CN116259279A - 显示装置 - Google Patents

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CN116259279A
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CN
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voltage
transistor
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崔溶均
李正勋
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LG Display Co Ltd
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Abstract

根据本公开的一方面，显示装置包括其中设置有多个子像素的显示面板。此外，显示装置包括数据驱动器，数据驱动器被配置为通过多条数据线向多个子像素提供多个数据电压。此外，显示装置包括栅极驱动器，栅极驱动器被配置为通过多条栅极线向多个子像素提供多个栅极信号。多个子像素中的每一个包括串联设置在低电位电压端子和高电位电压端子之间的发光二极管、驱动晶体管和可变电阻电路。当多个子像素中的每一个实现低灰度时，可变电阻电路增大高电位电压端子和驱动晶体管之间的电阻。从而，可以正常实现低灰度。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0175466号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种能够控制施加到驱动晶体管的电压的显示装置。
背景技术
用于电脑监视器、TV、移动电话等的显示装置包括自身发光的有机发光显示器(OLED)、需要单独光源的液晶显示器(LCD)等。
OLED包括包含多个子像素的显示面板和用于驱动显示面板的驱动器单元。驱动器单元包括用于通过栅极线向显示面板提供栅极信号的栅极驱动器和用于通过数据线向显示面板提供数据电压的数据驱动器。当诸如栅极信号和数据电压的信号被提供给OLED的子像素时，被选择的子像素发光并从而显示图像。
这里，多个子像素中的每一个包括发光二极管和设置在低电位电压和高电位电压之间的驱动晶体管。在实现低灰度时，对发光二极管施加相对低的电压，而在实现高灰度时，对发光二极管施加相对高的电压。
因此，当实现低灰度时，相对高的电压被施加到驱动晶体管，并且当实现高灰度时，相对低的电压被施加到驱动晶体管。
也就是说，当实现低灰度时，驱动晶体管的源极电极和漏极电极之间的电压增大，这会导致驱动晶体管的源极电极和漏极电极之间的电流迅速增大的扭结效应。因此，子像素不能实现低灰度，并且从而实现相对高的灰度。
发明内容
本公开要实现的目的是提供一种能够抑制扭结效应的显示装置。
本公开要实现的另一个目的是提供一种能够稳定实现低灰度的显示装置。
本公开的目的不限于上述目的，本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解以上未提及的其他目的。
根据本公开的一方面，显示装置包括其中设置有多个子像素的显示面板。此外，显示装置包括数据驱动器，数据驱动器被配置为通过多条数据线向多个子像素提供多个数据电压。此外，显示装置包括栅极驱动器，栅极驱动器被配置为通过多条栅极线向多个子像素提供多个栅极信号。多个子像素中的每一个包括串联设置在低电位电压端子和高电位电压端子之间的发光二极管、驱动晶体管和可变电阻电路。当多个子像素中的每一个实现低灰度时，可变电阻电路增大高电位电压端子和驱动晶体管之间的电阻。从而，可以正常实现低灰度。
示例性实施例的其他事项包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开，当子像素实现低灰度时，驱动晶体管的漏极电极的电压发生偏移。从而，抑制驱动晶体管中的扭结效应是可能的。
根据本公开，低驱动电流可以在发光二极管中流动。从而，子像素可以正常实现低灰度。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将从以下结合附图的详细描述得到更清楚的理解，其中：
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意图；
图2和图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的子像素的电路图；
图4A到图4D是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的栅极信号的波形图；
图5是用于解释根据本公开的示例性实施例的显示装置的可变电阻电路的操作的电路图；以及
图6是用于解释根据本公开的示例性实施例的显示装置的驱动电流和电压之间的关系的电路图。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施例而变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例，而是将以各种形式实现。示例性实施例仅以举例的方式提供，使得本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
附图中示出的用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细解释以避免不必要地混淆本公开的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用都可以包括复数。
即使没有明确说明，组件也被解释为包括一般误差范围。
当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或多个部件可以位于两个部件之间，除非这些术语与术语“直接”或“直接地”一起使用。
当元件或层设置在另一个元件或层“上”时，另一个层或另一个元件可以直接***在另一个元件上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开来。因此，以下提及的第一组件可以是本公开的技术构思中的第二组件。
在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。
图中所示的每一个组件的尺寸和厚度是为了描述方便而示出的，并且本公开不限于所示出的组件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施例的特征可以彼此部分或全部粘附或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且实施例可以彼此独立或关联地执行。
在本公开的显示装置中使用的晶体管可以实现为n沟道晶体管(NMOS)和p沟道晶体管(PMOS)中的至少一种晶体管。晶体管可以实现为具有氧化物半导体作为有源层的氧化物半导体晶体管或具有低温多晶硅(LTPS)作为有源层的LTPS晶体管。晶体管可以至少包括栅极电极、源极电极和漏极电极。晶体管可以实现为显示面板上的薄膜晶体管(TFT)。在晶体管中，载流子从源极电极流向漏极电极。在NMOS中，载流子是电子，并且从而，源极电压低于漏极电压，使得电子可以从源极电极流向漏极电极。在NMOS中，电流可以从漏极电极流向源极电极，并且源极电极可以是输出端子。在PMOS中，载流子是空穴，并且从而，源极电压高于漏极电压，使得空穴可以从源极电极流向漏极电极。在PMOS中，空穴从源极电极流向漏极电极，并且从而，电流从源极流向漏极，并且漏极电极可以是输出端子。因此，应当注意，晶体管的源极和漏极不是固定的，因为源极和漏极可以根据施加的电压而改变。在本公开中，假设晶体管是NMOS，但不限于此，并且可以使用PMOS。因此，可以改变电路配置。
用作开关元件的晶体管的栅极信号在导通电压和关断电压之间摆动。导通电压被设置为高于晶体管的阈值电压的电压，并且关断电压被设置为低于晶体管的阈值电压的电压。晶体管响应于导通电压而导通并且响应于关断电压而关断。在NMOS中，导通电压可以是高电压，而关断电压可以是低电压。在PMOS中，导通电压可以是低电压，而关断电压可以是高电压。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的各种示例性实施例。
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意图。参考图1，显示装置100包括显示面板110、栅极驱动器120、数据驱动器130和时序控制器140。
显示面板110是用于显示图像的面板。显示面板110可以包括设置在基板上的各种电路、线和发光二极管。显示面板110可以包括由彼此交叉的多条数据线DL和多条栅极线GL限定的多个像素PX。此外，多个像素PX连接到多条数据线DL和多条栅极线GL。显示面板110可以包括由多个像素PX限定的显示区域和各种信号线或焊盘形成所在的非显示区域。显示面板110可以由在诸如液晶显示装置、有机发光显示装置或电泳显示装置的各种显示装置中使用的显示面板110来实现。在以下描述中，显示面板110被描述为用于有机发光显示装置中的面板，但不限于此。
时序控制器140经由诸如连接到主机***的LVDS(低电压差分信号)或TMDS(转变最小化差分信号)接口的接收电路接收诸如垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和点时钟的时序信号。时序控制器140基于接收到的时序信号产生用于控制数据驱动器130和栅极驱动器120的时序控制信号。
数据驱动器130向多个子像素SP提供数据电压。数据驱动器130可以包括多个源极驱动集成电路(IC)。多个源极驱动IC可以从时序控制器140接收数字视频数据和源极时序控制信号。多个源极驱动IC可以响应于源极时序控制信号将数字视频数据转换成伽马电压以产生数据电压。此外，多个源极驱动IC可以经由显示面板110的数据线DL提供数据电压。多个源极驱动IC可以通过玻璃上芯片(COG)工艺或胶带自动粘合(tape automatedbonding，TAB)工艺连接到显示面板110的数据线DL。此外，源极驱动IC可以形成在显示面板110上，或者可以形成在单独的PCB上并连接到显示面板110。
栅极驱动器120向多个子像素SP提供栅极信号。栅极驱动器120可以包括电平移位器和移位寄存器。电平移位器可以对从时序控制器140以晶体管-晶体管-逻辑(TTL)电平输入的时钟信号的电平进行移位，并且然后可以将其提供给移位寄存器。移位寄存器可以通过使用GIP技术形成在显示面板110的非显示区域中，但不限于此。移位寄存器可以包括多个级，用于响应于时钟信号和驱动信号对栅极信号进行移位以输出它们。包括在移位寄存器中的多个级可以通过多个输出端子顺序地输出栅极信号。如稍后将描述的，栅极信号可以包括扫描信号、感测信号和初始化信号。
显示面板110可以包括多个子像素SP。多个子像素SP可以发射不同颜色的光。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，但不限于此。多个子像素SP可以形成像素PX。也就是说，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可以形成单个像素PX，并且显示面板110可以包括多个像素PX。
在下文中，将参考图2和图3详细描述用于驱动单个子像素SP的驱动器电路。
图2和图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的子像素的电路图。
图2和图3是示出显示装置100的多个子像素SP中的一个子像素SP的电路图。具体地，图2示出了控制电容器Cct连接到参考电压线的情况，而图3示出了控制电容器Cct连接到驱动晶体管的情况。
参考图2，每一个子像素SP包括发光二极管LED、驱动晶体管DRT、开关晶体管SWT、感测晶体管SST、初始化晶体管INT、存储电容器Cst和可变电阻电路CTT1、CTT2、R和Cct。
发光二极管LED通过从驱动晶体管DRT提供的驱动电流发光。发光二极管LED的阳极电极连接到存储电容器Cst、驱动晶体管DRT和感测晶体管SST。此外，发光二极管LED的阴极电极连接到低电位电压端子，低电位电压EVSS被施加到该低电位电压端子。
驱动晶体管DRT基于其源极-栅极电压Vsg来控制施加到发光二极管LED的驱动电流。此外，驱动晶体管DRT的栅极电极连接到第一节点N1，其源极电极连接到第二节点N2，并且其漏极电极连接到第三节点N3。
开关晶体管SWT将从数据线DL提供的数据电压Vdata施加到为驱动晶体管DRT的栅极电极的第一节点N1。开关晶体管SWT包括连接到数据线DL的漏极电极、连接到第一节点N1的源极电极和连接到用于传输扫描信号SCAN的栅极线的栅极电极。因此，响应于为导通电平的高电平的扫描信号SCAN，开关晶体管SWT将从数据线DL提供的数据电压Vdata施加到第一节点N1，第一节点N1是驱动晶体管DRT的栅极电极。
感测晶体管SST将参考电压Vref施加到发光二极管LED的阳极电极。感测晶体管SST包括连接到用于传输参考电压Vref的参考电压线RL的漏极电极。感测晶体管SST还包括连接到发光二极管LED的阳极电极的源极电极和连接到用于传输感测信号SENSE的栅极线的栅极电极。因此，感测晶体管SST响应于为导通电平的高电平的感测信号SENSE而将参考电压Vref施加到发光二极管LED的阳极电极。从而，感测晶体管SST感测发光二极管LED的阳极电极的电压。
初始化晶体管INT将初始化电压Vinit施加到为驱动晶体管DRT的栅极电极的第一节点N1。初始化晶体管INT包括连接到用于传输初始化电压Vinit的初始化电压线IL的漏极电极。初始化晶体管INT还包括连接到为驱动晶体管DRT的栅极电极的第一节点N1的漏极电极和连接到用于传输初始化信号INI的初始化信号线IL的栅极电极。因此，初始化晶体管INT响应于为导通电平的高电平的初始化信号INI，将初始化电压Vinit施加到为驱动晶体管DRT的栅极电极的第一节点N1。从而，初始化晶体管INT初始化驱动晶体管DRT。
存储电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到第二节点N2的第二电极。也就是说，存储电容器Cst的一个电极连接到驱动晶体管DRT的栅极电极，且存储电容器Cst的另一电极连接到驱动晶体管DRT的栅极电极。
当多个子像素中的每一个实现低灰度时，可变电阻电路CTTl、CTT2、R和Cct增大高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间的电阻。
可变电阻电路CTT1、CTT2、R和Cct包括第一控制晶体管CTT1、第二控制晶体管CTT2、电阻器R和控制电容器Cct。
第一控制晶体管CTT1包括连接到被施加高电位电压EVSS的高电位电压端子的漏极电极、连接到与驱动晶体管DRT连接的第三节点N3的源极电极。第一控制晶体管CTT1还包括连接到第四节点N4的栅极电极，第四节点N4连接到第二控制晶体管CTT2。
电阻器R的一个电极连接到第三节点N3并且另一电极连接到第四节点N4。电阻器R设置在第一控制晶体管CTT1的源极电极和漏极电极之间。
换言之，第一控制晶体管CTTl和电阻器R可以并联连接在高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间。
此外，第二控制晶体管CTT2的源极电极连接到第四节点N4，并且第二控制晶体管CTT2的栅极电极连接到用于传输扫描信号SCAN的栅极线。此外，第二控制晶体管CTT2的漏极电极连接到用于传输控制电压Vct的控制线CL。
因此，第二控制晶体管CTT2可以控制第一控制晶体管CTTl。
具体地，第二控制晶体管CTT2响应于为导通电平的高电平的扫描信号SCAN将从控制线CL提供的控制电压Vct施加到为第一控制晶体管CTTl的栅极电极的第四节点N4。
然后，第一控制晶体管CTTl根据通过第二控制晶体管CTT2传送的控制电压Vct的电平来操作。具体地，当控制电压Vct具有为导通电平的高电平时，第一控制晶体管CTT1导通。此外，在高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间形成与电阻器R并联的电流路径。因此，高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间的电阻值可以减小。相反，当控制电压Vct具有为关断电平的低电平时，第一控制晶体管CTT1关断。此外，在高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间不形成与电阻器R并联的电流路径。因此，高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间的电阻值可以增大。
同时，参考图2，控制电容器Cct包括连接到第四节点N4的第一电极和连接到参考电压线RL的第二电极。也就是说，存储控制电容器Cct的一个电极连接到第一控制晶体管CTT1的栅极电极，且控制电容器Cct的另一个电极连接到用于传送为恒定电压的参考电压Vref的参考电压线RL。
参考图3，控制电容器Cct包括连接到第四节点N4的第一电极和连接到第三节点N3的第二电极。也就是说，存储控制电容器Cct的一个电极连接到第一控制晶体管CTT1的栅极电极，且控制电容器Cct的另一个电极连接到第一控制晶体管CTT1的源极电极。
因此，控制电容器Cct可以将存储在第四节点N4中的控制电压Vct保持预定时间段。也就是说，控制电容器Cct可以将施加到第一控制晶体管CTT1的栅极电极的控制电压Vct保持预定时间段，以保持第一控制晶体管CTT1的操作。
图4A到图4D是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置的栅极信号的波形图。
在图4A到图4D中，除了施加到第四节点N4的控制电压Vct之外的信号和电压具有相同的电平。图4A示出了在子像素的灰度从高灰度变为低灰度的情况下的波形。图4B示出了在子像素的灰度从低灰度变为高灰度的情况下的波形。图4C示出了在子像素的灰度保持高的情况下的波形，且图4D示出了在子像素的灰度保持低的情况下的波形。
将参考图2到图4D描述根据本公开的示例性实施例的显示装置的驱动。
参考图4A到图4D，在初始时段期间，初始化信号INI具有为导通电平的高电平，且感测信号SENSE具有为导通电平的高电平。此外，在初始时段期间，扫描信号SCAN具有为关断电平的低电平。从而，初始化晶体管INT导通并将初始化电压Vinit施加到第一节点N1。结果，驱动晶体管DRT的栅极电极被初始化为初始化电压Vinit。初始化电压Vinit可以在充分低于发光二极管LED的操作电压的范围内选择，并被设置为等于或低于低电位电压VSS。此外，在初始时段中，感测晶体管SST导通并将参考电压Vref施加到第二节点N2。结果，感测晶体管SST将参考电压Vref施加到发光二极管LED的阳极电极并且感测发光二极管LED的阳极电极的电压。参考电压Vref可以在充分低于发光二极管LED的操作电压的范围内选择，并被设置为等于或低于低电位电压VSS。
此外，参考图4A到图4D，在采样时段期间，初始化信号INI具有为导通电平的高电平，且感测信号SENSE具有为关断电平的低电平。此外，在采样时段期间，扫描信号SCAN具有为关断电平的低电平。此外，在采样时段期间，初始化晶体管INT持续导通并保持第一节点N1处的初始化电压Vinit。然而，在采样时段期间，感测晶体管SST关断，并且从而，第二节点N2的电压从参考电压Vref增大到等于初始化电压Vinit和阈值电压Vth之间的差的电压。换言之，第二节点N2的电压通过从驱动晶体管DRT的源极电极到漏极电极流动的电流而增大，直到驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs达到阈值电压Vth。因此，驱动晶体管的阈值电压Vth被采样在存储电容器Cst中。
此外，参考图4A到图4D，在写入时段期间，初始化信号INI具有为关断电平的低电平，且感测信号SENSE具有为关断电平的低电平。此外，在写入时段期间，扫描信号SCAN具有为导通电平的高电平。此外，在写入时段期间，开关晶体管SWT导通并将数据电压Vdata施加到第一节点N1。驱动晶体管的阈值电压Vth存储在存储电容器Cst中。从而，第二节点N2的电压增大，使得第二节点N2和第一节点N1之间的电压差保持在阈值电压Vth，该阈值电压Vth是驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs。
此外，参考图4A到图4D，在升压时段期间，数据电压Vdata被施加到为驱动晶体管DRT的栅极电极的第一节点N1。因此，第二节点N2的电压通过从源极电极流向漏极电极的电流升高。此外，驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs存储在存储电容器Cst中。从而，第一节点N1的电压增大，使得第一节点N1和第二节点N2之间的电压差保持在阈值电压Vth，该阈值电压Vth是驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs。
在发光时段期间，通过第二节点N2的升压电压在驱动晶体管DRT和发光二极管LED之间形成电流路径。结果，流过驱动晶体管DRT的源极电极和漏极电极的驱动电流被施加到发光二极管LED。
同时，在将数据电压写入驱动晶体管的写入时段期间，可以改变第四节点N4的电压。
如上所述，扫描信号SCAN在写入时段期间具有导通电平，并且从而，第二控制晶体管CTT2导通。因此，在写入时段期间控制电压Vct的变化被反映到第四节点N4。
例如，如图4A中所示，当子像素的灰度从高灰度变为低灰度时，数据电压Vdata转变为等于或低于阈值电压的数据电压Vdata，使得实现低灰度。因此，控制电压Vct转变为低电平的控制电压Vct。因此，第四节点N4的电压在写入时段期间减小到低电平的控制电压Vct。
然而，如图4B中所示，当子像素的灰度从低灰度变为高灰度时，数据电压Vdata转变为等于或高于阈值电压的数据电压Vdata，使得实现高灰度。因此，控制电压Vct转变为高电平的控制电压Vct。因此，第四节点N4的电压在写入时段期间增大到高电平的控制电压Vct。
如图4C中所示，当子像素的灰度保持高时，数据电压Vdata保持在等于或高于阈值电压的数据电压Vdata，使得实现高灰度。因此，控制电压Vct保持在高电平的控制电压Vct。因此，第四节点N4的电压在写入时段期间保持在高电平的控制电压Vct。
然而，如图4D中所示，当子像素的灰度保持低时，数据电压Vdata保持在等于或低于阈值电压的数据电压Vdata，使得实现低灰度。因此，控制电压Vct保持在低电平的控制电压Vct。因此，第四节点N4的电压在写入时段期间保持在低电平的控制电压Vct。
阈值电压可以指在低灰度的数据电压和高灰度的数据电压之间的预定电压电平。
为了实现上述操作，当数据电压Vdata在写入时段之前低于阈值电压时，可以将控制电压Vct输出为为关断电平的低电平。此外，当数据电压Vdata在写入时段之前高于阈值电压时，可以将控制电压Vct输出为为导通电平的高电平。
在下文中，根据本公开的示例性实施例，将参考图5和图6描述实现低灰度的显示装置的驱动和实现高灰度的显示装置的驱动。
图5是用于解释根据本公开的示例性实施例的显示装置的可变电阻电路的操作的电路图。
图6是用于解释根据本公开的示例性实施例的显示装置的驱动电流和电压之间的关系的电路图。
图6示出了例如当将施加到高电位电压端子的高电位电压EVDD被设定为13V且将施加到低电位电压端子的低电位电压EVSS被设定为0V时的电压关系。
如图5中所示，当子像素实现高灰度时，控制电压Vct具有高电平。从而，第一控制晶体管CTT1导通。因此，电流通过第一控制晶体管CTT1在高电位电压端子和第三节点N3之间流动。因此，高电位电压端子和第三节点N3之间的电压降是不显著的。也就是说，高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间的电阻值接近于0。因此，当忽略线电阻时，第三节点N3的电压可以是高电位电压EVDD。
因此，如图6中所示，当子像素实现高灰度时，在驱动晶体管DRT的VI曲线中，驱动晶体管DRT的源极电极和漏极电极(第二节点N2和第三节点N3)之间的电压为3V。因此，第二节点N2的电压为10V。另外，在发光二极管LED的VI曲线中，发光二极管LED的阳极电极和阴极电极之间的电压为10V。因此，高驱动电流在发光二极管LED中流动，这使得实现高灰度成为可能。
然而，如图5中所示，当子像素实现低灰度时，控制电压Vct具有低电平。从而，第一控制晶体管CTT1关断。因此，电流通过电阻器R在高电位电压端子和第三节点N3之间流动。因此，在高电位电压端子和第三节点N3之间出现预定量的电压降。也就是说，高电位电压端子和驱动晶体管DRT之间的电阻值可以增大。因此，第三节点N3的电压可以具有通过将由电阻器R引起的电压降的电平反映到高电位电压而获得的电平。
因此，如图6中所示，当子像素实现低灰度时，由于驱动晶体管DRT的VI曲线中的电阻器R，会出现2V的电压降。因此，为驱动晶体管DRT的源极电极的第三节点N3的电压为11V。此外，驱动晶体管DRT的源极电极和漏极电极(第二节点N2和第三节点N3)之间的电压为10V。因此，第二节点N2的电压为1V。另外，在发光二极管LED的VI曲线中，发光二极管LED的阳极电极和阴极电极之间的电压为1V。因此，低驱动电流在发光二极管LED中流动，这使得实现低灰度成为可能。
在传统的显示装置中，即使当子像素实现低灰度时，也没有设置可变电阻电路。因此，驱动晶体管的漏极电极具有高电位电压。因此，如图6中所示，当子像素实现低灰度时，在驱动晶体管DRT的VI曲线中，驱动晶体管的源极电极和漏极电极之间的电压为11V。因此，发光二极管的阳极电极的电压为2V。在这种情况下，驱动电流在驱动晶体管的VI曲线中不能保持恒定，并且会出现驱动电流迅速增大的扭结效应。因此，发光二极管输出亮度相对高的光。因此，在传统的显示装置中，子像素无法正常实现低灰度。
然而，在本公开的显示装置中，可变电阻电路设置在高电位电压端子和驱动晶体管之间。从而，当子像素实现低灰度时，驱动晶体管的漏极电极的电压发生偏移，以抑制驱动晶体管中的扭结效应。
因此，在本公开的显示装置中，低驱动电流可以在发光二极管中流动，并且从而子像素可以正常实现低灰度。
本公开的示例性实施例还可以描述如下：
根据本公开的一方面，显示装置包括其中设置有多个子像素的显示面板。此外，显示装置包括数据驱动器，数据驱动器被配置为通过多条数据线向多个子像素提供多个数据电压。此外，显示装置包括栅极驱动器，栅极驱动器被配置为通过多条栅极线向多个子像素提供多个栅极信号。多个子像素中的每一个包括串联设置在低电位电压端子和高电位电压端子之间的发光二极管、驱动晶体管和可变电阻电路。当多个子像素中的每一个实现低灰度时，可变电阻电路增大高电位电压端子和驱动晶体管之间的电阻。从而，可以正常实现低灰度。
可变电阻电路可以包括第一控制晶体管、第二控制晶体管和电阻器，第一控制晶体管和电阻器并联连接在高电位电压端子和驱动晶体管之间，并且第二控制晶体管控制第一控制晶体管。
第一控制晶体管可以在多个子像素中的每一个实现低灰度时关断并且在多个子像素中的每一个实现高灰度时导通。
第一控制晶体管的栅极电极可以连接到第二控制晶体管，第一控制晶体管的漏极电极连接到高电位电压端子，且第一控制晶体管的源极电极连接到驱动晶体管。
电阻器可以设置在第一控制晶体管的源极电极和漏极电极之间。
第二控制晶体管的栅极电极可以连接到用于传输扫描信号的多条栅极线之一，第二控制晶体管的漏极电极可以连接到用于传输控制电压的控制线，并且第二控制晶体管的源极电极可以连接到第一控制晶体管。
控制电压在数据电压可以低于阈值电压时具有关断电平，并且在数据电压高于阈值电压时具有导通电平。
可以在将数据电压写入多个子像素的写入时段之前改变控制电压的电平。
可以在写入时段中改变第一控制晶体管的栅极电极的电压电平。
可变电阻电路还可以包括连接到第一控制晶体管的栅极电极的控制电容器。
控制电容器可以连接到第一控制晶体管的源极电极。
控制电容器可以连接到用于施加为恒定电压的参考电压的参考电压线。
多个子像素中的每一个还可以包括向驱动晶体管施加数据电压的开关晶体管、在其中存储驱动晶体管的栅极-源极电压的存储晶体管和向发光二极管施加参考电压并从而感测发光二极管的感测晶体管。
尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此并且可以在不背离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施例仅用于说明的目的，而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的，并不限制本公开。应基于所附权利要求来解释本公开的保护范围，并且其等同范围内的所有技术构思均应解释为落入本公开的范围之内。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，其中设置有多个子像素；
数据驱动器，被配置为通过多条数据线向所述多个子像素提供多个数据电压；以及
栅极驱动器，被配置为通过多条栅极线向所述多个子像素提供多个栅极信号，
其中，所述多个子像素中的每一个子像素包括串联设置在低电位电压端子和高电位电压端子之间的发光二极管、驱动晶体管和可变电阻电路，并且
当所述多个子像素中的每一个子像素实现低灰度时，所述可变电阻电路增大所述高电位电压端子和所述驱动晶体管之间的电阻。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述可变电阻电路包括第一控制晶体管、第二控制晶体管和电阻器，
所述第一控制晶体管和所述电阻器并联连接在所述高电位电压端子和所述驱动晶体管之间，并且
所述第二控制晶体管控制所述第一控制晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第一控制晶体管在所述多个子像素中的每一个子像素实现低灰度时关断，并且在所述多个子像素中的每一个子像素实现高灰度时导通。
4.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第一控制晶体管的栅极电极连接到所述第二控制晶体管，
所述第一控制晶体管的漏极电极连接到所述高电位电压端子，并且
所述第一控制晶体管的源极电极连接到所述驱动晶体管。
5.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述电阻器设置在所述第一控制晶体管的源极电极和漏极电极之间。
6.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第二控制晶体管的栅极电极连接到用于传输扫描信号的所述多条栅极线之一，
所述第二控制晶体管的漏极电极连接到用于传输控制电压的控制线，并且
所述第二控制晶体管的源极电极连接到所述第一控制晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，所述控制电压在所述数据电压低于阈值电压时具有关断电平，并且在所述数据电压高于所述阈值电压时具有导通电平。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
其中，所述控制电压的电平在所述数据电压被写入所述多个子像素的写入时段之前改变。
9.根据权利要求8所述的显示装置，
其中，所述第一控制晶体管的栅极电极的电压电平在所述写入时段中改变。
10.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述可变电阻电路还包括连接到所述第一控制晶体管的栅极电极的控制电容器。
11.根据权利要求10所述的显示装置，
其中，所述控制电容器连接到所述第一控制晶体管的源极电极。
12.根据权利要求10所述的显示装置，
其中，所述控制电容器连接到参考电压线，所述参考电压线用于施加为恒定电压的参考电压。
13.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个子像素中的每一个子像素还包括：
开关晶体管，将所述数据电压施加到所述驱动晶体管；
存储晶体管，其中存储所述驱动晶体管的栅极-源极电压；以及
感测晶体管，将参考电压施加到所述发光二极管并且从而感测所述发光二极管。
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