CN102879959B - 影像显示***及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种包含显示面板的影像显示***及其制造方法，显示面板具有多个像素，该方法包括在每一列的像素中形成第一栅极线与第二栅极线，这些第一栅极线与第二栅极线各自独立且互相电性隔绝，形成第一绝缘层覆盖于第一栅极线与第二栅极线上方，在第一绝缘层内形成多个导通孔，暴露出第一栅极线与第二栅极线，在第一绝缘层上形成第一导电图案，并经由导通孔使得每一列像素的第一栅极线与相邻列像素的第二栅极线互相电性连接。依据本发明实施例，可以有效地避免液晶显示面板报废并提升良品率。

Description

影像显示***及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种包含显示面板的影像显示***，特别有关于一种使用电荷共享技术的液晶显示面板的栅极线设计。

背景技术

电荷共享(chargesharing)技术是目前广泛应用在液晶显示面板的广视角技术中的一种方式，其需要对两条栅极线(gateline)输入相同的栅极信号，其中一条栅极线设置在一像素的主要区中，作为此像素的驱动薄膜晶体管的栅极信号的输入来源，另一条栅极线则设置在此像素的前一列像素的次要区中，作为前一列像素的降压用薄膜晶体管的栅极信号的输入来源。若这两条栅极线的其中一条出现异常，则会造成显示影像的水平亮/暗线，影响显示品质。

在目前的工艺中，传输相同栅极信号的两条栅极线在光刻与刻蚀工艺后就连接在一起，当进行栅极线的断路及短路测试(open-shorttest)时，若这两条栅极线的其中一条发生断路，则输入的电性测试信号仍然可以经由另一条栅极线传送，因此无法检测出断路问题，需等待后续液晶显示面板制作完成后，才能检测出画面的缺陷。

因此，现有的电荷共享技术的栅极线设计无法在液晶显示面板制作完成之前检测出栅极线的断路问题，造成液晶显示面板报废或显示品质下降。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种影像显示***的制造方法，包含形成显示面板，此方法可以克服上述现有的电荷共享技术的栅极线设计的问题，在液晶显示面板制作完成之前检测出栅极线的断路问题，避免液晶显示面板报废或显示品质下降。

依据本发明的实施例，提供一种影像显示***的制造方法，包含形成显示面板，显示面板具有多个像素，此方法包括：在每一列的像素中形成第一栅极线与第二栅极线，其中这些第一栅极线与第二栅极线各自独立且互相电性隔绝；形成绝缘层覆盖于第一栅极线与第二栅极线上方；在绝缘层内形成多个导通孔，分别暴露出第一栅极线与第二栅极线；以及在绝缘层上形成第一导电图案，第一导电图案经由这些导通孔使得每一列像素的第一栅极线与相邻列像素的第二栅极线互相电性连接。

依据本发明的实施例，更提供一种影像显示***，包含显示面板，显示面板具有多个像素，且此显示面板包括：第一栅极线与第二栅极线设置于每一列的像素中，其中这些第一栅极线与该些第二栅极线各自隔开；绝缘层设置于第一栅极线与第二栅极线上方；多个导通孔设置于绝缘层内，分别暴露出第一栅极线与第二栅极线；以及第一导电图案设置于绝缘层上，第一导电图案经由这些导通孔使得每一列像素的第一栅极线与相邻列像素的第二栅极线互相电性连接。

依据本发明实施例，可以有效地避免液晶显示面板报废并提升良品率。

附图说明

图1为显示依据本发明的一实施例，显示面板的栅极线布局的平面示意图。

图2为显示依据本发明的一实施例，包含显示面板的影像显示***的制造方法流程图。

图3A为显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。

图3B为显示依据本发明的一实施例，沿着图3A的剖面线3-3’，显示面板的阵列基板侧的剖面示意图。

图3C为显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。

图3D为显示依据本发明的一实施例，沿着图3C的剖面线3-3’，显示面板的阵列基板侧的剖面示意图。

图4A为显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。

图4B为显示依据本发明的一实施例，沿着图4A的剖面线4-4’，显示面板的阵列基板侧的剖面示意图。

图5A为显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。

图5B为显示依据本发明的一实施例，沿着图5A的剖面线5-5’，显示面板的阵列基板侧的剖面示意图。

图6A为显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。

图6B为显示依据本发明的一实施例，沿着图6A的剖面线6B-6B’，显示面板的阵列基板侧的剖面示意图。

图6C为显示依据本发明的一实施例，沿着图1的剖面线6C-6C’，包含薄膜晶体管的显示面板的阵列基板侧的剖面示意图。

图7为显示依据本发明的一实施例，包含显示面板的影像显示***的配置示意图。

附图标号：

100～显示面板；

102、102A～像素；

104～栅极；

104A、104B、104C～第一栅极线；

106A、106B、106D～第二栅极线；

4B～第一栅极线104B的突出部分；

6A～第二栅极线106A的突出部分；

108～第一导电图案；

108P～像素电极；

110、114、114P～导通孔；

112～第二导电图案；

112S～源极；

112D～漏极；

120～基板；

122、124～绝缘层；

123～半导体层；

130～激光光束照射；

140A、140B～驱动薄膜晶体管；

142A、142B～降压用薄膜晶体管；

6A～第一栅极线与第二栅极线的电性连接结构；

200～方法；

S201、S202、S203、S204～方法200的各步骤；

300～控制单元；

400～显示器；

500～影像显示***。

具体实施方式

为了让本发明的上述目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合所附图式，作详细说明如下。

本发明的实施例在显示面板的阵列基板侧的光刻与刻蚀工艺中，将用于传输相同栅极信号的两条栅极线先电性隔绝，接着对这些栅极线进行断路及短路测试后，将电性异常的栅极线修补，之后再利用另一导电层电性连接每一列像素的第一栅极线与相邻列像素的第二栅极线，达到电荷共享的目的。

请参阅图1，其显示本发明一实施例的显示面板100的栅极线布局的平面示意图。显示面板100具有多个像素102，这些像素102排列成多个行与列，在每一列的像素中设置有两条栅极线，例如第A列像素中具有两条栅极线，分别为第一栅极线104A与第二栅极线106A，第B列像素中具有第一栅极线104B与第二栅极线106B，并且每个像素102都具有至少两个薄膜晶体管，例如第A列的一个像素102A中具有此像素102A的驱动薄膜晶体管140A以及此像素102A的降压用薄膜晶体管142A；第B列的一个像素中具有此像素的驱动薄膜晶体管140B以及此像素的降压用薄膜晶体管142B，其中像素102A的驱动薄膜晶体管140A的栅极接收来自第一栅极线104A的栅极信号，而像素102A的降压用薄膜晶体管142A的栅极则接收来自第二栅极线106A的栅极信号。

依据本发明的实施例，在光刻与刻蚀工艺后所形成的每一条栅极线，例如第一栅极线104A、104B、104C以及第二栅极线106D、106A、106B都是各自独立且电性隔绝，再对每一条栅极线进行断路与短路测试，并针对电性异常的栅极线进行修补后，如图1所示，利用第一导电图案108将每一列像素中的第一栅极线与相邻的前一列像素中的第二栅极线电性连接，例如第A列像素中的第一栅极线104A与其相邻的前一列像素中的第二栅极线106D经由第一导电图案108电性连接，使得第一栅极线104A与第二栅极线106D可以接收相同的栅极信号。同样地，第B列像素中的第一栅极线104B与第A列像素中的第二栅极线106A也经由第一导电图案108电性连接而接收相同的栅极信号。依据本发明的实施例，显示面板100的左右侧都具有多个第一导电图案108，用于电性连接在每一列像素中的第一栅极线与相邻列像素中的第二栅极线。

在像素102A中，其驱动薄膜晶体管140A的栅极接收第一栅极线104A传输的栅极信号而启动，而降压用薄膜晶体管142A的栅极则接收第二栅极线106A传输的栅极信号而启动，由于第二栅极线106A是与下一列亦即第B列像素中的第一栅极线104B接收相同的栅极信号，因此在像素102A中，降压用薄膜晶体管142A会比驱动薄膜晶体管140A稍慢启动，达到电荷分享的目的。

请参阅图2，其显示依据本发明的一实施例，包含显示面板100的影像显示***的制造方法200的流程图。首先，在步骤S201中，于显示面板100的阵列(Array)基板侧形成多条如图1所示的第一栅极线与第二栅极线，这些第一栅极线与第二栅极线各自独立且互相电性隔绝。此时，可以对这些第一栅极线与第二栅极线进行断路与短路的电性检测，若发现电性异常，则可以立即对异常的栅极线进行修补步骤。

在步骤S202中，形成绝缘层覆盖在这些第一栅极线与第二栅极线上方。接着，在步骤S203中，于绝缘层内形成多个导通孔，暴露出第一栅极线与第二栅极线。

然后，在步骤S204中，于绝缘层上形成第一导电图案，经由这些导通孔电性连接每一列像素的第一栅极线与相邻列像素的第二栅极线，如图1所示，经由第一导电图案108将第B列中的第一栅极线104B与其相邻的前一列第A列中的第二栅极线106A电性连接。

参阅图3A，其显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E之放大平面示意图。如图3A所示，第一栅极线104B与第二栅极线106A分别具有突出部分4B及6A，突出部分4B及6A介于第一栅极线104B与第二栅极线106A之间，并且这两个突出部分4B及6A互相对齐排列成一直线。绝缘层(未绘出)内的导通孔110也设置在这两个突出部分4B及6A上，并且第一导电图案108覆盖在这两个突出部分4B及6A上方。

接着，参阅图3B，其显示依据本发明的一实施例，，沿着图3A的剖面线3-3’，显示面板100的阵列基板侧的剖面示意图。如图3B所示，首先，在基板120上形成第一栅极线104B与第二栅极线106A，可通过先沉积金属层在基板120上，然后以光刻与刻蚀工艺将金属层图案化而形成第一栅极线104B与第二栅极线106A。此时，在基板120上所形成的多条第一与第二栅极线各自独立且互相电性隔绝。

接着，形成绝缘层122覆盖在第一栅极线104B与第二栅极线106A上，绝缘层122的材料可以是氮化硅、氧化硅或前述的组合。然后，在绝缘层122中形成多个导通孔110，分别暴露出第一栅极线104B与第二栅极线106A。虽然图3A中显示在第一栅极线104B与第二栅极线106A上分别具有多个导通孔110。

然后，在绝缘层122上形成第一导电图案108，第一导电图案108经由导通孔110电性连接每一列像素的第一栅极线104B与相邻列像素的第二栅极线106A，第一导电图案108的材料可以是透明导电材料或金属材料，透明导电材料例如为铟锡氧化物(indiumtinoxide，简称ITO)或铟锌氧化物(indiumzincoxide，简称IZO)，其可以是形成像素电极的材料，因此，第一导电图案108可通过像素电极的工艺同时完成。另外，导电层108也可以通过显示面板100中的其他金属层的工艺同时完成。

参阅图3C，其显示依据本发明的另一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。如图3C所示，第一栅极线104B与第二栅极线106A不具有突出部分，绝缘层(未绘出)内的导通孔110直接设置在第一栅极线104B与第二栅极线106A上，并且第一导电图案108覆盖在第一栅极线104B与第二栅极线106A上方，第一导电图案108经由导通孔110电性连接每一列像素中的第一栅极线104B与相邻列像素中的第二栅极线106A。

接着，参阅图3D，其显示依据本发明的一实施例，，沿着图3C的剖面线3-3’，显示面板100的阵列基板侧的剖面示意图。图3D与图3B的差别在于绝缘层122内的多个导通孔110的位置不同，图3D的实施例中的导通孔110是直接形成于第一栅极线104B与第二栅极线106A上，而不是形成于第一栅极线104B的突出部分4B与第二栅极线106A的突出部分6A上。

后续的实施例是以具有突出部分的第一栅极线104B与第二栅极线106A为例进行说明，然而，在后续的实施例中，第一栅极线104B与第二栅极线106A也可以不具有突出部分。

参阅图4A，其显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。如图4A所示，第一栅极线104B与第二栅极线106A分别具有突出部分4B及6A，这两个突出部分4B及6A互相平行排列。绝缘层(未绘出)内的导通孔110也设置在这两个突出部分4B及6A上，并且第一导电图案108覆盖在这两个突出部分4B及6A上方。图4A与图3A的差异在于利用突出部分4B及6A的图案设计，使得第一栅极线104B与第二栅极线106A之间桥接的面积增加。

接着，参阅图4B，其显示依据本发明的一实施例，沿着图4A的剖面线4-4’，显示面板100的阵列基板侧的剖面示意图。如图4B所示，在基板120上形成第一栅极线104B与第二栅极线106A，此时，在基板120上所形成的多条第一与第二栅极线各自独立且互相电性隔绝。

接着，形成绝缘层122覆盖第一栅极线104B与第二栅极线106A，然后在绝缘层122中形成多个导通孔110，分别暴露出第一栅极线104B与第二栅极线106A。

接着，在绝缘层122上形成第一导电图案108，第一导电图案108经由导通孔110电性连接每一列像素中的第一栅极线104B与相邻列像素中的第二栅极线106A，使得第一栅极线104B与第二栅极线106A接收相同的栅极信号。第一导电图案108的材料可以是透明导电材料或金属材料，当第一导电图案108由透明导电材料形成时，可通过像素电极的工艺同时形成第一导电图案108。

参阅图5A，其显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。如图5A所示，在第一栅极线104B的突出部分4B与第二栅极线106A的突出部分6A之间还具有第二导电图案112，第二导电图案112与第一栅极线104B的突出部分4B以及第二栅极线106A的突出部分6A之间没有重叠，并且相隔一间距，第二导电图案112的材料可以是金属材料或透明导电材料，透明导电材料例如为铟镓锌氧化物(InGaZnO；IGZO)。绝缘层(未绘出)内的导通孔110及114分别设置在这两个突出部分4B、6A与第二导电图案112上，并且作为桥接用的第一导电图案108覆盖在这两个突出部分4B、6A以及第二导电图案112上方。图5A与图3A的差异在于第一栅极线104B与第二栅极线106A之间设置了第二导电图案112，第二导电图案112可以降低第一栅极线104B与第二栅极线106A之间的桥接阻抗。

接着，参阅图5B，其显示依据本发明的一实施例，沿着图5A的剖面线5-5’，显示面板100的阵列基板侧的剖面示意图。如图5B所示，首先，在基板120上形成第一栅极线104B与第二栅极线106A，此时，在基板120上所形成的多条第一与第二栅极线各自独立且互相电性隔绝。

接着，形成绝缘层122覆盖第一栅极线104B与第二栅极线106A，然后在绝缘层122上形成第二导电图案112，第二导电图案112的位置介于第一栅极线104B与第二栅极线106A之间，第二导电图案112可通过显示面板100中的其他金属层的工艺同时形成。之后，形成绝缘层124覆盖在第二导电图案112上以及第一栅极线104B与第二栅极线106A上方。绝缘层122与124的材料可以是氮化硅、氧化硅或前述的组合。

在绝缘层122与124内形成多个导通孔110，暴露出第一栅极线104B与第二栅极线106A，并且在绝缘层124内形成多个导通孔114，暴露出第二导电图案112。为了简化图式，在图5B的第一栅极线104B、第二栅极线106A以及第二导电图案112上仅分别显示出一个导通孔110及114。

接着，在绝缘层124上形成第一导电图案108，第一导电图案108经由导通孔110及114电性连接第一栅极线104B、第二导电图案112与第二栅极线106A，第一导电图案108的材料可以是透明导电材料或金属材料，当第一导电图案108由透明导电材料形成时，可通过像素电极的工艺同时形成第一导电图案108。

参阅图6A，其显示依据本发明的一实施例，图1的框线区域E的放大平面示意图。如图6A所示，在第一栅极线104B的突出部分4B与第二栅极线106A的突出部分6A之间还具有第二导电图案112，第二导电图案112与第一栅极线104B的突出部分4B以及第二栅极线106A的突出部分6A部分地重叠，第二导电图案112的材料例如为金属材料。

绝缘层(未绘出)内的导通孔110及114分别设置在这两个突出部分4B、6A与第二导电图案112上，并且作为桥接用的第一导电图案108覆盖在这两个突出部分4B、6A以及第二导电图案112上方。图6A与图5A的差异在于第二导电图案112与第一栅极线104B及第二栅极线106A有部分的重叠，当电性连接第一栅极线104B与第二栅极线106A的第一导电图案108失效时，可使用激光光束照射的方式，使得第二导电图案112与第一栅极线104B及第二栅极线106A的重叠处产生熔融接合(welding)，进而电性连接第一栅极线104B与第二栅极线106A，因此可更进一步地提升产品的良品率。

接着，参阅图6B，其显示依据本发明的一实施例，沿着图6A的剖面线6B-6B’，显示面板100的阵列基板侧的剖面示意图。如图6B所示，在基板120上形成第一栅极线104B与第二栅极线106A，此时，在基板120上所形成的多条第一与第二栅极线各自独立且互相电性隔绝。

接着，形成绝缘层122覆盖第一栅极线104B与第二栅极线106A，然后在绝缘层122上形成第二导电图案112，第二导电图案112的位置介于第一栅极线104B与第二栅极线106A之间，并且与第一栅极线104B及第二栅极线106A部分地重叠。之后，形成绝缘层124覆盖在第二导电图案112上以及第一栅极线104B与第二栅极线106A上方。

在绝缘层122与124内形成多个导通孔110，暴露出第一栅极线104B与第二栅极线106A，并且在绝缘层124内形成多个导通孔114，暴露出第二导电图案112，导通孔114的长度约为第二导电图案112长度的50％以上。为了简化图式，在图6B的第一栅极线104B、第二栅极线106A以及第二导电图案112上仅分别显示出一个导通孔110及114。

接着，在绝缘层124上形成第一导电图案108，第一导电图案108经由导通孔110及114电性连接第一栅极线104B、第二导电图案112与第二栅极线106A，第一导电图案108的材料可以是透明导电材料或金属材料，当第一导电图案108由透明导电材料形成时，可通过像素电极的工艺同时形成第一导电图案108。

当第一导电图案108电性连接第一栅极线104B与第二栅极线106A失效时，可在第二导电图案112与第一栅极线104B及第二栅极线106A的重叠处，从基板120侧进行激光光束照射工艺130，使得第二导电图案112与第一栅极线104B及第二栅极线106A之间产生熔融接合(welding)，进而电性连接第一栅极线104B与第二栅极线106A。

参阅图6C，其显示依据本发明的一实施例，沿着图1的剖面线6C-6C’，包含驱动薄膜晶体管140B的显示面板的阵列基板侧的剖面示意图。在图6C中，第一栅极线104B与第二栅极线106A的电性连接结构6A以图6B为例说明，在此不再重述。然而，图6C中的电性连接结构6A也可以使用前述第一栅极线104B与第二栅极线106A电性连接的各种实施例取代。如图6C所示，薄膜晶体管结构140B包含栅极104形成于基板120上，绝缘层122覆盖在栅极104上，半导体层123形成于绝缘层122上，源极112S与漏极122D形成于半导体层123上，绝缘层124覆盖于源极112S与漏极122D上，并且在绝缘层124中形成导通孔114P暴露出一部份的漏极122D，像素电极108P形成于绝缘层124上，并且经由导通孔114P与漏极122D电性连接。

依据本发明的实施例，第二导电图案112、源极112S以及漏极122D可由同一道工艺形成，导通孔110、114以及114P也可由同一道工艺形成，此外，像素电极108P与第一导电图案108也可由同一道工艺形成。因此，本发明各种实施例的每一列像素的第一栅极线与相邻列像素的第二栅极线的电性连接结构可以利用驱动薄膜晶体管与降压用薄膜晶体管的工艺完成，相较于现有的薄膜晶体管工艺，本发明的实施例不需增加额外的工艺步骤，只需要改变光罩的图案设计即可完成，可以与现有的显示面板的工艺步骤相容。此外，本发明的实施例还可以确保第一栅极线与第二栅极线不会有断路的问题发生，提升显示面板的良品率。

在本发明一实施例的显示面板100中，除了上述阵列基板以外，还包括彩色滤光片基板与阵列基板对向设置，并且在彩色滤光片基板与阵列基板之间夹设液晶层，此外，还可包含一对偏光片分别设置于彩色滤光片基板与阵列基板外侧，以完成液晶显示面板的制作。

综上所述，本发明实施例的制造方法可以在液晶显示面板组立完成之前，检测出断路以及/或短路的第一栅极线与第二栅极线，并针对异常的栅极线进行修补，之后再通过第一导电图案电性连接第一列像素中的第一栅极线与相邻列像素中的第二栅极线，并且第一导电图案的制作可通过像素电极的工艺同时完成，不需增加额外的工艺步骤。因此，依据本发明的实施例，可以有效地避免液晶显示面板报废并提升良品率。

接着请参阅图7，其为依据本发明的影像显示***500的配置示意图，其中包含显示器400，例如为液晶显示器，其含有根据本发明的实施例的液晶显示面板100，显示器400可为电子装置的一部份。一般而言，影像显示***500包含显示器400及控制单元300，控制单元与显示器400耦接，以传输信号至显示器，使显示器显示影像。上述的电子装置可为移动电话、数码相机、个人数码助理(PDA)、笔记本电脑、桌上型电脑、电视、车用显示器或可携式DVD播放机。

虽然本发明已揭露较佳实施例如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定为准。

Claims (20)

1.一种影像显示***的制造方法，包含形成一显示面板，所述显示面板具有多个像素，其特征在于，所述方法包括：

在每一列的所述像素中形成一第一栅极线与一第二栅极线，其中所述第一栅极线与所述第二栅极线各自独立且互相电性隔绝；

形成一第一绝缘层，覆盖于所述第一栅极线与所述第二栅极线上方；

在所述第一绝缘层内形成多个导通孔，分别暴露出所述第一栅极线与所述第二栅极线；以及

在所述第一绝缘层上形成一第一导电图案，所述第一导电图案经由所述导通孔使得每一列所述像素的所述第一栅极线与相邻列所述像素的所述第二栅极线互相电性连接。

2.如权利要求1所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，更包括：

在所述第一绝缘层与所述第一导电图案之间形成一第二导电图案，且其中所述第二导电图案位于所述第一栅极线与所述第二栅极线之间；

在所述第二导电图案与所述第一导电图案之间形成一第二绝缘层；以及

在所述第二绝缘层内形成多个导通孔，分别暴露出所述第一栅极线、所述第二导电图案与所述第二栅极线，

其中所述第一导电图案经由所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的所述导通孔使得每一列所述像素的所述第一栅极线与相邻列所述像素的所述第二栅极线以及所述第二导电图案电性连接。

3.如权利要求2所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第二导电图案与所述第一栅极线及所述第二栅极线相隔一间距或部分地重叠。

4.如权利要求3所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第二导电图案与所述第一栅极线及所述第二栅极线部分地重叠，且更包括使用一激光光束照射所述第二导电图案与所述第一栅极线及所述第二栅极线的一重叠处，使得所述重叠处产生熔融接合，以电性连接所述第二导电图案与所述第一栅极线及所述第二栅极线。

5.如权利要求2所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层内包括一个以上的导通孔暴露出所述第二导电图案。

6.如权利要求5所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层内仅具有一个导通孔暴露出所述第二导电图案，且所述导通孔的长度为所述第二导电图案的长度的50％以上。

7.如权利要求2所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第一导电图案与所述第二导电图案的材料包括透明导电材料或金属材料。

8.如权利要求1所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第一栅极线及所述第二栅极线分别具有一突出部分介于所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，且所述第一绝缘层内的所述导通孔形成于所述第一栅极线的所述突出部分与所述第二栅极线的所述突出部分上。

9.如权利要求8所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第一栅极线的所述突出部分与所述第二栅极线的所述突出部分互相对齐排列或互相平行排列。

10.如权利要求1所述的影像显示***的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层内的所述导通孔直接形成于所述第一栅极线及所述第二栅极线上。

11.一种影像显示***，包含：

一显示面板，具有多个像素，其特征在于，所述显示面板包括：

一第一栅极线与一第二栅极线，设置于每一列的所述像素中，其中所述第一栅极线与所述第二栅极线各自隔开；

一第一绝缘层，设置于所述第一栅极线与所述第二栅极线上方；

多个导通孔，设置于所述第一绝缘层内，分别暴露出所述第一栅极线与所述第二栅极线；以及

一第一导电图案，设置于所述第一绝缘层上，所述第一导电图案经由所述导通孔使得每一列所述像素的所述第一栅极线与相邻列所述像素的所述第二栅极线互相电性连接。

12.如权利要求11所述的影像显示***，其特征在于，更包括：

一第二导电图案，设置于所述第一绝缘层与所述第一导电图案之间，其中所述第二导电图案位于所述第一栅极线与所述第二栅极线之间；

一第二绝缘层，设置于所述第二导电图案与所述第一导电图案之间；以及

多个导通孔，设置于所述第二绝缘层内，分别暴露出所述第一栅极线、所述第二导电图案及所述第二栅极线；

其中所述第一导电图案经由所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的所述导通孔使得每一列所述像素的所述第一栅极线与相邻列所述像素的所述第二栅极线以及所述第二导电图案电性连接。

13.如权利要求12所述的影像显示***，其特征在于，所述第二导电图案与所述第一栅极线及所述第二栅极线相隔一间距或部分地重叠。

14.如权利要求12所述的影像显示***，其特征在于，所述第二绝缘层内包括一个以上的导通孔暴露出所述第二导电图案。

15.如权利要求14所述的影像显示***，其特征在于，所述第二绝缘层内仅具有一个导通孔暴露出所述第二导电图案，且所述导通孔的长度为所述第二导电图案的长度的50％以上。

16.如权利要求11所述的影像显示***，其特征在于，所述第一栅极线及所述第二栅极线的材料包括金属材料。

17.如权利要求12所述的影像显示***，其特征在于，所述第一导电图案与所述第二导电图案的材料包括透明导电材料或金属材料。

18.如权利要求11所述的影像显示***，其特征在于，所述第一栅极线及所述第二栅极线分别具有一突出部分介于所述第一栅极线与所述第二栅极线之间，且所述第一绝缘层内的所述导通孔设置于所述第一栅极线的所述突出部分与所述第二栅极线的所述突出部分上，其中所述第一栅极线的所述突出部分与所述第二栅极线的所述突出部分互相对齐排列或互相平行排列。

19.如权利要求11所述的影像显示***，其特征在于，所述第一绝缘层内的所述导通孔直接设置于所述第一栅极线及所述第二栅极线上。

20.如权利要求11所述的影像显示***，其特征在于，更包含一电子装置，所述电子装置包含：

一显示器，所述显示器包含所述显示面板；以及

一控制单元，与所述显示器耦接，其中所述控制单元传输信号至所述显示器，以使所述显示器显示影像。