CN116018497A - 厚度测定装置和厚度测定方法 - Google Patents

厚度测定装置和厚度测定方法 Download PDF

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Abstract

一种测定基板的厚度的厚度测定装置，具备：基板保持部，其保持所述基板的中央部；测定部，其测定被所述基板保持部保持的所述基板的厚度；以及移动机构，其使所述基板保持部和所述测定部相对地沿水平方向移动，其中，在所述基板保持部形成有切口部，所述切口部从该基板保持部的中心部沿径向延伸到外端部，以供所述测定部自如地相对进退。

Description

厚度测定装置和厚度测定方法
技术领域
本公开涉及一种厚度测定装置和厚度测定方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种磨削装置，该磨削装置具备：保持单元，其保持板状工件且能够使该板状工件旋转；磨削单元，其对被保持单元保持的板状工件进行磨削；以及厚度测定单元，其测定被保持单元保持的板状工件的厚度。厚度测定单元从板状工件的上方在至少三个点处测定板状工件的厚度，该三个点包括作为板状工件的半径的中点的第一测定点、以及从第一测定点朝向中心方向和外周方向以均等的距离背离的第二测定点和第三测定点。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-172131号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术用于沿径向在多个点适当地测定基板的厚度。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是一种测定基板的厚度的厚度测定装置，具备：基板保持部，其保持所述基板的中央部；测定部，其测定被所述基板保持部保持的所述基板的厚度；以及移动机构，其使所述基板保持部和所述测定部相对地沿水平方向移动，其中，在所述基板保持部形成有切口部，所述切口部从该基板保持部的中心部沿径向延伸到外端部，以供所述测定部自如地相对进退。
发明的效果
根据本公开，能够沿径向在多个点适当地测定基板的厚度。
附图说明
图1是示出由晶圆处理***处理的重合晶圆的结构例的侧视图。
图2是示出晶圆处理***的结构的俯视图。
图3是示出晶圆处理***的内部结构的侧视图。
图4是示出各磨削单元的结构的一例的侧视图。
图5是示出第一清洗装置的结构的俯视图。
图6是示出第一清洗装置的结构的侧视图。
图7是示出上晶圆的厚度、下晶圆的厚度以及重合晶圆的整体厚度的说明图。
图8是示出测定上晶圆的厚度的情形的说明图。
图9是示出对准装置的结构的俯视图。
图10是示出对准装置的结构的侧视图。
图11是示出整体厚度测定部的结构的立体图。
图12是示出测定重合晶圆的整体厚度的情形的说明图。
图13是示出晶圆处理的主要工序的流程图。
图14是示出其它实施方式所涉及的对准装置的结构的俯视图。
图15是示出其它实施方式所涉及的对准装置的结构的侧视图。
图16是示出其它实施方式所涉及的对准装置的结构的俯视图。
图17是示出其它实施方式所涉及的对准装置的结构的侧视图。
具体实施方式
近年来，在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体基板(下面称作“上晶圆”。)与下晶圆接合而成的重合晶圆，进行磨削上晶圆的背面从而使其薄化的处理。
上晶圆的薄化通过在利用保持盘(chuck)保持着下晶圆的背面的状态下使磨削磨石与上晶圆的背面抵接并进行磨削来进行。然而，在像这样进行上晶圆的磨削的情况下，有可能由于同上晶圆的背面抵接的磨削磨石与保持下晶圆的保持盘之间的相对倾斜而使磨削后的上晶圆的平坦度(TTV：Total Thickness Variation：总厚度变化)劣化。
在上述的专利文献1中公开的磨削装置中，利用厚度测定单元来在三个点测定板状工件(晶圆)的厚度，并基于三个点的厚度测定结果来调整保持单元的晶圆保持面的旋转轴的倾斜，由此来谋求将晶圆磨削为均匀的厚度。另外，厚度测定单元具备测定部，该测定部从被保持单元保持的晶圆的上方在多处测定晶圆的厚度。测定部向晶圆照射测定光，并根据接受到在晶圆的上下的界面(上表面和下表面)反射的反射光的时间差来测定晶圆的厚度。
在此，在对上述的重合晶圆的上晶圆进行磨削的情况下，有时测定磨削前的重合晶圆的整体厚度和上晶圆的厚度来计算该重合晶圆中的上晶圆以外的厚度(在下面，有时简称为“下晶圆的厚度”。)。这是为了：通过像这样测定并掌握下晶圆的厚度，来调整磨削磨石与保持盘之间的相对倾斜，从而均匀地磨削上晶圆。
然而，在专利文献1中公开的磨削装置中，例如在对重合晶圆进行处理的情况下，仅能够测定磨削侧(上方侧)的上晶圆的厚度。因此，无法测定上述的那样的重合晶圆的整体厚度，从而无法掌握下晶圆的厚度。因而，以往的晶圆处理存在改善的余地。
本公开所涉及的技术用于沿径向在多个点适当地测定基板的厚度。下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的晶圆处理***和晶圆处理方法。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，来省略重复说明。
在本实施方式所涉及的后述的晶圆处理***1中，对如图1所示那样作为第一基板的上晶圆W与作为第二基板的下晶圆S接合而成的重合晶圆T进行处理。而且，在晶圆处理***1中，使上晶圆W薄化。下面，在上晶圆W中，将与下晶圆S接合一侧的表面称作表面Wa，将与表面Wa相反的一侧的表面称作背面Wb。同样地，在下晶圆S中，将与上晶圆W接合一侧的表面称作表面Sa，将与表面Sa相反的一侧的表面称作背面Sb。
上晶圆W例如是硅基板等半导体晶圆，在表面Wa形成有包括多个器件的器件层Dw。另外，还在器件层Dw形成有表面膜Fw，并经由该表面膜Fw来与下晶圆S接合。作为表面膜Fw，例如能够例举氧化膜(SiO2膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或者粘接剂等。
下晶圆S例如具有与上晶圆W同样的结构，在表面Sa形成有器件层Ds和表面膜Fs。此外，下晶圆S并非必须是形成有器件层Ds的器件晶圆，例如也可以是支承上晶圆W的支承晶圆。在该情况下，下晶圆S作为保护上晶圆W的器件层Dw的保护件发挥功能。
此外，在之后的说明所使用的附图中，为了避免附图的复杂，有时省略器件层Dw、Ds和表面膜Fw、Fs的图示。
如图2和图3所示，晶圆处理***1具有将搬入搬出站2和处理站3连接为一体所得到的结构。搬入搬出站2例如与外部之间进行能够收容多个重合晶圆T的盒C的搬入搬出。处理站3具备用于对重合晶圆T实施期望的处理的各种处理装置。
在搬入搬出站2设置有盒载置台10。在图示的例子中，在盒载置台10上，将多个、例如两个盒C沿Y轴方向自由载置为一列。此外，载置于盒载置台10的盒C的个数不限定于本实施方式，能够任意地决定。
在搬入搬出站2中，在盒载置台10的X轴正方向侧与该盒载置台10邻接地设置有晶圆搬送区域20。
在处理站3中，例如设置有三个处理块G1～G3。第一处理块G1、第二处理块G2以及第三处理块G3从X轴负方向侧(搬入搬出站2侧)向正方向侧按该顺序排列配置。各个处理块G1～G3间通过分隔壁在空间上被隔断，经由形成于各种处理装置的搬入搬出口来在各个处理块G1～G3间搬送重合晶圆T。此外，在形成于各种处理装置的搬入搬出口设置有用于进行该搬入搬出口的开闭的挡板(未图示)。
在第一处理块G1中设置有蚀刻处理装置30和晶圆搬送装置40。蚀刻处理装置30例如设置为在铅垂方向上层叠两层。晶圆搬送装置40配置于蚀刻处理装置30的Y轴正方向侧。此外，蚀刻处理装置30和晶圆搬送装置40的数量、配置不限定于此。
蚀刻处理装置30对磨削后的上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行蚀刻。此时，还进行微粒去除、金属成分去除等清洗处理。例如，对背面Wb、Sb供给蚀刻液(药液)来对该背面Wb进行湿蚀刻。蚀刻液例如使用HF、HNO3、H3PO4、TMAH、Choline(胆碱)、KOH等。
晶圆搬送装置40具有保持重合晶圆T并进行搬送的例如两个搬送臂41。各搬送臂41构成为沿水平方向、铅垂方向自如移动，以及绕水平轴及铅垂轴自如移动。而且，晶圆搬送装置40构成为能够针对盒载置台10的盒C、蚀刻处理装置30、后述的第一清洗装置50、后述的第二清洗装置51以及后述的对准装置52搬送重合晶圆T。
另外，在第一处理块G1中设置有未图示的风机过滤单元(FFU)。由此，使第一处理块G1的内部保持高清洁度，并且将内部的压力保持为比第二处理块G2的内部的压力高。
在第二处理块G2中设置有第一清洗装置50、第二清洗装置51、对准装置52以及晶圆搬送装置60。第一清洗装置50、第二清洗装置51以及对准装置52设置为从上方起按该顺序层叠。晶圆搬送装置60配置于第一清洗装置50、第二清洗装置51以及对准装置52的Y轴负方向侧。此外，第一清洗装置50、第二清洗装置51、对准装置52以及晶圆搬送装置60的数量、配置不限定于此。
第一清洗装置50对后述的加工装置70中的磨削后的上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行清洗。例如，对背面Wb供给清洗液来对该背面Wb进行旋转清洗，使刷部与背面Sb抵接来对该背面Sb进行刷洗清洗。另外，在第一清洗装置50中，测定重合晶圆T中的上晶圆W的厚度。此外，关于第一清洗装置50的详细结构在后面进行描述。
第二清洗装置51对后述的加工装置70中的磨削前的上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行清洗。第二清洗装置51也与第一清洗装置50同样地，例如对背面Wb供给清洗液来对该背面Wb进行旋转清洗，使刷部与背面Sb抵接来对该背面Sb进行刷洗清洗。另外，在第二清洗装置51中，测定重合晶圆T中的上晶圆W的厚度。此外，例如在利用对准装置52来测定上晶圆W的厚度的情况下，能够省略第二清洗装置51中的上晶圆W的厚度测定功能。另外，关于第二清洗装置51的详细结构在后面进行描述。
此外，在本实施方式中，将对磨削后的重合晶圆T进行处理的第一清洗装置50和对磨削前的重合晶圆T进行处理的第二清洗装置51进行了区分，但这些第一清洗装置50和第二清洗装置51的结构实质上是相同的。因而，无论第一清洗装置50和第二清洗装置51中的哪一方，均可以对磨削后的重合晶圆T和磨削前的重合晶圆T中的任一方进行处理。
对准装置52对在后述的加工装置70中进行磨削前的重合晶圆T的水平方向上的朝向和位置进行调节。另外，对准装置52测定磨削前的重合晶圆T的整体厚度，作为本公开中的“厚度测定装置”发挥功能。此外，关于对准装置52的详细结构在后面进行描述。
晶圆搬送装置60具有通过吸附保持面(未图示)来吸附保持重合晶圆T并进行搬送的例如两个搬送臂61。各搬送臂61构成为沿水平方向、铅垂方向自如移动，以及绕水平轴及铅垂轴自如移动。而且，晶圆搬送装置60构成为能够针对第一清洗装置50、第二清洗装置51、对准装置52以及后述的加工装置70搬送重合晶圆T。
在第三处理块G3中设置有一个加工装置70。此外，加工装置70的数量、配置不限定于此。
加工装置70具有旋转台71。在旋转台71上设置有用于吸附保持重合晶圆T的、作为基板保持部的四个保持盘72。保持盘72例如使用多孔保持盘，吸附保持重合晶圆T中的下晶圆S的背面Sb。保持盘72的表面、即重合晶圆T的保持面在侧视时具有中央部比端部突出的凸形状。此外，由于该中央部的突出是微小的，因此在下面的说明的图示中，省略了保持盘72的凸形状。
如图4所示，保持盘72保持于保持盘基部73。在保持盘基部73设置有倾斜调整部74，所述倾斜调整部74调整后述的各磨削单元(粗磨削单元80、半精磨削单元90以及精磨削单元100)所具备的磨削轮与保持盘72之间的相对倾斜。倾斜调整部74具有设置于保持盘基部73的下表面的固定轴75和多个例如两个升降轴76。各升降轴76构成为伸缩自如，用于使保持盘基部73升降。通过该倾斜调整部74，以保持盘基部73的外周部的一端部(与固定轴75对应的位置)为基点，通过升降轴76来使另一端部沿铅垂方向升降，由此能够使保持盘72和保持盘基部73倾斜。而且，由此，能够调整加工位置A1～A3处的各磨削单元80、90、100所具备的磨削轮的表面与保持盘72的表面之间的相对倾斜。
此外，倾斜调整部74的结构不限定于此，只要能够调整保持盘72的表面相对于磨削轮的表面的相对角度(平行度)，则能够任意地选择。
如图2所示，四个保持盘72能够通过旋转台71的旋转来移动至交接位置A0和加工位置A1～A3。另外，四个保持盘72分别构成为能够通过旋转机构(未图示)来绕铅垂轴旋转。
在交接位置A0处，通过晶圆搬送装置60来进行重合晶圆T的交接。在加工位置A1配置有粗磨削单元80，对上晶圆W进行粗磨削。在加工位置A2配置有半精磨削单元90，对上晶圆W进行半精磨削。在加工位置A3配置有精磨削单元100，对上晶圆W进行精磨削。
如图4所示，粗磨削单元80具有在下表面具备环状的粗磨削磨石的粗磨削轮81、支承该粗磨削轮81的安装件82、经由该安装件82使粗磨削轮81旋转的轴83以及例如内置有马达(未图示)的驱动部84。另外，粗磨削单元80构成为能够沿图2所示的支柱85在铅垂方向上移动。
半精磨削单元90具有与粗磨削单元80同样的结构。即，半精磨削单元90具有具备环状的半精磨削磨石的半精磨削轮91、安装件92、轴93、驱动部94以及支柱95。半精磨削磨石的磨粒的粒度比粗磨削磨石的磨粒的粒度小。
精磨削单元100具有与粗磨削单元80及半精磨削单元90同样的结构。即，精磨削单元100具有作为磨削部的具备环状的精磨削磨石的精磨削轮101、安装件102、轴103、驱动部104以及支柱105。精磨削磨石的磨粒的粒度比半精磨削磨石的磨粒的粒度小。
另外，在第三处理块G3中设置有未图示的排气单元。由此，进行由于加工装置70中的磨削处理而产生的微粒等的排出，并且将该第三处理块G3的内部压力保持为比第二处理块G2的内部压力低。即，在晶圆处理***1中构成为：将第一处理块G1、第二处理块G2、第三处理块G3的各内部压力控制为按该顺序升高，从而由于加工装置70中的磨削处理而产生的微粒等不会向第一处理块G1侧流出。换言之，抑制了微粒等附着于被进行了晶圆处理***1中的一系列处理后的重合晶圆T。
如图2所示，在以上的晶圆处理***1中设置有作为控制部的控制装置110。控制装置110例如是具备CPU、存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有用于控制晶圆处理***1中的晶圆处理的程序。此外，上述程序也可以记录在计算机可读的存储介质H中，并从该存储介质H安装到控制装置110。
接着，对上述的第一清洗装置50和第二清洗装置51进行说明。此外，在本实施方式中，将对磨削后的重合晶圆T进行处理的第一清洗装置50和对磨削前的重合晶圆T进行处理的第二清洗装置51进行了区分，但这些第一清洗装置50和第二清洗装置51的结构实质上相同。因而，在下面的说明中，对第一清洗装置50进行说明，而省略第二清洗装置51的说明。
如图5和图6所示，第一清洗装置50具有保持机构200，该保持机构200保持上晶圆W配置于上侧且下晶圆S配置于下侧的状态下的重合晶圆T。保持机构200具有保持重合晶圆T的外侧表面的多个例如四个保持辊201。保持辊201在重合晶圆T的周向上等间隔地配置。
保持辊201与重合晶圆T的外侧表面抵接，通过其摩擦力来保持重合晶圆T。此外，通过保持辊201来保持重合晶圆T的保持方法不限定于此。例如，也可以将重合晶圆T嵌入形成于保持辊201的侧表面的凹部来保持该重合晶圆T。另外，重合晶圆T的外侧表面的保持方法不限定于使用保持辊201的方法。例如，也可以通过固定保持构件(未图示)来固定地保持重合晶圆T的外侧表面，使该固定保持构件与重合晶圆T作为整体来旋转。或者，例如在仅对上晶圆W的背面Wb进行清洗的情况下，还可以通过吸附保持构件(未图示)来吸附保持下晶圆S的背面Sb。
保持辊201构成为以铅垂轴为旋转轴自如旋转。在保持辊201设置有用于使该保持辊201旋转的驱动机构(未图示)。此外，驱动机构既可以使一个保持辊201旋转，也可以使多个保持辊201旋转。而且，通过利用驱动机构来使至少一个保持辊201旋转，重合晶圆T绕铅垂轴旋转。另外，各保持辊201构成为通过移动机构(未图示)来沿水平方向自如移动。
在被保持机构200保持的重合晶圆T的上方设置有清洗液喷嘴210。清洗液喷嘴210对上晶圆W的背面Wb进行清洗，更具体地说进行旋转清洗。例如，一边通过保持机构200来使重合晶圆T旋转，一边从清洗液喷嘴210向上晶圆W的背面Wb供给清洗液、例如纯水。于是，被供给的清洗液在背面Wb上扩散，来清洗该背面Wb。此外，清洗液喷嘴210构成为通过移动机构(未图示)来在重合晶圆T的上方沿水平方向自如移动。
在被保持机构200保持的重合晶圆T的下方设置有清洗刷211。清洗刷211对下晶圆S的背面Sb进行清洗，更具体地说进行刷洗清洗。例如，清洗刷211在与下晶圆S的背面Sb抵接的状态下从清洗液喷嘴(未图示)喷射清洗液、例如纯水，来清洗背面Sb。
像这样，第一清洗装置50构成为能够在重合晶圆T被保持于保持机构200的状态下同时对上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行清洗。
在被保持机构200保持的重合晶圆T的上方设置有部分厚度测定部220。部分厚度测定部220测定图7所示的上晶圆W的厚度Hw。部分厚度测定部220具有以不与上晶圆W接触的方式测定该上晶圆W的厚度的部分厚度传感器。部分厚度传感器对上晶圆W照射光，并且接受从上晶圆W的表面Wa反射来的反射光和从背面Wb反射来的反射光。然后，在部分厚度测定部220中，基于两反射光来测定上晶圆W的厚度Hw。
另外，部分厚度测定部220构成为通过移动机构221来在重合晶圆T的上方沿水平方向自如移动。由此，部分厚度测定部220能够在多个点测定上晶圆W的厚度Hw。
在本实施方式中，如图8所示，部分厚度测定部220例如沿径向在三个点测定上晶圆W的厚度Hw。测定点P1是上晶圆W的中心部。测定点P2是上晶圆W的中间部，是将上晶圆W的半径设为R的情况下的距中心部R/2的位置。测定点P3是上晶圆W的外周部。
在测定点P1处，在停止了重合晶圆T的旋转的状态下，通过部分厚度测定部220测定上晶圆W的厚度Hw。此外，在此时，也可以一边使重合晶圆T旋转一边测定上晶圆W的厚度Hw。
在测定点P2处，一边使重合晶圆T旋转，一边通过部分厚度测定部220来沿周向在多个点测定上晶圆W的厚度Hw。然后，计算在测定点P2测定出的周向的多个点的移动平均值，并将其设为该测定点P2处的上晶圆W的厚度Hw。此外，测定点P2处的上晶圆W的厚度Hw也可以设为周向的多个点的移动中值。另外，在测定点P3处也与测定点P2同样地测定上晶圆W的厚度Hw。
此外，在本实施方式中，在测定点P2、P3处将周向的多个点的移动平均值或移动中值设为了上晶圆W的厚度Hw，但例如也可以测定指定坐标处的上晶圆W的厚度Hw。例如，在停止了重合晶圆T的旋转的状态下，在测定点P2、P3处测定上晶圆W的厚度Hw。于是，在测定点P2、P3处，测定周向上的一个点的上晶圆W的厚度Hw。
另外，在本实施方式中，上晶圆W的厚度Hw的测定结果如后述的那样用于调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，但其用途不限定于此。例如，也可以为了掌握上晶圆W的厚度Hw的倾向而在指定的测定点测定上晶圆W的厚度Hw。
接着，对上述的对准装置52进行说明。如图9和图10所示，对准装置52具有用于保持重合晶圆T的、作为基板保持部的保持盘300。保持盘300吸附保持重合晶圆T中的下晶圆S的背面Sb的中央部。此外，保持盘300的直径例如为重合晶圆T的直径的一半以下。
在保持盘300形成有沿径向(Y轴方向)从保持盘300的中心部延伸到外端部的切口部301。切口部301形成为能够供后述的整体厚度测定部330的下传感器332进退。
保持盘300构成为绕铅垂轴自如旋转，并且沿水平方向自如移动。在保持盘300的下方设置有使该保持盘300旋转的旋转机构310。在旋转机构310内置有例如马达等驱动部(未图示)。旋转机构310被支承构件311支承。支承构件311安装于沿水平方向(Y轴方向)延伸的导轨312。支承构件311构成为通过设置于导轨312的移动机构313来沿该导轨312自如移动。在移动机构313内置有例如马达等驱动部(未图示)。
在保持盘300的侧方(X轴负方向侧)设置有检测部320。检测部320用于调节磨削前的重合晶圆T的水平方向上的朝向和位置。检测部320具有向被保持盘300保持的上晶圆W的外周照射光并且接受该光的传感器。或者，检测部320可以具有对上晶圆W的外周进行拍摄的传感器。而且，一边使被保持盘300保持的重合晶圆T旋转，一边利用检测部320来检测上晶圆W的槽口部的位置，并且检测上晶圆W的中心部的位置。基于其检测结果，来对重合晶圆T的水平方向上的朝向进行调节(θ对准)，并对水平方向上的位置进行调节(X-Y对准)。
在保持盘300的上方和下方设置有整体厚度测定部330。整体厚度测定部330测定图7所示的重合晶圆T的整体厚度Ht。此外，由整体厚度测定部330测定出的重合晶圆T的整体厚度Ht、由部分厚度测定部220测定出的上晶圆W的厚度Hw被分别输出到控制装置110。在控制装置110中，计算从重合晶圆T的整体厚度Ht中减去上晶圆W的厚度Hw所得到的、上晶圆W以外的厚度Hs。该厚度Hs包含下晶圆S的厚度、器件层Dw、Ds的厚度以及表面膜Fw、Fs的厚度，但在下面的说明中，有时简化地称作下晶圆S的厚度Hs。
如图9～图11所示，整体厚度测定部330具有上传感器331和下传感器332。上传感器331配置于被保持盘300保持的重合晶圆T的上方，测定从上传感器331到上晶圆W的背面Wb为止的距离。下传感器332配置于被保持盘300保持的重合晶圆T的下方，测定从下传感器332到下晶圆S的背面Sb为止的距离。另外，上传感器331和下传感器332在同一坐标轴上相向地配置，上传感器331的测定点和下传感器332的测定点在俯视下为相同的位置。而且，在整体厚度测定部330中，基于上传感器331与上晶圆W的背面Wb之间的距离、下传感器332与下晶圆S的背面Sb之间的距离来导出重合晶圆T的整体厚度Ht。
上传感器331和下传感器332分别通过保持盘300的沿水平方向的移动来相对于该保持盘300相对地移动。另外，下传感器332构成为相对于切口部301自如地相对进退。即，保持盘300沿水平方向移动，由此下传感器332相对于切口部301进入或退避。而且，整体厚度测定部330能够在多个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht。
通过整体厚度测定部330测定重合晶圆T的整体厚度Ht的测定点与通过上述部分厚度测定部220测定上晶圆W的厚度Hw的测定点相同。即，如图12所示，整体厚度测定部330例如沿径向在三个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht。测定点P1是上晶圆W的中心部。测定点P2是上晶圆W的中间部，是将上晶圆W的半径设为R的情况下的距中心部R/2的位置。测定点P3是上晶圆W的外周部。
如图12的(a)所示，在测定点P1处，在停止了保持盘300(重合晶圆T)的旋转的状态下，通过整体厚度测定部330来测定重合晶圆T的整体厚度Ht。此时，下传感器332进入切口部301。因而，为了避免下传感器332与保持盘300相干涉而不使保持盘300旋转。
如图12的(b)所示，在测定点P2处，一边使保持盘300旋转，一边通过整体厚度测定部330来沿周向在多个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht。此时，由于保持盘300的直径为重合晶圆T的直径的一半以下且下传感器332已从切口部301退避，因此即使使保持盘300旋转，下传感器332与保持盘300也不会发生干涉。然后，计算在测定点P2测定出的周向的多个点的移动平均值，并将其设为该测定点P2处的重合晶圆T的整体厚度Ht。此外，测定点P2处的重合晶圆T的整体厚度Ht也可以设为周向的多个点的移动中值。
如图12的(c)所示，在测定点P3处也与测定点P2同样地测定重合晶圆T的整体厚度Ht。
此外，在本实施方式的对准装置52中，保持盘300沿水平方向(Y轴方向)移动，整体厚度测定部330的上传感器331和下传感器332固定，但保持盘300与整体厚度测定部330相对地沿水平方向移动即可。例如，也可以是，保持盘300固定，上传感器331和下传感器332沿水平方向移动。或者，还可以是，保持盘300沿水平方向移动，并且上传感器331和下传感器332也沿水平方向移动。
接着，说明使用如以上这样构成的晶圆处理***1来进行的晶圆处理。在本实施方式中，在设置于晶圆处理***1的外部的接合装置(未图示)中将上晶圆W与下晶圆S接合，预先形成重合晶圆T。
首先，将收纳有多个重合晶圆T的盒C载置于搬入搬出站2的盒载置台10。接着，通过晶圆搬送装置40来取出盒C内的重合晶圆T，并将其搬送到第二清洗装置51。
在第二清洗装置51中，首先，通过保持机构200来保持重合晶圆T。接着，将清洗液喷嘴210配置于重合晶圆T的中心部上方，并将清洗刷211配置于重合晶圆T的中心部下方。然后，一边使重合晶圆T旋转，一边从清洗液喷嘴210向上晶圆W的背面Wb供给清洗液，来对该背面Wb进行旋转清洗。另外，在使清洗刷211与下晶圆S的背面Sb抵接的状态下从清洗液喷嘴(未图示)喷射清洗液，来对该背面Sb进行刷洗清洗(图13的步骤E1)。此外，在本实施方式的步骤E1中，清洗了背面Wb、Sb这两面，但至少清洗保持于保持盘72的一侧的背面Sb即可。
接着，使清洗液喷嘴210从重合晶圆T的上方退避，使清洗刷211从重合晶圆T的下方退避，并且将部分厚度测定部220配置于重合晶圆T的上方。然后，如图8所示那样使部分厚度测定部220依次移动至测定点P1、P2、P3，并通过该部分厚度测定部220来测定各测定点P1、P2、P3处的上晶圆W的厚度Hw(图13的步骤E2)。测定出的上晶圆W的厚度Hw(厚度Hw的分布)被输出到控制装置110。
接着，通过晶圆搬送装置40来将重合晶圆T搬送到对准装置52。在对准装置52中，首先在搬入搬出位置(原始位置)通过保持盘300来吸附保持重合晶圆T。接着，使保持盘300向检测部320侧移动。然后，一边使重合晶圆T旋转，一边利用检测部320来检测上晶圆W的槽口部的位置，并且检测上晶圆W的中心部的位置。基于其检测结果，来对重合晶圆T的水平方向上的朝向进行调节(θ对准)，并对水平方向上的位置也进行调节(X-Y对准)(图13的步骤E3)。
接着，使保持盘300向整体厚度测定部330侧移动。此时，如图12的(a)所示那样，整体厚度测定部330的上传感器331和下传感器332分别位于测定点P1。即，下传感器332进入切口部301。然后，在停止了重合晶圆T的旋转的状态下，通过整体厚度测定部330来测定测定点P1处的重合晶圆T的整体厚度Ht。
接着，如图12的(b)所示那样使保持盘300向Y轴正方向侧移动，来使上传感器331和下传感器332分别位于测定点P2。此时，下传感器332从切口部301退避。然后，一边使保持盘300旋转，一边通过整体厚度测定部330来沿周向在多个点测定测定点P2处的重合晶圆T的整体厚度Ht。并且，计算测定出的周向的多个点的移动平均值，并将其设为该测定点P2处的重合晶圆T的整体厚度Ht。
接着，如图12的(c)所示那样使保持盘300向Y轴正方向侧移动，来使上传感器331和下传感器332分别位于测定点3。然后，与测定点P2同样地测定测定点P3处的重合晶圆T的整体厚度Ht。通过这样，通过整体厚度测定部330来测定各测定点P1、P2、P3处的重合晶圆T的整体厚度Ht(图13的步骤E4)。像这样测定出的重合晶圆T的整体厚度Ht(整体厚度Ht的分布)被输出到控制装置110。
如以上那样，当步骤E3中的对准和步骤E4中的重合晶圆T的整体厚度Ht的测定结束时，使保持盘300移动至搬入搬出位置。
在控制装置110中，从在步骤E4中测定出的重合晶圆T的厚度Ht中减去在步骤E2中测定出的上晶圆W的厚度Hw，来计算下晶圆S的厚度Hs(图13的步骤E5)。此外，该厚度Hs如上述的那样包含下晶圆S的厚度、器件层Dw、Ds的厚度以及表面膜Fw、Fs的厚度。关于下晶圆S的厚度Hs，在各测定点P1、P2、P3处进行计算，由此得到下晶圆S的厚度Hs的分布。
另外，在控制装置110中，基于在步骤E5中计算出的下晶圆S的厚度Hs的分布，来控制加工装置70的加工位置A3处的倾斜调整部74。具体地说，基于下晶圆S的厚度Hs的分布来调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，使得与该下晶圆S接合的上晶圆W的精磨削后的面内厚度均匀(图13的步骤E6)。在下面的说明中，有时将该保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度的调整称作倾斜校正。
接着，重合晶圆T通过晶圆搬送装置60被搬送到加工装置70，并被交接到交接位置A0的保持盘72。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动至加工位置A1。然后，通过粗磨削单元80来对上晶圆W的背面Wb进行粗磨削(图13的步骤E7)。此时，一边使用接触式的厚度测定器(未图示)来测定重合晶圆T的整体厚度Ht，一边将上晶圆W磨削为期望的厚度。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动至加工位置A2。然后，通过半精磨削单元90来对上晶圆W的背面Wb进行半精磨削(图13的步骤E8)。此时，一边使用接触式的厚度测定器(未图示)来测定重合晶圆T的整体厚度Ht，一边磨削上晶圆W，之后，一边使用非接触式的厚度测定器(未图示)来测定上晶圆W的厚度Hw，一边磨削上晶圆W。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动至加工位置A3。然后，通过精磨削单元100来对上晶圆W的背面Wb进行精磨削(图13的步骤E9)。在该精磨削中，使用在步骤E6中被进行了倾斜校正后的保持盘72和精磨削轮101。另外，此时，一边使用非接触式的厚度测定器(未图示)来测定上晶圆W的厚度Hw，一边将上晶圆W磨削为期望的厚度。
接着，使旋转台71旋转，来使重合晶圆T移动至交接位置A0。在交接位置A0，也可以通过清洗部(未图示)来对磨削后的上晶圆W的背面Wb进行清洗。
接着，加工装置70中的处理结束的重合晶圆T通过晶圆搬送装置60被搬送到第一清洗装置50。在第一清洗装置50中，进行与步骤E1同样的清洗。即，在通过保持机构200保持着重合晶圆T的状态下，使用清洗液喷嘴210来对上晶圆W的背面Wb进行旋转清洗，并使用清洗刷211来对下晶圆S的背面Sb进行刷洗清洗。(图13的步骤E10)。
另外，在第一清洗装置50中进行与步骤E2同样的厚度测定。即，使用部分厚度测定部220来测定各测定点P1、P2、P3处的上晶圆W的厚度Hw(图13的步骤E11)。测定出的上晶圆W的厚度Hw(厚度Hw的分布)被输出到控制装置110。
此外，在第一清洗装置50中，按步骤E10中的重合晶圆T的清洗和步骤E11中的上晶圆W的厚度Hw的测定的顺序进行了这些处理。关于这点，从晶圆处理的生产率提高的观点出发，优选的是并行地进行这些重合晶圆T的清洗和上晶圆W的厚度测定。但是，在重合晶圆T的清洗处理的生产率不会使晶圆处理整体的生产率下降(不会产生影响)的情况下，上晶圆W的厚度测定也可以在重合晶圆T的清洗之前或之后实施。
在控制装置110中，基于在步骤E11中测定出的上晶圆W的厚度Hw的分布来控制加工装置70的加工位置A3处的倾斜调整部74。具体地说，基于磨削后的上晶圆W的厚度Hw的分布来调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，以使得下一个进行处理的上晶圆W的精磨削后的面内厚度均匀(图13的步骤E12)。即，在步骤E12中，在对第n张(n为1以上的整数)重合晶圆T进行步骤E1～E11之后，为了进行第n+1张重合晶圆T(上晶圆W)的磨削，而在加工位置A3调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度。
接着，重合晶圆T通过晶圆搬送装置40被搬送到蚀刻处理装置30。在蚀刻处理装置30中，对上晶圆W的背面Wb和下晶圆S的背面Sb进行湿蚀刻处理(清洗处理)(图13的步骤E13)。
之后，被实施了全部的处理后的重合晶圆T通过晶圆搬送装置40被搬送到盒载置台10的盒C。通过这样，晶圆处理***1中的一系列的晶圆处理结束。
此外，在晶圆处理***1中，有时并行地进行针对第n张重合晶圆T的处理和针对第n+1张重合晶圆T的处理。在该情况下，对第n张重合晶圆T进行步骤E1～E11，并在步骤E12中进行第n+1张上晶圆W的磨削用的倾斜校正。另一方面，对第n+1张重合晶圆T进行步骤E1～E5，并在步骤E6中进行第n+1张上晶圆W的磨削用的倾斜校正。像这样在第n张的步骤E12和第n+1张的步骤E6中对相同的第n+1张上晶圆W进行磨削用的倾斜校正。因此，在这样的情况下，基于在步骤E11中测定出的第n张上晶圆W的厚度Hw和在步骤E5中计算出的第n+1张下晶圆S的厚度Hs，来调整加工位置A3处的保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度。
根据以上的实施方式的对准装置52，由于在保持重合晶圆T的中央部的保持盘300形成有从中心部沿径向延伸到外端部以供整体厚度测定部330自如地相对进退的切口部301，因此能够进行上述步骤E4。即，在如图12的(a)所示那样使下传感器332进入切口部301且停止了保持盘300的旋转的状态下测定重合晶圆T的测定点P1处的整体厚度Ht。另外，在如图12的(b)、(c)所示那样使下传感器332从切口部301退避且使保持盘300旋转的状态下测定重合晶圆T的测定点P2、P3处的整体厚度Ht。因而，能够在多个点测定重合晶圆T的整体厚度Ht。
另外，在本实施方式中，基于在步骤E5中计算出的下晶圆S的厚度Hs来在步骤E6中调整保持盘72的表面与精磨削轮101的表面之间的平行度，因此能够使该上晶圆W的精磨削后的面内厚度均匀。
另外，在本实施方式中，利用对准装置52来进行步骤E4中的重合晶圆T的整体厚度Ht的测定，没有另外设置测定装置。因而，能够简化晶圆处理***1的结构，也能够使设备成本低廉化。
另外，在本实施方式中，利用对准装置52来进行步骤E4中的重合晶圆T的整体厚度Ht的测定，因此能够消除例如另外设置厚度测定装置的情况下的、伴随装置间搬送而产生的重合晶圆T的位置偏移。
此外，在以上的实施方式中，在第一清洗装置50和第二清洗装置51中分别设置部分厚度测定部220，在对准装置52中设置整体厚度测定部330，但设置部分厚度测定部220和整体厚度测定部330的装置不限定于此。例如，也可以将部分厚度测定部220设置于对准装置52，将整体厚度测定部330设置于第二清洗装置51。
并且，在以上的实施方式中，在对准装置52中设置整体厚度测定部330，但设置该整体厚度测定部330的装置不被限定。例如，在晶圆处理***1的装置结构上设置有重合晶圆T的临时放置处(缓冲部)的情况下，也可以在该临时放置处设置整体厚度测定部330。
或者，也可以将部分厚度测定部220和整体厚度测定部330的双方设置于一个准装置520，在该一个对准装置520中测定磨削前的重合晶圆T中的上晶圆W的厚度Hw和包括该上晶圆W在内的重合晶圆T的整体厚度Ht。另外，还可以在晶圆处理***1中设置其它对准装置530，在该其它对准装置530中设置有测定磨削后的重合晶圆T中的上晶圆W的厚度Hw的部分厚度测定部220。在该情况下，一个对准装置520和其它对准装置530能够在第二处理块G2中与第一清洗装置50及第二清洗装置51层叠地配置。
下面，参照附图来说明一个对准装置和其它对准装置的结构例。此外，在一个准装置和其它对准装置的结构中，通过对具有与图9及图10所示的对准装置52实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，来省略重复说明。
如图14和图15所示，一个对准装置520具有用于保持重合晶圆T的保持盘300。保持盘300的结构与图9所示的设置于对准装置52的保持盘300的结构相同。即，保持盘300的直径例如为重合晶圆T的直径的一半以下，并从中心部到外端部为止形成有供整体厚度测定部330的下传感器332进退的切口部301。另外，保持盘300构成为通过旋转机构310来绕铅垂轴自如旋转，并且被支持构件311支承并通过移动机构313来沿导轨312在水平方向上自如移动。
在保持盘300的侧方(X轴负方向侧)设置有检测部320。检测部320的结构也与设置于对准装置52的检测部320的结构相同，用于调节磨削前的重合晶圆T的水平方向上的朝向和位置。
在保持盘300的上方和下方设置有整体厚度测定部330。整体厚度测定部330的结构也与设置于对准装置52的检测部320的结构相同，具有上传感器331和下传感器332。上传感器331和下传感器332分别通过保持盘300的沿水平方向的移动来相对于该保持盘300相对地移动。另外，下传感器332构成为相对于切口部301自如地相对进退。
另外，在保持盘300的上方除了对准装置52的结构以外还设置有部分厚度测定部521。部分厚度测定部521的结构与图5及图6所示的设置于第一清洗装置50的部分厚度测定部220的结构相同。即，具有以不与上晶圆W接触的方式测定该上晶圆W的厚度的部分厚度传感器，基于对上晶圆W照射的光的、从上晶圆W的表面Wa反射的反射光和从背面Wb反射的反射光来测定上晶圆W的厚度Hw。
此外，如图14所示，在一个对准装置520中，检测部320和部分厚度测定部521的部分厚度传感器分别在Y轴方向(保持盘300的驱动方向)上设置于相同位置。由此，能够在通过检测部320得到的重合晶圆T的对准位置，同时或连续地通过部分厚度测定部521来进行上晶圆W的中心部处的厚度Hw的测定，因此能够缩短部分厚度测定部532中的晶圆处理的时间。
另外，如图14所示，在一个对准装置520的X轴负方向侧的侧壁面设置有第一挡板522。第一挡板522构成为通过驱动机构523来将重合晶圆T的搬送口自如开闭。而且，通过该第一挡板522打开，一个对准装置520与第一处理块G1的内部连通，通过晶圆搬送装置40来进行重合晶圆T的搬入搬出。
另外，在一个对准装置520的Y轴负方向侧的侧壁面设置有第二挡板524。第二挡板524构成为通过驱动机构525来将重合晶圆T的搬送口自如开闭。而且，通过该第二挡板524打开，一个对准装置520与第二处理块G2的内部连通，通过晶圆搬送装置60来进行重合晶圆T的搬入搬出。
在一个对准装置520的下部连接有排气部526。排气部526具有设置于导轨312等驱动部分的下方的排气路径527和与该排气路径527连接的真空泵等排气机构528。排气部526通过排气机构528的动作，来将例如由于保持盘300的旋转、移动等驱动而产生的微粒等排出到一个对准装置520的外部。
另外，排气部526构成为能够对一个对准装置520的处理空间进行排气(减压)。将一个对准装置520的内部压力控制为保持在比第一处理块G1的内部压力低且比第二处理块G2的内部压力高的压力。换言之，在一个对准装置520中，在打开第一挡板522时气流从第一处理块G1流入，在打开第二挡板524时气流向第二处理块G2流出。由此，抑制由于加工装置70中的磨削处理而产生的微粒等流入一个对准装置520的内部，并且抑制微粒等流出到作为清洁空间的第一处理块G1(盒C)侧。
接着，对其它对准装置530的结构进行说明。如图16和图17所示，其它对准装置530具有用于保持重合晶圆T的保持盘531。保持盘531吸附保持重合晶圆T中的下晶圆S的背面Sb的中央部。此外，保持盘531的直径例如比一个对准装置520具备的保持盘300的直径大，也可以为重合晶圆T的直径的一半以上。
在其它对准装置530中，进行磨削后的上晶圆W的厚度Hw、换言之为比一个对准装置520中的磨削前的上晶圆W的厚度Hw小的厚度Hw的测定。因此，通过像这样利用直径比保持盘300大的保持盘531吸附保持重合晶圆T，来抑制通过磨削而被薄化的重合晶圆T产生翘曲。
保持盘531构成为通过旋转机构310来绕铅垂轴自如旋转，并且被支承构件311支承并通过移动机构313来沿导轨312在水平方向上自如移动。另外，在保持盘531的侧方(X轴负方向侧)设置有检测部320，用于调节磨削后的重合晶圆T的水平方向上的朝向及位置，并且检测上晶圆W的中心部的位置。此外，在其它对准装置530中，通过检测部320来调节磨削处理后的重合晶圆T的水平方向上的朝向及位置，但例如在重合晶圆T的水平方向上的朝向、位置在进行该重合晶圆T的磨削处理、搬送时没有产生偏移的情况下，也可以省略通过该检测部320进行的重合晶圆T的水平方向上的朝向及位置的调整。
在保持盘531的上方设置有测定磨削后的上晶圆W的厚度Hw的部分厚度测定部532。部分厚度测定部532的结构与设置于一个对准装置520的部分厚度测定部220的结构相同，但由于在其它对准装置530中进行磨削后的上晶圆W的厚度Hw的测定，换言之进行比一个对准装置520中的磨削前的上晶圆W的厚度Hw小的厚度Hw的测定，因此在部分厚度测定部532设置相比于部分厚度测定部521能够测定更小厚度的部分厚度传感器。
此外，如图16所示，在其它对准装置530中，检测部320和部分厚度测定部532的部分厚度传感器分别在Y轴方向(保持盘300的驱动方向)上设置于相同的位置。由此，能够在通过检测部320得到的重合晶圆T的对准位置，同时或连续地通过部分厚度测定部532来进行上晶圆W的中心部处的厚度Hw的测定，因此能够缩短部分厚度测定部532中的晶圆处理的时间。
此外，在其它对准装置530中没有如上述的那样进行重合晶圆T的整体厚度Ht的测定。因此，在其它对准装置530中，没有如一个对准装置520那样设置整体厚度测定部330。另外，由于像这样在其它对准装置530中没有设置整体厚度测定部330(下传感器332)，因此如图示的那样，也可以不在保持盘531形成用于使下传感器332进入的切口部。
另外，如图16所示，在其它对准装置530的侧壁面设置有第一挡板533。第一挡板533构成为通过驱动机构534来将重合晶圆T的搬送口自如开闭。而且，通过该第一挡板533打开，其它对准装置530与第一处理块G1的内部连通，通过晶圆搬送装置40来进行重合晶圆T的搬入搬出。
此外，在其它对准装置530中，不通过第二处理块G2的晶圆搬送装置60来进行重合晶圆T的搬入搬出，仅通过第一处理块G1的晶圆搬送装置40来进行重合晶圆T的搬入搬出。即，在其它对准装置530中没有形成第二处理块G2侧的重合晶圆T的搬送口，没有设置第二处理块G2侧的第二挡板。如上述的那样在其它对准装置530中测定磨削后的上晶圆W的厚度Hw，但像这样省略第二处理块G2侧的第二挡板，而仅通过晶圆搬送装置40来进行重合晶圆T的搬入搬出，由此防止由于加工装置70中的磨削处理而产生的微粒等流入其它对准装置530的内部。
另外，在其它对准装置530的下部设置有排气部535。排气部535具有排气路径536和真空泵等排气机构537。由此，构成为能够将例如由于保持盘531的旋转、向水平方向的移动等而产生的微粒等排出到其它对准装置530的外部，并且能够对其它对准装置530的内部压力进行减压。其它对准装置530的内部压力被控制为例如保持在比第一处理块G1的内部压力低的压力。换言之，在其它对准装置530中，在打开第一挡板533时气流从第一处理块G1流入，抑制微粒等向作为清洁空间的第一处理块G1(盒C)侧流出。
一个对准装置520和其它对准装置530如以上那样构成。像这样，也可以通过独立地设置于加工装置70的外部的一个对准装置520和其它对准装置530来分别进行磨削前后的上晶圆W的厚度Hw和重合晶圆T的整体厚度Ht的测定。在该情况下，一个对准装置520和其它对准装置530能够分别作为本公开的技术所涉及的“厚度测定装置”发挥功能。
此外，如上述的那样，在重合晶圆T的水平方向上的朝向、位置在进行该重合晶圆T的磨削处理、搬送时没有产生偏移的情况下，能够省略其它对准装置530中的重合晶圆T的水平方向上的朝向和位置的调整。然而，在像这样明确重合晶圆T的水平方向上的朝向、位置没有产生偏移的情况下，也可以从其它对准装置530中省略检测部320。换言之，也可以在晶圆处理***1中独立地配置用于测定磨削处理后的重合晶圆T中的上晶圆W的厚度He的厚度测定装置。
此外，在以上的实施方式的晶圆处理***1中，以对上晶圆W与下晶圆S接合而成的重合晶圆T中的上晶圆W进行磨削来使其薄化的情况为例进行了说明，但被薄化的上晶圆W也可以不与下晶圆S接合。
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而不是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的范围内，也可以以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
52：对准装置；300：保持盘；301：切口部；310：旋转机构；313：移动机构；330：整体厚度测定部；S：下晶圆；T：重合晶圆；W：上晶圆。

Claims (14)

1.一种厚度测定装置，用于测定基板的厚度，所述厚度测定装置具备：
基板保持部，其保持所述基板的中央部；
测定部，其测定被所述基板保持部保持的所述基板的厚度；以及
移动机构，其使所述基板保持部和所述测定部相对地沿水平方向移动，
其中，在所述基板保持部形成有切口部，所述切口部从该基板保持部的中心部沿径向延伸到外端部，以供所述测定部自如地相对进退。
2.根据权利要求1所述的厚度测定装置，其中，还具备：
旋转机构，其使所述基板保持部旋转；以及
控制部，其控制所述基板保持部、所述旋转机构、所述测定部以及所述移动机构，
其中，所述控制部执行以下控制：
通过所述测定部来沿径向在多个点测定所述基板的厚度；
在使所述测定部进入所述切口部并且停止了所述基板保持部的旋转的状态下，测定所述基板的中心部处的厚度；以及
在使所述测定部从所述切口部退避并且通过所述旋转机构使所述基板保持部旋转的状态下，沿周向在多个点测定所述基板的比中心部靠径向外侧的外周部处的厚度。
3.根据权利要求2所述的厚度测定装置，其中，
所述控制部执行以下控制：计算在所述基板的外周部测定出的周向的多个点的厚度的移动平均值或移动中值。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的厚度测定装置，其中，
所述测定部具备：
上传感器，其配置于被所述基板保持部保持的所述基板的上方，测定到该基板的上表面为止的距离；以及
下传感器，其配置于被所述基板保持部保持的所述基板的下方，测定到该基板的下表面为止的距离，
其中，所述下传感器形成为相对于所述切口部自如地相对进退。
5.根据权利要求4所述的厚度测定装置，其中，
所述上传感器与所述下传感器相向地配置。
6.根据权利要求4或5所述的厚度测定装置，其中，
所述基板是第一基板与第二基板接合而成的重合基板，
所述测定部测定所述重合基板的整体厚度。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的厚度测定装置，其中，
所述基板是第一基板与第二基板接合而成的重合基板，
所述测定部具备测定所述重合基板中的第一基板的厚度的部分厚度传感器。
8.一种厚度测定方法，使用厚度测定装置来测定基板的厚度，其中，
所述厚度测定装置具备：
基板保持部，其保持所述基板的中央部；
测定部，其测定被所述基板保持部保持的所述基板的厚度；以及
移动机构，其使所述基板保持部和所述测定部相对地沿水平方向移动，
其中，在所述基板保持部形成有切口部，所述切口部从该基板保持部的中心部沿径向延伸到外端部，以供所述测定部自如地相对进退，
所述厚度测定方法包括：
通过所述测定部来沿径向在多个点测定所述基板的厚度；
在使所述测定部进入所述切口部的状态下，测定所述基板的中心部处的厚度；以及
在使所述测定部从所述切口部退避的状态下，测定所述基板的比中心部靠径向外侧的外周部处的厚度。
9.根据权利要求8所述的厚度测定方法，其中，
所述厚度测定装置具备使所述基板保持部旋转的旋转机构，
所述厚度测定方法包括：
在使所述测定部进入所述切口部并且停止了所述基板保持部的旋转的状态下，测定所述基板的中心部处的厚度；以及
在使所述测定部从所述切口部退避并且通过所述旋转机构使所述基板保持部旋转的状态下，沿周向在多个点测定所述基板的外周部处的厚度。
10.根据权利要求9所述的厚度测定方法，其中，包括：
计算在所述基板的外周部测定出的周向的多个点的厚度的移动平均值或移动中值。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的厚度测定方法，其中，
所述测定部具备：
上传感器，其配置于被所述基板保持部保持的所述基板的上方，测定到该基板的上表面为止的距离；以及
下传感器，其配置于被所述基板保持部保持的所述基板的下方，测定到该基板的下表面为止的距离，
其中，所述下传感器形成为相对于所述切口部自如地相对进退，
基于所述上传感器的测定结果和所述下传感器的测定结果，来测定所述基板的整体厚度。
12.根据权利要求11所述的厚度测定方法，其中，
所述上传感器与所述下传感器相向地配置。
13.根据权利要求11或12所述的厚度测定方法，其中，
所述基板是第一基板与第二基板接合而成的重合基板，
通过所述测定部来测定所述重合基板的整体厚度。
14.根据权利要求8至13中的任一项所述的厚度测定方法，其中，
所述基板是第一基板与第二基板接合而成的重合基板，
所述测定部具备测定所述重合基板中的第一基板的厚度的部分厚度传感器，
通过所述测定部来测定所述重合基板中的第一基板的厚度。
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