CN116505367A - 一种半导体结构及制造方法 - Google Patents

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CN116505367A CN202310596807.5A CN202310596807A CN116505367A CN 116505367 A CN116505367 A CN 116505367A CN 202310596807 A CN202310596807 A CN 202310596807A CN 116505367 A CN116505367 A CN 116505367A
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Abstract

本发明涉及半导体技术领域中的一种半导体结构及制造方法，包括衬底层、外延层，外延层设置在衬底层的一端面，外延层远离衬底层的一端面设置有主波导，外延层远离衬底层的一端面还设置有第一耦合波导和第二耦合波导，且第一耦合波导位于主波导的一侧，第二耦合波导位于主波导的另一侧，主波导、第一耦合波导以及第二耦合波导均为弯曲波导，解决了如何提高半导体器件的单横模输出功率的问题。

Description

一种半导体结构及制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及制造方法。
背景技术
大功率单横模半导体光放大器(SOA，semiconductor optical amplifier)/半导体激光器(SL，semiconductor laser)在光纤激光器、光纤通信、空间光通信、材料加工、泵浦源、探测和医疗等领域应用广泛，其基本结构为具有有源区的光波导，波导中的横模是指波导中传输的光在波导截面上的光强分布，单横模(即仅有基模传输)波导能够带来单个器件更高的输出亮度和更好的光束质量，这对于光耦合放大、探测和光通信等应用至关重要。
脊波导结构是广泛应用的折射率引导型波导，其能够实现较高的光束质量(接近衍射极限光束)。一般的单横模脊波导通过较窄的波导宽度来抑制或者截止高阶横模，但较窄的波导宽度限制了有源区体积，从而限制了输出功率。同时也导致了更高的热阻以及较小的光模式尺寸和发光孔径。前者会引发热量积累导致的功率饱和，后者会使激光器端面处光场强度过高，导致灾变性光学镜面损伤，使激光器输出大幅下降。因此一般单横模脊波导的输出功率比较有限。
为了解决上述问题，需要通过增大波导宽度来增加有源区体积和光模式尺寸，同时减小热阻。而为了在增大波导宽度的同时保证波导的单横模工作，又需要使波导核心(较高折射率区域)和***(较低折射率区域)间的折射率差较小。然而，较小的折射差会使得波导对由热效应和载流子注入造成的折射率变化非常敏感，导致模式不稳定。尤其是在工作电流远高于阈值电流时(一般大功率激光器的工作条件)，此时空间烧孔效应和热透镜效应会使得高阶横模更易激发。因此，为了提高激光器的单横模输出功率，需要新的方法来提高高阶横模相对于基模的阈值电流。
发明内容
本发明针对现有技术中的缺点，提供了一种半导体结构及制造方法，解决了如何提高半导体器件的单横模输出功率的问题。
为了解决上述技术问题，本发明通过下述技术方案得以解决：
一种半导体结构，包括衬底层、外延层，所述外延层设置在衬底层的一端面，所述外延层远离衬底层的一端面设置有主波导，所述外延层远离衬底层的一端面还设置有第一耦合波导和第二耦合波导，且所述第一耦合波导位于主波导的一侧，所述第二耦合波导位于主波导的另一侧，所述主波导、第一耦合波导以及第二耦合波导均为弯曲波导。
可选的，所述第二耦合波导至第一耦合波导的方向为第一方向，所述外延层长度方向为第二方向，且所述第一方向与第二方向垂直设置，所述第一方向与第二方向构成俯视平面，所述主波导、第一耦合波导和第二耦合波导中的任意一条边沿曲线在俯视平面上的曲线方程为：0≤x≤L，其中，/>y为第一方向上的长度，x为第二方向上的长度，/>为边沿曲线的末端相位，L为主波导/第一耦合波导/第二耦合波导在第二方向上的长度，MinR为边沿曲线的最小曲率半径，θ为边沿曲线的初始相位。
可选的，所述主波导、第一耦合波导、第二耦合波导的边沿曲线互为等距线，且基于所述参考曲线以及等距线的间距，设定所述主波导、第一耦合波导以及第二耦合波导中除参考曲线外的边沿曲线的曲线方程。
可选的，所述主波导的宽度设置为最多支持二阶横模。
可选的，所述第一耦合波导以及第二耦合波导的宽度设置，满足所述第一耦合波导以及第二耦合波导的基模与所述主波导的一阶横模相位匹配的条件。
可选的，所述第一耦合波导的宽度设置，满足所述第一耦合波导的基模与所述主波导的一阶横模相位匹配的条件；所述第二耦合波导的宽度设置，满足所述第二耦合波导的一阶横模与所述主波导的二阶横模相位匹配的条件。
可选的，所述第一耦合波导、第二耦合波导分别与主波导之间的距离设置，满足所述主波导的基模损耗与高阶横模损耗的差值最大的条件。
可选的，所述衬底层上设置有背部电极，所述主波导上设置有第一波导电极，通过所述第一波导电极对所述主波导施加正向偏置电压。
可选的，所述第一耦合波导上设置有第二波导电极一，所述第二波导电极一接地/悬空设置，或所述第二波导电极一用于对所述第一耦合波导施加反向偏置电压；所述第二耦合波导上设置有第二波导电极二，所述第二波导电极二接地/悬空设置，或所述第二波导电极二用于对所述第二耦合波导施加反向偏置电压。
可选的，所述背部电极与衬底层接触区域与主波导在外延层上的位置相对。
一种半导体结构的制造方法，所述半导体结构的制造方法用于制备如上述任意一项所述的半导体结构。
采用本发明提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：
1.在主波导(有电流注入的宽脊波导)两侧分别设置与主波导相邻的较窄的第一耦合波导和第二耦合波导，且第一耦合波导、第二耦合波导的模式均与主波导中的高阶横模相位匹配，能够将主波导中的高阶横模耦合至第一耦合波导和第二耦合波导中，而主波导基模基本不受影响，且由于第一耦合波导、第二耦合波导没有电流注入，其有源区对光有很强的吸收，因此有效增加了主波导的高阶横模的损耗；
2.主波导、第一耦合波导以及第二耦合波导均设置为弯曲波导，由于高阶横模模场在波导核心外分布较多，因此高阶横模在弯曲波导中有更大的泄漏损耗，而通过余弦/正弦型的弯曲波导的曲率半径连续变化，则可避免曲率半径跳变造成的基模损耗，此外，弯曲波导也可以增加高阶横模的耦合效率，并通过弯曲波导等距相邻设置，保证了耦合的一致性，提高了器件稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实施例一提出的一种半导体结构的立体图；
图2为本实施例一提出的一种半导体结构的截面图；
图3为本实施例一提出的一种半导体结构的在俯视图；
图4为本实施例一提出的一种半导体结构的波导模式效果图；
图5为本实施例二提出的一种半导体结构的截面图。
附图标记：1、衬底层；2、外延层；3、主波导；4、第一耦合波导；5、第二耦合波导；6、背部电极；7、第一波导电极；8、第二波导电极一；9、第二波导电极二。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明，以下实施例是对本发明的解释而本发明并不局限于以下实施例。
实施例一
如图1和图2所示，一种半导体结构，包括衬底层1、外延层2，外延层2设置在衬底层1的一端面，外延层2远离衬底层1的一端面设置有主波导3，外延层2远离衬底层1的一端面还设置有第一耦合波导4和第二耦合波导5，且第一耦合波导4位于主波导3的一侧，第二耦合波导5位于主波导3的另一侧，主波导3、第一耦合波导4以及第二耦合波导5均为弯曲波导，需要说明的是，本实施例中的半导体结构可以为激光器或光放大器等。
其中，第二耦合波导5至第一耦合波导4的方向为第一方向y，外延层2长度方向为第二方向x，且第一方向与第二方向垂直设置，第一方向与第二方向构成俯视平面，主波导3高度方向为第三方向，且第三方向与第一方向以及第二方向均垂直设置。
如图3所示，主波导3的边沿曲线即为图3中的f3、f4，第一耦合波导4的边沿曲线即为图3中的f1、f2，第二耦合波导5的边沿曲线即为如图3中的f5、f6，主波导3的边沿曲线与第一耦合波导4的距离为d1，即f2与f3的距离为d1，主波导3的边沿曲线与第二耦合波导5的距离为d2，即f4与f5的距离为d3，第一耦合波导4的宽度为w1，即f1与f2的距离为w1，第一耦合波导4的脊高度为h1；主波导3宽度为w，即f3与f6的距离为w；主波导3的脊高度为h；第二耦合波导5的宽度为w2，即f5与f6的距离为w2，第二耦合波导5的脊高度为h2。
进一步地，衬底层1上设置有背部电极6，主波导3上设置有第一波导电极7，通过第一波导电极7对主波导3施加正向偏置电压，第一耦合波导4上设置有第二波导电极一8，第二波导电极一8接地/悬空设置，或第二波导电极一8用于对第一耦合波导4施加反向偏置电压；第二耦合波导5上,设置有第二波导电极二9，第二波导电极二9接地/悬空设置，或第二波导电极二9用于对第二耦合波导5施加反向偏置电压，具体地，第一波导电极7接正极，背部电极6接地，电流由主波导3注入，流经主波导3下方的有源区后经背部电极6接地，第二波导电极一8和第二波导电极二9接地或悬空或反偏，无电流注入，第一波导电极一8与第二波导电极二9的电极接通情况可以相同也可以不同。
在本实施例中，背部电极6接触衬底层1的整个端面，此时，当注入电流时，主波导3下方有源区为增益区，可以进行光放大，而第一耦合波导4与第二耦合波导5下方的有源区为吸收区，对光有很强的吸收作用，因此主波导3中的高阶横模被耦合至第一耦合波导4以及第二耦合波导5后，其损耗大大增加；另一方面，第一耦合波导4和第二耦合波导5下方的有源区吸收光子后会产生光电子，通过使第二波导电极一8和第二波导电极二9接地或反偏可以加速光电子导出，保证持续吸收光的效率。
主波导3、第一耦合波导4和第二耦合波导5中任选一条边沿曲线在俯视平面上的曲线方程为：0≤x≤L，且所选的一条边沿曲线为参考曲线，其中，y为第一方向上的长度，x为第二方向上的长度，/>为边沿曲线的末端相位，L为主波导3/第一耦合波导4/第二耦合波导5在第二方向上的长度，MinR为边沿曲线的最小曲率半径，θ为边沿曲线的初始相位，主波导3、第一耦合波导4、第二耦合波导5的边沿曲线互为等距线，且基于参考曲线以及等距线的间距，设定主波导3、第一耦合波导4以及第二耦合波导5中除参考曲线外的边沿曲线的曲线方程。
具体地，由于余弦/正弦地曲率半径为连续变化，能够避免曲率半径跳变造成的波导基模损耗，因此主波导3、第一耦合波导4和第二耦合波导5中的任意一条边沿曲线均设置为余弦/正弦型，所形成地弯曲波导为余弦/正弦型弯曲波导，且边沿曲线间距始终保持相等，保证了高阶横模在弯曲波导中的耦合一致性，另一方面，由于高阶横模模场在波导核心外分布较多，因此高阶横模在弯曲波导中有更大的泄漏损耗，此外，弯曲波导也可以增加高阶横模的耦合效率。
具体地，如图3所示，以f1为参考曲线为例，其曲线方程为：0≤x≤L。其中k＝φ/L，φ为曲线末端相位；MinR为曲线最小曲率半径；θ为曲线初始相位。因此曲线f1由四个参数确定：θ，φ，L和MinR，其中L决定了器件两个端面间的距离，即器件长度，MinR决定了曲线的弯曲程度，MinR越小，曲线弯曲程度越大，可以调节波导模式的泄漏损耗；θ决定了x＝0处的波导切线方向，而φ决定器件另一端(x＝L处)的波导切线方向，可以满足一些设计中需要具有特定输出角度的波导。
进一步地，在图3所示的设计中θ＝0，φ＝π，以f1为基准情况下，f2至f6各等距线可由如下参数方程确定：Xn＝x-y’Dn/(1+(y’)^2)^0.5，Yn＝y+Dn/(1+(y’)^2)^0.5，y’为y对x的一阶导数，Dn为曲线fn和曲线f1间的距离，可由w1、w2、d1、d2、w得出，n＝2，3，4，5，6，0≤x≤L。
进一步地，主波导3的宽度设置为最多支持二阶横模，此时存在两种情况，当主波导3支持基模和一阶横模两个横模时，第一耦合波导4以及第二耦合波导5的宽度设置，满足第一耦合波导4以及第二耦合波导5的基膜与主波导3的一阶横模相位匹配的条件，第一耦合波导4、第二耦合波导5分别与主波导3之间的距离设置，满足主波导3的基模损耗与高阶横模损耗的差值最大的条件。
另一方面，当主波导3支持基模、一阶横模和二阶横模三个横模时，第一耦合波导4的宽度设置，满足第一耦合波导4的基膜与主波导3的一阶横模相位匹配的条件，第二耦合波导5的宽度设置，满足第二耦合波导5的一阶横模与主波导3的二阶横模相位匹配的条件。
如图4所示，为一个波导截面设计实例，设工作波长为1550nm，第二耦合波导5的脊高度h2决定了波导核心和***的折射率差Δn，为保证器件在电流注入和发热情况下的稳定性，可设置Δn为0.004(需要说明的是，Δn的实际值设定可根据实际情况设定为其他值，0.004仅为本实施例中的举例说明)，进而h2具体值可通过波导设计中常用的数值仿真方法来扫描脊高度并计算Δn确定。
然后设计主波导3宽度，其中，主波导3中支持三种横模，分别为基模，一阶横模和二阶横模，本实施例中仅考虑横电模，这是由于有源区中的量子阱对横电模偏振的增益高得多，为使主波导3宽度最大，可将主波导3宽度设定为刚好截止三阶横模；接着设计第一耦合波导4宽度，通过数值仿真扫描第一耦合波导4的宽度并计算其横模，使其基模和主波导3的一阶横模相位匹配，即二者有相同的等效折射率，即可确定第一耦合波导4的宽度，从而得到第一耦合波导4的宽度较窄，仅支持基模传输；最后，设计第二耦合波导5的宽度，使用同样的方法，使第二耦合波导5中，一阶横模和主波导3中的二阶横模相位匹配，即可确定第二耦合波导5的宽度，从而得到第二耦合波导5中支持基模和一阶横模，其基模和主波导3中的基模相位不匹配，因此不会相互耦合。
另一方面，d1和d2的设置可通过数值仿真计算整体三波导结构的横模确定，保证主波导3中的基模稳定且高阶横模被有效耦合，具体设计优化条件为，需使得基模损耗和高阶横模损耗间的差值最大。最终结构中的横模如图4所示，可以看出主波导3基模基本不受影响，而主波导3的一阶横模和二阶横模分别被耦合至两个耦合波导中，其损耗大大增加。
实施例二
如图5所示，本实施例与实施例一不同之处在于，本实施例的背部电极6与衬底层1接触区域与主波导3在外延层2上的位置相对，即背部电极6仅接触位于主波导3正下方的衬底层1区域，从而可以使由主波导3向两侧扩散至第一耦合波导4、第二耦合波导5下方的有源区的电流减小，进而减小扩散电流造成的光吸收能力下降，需要说明的是，在本实施例中，仅强调背部电极6、第一波导电极7、第二波导电极一8以及第二波导电极二9的接触区域，对实际电极尺寸以及形状不做具体限定。
另一方面，还可以增加各脊波导的脊高度，使有源区被截断，从而截断主波导3扩散至第一耦合波导4以及第二耦合波导5下方的有源区的电流，在此情况下，第二波导电极一8和第二波导电极二9还可以接负电压，即反向偏置电压，来进一步加速第一耦合波导4和第二耦合波导5下方的有源区吸收光子后产生的光电子的导出。
实施例三
一种半导体激光器结构的制造方法，半导体激光器件结构的制造方法用于制备如实施例一任意一项所述的半导体激光器结构，具体如下：。
S1、外延生长：首先在衬底层上生长外延层；
S2、波导结构制造：通过光刻来定义波导刻蚀区域，再通过刻蚀等常规半导体工艺步骤刻蚀掉相应区域的外延层来完成波导结构的制造；
S3、电隔离：在芯片表面生长一层介质薄膜用于隔离电极；
S4、电极接触区域开窗：通过光刻来定义电极接触区域，再通过刻蚀等常规半导体工艺步骤刻蚀掉相应区域的介质薄膜来使电极接触区域暴露；
S5、P电极(正电极)制造：通过光刻来定义电极区域，通过金属蒸镀和剥离等常规半导体工艺步骤在相应区域完成P电极(正电极)制造，由于进行了电隔离，电极仅和前面步骤定义的电极接触区接触；
S6、背面减薄抛光：对晶圆背面进行减薄抛光；
S7、背面N电极(负电极)制造：通过金属蒸镀等常规半导体工艺步骤在晶圆背面完成N电极(负电极)制造，最后进行快速热退火使所有电极形成欧姆接触；
S8、解理、镀膜和切割：首先将加工完成的晶圆解理为Bar条，再对Bar条进行端面镀膜，最后将Bar条进一步切割为单个芯片。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例，并非对本发明任何形式上和实质上的限制，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明方法的前提下，还将可以做出若干改进和补充，这些改进和补充也应视为本发明的保护范围。凡熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，当可利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本发明的等效实施例；同时，凡依据本发明的实质技术对上述实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变，均仍属于本发明的技术方案的范围内。

Claims (11)

1.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底层、外延层，所述外延层设置在衬底层的一端面，所述外延层远离衬底层的一端面设置有主波导，所述外延层远离衬底层的一端面还设置有第一耦合波导和第二耦合波导，且所述第一耦合波导位于主波导的一侧，所述第二耦合波导位于主波导的另一侧，所述主波导、第一耦合波导以及第二耦合波导均为弯曲波导。
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述第二耦合波导至第一耦合波导的方向为第一方向，所述外延层长度方向为第二方向，且所述第一方向与第二方向垂直设置，所述第一方向与第二方向构成俯视平面，所述主波导、第一耦合波导和第二耦合波导中任选一条边沿曲线在俯视平面上的曲线方程为：且所选的一条边沿曲线为参考曲线，其中，/>y为第一方向上的长度，x为第二方向上的长度，/>为边沿曲线的末端相位，L为主波导/第一耦合波导/第二耦合波导在第二方向上的长度，MinR为边沿曲线的最小曲率半径，θ为边沿曲线的初始相位。
3.根据权利要求2所述的一种半导体结构，其特征在于，所述主波导、第一耦合波导、第二耦合波导的边沿曲线互为等距线，且基于所述参考曲线以及等距线的间距，设定所述主波导、第一耦合波导以及第二耦合波导中除参考曲线外的边沿曲线的曲线方程。
4.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述主波导的宽度设置为最多支持二阶横模。
5.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述第一耦合波导以及第二耦合波导的宽度设置，满足所述第一耦合波导以及第二耦合波导的基模与所述主波导的一阶横模相位匹配的条件。
6.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述第一耦合波导的宽度设置，满足所述第一耦合波导的基模与所述主波导的一阶横模相位匹配的条件；所述第二耦合波导的宽度设置，满足所述第二耦合波导的一阶横模与所述主波导的二阶横模相位匹配的条件。
7.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述第一耦合波导、第二耦合波导分别与主波导之间的距离设置，满足所述主波导的基模损耗与高阶横模损耗的差值最大的条件。
8.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述衬底层上设置有背部电极，所述主波导上设置有第一波导电极，通过所述第一波导电极对所述主波导施加正向偏置电压。
9.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述第一耦合波导上设置有第二波导电极一，所述第二波导电极一接地/悬空设置，或所述第二波导电极一用于对所述第一耦合波导施加反向偏置电压；所述第二耦合波导上设置有第二波导电极二，所述第二波导电极二接地/悬空设置，或所述第二波导电极二用于对所述第二耦合波导施加反向偏置电压。
10.根据权利要求8所述的一种半导体结构，其特征在于，所述背部电极与衬底层接触区域与主波导在外延层上的位置相对。
11.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体激光器件结构的制造方法用于制备如权利要求1-10任意一项所述的半导体激光器结构。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199784A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Nec Corp 半導体レーザ及びその製造方法
WO2002035267A1 (en) * 2000-10-27 2002-05-02 Pirelli S.P.A. Hybrid buried/ridge planar waveguides
US20080273564A1 (en) * 2004-09-14 2008-11-06 You Wang Semiconductor Laser Element and Semiconductor Laser Element Array
CN101499621A (zh) * 2008-01-21 2009-08-05 三洋电机株式会社 半导体激光元件及其制造方法
CN101841124A (zh) * 2009-03-18 2010-09-22 中国科学院半导体研究所 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构
CN105406356A (zh) * 2015-12-10 2016-03-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 折叠外腔超窄线宽半导体激光器
US20180366612A1 (en) * 2015-12-25 2018-12-20 Sony Corporation Light-emitting device and display apparatus
US20220368109A1 (en) * 2021-05-03 2022-11-17 Clemson University High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser
CN115395365A (zh) * 2021-05-20 2022-11-25 山东华光光电子股份有限公司 一种窄线宽、大功率锁模980nm基模半导体激光器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199784A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Nec Corp 半導体レーザ及びその製造方法
WO2002035267A1 (en) * 2000-10-27 2002-05-02 Pirelli S.P.A. Hybrid buried/ridge planar waveguides
US20080273564A1 (en) * 2004-09-14 2008-11-06 You Wang Semiconductor Laser Element and Semiconductor Laser Element Array
CN101499621A (zh) * 2008-01-21 2009-08-05 三洋电机株式会社 半导体激光元件及其制造方法
CN101841124A (zh) * 2009-03-18 2010-09-22 中国科学院半导体研究所 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构
CN105406356A (zh) * 2015-12-10 2016-03-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 折叠外腔超窄线宽半导体激光器
US20180366612A1 (en) * 2015-12-25 2018-12-20 Sony Corporation Light-emitting device and display apparatus
US20220368109A1 (en) * 2021-05-03 2022-11-17 Clemson University High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser
CN115395365A (zh) * 2021-05-20 2022-11-25 山东华光光电子股份有限公司 一种窄线宽、大功率锁模980nm基模半导体激光器

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