CN115926655A - 背面研磨带 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及背面研磨带。提供一种背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。该背面研磨带包括：基材；和UV固化性压敏粘合剂层，其中未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且其中所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。

Description

背面研磨带
技术领域
本发明涉及背面研磨带。
背景技术
半导体晶片用于各种用途，如个人计算机、智能手机和汽车。在半导体晶片的加工工序中，在加工时使用压敏粘合带保护其表面。近年来，已经进行了大规模集成电路(LSI)的小型化和高功能化，并且晶片的表面结构变得复杂。其具体实例是由焊料凸块等引起的晶片表面的三维结构的复杂化。因此，半导体加工工序中使用的压敏粘合带要求具有晶片表面的凹凸的嵌入性以及强的压敏粘合性。半导体晶片的背面研磨工序中使用的压敏粘合带半导体晶片要求在背面研磨工序中适当地保持半导体晶片，并且在背面研磨工序后容易地剥离。经过背面研磨工序的半导体晶片的厚度变得明显更薄。因此，要求背面研磨带能够剥离而没有任何残胶和半导体晶片破裂。
近年来，随着产品的小型化和薄型化，半导体晶片的薄型化已经得到了发展。在加工成薄形状的晶片中，当压敏粘合带的压敏粘合力太高时，在剥离压敏粘合带时晶片可能破裂。因此，为了防止在剥离该带时被粘物上的残胶和晶片的破裂，已经提出了使用UV固化性压敏粘合剂的压敏粘合带(例如，日本专利申请特开No.2020-017758和日本专利申请特开No.2013-213075)。然而，即使在使用UV固化性压敏粘合剂时，由于压敏粘合力的不充分降低，在剥离该带时也可能出现被粘物上的残胶和晶片的破裂的问题。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中的上述问题，并且提供了一种背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。
根据本发明的至少一个实施方案，提供一种背面研磨带，其包括：基材；和UV固化性压敏粘合剂层。未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。
在本发明的至少一个实施方案中，所述背面研磨带通过贴附至具有凹凸的被粘物来使用。
在本发明的至少一个实施方案中，所述凹凸的落差为10μm～200μm。
在本发明的至少一个实施方案中，所述凹凸为突出的电极。
在本发明的至少一个实施方案中，所述背面研磨带进一步包括中间层，其中所述中间层配置在所述基材和所述压敏粘合剂层之间。
在本发明的至少一个实施方案中，所述中间层的厚度为10μm～300μm。
在本发明的至少一个实施方案中，所述中间层在25℃下的剪切储能弹性模量G′3为0.3MPa～10MPa，并且所述中间层在80℃下的剪切储能弹性模量G′4为0.01MPa～0.5MPa。
在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层的厚度为1μm～100μm。
在本发明的至少一个实施方案中，所述背面研磨带的未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在80℃下的剪切储能弹性模量G′2为0.01MPa～1MPa。
在本发明的至少一个实施方案中，经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在60℃下的拉伸储能弹性模量E′2为30MPa以下。
在本发明的至少一个实施方案中，所述UV固化性压敏粘合剂层为由包含基础聚合物和光聚合引发剂的压敏粘合剂组合物形成的层，并且所述基础聚合物为通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物：
Figure BDA0003874228100000031
其中“n”表示1以上的整数。
附图说明
图1为根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带的示意性截面图。
具体实施方式
A.背面研磨带的整体构成
根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带包括基材和UV固化性压敏粘合剂层。在背面研磨带中，未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上。另外，在背面研磨带中，经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。如上所述，根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带在未用UV光照射的阶段可以表现出优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合力。另外，根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带在用UV光照射后可以表现出优异的轻剥离性。因此，该带可以适合用作背面研磨带，该背面研磨带为用于在背面研磨工序中保护硅晶片的压敏粘合带。如本文所用的术语“对硅的压敏粘合力”是指用其上形成有UV固化性压敏粘合剂层的背面研磨带测量的对硅镜面晶片的压敏粘合力。如本文所用的术语“经UV照射的背面研磨带”是指其中用UV光照射UV固化性压敏粘合剂层，使得累积光量可以为700mJ/cm2的背面研磨带。
未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上、优选0.2MPa以上、更优选0.23MPa以上。当在25℃下的剪切储能弹性模量G′1落入所述范围内时，即使在其中被粘物具有凹凸的情况下，背面研磨带可以表现出优异的凹凸嵌入性。UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为例如0.80MPa以下。如本文所用的术语“在25℃下的剪切储能弹性模量G′1”是指通过使用压敏粘合剂组合物在其上形成厚度为1mm的压敏粘合剂层的样品用动态粘弹性测量装置测量的值。如本文所用的短语“未经UV照射”是指其中UV固化性压敏粘合剂层未被UV光照射的状态。
未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层的对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上、优选3N/20mm以上、更优选5N/20mm以上。UV固化性压敏粘合剂层的对硅的压敏粘合力为例如15N/20mm以下。当对硅的压敏粘合力落入所述范围内时，背面研磨带可以对被粘物如硅晶片表现出优异的压敏粘合性。
背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下、优选200MPa以下、更优选150MPa以下。背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为例如50MPa以上。当UV照射后的在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1落入所述范围内时，背面研磨带在UV照射后可以表现出优异的轻剥离性，并且因此可以防止被粘物上的残胶。
经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层的对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下、优选0.10N/20mm以下、更优选0.08N/20mm以下。经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层的对硅的压敏粘合力为例如0.01N/20mm以上。当经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层的对硅的压敏粘合力落入所述范围内时，背面研磨带在UV照射后可以表现出优异的轻剥离性，并且因此可以防止被粘物上的残胶。如本文所用的术语“经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层的对硅的压敏粘合力”是指在用UV光照射UV固化性压敏粘合剂层使得累积光量可以为700mJ/cm2之后测量的对硅的压敏粘合力。
在本发明的至少一个实施方案中，背面研磨带优选进一步包括中间层。当该带包括中间层时，在其中被粘物的表面具有凹凸的情况下，可以进一步改善该带的凹凸嵌入性。中间层配置在基材和压敏粘合剂层之间。图1为根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带的示意性截面图。所示实例的背面研磨带100包括基材30、中间层20、和压敏粘合剂层10。
背面研磨带可以进一步包括除了基材、UV固化性压敏粘合剂层、和中间层以外的任意合适的层。该带可以进一步包括例如抗静电层。抗静电层的存在可以防止在剥离背面研磨带时由于静电而导致的半导体元件的静电击穿(electrostatic breakdown)。
背面研磨带的厚度可以设定为任意合适的范围。厚度优选为10μm～1,000μm、更优选50μm～300μm、还更优选100μm～300μm。
B.基材
基材可以由任意合适的树脂形成。形成基材的树脂的具体实例包括如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)和聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等聚酯系树脂、如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯和乙烯-丙烯共聚物等聚烯烃系树脂、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚酰胺、聚酰亚胺、纤维素类、氟系树脂、聚醚、如聚苯乙烯等聚苯乙烯系树脂、聚碳酸酯、和聚醚砜。其中，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、和聚萘二甲酸丁二醇酯。当使用这些树脂时，可以进一步防止翘曲的发生。
在不抑制本发明的效果的范围内，基材可以进一步包含其它组分。其它组分的实例包括抗氧化剂、UV吸收剂、光稳定剂和热稳定剂。关于其它组分的种类和使用量，其它组分可以根据目的以任意合适的量使用。
在本发明的至少一个实施方案中，基材具有抗静电功能。当基材具有抗静电功能时，抑制剥离该带时的静电的产生，并且因此可以防止由于静电引起的电路的破坏和异物的贴附。基材可以通过由包含抗静电剂的树脂形成而具有抗静电功能，或者可以通过将包含如导电性聚合物、有机或无机导电性物质、和抗静电剂等抗静电组分的组合物施加至任意合适的膜以形成抗静电层而具有抗静电功能。当基材包括抗静电层时，中间层优选层叠在其上形成有抗静电层的表面上。
当基材具有抗静电功能时，基材的表面电阻值例如为1.0×102Ω/□～1.0×1013Ω/□、优选1.0×106Ω/□～1.0×1012Ω/□、更优选1.0×107Ω/□～1.0×1011Ω/□。当表面电阻值落入所述范围内时，抑制剥离该带时的静电的产生，并且因此可以防止由于静电引起的电路的破坏和异物的贴附。当具有抗静电功能的基材用作基材时，获得的背面研磨带的表面电阻值可以例如为1.0×106Ω/□～1.0×1012Ω/□。
基材的厚度可以设定为任意合适的值。基材的厚度优选为10μm～200μm、更优选20μm～150μm。
基材的弹性模量可以设定为任意合适的值。基材的弹性模量优选为50MPa～6,000MPa、更优选70MPa～5,000MPa。当弹性模量落入所述范围内时，可以获得可以适当地追随被粘物表面的凹凸的背面研磨带。
C.UV固化性压敏粘合剂层
UV固化性压敏粘合剂层可以通过使用任意合适的压敏粘合剂组合物来形成。压敏粘合剂组合物典型地包含基础聚合物、光聚合引发剂、和交联剂。经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层优选在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为200MPa以下，并且在60℃下的拉伸储能弹性模量E′2为30MPa以下。当该层具有这样的特性时，即使在其中被粘物具有凹凸的情况下，背面研磨带也可以表现出优异的凹凸嵌入性。
经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在60℃下的拉伸储能弹性模量E′2优选为30MPa以下、更优选20MPa以下、还更优选15MPa以下。另外，经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在60℃下的拉伸储能弹性模量E′2优选为5MPa以上。当上述经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1和其在60℃下的拉伸储能弹性模量E′2落入上述范围内时，即使在其中被粘物具有凹凸的情况下，背面研磨带在背面研磨工序中也可以表现出优异的凹凸嵌入性。
未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在80℃下的剪切储能弹性模量G′2优选为0.01MPa～1MPa、更优选0.05MPa～0.5MPa、还更优选0.1MPa～0.4MPa。当未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在80℃下的剪切储能弹性模量G′2落入所述范围内时，即使在其中被粘物在其表面上具有凹凸的情况下，背面研磨带也可以表现出优异的凹凸嵌入性。
C-1.基础聚合物
在压敏粘合剂组合物中使用的任意合适的树脂可以用作基础聚合物。其实例包括如(甲基)丙烯酸系树脂、乙烯基烷基醚系树脂、有机硅系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚氨酯系树脂、和苯乙烯-二烯嵌段共聚物等树脂。其中，优选使用(甲基)丙烯酸系树脂。当使用(甲基)丙烯酸系树脂时，可以获得其中容易地调节压敏粘合剂层的储能弹性模量和拉伸弹性模量，并且压敏粘合力和剥离性之间的平衡优异的压敏粘合剂组合物。进一步，可以减少源自压敏粘合剂的组分对被粘物的污染。“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。
在本发明的至少一个实施方案中，压敏粘合剂组合物优选包含通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物(以下也称为“基础聚合物用单体组合物”)聚合而获得的聚合物作为基础聚合物。这种基础聚合物的引入提供压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。基础聚合物用单体组合物中的组分的聚合可以引起由式(1)表示的单体对具有羟基的聚合物的加成聚合。结果，获得具有源自由式(1)表示的单体的结构单元的聚合物。使用聚合物作为基础聚合物可以提供压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶：
Figure BDA0003874228100000081
其中“n”表示1以上的整数。
基础聚合物例如通过使单体组合物聚合来获得，该单体组合物包含：具有任意合适的直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯；和任意合适的共聚组分。各自具有直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯可以单独使用或以其组合使用。
直链或支链烷基优选为具有30个以下的碳原子的烷基、更优选具有1～20个碳原子的烷基、还更优选具有4～18个碳原子的烷基。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基和十二烷基。
基础聚合物的重均分子量优选为300,000以上、更优选400,000以上、还更优选600,000～1,000,000。当重均分子量落入该范围内时，可以获得压敏粘合剂组合物，其防止低分子量组分的渗出(bleed)，并且因此具有低污染性。基础聚合物的分子量分布(重均分子量/数均分子量)优选为1～20、更优选3～10。使用具有窄分子量分布的基础聚合物可以提供压敏粘合剂组合物，其防止低分子量组分的渗出，并且因此具有低污染性。重均分子量和数均分子量可以通过凝胶渗透色谱测量(溶剂：四氢呋喃，聚苯乙烯换算)来确定。
通过将羟基引入到任意合适的聚合物中而获得的聚合物可以用作具有羟基的聚合物。其实例包括各自通过将羟基引入到如(甲基)丙烯酸系树脂、乙烯基烷基醚系树脂、有机硅系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚氨酯系树脂、或苯乙烯-二烯嵌段共聚物等树脂的侧链和/或末端中而获得的聚合物。其中，优选使用通过将羟基引入到(甲基)丙烯酸系树脂中而获得的聚合物。使用(甲基)丙烯酸系树脂可以提供压敏粘合剂组合物，其有助于调节压敏粘合剂层的储能弹性模量和拉伸弹性模量，并且在其压敏粘合力和剥离性之间具有优异的平衡。进一步，可以减少源自压敏粘合剂的组分对被粘物的污染。术语“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。
任意合适的单体可以用作含羟基的单体。其实例包括丙烯酸2-羟基甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、丙烯酸3-羟基丙酯、丙烯酸4-羟基丁酯、甲基丙烯酸2-羟基甲酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、和N-(2-羟基乙基)丙烯酰胺。其中，优选使用丙烯酸2-羟基甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基甲酯、和甲基丙烯酸2-羟基乙酯。这些单体可以单独使用或以其组合使用。
相对于具有羟基的聚合物的聚合中使用的单体组合物的全部单体组分100mol％，含羟基的单体的比率优选为10mol％～40mol％、更优选10mol％～30mol％、还更优选15mol％～25mol％。包含含羟基的单体的单体组合物的聚合提供具有羟基的聚合物。羟基可以用作源自由式(1)表示的单体的结构单元的导入点。例如，具有碳不饱和双键的基础聚合物通过使具有羟基的聚合物(预聚物)和由式(1)表示的单体彼此反应而获得。
出于改善压敏粘合剂组合物的例如内聚力、耐热性、交联性的目的，根据需要，可以进一步使用可与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的任意其它单体组分。这种单体的实例包括：含羧基的单体，如丙烯酸和甲基丙烯酸；酸酐单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含磺酸基的单体，如苯乙烯磺酸和烯丙基磺酸；(N-取代)酰胺系单体，如(甲基)丙烯酰胺和N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯；马来酰亚胺系单体，如N-环己基马来酰亚胺和N-异丙基马来酰亚胺；衣康酰亚胺系单体，如N-甲基衣康酰亚胺和N-乙基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺系单体；乙烯基系单体，如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮和甲基乙烯基吡咯烷酮；氰基丙烯酸酯单体，如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基的丙烯酸系单体，如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；二醇系丙烯酸酯单体，如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯和聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯；各自具有杂环、卤素原子或硅原子的丙烯酸酯系单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟化(甲基)丙烯酸酯、和有机硅(甲基)丙烯酸酯；烯烃系单体，如异戊二烯、丁二烯、和异丁烯；以及乙烯基醚系单体，如乙烯基醚。这些单体组分可以单独使用或以其组合使用。
单体组合物中可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体组分的含量比例可以设定为任意合适的量。具体地，使用可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体组分，使得(甲基)丙烯酸烷基酯、含羟基的单体和任意合适的可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体组分的总量可以为100mol％。
具有羟基的聚合物可以通过任意合适的方法来获得。例如，该聚合物可以通过任意合适的聚合方法使包含(甲基)丙烯酸烷基酯、含羟基的单体、和任意合适的可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体组分的单体组合物聚合来获得。
如上所述，压敏粘合剂组合物的基础聚合物为通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得聚合物。基础聚合物为具有源自由式(1)表示的单体的结构的聚合物。具有羟基的聚合物的羟基和由式(1)表示的单体的异氰酸酯基的加成聚合提供其中导入了碳不饱和双键的基础聚合物。使用基础聚合物提供压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶：
Figure BDA0003874228100000101
其中“n”表示1以上的整数。
在式(1)中，“n”表示1以上、优选1～10、更优选1～5的整数。当“n”落入所述范围内时，可以提供进一步抑制了残胶的压敏粘合剂组合物。在本发明的至少一个实施方案中，由式(1)表示的单体为2-(2-甲基丙烯酰氧基乙基氧基)乙基异氰酸酯(由式(1)表示的化合物，其中“n”表示1)。各自由式(1)表示的单体可以单独使用或以其组合使用。
相对于具有羟基的聚合物的羟基的摩尔数，由式(1)表示的单体的添加量优选为60mol％～95mol％、更优选65mol％～90mol％、还更优选70mol％～85mol％。当由式(1)表示的单体的添加量落入所述范围内时，获得压敏粘合剂组合物，其可以通过UV照射而固化，并且剥离性优异。当由式(1)表示的单体的添加量大于95mol％时，基础聚合物与交联剂的反应点的数量可能减少，使得可能无法获得充分的交联效果。
基础聚合物可以具有通过使用除了由式(1)表示的单体以外的具有碳不饱和双键的化合物引入碳不饱和双键的部分。除了由式(1)表示的单体以外的具有碳不饱和双键的化合物的实例包括丙烯酸2-异氰酸乙酯(2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯)、甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯(2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯)、甲基丙烯酰异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯、和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。这些化合物可以单独使用或以其组合使用。当组合使用除了由式(1)表示的单体以外的具有碳不饱和双键的化合物时，使用由式(1)表示的单体和除了由式(1)表示的单体以外的具有碳不饱和双键的化合物，使得其总添加量可以为95mol％以下。
C-2.光聚合引发剂
任意合适的引发剂可以用作光聚合引发剂。光聚合引发剂的实例包括：酰基氧化膦系光引发剂，如2,4,6-三甲基苄基苯基次膦酸乙酯和(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦；α-酮醇系化合物，如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α′-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮；苯乙酮系化合物，如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1；苯偶姻醚系化合物，如苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、和安息香甲醚；缩酮系化合物，如苄基二甲基缩酮；芳香族磺酰氯系化合物，如2-萘磺酰氯；光活性肟系化合物，如1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)-肟；二苯甲酮系化合物，如二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、和3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻吨酮系化合物，如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、和2,4-二异丙基噻吨酮；樟脑醌；卤代酮；以及酰基膦酸酯，和α-羟基苯乙酮，如2-羟基-1-(4-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1。其中，可以优选使用2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮和2-羟基-1-(4-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1。光聚合引发剂可以单独使用或以其组合使用。
作为光聚合引发剂，也可以使用市售品。其实例包括来自IGM Resins B.V.的在商品名Omnirad 127D和Omnirad 651下可得的产品。
光聚合引发剂可以以任意合适的量使用。相对于100重量份的基础聚合物，光聚合引发剂的含量优选为0.5重量份～20重量份、更优选0.5重量份～10重量份。当光聚合引发剂的含量小于0.5重量份时，压敏粘合剂在活性能量射线照射时不会充分固化。当光聚合引发剂的含量大于20重量份时，压敏粘合剂的储存稳定性会降低。
C-3.添加剂
压敏粘合剂组合物可以进一步包含任意合适的添加剂。添加剂的实例包括交联剂、催化剂(例如，铂催化剂)、增粘剂、增塑剂、颜料、染料、填料、防老剂、导电材料、UV吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂(peeling modifier)、软化剂、表面活性剂、阻燃剂和溶剂。
在本发明的至少一个实施方案中，压敏粘合剂组合物可以进一步包含交联剂。交联剂的实例包括异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂和螯合物系交联剂。交联剂的含量比例可以调整为任意合适的比例。例如，当使用异氰酸酯系交联剂时，相对于基础聚合物100重量份，含量比例优选为0.01重量份～10重量份、更优选0.1重量份～5重量份、还更优选3.0重量份～5.0重量份。由压敏粘合剂组合物形成的UV固化性压敏粘合剂层的柔软性可以通过交联剂的含量比例来控制。当交联剂的含量小于0.01重量份时，压敏粘合剂组合物变为溶胶状，并且因此不会形成UV固化性压敏粘合剂层。当交联剂的含量大于10重量份时，对被粘物的密合性会降低，并且被粘物会得不到充分保护。
在本发明的至少一个实施方案中，优选使用异氰酸酯系交联剂。异氰酸酯系交联剂为优选的，这是因为该交联剂可以与各种官能团反应。特别优选使用具有3个以上的异氰酸酯基的交联剂。当异氰酸酯系交联剂用作交联剂并且交联剂的含量比例落入上述范围内时，可以形成即使在加热后剥离性也优异并且导致残胶量显著减少的UV固化性压敏粘合剂层。
UV固化性压敏粘合剂层的厚度可以设定为任意合适的值。UV固化性压敏粘合剂层的厚度优选为1μm～100μm、更优选1μm～80μm、还更优选1μm～50μm、特别优选1μm～20μm。当UV固化性压敏粘合剂层的厚度落入所述范围内时，可以表现出对被粘物充分的压敏粘合力。
UV固化性压敏粘合剂层可以由一层或两层以上形成。UV固化性压敏粘合剂层和不是UV固化性的压敏粘合剂层的层叠体也是允许的。当存在两层以上的UV固化性压敏粘合剂层时，所述层仅需要包括通过使用上述压敏粘合剂组合物形成的至少一层UV固化性压敏粘合剂层。当存在两层以上的UV固化性压敏粘合剂层时，通过使用压敏粘合剂组合物形成的UV固化性压敏粘合剂层优选地形成在背面研磨带的与被粘物接触的表面上。不由压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层可以由任意合适的压敏粘合剂组合物形成。压敏粘合剂组合物可以为UV固化性压敏粘合剂或压敏粘合剂。
D.中间层
在本发明的至少一个实施方案中，背面研磨带进一步包括中间层。中间层配置在基材和UV固化性压敏粘合剂层之间。当背面研磨带包括中间层时，该带可以表现出更优异的凹凸嵌入性。
中间层的厚度优选为10μm～300μm、更优选50μm～200μm、还更优选50μm～150μm、特别优选100μm～150μm。当中间层的厚度落入所述范围内时，可以获得能够令人满意地嵌入凹凸表面的背面研磨带。
中间层在25℃下的剪切储能弹性模量G′3优选为0.3MPa～10MPa、更优选0.4MPa～1.5MPa、还更优选0.5MPa～1.0MPa。另外，中间层在80℃下的剪切储能弹性模量G′4优选为0.01MPa～0.5MPa、更优选0.02MPa～0.20MPa、还更优选0.03MPa～0.15MPa、特别优选0.04MPa～0.10MPa。当在25℃下的剪切储能弹性模量G′3和在80℃下的剪切储能弹性模量G′4落入所述范围内时，可以获得在其贴附时和在背面研磨工序中能够令人满意地嵌入凹凸表面的背面研磨带。
中间层可以由任意合适的材料形成。中间层可以例如由如丙烯酸系树脂、聚乙烯系树脂、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯乙酸乙烯酯系树脂、和乙烯甲基丙烯酸甲酯树脂等树脂或压敏粘合剂形成。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层由包含(甲基)丙烯酸系聚合物的中间层形成组合物形成。(甲基)丙烯酸系聚合物优选包含源自(甲基)丙烯酸烷基酯的构成组分。(甲基)丙烯酸烷基酯的实例包括(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯和(甲基)丙烯酸二十烷基酯。
出于改善例如内聚力、耐热性、或交联性的目的，根据需要，(甲基)丙烯酸系聚合物可以包含可与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体对应的构成单元。这种单体的实例包括：含羧基的单体，如丙烯酸和甲基丙烯酸；酸酐单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体，如(甲基)丙烯酸羟基乙酯和(甲基)丙烯酸羟基丙酯；含磺酸基的单体，如苯乙烯磺酸和烯丙基磺酸；含氮单体，如(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、和丙烯酰基吗啉；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯；马来酰亚胺系单体，如N-环己基马来酰亚胺和N-异丙基马来酰亚胺；衣康酰亚胺系单体，如N-甲基衣康酰亚胺和N-乙基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺系单体；乙烯基系单体，如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮和甲基乙烯基吡咯烷酮；氰基丙烯酸酯单体，如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基的丙烯酸系单体，如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；二醇系丙烯酸酯单体，如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯和聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯；各自具有杂环、卤素原子或硅原子的丙烯酸酯系单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟化(甲基)丙烯酸酯、和有机硅(甲基)丙烯酸酯；烯烃系单体，如异戊二烯、丁二烯、和异丁烯；以及乙烯基醚系单体，如乙烯基醚。这些单体组分可以单独使用或以其组合使用。相对于丙烯酸系聚合物100重量份，源自其它单体的构成单元的含量比例优选为1重量份～30重量份、更优选3重量份～25重量份。
(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为200,000～1,000,000、更优选300,000～800,000。重均分子量可以通过GPC(溶剂：THF)来测量。
(甲基)丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度优选为-50℃～30℃、更优选-40℃～20℃。当玻璃化转变温度落入该范围内时，可以获得耐热性优异，并且可以适用于加热工序中的背面研磨带。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层包含光聚合引发剂并且不含任何UV固化性组分。即，虽然中间层包含光聚合引发剂，但是中间层本身不通过UV照射而固化。因此，中间层可以在UV照射前后保持其柔软性。另外，当中间层包含光聚合引发剂时，可以抑制压敏粘合剂层中的光聚合引发剂向中间层迁移，结果这可以抑制压敏粘合剂层中的光聚合引发剂的含量随时间的降低。因此，在UV照射后，背面研磨带可以表现出优异的轻剥离性。如本文所用的术语“UV固化性组分”是指能够通过UV照射而交联从而经历固化收缩的组分。其具体实例包括各自在其侧链或其末端具有碳不饱和双键的聚合物。
中间层形成组合物(所得中间层)中的光聚合引发剂和压敏粘合剂层中的光聚合引发剂可以彼此相同或不同。中间层和压敏粘合剂层优选包含相同的光聚合引发剂。当中间层和压敏粘合剂层包含相同的光聚合引发剂时，可以进一步抑制光聚合引发剂从压敏粘合剂层向中间层的转移。在上述压敏粘合剂组合物中作为实例的光聚合引发剂可以用作光聚合引发剂。光聚合引发剂可以单独使用或以其组合使用。
相对于中间层形成用组合物中的聚合物构成组分100重量份，中间层中的光聚合引发剂的含量优选为0.1重量份～10重量份、更优选0.5重量份～8重量份。当中间层中的光聚合引发剂的含量落入所述范围内时，可以获得在UV照射后具有优异的轻剥离性的背面研磨带。在本发明的至少一个实施方案中，光聚合引发剂以与压敏粘合剂层形成用组合物中的量相等的量使用。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层形成用组合物进一步包含交联剂。交联剂的实例包括异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳化二亚胺系交联剂、和胺系交联剂。
当中间层形成用组合物包含交联剂时，相对于中间层形成用组合物中的聚合物构成组分100重量份，交联剂的含量比例优选为0.5重量份～10重量份、更优选1重量份～8重量份。
中间层形成用组合物可以根据需要进一步包含任意合适的添加剂。添加剂的实例包括活性能量射线聚合促进剂、自由基清除剂、增粘剂、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂或均苯四酸酯系增塑剂)、颜料、染料、填料、防老剂、导电材料、抗静电剂、UV吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、和抗氧化剂。
E.背面研磨带的制造方法
背面研磨带可以通过任意合适的方法来制造。在本发明的至少一个实施方案中，背面研磨带可以通过在基材上形成UV固化性压敏粘合剂层来制造。另外，当背面研磨带包括中间层时，背面研磨带可以通过例如在基材上形成中间层，然后在中间层上形成压敏粘合剂层来制造。压敏粘合剂层和中间层可以通过分别将压敏粘合剂层形成用组合物和中间层形成用组合物涂布至基材和中间层上来形成，或者可以各自通过在任意合适的剥离衬垫上形成层，然后转印所述层来形成。如棒涂机涂布、气刀涂布、凹版涂布、凹版逆向涂布、逆向辊涂、唇式涂布、模涂、浸涂、胶版印刷、柔性版印刷、和丝网印刷等各种方法可以各自用作涂布方法。另外，例如，可以采用包括在剥离衬垫上分别形成压敏粘合剂层或中间层，然后将所得物贴合至基材上的方法。
F.背面研磨带的用途
根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带可以适用于半导体元件制造工艺的背面研磨工序。要求背面研磨带具有这种轻剥离性，即在背面研磨时适当地保持硅晶片，并且在剥离时能够剥离而不破坏研磨的晶片。根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带在UV照射前具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且在UV照射后可以表现出优异的轻剥离性，从而防止被粘物的表面上的残胶。因此，根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带可以适用于半导体元件加工工序。
根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带优选通过贴附至具有凹凸(例如，凸块)的被粘物来使用。如上所述，根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带在未经UV照射时，即在UV照射前，具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合力。因此，即使当被粘物具有凹凸时，该带也可以在背面研磨工序中适当地保持被粘物(例如，硅晶片)。另外，当凹凸嵌入性优异的背面研磨带用于具有凹凸的被粘物时，在被粘物的凹凸部分中可能出现残胶。根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带在UV照射后可以表现出优异的轻剥离性。因此，即使在被粘物具有凹凸时，也可以防止被粘物的表面上的残胶。
在本发明的至少一个实施方案中，具有凹凸的被粘物的落差优选为10μm～200μm、更优选30μm～150μm、还更优选50μm～100μm。凹凸的落差在所述范围内的被粘物可能难以兼顾凹凸嵌入性和轻剥离性。根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带即使在这样的被粘物上也表现出优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时的残胶。
在本发明的至少一个实施方案中，具有凹凸的被粘物的突出部分(例如，凸块或突出的电极)之间的距离优选为10μm～500μm、更优选30μm～300μm、还更优选60μm～200μm。在其中突出部分之间的距离落入所述范围内的被粘物中，其各自具有凹凸的部分可能变得更致密，从而使得难以兼顾凹凸嵌入性和轻剥离性。根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带即使在这样的被粘物上也表现出优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时的残胶。
在本发明的至少一个实施方案中，上述凹凸为突出的电极。突出的电极由任意合适的金属形成。金属的实例包括锡、铜、镍和金。突出的电极和硅晶片在表面组成上彼此不同。因此，即使当背面研磨带贴附至晶片上时，也不能获得充分的凹凸嵌入性，并且因此无法在背面研磨工序中充分地保持作为被粘物的硅晶片。即使当被粘物的表面具有包括不同组成的部分时，根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带也可以在背面研磨工序中适当地保持被粘物。
实施例
现在，通过实施例具体地描述本发明，但本发明不限于这些实施例。实施例中的试验和评价方法如下所述。另外，除非另有说明，“份”和“％”都是以重量计。
<制造例1>中间层形成组合物的制备
使用58.4mol的丙烯酸丁酯、38.6mol的甲基丙烯酸甲酯、和3mol的丙烯酸2-羟基乙酯(由Toagosei Co.,Ltd.制造，商品名：ACRYCS(商标)HEA)作为单体。将这些单体、相对于所述单体的总重量为0.3wt％的聚合引发剂(由FUJIFILM Wako Pure ChemicalCorporation制造，商品名：V-50)、和溶剂(水)混合，以制备单体组合物(固成分浓度：25％)。将单体组合物投入聚合用实验装置中，所述装置通过将1升圆底可拆式烧瓶安装有可拆式盖、分液漏斗、温度计、氮气引入管、李比希冷凝器、真空密封、搅拌棒和搅拌叶片而获得。在搅拌该组合物的同时，在常温下用氮气吹扫装置1小时。之后，在将该组合物在氮气气流中搅拌的同时，将该组合物在56℃下保持5小时以进行乳液聚合，随后进行盐析。因此，获得树脂(中间层形成组合物用聚合物)。
将所得聚合物溶解在乙酸乙酯中，并且将相对于该溶液的固成分100重量份为0.1重量份的多异氰酸酯化合物(商品名：“CORONATE L”，由Tosoh Corporation制造)和1重量份的光聚合引发剂(由IGM Resins B.V.制造，商品名：Omnirad 127D)混合到该溶液中。因此，制备包含乙酸乙酯的中间层形成组合物(固成分：35％)。
<制造例2>压敏粘合剂层形成组合物的制备
使用75mol的丙烯酸丁酯、25mol的甲基丙烯酸甲酯、和20mol的丙烯酸2-羟基乙酯(由Toagosei Co.,Ltd.制造，商品名：ACRYCS(商标)HEA)作为单体。将这些单体、相对于所述单体的总重量为0.3wt％的聚合引发剂(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造，商品名：2,2′-偶氮二(异丁腈)(AIBN))、和溶剂(乙酸乙酯)混合，以制备单体组合物(固成分浓度：37.5％)。将单体组合物投入聚合用实验装置中，所述装置通过将1升圆底可拆式烧瓶安装有可拆式盖、分液漏斗、温度计、氮气引入管、李比希冷凝器、真空密封、搅拌棒和搅拌叶片而获得。在搅拌该组合物的同时，在常温下用氮气吹扫装置6小时。之后，在将该组合物在氮气气流中搅拌的同时，将该组合物在65℃下保持6小时以进行溶液聚合。因此，获得树脂溶液(包含具有羟基的聚合物的聚合物溶液)。
将前述获得的具有羟基的聚合物的溶液搅拌，使得空气充分进入溶液。之后，将16mol的由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI-EG”)添加至该溶液中。进一步，将相对于由式(1)表示的单体的重量为0.05wt％的二月桂酸二丁基锡(IV)(由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)添加至混合物中，并且适当地添加溶剂(乙酸乙酯)，以将混合物的固成分浓度调节至31％，随后搅拌。之后，将混合物在50℃下储存24小时以提供聚合物溶液(压敏粘合剂组合物1)。
相对于所得聚合物溶液的固成分100重量份，将3.0重量份的多异氰酸酯化合物(商品名：“CORONATE L”，由Tosoh Corporation制造)和1重量份的光聚合引发剂(由IGMResins B.V.制造，商品名：Omnirad 127D)混合到该溶液中。因此，制备包含乙酸乙酯的压敏粘合剂层形成组合物(固成分：15％)。
[实施例1]
将制造例1中获得的中间层形成组合物涂布至厚度为38μm的聚酯系剥离衬垫(商品名：“MRF”，由Mitsubishi Plastics,Inc.制造)的表面上，该表面已经进行了有机硅处理，并且在120℃下加热120秒以除去其溶剂。因此，形成厚度为150μm的中间层。接下来，将厚度为50μm的PET膜(商品名：“LUMIRROR S105”，由Toray Industries,Inc.制造)的经ESAS处理的表面贴合至中间层的表面上，所述膜用作基材。
单独地，将制造例2中获得的压敏粘合剂层形成组合物涂布至厚度为75μm的聚酯系剥离衬垫的经有机硅处理的表面上，并且在120℃下加热120秒以除去其溶剂。因此，形成厚度为6μm的压敏粘合剂层。
接下来，将剥离衬垫从中间层剥离，并且将压敏粘合剂层贴合并且转印至中间层上，随后将所得物在50℃下储存72小时。因此，获得依次包括基材、中间层、和压敏粘合剂层的压敏粘合带。
[实施例2]
除了将由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI-EG”)的添加量改变为14mol以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合带。
[实施例3]
除了将由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI-EG”)的添加量改变为18mol、光聚合引发剂的添加量改变为2重量份以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合带。
(比较例1)
除了使用用于引入碳不饱和双键的其它化合物(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)代替由式(1)表示的单体(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“KarenzMOI-EG”)、光聚合引发剂的添加量改变为1重量份以外，以与实施例3相同的方式获得压敏粘合带。
(比较例2)
将75mol的丙烯酸2-乙基己酯、25mol的丙烯酰基吗啉、22mol的丙烯酸2-羟基乙酯(由Toagosei Co.,Ltd.制造，商品名：ACRYCS(商标)HEA)、相对于所述单体的总重量为0.3wt％的聚合引发剂(由NOF Corporation制造，商品名：NYPER(商标)BW)、和溶剂(乙酸乙酯)混合，以制备单体组合物(固成分浓度：40％)。将单体组合物投入聚合用实验装置中，所述装置通过将1升圆底可拆式烧瓶安装有可拆式盖、分液漏斗、温度计、氮气引入管、李比希冷凝器、真空密封、搅拌棒和搅拌叶片而获得。在搅拌该组合物的同时，在常温下用氮气吹扫装置6小时。之后，在将该组合物在氮气气流中搅拌的同时，将该组合物在60℃下保持8小时以进行聚合。因此，获得树脂溶液。将11mol的用于引入碳不饱和双键的其它化合物(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)添加到所得树脂溶液中。进一步，将0.0633重量份的二月桂酸二丁基锡(IV)(由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)添加至混合物中，并且适当地添加溶剂(甲苯)，以将混合物的固成分浓度调节至15％。之后，在空气气氛下，将混合物在50℃下搅拌24小时以提供聚合物溶液(压敏粘合剂组合物)。
除了使用所得压敏粘合剂组合物、将光聚合引发剂的添加量改变为5重量份以外，以与实施例1相同的方式制备压敏粘合剂层形成组合物。除了使用该压敏粘合剂层形成组合物以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合带。
(比较例3)
除了使用18mol的用于引入碳不饱和双键的其它化合物(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)以外，以与比较例2相同的方式获得聚合物溶液(压敏粘合剂组合物)。
除了使用所得压敏粘合剂组合物、将光聚合引发剂的添加量改变为5重量份以外，以与实施例1相同的方式制备压敏粘合剂层形成组合物。除了使用该压敏粘合剂层形成组合物以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合带。
使用在实施例和比较例中获得的压敏粘合带进行以下评价。结果如表1所示。
(1)压敏粘合力
通过使用Si镜面晶片(由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)作为被粘物来测量硅压敏粘合力(Si压敏粘合力)。使用用刀具切割成20mm宽的压敏粘合带。通过使2kg辊往复一次，将该带贴附至晶片。用拉伸试验机(TENSILON)(由MinebeaMitsumi Inc.制造，商品名：TG-1kN)按照JIS Z 0237(2000)来进行测量。具体地，以300mm/分钟的拉伸速度、室温和180°的剥离角度剥离该带。UV照射如下进行：将压敏粘合带贴附至晶片上，并且将所得物在常温下储存30分钟，随后用来自高压汞灯的UV光(700mJ/cm2)照射所得物，然后测量该带的压敏粘合力。压敏粘合带的贴附和剥离在室温为23℃和相对湿度为50％的环境中进行。
(2)剪切储能弹性模量
将压敏粘合剂层形成组合物各自层叠在剥离衬垫(厚度：38μm，由MitsubishiPlastics,Inc.制造，商品名：“MRF”)上，以具有1mm的厚度。因此，获得样品。用ARES流变仪(由Waters Corporation制造)在升温速度为5℃/分钟、频率为1Hz、和测量温度为0℃～100℃的条件下来测量样品的剪切储能弹性模量。
(3)拉伸储能弹性模量
以与上述剪切储能弹性模量的评价相同的方式制备样品。用动态粘弹性测量装置(商品名：RSA，由TA Instruments,Inc.制造)在升温速度为5℃/分钟、频率为1Hz、和测量温度为0℃～100℃的条件下来测量样品的拉伸储能弹性模量。在压敏粘合剂层形成组合物的层叠之后，对用来自高压汞灯的UV光(700mJ/cm2)照射的样品进行测量。
(4)嵌入性
用带贴附装置(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：DR-3000III)将实施例和比较例中获得的压敏粘合带(230cm×400cm)各自贴附至晶片(8英寸，凸块高度：75μm，直径：90μm，间距：200μm)上。在以下条件下进行贴附。
实施环境： 23℃和相对湿度为50％
辊压力： 0.40MPa
辊速度： 5mm/秒
工作台温度： 80℃
在贴附后，用激光显微镜(倍率：100倍)观察压敏粘合带和晶片的贴附状态。另外，在其中压敏粘合带面向上的状态下，从压敏粘合带侧对压敏粘合带和晶片进行成像，并且用图像分析软件(Image J(免费软件))对图像进行二值化(8位灰度，亮度：0～255，阈值：114)。随机选择五个凸块，并且对用于显示一个凸块的点数进行计数。通过用符号“○”(良好)标记五个凸块的平均点数为830以下的情况，并且用符号“×”(差)标记平均点数大于830的情况来进行评价。注意仅在没有带贴附至其上的状态下的凸块的图像具有220个点。当凸块处于带贴附至其上的状态时，点数大于220。当平均点数为830以下时，表明该带具有优异的凹凸嵌入性。
(5)残胶
用带贴附装置(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：DR-3000III)将实施例和比较例中获得的压敏粘合带(230cm×400cm)各自贴附至具有各自包括焊料的Cu柱和凸块的晶片(12英寸，凸块高度：65μm，直径：60μm，间距：150μm)上。在以下条件下进行贴附。
实施环境： 23℃和相对湿度为50％
辊压力： 0.40MPa
辊速度： 5mm/秒
工作台温度： 80℃
接下来，将所得物用来自高压汞灯的UV光(700mJ/cm2)照射，并且用剥离装置(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：RM300-NV4)在以下条件下剥离压敏粘合带。
剥离温度： 60℃
剥离速度： 5mm/秒
之后，用激光显微镜观察剥离压敏粘合带之后的晶片，并且通过用符号“◎”(非常好)标记凸块上不存在残胶的情况，用符号“○”(良好)标记能够稍微观察到残胶但落在允许范围内的情况，并且用符号“×”(差)标记凸块上存在残胶从而排除使用晶片的情况来进行评价。
表1
Figure BDA0003874228100000251
根据本发明的至少一个实施方案的背面研磨带可以适用于半导体元件加工工序。
根据本发明的至少一个实施方案，可以提供背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。

Claims (11)

1.一种背面研磨带，其包括：
基材；和
UV固化性压敏粘合剂层，
其中未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且
其中所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。
2.根据权利要求1所述的背面研磨带，其中所述背面研磨带通过贴附至具有凹凸的被粘物来使用。
3.根据权利要求2所述的背面研磨带，其中所述凹凸的落差为10μm～200μm。
4.根据权利要求2所述的背面研磨带，其中所述凹凸为突出的电极。
5.根据权利要求1所述的背面研磨带，其进一步包括中间层，
其中所述中间层配置在所述基材和所述UV固化性压敏粘合剂层之间。
6.根据权利要求5所述的背面研磨带，其中所述中间层的厚度为10μm～300μm。
7.根据权利要求5所述的背面研磨带，
其中所述中间层在25℃下的剪切储能弹性模量G′3为0.3MPa～10MPa，并且
其中所述中间层在80℃下的剪切储能弹性模量G′4为0.01MPa～0.5MPa。
8.根据权利要求1所述的背面研磨带，其中所述UV固化性压敏粘合剂层的厚度为1μm～100μm。
9.根据权利要求1所述的背面研磨带，其中所述背面研磨带的未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在80℃下的剪切储能弹性模量G′2为0.01MPa～1MPa。
10.根据权利要求1所述的背面研磨带，其中所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在60℃下的拉伸储能弹性模量E′2为30MPa以下。
11.根据权利要求1所述的背面研磨带，
其中所述UV固化性压敏粘合剂层为由包含基础聚合物和光聚合引发剂的压敏粘合剂组合物形成的层，并且
其中所述基础聚合物为通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物：
Figure FDA0003874228090000021
其中“n”表示1以上的整数。
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