CN116013929A - 显示设备 - Google Patents

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CN116013929A
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driving
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driving voltage
display device
electrode
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崔昇柱
崔汶根
朴景薰
李贤敏
任规赫
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示设备，所述显示设备包括：基底；驱动电压线，在基底上，并且在第一方向上延伸；第一导电层，与驱动电压线在同一层，并且与驱动电压线间隔开；第一绝缘层，覆盖驱动电压线和第一导电层；驱动晶体管，在第一绝缘层上，并且包括与第一导电层叠置的驱动栅电极和驱动半导体层；以及连接构件，将驱动电压线和驱动半导体层彼此电连接，其中，在平面图中，驱动半导体层的边缘与第一导电层的边缘接触或在第一导电层的边缘内侧。

Description

显示设备
本申请要求于2021年10月21日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0141362号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备。
背景技术
随着视觉地表示各种类型的电信号信息的显示器领域已经快速发展，已经引入了具有诸如薄、轻重量和低功耗的优异特性的各种显示设备。
显示设备包括各种类别或技术，各种类别和技术包括例如使用背光的光而不自发光的液晶显示设备或包含能够自发光的显示元件的发光显示设备。发光显示设备可以包括包含发射层的显示元件。
在该背景技术部分中公开的上方信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备，并且例如涉及发光显示设备的结构。
另外的方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将通过描述而变得明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例来习知。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底；驱动电压线，布置在基底上，并且在第一方向上延伸；第一导电层，与驱动电压线布置在同一层，并且与驱动电压线间隔开；第一绝缘层，覆盖驱动电压线和第一导电层；驱动晶体管，布置在第一绝缘层上，并且包括与第一导电层叠置的驱动栅电极和驱动半导体层；以及连接构件，将驱动电压线和驱动半导体层彼此电连接，其中，在平面图中，驱动半导体层的边缘与第一导电层的边缘接触或布置在第一导电层的边缘内侧。
根据一些实施例，连接构件可以与驱动栅电极布置在同一层。
根据一些实施例，显示设备还可以包括电连接到驱动晶体管的电容器，其中，电容器可以包括：第一电容器电极；第二电容器电极，布置在第一电容器电极上方，并且与第一电容器电极叠置；以及第三电容器电极，布置在第一电容器电极下方，并且与第一电容器电极叠置，并且其中，第三电容器电极可以是第一导电层。
根据一些实施例，连接构件可以与第二电容器电极布置在同一层。
根据一些实施例，第一电容器电极可以与驱动栅电极是一体的。
根据一些实施例，第一导电层可以经由接触孔连接到第二电容器电极。
根据一些实施例，连接构件可以布置在驱动电压线上方，并且可以包括与驱动电压线叠置的第一部分和从第一部分突出的第二部分，并且其中，第一部分在第一方向上的第一长度可以大于第二部分在第一方向上的第二长度。
根据一些实施例，显示设备还可以包括布置在驱动电压线上方且与驱动电压线叠置的子线，其中，连接构件可以布置在驱动电压线和子线上方，并且可以包括与驱动电压线叠置的第一部分和从第一部分突出的第二部分，并且其中，第一部分在第一方向上的第一长度可以大于第二部分在第一方向上的第二长度。
根据一些实施例，连接构件可以经由接触孔连接到驱动电压线。
根据一些实施例，在平面图中，驱动栅电极可以包括沿着驱动半导体层的沟道区在第一方向或与第一方向交叉的第二方向上突出的形状。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底；相邻共电压线，在基底上彼此间隔开，并且在第一方向上延伸；驱动电压线，布置在相邻共电压线之间，并且在第一方向上延伸；相邻辅助线，电连接到相邻共电压线或驱动电压线，彼此间隔开，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个像素电路，在平面图中布置在由相邻共电压线和相邻辅助线围绕的区域中，其中，多个像素电路之中的第一像素电路包括：第一导电层，与驱动电压线布置在同一层，并且与驱动电压线间隔开；第一驱动晶体管，与第一导电层绝缘，并且包括与第一导电层叠置的第一驱动栅电极和第一驱动半导体层；以及连接构件，将驱动电压线和第一驱动半导体层彼此电连接，其中，在平面图中，第一驱动半导体层的边缘与第一导电层的边缘接触或布置在第一导电层的边缘内侧。
根据一些实施例，显示设备还可以包括布置在相邻共电压线之间且在第一方向上延伸的数据线，其中，第一像素电路还可以包括电连接到第一驱动晶体管和数据线的第一开关晶体管。
根据一些实施例，显示设备还可以包括布置在相邻共电压线之间且在第一方向上延伸的感测线，其中，第一像素电路还可以包括电连接到第一驱动晶体管和感测线的第一感测晶体管。
根据一些实施例，显示设备还可以包括电连接到第一驱动晶体管的电容器，其中，电容器可以包括：第一电容器电极；第二电容器电极，布置在第一电容器电极上方，并且与第一电容器电极叠置；以及第三电容器电极，布置在第一电容器电极下方，并且与第一电容器电极叠置，并且其中，第三电容器电极可以是第一导电层。
根据一些实施例，连接构件可以与第二电容器电极布置在同一层。
根据一些实施例，第一电容器电极可以与第一驱动栅电极是一体的。
根据一些实施例，第一导电层可以经由接触孔连接到第二电容器电极。
根据一些实施例，连接构件可以布置在驱动电压线上方，并且可以包括与驱动电压线叠置的第一部分和从第一部分突出的第二部分，其中，第一部分在第一方向上的第一长度可以大于第二部分在第一方向上的第二长度。
根据一些实施例，显示设备还可以包括布置在驱动电压线上方且与驱动电压线叠置的子线，其中，连接构件可以布置在驱动电压线和子线上方，并且可以包括与驱动电压线叠置的第一部分和从第一部分突出的第二部分，并且其中，第一部分在第一方向上的第一长度可以大于第二部分在第一方向上的第二长度。
根据一些实施例，连接构件可以经由接触孔连接到驱动电压线。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的特定实施例的上方和其他方面、特征及特性将更加明显，在附图中：
图1A是根据一些实施例的显示设备的示意性透视图；
图1B是沿着图1A的线II-II’截取的根据一些实施例的显示设备的剖视图；
图1C示出了图1B的颜色转换透射层的每个部分；
图2是示出包括在根据一些实施例的显示设备的发光面板中的发光二极管和电连接到发光二极管的像素电路的等效电路图；
图3A是示出根据一些实施例的显示设备的发光面板的像素电路的平面图；
图3B是连接到图3A的像素电路的发光二极管的平面图；
图4是图3B的区域XIIa的放大平面图；
图5是沿着图3B的线V-V’截取的发光面板的剖视图；
图6是沿着图4的线A-A’截取的发光面板的剖视图；
图7是示出根据一些实施例的显示设备的发光面板的像素电路的平面图；
图8是图7的区域XIIb的放大平面图；
图9是沿着图8的线B-B’截取的发光面板的剖视图；
图10是示出根据一些实施例的显示设备的发光面板的像素电路的平面图；以及
图11是沿着图10的线C-C’截取的发光面板的剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照在附图中示出的一些实施例的方面，其中同样的附图标记始终表示同样的元件。鉴于此，呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下方仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两个(种/者)、a和c两个(种/者)、b和c两个(种/者)、a、b和c全部或其变型。
由于本说明书允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中描述特定实施例。通过以下结合附图的一个或更多个实施例的详细描述，一个或更多个实施例的效果和特征以及实现其的方法将变得明显。然而，呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。
下方将参照附图更详细地描述一个或更多个实施例的方面。彼此相同或对应的那些元件都被赋予相同的附图标记而与附图编号无关，并且省略了其冗余描述。
虽然诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种元件，但这样的元件不必限于上方的术语。上方的术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
除非上下文另有明确说明，否则如这里使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”旨在也包括复数形式。
将理解的是，如这里所使用的术语“包括”、“包含”和“具有”指定存在所陈述的特征或元件，但不排除附加一个或更多个其他特征或元件。
还将理解的是，当层、区域或元件被称为在另一层、区域或元件上时，所述层、区域或元件可以直接或间接在所述另一层、区域或元件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或元件。
为了便于解释，附图中的元件的尺寸可能被夸大或缩小。例如，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
还将理解的是，当层、区域或元件被称为彼此连接时，所述层、区域或元件可以彼此直接连接，或者可以彼此间接连接且居间层、区域或元件在其间。例如，当层、区域或元件被称为彼此电连接时，所述层、区域或元件可以彼此直接电连接，或者可以彼此间接电连接且居间层、区域或元件在其间。
图1A是根据一些实施例的显示设备DV的示意性透视图。图1B是沿着图1A的线II-II’截取的根据一些实施例的显示设备的剖视图。图1C示出了图1B的颜色转换透射层的每个部分。
参照图1A，显示设备DV可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部(例如，在平面图中，在显示区域DA的***或占用区外部)的非显示区域NDA。显示设备DV可以通过二维地布置在显示区域DA中的多个像素的阵列来显示图像。
显示设备DV的每个像素是可以发射特定颜色的光的区域，显示设备DV可以通过使用从像素发射的光来提供图像。例如，每个像素可以发射红光、绿光或蓝光。
非显示区域NDA是不显示图像的区域，并且可以完全围绕显示区域DA。用于将电信号或电力提供到像素电路的驱动器或主电力线可以布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)，该垫是电子装置或印刷电路板可以电连接到其的区域。
如图1A中所示，显示区域DA可以具有包括四边形形状的多边形形状。例如，显示区域DA可以具有具备水平长度大于竖直长度的矩形形状、具备水平长度小于竖直长度的矩形形状或正方形形状。可选择地，显示区域DA可以具有诸如椭圆形形状或圆形形状的各种形状。
参照图1B，显示设备可以包括在厚度方向(例如，z方向)上堆叠的发光面板1和颜色面板2。发光面板1可以包括：第一基底10；第一像素电路PC1至第三像素电路PC3，在第一基底10上；以及第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3，分别连接到第一像素电路PC1至第三像素电路PC3。
在穿过颜色面板2时，从第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3发射的光(例如，蓝光Lb)可以被转换为红光Lr、绿光Lg和蓝光Lb，或者可以被透射。发射红光Lr的区域可以与红色像素Pr对应，发射绿光Lg的区域可以与绿色像素Pg对应，发射蓝光Lb的区域可以与蓝色像素Pb对应。
颜色面板2可以包括第二基底20和在第二基底20上的第一光阻挡层21。第一光阻挡层21可以包括通过去除与红色像素Pr、绿色像素Pg和蓝色像素Pb对应的部分而形成的多个孔。第一光阻挡层21可以包括定位在非像素区域NPA中的材料部分，并且该材料部分可以包括能够吸收光的各种材料。
第二光阻挡层22可以布置在第一光阻挡层21上。第二光阻挡层22也可以包括定位在非像素区域NPA中的材料部分。第二光阻挡层22可以包括能够吸收光的各种材料。第二光阻挡层22可以与上述第一光阻挡层21包括相同的材料，或者可以与第一光阻挡层21包括不同的材料。
第一光阻挡层21和/或第二光阻挡层22可以包括诸如氧化铬或氧化钼的不透明无机绝缘材料，或者诸如黑色树脂的不透明有机绝缘材料。
包括第一滤色器30a至第三滤色器30c的颜色层可以布置在第二基底20上。第一滤色器30a可以包括第一颜色(例如，红色)的颜料或染料。第二滤色器30b可以包括第二颜色(例如，绿色)的颜料或染料。第三滤色器30c可以包括第三颜色(例如，蓝色)的颜料或染料。
包括第一颜色转换部40a、第二颜色转换部40b和透射部40c的颜色转换透射层可以布置在颜色层与发光二极管LED1至LED3之间。
第一颜色转换部40a可以与第一滤色器30a叠置，并且可以将入射的蓝光Lb转换为红光Lr。如图1C中所示，第一颜色转换部40a可以包括第一光敏聚合物1151以及分散在第一光敏聚合物1151中的第一量子点1152和第一散射颗粒1153。
第一量子点1152可以被蓝光Lb激发以各向同性地发射具有比蓝光Lb的波长长的波长的红光Lr。第一光敏聚合物1151可以是透光有机材料。
第一散射颗粒1153可以使未被第一量子点1152吸收的蓝光Lb散射，以允许更多的第一量子点1152被激发，从而提高颜色转换效率。第一散射颗粒1153可以包括例如氧化钛(TiO2)或金属颗粒。第一量子点1152可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
第二颜色转换部40b可以与第二滤色器30b叠置，并且可以将入射的蓝光Lb转换为绿光Lg。如图1C中所示，第二颜色转换部40b可以包括第二光敏聚合物1161以及分散在第二光敏聚合物1161中的第二量子点1162和第二散射颗粒1163。
第二量子点1162可以被蓝光Lb激发，以各向同性地发射具有比蓝光Lb的波长长的波长的绿光Lg。第二光敏聚合物1161可以为透光有机材料。第二散射颗粒1163可以使未被第二量子点1162吸收的蓝光Lb散射，以允许更多的第二量子点1162被激发，从而提高颜色转换效率。第二散射颗粒1163可以包括例如氧化钛(TiO2)或金属颗粒。第二量子点1162可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。第二量子点1162可以与第一量子点1152包括相同的材料，鉴于此，第二量子点1162的尺寸可以大于第一量子点1152的尺寸。
透射部40c可以透射蓝光Lb。如图1C中所示，透射部40c可以包括其中分散有第三散射颗粒1173的第三光敏聚合物1171。第三光敏聚合物1171可以包括例如透光有机材料，诸如硅树脂、环氧树脂等，并且可以与第一光敏聚合物1151和第二光敏聚合物1161包括相同的材料。第三散射颗粒1173可以使蓝光Lb散射并发射蓝光Lb，并且可以与第一散射颗粒1153和第二散射颗粒1163包括相同的材料。
从发光面板1发射的蓝光Lb可以在穿过颜色转换透射层的同时进行颜色转换或透射，然后可以在穿过颜色层的同时具有改善的色纯度。例如，从发光面板1的第一发光二极管LED1发射的蓝光Lb可以穿过颜色面板2的第一颜色区域。蓝光Lb可以在穿过颜色面板2的同时被颜色面板2转换并过滤为红光Lr。第一颜色区域可以包括第一颜色转换部40a和第一滤色器30a的堆叠结构。
从发光面板1的第二发光二极管LED2发射的蓝光Lb可以穿过颜色面板2的第二颜色区域。蓝光Lb可以在穿过颜色面板2的同时被颜色面板2转换并过滤为绿光Lg。第二颜色区域可以包括第二颜色转换部40b和第二滤色器30b的堆叠结构。
从发光面板1的第三发光二极管LED3发射的蓝光Lb可以穿过颜色面板2的第三颜色区域。蓝光Lb可以在穿过颜色面板2的同时被颜色面板2透射和过滤。第三颜色区域可以包括透射部40c和第三滤色器30c的堆叠结构。
第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3可以包括包含有机材料的有机发光二极管。根据一些实施例，第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含基于无机半导体的材料的PN结二极管。当在正向方向上将电压施加到PN结二极管时，空穴和电子被注入，并且由空穴和电子的复合产生的能量可以被转换为光能，以发射特定颜色的光。上述无机发光二极管可以具有几微米至几百微米或几纳米至几百纳米的宽度。根据一些实施例，第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3可以是包括量子点的发光二极管。如上所述，第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
具有上述结构的显示设备可以包括移动电话、电视、广告牌、监视器、平板个人计算机(PC)、笔记本计算机等。
图2是示出包括在根据一些实施例的显示设备的发光面板中的发光二极管LED和电连接到发光二极管LED的像素电路PC的等效电路图。
参照图2，发光二极管(例如，发光二极管LED)的第一电极(例如，阳极)可以连接到像素电路PC，并且发光二极管LED的第二电极(例如，阴极)可以连接到被构造为提供共电源电压ELVSS的共电压线VSL。发光二极管LED可以以与从像素电路PC供应的电流对应的亮度发射光。
图2的发光二极管LED可以与图1B中所示的第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3中的每个对应，并且图2的像素电路PC可以与图1B中所示的第一像素电路PC1至第三像素电路PC3中的每个对应。
像素电路PC可以响应于数据信号来控制经由发光二极管LED从供应驱动电源电压ELVDD的驱动电压线VDL流到供应共电源电压ELVSS的共电压线VSL的电流。像素电路PC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。
第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的每个可以是包括由氧化物半导体构成的半导体层的氧化物半导体薄膜晶体管，或者是包括由多晶硅构成的半导体层的硅半导体薄膜晶体管。根据晶体管的类型，第一电极可以是源电极和漏电极中的一个，第二电极可以是源电极和漏电极中的另一个。
第一晶体管M1可以是驱动晶体管。第一晶体管M1的第一电极可以连接到被构造为供应驱动电源电压ELVDD的驱动电压线VDL，并且第一晶体管M1的第二电极可以连接到发光二极管LED的第一电极。第一晶体管M1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管M1可以响应于第一节点N1的电压来控制从供应驱动电源电压ELVDD的驱动电压线VDL流过发光二极管LED的电流。
第二晶体管M2可以是开关晶体管。第二晶体管M2的第一电极可以连接到数据线DL，并且第二晶体管M2的第二电极可以连接到第一节点N1。第二晶体管M2的栅电极可以连接到扫描线SL。当经由扫描线SL供应扫描信号时，第二晶体管M2可以导通，以将数据线DL和第一节点N1彼此电连接。
第三晶体管M3可以是初始化晶体管和/或感测晶体管。第三晶体管M3的第一电极可以连接到第二节点N2，并且第三晶体管M3的第二电极可以连接到初始化感测线ISL。第三晶体管M3的栅电极可以连接到控制线CL。
当经由控制线CL供应控制信号时，第三晶体管M3可以导通，以将初始化感测线ISL和第二节点N2彼此电连接。根据一些实施例，第三晶体管M3可以根据经由控制线CL接收的信号而导通，以传输来自初始化感测线ISL的初始化电压，并使发光二极管LED的第一电极初始化。根据一些实施例，当经由控制线CL供应控制信号时，第三晶体管M3可以导通，以感测发光二极管LED的特性信息。第三晶体管M3可以具有作为初始化晶体管和感测晶体管的两种上述功能，或者可以具有其中之一的功能。根据一些实施例，当第三晶体管M3具有作为初始化晶体管的功能时，初始化感测线ISL可以被称为初始化电压线，并且当第三晶体管M3具有作为感测晶体管的功能时，初始化感测线ISL可以被称为感测线。第三晶体管M3的初始化操作和感测操作可以各自单独地执行，或者可以同时执行。在下文中，为了便于说明，将更详细地描述其中第三晶体管M3具有初始化晶体管和感测晶体管的两种功能的情况。
存储电容器Cst可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。例如，存储电容器Cst的第一电容器电极可以连接到第一晶体管M1的栅电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极可以连接到发光二极管LED的第一电极。
尽管第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3在图2中被示出为NMOS晶体管，但根据本公开的实施例不限于此。例如，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一个可以是PMOS晶体管。
尽管图2示出了三个晶体管，但根据本公开的实施例不限于此。像素电路PC可以包括四个或更多个晶体管。
在下文中，示出了一个或更多个实施例包括三个晶体管，第一晶体管M1是驱动晶体管，第二晶体管M2是开关晶体管，第三晶体管M3是初始化感测晶体管。
图3A是示出根据一些实施例的显示设备的发光面板的像素电路的平面图。图3B是连接到图3A的像素电路的发光二极管的平面图。此外，图4是图3B的区域XIIa的放大平面图。根据一些实施例，图3B示出了其中发光二极管是有机发光二极管的情况。
参照图3A，共电压线VSL、驱动电压线VDL和初始化感测线ISL可以在第一方向y上延伸。多条数据线(例如，第一数据线DL1至第三数据线DL3)可以布置在第一方向y上。扫描线SL和控制线CL可以在与第一方向y交叉的第二方向x上延伸。
两条相邻共电压线VSL可以彼此间隔开，并且第一数据线DL1至第三数据线DL3、初始化感测线ISL和驱动电压线VDL可以布置在上述两条相邻共电压线VSL之间。初始化感测线ISL和驱动电压线VDL可以在彼此邻近的同时与一条共电压线VSL相邻。第一数据线DL1至第三数据线DL3可以在彼此邻近的同时与另一条共电压线VSL相邻。例如，初始化感测线ISL和驱动电压线VDL可以布置在下方描述的第一存储电容器Cst1至第三存储电容器Cst3的一侧(例如，左侧)上，并且第一数据线DL1至第三数据线DL3可以布置在第一存储电容器Cst1至第三存储电容器Cst3的另一侧(例如，右侧)上，并且可以通过这种结构有效地使用显示面板的空间。
辅助线AL可以例如在第二方向x上延伸，以与共电压线VSL和驱动电压线VDL交叉。辅助线AL可以彼此间隔开，且第一存储电容器Cst1至第三存储电容器Cst3在其间。根据一些实施例，第一辅助线AL1可以与扫描线SL相邻，第二辅助线AL2可以与控制线CL相邻。第一辅助线AL1可以经由第十六接触孔CT16电连接到共电压线VSL，第二辅助线AL2可以经由第十五接触孔CT15电连接到驱动电压线VDL。
显示面板可以包括其中图3A中所示的结构在第一方向y和第二方向x上重复的结构，因此，包括在显示面板中的多条辅助线AL和多条共电压线VSL可以在平面图中具有网状结构。同样，彼此电连接的多条辅助线AL和多条驱动电压线VDL可以在平面图中具有网状结构。
晶体管和存储电容器可以在平面图中布置在由邻近共电压线VSL和邻近辅助线AL围绕的基本上四边形的空间中。上述晶体管和存储电容器可以各自电连接到相应的发光二极管，鉴于此，图3B示出了第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的第一电极311、312和313各自电连接到相应的像素电路。
第一发光二极管LED1的第一电极311可以电连接到第一像素电路，第一像素电路可以包括第一驱动晶体管M11、第一开关晶体管M12、第一初始化感测晶体管M13和第一存储电容器Cst1。
第二发光二极管LED2的第一电极312可以电连接到第二像素电路，第二像素电路可以包括第二驱动晶体管M21、第二开关晶体管M22、第二初始化感测晶体管M23和第二存储电容器Cst2。
第三发光二极管LED3的第一电极313可以电连接到第三像素电路，第三像素电路可以包括第三驱动晶体管M31、第三开关晶体管M32、第三初始化感测晶体管M33和第三存储电容器Cst3。
第一存储电容器Cst1至第三存储电容器Cst3可以布置在一个方向(例如，第一方向y)上。第一存储电容器Cst1可以相对最靠近扫描线SL，第三存储电容器Cst3可以相对最远离扫描线SL(或最靠近控制线CL)，第二存储电容器Cst2可以布置在第一存储电容器Cst1与第三存储电容器Cst3之间。
第一驱动晶体管M11可以包括第一驱动半导体层A11和第一驱动栅电极G11。第一驱动半导体层A11可以包括1-1低电阻区域B11和2-1低电阻区域C11，第一沟道区(下文中，也称为“第一驱动沟道区”)可以在1-1低电阻区域B11与2-1低电阻区域C11之间。1-1低电阻区域B11和2-1低电阻区域C11是具有比第一沟道区低的电阻的区域，并且可以通过杂质掺杂工艺或导电化工艺形成。第一驱动栅电极G11可以与第一驱动半导体层A11的第一沟道区叠置。1-1低电阻区域B11和2-1低电阻区域C11中的一个可以与源区对应，并且另一个可以与漏区对应。
第一驱动半导体层A11的1-1低电阻区域B11和2-1低电阻区域C11中的一个可以连接到第一存储电容器Cst1，并且另一个可以连接到驱动电压线VDL。例如，1-1低电阻区域B11可以经由第一接触孔CT1连接到第一存储电容器Cst1的第二电容器电极CE2的一部分(例如，第二电容器电极CE2的第二子电极CE2t)。2-1低电阻区域C11可以经由第二接触孔CT2连接到第一连接构件NM1，第一连接构件NM1可以经由第十一接触孔CT11连接到驱动电压线VDL。2-1低电阻区域C11可以经由第一连接构件NM1连接到驱动电压线VDL。
参照图3A和图4，第一驱动晶体管M11和驱动电压线VDL经由第一连接构件NM1彼此电连接。第一连接构件NM1可以包括与驱动电压线VDL叠置的第一部分CM1和在第二方向x上从第一部分CM1突出的第二部分CM2，第一部分CM1在第一方向y上的长度d1可以大于第二部分CM2在第一方向y上的长度d2。
尽管图3A和图4示出了第一连接构件NM1的沿着第二方向x具有在第一方向y上相对恒定的长度的第二部分CM2，但根据本公开的实施例不限于此。第二部分CM2在第一方向y上的长度可以被不同地修改为例如在第二方向x上逐渐增大/减小、逐步增大/减小等。
第一驱动栅电极G11可以用作电容器电极。第一驱动栅电极G11可以与第一电容器电极CE1是一体的(或一体地形成为例如粘合一体材料或层)，并且可以与同第一驱动半导体层A11的第一沟道区叠置的部分对应。第一驱动栅电极G11可以具有沿着第一驱动半导体层A11的第一沟道区在第二方向x上从第一电容器电极CE1突出的形状。第一驱动栅电极G11可以与第一驱动半导体层A11的第一沟道区叠置，鉴于此，第一驱动沟道区的上侧可以是1-1低电阻区域B11，第一驱动沟道区的下侧可以与2-1低电阻区域C11对应。
第一连接构件NM1的第二部分CM2在第一方向y和第二方向x上的长度可以根据第一驱动栅电极G11和2-1低电阻区域C11的形状而变化。第二部分CM2在第一方向y上的长度可以大于2-1低电阻区域C11在第一方向y上的长度，第二部分CM2在第二方向x上的长度可以大于第一驱动栅电极G11在第二方向x上的突出长度。
第一开关晶体管M12可以包括第一开关半导体层A12和第一开关栅电极G12。第一开关半导体层A12可以包括1-2低电阻区域B12和2-2低电阻区域C12，第二沟道区可以在1-2低电阻区域B12与2-2低电阻区域C12之间。第一开关栅电极G12可以与第一开关半导体层A12的第二沟道区叠置。第一开关栅电极G12可以与扫描线SL的一部分(例如，在与扫描线SL交叉的方向上延伸的分支(在下文中称为第一分支SL-B)的一部分)对应。
扫描线SL可以包括第一开关晶体管M12至第三开关晶体管M32的栅电极。例如，扫描线SL可以包括在第一方向y上延伸的第一分支SL-B，并且第一分支SL-B的部分可以与第一开关晶体管M12至第三开关晶体管M32的栅电极对应。另外，第一分支SL-B可以与扫描线SL设置在不同层，并且可以经由第十四接触孔CT14电连接到扫描线SL，然而本公开的实施例不限于此。
第一开关半导体层A12的1-2低电阻区域B12和2-2低电阻区域C12中的一个可以电连接到第一数据线DL1，并且另一个可以电连接到第一存储电容器Cst1。例如，1-2低电阻区域B12可以经由第三接触孔CT3连接到第二连接构件NM2，并且第二连接构件NM2可以经由第四接触孔CT4连接到第一存储电容器Cst1的第一电容器电极CE1。因此，1-2低电阻区域B12可以通过第二连接构件NM2连接到第一存储电容器Cst1的第一电容器电极CE1。2-2低电阻区域C12可以经由第五接触孔CT5连接到第三连接构件NM3，并且第三连接构件NM3可以经由第六接触孔CT6连接到第一数据线DL1。2-2低电阻区域C12可以通过第三连接构件NM3连接到第一数据线DL1。
第一初始化感测晶体管M13可以包括第一初始化感测半导体层A13和第一初始化感测栅电极G13。第一初始化感测半导体层A13可以包括1-3低电阻区域B13和2-3低电阻区域C13，第三沟道区可以在1-3低电阻区域B13与2-3低电阻区域C13之间。第一初始化感测栅电极G13可以与第一初始化感测半导体层A13的第三沟道区叠置。
控制线CL可以包括第一初始化感测晶体管M13至第三初始化感测晶体管M33的栅电极。例如，控制线CL可以包括在第一方向y上延伸的分支(在下文中称为第二分支CL-B)，第二分支CL-B的部分可以与第一初始化感测晶体管M13至第三初始化感测晶体管M33的栅电极对应。第二分支CL-B可以在驱动电压线VDL与初始化感测线ISL之间延伸。另外，第二分支CL-B可以与控制线CL设置在不同层，并且可以经由第十三接触孔CT13电连接到控制线CL，然而，本公开的实施例不限于此。
第一初始化感测半导体层A13的1-3低电阻区域B13和2-3低电阻区域C13中的一个可以电连接到初始化感测线ISL，并且另一个可以电连接到第一存储电容器Cst1。例如，1-3低电阻区域B13可以经由第七接触孔CT7连接到第四连接构件NM4，并且第四连接构件NM4可以经由第八接触孔CT8连接到初始化感测线ISL。因此，1-3低电阻区域B13可以经由第四连接构件NM4电连接到初始化感测线ISL。2-3低电阻区域C13可以经由第九接触孔CT9电连接到第一存储电容器Cst1的第二电容器电极CE2的一部分(例如，第二电容器电极CE2的第二子电极CE2t)。
第一存储电容器Cst1可以包括至少两个电极。根据一些实施例，第一存储电容器Cst1可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。
第一电容器电极CE1可以与第一驱动栅电极G11是一体的(或一体地形成为例如粘合一体材料或层)。换句话说，第一电容器电极CE1可以包括第一驱动栅电极G11。可选择地，第一驱动栅电极G11可以包括第一电容器电极CE1。
第二电容器电极CE2可以包括布置在第一电容器电极CE1下方的第一子电极CE2b和布置在第一电容器电极CE1上方的第二子电极CE2t。第一子电极CE2b和第二子电极CE2t可以经由第十接触孔CT10彼此连接。
如图3B中所示，第一发光二极管LED1可以经由第一通孔VH1电连接到第一像素电路。例如，第一发光二极管LED1的第一电极311可以经由第一通孔VH1连接到(图3A的)第一存储电容器Cst1的第二子电极CE2t。
第二像素电路的第二驱动晶体管M21、第二开关晶体管M22和第二初始化感测晶体管M23可以与上述第一驱动晶体管M11、第一开关晶体管M12和第一初始化感测晶体管M13具有相同的结构。同样，第二存储电容器Cst2也可以与第一存储电容器Cst1具有相同的结构，并且如图3B中所示，第二发光二极管LED2可以经由第二通孔VH2电连接到第二像素电路。例如，第二发光二极管LED2的第一电极312可以经由第二通孔VH2连接到(图3A的)第二存储电容器Cst2的第二子电极。
第二驱动半导体层的1-1低电阻区域和1-2低电阻区域可以经由接触孔分别连接到第一连接构件NM1和(图3A的)第二存储电容器Cst2的第二子电极。第二开关半导体层的1-2低电阻区域和2-2低电阻区域可以经由接触孔分别连接到第五连接构件NM5和第六连接构件NM6。第五连接构件NM5可以经由接触孔连接到(图3A的)第二存储电容器Cst2的第一电容器电极，第六连接构件NM6可以经由接触孔连接到第二数据线DL2。第二初始化感测半导体层的1-3低电阻区域和2-3低电阻区域可以经由接触孔分别连接到第四连接构件NM4和(图3A的)第二存储电容器Cst2的第二子电极。
相似地，第三像素电路的第三驱动晶体管M31、第三开关晶体管M32和第三初始化感测晶体管M33可以与上述第一驱动晶体管M11、第一开关晶体管M12和第一初始化感测晶体管M13具有相同的结构。同样，第三存储电容器Cst3也可以与第一存储电容器Cst1具有相同的结构，如图3B中所示，第三发光二极管LED3可以经由第三通孔VH3电连接到第三像素电路。例如，第三发光二极管LED3的第一电极313可以经由第三通孔VH3连接到(图3A的)第三存储电容器Cst3的第二子电极。
第三驱动半导体层的1-2低电阻区域和2-1低电阻区域可以经由接触孔分别连接到第一连接构件NM1和(图3A的)第三存储电容器Cst3的第二子电极。第三开关半导体层的1-2低电阻区域和2-2低电阻区域可以经由接触孔分别连接到第七连接构件NM7和第八连接构件NM8。第七连接构件NM7可以经由接触孔连接到(图3A的)第三存储电容器Cst3的第一电容器电极，第八连接构件NM8可以经由接触孔连接到第三数据线DL3。第三初始化感测半导体层的1-3低电阻区域和2-3低电阻区域可以经由接触孔分别连接到第四连接构件NM4和(图3A的)第三存储电容器Cst3的第二子电极。
图3A示出了其中多个第一连接构件NM1连接到驱动电压线VDL的结构。多个第一连接构件NM1可以沿着驱动电压线VDL在第一方向y上彼此间隔开。多个第一连接构件NM1的第一部分CM1可以与驱动电压线VDL叠置，并且用作驱动电压线VDL的子线。根据一些实施例，第一子线s-VDL1可以在与驱动电压线VDL叠置的同时电连接到驱动电压线VDL，以便减小驱动电压线VDL的自电阻。根据一些实施例，第一部分CM1可以在从上方与第一子线s-VDL1叠置的同时经由第十二接触孔CT12电连接到第一子线s-VDL1。
相似地，第一子共电压线s-VSL1和第二子共电压线s-VSL2可以在与共电压线VSL叠置的同时电连接到共电压线VSL，以减小共电压线VSL的自电阻。
多个第一连接构件NM1的第二部分CM2可以经由接触孔分别连接到第一像素电路的第一驱动晶体管M11的第一驱动半导体层A11、第二像素电路的第二驱动晶体管M21的第二驱动半导体层和第三像素电路的第三驱动晶体管M31的第三驱动半导体层。
第一子线s-VDL1和第一子共电压线s-VSL1可以在与第一驱动栅电极G11和/或第一电容器电极CE1同一工艺期间一起形成，并且可以包括彼此相同的材料。第一连接构件NM1和第二子共电压线s-VSL2与第一存储电容器Cst1的第二子电极CE2t可以布置在同一层。
当通过将驱动晶体管的驱动半导体层与驱动电压线叠置来使漏极信号连接时，用于减小自电阻的子线的形成可能被限制在驱动半导体层与其叠置的驱动电压线上方的区域中。然而，根据一些实施例，因为驱动电压线VDL和第一驱动晶体管M11的第一驱动半导体层A11经由第一连接构件NM1彼此电连接，所以第一子线s-VDL1可以广泛地形成在驱动电压线VDL上方，因此，可以进一步减小驱动电压线VDL的自电阻以改善电压降和发热。
图5是沿着图3B的线V-V’截取的发光面板的剖视图。
第一基底10可以包括玻璃材料或树脂材料。玻璃材料可以包括主要包含SiO2的透明玻璃。树脂材料可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等的聚合物树脂。当第一基底10包括上述聚合物树脂时，第一基底10可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。
初始化感测线ISL、驱动电压线VDL和第一子电极CE2b可以布置在第一基底10上。初始化感测线ISL、驱动电压线VDL和第一子电极CE2b可以正好布置在第一基底10上，并且可以直接接触第一基底10。可选择地，绝缘层可以布置在初始化感测线ISL、驱动电压线VDL和第一子电极CE2b与第一基底10之间。初始化感测线ISL、驱动电压线VDL和第一子电极CE2b可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等的金属。
根据一些实施例，第一数据线DL1至第三数据线DL3(参照图3A)、共电压线VSL(参照图3A)以及第二存储电容器Cst2和第三存储电容器Cst3中的每个的第一子电极(参照图3A)与图5中所示的初始化感测线ISL、驱动电压线VDL和第一存储电容器Cst1的第一子电极CE2b可以布置在同一层，并且可以包括彼此相同的材料。第一子电极CE2b可以布置在第一驱动晶体管下方以用作屏蔽层，该屏蔽层防止或减少由于外部光和/或环境电信号引起的驱动晶体管的特性的劣化。
缓冲层201可以布置在彼此间隔开的初始化感测线ISL、驱动电压线VDL和第一子电极CE2b上，半导体层可以布置在缓冲层201上。鉴于此，图5示出了第一初始化感测晶体管M13的第一初始化感测半导体层A13在缓冲层201上。根据一些实施例，其他晶体管的半导体层也可以在缓冲层201上，并且可以包括彼此相同的材料。
半导体层可以包括诸如IGZO的氧化物基半导体材料。氧化物基半导体材料不限于上述IGZO，并且可以包括选自包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中的至少一种材料的氧化物。根据一些实施例，第一初始化感测半导体层A13可以包括硅基材料。
缓冲层201可以防止或减少杂质渗透到半导体层中。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
栅极绝缘层202在半导体层上。鉴于此，图5示出了栅极绝缘层202在第一初始化感测半导体层A13上。栅极绝缘层202可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料。栅极绝缘层202可以包括上述材料的单层或多层结构。
栅电极可以与对应的半导体层的沟道区叠置，且栅极绝缘层202在其间。鉴于此，图5示出了与第一初始化感测半导体层A13的沟道区叠置的第一初始化感测栅电极G13，且栅极绝缘层202在其间。第一初始化感测半导体层A13可以包括：沟道区，与第一初始化感测栅电极G13叠置；以及1-3低电阻区域B13和2-3低电阻区域C13，布置在沟道区的两侧上。第一初始化感测栅电极G13可以包括钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以包括包含上述材料的单层或多层结构。
层间绝缘层203可以在栅电极上。鉴于此，图5示出了第一存储电容器Cst1的第一电容器电极CE1和第一初始化感测栅电极G13上的层间绝缘层203。第一电容器电极CE1可以与第一驱动晶体管的第一驱动栅电极是一体的(或一体形成为例如粘合一体材料或层)。层间绝缘层203可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料。
另外，第二子电极CE2t和第一子初始化感测线s-ISL可以布置在层间绝缘层203上。第一子初始化感测线s-ISL可以与(图3A的)第四连接构件NM4对应。第一子初始化感测线s-ISL可以经由穿透层间绝缘层203的接触孔电连接到初始化感测线ISL。例如，第一子初始化感测线s-ISL可以经由穿透缓冲层201、栅极绝缘层202和层间绝缘层203的第八接触孔CT8电连接到初始化感测线ISL，第一子初始化感测线s-ISL的一部分可以经由穿透栅极绝缘层202和层间绝缘层203的第七接触孔CT7电连接到感测半导体层。鉴于此，第一子初始化感测线s-ISL经由第七接触孔CT7连接到第一初始化感测半导体层A13的1-3低电阻区域B13。第一初始化感测半导体层A13的2-3低电阻区域C13可以经由第九接触孔CT9电连接到第二电容器电极CE2的第二子电极CE2t。
层间绝缘层203上的扫描线SL、控制线CL、辅助线AL、第二电容器电极CE2的第二子电极CE2t和第一连接构件NM1至第八连接构件NM8可以彼此布置在同一层，并且可以包括彼此相同的材料。
过孔绝缘层205可以布置在第二子电极CE2t上。过孔绝缘层205可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括例如以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)为例的一般商业聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。
发光二极管的第一电极可以布置在过孔绝缘层205上。鉴于此，图5示出了布置在过孔绝缘层205上的第一发光二极管LED1的第一电极311。
具有使第一电极311的一部分暴露的开口的堤层207可以布置在第一电极311上，发射层321和第二电极331可以经由堤层207的开口与第一电极311叠置。第一电极311可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的透明导电氧化物。
根据一些实施例，第一电极311可以包括包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、其化合物或其混合物的反射膜。根据一些实施例，第一电极311还可以包括在上述反射膜上/下面且包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。根据一些实施例，第一电极311可以具有ITO层、Ag层和ITO层的三层结构。尽管图5示出了第一发光二极管LED1的第一电极311，但(图3B的)第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的第一电极312和313可以与第一发光二极管LED1的第一电极311布置在同一层，并且可以包括彼此相同的材料。
发射层321可以包括发射蓝光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。发射层321可以完全覆盖第一基底10。例如，发射层321可以形成为一体以完全覆盖上方参照图3B描述的(图3B的)第一发光二极管LED1至第三发光二极管LED3。第二电极331也可以完全覆盖第一基底10。
第二电极331可以是半透射电极或透射电极。第二电极331可以是包括包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、其化合物或其混合物的超薄金属的半透射电极。第二电极331可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的透明导电氧化物。
图6是沿着图4的线A-A’截取的发光面板的剖视图。
参照图6，驱动电压线VDL和与同驱动电压线VDL间隔开的导电层对应的第一子电极CE2b可以布置在第一基底10上。缓冲层201可以覆盖驱动电压线VDL和第一子电极CE2b，第一驱动晶体管M11(见图3A)的通过缓冲层201与第一子电极CE2b绝缘且与第一子电极CE2b叠置的第一驱动半导体层A11可以布置在缓冲层201上。
参照图6，驱动电压线VDL和/或第一子电极CE2b布置在缓冲层201下面，因此，缓冲层201可以具有与驱动电压线VDL和/或第一子电极CE2b的侧表面对应的台阶或倾斜部分。在这种情况下，在形成缓冲层201的工艺或后续工艺期间产生的异物可能集中在倾斜部分上。
当驱动晶体管的驱动半导体层延伸到驱动电压线VDL的上部并连接到驱动电压线VDL时，驱动晶体管的驱动半导体层可以形成在驱动电压线VDL和/或第一子电极CE2b的倾斜部分上。在这种情况下，由于布置在倾斜部分上的异物，在倾斜部分的上部上可能发生驱动半导体层与其他信号线之间的短路，因此可能发生亮点缺陷。
根据一个或更多个实施例，驱动电压线VDL和第一驱动晶体管M11的第一驱动半导体层A11可以经由第一连接构件NM1彼此电连接，第一驱动半导体层A11可以在平面图中布置在第一子电极CE2b内侧。例如，第一驱动半导体层A11的边缘可以在平面图中与第一子电极CE2b的边缘接触或布置在第一子电极CE2b的边缘内侧。因此，因为第一驱动半导体层A11没有形成在第一子电极CE2b的倾斜部分的上部上，所以可以防止或减少由于倾斜部分上的异物而在半导体层与其他信号线之间的短路的发生。因此，可以防止或减少早期亮点和渐进亮点缺陷的发生。
第一电容器电极CE1可以与下方的第一子电极CE2b叠置。第一存储电容器Cst1的第一电容器电极CE1可以与第一驱动晶体管M11的第一驱动栅电极G11是一体的(或一体形成为例如粘合一体材料或层)。
参照图6，第一驱动栅电极G11可以与第一驱动半导体层A11叠置，且第一驱动栅电极G11下面的栅极绝缘层202在其间。第一驱动半导体层A11的与第一驱动栅电极G11叠置的区域可以是第一驱动沟道区，第一驱动沟道区的与第一连接构件NM1叠置的一侧可以是2-1低电阻区域C11，并且相对侧可以与1-1低电阻区域B11对应。
第二子电极CE2t可以与第一子电极CE2b叠置，并且可以经由形成在层间绝缘层203中的接触孔连接到第一子电极CE2b。第一子电极CE2b和第二子电极CE2t可以具有相同的电压电平。
第一驱动半导体层A11的1-1低电阻区域B11可以经由形成在层间绝缘层203中的第一接触孔CT1连接到第二子电极CE2t的一部分，并且第一驱动半导体层A11的2-1低电阻区域C11可以经由形成在层间绝缘层203中的第二接触孔CT2连接到第一连接构件NM1。第一连接构件NM1可以经由形成在层间绝缘层203、栅极绝缘层202和缓冲层201中的第十一接触孔CT11连接到驱动电压线VDL，并因此与驱动电压线VDL可以具有相同的电压电平。
图7是示出根据一些实施例的发光面板的像素电路的平面图。图8是图7的区域XIIb的放大平面图。图9是沿着图8的线B-B’截取的发光面板的剖视图。在图7至图9中，与图3A至图6中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此，下方省略其重复描述。
参照图7至图9，第一驱动栅电极G11可以具有在第一方向y上从第一电容器电极CE1突出的形状。突出部分可以与第一驱动半导体层A11的第一沟道区叠置，第一驱动沟道区的右侧可以是1-1低电阻区域B11，第一驱动沟道区的左侧可以与2-1低电阻区域C11对应。
第一连接构件NM1的第二部分CM2在第一方向y和第二方向x上的长度可以根据第一驱动栅电极G11和2-1低电阻区域C11的形状而变化。第二部分CM2在第二方向x上的长度可以大于2-1低电阻区域C11在第二方向x上的长度，第二部分CM2在第一方向y上的长度可以大于第一驱动栅电极G11在第一方向y上的突出长度。
参照图9，驱动电压线VDL和与驱动电压线VDL间隔开的第一子电极CE2b可以布置在第一基底10上。缓冲层201可以覆盖驱动电压线VDL和第一子电极CE2b，第一驱动晶体管M11(见图8)的通过缓冲层201与第一子电极CE2b绝缘并与第一子电极CE2b叠置的第一驱动半导体层A11可以布置在缓冲层201上。栅极绝缘层202可以布置在第一驱动半导体层A11上，第一驱动栅电极G11可以在栅极绝缘层202上。层间绝缘层203可以在第一驱动栅电极G11上。第一连接构件NM1和第二子电极CE2t可以布置在层间绝缘层203上。
驱动电压线VDL和第一驱动半导体层A11可以经由第一连接构件NM1彼此电连接。第一连接构件NM1的第二部分CM2可以经由形成在层间绝缘层203中的第二接触孔CT2连接到第一驱动半导体层A11的2-1低电阻区域C11。第一驱动半导体层A11可以在平面图中布置在第一子电极CE2b内侧。例如，第一驱动半导体层A11的边缘可以在平面图中与第一子电极CE2b的边缘接触或布置在第一子电极CE2b的边缘内侧。因此，因为第一驱动半导体层A11没有形成在第一子电极CE2b的倾斜部分的上部上，所以可以防止或减少由于倾斜部分上的异物而在半导体层与其他信号线之间的短路的发生。因此，可以防止或减少早期亮点和渐进亮点缺陷的发生。
图10是示出根据一些实施例的显示设备的发光面板的像素电路的平面图。图11是沿着图10的线C-C’截取的发光面板的剖视图。在图10和图11中，与图3A至图6中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此，下方省略其重复描述。
图10和图11示出了将驱动电压线VDL和第一驱动晶体管M11的第一驱动半导体层A11电连接的第一连接构件NM1'。第一连接构件NM1'可以布置在驱动电压线VDL上方，并且可以包括与驱动电压线VDL叠置的第一部分CM1'和从第一部分CM1'突出的第二部分CM2'。第一部分CM1'在第一方向y上的长度d1'可以大于第二部分CM2'在第一方向y上的长度d2'。与图3A至图6不同，图10和图11中所示的第一连接构件NM1'可以与第一电容器电极CE1和第一驱动栅电极G11通过同一工艺形成，并且与第一电容器电极CE1和第一驱动栅电极G11可以包括相同的材料。
第一连接构件NM1'的第一部分CM1'可以与驱动电压线VDL叠置，并且用作驱动电压线VDL的子线。第一部分CM1'可以在从上方与驱动电压线VDL叠置的同时电连接到驱动电压线VDL。用于减小驱动电压线VDL的自电阻的第二子线可以进一步设置在第一连接构件NM1'上方。第二子线可以在从上方与第一连接构件NM1'叠置的同时电连接到第一连接构件NM1'。第二子线可以与第一存储电容器Cst1的第二子电极CE2t布置在同一层。
第一连接构件NM1'的第二部分CM2'可以布置在栅极绝缘层202上，鉴于此，栅极绝缘层202可以覆盖缓冲层201和第一驱动半导体层A11。第二部分CM2'可以经由形成在栅极绝缘层202中的接触孔连接到第一驱动半导体层A11的2-1低电阻区域C11。
在根据一个或更多个实施例的显示设备中，通过将驱动晶体管的半导体层布置为不偏离下导电层，可以防止或减少源极/漏极信号线之间发生的短路的情况，并且可以防止或减少亮点发生的情况。然而，根据本公开的实施例不受这些特性的限制。
应当理解的是，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常将被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
驱动电压线，设置在所述基底上，并且在第一方向上延伸；
第一导电层，与所述驱动电压线设置在同一层，并且与所述驱动电压线间隔开；
第一绝缘层，覆盖所述驱动电压线和所述第一导电层；
驱动晶体管，设置在所述第一绝缘层上，并且包括与所述第一导电层叠置的驱动栅电极和驱动半导体层；以及
连接构件，将所述驱动电压线和所述驱动半导体层彼此电连接，
其中，在平面图中，所述驱动半导体层的边缘与所述第一导电层的边缘接触或在所述第一导电层的所述边缘内侧。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接构件与所述驱动栅电极在同一层。
3.如权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括电连接到所述驱动晶体管的电容器，
其中，所述电容器包括：第一电容器电极；第二电容器电极，设置在所述第一电容器电极上方，并且与所述第一电容器电极叠置；以及第三电容器电极，设置在所述第一电容器电极下方，并且与所述第一电容器电极叠置，并且
其中，所述第三电容器电极是所述第一导电层。
4.如权利要求3所述的显示设备，其中，所述连接构件与所述第二电容器电极在同一层。
5.如权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极与所述驱动栅电极一体形成。
6.如权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一导电层经由接触孔连接到所述第二电容器电极。
7.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接构件设置在所述驱动电压线上方，并且包括与所述驱动电压线叠置的第一部分和从所述第一部分突出的第二部分，并且其中，所述第一部分在所述第一方向上的第一长度大于所述第二部分在所述第一方向上的第二长度。
8.如权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述驱动电压线上方且与所述驱动电压线叠置的子线，
其中，所述连接构件设置在所述驱动电压线和所述子线上方，并且包括与所述驱动电压线叠置的第一部分和从所述第一部分突出的第二部分，并且其中，所述第一部分在所述第一方向上的第一长度大于所述第二部分在所述第一方向上的第二长度。
9.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接构件经由接触孔连接到所述驱动电压线。
10.如权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，所述驱动栅电极包括沿着所述驱动半导体层的沟道区在所述第一方向或与所述第一方向交叉的第二方向上突出的形状。
11.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
相邻共电压线，在所述基底上彼此间隔开，并且在第一方向上延伸；
驱动电压线，设置在所述相邻共电压线之间，并且在所述第一方向上延伸；
相邻辅助线，电连接到所述相邻共电压线或所述驱动电压线，彼此间隔开，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及
多个像素电路，在平面图中在由所述相邻共电压线和所述相邻辅助线围绕的区域中，
其中，所述多个像素电路之中的第一像素电路包括：第一导电层，与所述驱动电压线设置在同一层，并且与所述驱动电压线间隔开；第一驱动晶体管，与所述第一导电层绝缘，并且包括与所述第一导电层叠置的第一驱动栅电极和第一驱动半导体层；以及连接构件，将所述驱动电压线和所述第一驱动半导体层彼此电连接，其中，在平面图中，所述第一驱动半导体层的边缘与所述第一导电层的边缘接触或在所述第一导电层的所述边缘内侧。
12.如权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述相邻共电压线之间且在所述第一方向上延伸的数据线，
其中，所述第一像素电路还包括电连接到所述第一驱动晶体管和所述数据线的第一开关晶体管。
13.如权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述相邻共电压线之间且在所述第一方向上延伸的感测线，
其中，所述第一像素电路还包括电连接到所述第一驱动晶体管和所述感测线的第一感测晶体管。
14.如权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括电连接到所述第一驱动晶体管的电容器，
其中，所述电容器包括：第一电容器电极；第二电容器电极，设置在所述第一电容器电极上方，并且与所述第一电容器电极叠置；以及第三电容器电极，设置在所述第一电容器电极下方，并且与所述第一电容器电极叠置，并且
其中，所述第三电容器电极是所述第一导电层。
15.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述连接构件与所述第二电容器电极在同一层。
16.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一电容器电极与所述第一驱动栅电极一体形成。
17.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一导电层经由接触孔连接到所述第二电容器电极。
18.如权利要求11所述的显示设备，其中，所述连接构件设置在所述驱动电压线上方，并且包括与所述驱动电压线叠置的第一部分和从所述第一部分突出的第二部分，并且其中，所述第一部分在所述第一方向上的第一长度大于所述第二部分在所述第一方向上的第二长度。
19.如权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述驱动电压线上方且与所述驱动电压线叠置的子线，
其中，所述连接构件设置在所述驱动电压线和所述子线上方，并且包括与所述驱动电压线叠置的第一部分和从所述第一部分突出的第二部分，并且其中，所述第一部分在所述第一方向上的第一长度大于所述第二部分在所述第一方向上的第二长度。
20.如权利要求11所述的显示设备，其中，所述连接构件经由接触孔连接到所述驱动电压线。
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