KR102676775B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배치되는 표시 패널, 복수의 서브 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 복수의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 서브 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 복수의 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 서브 화소 각각은 저전위 전압단과 고전위 전압단 사이에 직렬로 배치되는 발광 소자, 구동 트랜지스터 및 가변 저항 회로를 포함하고, 가변 저항 회로는 복수의 서브 화소 각각이 저계조를 구현할 경우, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터 사이의 저항을 증가시켜, 저계조를 정상적으로 구현할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 구동 트랜지스터의 인가되는 전압을 제어할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 스스로 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등과 별도의 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 등이 있다.
이러한 다양한 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 패널과 표시 패널을 구동하는 구동부를 포함한다. 구동부는 표시 패널에 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부 및 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 유기 발광 표시 장치의 서브 화소에 게이트 신호 및 데이터 전압이 등의 신호가 공급되면, 선택된 서브 화소가 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다.
다만, 복수의 서브 화소는 저전위 전압과 고전위 전압 사이에 배치되는 발광 소자와 구동 트랜지스터를 포함한다. 그리고, 발광 소자는 저계조를 구현할 경우에는 상대적으로 낮은 전압이 인가되고, 고계조를 구현할 경우에는 상대적으로 높은 전압이 인가된다.
이로 인해, 구동 트랜지스터는 저계조를 구현할 경우에는 상대적으로 높은 전압이 인가되고, 고계조를 구현할 경우에는 상대적으로 낮은 전압이 인가된다.
즉, 저계조를 구현할 경우, 구동 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전압이 높아져, 구동 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전류가 급격하게 증가하는 킹크 효과(Kink effect)가 발생한다. 이에, 서브 화소는 저계조를 구현하지 못하고, 상대적은 높은 계조를 구현하게 되는 문제점이 발생하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 킹크 효과(Kink effect)를 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 저계조를 안정적으로 구현할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배치되는 표시 패널, 복수의 서브 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 복수의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 서브 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 복수의 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 서브 화소 각각은 저전위 전압단과 고전위 전압단 사이에 직렬로 배치되는 발광 소자, 구동 트랜지스터 및 가변 저항 회로를 포함하고, 가변 저항 회로는 복수의 서브 화소 각각이 저계조를 구현할 경우, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터 사이의 저항을 증가시켜, 저계조를 정상적으로 구현할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에서 서브 화소가 저계조를 구현할 경우에 구동 트랜지스터의 드레인 전극의 전압을 쉬프트 시켜, 구동 트랜지스터의 킹크 효과를 억제할 수 있다.
본 발명에서 발광 소자에는 낮은 구동 전류가 흐를 수 있으므로, 서브 화소는 정상적으로 저계조를 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소에 대한 회로도이다.
도 4a 내지 4d은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 신호를 나타내는 파형도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 가변 저항 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 전류와 전압 관계를 설명하기 위한 회로도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고, 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
본 발명의 표시 장치에서 사용되는 트랜지스터는 n 채널 트랜지스터(NMOS)와 p 채널 트랜지스터(PMOS) 중 하나 이상의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 트랜지스터는 산화물 반도체를 액티브층으로 갖는 산화물 반도체 트랜지스터 또는 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 액티브층으로 갖는 LTPS 트랜지스터로 구현될 수 있다. 트랜지스터는 적어도 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 트랜지스터는 표시 패널 상에서 TFT(Thin　Film Transistor)로 구현될 수 있다. 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 흐른다. n 채널 트랜지스터(NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 채널 트랜지스터(NMOS)에서 전류의 방향은 드레인 전극으로부터 소스 전극으로 흐르고, 소스 전극이 출력 단자일 수 있다. p 채널 트랜지스터(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 채널 트랜지스터(PMOS)에서 정공이 소스 전극으로부터 드레인 전극 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르고, 드레인 전극이 출력 단자일 수 있다. 따라서, 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있기 때문에 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 본 명세서에서는 트랜지스터가 n 채널 트랜지스터(NMOS)인 것을 가정하여 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니고, p 채널 트랜지스터가 사용될 수 있으며, 이에 따라 회로 구성이 변경될 수도 있다.
스위치 소자들로 이용되는 트랜지스터의 게이트 신호는 턴 온 전압(Turn On Voltage)과 턴 오프 전압(Turn Off Voltage) 사이에서 스윙한다. 턴 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 보다 높은 전압으로 설정되며, 턴 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 보다 낮은 전압으로 설정된다. 트랜지스터는 턴 온 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 턴 오프 전압에 응답하여 턴-오프된다. NMOS의 경우에, 턴온 레벨 전압은 하이 레벨 전압(High Voltage)이고, 턴오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압(Low Voltage)일 수 있다. PMOS의 경우에, 턴온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고, 턴오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다. 도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 게이트 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 타이밍 컨트롤러(140)를 포함한다.
표시 패널(110)은 영상을 표시하기 위한 패널이다. 표시 패널(110)은 기판 상에 배치된 다양한 회로, 배선 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 상호 교차하는 복수의 데이터 배선(DL) 및 복수의 게이트 배선(GL)에 의해 구분되며, 복수의 데이터 배선(DL) 및 복수의 게이트 배선(GL)에 연결된 복수의 화소(PX)을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 복수의 화소(PX)에 의해 정의되는 표시 영역과 각종 신호 배선들이나 패드 등이 형성되는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 전기 영동 표시 장치 등과 같은 다양한 표시 장치에서 사용되는 표시 패널(110)로 구현될 수 있다. 이하에서는 표시 패널(110)이 유기 발광 표시 장치에서 사용되는 패널인 것으로 설명하나 이에 제한되는 것은 아니다.
타이밍 컨트롤러(140)는 호스트 시스템에 연결된 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 등의 수신 회로를 통해 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 데이터 인에이블 신호, 도트 클럭 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 컨트롤러(140)는 입력된 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동부(130)와 게이트 구동부(120)를 제어하기 위한 타이밍 제어 신호들을 발생시킨다.
데이터 구동부(130)는 복수의 서브 화소(SP)에 데이터 전압을 공급한다. 데이터 구동부(130)는 복수의 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 복수의 소스 드라이브 IC는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 디지털 비디오 데이터들과 소스 타이밍 제어 신호를 공급받을 수 있다. 복수의 소스 드라이브 IC는 소스 타이밍 제어 신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들을 감마 전압으로 변환하여 데이터 전압을 생성하고, 데이터 전압을 표시 패널(110)의 데이터 배선(DL)을 통해 공급할 수 있다. 복수의 소스 드라이브 IC는 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 표시 패널(110)의 데이터 배선(DL)에 접속될 수 있다. 또한, 소스 드라이브 IC들은 표시 패널(110) 상에 형성되거나, 별도의 PCB 기판에 형성되어 표시 패널(110)과 연결되는 형태일 수도 있다.
게이트 구동부(120)는 복수의 서브 화소(SP)에 게이트 신호를 공급한다. 게이트 구동부(120)는 레벨 시프터 및 시프트 레지스터를 포함할 수 있다. 레벨 시프터는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 TTL(Transistor-Transistor-Logic) 레벨로 입력되는 클럭 신호의 레벨을 시프팅한 후 시프트 레지스터에 공급할 수 있다. 시프트 레지스터는 GIP 방식에 의해 표시 패널(110)의 비표시 영역에 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 시프트 레지스터는 클럭 신호 및 구동 신호에 대응하여 게이트 신호를 시프트하여 출력하는 복수의 스테이지로 구성될 수 있다. 시프트 레지스터에 포함된 복수의 스테이지는 복수의 출력단을 통해 게이트 신호를 순차적으로 출력할 수 있다. 게이트 신호는 후술할 바와 같이, 스캔 신호, 센싱 신호 및 초기화 신호를 포함할 수 있다.
표시 패널(110)은 복수의 서브 화소(SP)을 포함할 수 있다. 복수의 서브 화소(SP)은 서로 다른 색을 발광하기 위한 서브 화소(SP)일 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)은 각각 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 복수의 서브 화소(SP)은 화소(PX)을 구성할 수 있다. 즉, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소는 하나의 화소(PX)을 구성할 수 있고, 표시 패널(110)은 복수의 화소(PX)을 포함할 수 있다.
이하에서는 하나의 서브 화소(SP)을 구동하기 위한 구동 회로에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2 및 도 3를 함께 참조한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소에 대한 회로도이다.
도 2 및 도 3에서는 표시 장치(100)의 복수의 서브 화소(SP) 중 하나의 서브 화소(SP)에 대한 회로도를 도시하였다. 구체적으로 도 2에서는 제어 커패시터(Cct)가 기준 전압 배선에 연결되는 경우를 도시하였고, 도 3에서는 제어 커패시터(Cct)가 구동 트랜지스터에 연결되는 경우를 도시하였다.
도 2를 참조하면, 서브 화소(SP)은 서브 화소 각각은 발광 소자(LED), 구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(SWT), 센싱 트랜지스터(SST), 초기화 트랜지스터(), 저장 커패시터(Cst) 및 가변 저항 회로(CTT1, CTT2, R, Cct)를 포함한다.
발광 소자(LED)는 구동 트랜지스터(DRT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. 발광 소자(LED)의 애노드 전극은 저장 커패시터(Cst), 구동 트랜지스터(DRT) 및 센싱 트랜지스터(SST)에 접속되고, 발광 소자(LED)의 캐소드 전극은 저전위 전압(EVSS)이 인가되는 저전위 전압단에 접속된다.
구동 트랜지스터(DRT)는 자신의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(LED)에 인가되는 구동 전류를 제어한다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 드레인 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다.
스위칭 트랜지스터(SWT)는 데이터 배선(DL)으로부터 공급받는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극인 제1 노드(N1)에 인가한다. 스위칭 트랜지스터(SWT)는 데이터 배선(DL)에 연결되는 드레인 전극, 제1 노드(N1)에 연결되는 소스 전극 및 스캔 신호(SCAN)를 전송하는 게이트 배선에 연결되는 게이트 전극을 포함한다. 이에, 스위칭 트랜지스터(SWT)는 턴온 레벨인 하이 레벨의 스캔 신호(SCAN)에 응답하여, 데이터 배선(DL)으로부터 공급받는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극인 제1 노드(N1)에 인가한다.
센싱 트랜지스터(SST)는 기준 전압(Vref)을 발광 소자(LED)의 애노드 전극에 인가한다. 센싱 트랜지스터(SST)는 기준 전압(Vref)을 전송하는 기준 전압 배선(RL)에 접속하는 드레인 전극, 발광 소자(LED)의 애노드 전극에 접속하는 소스 전극 및 센싱 신호(SENSE)를 전송하는 게이트 배선에 접속하는 게이트 전극을 포함한다. 이에, 센싱 트랜지스터(SST)는 턴온 레벨인 하이 레벨의 센싱 신호(SENSE)에 응답하여 기준 전압(Vref)을 발광 소자(LED)의 애노드 전극에 인가하여, 발광 소자(LED)의 애노드 전극의 전압을 센싱한다.
초기화 트랜지스터(INT)는 초기화 전압(Vinit)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극인 제1 노드(N1)에 인가한다. 초기화 트랜지스터(INT)는 초기화 전압(Vinit)을 전송하는 초기화 전압 배선(IL)에 접속하는 드레인 전극, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극인 제1 노드(N1)에 접속하는 드레인 전극 및 초기화 신호(INI)를 전송하는 초기화 신호 배선(IL)에 접속하는 게이트 전극을 포함한다. 이에, 초기화 트랜지스터(INT)는 턴온 레벨인 하이 레벨의 초기화 신호(INI)에 응답하여 초기화 전압(Vinit)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극인 제1 노드(N1)에 인가하여, 구동 트랜지스터(DRT)를 초기화 시킨다.
저장 커패시터(Cst)는 제2 노드(N2)에 연결되는 제1 전극 및 제2 노드(N2) 에 연결되는 제2 전극을 포함한다. 즉, 저장 커패시터(Cst)의 일 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극에 연결되고, 저장 커패시터(Cst)의 다른 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극에 연결된다.
가변 저항 회로(CTT1, CTT2, R, Cct)는 복수의 서브 화소 각각이 저계조를 구현할 경우, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이의 저항을 증가시킨다.
제1 제어 트랜지스터(CCT1), 제2 제어 트랜지스터(CCT2), 저항기(R) 및 제어 커패시터(Cct)를 포함한다.
제1 제어 트랜지스터(CCT1)는 고전위 전압(EVSS)이 인가되는 고전위 전압단에 연결되는 드레인 전극, 구동 트랜지스터(DRT)에 연결되는 제3 노드(N3)에 연결되는 소스 전극, 제2 제어 트랜지스터(CCT2)에 연결되는 제4 노드(N4)에 연결되는 게이트 전극을 포함한다.
저항기(R)의 일 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 다른 전극은 제4 노드(N4)에 연결된다. 제1 제어 트랜지스터(CTT1)의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 배치된다.
다시 말하면, 제1 제어 트랜지스터(CCT1) 및 저항기(R)는 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이에 병렬로 연결될 수 있다.
그리고, 제2 제어 트랜지스터(CCT2)의 소스 전극은 제4 노드(N4)에 연결되고, 게이트 전극은 스캔 신호(SCAN)를 전송하는 게이트 배선에 연결되고, 드레인 전극은 제어 전압(Vct)을 전송하는 제어 배선(CL)에 연결된다.
이에, 제2 제어 트랜지스터(CCT2)는 제1 제어 트랜지스터(CCT1)를 제어 할 수 있다.
구체적으로, 제2 제어 트랜지스터(CCT2)는 턴온 레벨인 하이 레벨의 스캔 신호(SCAN)에 응답하여, 제어 배선(CL)으로부터 공급받는 제어 전압(Vct)을 제1 제어 트랜지스터(CCT1)의 게이트 전극인 제4 노드(N4)에 인가한다.
그리고, 제1 제어 트랜지스터(CCT1)는 제2 제어 트랜지스터(CCT2)를 통해 전달된 제어 전압(Vct)의 레벨에 따라 동작된다. 구체적으로, 제어 전압(Vct)의 레벨이 턴온 레벨인 하이 레벨인 경우에는, 제1 제어 트랜지스터(CCT1)는 턴온되어, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이에는 저항기(R)와 병렬로 형성되는 전류 패스가 형성된다. 이에, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이의 저항값은 낮아질 수 있다. 이와 반대로, 제어 전압(Vct)의 레벨이 턴오프 레벨인 로우 레벨인 경우에는, 제1 제어 트랜지스터(CCT1)는 턴오프되어, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이에는 저항기(R)와 병렬로 형성되는 전류 패스가 형성되지 않는다. 이에, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이의 저항값은 높아질 수 질 수 있다.
한편, 도 2를 참조하면, 제어 커패시터(Cct)는 제4 노드(N4)에 연결되는 제1 전극 및 기준 전압 배선(RL) 에 연결되는 제2 전극을 포함한다. 즉, 스토리지 제어 커패시터(Cct)의 일 전극은 제1 제어 트랜지스터(CCT1)의 게이트 전극에 연결되고, 제어 커패시터(Cct)의 다른 전극은 정전원인 기준 전압(Vref)을 전달하는 기준 전압 배선(RL)에 연결된다.
이와 달리, 도 3를 참조하면, 제어 커패시터(Cct)는 제4 노드(N4)에 연결되는 제1 전극 및 제3 노드(N3)에 연결되는 제2 전극을 포함한다. 즉, 스토리지 제어 커패시터(Cct)의 일 전극은 제1 제어 트랜지스터(CCT1)의 게이트 전극에 연결되고, 제어 커패시터(Cct)의 다른 전극은 제1 제어 트랜지스터(CCT1)의 소스 전극에 연결된다.
이에, 제어 커패시터(Cct)는 제4 노드(N4)에 저장된 제어 전압(Vct)을 일정 기간동안 유지시킬 수 있다. 즉, 제어 커패시터(Cct)는 제1 제어 트랜지스터(CCT1)의 게이트 전극에 인가된 제어 전압(Vct)을 일정 기간 유지시켜, 제1 제어 트랜지스터(CCT1)의 동작을 유지시킬 수 있다.
도 4a 내지 4d은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 신호를 나타내는 파형도이다.
도 4a 내지 4d에서, 제4 노드(N4)에 인가되는 제어 전압(Vct)의 레벨을 제외한 나머지 신호 및 전압의 레벨은 동일하다. 도 4a에서는 서브 화소의 계조가 고계조에서 저계조로 변화하는 경우의 파형을 도시하였고, 도 4b에서는 서브 화소의 계조가 저계조에서 고계조로 변화하는 경우의 파형을 도시하였고, 도 4c에서는 서브 화소의 계조가 고계조로 유지하는 경우의 파형을 도시하였고, 도 4d에서는 서브 화소의 계조가 저계조로 유지하는 경우의 파형을 도시하였다.
도 2 내지 도 4d를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동을 살펴보면 다음과 같다.
그리고, 도 4a 내지 4d를 참조하면, 이니셜 기간(Initial) 동안, 초기화 신호(INI)는 턴온 레벨인 하이 레벨이고, 센싱 신호(SENSE)는 턴온 레벨인 하이 레벨이고, 스캔 신호(SCAN)는 턴오프 레벨인 로우 레벨이다. 이에, 초기화 트랜지스터(INT)는 턴온되어, 제1 노드(N1)에 초기화 전압(Vinit)을 인가한다. 그 결과, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극은 초기화 전압(Vinit)으로 초기화된다. 초기화 전압(Vinit)은 발광 소자(LED)의 동작전압보다 충분히 낮은 전압 범위 내에서 선택할 수 있으며, 저전위 전압(VSS)과 같거나 낮은 전압으로 설정될 수 있다. 그리고, 이니셜 기간(Initial)에서, 센싱 트랜지스터(SST)는 턴온되어, 제2 노드(N2)에 기준 전압(Vref)을 인가한다. 그 결과, 기준 전압(Vref)을 발광 소자(LED)의 애노드 전극에 인가하여, 발광 소자(LED)의 애노드 전극의 전압을 센싱한다. 기준 전압(Vref)은 발광 소자(LED)의 동작전압보다 충분히 낮은 전압 범위 내에서 선택할 수 있으며, 저전위 전압(VSS)과 같거나 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
그리고, 도 4a 내지 4d를 참조하면, 샘플링 기간(Sampling) 동안, 초기화 신호(INI)는 턴온 레벨인 하이 레벨이고, 센싱 신호(SENSE)는 턴오프 레벨인 로우 레벨이고, 스캔 신호(SCAN)는 턴오프 레벨인 로우 레벨이다. 그리고, 샘플링 기간(Sampling) 동안, 초기화 트랜지스터(INT)는 계속 턴온되어, 제1 노드(N1)에 초기화 전압(Vinit)을 유지하는 반면에, 센싱 트랜지스터(SST)는 턴오프 되어 제2 노드(N2)의 전압은 기준 전압(Vref)에서 초기화 전압(Vinit)과 문턱 전압(Vth)의 차이 전압이 되도록 전압이 상승한다. 다시 말하면, 구동 트랜지스터(DRT0의 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류에 의해서 제2 노드(N2)의 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)일때까지 상승한다. 이에, 저장 커패시터(Cst)에는 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)이 샘플링된다.
그리고, 도 4a 내지 4d를 참조하면, 기입 기간(Writing) 동안, 초기화 신호(INI)는 턴오프 레벨인 로우 레벨이고, 센싱 신호(SENSE)는 턴오프 레벨인 로우 레벨이고, 스캔 신호(SCAN)는 턴온 레벨인 하이 레벨이다. 그리고, 기입 기간(Writing) 동안, 스위칭 트랜지스터(SWT)는 턴온되어, 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)가 인가된다. 그리고, 저장 커패시터(Cst)에는 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)이 저장되므로, 제2 노드(N2)는 제1 노드(N1)와의 전압차가 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)인 문턱 전압(Vth)을 유지하도록 전압이 상승된다.
그리고, 도 4a 내지 4d를 참조하면, 부스팅 기간(Boosting) 기간 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극인 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 인가되므로, 소스 전극에서 드레인 전극으로 흐르는 전류에 의해서 제2 노드(N2)의 전압은 부스팅된다. 그리고, 그리고, 저장 커패시터(Cst)에는 구동 트랜지스터의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 저장되므로, 제1 노드(N1)는 제2 노드(N2)와의 전압차가 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)인 문턱 전압(Vth)을 유지하도록 전압이 상승된다.
에미션 기간(Emission) 동안, 부스팅된 제2 노드(N2)의 전압으로 인해 구동 트랜지스터(DRT)와 발광 소자(LED) 사이에 전류 패스를 형성한다. 결국, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극과 드레인 전극을 경유하는 구동 전류는 발광 소자(LED)에 인가된다.
한편, 데이터 전압이 구동 트랜지스터에 기입되는 기입 기간(Writing) 동안 제4 노드(N4)의 전압은 변할 수 있다.
전술한 바와 같이, 기입 기간(Writing) 동안 스캔 신호(SCAN)는 턴온 레벨이므로, 제2 제어 트랜지스터(CCT2)는 턴온된다. 이에, 기입 기간(Writing) 동안 제어 전압(Vct)의 변화는 제4 노드(N4)에 반영된다.
예를 들어, 도 4a에 도시된 바와 같이, 서브 화소의 계조가 고계조에서 저계조로 변화하는 경우, 데이터 전압(Vdata)은 저계조가 구현되도록 임계 전압 이하의 데이터 전압(Vdata)으로 전이되므로, 제어 전압(Vct)은 로우 레벨의 제어 전압(Vct)으로 전이된다. 이에, 제4 노드(N4)의 전압은 기입 기간(Writing) 동안 로우 레벨의 제어 전압(Vct)으로 하강된다.
이와 달리, 도 4b에 도시된 바와 같이, 서브 화소의 계조가 저계조에서 고계조로 변화하는 경우, 데이터 전압(Vdata)은 고계조가 구현되도록 임계 전압 이상의 데이터 전압(Vdata)으로 전이되므로, 제어 전압(Vct)은 하이 레벨의 제어 전압(Vct)으로 전이된다. 이에, 제4 노드(N4)의 전압은 기입 기간(Writing) 동안 하이 레벨의 제어 전압(Vct)으로 상승된다.
이와 달리, 도 4c에 도시된 바와 같이, 서브 화소의 계조가 고계조로 유지하는 경우, 데이터 전압(Vdata)은 고계조가 구현되도록 임계 전압 이상의 데이터 전압(Vdata)으로 유지되므로, 제어 전압(Vct)은 하이 레벨의 제어 전압(Vct)으로 유지된다. 이에, 제4 노드(N4)의 전압은 기입 기간(Writing) 동안 하이 레벨의 제어 전압(Vct)으로 유지된다.
이와 달리, 도 4d에 도시된 바와 같이, 서브 화소의 계조가 저계조로 유지하는 경우, 데이터 전압(Vdata)은 저계조가 구현되도록 임계 전압 이하의 데이터 전압(Vdata)으로 유지되므로, 제어 전압(Vct)은 로우 레벨의 제어 전압(Vct)으로 유지된다. 이에, 제4 노드(N4)의 전압은 기입 기간(Writing) 동안 로우 레벨의 제어 전압(Vct)으로 유지된다.
임계전압은 저계조인 경우의 데이터 전압과 고계조인 경우의 데이터 전압 사이의 일정한 전압 레벨일 수 있다.
상술한 동작을 구현하기 위해서는, 상기 기입 기간(Writing) 이전에 제어 전압(Vct)은 데이터 전압(Vdata)이 임계 전압 보다 낮을 때에는 턴오프 레벨인 로우 레벨로 출력되고, 데이터 전압(Vdata)이 임계 전압보다 높을 때에는 턴온 레벨인 하이 레벨로 출력될 수 있다.
이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 저계조를 구현할 경우와 고계조를 구현할 경우의 구동에 대해서 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 가변 저항 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 전류와 전압 관계를 설명하기 위한 회로도이다.
도 6에서는 일예로, 고전위 전압단에 인가되는 고전위 전압(EVDD)을 13V로 설정하고, 저전위 전압단에 인가되는 저전위 전압(EVSS)을 0V로 설정하여 전압 관계를 설명한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 서브 화소가 고계조를 구현하는 경우에는, 제어 전압(Vct)이 하이 레벨이므로, 제1 제어 트랜지스터(CCT1)는 턴온된다. 이에, 고전위 전압단과 제3 노드(N3) 사이에는 제1 제어 트랜지스터(CCT1)를 통해 전류가 흐르게 되므로, 고전위 전압단과 제3 노드(N3) 사이의 전압 강하는 매우 미미하다. 즉, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이의 저항값은 0에 가깝다. 이에, 배선 저항을 무시한 경우에는, 제3 노드(N3)의 전압이 고전위 전압(EVDD)일 수 있다.
이에, 도 6에 도시된 바와 같이, 서브 화소가 고계조를 구현하는 경우의 구동 트랜지스터(DRT)의 VI 커브에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 및 드레인 전극(제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)) 사이의 전압은 3V이므로, 제2 노드(N2)의 전압은 10V이다. 그리고, 발광 소자(LED)의 VI커브에서, 발광 소자(LED)에 애노드와 캐소드 사이의 전압은 10V이므로, 발광 소자(LED)에 높은 구동 전류가 흘러 고계조를 구현할 수 있다.
이와 반대로 도 5에 도시된 바와 같이, 서브 화소가 저계조를 구현하는 경우에는, 제어 전압(Vct)이 로우 레벨이므로, 제1 제어 트랜지스터(CCT1)는 턴오프된다. 이에, 고전위 전압단과 제3 노드(N3) 사이에는 저항기(R)를 통해 전류가 흐르게 되므로, 고전위 전압단과 제3 노드(N3) 사이의 일정량의 전압 강하가 발생한다. 즉, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터(DRT) 사이의 저항값은 높아질 수 있다. 이에, 제3 노드(N3)의 전압은 고전위 전압에 저항기(R)에 의한 전압 강하 레벨이 반영된 레벨일 수 있다.
이에, 도 6에 도시된 바와 같이, 서브 화소가 저계조를 구현하는 경우의 구동 트랜지스터(DRT)의 VI 커브에서, 저항기(R)에 의해서 2V의 전압 강하가 발생하였으므로, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극인 제3 노드(N3)의 전압은 11V이다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 및 드레인 전극(제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)) 사이의 전압은 10V이므로, 제2 노드(N2)의 전압은 1V이다. 그리고, 발광 소자(LED)의 VI커브에서, 발광 소자(LED)에 애노드와 캐소드 사이의 전압은 1V이므로, 발광 소자(LED)에 낮은 구동 전류가 흘러 저계조를 구현할 수 있다.
종래의 표시 장치에서는, 서브 화소가 저계조를 구현하는 경우에도, 가변 저항 회로가 배치되지 않으므로, 구동 트랜지스터의 드레인 전극의 전압이 고전위 전압이었다. 이에, 도 6에 도시된 바와 같이, 서브 화소가 저계조를 구현하는 경우의 구동 트랜지스터(DRT)의 VI 커브에서, 구동 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극사이의 전압은 11V이므로, 발광 소자의 애노드 전극의 전압은 2V이다. 이러한 경우, 구동 트랜지스터의 VI 커브에서 구동 전류가 일정하게 유지되지 못하고 구동 전류가 급격하게 증가하는 킹크 효과(Kink effect)로 인하여, 발광 소자가 상대적으로 높은 휘도의 빛을 출력하였다. 이에, 종래의 표시 장치에서는 서브 화소가 저계조를 정상적으로 구현하지 못하는 문제점이 발생하였다.
이에, 본 발명의 표시 장치는 고전위 전압단과 구동 트랜지스터 사이에 가변 저항 회로를 배치하여, 서브 화소가 저계조를 구현할 경우에 구동 트랜지스터의 드레인 전극의 전압을 쉬프트 시켜, 구동 트랜지스터의 킹크 효과를 억제할 수 있다.
따라서, 본 발명의 표시 장치에서 발광 소자에는 낮은 구동 전류가 흐를 수 있으므로, 서브 화소는 정상적으로 저계조를 구현할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배치되는 표시 패널, 복수의 서브 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 복수의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 서브 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 복수의 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 서브 화소 각각은 저전위 전압단과 고전위 전압단 사이에 직렬로 배치되는 발광 소자, 구동 트랜지스터 및 가변 저항 회로를 포함하고, 가변 저항 회로는 복수의 서브 화소 각각이 저계조를 구현할 경우, 고전위 전압단과 구동 트랜지스터 사이의 저항을 증가시켜, 저계조를 정상적으로 구현할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 가변 저항 회로는 제1 제어 트랜지스터, 제2 제어 트랜지스터 및 저항기를 포함하고, 제1 제어 트랜지스터 및 저항은 고전위 전압단과 구동 트랜지스터 사이에 병렬로 연결되고, 제2 제어 트랜지스터는 제1 제어 트랜지스터를 제어할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 제어 트랜지스터는 복수의 서브 화소 각각이 저계조를 구현할 때 턴오프되고, 복수의 서브 화소 각각이 고계조를 구현할 때 턴온될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 제어 트랜지스터에 연결되고, 제1 제어 트랜지스터의 드레인 전극은 고전위 전압단에 연결되고, 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극은 구동 트랜지스터에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저항기는 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 제어 트랜지스터의 게이트 전극은 스캔 신호를 전송하는 복수의 게이트 배선 중 어느 하나에 연결되고, 제1 제어 트랜지스터의 드레인 전극은 제어 전압을 전송하는 제어 배선에 연결되고, 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극은 제1 제어 트랜지스터에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제어 전압은 데이터 전압이 임계 전압보다 낮을 때에는 턴오프 레벨이고, 데이터 전압이 임계 전압보다 높을 때에는 턴온 레벨일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소에 데이터 전압이 기입되는 기입 기간 이전에 제어 전압의 레벨은 변화할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기입 기간에 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극의 전압 레벨은 변화할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 가변 저항 회로는 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 제어 커패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제어 커패시터는 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제어 커패시터는 정전원인 기준 전압을 인가하는 기준 전압 배선에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소 각각은 구동 트랜지스터에 데이터 전압을 인가하는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 저장하는 저장 트랜지스터 및 발광 소자에 기준 전압을 인가하여, 발광 소자를 센싱하는 센싱 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 장치
110: 표시 패널
120: 게이트 구동부
130: 데이터 구동부
140: 타이밍 컨트롤러
150: 발광 소자
PX: 화소
SP: 서브 화소
DL: 데이터 배선
GL: 게이트 배선
RL: 기준 배선
IL: 초기화 배선
CL: 제어 배선
DRT: 구동 트랜지스터
SST: 센싱 트랜지스터
SWT: 스위칭 트랜지스터
INT: 초기화 트랜지스터
CTT1: 제1 제어 트랜지스터
CTT1: 제2 제어 트랜지스터
R: 저항기
Cct: 제어 커패시터
Cst: 저장 커패시터
LED: 발광 소자
N1: 제1 노드
N2: 제2 노드
N3: 제3 노드
N4: 제4 노드
Vct: 제어 전압
Vinit: 초기화 전압
Vref: 기준 전압
Vdata: 데이터 전압
EVSS: 저전위 전압
EVDD: 고전위 전압
SCAN: 스캔 신호
SENSE: 센싱 신호
INI: 초기화 신호

Claims (13)

  1. 복수의 서브 화소가 배치되는 표시 패널;
    상기 복수의 서브 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 복수의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 복수의 서브 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 복수의 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고,
    상기 복수의 서브 화소 각각은 저전위 전압단과 고전위 전압단 사이에 직렬로 배치되는 발광 소자, 구동 트랜지스터 및 가변 저항 회로를 포함하고,
    상기 가변 저항 회로는 상기 복수의 서브 화소 각각이 저계조를 구현할 경우, 상기 고전위 전압단과 상기 구동 트랜지스터 사이의 저항을 증가시키며,
    상기 가변 저항 회로는
    제1 제어 트랜지스터, 제2 제어 트랜지스터 및 저항기를 포함하고,
    상기 제1 제어 트랜지스터 및 상기 저항기는 상기 고전위 전압단과 상기 구동 트랜지스터 사이에 병렬로 연결되고,
    상기 제2 제어 트랜지스터는 상기 제1 제어 트랜지스터를 제어하는, 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 제어 트랜지스터는,
    상기 복수의 서브 화소 각각이 저계조를 구현할 때 턴오프되고,
    상기 복수의 서브 화소 각각이 고계조를 구현할 때 턴온되는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 제어 트랜지스터에 연결되고,
    상기 제1 제어 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 고전위 전압단에 연결되고,
    상기 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극은 상기 구동 트랜지스터에 연결되는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 저항기는 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 배치되는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 제어 트랜지스터의 게이트 전극은 스캔 신호를 전송하는 상기 복수의 게이트 배선 중 어느 하나에 연결되고,
    상기 제1 제어 트랜지스터의 드레인 전극은 제어 전압을 전송하는 제어 배선에 연결되고,
    상기 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극은 상기 제1 제어 트랜지스터에 연결되는, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어 전압은
    상기 데이터 전압이 임계 전압보다 낮을 때에는 턴오프 레벨이고,
    상기 데이터 전압이 임계 전압보다 높을 때에는 턴온 레벨인, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소에 데이터 전압이 기입되는 기입 기간 이전에 상기 제어 전압의 레벨은 변화하는, 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기입 기간에 상기 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극의 전압 레벨은 변화하는, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 가변 저항 회로는
    상기 제1 제어 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 제어 커패시터를 더 포함하는, 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어 커패시터는 상기 제1 제어 트랜지스터의 소스 전극에 연결되는, 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제어 커패시터는 정전원인 기준 전압을 인가하는 기준 전압 배선에 연결되는, 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브 화소 각각은,
    상기 구동 트랜지스터에 데이터 전압을 인가하는 스위칭 트랜지스터,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 저장하는 저장 커패시터 및
    상기 발광 소자에 기준 전압을 인가하여, 상기 발광 소자를 센싱하는 센싱 트랜지스터를 더 포함하는, 표시 장치.
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