CN115985918A - 一种阵列基板及其修复方法 - Google Patents
一种阵列基板及其修复方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115985918A CN115985918A CN202211721623.9A CN202211721623A CN115985918A CN 115985918 A CN115985918 A CN 115985918A CN 202211721623 A CN202211721623 A CN 202211721623A CN 115985918 A CN115985918 A CN 115985918A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- array substrate
- bias voltage
- line
- lines
- data line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种阵列基板及其修复方法,该阵列基板包括多条栅线、多条数据线、多条偏置电压线及多个像素单元,阵列基板划分为显示区和虚拟区,在虚拟区中,数据线垂直于阵列基板表面的投影与偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。因此,在对数据线进行修复时,对数据线与偏置电压线的交叠区域处进行激光镭射,使二者短路连接,而由于二者之间仅有绝缘层,因此激光镭射引起的的热融效应不会造成周边的问题,有助于提高产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及光电检测技术领域,具体的,涉及一种阵列基板及其修复方法。
背景技术
平板探测器可应用于医疗成像(乳腺和胸部检查、放疗等)、工业无损探伤以及安检安防等领域,阵列基板是平板探测器中的重要组成部分,其由数百万乃至数千万个像素单元电路所组成,每个像素单元通常由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)和光敏二极管(Photodiode,PD)等器件所构成。在阵列基板中,提供图像信号的数据线线宽很窄,因此在制造工艺过程中容易发生断线,需要采用激光进行断线修补动作。现有技术中的修复方案通常在镭射薄膜晶体管上实现,激光镭射造成的热融效应可能会引起周边的问题,影响产品的良率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明提供一种阵列基板及其修复方法,该阵列基板包括多条栅线、多条数据线、多条偏置电压线及多个像素单元,阵列基板划分为显示区和虚拟区,在虚拟区中,数据线垂直于阵列基板表面的投影与偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。因此,在对数据线进行修复时,对数据线与偏置电压线的交叠区域处进行激光镭射,使二者短路连接,而由于二者之间仅有绝缘层,因此激光镭射引起的的热融效应不会造成周边的问题,有助于提高产品良率。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种阵列基板,包括多条栅线、多条数据线、多条偏置电压线及多个像素单元,其中,所述多条栅线和所述多条数据线相互交叉形成多个限定区域,像素单元位于每个所述限定区域内;所述阵列基板划分为显示区和虚拟区,在所述虚拟区中,所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
可选的,所述像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器。
可选的,所述多条偏置电压线包括多条第一偏置电压线和一条第二偏置电压线,其中,所述多条第一偏置电压线与所述多条数据线平行排布,所述第二偏置电压线位于所述多条第一偏置电压线的一端,且与所述多条第一偏置电压线垂直排布。
可选的,所述第一偏压线包括主线部和支线部,在所述虚拟区中,所述支线部覆盖所述薄膜晶体管和部分所述数据线。
可选的,在所述虚拟区中,所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
可选的,所述数据线延伸至所述第二偏置电压线,以使所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
可选的,所述第二偏置电压线延伸至所述数据线,以使所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
可选的,所述阵列基板还包括栅极驱动单元和处理单元,其中,所述栅极驱动单元与所述多条栅线相连,用于向所述多条栅线提供控制信号,所述处理单元与所述多条数据线相连,用于获取并处理所述多条数据线输出的电信号。
本发明还提供一种阵列基板的修复方法,包括以下步骤:
S1:提供一阵列基板,所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板,定位待修复的数据线;
S2:在所述虚拟区中,将所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线进行短路连接;
S3:切断所述虚拟区中与所述栅极驱动单元相连的栅线。
可选的,步骤S2中,采用激光镭射的方法使所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线短路连接。
本发明提供的阵列基板及其修复方法,至少具有以下有益效果:
本发明提供的阵列基板包括多条栅线、多条数据线、多条偏置电压线及多个像素单元,阵列基板划分为显示区和虚拟区,在虚拟区中,数据线垂直于阵列基板表面的投影与偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。因此,在对数据线进行修复时,对数据线与偏置电压线的交叠区域处进行激光镭射,使二者短路连接,而由于二者之间仅有绝缘层,因此激光镭射引起的的热融效应不会造成周边的问题,有助于提高产品良率。
附图说明
图1显示为实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2显示为实施例一提供的阵列基板中的显示区的结构示意图。
图3显示为实施例一提供的阵列基板中的虚拟区的结构示意图。
图4显示为实施例提供的阵列基板修复方法的流程图。
图5~图6显示为实施例二提供的阵列基板中的虚拟区的结构示意图。
元件标号说明
11 栅线
12 数据线
13 偏置电压线
131 第一偏置电压线
1311 主线部
1312 支线部
132 第二偏置电压线
14 像素单元
141 薄膜晶体管
142 光学传感器
100 显示区
200 虚拟区
20 镭射位置
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的形态、数量、位置关系及比例可在实现本方技术方案的前提下随意改变,且其组件布局形态也可能更为复杂。
实施例一
本实施例提供一种阵列基板,如图1所示,包括多条栅线11、多条数据线12、多条偏置电压线13及多个像素单元14。
作为示例,多条栅线11沿第一方向延伸,用于向像素单元中的薄膜晶体管141提供控制信号,以控制薄膜晶体管141打开或者关闭;多条数据线12沿第二方向延伸,用于并行读取各列像素单元14中存储的电荷信号;多条偏置电压线13包括多条第一偏置电压线131和一条第二偏置电压线132,用于向像素单元中的光学传感器142施加偏置电压,其中,多条第一偏置电压线131沿第二方向延伸,第二偏置电压线132位于多条第一偏置电压线131的一端,且与多条第一偏置电压线131垂直排布。在本实施例中,以第一方向(即图中所示X方向)和第二方向(即图中所示Y方向)垂直相交为例进行绘示。作为示例,多条栅线11、多条数据线12及多条偏置电压线13分别位于阵列基板中的不同层,并且相互之间设置有绝缘层,从而避免其交叠区域处短路。
如图1所示,多条栅线11和多条数据线12相互交叉形成多个限定区域,像素单元14位于该限定区域内。如图2所示,像素单元14内设置有薄膜晶体管141和光学传感器142,薄膜晶体管141包括栅极、源极和漏极(未在图中示出),其中,栅极与栅线11连接,源极与数据线12连接,漏极与光学传感器142连接。
在本实施例中,如图1所示,位于阵列基板底部的部分区域为虚拟区200,其余部分为显示区100,一般的,虚拟区200包括位于阵列基板底部的几根或几十根栅线11。参照图2和图3所示,第一偏置电压线131包括主线部1311和支线部1312,在显示区100中,如图2所示,第一偏置电压线的支线部1312仅覆盖薄膜晶体管141,即第一偏置电压线131垂直于阵列基板表面的投影仅与薄膜晶体管141垂直于阵列基板表面的投影存在交叠;在虚拟区200中,如图3所示,第一偏置电压线的支线部1312覆盖薄膜晶体管141和部分数据线12,即第一偏置电压线131垂直于阵列基板表面的投影与薄膜晶体管141、部分数据线12垂直于阵列基板表面的投影均存在交叠。
如图1所示,阵列基板还包括栅极驱动单元15和处理单元16。作为示例,栅极驱动单元15与多条栅线11相连,向栅线11提供控制信号;处理单元16与多条数据线12相连,获取并处理数据线12输出的电信号,以实现图像的显示。这里对于栅极驱动单元15和处理单元16的具体结构不做限定。
本实施例还提供一种阵列基板的修复方法,如图4所示,包括如下步骤:
S1:提供一阵列基板,定位待修复的数据线;
作为示例,提供一阵列基板,该阵列基板中具有待修复的数据线,定位出该待修复的数据线12的位置。在本实施例中,阵列基板选用以上所述的阵列基板,其具体结构可参照以上所述,在此不再赘述。
S2:在所述虚拟区中,将所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线进行短路连接;
作为示例,在虚拟区200中,将待修复的数据线12及与其存在交叠的第一偏置电压线131进行短路连接。在本实施例中,采用激光镭射的方法使二者短路连接,具体的,如图3所示,在镭射位置20处,通过激光烧蚀交叠区域中的绝缘材料,在绝缘材料消失后,数据线12和第一偏置电压线131可以短路连接。由于在垂直于阵列基板表面的方向上,数据线12与第一偏置电压线131之间仅有绝缘层,因此在此处进行激光镭射,激光镭射引起的的热融效应不会造成周边的问题,有助于提高产品良率。
S3:切断所述虚拟区中与所述栅极驱动单元相连的栅线。
作为示例,为了防止栅线11的干扰,切断虚拟区200中与栅极驱动单元15相连的栅线11。
实施例二
本实施例提供一种阵列基板,如图1所示,包括多条栅线11、多条数据线12、多条偏置电压线13及多个像素单元14。本实施例提供的阵列基板与实施例一相同之处在此不再赘述,不同之处在于:
如图1所示,位于阵列基板底部的部分区域为虚拟区200,其余部分为显示区100,一般的,虚拟区200包括位于阵列基板底部的几根或几十根栅线11。第一偏置电压线131包括主线部1311和支线部1312,在本实施例中,无论在显示区100还是在虚拟区200,第一偏置电压线的支线部1312均仅覆盖薄膜晶体管141,如图2所示,即第一偏置电压线131垂直于阵列基板表面的投影仅与薄膜晶体管141垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
作为示例,在虚拟区200的最底部,数据线12垂直于阵列基板表面的投影与第二偏置电压线132垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。例如在本实施例中,数据线12延伸至第二偏置电压线132,以使二者垂直于阵列基板表面的投影存在交叠,如图5所示;在另一可选实施例中,第二偏置电压线132延伸至数据线12,同样可以使二者垂直于阵列基板表面的投影存在交叠,如图6所示。
本实施例还提供一种阵列基板的修复方法,包括如下步骤:
S1:提供一阵列基板,定位待修复的数据线;
作为示例,提供一阵列基板,该阵列基板中具有待修复的数据线,定位出该待修复的数据线12的位置。在本实施例中,阵列基板选用以上本实施例所述的阵列基板,其具体结构可参照以上所述,在此不再赘述。
S2:在所述虚拟区中,将所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线进行短路连接;
作为示例,在虚拟区200中,将待修复的数据线12及与其存在交叠的第二偏置电压线132进行短路连接。在本实施例中,采用激光镭射的方法使二者短路连接,具体的,参照图5和图6所示,在镭射位置20处,通过激光烧蚀交叠区域中的绝缘材料,在绝缘材料消失后,数据线12和第二偏置电压线132可以短路连接。由于在垂直于阵列基板表面的方向上,数据线12与第二偏置电压线132之间仅有绝缘层,因此在此处进行激光镭射,激光镭射引起的的热融效应不会造成周边的问题,有助于提高产品良率。
S3:切断所述虚拟区中与所述栅极驱动单元相连的栅线。
作为示例,为了防止栅线11的干扰,切断虚拟区200中与栅极驱动单元15相连的栅线11。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多条栅线、多条数据线、多条偏置电压线及多个像素单元,其中,所述多条栅线和所述多条数据线相互交叉形成多个限定区域,像素单元位于每个所述限定区域内;所述阵列基板划分为显示区和虚拟区,在所述虚拟区中,所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述多条偏置电压线包括多条第一偏置电压线和一条第二偏置电压线,其中,所述多条第一偏置电压线与所述多条数据线平行排布,所述第二偏置电压线位于所述多条第一偏置电压线的一端,且与所述多条第一偏置电压线垂直排布。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一偏压线包括主线部和支线部,在所述虚拟区中,所述支线部覆盖所述薄膜晶体管和部分所述数据线。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述虚拟区中,所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线延伸至所述第二偏置电压线,以使所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二偏置电压线延伸至所述数据线,以使所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括栅极驱动单元和处理单元,其中,所述栅极驱动单元与所述多条栅线相连,用于向所述多条栅线提供控制信号,所述处理单元与所述多条数据线相连,用于获取并处理所述多条数据线输出的电信号。
9.一种阵列基板的修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供一阵列基板,所述阵列基板为权利要求1-8任一项所述的阵列基板,定位待修复的数据线;
S2:在所述虚拟区中,将所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线进行短路连接;
S3:切断所述虚拟区中与所述栅极驱动单元相连的栅线。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的修复方法,其特征在于,步骤S2中,采用激光镭射的方法使所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线短路连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211721623.9A CN115985918A (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种阵列基板及其修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211721623.9A CN115985918A (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种阵列基板及其修复方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115985918A true CN115985918A (zh) | 2023-04-18 |
Family
ID=85957768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211721623.9A Pending CN115985918A (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 一种阵列基板及其修复方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115985918A (zh) |
-
2022
- 2022-12-30 CN CN202211721623.9A patent/CN115985918A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6104449A (en) | Liquid crystal display device having DTFTs connected to a short ring | |
JP3247799B2 (ja) | 液晶表示パネルおよびその検査方法 | |
KR101303940B1 (ko) | 표시패널 | |
KR100479525B1 (ko) | 다수의 어레이셀을 포함하는 액정표시장치용 기판 및 이의 제조방법 | |
JPH06110069A (ja) | 電子部品の欠陥修復方法および欠陥修復装置 | |
JP4921969B2 (ja) | アレイ基板の製造方法 | |
TWI409559B (zh) | 液晶顯示面板 | |
US20060103414A1 (en) | Method of inspecting array substrate | |
JP2010145875A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JPWO2004109375A1 (ja) | 基板の検査方法 | |
US20100309401A1 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
US20060092679A1 (en) | Array substrate, method of inspecting the array substrate and method of manufacturing the array substrate | |
CN102879959B (zh) | 影像显示***及其制造方法 | |
JPH03242625A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
CN115985918A (zh) | 一种阵列基板及其修复方法 | |
CN109031721A (zh) | 液晶面板母板及检测装置和检测方法、液晶面板制备方法 | |
WO2005085938A1 (ja) | 基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置 | |
KR100848555B1 (ko) | 액정표시소자의 mps 검사 배선의 구조 | |
JP4516244B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 | |
JPH0416930A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
KR100720084B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
JPH03100626A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示素子 | |
JP3418684B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JPH03212620A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JPH06289426A (ja) | アクティブマトリクス表示装置の修正方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |