连接时,所述层、区域、元件等不仅可以被直接连接或被直接电连接,还可以通过置于其间的另一层、区域、元件等被连接或被电连接。
还应当理解的是,术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
此外,在说明书中,短语“平面分布示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图,短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。
此外,附图并不是1:1的比例绘制,并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制,而不一定按照真实比例绘制。
正如背景技术所述,提升开口率是OLED显示面板的未来发展趋势之一。传统的显示面板的子像素的制作过程,主要利用精细金属掩膜板(FMM)将有机发光材料通过精细金属掩膜板的多个开口蒸镀至基板。为了保证产品的良率,大多数厂商会将精细金属掩膜板的开口的尺寸设置为大于像素开口的尺寸,且使精细金属掩膜板的开口之间的间距相等,如此,相邻的子像素之间的间距相等,也会到导致OLED显示面板的开口率的提升受到限制。
经研究发现,相关技术中,会在基板上形成用于将相邻的子像素间隔开的隔离结构,如此,采用蒸镀方式形成子像素的过程中,可摒弃昂贵的精细金属掩膜板(FMM),降低OLED显示面板的制作成本。然而,隔离结构的设计仍会沿用精细金属掩膜板(FMM)的设计理念,使得相邻的子像素之间的间距相等,并未考虑隔离结构与子像素之间存在设计灵活性,导致影响OLED显示面板的开口率的提升。
鉴于上述问题中的至少一个,本申请提供了一种显示面板及显示装置,旨在提高显示面板的开口率。
第一方面,本申请提供一种显示面板100,该显示面板100可以是柔性显示面板,示例性的,该显示面板100可以包括仅具有显示功能的柔性显示面板,也可以包括兼具触控功能的柔性显示面板。
显示面板100包括基板110、多个子像素120和隔离结构130。
多个子像素120间隔设置于基板110上,隔离结构130设于基板110上,且隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开。如此,在基板110上形成用于将相邻的子像素120间隔开的隔离结构后,可采用蒸镀方式形成子像素,此过程中,可摒弃昂贵的精细金属掩膜板(FMM),降低OLED显示面板的制作成本。
其中,隔离结构130包括多个子隔离结构,至少一个子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度。比如,多个子隔离结构包括第一子隔离结构131和第二子隔离结构132,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度为D1,第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度为D2,其中,D1>D2。
其中,宽度为子隔离结构在基板110上的正投影,在垂直于子隔离结构的延伸方向上的尺寸。对应地,第一子隔离结构131的宽度为第一子隔离结构131在基板110上的正投影,在垂直于第一子隔离结构131的延伸方向上的尺寸。第一子隔离结构131可沿第一方向F1或第二方向F2延伸,以第一子隔离结构131沿第一方向F1延伸为例进行说明,第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度为第一子隔离结构131在基板110上的正投影在垂直于第一方向F1上的尺寸,具体到如图1-3所示的实施例中,第一方向F1与第二方向F2彼此垂直,且均平行于基板110,第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度为第一子隔离结构131在基板110上的正投影在第二方向F2上的尺寸。
同样地,第二子隔离结构132的宽度为第二子隔离结构132在基板110上的正投影,在垂直于第二子隔离结构132的延伸方向上的尺寸。第二子隔离结构132可沿第一方向F1或第二方向F2延伸,以第二子隔离结构132沿第一方向F1延伸为例进行说明,第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度为第二子隔离结构132在基板110上的正投影在垂直于第一方向F1上的尺寸,具体到如图1-3所示的实施例中,第一方向F1与第二方向F2彼此垂直,且均平行于基板110,第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度为第二子隔离结构132在基板110上的正投影在第二方向F2上的尺寸。
“第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度”可以是指第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度,也可以是指第一子隔离结构131的一部分在基板110上的正投影的宽度,在此不作具体限制。
“第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度”可以是指第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度,也可以是指第二子隔离结构132的一部分在基板110上的正投影的宽度,在此不作具体限制。
第一子隔离结构131和第二子隔离结构132可以沿同一方向延伸,也可以彼此相交设置,在此不作具体限制。
可以理解的是,由于隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开,采用蒸镀方式形成子像素120的过程中,可摒弃昂贵的精细金属掩膜板(FMM),如此,子像素120的结构设计不再受限于精细金属掩膜板(FMM),可根据显示面板100的开口率的提升需求设计隔离结构130和子像素120,因此,在设计上允许隔离结构130和子像素120形成不规则的结构,比如允许隔离结构130在设计上包括多个子隔离结构,至少一子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,可以是,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度大于第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度,也就是说,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度较大,第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度较小,如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D2的设计,可使至少部分子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,D1为10微米-20微米,D2为5微米-10微米。示例地,D1为10微米、12微米、14微米、16微米、18微米或20微米,D2为5微米、6微米、7微米、8微米、9微米或10微米,当然,本申请不限于此,D1和D2的取值只需满足D1>D2即可。
在一些实施例中,显示面板100包括阵列排布的多个重复单元120a,每一重复单元120a包括多个子像素120,第一子隔离结构131位于同一重复单元120a中部分相邻的子像素120之间,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a之间。
可选地,每一重复单元120a包括至少三个不同颜色的子像素120,也就是说,每一重复单元120a包括至少三种不同发光颜色的子像素120。每一子像素120可以是单个子像素或多个子像素形成的集合,在此不作具体限制。
由于第一子隔离结构131位于同一重复单元120a中部分相邻的子像素120之间,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a之间,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D2的设计,可使重复单元120a在基板110上的占用面积更大,有利于提高重复单元120a中的子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一子隔离结构131和第二子隔离结构132均沿第一方向F1延伸,且两者沿与第一方向F1相交的第二方向F2间隔设置,第一子隔离结构131位于同一重复单元120a中沿第二方向F2相邻的子像素120之间,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a的沿第二方向F2相邻的子像素120之间。
如此,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度较大,第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度较小,即第二子隔离结构132在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较小,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D2的设计,可使沿第二方向F2与第二子隔离结构132相邻的子像素120在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一方向F1与第二方向F2相垂直,比如,第一方向F1和第二方向F2中的其中之一平行于基板110的长度方向,第一方向F1和第二方向F2中的其中之另一平行于基板110的宽度方向。
可选地,显示面板100还包括设置于基板110上的扫描线(图中未示出)和数据线(图中未示出),扫描线沿第一方向F1和第二方向F2其中之一延伸,数据线沿第一方向F1和第二方向F2其中之另一延伸。
也就是说,可以是,扫描线平行于第一方向F1,数据线平行于第二方向F2;也可以是,数据线平行于第一方向F1,扫描线平行于第二方向F2,在此不作具体限制。
如此,便于扫描线传输扫描信号,也便于数据线提供数据电压。此外,也能够在布设数据线和扫描线的同时,减小因数据线和扫描线而影响子像素120的发光亮度的情况的发生。
可选地,子像素120包括层叠设置的第一电极121、发光功能层123和第二电极122,每一重复单元120a中的子像素120的第二电极122与对应的第一子隔离结构131搭接。
其中,第一电极121可以为阳极,第二电极122可以为阴极,第一电极121可采用无机材料或有机导电聚合物,具体地,第二电极122可采用锂、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金,或者金属与金属氟化物交替形成的电极层,具体地,第二电极122可以为LiF层或Al层;第一电极121可采用无机材料氧化铟锡(简称ITO)。
发光功能层123可以包括发光层和功能层,功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层组合。当然,本申请不限于此,发光功能层123也可以包括是叠层发光层,也即包括至少两层发光层和位于各相邻发光层之间的电荷生成层(Charge Generation Layer,CGL)。
可以理解的是,若第一子隔离结构131为导电结构,电源信号线可通过第一子隔离结构131给对应的重复单元120a中的子像素120的第二电极122提供电位,且一定程度上有利于缩短信号走线的长度,从而可提高信号走线传输信号的抗干扰能力和可靠性。
此外,由于第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度较大,第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度较小,且利用至少部分较宽的第一子隔离结构131与对应的子像素120的第二电极122搭接,如此,可降低第一子隔离结构131的电阻,改善不同位置的压降差异的同时,还可提高显示面板100的开口率。
具体地,同一重复单元120a中所有子像素120的第二电极122均与同一第一子隔离结构131搭接。如此,更有利于缩短信号走线的长度,从而可提高信号走线传输信号的抗干扰能力和可靠性,还有利于减少第一子隔离结构131对显示面板100的显示区的占用面积,有利于提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,多个子隔离结构还包括与第二子隔离结构132的延伸方向不同的第三子隔离结构133,第三子隔离结构133位于相邻的重复单元120a之间,第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度为D3,D1>D3。
第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度为第三子隔离结构133在基板110上的正投影,在垂直于第三子隔离结构133的延伸方向上的尺寸。第三子隔离结构133可沿第一方向F1或第二方向F2延伸,以第三子隔离结构133沿第二方向F2延伸为例进行说明,第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度为第三子隔离结构133在基板110上的正投影在垂直于第二方向F2上的尺寸,具体到如图1-3所示的实施例中,第一方向F1与第二方向F2彼此垂直,且均平行于基板110,第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度为第三子隔离结构133在基板110上的正投影在第一方向F1上的尺寸。
可以理解的是,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影宽度较大,第三子隔离结构133在基板110上的正投影宽度较小,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D3的设计,可使至少部分子像素120在基板110上的占用面积增大,进而可提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一子隔离结构131的延伸方向和第二子隔离结构132的延伸方向相同。示例地,第一子隔离结构131和第二子隔离结构132均沿第一方向F1延伸,第三子隔离结构133沿第二方向F2延伸,第三子隔离结构133位于相邻的重复单元120a的沿第一方向F1相邻的子像素120之间,第一方向F1与第二方向F2彼此相交。
由于第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度较小,即第三子隔离结构133在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸较小,那么,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D3的设计,可使重复单元120a在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸更大,有利于提高该重复单元120a中的子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,多个子隔离结构还包括与第三子隔离结构133延伸方向相同的第四子隔离结构134,第四子隔离结构134位于同一重复单元120a中部分相邻的子像素120之间,第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度为D4,D1>D4。
第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度为第四子隔离结构134在基板110上的正投影,在垂直于第四子隔离结构134的延伸方向上的尺寸。第四子隔离结构134可沿第一方向F1或第二方向F2延伸,以第四子隔离结构134沿第二方向F2延伸为例进行说明,第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度为第四子隔离结构134在基板110上的正投影在垂直于第二方向F2上的尺寸,具体到如图1-3所示的实施例中,第一方向F1与第二方向F2彼此垂直,且均平行于基板110,第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度为第四子隔离结构134在基板110上的正投影在第一方向F1上的尺寸。
“D1>D4”可以是指,第一子隔离结构131的一部分在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的一部分在基板110上的正投影的宽度;也可以是指,第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的一部分在基板110上的正投影的宽度;也可以是指,第一子隔离结构131的一部分在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度;当然,也可以是指,第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度。
可以理解的是,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影宽度较大,第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影宽度较小,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D4的设计,可使至少部分子像素120在基板110上的占用面积增大,进而可提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第四子隔离结构134沿第二方向F2延伸,第四子隔离结构134位于同一重复单元120a中沿第一方向F1相邻的子像素120之间。
由于第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度较小,即第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸较小,那么,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D4的设计,可使沿第一方向F1与该第四子隔离结构134相邻的子像素120在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,请参阅图1及图2,每一重复单元120a包括一个第一子像素1201、一个第二子像素1202和一个第三子像素1203,第一子像素1201和第二子像素1202相邻,第三子像素1203与第一子像素1201和第二子像素1202均相邻。
可选地,第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203三者中的其中之一为红色子像素,三者中的其中之另一为绿色子像素,三者中的其中之又一为蓝色子像素。
示例地,第一子像素1201为红色子像素,第二子像素1202为绿色子像素,第三子像素1203为蓝色子像素。
如此,可使同一重复单元120a中第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203的排布较为紧凑,进而使得显示面板100的白光配比较优。
在一些实施中,第一子像素1201和第二子像素1202位于第三子像素1203的同一侧,比如,第一子像素1201和第二子像素1202排布于一列,第三子像素1203排布于相邻的另一列。如此,同一重复单元120a中第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203的排布更紧凑,进而使得显示面板100的白光配比更优。
在一些实施例中,请参阅图2,第一子隔离结构131包括位于第一子像素1201和第二子像素1202与第三子像素1203之间的第一部分1311和第二部分1312,第一部分1311在基板110上的正投影的宽度为D1,第二部分1312在基板110上的正投影的宽度为D5,其中,D1>D5。
其中,D2可大于D5,D2也可小于或等于D5,在此不作具体限制。
可以理解的是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度。
由此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一子像素1201和第二子像素1202沿第一方向F1排布于一列,第三子像素1203沿第二方向F2排布于相邻的另一列,第一方向F1和第二方向F2相交。
可以理解的是,第一子隔离结构131的第一部分1311和第二部分1312沿第一方向F1相连,且沿第一方向F1延伸。
如上述所述,第一部分1311在基板110上的正投影的宽度较大,第二部分1312在基板110上的正投影的宽度较小,即第一部分1311在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较大,第二部分1312在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较小,结合第一子隔离结构131的第一部分1311和第二部分1312位于第一子像素1201和第二子像素1202,与第三子像素1203之间,如此,有利于提高第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203中的至少之一在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸,进而可提高重复单元120a中的至少部分子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一部分1311沿其延伸方向的两端均设置有第二部分1312。如此,有利于进一步地提高重复单元120a中的子像素120的发光面积,进而可进一步地提高显示面板100的开口率。
在本实施例中,多个子隔离结构还包括位于第一子像素1201和第二子像素1202之间的第四子隔离结构134,第四子隔离结构134包括第三部分1341和第四部分1342,第三部分1341在基板110上的正投影的宽度为D4,第四部分1342在基板110上的正投影的宽度为D6,其中,D6>D4,第四部分1342与第一子隔离结构131的第一部分1311相连。
由于D6>D4,且第四部分1342沿第二方向F2远离第三部分1341的一端与第一子隔离结构131的第一部分1311相连,可以理解的是,第四部分1342在基板110上的正投影的宽度较大,方便在第一部分1311处设置下述的第一过孔连接结构1102,且第四部分1342的加宽设计有利于给第一过孔连接结构1102的制作形成足够的空间,进而可提高显示面板100的可靠性,此外,第三部分1341在基板110上的正投影的宽度较小,有利于增大与第三部分1341相邻的子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第三部分1341在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸大于第四部分1342在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸。
也就是说,第三部分1341在基板110上的正投影沿第二方向F2的长度大于第四部分1342在基板110上的正投影沿第二方向F2的长度。
如此设计,可在保证给第一过孔连接结构1102的制作形成足够的空间的同时,更有利于增大与第三部分1341相邻的子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
其中,D1可大于D6,D1也可小于或等于D6,在此不作具体限制。
示例地,D1>D6,如此,既能给第一过孔连接结构1102的制作形成足够的空间,又有利于提高相邻的子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在本实施例中,请参阅图2,显示面板100包括显示区(图中未示出)以及与显示区相邻的非显示区(图中未示出),多个子像素120位于显示区,显示面板100还包括位于显示区的电源信号线1101,第一子隔离结构131上设置有第一过孔连接结构1102,第一子隔离结构131通过第一过孔连接结构1102与电源信号线1101电连接,其中,第一过孔连接结构1102在基板110上的正投影,位于第一部分1311在基板110上的正投影的范围内。
如此,可利用位于显示区的电源信号线1101和第一过孔连接结构1102,且通过第一子隔离结构131的第一部分1311给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位,且第一过孔连接结构1102可以作为第一子隔离结构131的第一部分1311的辅助导电结构,以降低第一子隔离结构131的第一部分1311的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。
具体地,同一重复单元120a中所有子像素120的第二电极122均与同一第一子隔离结构131搭接。
如此,可利用位于显示区的电源信号线1101和第二过孔连接结构1103,且通过第一子隔离结构131的第一部分1311给对应的重复单元120a中三种不同颜色的子像素120的第二电极122,且第一过孔连接结构1102可以作为第一子隔离结构131的第一部分1311的辅助导电结构,以降低第一子隔离结构131的第一部分1311的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。。
可选地,显示面板100包括源漏金属层(图中未示出),电源信号线1101的材质与源漏金属层的材质相同。
可以理解的是,位于显示区的电源信号线1101与源漏金属层形成于同一工序中,如此,有利于减小显示面板100的制作工艺时间,进而可提高显示面板100的制作效率。在另一些实施中,请参阅图3,重复单元120a包括一个第一子像素1201、一个第二子像素1202和一个第三子像素1203,第一子像素1201和第三子像素1203的发光区均部分围绕第二子像素1202的发光区。
由于第一子像素1201和第三子像素1203的发光区均部分围绕第二子像素1202的发光区,如此,使得同一重复单元120a中第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203的排布更紧凑,进而使得显示面板100的白光配比更优。
在本实施例中,在同一重复单元120a中,第一子隔离结构131包括位于第一子像素1201和第二子像素1202之间的第五部分1313、位于第二子像素1202与第三子像素1203之间的第六部分1314,以及位于第一子像素1201和第三子像素1203之间的第七部分1315,第五部分1313、第六部分1314均与第七部分1315相连。其中,第七部分1315在基板110上的正投影的宽度为D1,第五部分1313在基板110上的正投影的宽度为D7,第六部分1314在基板110上的正投影的宽度为D8,D1>D7,且D1>D8。
其中,D7可大于D2,D7也可小于或等于D2;类似地,D8可大于D2,D8也可小于或等于D2,在此不作具体限制。
由此可见,第七部分1315在基板110上的正投影的宽度较大,第五部分1313和第六部分1314在基板110上的正投影的宽度较小,以第一子隔离结构131沿第一方向F1延伸,且第一方向F1与第一方向F2彼此垂直为例进行说明,第七部分1315在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较大,第五部分1313和第六部分1314在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较小,如此,有利于提高第一子像素1201和第二子像素1202中的至少之一,以及第二子像素1202和第三子像素1203中的至少之一在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸,进而可重复单元120a中的子像素120的发光面积,进而可进一步地提高显示面板100的开口率。
在本实施例中,显示面板100包括显示区以及与显示区相邻的非显示区,多个子像素120位于显示区,显示面板100还包括位于显示区的电源信号线1101,第一子隔离结构131上设置有第二过孔连接结构1103,第一子隔离结构131通过第二过孔连接结构1103与电源信号线1101电连接,其中,第二过孔连接结构1103在基板110上的正投影,位于第七部分1315在基板110上的正投影的范围内。
如此,可利用位于显示区的电源信号线1101和第二过孔连接结构1103,且通过第一子隔离结构131的第七部分1315给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位,且第二过孔连接结构1103可以作为第一子隔离结构131的第七部分1315的辅助导电结构,以降低第一子隔离结构131的第七部分1315的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。
具体地,同一重复单元120a中所有子像素120的第二电极122均与同一第一子隔离结构131搭接。
如此,可利用位于显示区的电源信号线1101和第二过孔连接结构1103,且通过第一子隔离结构131的第七部分1315给对应的重复单元120a中三种不同颜色的子像素120的第二电极122供给规定的电位,且第二过孔连接结构1103可以作为第一子隔离结构131的第七部分1315的辅助导电结构,以降低第一子隔离结构131的第七部分1315的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。
在本实施例中,显示面板100包括源漏金属层(图中未示出),电源信号线1101的材质与源漏金属层的材质相同。
可以理解的是,位于非显示区的电源信号线1101与源漏金属层形成于同一工序中,如此,有利于减小显示面板100的制作工艺时间,进而可提高显示面板100的制作效率。
在又一些实施例中,显示面板100包括显示区以及与显示区相邻的非显示区,多个子像素120位于显示区,显示面板100还包括位于非显示区的电源信号线(图中未示出),第一子隔离结构131与电源信号线(图中未示出)在非显示区电连接。
可以理解的是,位于非显示区的电源信号线(图中未示出)可通过设于第一子隔离结构131的边缘处的第三过孔连接结构(图中未示出)与位于显示区的第一子隔离结构131电连接,以便通过位于显示区的第一子隔离结构131给位于显示区的子像素120的第二电极122供给规定的电位,当然本申请不限于此,非显示区的电源信号线(图中未示出)也可以直接与位于显示区的第一子隔离结构131电连接,以借助于第一子隔离结构131给位于显示区的子像素120的第二电极122供给规定的电位(可结合图1进行理解)。
需要补充的是,隔离结构130大致呈网格状结构,方便通过隔离结构130形成的整体分别给多个子像素120的第二电极122提供规定的电位,也使得彼此间隔设置的多个第二电极122之间可以通过隔离结构130进行电导通,由此,使得多个第二电极122之间处于彼此电连接的状态,这样,有利于减少显示面板100中与第二电极122相连接的阴极走线的数量,由于阴极走线的数量会影响显示面板100的边框区的尺寸,因此,有利于实现显示面板100的窄边框化设计。
在一些实施例中,显示面板100包括显示区以及与显示区相邻的非显示区,多个子像素120位于显示区。隔离结构130还包括位于显示区沿一个方向相对两侧边缘的第一边界部135(如图1所示),第一边界部135在基板110上的正投影的宽度为D9,其中,D1>D9。
第一边界部135在基板110上的正投影的宽度为第一边界部135在基板110上的正投影在垂直于第一边界部135的延伸方向上的尺寸。第一边界部135可沿第一方向F1或第二方向F2延伸,以第一边界部135沿第一方向F1延伸为例进行说明,第一边界部135在基板110上的正投影的宽度为第一边界部135在基板110上的正投影在垂直于第一方向F1上的尺寸。
如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D9的设计,可使多个子像素120在基板110上也可使多个子像素120的占用面积更大,如此,可提高子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一边界部135位于显示区沿第二方向F2相对两侧边缘。
具体到如图1-3所示的实施例中,第一方向F1与第二方向F2彼此垂直,且均平行于基板110,第一边界部135在基板110上的正投影的宽度为第一边界部135在基板110上的正投影在第二方向F2上的尺寸。也就是说,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较大,第一边界部135在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较小,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D9的设计,可使多个子像素120中的至少部分在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸更大,有利于提高至少部分子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,所有子隔离结构在基板110上的正投影的宽度均大于D9,即第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度大于D9,第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度也大于D9,第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度也大于D9,第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度也大于D9,如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,更有利于提高多个子像素120中的至少部分在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸,进而可进一步地提高显示面板100的开口率。
在另一些实施例中,隔离结构130还包括位于显示区沿另一个方向相对两侧边缘的第二边界部136,第二边界部136在基板110上的正投影的宽度为D10,其中,D1>D10(如图1所示)。
第二边界部136在基板110上的正投影的宽度为第二边界部136在基板110上的正投影在垂直于第二边界部136的延伸方向上的尺寸。第二边界部136可沿第一方向F1或第二方向F2延伸,以第二边界部136沿第二方向F2延伸为例进行说明,第二边界部136在基板110上的正投影的宽度为第二边界部136在基板110上的正投影在垂直于第二方向F2上的尺寸。
如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D10的设计,可使多个子像素120在基板110上也可使多个子像素120的占用面积更大,如此,可提高子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第二边界部136位于显示区沿第一方向F1相对两侧边缘。
具体到如图1-3所示的实施例中,第一方向F1与第二方向F2彼此垂直,且均平行于基板110,第二边界部136在基板110上的正投影的宽度为第二边界部136在基板110上的正投影在第一方向F1上的尺寸。也就是说,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影沿第二方向F2的尺寸较大,第二边界部136在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸较小,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D10的设计,可使多个子像素120的至少部分在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,所有子隔离结构在基板110上的正投影的宽度均大于D10,即第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度大于D10,第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度也大于D10,第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度也大于D10,第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度也大于D10,如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,更有利于提高多个子像素120中的至少部分在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸,进而可进一步地提高显示面板100的开口率。
在还有一些实施例中,D1>D9,且D1>D10。如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可提高多个子像素120的至少部分在基板110上的正投影沿第一方向F1和第二方向F2的尺寸,进而可进一步地提高显示面板100的开口率。
在本实施例中,所有子隔离结构在基板110上的正投影的宽度均大于D9,且均大于D10。如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可进一步提高多个子像素120在基板110上的占用面积,进而可进一步地提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,请参阅图4,隔离结构130包括层叠设置于基板110上的第一隔离部1301和第二隔离部1302,第二隔离部1302在基板110上的正投影外轮廓,位于对应的第一隔离部1301在基板110上的正投影外轮廓的***,显示面板100包括多个重复单元120a,每一重复单元120a包括多个子像素120,同一重复单元120a中所有子像素120的第二电极122均与同一第一子隔离结构131的第一隔离部1301搭接。
可选地,第二隔离部1302的底表面的宽度,大于第一隔离部1301的顶表面的宽度,宽度是指隔离结构130靠近其中一种颜色的子像素120的一侧与该隔离结构130靠近另一种颜色的子像素120的一侧之间的距离。
这样,在制备显示面板100时,可以使隔离结构130对子像素120对应的像素材料和封装单元140对应的封装材料等的隔断效果更好,且由于第一子隔离结构131的至少部分的宽度较宽,如此,可在降低第一子隔离结构131的电阻,改善不同位置的压降差异的同时,也可有利于形成能够对子像素120起到完整封装结构的隔离结构130。
在一些实施例中,基板110可以包括层叠设置的阵列基板111和像素限定层112,阵列基板111包括层叠设置的衬底、驱动阵列层和平坦层,其中,衬底可以为柔性聚酰亚胺(Polyimide,PI)、刚性玻璃或薄形金属片等。本申请实施例在此不再对其他材质的衬底进行详细论述,本领域技术人员可根据实际需要选用不同种类的材料即可。
驱动阵列层设于衬底上,平坦层设于驱动阵列层上,且覆盖于电源信号线1101和源漏金属层(图中未示出),子像素120包括层叠设置的第一电极121、发光功能层123和第二电极122,第一电极121设于平坦层上,像素限定层112位于平坦层背离驱动阵列层的一侧,且至少部分覆盖于第一电极121,像素限定层112上设有至少部分露出第一电极121的多个像素开口1121,子像素120的发光功能层123和第二电极122设置于像素开口1121处,隔离结构130界定出与多个子像素120相对应的多个第一开口1303,多个像素开口1121对应地与多个第一开口1303连通。
具体地,多个子像素120与多个第一开口1303一一对应,多个像素开口1121可与多个第一开口1303一一对应地连通。
其中,像素限定层112的材质可以是聚酰亚胺、亚克力或聚对苯甲酸乙二醇酯等,像素开口1121在基板110上的正投影的形状可以是矩形或者梯形等。
在一些实施例中,请参阅图3,显示面板100还包括多个封装单元140,多个封装单元140一一对应地设置于多个第一开口1303内,且封装单元140完全覆盖对应的子像素120。
封装单元140的材料可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。
一方面,可以利用封装单元140阻隔水汽进入对应的子像素120处,形成对子像素120的独立封装,有利于提高显示面板100的可靠性;另一方面,子像素120的第二电极122能够与相邻的隔离结构130相接触而电连接。方便通过隔离结构130给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位,比如通过隔离结构130的第一子隔离结构131的第一隔离部1301给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位。
在一些实施例中,显示面板100还包括封装层150,封装层150设于隔离结构130上,且覆盖多个封装单元140。
封装层150的材料可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。
封装层150相当于整体封装结构,封装层150用于封装所有的子像素120和所有的封装单元140。
封装层150结合封装单元140,相当于对子像素120起到了双重封装效果,提高了水汽的阻隔能力,进而可提高显示面板100的可靠性。
第二方面,本申请提供一种显示面板100,包括基板110、多个子像素120、隔离结构130,以及设置于基板110上的电源信号线1101。
多个子像素120间隔设置于基板110上,子像素120包括层叠设置的第一电极121、发光功能层123和第二电极122。
隔离结构130设于基板110上,且隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开。
请参阅图2及3,隔离结构130包括多个子隔离结构,多个子隔离结构包括第一子隔离结构131和第二子隔离结构132。
第一子隔离结构131包括沿其延伸方向延伸的接线结构,接线结构在基板110上的正投影的宽度,大于第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度,宽度为子隔离结构在基板110上的正投影,在垂直于子隔离结构的延伸方向上的尺寸。
可以广义地理解为:至少一个子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度。
接线结构可以是第一子隔离结构131的全部,也可以是第一子隔离结构131的一部分,在此不作具体限制。
至少部分子像素120的第二电极122与第一子隔离结构131电接触,且第一子隔离结构131的接线结构通过第一过孔连接结构1102与电源信号线1101电连接(可结合图4进行理解)。
由于隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开,采用蒸镀方式形成子像素120的过程中,可摒弃昂贵的精细金属掩膜板(FMM),如此,子像素120的结构设计不再受限于精细金属掩膜板(FMM),可根据显示面板100的开口率的提升需求设计隔离结构130和子像素120,因此,在设计上允许隔离结构130和子像素120形成不规则的结构,比如允许隔离结构130在设计上包括多个子隔离结构,比如可使第一子隔离结构131的接线结构在基板110上的正投影的宽度大于第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度,也就是说,第一子隔离结构131的接线结构在基板110上的正投影的宽度较大,第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度较小,如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使至少部分子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率,此外,电源信号线1101通过第一过孔连接结构1102和加宽设计的接线结构给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位,且第一过孔连接结构1102可以作为第一子隔离结构131的接线结构的辅助导电结构,可降低第一子隔离结构131的接线结构的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。
可选地,第一过孔连接结构1102在基板110上的正投影,位于接线结构在基板110上的正投影的范围内。
可以理解,接线结构进行加宽设计,如此,可方便进行第一过孔连接结构1102的制作。
可选地,请参阅图2,接线结构包括第一部分1311和和第二部分1312,第一部分1311在基板110上的正投影的宽度为D1,第二部分1312在基板110上的正投影的宽度为D5,第二子隔离结构132的至少部分在基板110上的正投影的宽度为D2,其中,D1>D2,D1>D5。
其中,D2可大于D5,D2也可小于或等于D5,在此不作具体限制。
可以理解的是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度。
由此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一过孔连接结构1102在基板110上的正投影,位于第一部分1311在基板110上的正投影的范围内。电源信号线1101通过第一过孔连接结构1102和较宽的第一部分1311给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位,可很好地利用第一过孔连接结构1102降低第一子隔离结构131的第一部分1311的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。
可选地,显示面板100包括源漏金属层(图中未示出),电源信号线1101的材质与源漏金属层的材质相同。
如此,电源信号线1101与源漏金属层形成于同一工序中,有利于减小显示面板100的制作工艺时间,进而可提高显示面板100的制作效率。
可选地,显示面板100包括多个重复单元120a,每一重复单元120a包括多个子像素120,第一子隔离结构131位于同一重复单元120a中部分相邻的子像素120之间。
第一子隔离结构131可位于同一重复单元120a中沿第一方向F1相邻的子像素120之间,也可位于同一重复单元120a中沿第二方向F2相邻的子像素120之间,其中,第一方向F1与第二方向F2彼此相交。示例地,第一子隔离结构131可位于同一重复单元120a中沿第二方向F2相邻的子像素120之间。
可选地,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a之间。可以是,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a的沿第一方向F1相邻的子像素120之间;当然,也可以是,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a的沿第二方向F2相邻的子像素120之间,其中,第一方向F1与第二方向F2彼此相交。
示例地,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a的沿第二方向F2相邻的子像素120之间。
如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使至少部分子像素120在基板110沿第二方向F2上的占用尺寸更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,请参阅图4及图5,子像素120的第二电极122与对应的第一子隔离结构131的第一隔离部1301搭接,便于利用第一子隔离结构131的第一隔离部1301为对应的子像素120的第二电极122提供规定的电位。
可选地,第一隔离部1301的材质为金属导电材质或非金属导电材质。
可选地,请参阅图5,第一隔离部1301的材质和第一过孔连接结构1102的材质相同,如此,可在同一工序中形成第一隔离部1301与第一过孔连接结构1102,有利于减小显示面板100的制作工艺时间,进而可提高显示面板100的制作效率。
第三方面,本申请提供一种显示面板100,包括基板110、多个子像素120、隔离结构130。
多个子像素120间隔设置于基板110上,隔离结构130设于基板110上,且隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开。
隔离结构130包括沿同一方向延伸的多个子隔离结构,至少一个子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,大于其余子隔离结构在基板110上的正投影的宽度。
可以是,至少一个子隔离结构在基板110上的正投影的宽度,大于其余子隔离结构在基板110上的正投影的宽度;也可以是,至少一个子隔离结构中的至少部分在基板110上的正投影的宽度,大于该子隔离结构中的其余部分在基板110上的正投影的宽度,以及其余子隔离结构在基板110上的正投影的宽度。
其中,宽度为子隔离结构在基板110上的正投影,在垂直于子隔离结构的延伸方向上的尺寸。
由于隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开,采用蒸镀方式形成子像素120的过程中,可摒弃昂贵的精细金属掩膜板(FMM),如此,子像素120的结构设计不再受限于精细金属掩膜板(FMM),可根据显示面板100的开口率的提升需求设计隔离结构130和子像素120,因此,在设计上允许隔离结构130和子像素120形成不规则的结构,比如允许隔离结构130在设计上包括同一方向延伸的多个子隔离结构,比如沿同一方向延伸的多个子隔离结构中,至少一个子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,大于其余子隔离结构在基板110上的正投影的宽度,也就是说,部分子隔离结构在基板110上的正投影的宽度较小,如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,请参阅图1-3,多个子隔离结构包括沿第一方向F1延伸且彼此间隔设置的第一子隔离结构131和第二子隔离结构132,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度为D1,第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度为D2,其中,D1>D2。
如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D2的设计,可使子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,显示面板100包括多个重复单元120a,每一重复单元120a包括多个子像素120,第一子隔离结构131位于同一重复单元120a中沿第二方向F2相邻的子像素120之间,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a之间。第一方向F1与第二方向F2彼此相交。
可以是,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a的沿第一方向F1相邻的子像素120之间;当然,也可以是,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a的沿第二方向F2相邻的子像素120之间。在本实施例中,第二子隔离结构132位于相邻的重复单元120a的沿第二方向F2相邻的子像素120之间。
可选地,第一方向F1与第二方向F2彼此垂直。
如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D2的设计,可使第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度较小,如此,与第二子隔离结构132相邻的重复单元120a中至少部分子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,第一子隔离结构131包括沿第一方向F1相连的第一部分1311和第二部分1312,第一部分1311在基板110上的正投影的宽度为D1,第二部分1312在基板110上的正投影的宽度为D5,其中,D1>D5。
其中,D2可大于D5,D2也可小于或等于D5,在此不作具体限制。
可选地,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度。
由此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,显示面板100包括显示区以及与显示区相邻的非显示区,多个子像素120位于显示区,显示面板100还包括位于显示区的电源信号线1101,第一子隔离结构131上设置有第一过孔连接结构1102,第一子隔离结构131通过第一过孔连接结构1102与电源信号线1101电连接,其中,第一过孔连接结构1102在基板110上的正投影,位于第一部分1311在基板110上的正投影的范围内。
如此,可利用位于显示区的电源信号线1101和第一过孔连接结构1102,且通过第一子隔离结构131的第一部分1311给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位,且第一过孔连接结构1102可以作为第一子隔离结构131的第一部分1311的辅助导电结构,以降低第一子隔离结构131的第一部分1311的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。
显示面板100包括源漏金属层(图中未示出),电源信号线1101的材质与源漏金属层的材质相同。
可以理解的是,位于显示区的电源信号线1101与源漏金属层形成于同一工序中,如此,有利于减小显示面板100的制作工艺时间,进而可提高显示面板100的制作效率。
第四方面,本申请提供一种显示面板100,包括基板110、多个子像素120、隔离结构130。
多个子像素120间隔设置于基板110上,隔离结构130设于基板110上,且隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开。
隔离结构130包括多个子隔离结构,多个子隔离结构中的部分沿第一方向F1延伸,其余部分沿第二方向F2延伸,沿第一方向F1延伸的子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,大于沿第二方向F2延伸的子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度。
可以是,第一方向F1延伸的子隔离结构的一部分在基板110上的正投影的宽度,大于沿第二方向F2延伸的子隔离结构的一部分在基板110上的正投影的宽度;也可以是,第一方向F1延伸的子隔离结构在基板110上的正投影的宽度,大于沿第二方向F2延伸的子隔离结构在基板110上的正投影的宽度;也可以是,第一方向F1延伸的子隔离结构的一部分在基板110上的正投影的宽度,大于沿第二方向F2延伸的子隔离结构在基板110上的正投影的宽度;当然,也可以是,第一方向F1延伸的子隔离结构在基板110上的正投影的宽度,大于沿第二方向F2延伸的子隔离结构的一部分在基板110上的正投影的宽度。
宽度为子隔离结构在基板110上的正投影,在垂直于子隔离结构的延伸方向上的尺寸。
由于隔离结构130用于将相邻的子像素120间隔开,采用蒸镀方式形成子像素120的过程中,可摒弃昂贵的精细金属掩膜板(FMM),如此,子像素120的结构设计不再受限于精细金属掩膜板(FMM),可根据显示面板100的开口率的提升需求设计隔离结构130和子像素120,因此,在设计上允许隔离结构130和子像素120形成不规则的结构,比如允许沿第一方向F1延伸的子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,大于沿第二方向F2延伸的子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,也就是说,沿第二方向F2延伸的子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度较小,如此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使至少部分子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,请参阅图1及图2,多个子隔离结构包括沿第一方向F1延伸的第一子隔离结构131,以及沿第二方向F2延伸的第四子隔离结构134,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影的宽度为D1,第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度为D4,其中,D1>D4,第一方向F1与第二方向F2彼此相交。
“D1>D4”可以是指,第一子隔离结构131的一部分在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的一部分在基板110上的正投影的宽度;也可以是指,第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的一部分在基板110上的正投影的宽度;也可以是指,第一子隔离结构131的一部分在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度;当然,也可以是指,第一子隔离结构131在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134在基板110上的正投影的宽度。
可以理解的是,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影宽度较大,第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影宽度较小,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D4的设计,可使至少部分子像素120在基板110上的占用面积增大,进而可提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一子隔离结构131位于沿第二方向F2相邻的子像素120之间,第四子隔离结构134位于沿第一方向F1相邻的子像素120之间。
多个子像素120包括第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203。可以是,第一子隔离结构131位于第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203中的其中两者之间,比如第一子隔离结构131位于第一子像素1201和第三子像素1203之间;也可以是,第一子隔离结构131既位于第一子像素1201和第三子像素1203之间,又位于第二子像素1202和第三子像素1203之间;还可以是,第一子隔离结构131既位于第一子像素1201和第三子像素1203之间,又位于第一子像素1201和第二子像素1202之间,又位于第二子像素1202和第三子像素1203之间。
可以是,第四子隔离结构134位于第一子像素1201、第二子像素1202和第三子像素1203中的其中两者之间,比如第四子隔离结构134位于第一子像素1201和第二子像素1202之间;也可以是,第四子隔离结构134既位于第一子像素1201和第二子像素1202之间,又位于第二子像素1202和第三子像素1203之间。
当然,本申请不局限于此,只要使第一子隔离结构131位于沿第二方向F2相邻的子像素120之间,且第四子隔离结构134位于沿第一方向F1相邻的子像素120之间即可。
可选地,显示面板100包括多个重复单元120a,每一重复单元120a包括多个子像素120,第一子隔离结构131位于同一重复单元120a中沿第二方向F2相邻的子像素之间,第四子隔离结构134位于同一重复单元120a中沿第一方向F1相邻的子像素120之间。
由于第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度较小,即第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸较小,那么,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D4的设计,可使沿第一方向F1与该第四子隔离结构134相邻的子像素120在基板110上的正投影沿第一方向F1的尺寸更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,第一子隔离结构131包括位于同一重复单元120a中沿第二方向F2相邻的子像素120之间的第一部分1311和第二部分1312,第一部分1311在基板110上的正投影的宽度为D1,第二部分1312在基板110上的正投影的宽度为D5,其中,D1>D5。
其中,D2可大于D5,D2也可小于或等于D5,在此不作具体限制。
可以理解的是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第二子隔离结构132在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度,也可以是,第一子隔离结构131的第一部分1311在基板110上的正投影的宽度大于第四子隔离结构134的至少部分在基板110上的正投影的宽度。
由此,在基板110的尺寸保持不变的情况下,可使子像素120在基板110上的占用面积更大,有利于提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
可选地,第一部分1311沿其延伸方向的两端均设置有第二部分1312。如此,有利于进一步地提高重复单元120a中的子像素120的发光面积,进而可进一步地提高显示面板100的开口率。
在本实施例中,第四子隔离结构134包括位于同一重复单元120a中沿第一方向F1相邻的子像素120之间的第三部分1341和第四部分1342,第三部分1341在基板110上的正投影的宽度为D4,第四部分1342在基板110上的正投影的宽度为D6,其中,D6>D4,第四部分1342与第一子隔离结构131的第一部分1311相连。
由于D6>D4,且第四部分1342沿第二方向F2远离第三部分1341的一端与第一子隔离结构131的第一部分1311相连,可以理解的是,第四部分1342在基板110上的正投影的宽度较大,方便在第一部分1311处设置下述的第一过孔连接结构1102,且第四部分1342的加宽设计有利于给第一过孔连接结构1102的制作形成足够的空间,进而可提高显示面板100的可靠性,此外,第三部分1341在基板110上的正投影的宽度较小,有利于增大与第三部分1341相邻的子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
其中,D1可大于D6,D1也可小于或等于D6,在此不作具体限制。
示例地,D1>D6,如此,既能给第一过孔连接结构1102的制作形成足够的空间,又有利于提高相邻的子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
在一些实施例中,显示面板100包括显示区以及与显示区相邻的非显示区,多个子像素120位于显示区,显示面板100还包括位于显示区的电源信号线1101,第一子隔离结构131上设置有第一过孔连接结构1102,第一子隔离结构131通过第一过孔连接结构1102与电源信号线1101电连接,其中,第一过孔连接结构1102在基板110上的正投影,位于第一部分1311在基板110上的正投影的范围内。
如此,可利用位于显示区的电源信号线1101和第一过孔连接结构1102,且通过第一子隔离结构131的第一部分1311给对应的子像素120的第二电极122供给规定的电位,且第一过孔连接结构1102可以作为第一子隔离结构131的第一部分1311的辅助导电结构,以降低第一子隔离结构131的第一部分1311的电阻,改善不同位置的压降差异,从而可提高显示面板100的亮度均一性。
可选地,显示面板100包括源漏金属层(图中未示出),电源信号线1101的材质与源漏金属层的材质相同。
可以理解的是,位于显示区的电源信号线1101与源漏金属层形成于同一工序中,如此,有利于减小显示面板100的制作工艺时间,进而可提高显示面板100的制作效率。
在一些实施例中,多个子隔离结构还包括沿第二方向F2延伸的第三子隔离结构133,第三子隔离结构133位于相邻的重复单元120a的沿第一方向F1相邻的子像素120之间,第三子隔离结构133在基板110上的正投影的宽度为D3,D1>D3。
可以理解的是,第一子隔离结构131的至少部分在基板110上的正投影宽度较大,第三子隔离结构133在基板110上的正投影宽度较小,在基板110的尺寸保持不变的情况下,D1>D3的设计,可使至少部分子像素120在基板110上的占用面积增大,进而可提高该子像素120的发光面积,进而可提高显示面板100的开口率。
上述任一实施例的显示面板100可应用于显示装置10中,显示装置10包括上述任一实施例的显示面板100(如图6所示)。
显示装置10可以是手机、电视、平板电脑、笔记本电脑、超级移动个人计算机(Ultra-Mobile Personal Computer,UMPC)、个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)、导航装置、智能手表、虚拟现实设备等具有显示面板100的移动或固定终端。
本申请实施例提供的显示装置10,通过设置至少一子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度大于其余子隔离结构的至少部分在基板110上的正投影的宽度,比如设置D1>D2,比如设置D1>D3,再比如设置D1>D4,可使本申请实施例提供的显示面板100中,子像素120的发光面积较大,进而可提高显示面板100的开口率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (19)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;所述基板包括像素限定层;以及
隔离结构,设于所述基板上且位于所述像素限定层上,所述隔离结构用于对相邻的所述子像素对应的像素材料进行隔断以将相邻的所述子像素间隔开;
所述隔离结构包括多个子隔离结构,所述多个子隔离结构包括第一子隔离结构和第二子隔离结构;
所述第一子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第二子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D2;所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸;
其中,D1>D2。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个重复单元,每一所述重复单元包括多个所述子像素;
所述第一子隔离结构位于同一所述重复单元中部分相邻的所述子像素之间;
所述第二子隔离结构位于相邻的所述重复单元之间;
所述第一子隔离结构和所述第二子隔离结构均沿第一方向延伸,且两者沿与第一方向相交的第二方向间隔设置;
所述第一子隔离结构位于同一所述重复单元中沿所述第二方向相邻的子像素之间;所述第二子隔离结构位于相邻的所述重复单元的沿所述第二方向相邻的子像素之间;
所述显示面板还包括设置于所述基板上的扫描线和数据线,所述扫描线沿所述第一方向和所述第二方向其中之一延伸,所述数据线沿所述第一方向和所述第二方向其中之另一延伸;
所述子像素包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极,所述重复单元中的所述子像素的所述第二电极与所述第一子隔离结构搭接;
同一所述重复单元中所有所述子像素的所述第二电极均与同一所述第一子隔离结构搭接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述多个子隔离结构还包括与所述第二子隔离结构的延伸方向不同的第三子隔离结构;所述第三子隔离结构位于相邻的所述重复单元之间;
所述第三子隔离结构在所述基板上的正投影的宽度为D3,D1>D3;
所述第一子隔离结构的延伸方向和所述第二子隔离结构的延伸方向相同;
所述第一子隔离结构和所述第二子隔离结构均沿第一方向延伸,所述第三子隔离结构沿第二方向延伸;所述第三子隔离结构位于相邻的所述重复单元的沿第一方向相邻的子像素之间;所述第一方向与所述第二方向彼此相交;
所述多个子隔离结构还包括与所述第三子隔离结构延伸方向相同的第四子隔离结构,所述第四子隔离结构位于同一重复单元中部分相邻的子像素之间;
所述第四子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D4,D1>D4;
所述第四子隔离结构沿第二方向延伸,所述第四子隔离结构位于同一所述重复单元中沿所述第一方向相邻的子像素之间。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述重复单元包括一个第一子像素、一个第二子像素和一个第三子像素;
所述第一子像素和所述第二子像素相邻,所述第三子像素与所述第一子像素和所述第二子像素均相邻;
所述第一子像素和所述第二子像素位于所述第三子像素的同一侧,所述第一子隔离结构包括位于所述第一子像素和所述第二子像素与所述第三子像素之间的第一部分和第二部分,所述第一部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第二部分在所述基板上的正投影的宽度为D5;
其中,D1>D5;
所述多个子隔离结构还包括位于所述第一子像素和所述第二子像素之间的第四子隔离结构;
所述第四子隔离结构包括第三部分和第四部分,所述第三部分在所述基板上的正投影的宽度为D4,所述第四部分在所述基板上的正投影的宽度为D6,
其中,D6>D4;
所述第四部分与所述第一子隔离结构的第一部分相连;
D1>D6;
所述第一部分沿其延伸方向的两端均设置有所述第二部分;
所述第一子像素和所述第二子像素沿第一方向排布于一列,所述第三子像素沿第二方向排布于相邻的另一列;所述第一方向和所述第二方向相交;
所述显示面板包括显示区以及与所述显示区相邻的非显示区,所述多个子像素位于所述显示区;
所述显示面板还包括位于所述显示区的电源信号线;
所述第一子隔离结构上设置有第一过孔连接结构,所述第一子隔离结构通过所述第一过孔连接结构与所述电源信号线电连接;
其中,所述第一过孔连接结构在所述基板上的正投影,位于所述第一部分在所述基板上的正投影的范围内;
所述显示面板包括源漏金属层;
所述电源信号线的材质与所述源漏金属层的材质相同。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述重复单元包括一个第一子像素、一个第二子像素和一个第三子像素;
所述第一子像素和所述第三子像素的发光区均部分围绕所述第二子像素的发光区;
在同一所述重复单元中,所述第一子隔离结构包括位于所述第一子像素和所述第二子像素之间的第五部分、位于所述第二子像素与所述第三子像素之间的第六部分,以及位于所述第一子像素和所述第三子像素之间的第七部分;
所述第五部分、所述第六部分均与所述第七部分相连;
其中,所述第七部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第五部分在所述基板上的正投影的宽度为D7,所述第六部分在所述基板上的正投影的宽度为D8;
D1>D7,且D1>D8;
所述显示面板包括显示区以及与所述显示区相邻的非显示区,所述多个子像素位于所述显示区;
所述显示面板还包括位于所述显示区的电源信号线;
所述第一子隔离结构上设置有第二过孔连接结构,所述第一子隔离结构通过所述第二过孔连接结构与所述电源信号线电连接;
其中,所述第二过孔连接结构在所述基板上的正投影,位于所述第七部分在所述基板上的正投影的范围内;
所述显示面板包括源漏金属层;
所述电源信号线的材质与所述源漏金属层的材质相同。
6.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及与所述显示区相邻的非显示区,所述多个子像素位于所述显示区;
所述显示面板还包括位于所述非显示区的电源信号线;
所述第一子隔离结构与所述电源信号线在所述非显示区电连接。
7.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述隔离结构包括层叠设置于所述基板上的第一隔离部和第二隔离部,所述第二隔离部在所述基板上的正投影外轮廓,位于对应的所述第一隔离部在所述基板上的正投影外轮廓的***;
所述显示面板包括多个重复单元,每一所述重复单元包括多个所述子像素;
同一所述重复单元中所有的所述子像素的第二电极均与同一所述第一子隔离结构的所述第一隔离部搭接;
所述第二隔离部的底表面的宽度,大于所述第一隔离部的顶表面的宽度。
8.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及与所述显示区相邻的非显示区,所述多个子像素位于所述显示区;
所述隔离结构还包括位于所述显示区沿一个方向相对两侧边缘的第一边界部,所述第一边界部在所述基板上的正投影的宽度为D9,其中,D1>D9;和/或
所述隔离结构还包括位于所述显示区沿另一个方向相对两侧边缘的第二边界部,所述第二边界部在所述基板上的正投影的宽度为D10;
其中,D1>D10;
所述第一边界部位于所述显示区沿第二方向相对两侧边缘,所述第二边界部位于所述显示区沿第一方向相对两侧边缘;
所述第一方向和所述第二方向相交;
所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;所述基板包括像素限定层;所述子像素包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极;
隔离结构,设于所述基板上且位于所述像素限定层上,所述隔离结构用于对相邻的所述子像素对应的像素材料进行隔断以将相邻的所述子像素间隔开;
电源信号线,设置于所述基板上;
其中,所述隔离结构包括多个子隔离结构,所述多个子隔离结构包括第一子隔离结构和第二子隔离结构;
所述第一子隔离结构包括沿其延伸方向延伸的接线结构,所述接线结构在所述基板上的正投影的宽度,大于所述第二子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度;所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸;
至少部分所述子像素的所述第二电极与所述第一子隔离结构电接触,且所述第一子隔离结构的所述接线结构通过第一过孔连接结构与所述电源信号线电连接;
所述第一过孔连接结构在所述基板上的正投影,位于所述接线结构在所述基板上的正投影的范围内。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述接线结构包括第一部分和第二部分,所述第一部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第二部分在所述基板上的正投影的宽度为D5,所述第二子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D2;
其中,D1>D2,D1>D5;
所述第一过孔连接结构在所述基板上的正投影,位于所述第一部分在所述基板上的正投影的范围内;
所述显示面板包括源漏金属层;
所述电源信号线的材质与所述源漏金属层的材质相同;
所述显示面板包括多个重复单元,每一所述重复单元包括多个所述子像素;
所述第一子隔离结构位于同一所述重复单元中部分相邻的子像素之间;
所述第二子隔离结构位于相邻的所述重复单元之间。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;所述基板包括像素限定层;以及
隔离结构,设于所述基板上且位于所述像素限定层上,所述隔离结构用于对相邻的所述子像素对应的像素材料进行隔断以将相邻的所述子像素间隔开;
所述隔离结构包括沿同一方向延伸的多个子隔离结构;
至少一个所述子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度,大于其余所述子隔离结构在所述基板上的正投影的宽度;
所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述多个子隔离结构包括沿第一方向延伸且彼此间隔设置的第一子隔离结构和第二子隔离结构;
所述第一子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第二子隔离结构在所述基板上的正投影的宽度为D2;
其中,D1>D2。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个重复单元,每一所述重复单元包括多个所述子像素;
所述第一子隔离结构位于同一所述重复单元中沿第二方向相邻的子像素之间;所述第二子隔离结构位于相邻的所述重复单元之间;
所述第一方向与所述第二方向彼此相交。
14.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,第一子隔离结构包括沿所述第一方向相连的第一部分和第二部分,所述第一部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第二部分在所述基板上的正投影的宽度为D5;
其中,D1>D5;
所述显示面板包括显示区以及与所述显示区相邻的非显示区,所述多个子像素位于所述显示区;
所述显示面板还包括位于所述显示区的电源信号线;
所述第一子隔离结构上设置有第一过孔连接结构,所述第一子隔离结构通过所述第一过孔连接结构与所述电源信号线电连接;
其中,所述第一过孔连接结构在所述基板上的正投影,位于所述第一部分在所述基板上的正投影的范围内;
所述显示面板包括源漏金属层;
所述电源信号线的材质与所述源漏金属层的材质相同。
15.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
多个子像素,间隔设置于所述基板上;所述基板包括像素限定层;以及
隔离结构,设于所述基板上且位于所述像素限定层上,所述隔离结构用于对相邻的所述子像素对应的像素材料进行隔断以将相邻的所述子像素间隔开;
所述隔离结构包括多个子隔离结构,所述多个子隔离结构中的部分沿第一方向延伸,其余部分沿第二方向延伸;
沿第一方向延伸的子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度,大于沿第二方向延伸的子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度;
所述宽度为所述子隔离结构在所述基板上的正投影,在垂直于所述子隔离结构的延伸方向上的尺寸。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,所述多个子隔离结构包括沿所述第一方向延伸的第一子隔离结构,以及沿所述第二方向延伸的第四子隔离结构;
所述第一子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第四子隔离结构的至少部分在所述基板上的正投影的宽度为D4;
其中,D1>D4;
所述第一方向与所述第二方向彼此相交;
所述显示面板包括多个重复单元,每一所述重复单元包括多个所述子像素;
所述第一子隔离结构位于同一所述重复单元中沿所述第二方向相邻的子像素之间;所述第四子隔离结构位于同一所述重复单元中沿所述第一方向相邻的子像素之间。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述第一子隔离结构包括位于同一所述重复单元中沿所述第二方向相邻的子像素之间的第一部分和第二部分,所述第一部分在所述基板上的正投影的宽度为D1,所述第二部分在所述基板上的正投影的宽度为D5;
其中,D1>D5;
所述第一部分沿其延伸方向的两端均设置有所述第二部分;
所述显示面板包括显示区以及与所述显示区相邻的非显示区,所述多个子像素位于所述显示区;
所述显示面板还包括位于所述显示区的电源信号线;
所述第一子隔离结构上设置有第一过孔连接结构,所述第一子隔离结构通过所述第一过孔连接结构与所述电源信号线电连接;
其中,所述第一过孔连接结构在所述基板上的正投影,位于所述第一部分在所述基板上的正投影的范围内;
所述显示面板包括源漏金属层;
所述电源信号线的材质与所述源漏金属层的材质相同。
18.根据权利要求17所述的显示面板,其特征在于,所述第四子隔离结构包括位于同一所述重复单元中沿所述第一方向相邻的子像素之间的第三部分和第四部分,所述第三部分在所述基板上的正投影的宽度为D4,所述第四部分在所述基板上的正投影的宽度为D6,其中,D6>D4;
所述第四部分与所述第一子隔离结构的第一部分相连;
D1>D6。
19.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述多个子隔离结构还包括沿所述第二方向延伸的第三子隔离结构,所述第三子隔离结构位于相邻的所述重复单元的沿所述第一方向相邻的子像素之间;
所述第三子隔离结构在所述基板上的正投影的宽度为D3,D1>D3。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110752243A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN110783481A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏及显示装置 |
WO2020133885A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、精细金属掩模板组以及制作方法 |
CN112673476A (zh) * | 2019-07-31 | 2021-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN113238402A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-10 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN113424333A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-09-21 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
CN115394939A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-11-25 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN116075171A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-05-05 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN116209312A (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
WO2023098285A1 (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210075280A (ko) * | 2019-12-12 | 2021-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2023
- 2023-07-24 CN CN202310916071.5A patent/CN116648095B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020133885A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、精细金属掩模板组以及制作方法 |
CN113424333A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-09-21 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
CN112673476A (zh) * | 2019-07-31 | 2021-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN110783481A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏及显示装置 |
CN110752243A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-04 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN113238402A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-10 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN116209312A (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
WO2023098285A1 (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
CN115394939A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-11-25 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN116075171A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-05-05 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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