CN115974157A - 一种六氟化钼的制备及提纯方法 - Google Patents
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- WSWMGHRLUYADNA-UHFFFAOYSA-N 7-nitro-1,2,3,4-tetrahydroquinoline Chemical compound C1CCNC2=CC([N+](=O)[O-])=CC=C21 WSWMGHRLUYADNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 title description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical group [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005372 isotope separation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明提供了一种六氟化钼的制备及提纯方法,包括如下步骤:S1:将原料钼加入反应器后端,反应器预热至200℃,使用氮气对反应器进行置换,然后抽真空;S2:将三氟化氮通入反应器内,三氟化氮在反应器前端进行分解反应,分解产生氟气与氮气;S3:S2得到的氟气与钼在反应器后端发生反应,生成六氟化钼粗品;S4:使用低温收集器对六氟化钼粗品进行收集,抽真空除去低沸点杂质,得到纯度不低于99.5%的六氟化钼产品。本发明通过三氟化氮的分解得到氟气,再通过氟气与钼进行反应,制得粗品六氟化钼,最后抽真空除去低沸点杂质,得到高纯六氟化钼,方法简单安全,产品纯度高,避免了六氟化钼中含有大量氟化氢等杂质的问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体高纯材料制备技术领域,具体涉及一种六氟化钼的制备及提纯方法。
背景技术
六氟化钼主要用于钼的同位素分离,可在微电子工业中用作化学气相沉积硅化钼或钼,以制作低电阻、高熔点的互联线。六氟化钼可用于高纯钼溅射靶材的制造,相对于传统的粉末冶金法生产的钼靶材,使用六氟化钼CVD(化学气相沉积)法生产的钼靶材纯度更高,可以有效的减少杂质元素对设备、产品性能的影响。
用于半导体领域的六氟化钼产品要求很高的纯度,高纯六氟化钼需要初级六氟化钼合成、精馏提纯等多个步骤才能得到,初级合成的六氟化钼产品纯度将直接影响高纯六氟化钼产品的纯度。
在高纯六氟化钼的工业化制备过程中,存在提纯难度大,提纯成本高等一系列的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足,提供一种六氟化钼的制备及提纯方法,该制备方法采用三氟化氮的裂解气体与钼粉反应制备六氟化钼,方法简单安全,产品纯度高,可推广应用。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将原料钼从加料口加入反应器后端,原料钼为粉末状或颗粒状,颗粒度为1-100目,纯度不低于99.9%,反应器预热至200℃,使用氮气对反应器进行置换,然后抽真空至-0.1MPa~-0.095MPa。
S2:将纯度不低于99.99%的三氟化氮通入反应器前端,反应器前端的温度为400~600℃,三氟化氮在反应器前端进行分解反应,三氟化氮分解产生氟气与氮气。
S3:S2得到的氟气与原料钼在反应器后端发生反应,反应器后端温度为200~400℃,压力为0~0.2MPa,生成六氟化钼粗品。
S4:使用低温收集器对S3得到的六氟化钼粗品进行收集,低温收集器的工作温度为-50~10℃,压力为-0.1~0.5MPa,抽真空1小时,除去低沸点杂质,低沸点杂质为氟气、氮气和三氟化氮中的一种或多种,得到纯度不低于99.5%的六氟化钼产品。
所述反应器采取分段式加热。
所述反应器、低温收集器和连接管路的材料的材质为不锈钢、镍或蒙乃尔合金。
本发明与现有技术相比具有以下优点:
本发明通过三氟化氮的分解得到氟气,再通过氟气与钼进行反应,制得粗品六氟化钼,最后抽真空除去低沸点杂质,得到高纯六氟化钼,方法简单安全,提纯难度低,提纯成本低,产品纯度高,避免了六氟化钼中含有大量氟化氢等杂质的问题。
下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
实施例一
本发明提供一种六氟化钼的制备及提纯方法,包括如下步骤:
S1:将原料钼从加料口加入反应器后端,原料钼为粉末状,颗粒度为100目,纯度为99.9%,反应器预热至200℃,使用氮气对反应器进行置换,然后抽真空至-0.1MPa。
S2:将纯度为99.99%的三氟化氮通入反应器前端,反应器前端的温度为400℃,三氟化氮在反应器前端进行分解反应,三氟化氮分解产生氟气与氮气。
S3:S2得到的氟气与原料钼在反应器后端发生反应,反应器后端温度为200℃,压力为0MPa,生成六氟化钼粗品。
S4:使用低温收集器对S3得到的六氟化钼粗品进行收集,低温收集器的工作温度为-50℃,压力为-0.1MPa,抽真空1小时,除去氮气和三氟化氮,得到纯度不低于99.5%的六氟化钼产品。
本实施例中,所述反应器采取分段式加热。
本实施例中,所述反应器、低温收集器和连接管路的材料的材质为不锈钢。
实施例二
本发明提供一种六氟化钼的制备及提纯方法,包括如下步骤:
S1:将原料钼从加料口加入反应器后端,原料钼为颗粒状,颗粒度为50目,纯度为99.9%,反应器预热至200℃,使用氮气对反应器进行置换,然后抽真空至-0.098MPa。
S2:将纯度为99.99%的三氟化氮通入反应器前端,反应器前端的温度为480℃,三氟化氮在反应器前端进行分解反应,三氟化氮分解产生氟气与氮气。
S3:S2得到的氟气与原料钼在反应器后端发生反应,反应器后端温度为330℃,压力为0.2MPa,生成六氟化钼粗品。
S4:使用低温收集器对S3得到的六氟化钼粗品进行收集,低温收集器的工作温度为-20℃,压力为0.2MPa,抽真空1小时,除去氮气,得到纯度不低于99.5%的六氟化钼产品。
本实施例中,所述反应器采取分段式加热。
本实施例中,所述反应器、低温收集器和连接管路的材料的材质为镍。
实施例三
本发明提供一种六氟化钼的制备及提纯方法,包括如下步骤:
S1:将原料钼从加料口加入反应器后端,原料钼为颗粒状,颗粒度为1目,纯度为99.9%,反应器预热至200℃,使用氮气对反应器进行置换,然后抽真空至-0.095MPa。
S2:将纯度为99.99%的三氟化氮通入反应器前端,反应器前端的温度为600℃,三氟化氮在反应器前端进行分解反应,三氟化氮分解产生氟气与氮气。
S3:S2得到的氟气与原料钼在反应器后端发生反应,反应器后端温度为400℃,压力为0.1MPa,生成六氟化钼粗品。
S4:使用低温收集器对S3得到的六氟化钼粗品进行收集,低温收集器的工作温度为10℃,压力为0.5MPa,抽真空1小时,除去氟气、氮气和三氟化氮,得到纯度不低于99.5%的六氟化钼产品。
本实施例中,所述反应器采取分段式加热。
本实施例中,所述反应器、低温收集器和连接管路的材料的材质为蒙乃尔合金。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明作任何限制。凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变化,均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
Claims (8)
1.一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:将原料钼从加料口加入反应器后端,反应器预热至200℃,使用氮气对反应器进行置换,然后抽真空至-0.1MPa~-0.095MPa;
S2:将三氟化氮通入反应器前端,三氟化氮在反应器前端进行分解反应,分解产生氟气与氮气;
S3:S2得到的氟气与原料钼在反应器后端发生反应,生成六氟化钼粗品;
S4:使用低温收集器对S3得到的六氟化钼粗品进行收集,抽真空1小时,除去低沸点杂质,得到纯度不低于99.5%的六氟化钼产品。
2.根据权利要求1所述的一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,S1中,原料钼为粉末状或颗粒状,颗粒度为1-100目,纯度不低于99.9%。
3.根据权利要求1所述的一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,S2中,三氟化氮的纯度不低于99.99%,反应器前端的温度为400~600℃。
4.根据权利要求1所述的一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,S3中,反应器后端温度为200~400℃,压力为0~0.2MPa。
5.根据权利要求1所述的一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,S4中,低温收集器的工作温度为-50~10℃,压力为-0.1~0.5MPa。
6.根据权利要求1所述的一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,S4中,低沸点杂质为氟气、氮气和三氟化氮中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,所述反应器采取分段式加热。
8.根据权利要求1所述的一种六氟化钼的制备及提纯方法,其特征在于,所述反应器、低温收集器和连接管路的材料的材质为不锈钢、镍或蒙乃尔合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310171988.7A CN115974157A (zh) | 2023-02-28 | 2023-02-28 | 一种六氟化钼的制备及提纯方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310171988.7A CN115974157A (zh) | 2023-02-28 | 2023-02-28 | 一种六氟化钼的制备及提纯方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115974157A true CN115974157A (zh) | 2023-04-18 |
Family
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Family Applications (1)
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CN202310171988.7A Pending CN115974157A (zh) | 2023-02-28 | 2023-02-28 | 一种六氟化钼的制备及提纯方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115974157A (zh) |
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