CN116125744A - 一种光罩及其制作方法以及曝光方法 - Google Patents

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CN116125744A CN202111350363.4A CN202111350363A CN116125744A CN 116125744 A CN116125744 A CN 116125744A CN 202111350363 A CN202111350363 A CN 202111350363A CN 116125744 A CN116125744 A CN 116125744A
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Abstract

本发明涉及半导体加工领域，公开一种光罩及其制作方法以及曝光方法。一种光罩，包括：第一图形区域以及围绕第一图形区域的第一切割道区域，第一切割道区域内具有第一测试元素组标记，且沿第一切割道区域的宽度方向，第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙。光罩中第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙，即第一测试元素组标记与第一图形区域之间具有第一间隙，在光罩的制作过程中，第二次扫描时光刻胶会将金属隔开，从而使得位于第一间隙内的金属被去除，光罩上不会有多余的金属残留，从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。

Description

一种光罩及其制作方法以及曝光方法
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种光罩及其制作方法以及曝光方法。
背景技术
随着电子产业的高速发展，在液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、集成电路(Integrated Circuit，IC)等电子制造行业中，光罩成为了必不可少的重要模具之一，其应用越来越广泛。PSM(Phase Shift Mask，相位转移掩膜)光罩在制作过程中需要进行第二次扫描，以将多余的金属去除掉，但仍然有金属残留，从而使得芯片制程中损害到芯片图形区域的条形图形形貌。
发明内容
根据一些实施例，本申请第一方面提供一种光罩，包括：第一图形区域以及围绕所述第一图形区域的第一切割道区域，所述第一切割道区域内具有第一测试元素组标记，且沿所述第一切割道区域的宽度方向，所述第一测试元素组标记的侧边与所述第一切割道区域中邻近所述第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙。
本申请的实施例至少具有以下优点：
光罩中第一测试元素组标记位于第一切割道区域内，且第一测试元素组标记的侧边与第一切割道区域中邻近第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙，即第一测试元素组标记与第一图形区域之间具有第一间隙，在光罩的制作过程中，第二次扫描时光刻胶会将金属隔开，从而使得位于第一间隙内的金属被去除，光罩上不会有多余的金属残留，从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。
在一些实施例中，所述第一测试元素组标记的形状为矩形，所述第一测试元素组标记的侧边包括平行设置的第一侧边和第二侧边，且所述第一侧边以及所述第二侧边的延伸方向均与所述第一切割道区域的延伸方向相同，所述第一切割道区域的边缘包括第一边缘和第二边缘，所述第一边缘位于所述第一侧边背离所述第二侧边的一侧，所述第二边缘位于所述第二侧边背离所述第一侧边的一侧；
所述第一侧边与所述第一边缘之间具有所述第一间隙；和/或，
所述第二侧边与所述第二边缘之间具有所述第一间隙。
在一些实施例中，所述第一间隙a满足：a≥0.5μm。
在一些实施例中，所述第一测试元素组标记的宽度d1与所述第一切割道区域的宽度D1之间满足如下关系：
d1≤λ1D1
其中，λ1的范围为80％-85％。
在一些实施例中，所述光罩还包括第二图形区域以及围绕所述第二图形区域的第二切割道区域，所述第二切割道区域与所述第一切割道区域存在重叠区域；所述第二切割道区域内具有第二测试元素组标记，所述第二测试元素组标记位于所述重叠区域，所述第二测试元素组标记与所述第一测试元素组标记沿第一方向排列，其中，所述第一方向为所述第一图形区域与所述第二图形区域的排列方向；
沿所述第一方向，所述第二测试元素组标记的侧边与所述第二切割道区域中邻近所述第二测试元素组标记的边缘之间具有第二间隙。
在一些实施例中，所述第二测试元素组标记的形状为矩形，所述第二测试元素组标记的侧边包括平行设置的第三侧边和第四侧边，且所述第三侧边以及所述第四侧边的延伸方向均与所述第二切割道区域的延伸方向相同，所述第二切割道区域的边缘包括第三边缘和第四边缘，所述第三边缘位于所述第三侧边背离所述第四侧边一侧，所述第四边缘位于所述第四侧边背离所述第三侧边一侧；
所述第三侧边与所述第三边缘之间具有所述第二间隙；和/或，
所述第四侧边与所述第四边缘之间具有所述第二间隙。
在一些实施例中，所述第二间隙b满足：b≥0.5μm。
在一些实施例中，所述第二测试元素组标记的宽度d2与所述第二切割道区域宽度D2之间满足如下关系：
d2≤λ2D2
其中，λ2的范围为80％-85％。
在一些实施例中，所述第一切割道区域包括第一子切割道区域和第二子切割道区域，其中，所述第一子切割道区域位于所述第二子切割道区域和所述第一图形区域之间，且所述第二子切割道区域围绕所述第一子切割道区域，所述第一子切割道区域围绕所述第一图形区域。
根据一些实施例，本申请第二方面提供一种光罩制作方法，包括：
提供一基板；
对所述基板进行第一次图案化处理，以在所述基板上形成第一图案，所述第一图案包括第一图形区域、围绕所述第一图形区域的第一子切割道区域、以及第一测试元素组标记，且所述第一测试元素组标记与所述第一子切割道区域存在重叠区域；沿所述第一子切割道区域的宽度方向，所述第一测试元素组标记与所述第一图形区域的间距大于所述第一子切割道区域与所述第一图形区域的间距；
对所述基板进行第二次图案化处理，以在所述基板的第一图案的上形成第二图案，所述第二图案包括第二子切割道区域以及第二测试元素组标记；所述第二子切割道区域围绕所述第一子切割道区域，以与所述第一子切割道区域形成第一切割道区域；所述第一测试元素组标记与所述第二子切割道区域存在重叠区域，且所述第二测试元素组标记与所述第一子切割道区域和所述第二子切割道区域均存在重叠区域，且所述第二测试元素组标记与所述第一测试元素组标记沿第一方向排列；沿所述第一方向，所述第一测试元素组标记的边缘与所述第一切割道区域中邻近所述第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙；所述第二测试元素组标记的边缘与所述第一切割道区域中邻近所述第二测试元素组标记的边缘之间具有第二间隙。
在一些实施例中，所述第一间隙a满足：a≥0.5μm。
在一些实施例中，所述第一测试元素组标记的宽度d1与所述第一切割道区域的宽度D1之间满足如下关系：
d1≤λ1D1
其中，λ1的范围为80％-85％。
在一些实施例中，所述第二间隙b满足：b≥0.5μm。
在一些实施例中，所述第二测试元素组标记的宽度d2与所述第一切割道区域宽度D1之间满足如下关系：
d2≤λ2D1
其中，λ2的范围为80％-85％。
根据一些实施例，本申请第三方面提供一种曝光方法，包括：
提供一晶圆，包括多个呈阵列分布的曝光区域；
以如第一方面中任一项所述的光罩对所述晶圆进行曝光，以在每个所述曝光区域形成曝光图案。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种光罩的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种光罩制作过程中第一次曝光的结构示意图；
图3为图2中光罩第二次曝光的结构示意图；
图4a-图4d为本发明实施例提供的一种光罩第二次曝光的制作流程示意。
图标：100-第一图形区域；200-第一切割道区域；300-第一测试元素组标记；400-第二图形区域；500-第二切割道区域；600-第二测试元素组标记；700-基板；210-第一子切割道区域；220-第二子切割道区域；310-第一侧边；320-第二侧边；610-第三侧边；620-第四侧边；710-衬底；720-半透明膜层；730-金属层；800-光刻胶层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
根据一些实施例，如图1所示，本申请第一方面提供一种光罩，包括：第一图形区域100以及围绕第一图形区域100的第一切割道区域200，第一切割道区域200内具有第一测试元素组标记300，且沿第一切割道区域200的宽度方向，第一测试元素组标记300的侧边与第一切割道区域200中邻近第一测试元素组标记300的边缘之间具有第一间隙。
本申请的实施例至少具有以下优点：
光罩中第一测试元素组标记300位于第一切割道区域200内，且第一测试元素组标记300的侧边与第一切割道区域200中邻近第一测试元素组标记300的边缘之间具有第一间隙，即第一测试元素组标记300与第一图形区域100之间具有第一间隙，在光罩的制作过程中，第二次扫描时光刻胶会将金属隔开，从而使得位于第一间隙内的金属被去除，光罩上不会有多余的金属残留，从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。
在一些实施例中，第一测试元素组标记300的形状为矩形，第一测试元素组标记300的侧边包括平行设置的第一侧边310和第二侧边320，且第一侧边310以及第二侧边320的延伸方向均与第一切割道区域200的延伸方向相同，第一切割道区域200的边缘包括第一边缘和第二边缘，第一边缘位于第一侧边310背离第二侧边320的一侧，第二边缘位于第二侧边320背离第一侧边310的一侧；
第一侧边310与第一边缘之间具有第一间隙；和/或，
第二侧边320与第二边缘之间具有第一间隙。
参照图1，第一切割道区域200为围绕第一图形区域100的环形区域，第一切割道区域200与第一测试元素组标记300对应的部分为沿X方向延伸的条形，第一测试元素组标记300的第一侧边310以及第二侧边320均沿X方向延伸；第一侧边310与第一边缘邻近，第二侧边320与第二边缘邻近，第一侧边310与第一边缘之间具有第一间隙a，第二侧边320与第二边缘之间具有第一间隙a。通过减小第一测试元素组标记300的宽度即第一侧边310与第二侧边320的垂直距离，使得第一测试元素组标记300距离第一图形区域100具有余量，从而使得光罩制程中第二次扫描时光刻胶会将作为金属层730的金属如铬隔开，从而使光罩上不会有多余的金属残留。
在一些实施例中，第一间隙a满足：a≥0.5μm。
一种可能实现的方式中，结合图1，第一切割道区域200的宽度为60μm，第一测试元素组标记300的宽度为59μm，沿第一测试元素组标记300的宽度方向，第一侧边310与第一边缘之间的第一间隙为0.5μm，第二侧边320与第二边缘之间的第一间隙也为0.5μm。
可以理解的是，第一侧边310与第一边缘之间的第一间隙的数值以及第二侧边320与第二边缘之间的第一间隙的数值可以相等也可以不相等。
在一些实施例中，继续参照图1，第一测试元素组标记300的宽度d1与第一切割道区域200的宽度D1之间满足如下关系：
d1≤λ1D1
其中，λ1的范围为80％-85％。
在一些实施例中，参照图1，光罩还包括第二图形区域400以及围绕第二图形区域400的第二切割道区域500，第二切割道区域500与第一切割道区域200存在重叠区域；第二切割道区域500内具有第二测试元素组标记600，第二测试元素组标记600位于重叠区域，第二测试元素组标记600与第一测试元素组标记300沿第一方向排列，其中，第一方向为第一图形区域100与第二图形区域400的排列方向；
沿第一方向，第二测试元素组标记600的侧边与第二切割道区域500中邻近第二测试元素组标记600的边缘之间具有第二间隙。
需要说明的是，光罩用于晶圆曝光的过程中，晶圆上具有多个呈阵列分布的芯片区域，光罩对应一个或者一组芯片区域具有一个图形区域，每个图形区域也呈阵列分布，每个图形区域对应的芯片区域为一个测试组，每个测试组对应一个测试元素组标记。
继续参照图1，第一图形区域100与第二图形区域400均为矩形，且第一图形区域100与第二图形区域400沿Y方向排列，第一切割道区域200围绕在第一图形区域100外侧，第二切割道区域500围绕在第二图形区域400外侧，第一切割道区域200包括沿X方向延伸的第一部分和第二部分，且第一部分和第二部分沿Y方向排列，第二切割道区域500包括沿X方向延伸的第三部分和第四部分，且第三部分和第四部分沿Y方向排列，第三部分与第二部分完全重合。第一测试元素组标记300位于第一部分内，用于与第一图形区域100配合，第二测试元素组标记600位于第三部分即第二部分内，用于与第二图形区域400配合。
光罩中第二测试元素组标记600位于第二切割道区域500与第一切割道区域200重合的区域内，且第二测试元素组标记600的侧边与第二切割道区域500或第一切割道区域200中邻近第二测试元素组标记600的边缘之间具有第二间隙，即第二测试元素组标记600与第二图形区域400之间具有第二间隙，在光罩的制作过程中，第二次扫描时光刻胶会将金属隔开，从而使得位于第二间隙内的金属被去除，光罩上不会有多余的金属残留，从而避免残留金属对晶圆芯片图形区域的影响。
需要说明的是，第一间隙和第二间隙的数值可以相等也可以不相等。
在一些实施例中，第二测试元素组标记600的形状为矩形，第二测试元素组标记600的侧边包括平行设置的第三侧边610和第四侧边620，且第三侧边610以及第四侧边620的延伸方向均与第二切割道区域500的延伸方向相同，第二切割道区域500的边缘包括第三边缘和第四边缘，第三边缘位于第三侧边610背离第四侧边620一侧，第四边缘位于第四侧边620背离第三侧边610一侧；
第三侧边610与第三边缘之间具有第二间隙；和/或，
第四侧边620与第四边缘之间具有第二间隙。
参照图1，第二切割道区域500为围绕第二图形区域400的环形区域，第二切割道区域500与第二测试元素组标记600对应的部分为沿X方向延伸的条形，第二测试元素组标记600的第三侧边610以及第四侧边620均沿X方向延伸；第三侧边610与第三边缘邻近，第四侧边620与第四边缘邻近，第三侧边610与第三边缘之间具有第二间隙b，第四侧边620与第四边缘之间具有第二间隙b。通过减小第二测试元素组标记600的宽度即第三侧边610与第四侧边620的垂直距离，使得第二测试元素组标记600距离第二图形区域400具有余量，从而使得光罩制程中第二次扫描时光刻胶会将作为金属层730的金属如铬隔开，从而使光罩上不会有多余的金属残留。
在一些实施例中，第二间隙b满足：b≥0.5μm。
一种可能实现的方式中，结合图1，第二切割道区域500的宽度为60μm，第二测试元素组标记600的宽度为59μm，沿第二测试元素组标记600的宽度方向，第三侧边610与第三边缘之间的第二间隙为0.5μm，第四侧边620与第四边缘之间的第二间隙也为0.5μm。
可以理解的是，第三侧边610与第三边缘之间的第二间隙的数值以及第四侧边620与第四边缘之间的第二间隙的数值可以相等也可以不相等。
在一些实施例中，继续参照图1，第二测试元素组标记600的宽度d2与第二切割道区域500宽度D2之间满足如下关系：
d2≤λ2D2
其中，λ2的范围为80％-85％。
在一些实施例中，参照图2和图3，第一切割道区域200包括第一子切割道区域210和第二子切割道区域220，其中，第一子切割道区域210位于第二子切割道区域220和第一图形区域100之间，且第二子切割道区域220围绕第一子切割道区域210，第一子切割道区域210围绕第一图形区域100。
根据一些实施例，参照图2和图3，并结合图4a-图4d，本申请第二方面提供一种光罩制作方法，包括：
提供一基板700，基板700包括衬底710、位于衬底710一侧的半透明膜层720、以及位于半透明膜层720背离衬底710一侧的金属层730，例如，金属层730可以采用金属铬；
对基板700进行第一次图案化处理，以在基板700上形成第一图案，第一图案包括第一图形区域100、围绕第一图形区域100的第一子切割道区域210、以及第一测试元素组标记300，且第一测试元素组标记300与第一子切割道区域210存在重叠区域；沿第一子切割道区域210的宽度方向，第一测试元素组标记300与第一图形区域100的间距大于第一子切割道区域210与第一图形区域100的间距；
对基板700进行第二次图案化处理，以在基板700的第一图案的上形成第二图案，第二图案包括第二子切割道区域220以及第二测试元素组标记600；第二子切割道区域220围绕第一子切割道区域210，以与第一子切割道区域210形成第一切割道区域200；第一测试元素组标记300与第二子切割道区域220存在重叠区域，且第二测试元素组标记600与第一子切割道区域210和第二子切割道区域220均存在重叠区域，且第二测试元素组标记600与第一测试元素组标记300沿第一方向排列；沿第一方向，第一测试元素组标记300的边缘与第一切割道区域200中邻近第一测试元素组标记300的边缘之间具有第一间隙；第二测试元素组标记600的边缘与第一切割道区域200中邻近第二测试元素组标记600的边缘之间具有第二间隙。
本申请的实施例至少具有以下优点：
在光罩的制作过程中，第一测试元素组标记300距离第一图形区域100具有余量，从而使得光罩制程中第二次扫描时光刻胶会将作为金属层730的金属如铬隔开，从而使光罩上不会有多余的金属残留。
图2为光罩制作过程中的第一次曝光，第一测试元素组标记300以及第一子切割道区域210均为透光区域，第一光罩的第一图形区域100为遮光区域，使得光罩上第一子切割道区域210以及第一测试元素组标记300被曝光，光罩上第二子切割道区域220、第一图形区域100、以及第二测试元素组标记600被遮挡。
图3为光罩制作过程中的第二次曝光，第二测试元素组标记600以及第二子切割道区域220均为透光区域，第二光罩的第一图形区域100为遮光区域，使得光罩上第二子切割道区域220以及第二测试元素组标记600被曝光，光罩上第一子切割道区域210、第一图形区域100、以及第一测试元素组标记300被遮挡。由于光罩中第一测试元素组标记300距离第一图形区域100具有余量，从而使的光罩上不会有多余的金属残留，故晶圆曝光时不会影响测试组内芯片区域内的图形。
图4a-图4d示出了对基板700进行第二次曝光的过程，参照图4a，在基板700上涂覆光刻胶，形成光刻胶层800；对涂覆有光刻胶的基板700进行曝光处理，图4a中虚线为曝光范围；参照图4b，通过对曝光后的光刻胶进行显影操作得到图形化的光刻胶层800；参照图4c，对显影后的光刻胶进行蚀刻；参照图4d，通过使用蚀刻溶液对基板700进行蚀刻，切割道区域内邻近第一图形区域100的金属如铬被刻蚀，且无残留。
在一些实施例中，第一间隙a满足：a≥0.5μm。
在一些实施例中，第一测试元素组标记300的宽度d1与第一切割道区域200的宽度D1之间满足如下关系：
d1≤λ1D1
其中，λ1的范围为80％-85％。
在一些实施例中，第二间隙b满足：b≥0.5μm。
在一些实施例中，第二测试元素组标记600的宽度d2与第一切割道区域200宽度D1之间满足如下关系：
d2≤λ2D1
其中，λ2的范围为80％-85％。
根据一些实施例，本申请第三方面提供一种曝光方法，包括：
提供一晶圆，包括多个呈阵列分布的曝光区域；
以第一方面实施例中任一种光罩对所述晶圆进行曝光，以在每个曝光区域形成曝光图案。
需要说明的是，晶圆至少包括一个测试组，每个测试组包括芯片区域以及围绕芯片区域的切割道，其中，切割道上设有与该测试组配合的第一测试元素组以及与邻近测试组配合的第二测试元素组。当采用本申请第一方面实施例提供的光罩对晶圆进行曝光时，第一切割道区域与切割道对应，第一图形区域与芯片区域对应，第一测试元素组标记与第一测试元素组对应，第二测试元素组标记与第二测试元素组对应。
本申请的实施例至少具有以下优点：
光罩中第一测试元素组标记距离第一图形区域具有余量即第一间隙，使得光罩制作过程中将第一间隙内的金属如铬全部去除，从而使得晶圆曝光时，光罩不会影响芯片区域内的条形图形。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种光罩，其特征在于，包括：第一图形区域以及围绕所述第一图形区域的第一切割道区域，所述第一切割道区域内具有第一测试元素组标记，且沿所述第一切割道区域的宽度方向，所述第一测试元素组标记的侧边与所述第一切割道区域中邻近所述第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙。
2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一测试元素组标记的形状为矩形，所述第一测试元素组标记的侧边包括平行设置的第一侧边和第二侧边，且所述第一侧边以及所述第二侧边的延伸方向均与所述第一切割道区域的延伸方向相同，所述第一切割道区域的边缘包括第一边缘和第二边缘，所述第一边缘位于所述第一侧边背离所述第二侧边的一侧，所述第二边缘位于所述第二侧边背离所述第一侧边的一侧；
所述第一侧边与所述第一边缘之间具有所述第一间隙；和/或，
所述第二侧边与所述第二边缘之间具有所述第一间隙。
3.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一间隙a满足：a≥0.5μm。
4.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一测试元素组标记的宽度d1与所述第一切割道区域的宽度D1之间满足如下关系：
d1≤λ1D1
其中，λ1的范围为80％-85％。
5.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述光罩还包括第二图形区域以及围绕所述第二图形区域的第二切割道区域，所述第二切割道区域与所述第一切割道区域存在重叠区域；所述第二切割道区域内具有第二测试元素组标记，所述第二测试元素组标记位于所述重叠区域，所述第二测试元素组标记与所述第一测试元素组标记沿第一方向排列，其中，所述第一方向为所述第一图形区域与所述第二图形区域的排列方向；
沿所述第一方向，所述第二测试元素组标记的侧边与所述第二切割道区域中邻近所述第二测试元素组标记的边缘之间具有第二间隙。
6.根据权利要求5所述的光罩，其特征在于，所述第二测试元素组标记的形状为矩形，所述第二测试元素组标记的侧边包括平行设置的第三侧边和第四侧边，且所述第三侧边以及所述第四侧边的延伸方向均与所述第二切割道区域的延伸方向相同，所述第二切割道区域的边缘包括第三边缘和第四边缘，所述第三边缘位于所述第三侧边背离所述第四侧边一侧，所述第四边缘位于所述第四侧边背离所述第三侧边一侧；
所述第三侧边与所述第三边缘之间具有所述第二间隙；和/或，
所述第四侧边与所述第四边缘之间具有所述第二间隙。
7.根据权利要求5所述的光罩，其特征在于，所述第二间隙b满足：b≥0.5μm。
8.根据权利要求5所述的光罩，其特征在于，所述第二测试元素组标记的宽度d2与所述第二切割道区域宽度D2之间满足如下关系：
d2≤λ2D2
其中，λ2的范围为80％-85％。
9.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一切割道区域包括第一子切割道区域和第二子切割道区域，其中，所述第一子切割道区域位于所述第二子切割道区域和所述第一图形区域之间，且所述第二子切割道区域围绕所述第一子切割道区域，所述第一子切割道区域围绕所述第一图形区域。
10.一种光罩制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
对所述基板进行第一次图案化处理，以在所述基板上形成第一图案，所述第一图案包括第一图形区域、围绕所述第一图形区域的第一子切割道区域、以及第一测试元素组标记，且所述第一测试元素组标记与所述第一子切割道区域存在重叠区域；沿所述第一子切割道区域的宽度方向，所述第一测试元素组标记与所述第一图形区域的间距大于所述第一子切割道区域与所述第一图形区域的间距；
对所述基板进行第二次图案化处理，以在所述基板的第一图案的上形成第二图案，所述第二图案包括第二子切割道区域以及第二测试元素组标记；所述第二子切割道区域围绕所述第一子切割道区域，以与所述第一子切割道区域形成第一切割道区域；所述第一测试元素组标记与所述第二子切割道区域存在重叠区域，且所述第二测试元素组标记与所述第一子切割道区域和所述第二子切割道区域均存在重叠区域，且所述第二测试元素组标记与所述第一测试元素组标记沿第一方向排列；沿所述第一方向，所述第一测试元素组标记的边缘与所述第一切割道区域中邻近所述第一测试元素组标记的边缘之间具有第一间隙；所述第二测试元素组标记的边缘与所述第一切割道区域中邻近所述第二测试元素组标记的边缘之间具有第二间隙。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第一间隙a满足：a≥0.5μm。
12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第一测试元素组标记的宽度d1与所述第一切割道区域的宽度D1之间满足如下关系：
d1≤λ1D1
其中，λ1的范围为80％-85％。
13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第二间隙b满足：b≥0.5μm。
14.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第二测试元素组标记的宽度d2与所述第一切割道区域宽度D1之间满足如下关系：
d2≤λ2D1
其中，λ2的范围为80％-85％。
15.一种曝光方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，包括多个呈阵列分布的曝光区域；
以如权利要求1-9中任一项所述的光罩对所述晶圆进行曝光，以在每个所述曝光区域形成曝光图案。
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