CN115915867A - 显示装置 - Google Patents

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CN115915867A
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CN
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transistor
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readout
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electrode
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金炫植
金建熙
金相羽
安泰琼
李大荣
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Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本公开提供一种显示装置，所述显示装置包括具有显示区域和非显示区域的显示面板。所述显示面板包括：像素，设置在所述显示区域中，并且包含发光元件和与所述发光元件电连接的像素驱动电路；传感器，设置在所述显示区域中，并且包含感光元件和与所述感光元件电连接的传感器驱动电路；数据线，与所述像素电连接并且沿着第一方向延伸；扫描线，与所述像素电连接并且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及读出线，包含所述显示区域中的第一读出部分。所述第一读出部分与所述传感器电连接，并且在所述显示区域中沿着所述第二方向延伸。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0128445号的优先权，该韩国专利申请公开的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文中描述的本公开的实施例涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种能够识别生物特征信息的显示装置。
背景技术
显示装置提供能够与用户通信的各种功能，例如，显示图像以向用户提供信息或者检测用户输入。最近的显示装置还包括用于检测用户的生物特征信息的功能。生物特征信息识别方案可以是用于检测在电极之间形成的电容中的变化的电容方案、用于使用光学传感器检测入射光的光学方案、或者用于使用压电材料检测振动的超声波方案等。
发明内容
本公开的实施例提供一种具有改善的用于识别生物特征信息的传感器的感测性能的显示装置。
根据一实施例，一种显示装置可以包括显示面板，在所述显示面板中限定显示区域和非显示区域。所述显示面板可以包括：像素，设置在所述显示区域中，并且包含发光元件和与所述发光元件电连接的像素驱动电路；传感器，设置在所述显示区域中，并且包含感光元件和与所述感光元件电连接的传感器驱动电路；数据线，与所述像素电连接并且沿着第一方向延伸；扫描线，与所述像素电连接并且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及读出线，包含所述显示区域中的第一读出部分。所述第一读出部分与所述传感器电连接，并且在所述显示区域中沿着所述第二方向延伸。
所述读出线的所述第一读出部分在所述显示区域中可以不与所述扫描线重叠。所述读出线的所述第一读出部分和所述扫描线在所述显示区域中平行。
所述读出线的所述第一读出部分可以沿着所述第二方向从所述显示区域延伸到所述非显示区域。所述读出线还可以包括：第二读出部分，设置在所述非显示区域中并且在所述非显示区域处连接到所述第一读出部分，并且沿着所述第一方向从所述非显示区域延伸到所述第一读出部分。
所述第一读出部分和所述第二读出部分可以布置在彼此不同的层上。
所述显示装置还可以包括输入感测层，设置在所述显示面板上并且包含第一导电层和第二导电层。所述读出线的一部分可以包含在所述第一导电层或所述第二导电层中。
所述读出线的所述第一读出部分可以沿着所述第二方向从所述显示区域延伸到所述非显示区域。所述读出线还可以包括：第二读出部分，设置在所述非显示区域中并且在所述非显示区域处连接到所述第一读出部分，并且沿着所述第一方向可以从所述非显示区域延伸到所述第一读出部分。所述第二读出部分可以包含在所述第一导电层或所述第二导电层中。
所述显示面板还可以包括：连接电极，与所述第一读出部分和所述第二读出部分中的每一个连接。
所述传感器驱动电路可以包括：复位晶体管，包含配置为接收复位信号的第一电极、与第一感测节点连接的第二电极、和配置为接收复位控制信号的第三电极；放大晶体管，包含配置为接收感测驱动电压的第一电极、与第二感测节点连接的第二电极、和与所述第一感测节点连接的第三电极；以及输出晶体管，包含与所述第二感测节点连接的第一电极、与所述读出线连接的第二电极、和配置为接收输出控制信号的第三电极。
所述显示面板还可以包括：连接图案，将所述输出晶体管和所述读出线彼此电连接。
所述连接图案可以沿着所述第一方向延伸。所述连接图案可以设置在与所述第一读出部分不同的层上。
所述连接图案和所述第二读出部分可以设置在相同层上。
所述扫描线可以提供为多条。多条所述扫描线可以包含与所述像素连接的初始化扫描线、补偿扫描线和写入扫描线。所述读出线的所述第一读出部分可以不与所述初始化扫描线、所述补偿扫描线和所述写入扫描线中的每一个重叠。
所述像素驱动电路可以包括：第一晶体管，选择性地连接配置为接收第一驱动电压的第一驱动电压线和所述发光元件；第二晶体管，选择性地连接所述数据线和所述第一晶体管的第一电极；第三晶体管，选择性地连接所述第一晶体管的第二电极和第一节点，并且配置为接收第一扫描信号；第四晶体管，选择性地连接通过其施加第一初始化电压的第一初始化电压线和所述第一节点，并且配置为接收第二扫描信号；以及第五晶体管，选择性地连接通过其施加第二初始化电压的第二初始化电压线和所述发光元件的阳极，并且配置为接收第三扫描信号。
所述第二初始化电压线和设置在所述显示区域中的所述读出线的所述第一读出部分可以设置在相同层上。
根据一实施例，一种显示装置可以包括：显示面板，在所述显示面板中限定显示区域和非显示区域。所述显示面板可以包括：像素，设置在所述显示区域中，并且包含发光元件和与所述发光元件电连接的像素驱动电路；传感器，设置在所述显示区域中，并且配置为包含感光元件和与所述感光元件电连接的传感器驱动电路；以及读出线，与所述传感器电连接，并且包含所述显示区域中的第一读出部分和所述非显示区域中的第二读出部分。所述第一读出部分和所述第二读出部分可以沿着彼此不同的方向延伸。所述第一读出部分和所述第二读出部分可以布置在彼此不同的层上。
所述显示面板还可以包括：扫描线，与所述像素电连接，并且沿着与所述第一读出部分的延伸方向相同的方向延伸；以及数据线，与所述像素电连接，并且沿着与所述第二读出部分的延伸方向相同的方向延伸。所述第一读出部分可以不与所述扫描线重叠。
所述像素驱动电路可以包括：第一晶体管，选择性地连接配置为接收第一驱动电压的第一驱动电压线和所述发光元件；第二晶体管，选择性地连接所述数据线和所述第一晶体管的第一电极；第三晶体管，选择性地连接所述第一晶体管的第二电极和第一节点，并且配置为接收第一扫描信号；第四晶体管，选择性地连接通过其施加第一初始化电压的第一初始化电压线和所述第一节点，并且配置为接收第二扫描信号；以及第五晶体管，选择性地连接通过其施加第二初始化电压的第二初始化电压线和所述发光元件的阳极，并且配置为接收第三扫描信号。所述第一读出部分和所述第二初始化电压线可以设置在相同的层上。
所述显示装置还可以包括输入感测层，设置在所述显示面板上并且包含第一导电层和第二导电层。所述第二读出部分可以包含在所述第一导电层或所述第二导电层中。
所述传感器驱动电路可以包括：复位晶体管，包含配置为接收复位信号的第一电极、与第一感测节点连接的第二电极、和配置为接收复位控制信号的第三电极；放大晶体管，包含配置为接收感测驱动电压的第一电极、与第二感测节点连接的第二电极、和与所述第一感测节点连接的第三电极；以及输出晶体管，包含与所述第二感测节点连接的第一电极、与所述读出线连接的第二电极、和配置为接收输出控制信号的第三电极。
所述显示面板可以包括将所述输出晶体管和所述读出线彼此电连接的连接图案。所述连接图案可以沿着与所述第一读出部分的延伸方向不同的方向延伸。所述连接图案和所述第一读出部分可以设置在彼此不同的层上。
根据一实施例，一种显示装置可以包括显示面板，在所述显示面板中限定显示区域和非显示区域。所述显示面板可以包含：像素，设置在所述显示区域中；感光元件和传感器驱动电路，设置在所述显示区域中并且彼此电连接；数据线，与所述像素电连接并且沿着沿第一方向延伸的直线延伸；扫描线，与所述像素电连接并且沿着在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的直线延伸；以及读出线，包括所述显示区域中的第一读出部分和所述非显示区域中的第二读出部分。所述第一读出部分可以与所述传感器电连接并且在所述显示区域中沿着在所述第二方向上延伸的直线延伸。所述读出线的所述第一读出部分和所述扫描线可以在所述显示区域中平行而不彼此重叠。所述第二读出部分可以设置在所述非显示区域中并且沿着在所述第一方向上延伸的直线延伸。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的上述和其他目的和特征将变得明显。
图1是根据本公开的一实施例的显示装置的透视图。
图2是根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。
图3是根据本公开的一实施例的显示装置的框图。
图4A、图4B和图4C是放大了根据本公开的一实施例的显示面板的部分区域的平面图。
图5是示出根据本公开的一实施例的像素和传感器的电路图。
图6是示出根据本公开的一实施例的显示面板的像素的截面图。
图7A和图7B是示出根据本公开的一实施例的显示面板的发光元件和感光元件的截面图。
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F和图8G是示出用于构成图5的像素驱动电路和传感器驱动电路的每一层的导电图案的平面图。
图9是示出根据本公开的一实施例的显示面板的一些组件的平面图。
图10是示出根据本公开的一实施例的显示面板的一些组件的平面图。
图11是示意性地示出沿着图9中所示的线I-I'截取的部分的截面图。
图12是示意性地示出包括沿着图9中所示的线I-I'截取的部分的截面的图。
具体实施方式
在本说明书中，应当理解，当一个元件称为“连接”或“耦接”到另一元件或者“在”另一元件“上”时，该元件可以直接“连接”或“耦接”到另一元件或者“在”另一元件“上”或者可以存在居间元件。相反，当一个元件称为“直接连接”或“直接耦接”到另一元件时，或者称为“接触”另一元件或“与”另一元件“接触”时，在接触点处不存在居间元件。如本文中所用，描述为“电连接”的组件配置为使得电信号可以从一个组件传输到另一组件(尽管这种电信号在其传送时可能在强度上衰减并且可能选择性地传送)。
相同的附图标记指代相同的组件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，可能夸大元件的厚度、比例和尺寸。表述“和/或”包括相关组件能够限定的一种或多种组合。
尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应解释为受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。例如，在不脱离本公开的权利要求的范围的情况下，可以将“第一”元件称为“第二”元件，并且类似地，可以将“第二”元件称为“第一”元件。除非上下文另有明确说明，否则单数形式旨在包括复数形式。
此外，术语“在……之下”、“在……下面”、“在……上”、“在……上方”等用于描述附图中所示的组件的相关性。基于附图中所示的方向来描述在概念上相对的术语。
将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”等指定存在所述特征、数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
除非另有定义，否则在本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非在此明确定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应解释为具有与相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的含义来解释。
在下文中，将参考附图描述本公开的实施例。
图1是根据本公开的一实施例的显示装置的透视图。图2是根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。
参照图1和图2，显示装置DD可以是根据电信号而被激活的装置。例如，显示装置(电子装置)DD可以是但不限于移动电话、平板电脑、汽车导航***、游戏机或可穿戴装置。图1示出显示装置DD是移动电话。
显示装置DD的上表面可以被限定为显示表面IS并且可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。由显示装置DD生成的图像IM可以通过显示表面IS提供给用户。在下文中，基本上垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的法线方向可以定义为第三方向DR3。本说明书中的“当从平面图观察时”的含义可以指从第三方向DR3观察的状态。
显示表面IS可以划分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是其上显示图像IM的区域。用户可以通过透射区域TA观看图像IM。在一实施例中，透射区域TA以具有倒圆顶点的四边形形状示出。然而，这仅作为示例进行说明。在一实施例中，透射区域TA可以具有各种形状并且不限于任何一个实施例。
边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以具有特定颜色。边框区域BZA围绕透射区域TA。因此，透射区域TA的形状可以基本上由边框区域BZA限定。然而，这仅作为示例进行说明。在一实施例中，边框区域BZA可以设置为仅与透射区域TA的一侧相邻或者可以被省略。
显示装置DD可以检测从外部施加的外部输入。外部输入可以是从显示装置DD的外部提供的各种类型的输入。例如，外部输入可以是通过靠近显示装置DD或以特定距离与显示装置DD相邻而施加的外部输入(例如，悬停)以及通过身体的一部分(诸如用户的手US_F)的接触。在一实施例中，外部输入可以具有各种形式，诸如力、压力、温度和光。
显示装置DD可以检测从外部施加的用户的生物特征信息。可以在显示装置DD的显示表面IS上提供能够感测用户的生物特征信息的生物特征信息感测区域。生物特征信息感测区域可以提供在所有透射区域TA或透射区域TA的一部分上。可以看出，所有的透射区域TA用作图1中的生物特征信息感测区域，但是本发明不限于此。在一些实施例中，生物特征信息感测区域可以提供在透射区域TA的一部分上。
显示装置DD可以包括窗WM和显示模块DM。显示模块DM包括显示面板DP、输入感测层ISL和防反射层CFL。
窗WM的前表面可以限定显示装置DD的显示表面IS。窗WM可以包括透光绝缘材料或者可以由透光绝缘材料形成。例如，窗WM可以包括玻璃或塑料或者可以由玻璃或塑料形成。窗WM可以是多层结构或单层结构。例如，窗WM可以包括通过粘合剂接合的多个塑料膜或者可以由通过粘合剂接合的多个塑料膜形成。在一些实施例中，窗WM可以包括通过粘合剂接合的玻璃基底和塑料膜或者可以由通过粘合剂接合的玻璃基底和塑料膜形成。
显示面板DP可以是实质上产生图像IM的组件。显示面板DP可以是发光显示面板。例如，显示面板DP可以是有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微LED显示层或纳米LED显示层。
输入感测层ISL可以设置在显示面板DP上。输入感测层ISL可以检测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户输入。用户输入可以是各种类型的外部输入，诸如用户身体的一部分、光、热、笔或压力等。
输入感测层ISL可以通过后续工艺形成在显示面板DP上。在一实施例中，输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上。表述“直接设置”可以意味着在输入感测层ISL和显示面板DP之间不设置第三组件。换言之，在输入感测层ISL和显示面板DP之间可以不设置单独的粘合剂构件。在一实施例中，输入感测层ISL可以通过粘合剂构件的含义耦接到显示面板DP。粘合剂构件可以包括典型的粘合剂或粘着剂。
防反射层CFL可以设置在输入感测层ISL上。防反射层CFL可以减小从显示面板DP的外部入射的外部光的反射率。防反射层CFL可以通过后续工艺形成在输入感测层ISL上。防反射层CFL可以包括滤色器。滤色器可以具有特定的布置。例如，滤色器可以关于包括在显示面板DP中的像素的发光颜色来布置。在一实施例中，防反射层CFL还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。
参照图2，显示面板DP可以包括基体层BL、电路层DP_CL、器件层DP_ED和封装层TFE。根据本发明的显示面板DP可以是柔性显示面板。然而，本发明不限于此。在一实施例中，显示面板DP可以是绕折叠轴折叠的可折叠显示面板或刚性显示面板。
基体层BL可以具有合成树脂层。合成树脂层可以是聚酰亚胺类树脂层，并且基体层BL的材料没有特别限制。在一实施例中，基体层BL可以包括或者可以是玻璃基底、金属基底或有机/无机复合基底等。
电路层DP_CL可以设置在基体层BL上。电路层DP_CL可以包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中，将包含在电路层DP_CL中的绝缘层称为中间绝缘层。中间绝缘层可以包括至少一个中间无机层和至少一个中间有机层或者可以由至少一个中间无机层和至少一个中间有机层形成。电路元件可以包括：像素驱动电路，包括在用于显示图像的多个像素中的每一个中；和传感器驱动电路，包括在用于识别外部信息的多个传感器中的每一个中等。外部信息可以是生物特征信息。作为本发明的示例，传感器可以是指纹传感器、接近传感器或虹膜传感器等。在一实施例中，传感器可以是在光学方案中识别生物特征信息的光学传感器。电路层DP_CL还可以包括与像素驱动电路和传感器驱动电路连接的信号线。
器件层DP_ED可以包括包含在每个像素中的发光元件和包含在每个传感器中的感光元件。作为本发明的示例，感光元件可以是光电二极管。感光元件可以是感测或响应由用户的指纹反射的光的传感器。将参照图6、图7A和图7B在下面给出对电路层DP_CL和器件层DP_ED的详细描述。
封装层TFE可以密封器件层DP_ED。封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层或者可以由至少一个有机层和至少一个无机层形成。无机层可以包括无机材料或者可以由无机材料形成并且可以保护器件层DP_ED免受湿气/氧气的影响。无机层可以包括但不特别限于氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等。有机层可以包括有机材料或者可以由有机材料形成并且可以保护器件层DP_ED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。有机层可以包括但不特别限于丙烯酸类有机材料。
根据本发明的一实施例的显示装置DD还可以包括粘合剂层AL。窗WM可以通过粘合剂层AL附着到防反射层CFL。粘合剂层AL可以包括光学透明粘合剂、光学透明粘合剂树脂或压敏粘合剂(PSA)。
图3是根据本发明的一实施例的显示装置的框图。图4A至图4C是放大了根据本发明的一实施例的显示面板的部分区域的平面图。
参照图3，显示装置DD可以包括显示面板DP、面板驱动器和驱动控制器100。作为本发明的示例，面板驱动器可以包括数据驱动器200、扫描驱动器300、发光驱动器350、电压发生器400和读出电路500。
驱动控制器100可以接收图像信号RGB和控制信号CTRL。驱动控制器100可以通过将图像信号RGB的数据格式转换为与数据驱动器200的接口规范相适合来产生图像数据信号DATA。驱动控制器100可以输出第一控制信号SCS、第二控制信号ECS、第三控制信号DCS、以及第四控制信号RCS。
数据驱动器200可以从驱动控制器100接收第三控制信号DCS和图像数据信号DATA。数据驱动器200可以将图像数据信号DATA转换为数据信号并且可以将数据信号输出到多个下面将描述的数据线DL1-DLm。数据信号可以是与图像数据信号DATA的灰度级值相对应的模拟电压。
扫描驱动器300可以从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS将扫描信号输出到扫描线。
电压发生器400可以产生显示面板DP的操作所需的电压。在一实施例中，电压发生器400产生第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2。
显示面板DP可以包括与透射区域TA(参照图1)相对应的显示区域DA和与边框区域BZA(参照图1)相对应的非显示区域NDA。
显示面板DP可以包括布置在显示区域DA中的多个像素PX和布置在显示区域DA中的多个传感器FX。多个像素PX和多个传感器FX可以布置成具有特定规则。例如，两个像素PX和一个传感器FX可以在第二方向DR2上重复地布置。在一实施例中，一个像素PX和一个传感器FX可以在第一方向DR1和第二方向DR2上交替地重复并且布置。然而，布置关系不限于此。在一实施例中，可以以各种方式修改像素PX和传感器FX之间的布置关系。
显示面板DP还可以包括扫描线、发光控制线EML1-EMLn、数据线DL1-DLm和读出线RL1-RLn。扫描线可以包括初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn和写入扫描线SWL1-SWLn+1。初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn、写入扫描线SWL1-SWLn+1和发光控制线EML1-EMLn可以在第二方向DR2上延伸。初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn、写入扫描线SWL1-SWLn+1和发光控制线EML1-EMLn可以在第一方向DR1上彼此间隔开地布置。数据线DL1-DLm可以在第一方向DR1上延伸并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开地布置。
根据本公开的一实施例，读出线RL1-RLn可以在显示区域DA中沿着第二方向DR2延伸并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开地布置。换言之，读出线RL1-RLn可以在与初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn、写入扫描线SWL1-SWLn+1和发光控制线EML1-EMLn中的每一个相同的方向上延伸。
读出线RL1-RLn可以不与初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn、写入扫描线SWL1-SWLn+1和发光控制线EML1-EMLn交叉。因此，可以最小化在显示区域DA中的读出线RL1-RLn与初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn、写入扫描线SWL1-SWLn+1和发光控制线EML1-EMLn之间产生的耦接。换言之，可以减少或消除在通过读出线RL1-RLn传递的感测信号中产生的失真。结果，可以改善显示装置DD的指纹感测性能。
多个像素PX可以分别与初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn、写入扫描线SWL1-SWLn+1、发光控制线EML1-EMLn以及数据线DL1-DLm电连接。多个像素PX中的每一个可以与四个扫描线电连接。例如，如图3中所示，第一行像素PX可以与第一初始化扫描线SIL1、第一补偿扫描线SCL1、第一写入扫描线SWL1和第二写入扫描线SWL2连接。第n行像素PX可以与第n初始化扫描线SILn、第n补偿扫描线SCLn、第n写入扫描线SWLn和第n+1写入扫描线SWLn+1连接。
多个传感器FX可以分别与补偿扫描线SCL1-SCLn、写入扫描线SWL1-SWLn+1、读出线RL1-RLn电连接。多个传感器FX中的每一个可以与两条扫描线电连接。例如，如图3中所示，第一行传感器FX可以与第一补偿扫描线SCL1和第二写入扫描线SWL2连接。第n行传感器FX可以与第n补偿扫描线SCLn和第n+1写入扫描线SWLn+1连接。
扫描驱动器300可以设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。扫描驱动器300可以从驱动控制器100接收第一控制信号SCS。响应第一控制信号SCS，扫描驱动器300可以将初始化扫描信号输出到初始化扫描线SIL1-SILn，并且可以将补偿扫描信号输出到补偿扫描线SCL1-SCLn。扫描驱动器300可以响应于第一控制信号SCS将写入扫描信号输出到写入扫描线SWL1-SWLn+1。在一实施例中，扫描驱动器300可以包括第一扫描驱动器和第二扫描驱动器。第一扫描驱动器可以输出初始化扫描信号和补偿扫描信号，并且第二扫描驱动器可以输出写入扫描信号。
发光驱动器350可以设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。发光驱动器350可以从驱动控制器100接收第二控制信号ECS。发光驱动器350可以响应于第二控制信号ECS将发光控制信号输出到发光控制线EML1-EMLn。在一实施例中，扫描驱动器300可以与发光控制线EML1-EMLn连接。扫描驱动器300可以将发光控制信号输出到发光控制线EML1-EMLn。
读出电路500可以从驱动控制器100接收第四控制信号RCS。读出电路500可以响应于第四控制信号RCS从读出线RL1-RLn接收感测信号。读出电路500可以处理从读出线RL1-RLn接收的感测信号并且可以将处理后的感测信号S_FS提供到驱动控制器100。驱动控制器100可以基于感测信号S_FS识别生物特征信息。
如图4A至图4C中所示，显示面板DP可以包括像素PXR、PXB和PXG以及传感器FX。像素PXR、PXB和PXG中的每一个可以包括发光元件ED_R、ED_B和ED_G以及像素驱动电路PDC。传感器FX中的每一个可以包括感光元件OPD和传感器驱动电路SDC。
像素PXR、PXB和PXG以及传感器FX可以在第一方向DR1上交替地布置并且可以在第二方向DR2上交替地布置。像素PXR、PXB和PXG可以包括第一像素PXR、第二像素PXG和第三像素PXB，第一像素PXR包括输出第一颜色(例如，红色R)的光的发光元件(下文中称为“第一发光元件ED_R”)，第二像素PXG包括输出第二颜色(例如，绿色G)的光的发光元件(下文中称为第二发光元件ED_G)，并且第三像素PXB包括输出第三颜色(例如，蓝色B)的光的发光元件(下文中称为第三发光元件ED_B)。
如图4A中所示，在第一方向DR1和第二方向DR2上，第一像素PXR和第三像素PXB可以交替地并且重复地布置。第二像素PXG可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置。
在第一方向DR1和第二方向DR2上，每一个传感器FX可以设置在彼此相邻的第一像素PXR和第三像素PXB之间。在第一方向DR1和第二方向DR2上，每一个传感器FX可以设置在两个第二像素PXG之间。然而，像素PXR、PXB和PXG以及传感器FX的布置结构不限于此。在一实施例中，可以以各种方式修改像素PXR、PXB和PXG以及传感器FX的布置结构。
如图4B中所示，在第一方向DR1上，每一个传感器FX可以设置在两个第一像素PXR之间、两个第二像素PXG之间以及两个第三像素PXB之间。在第二方向DR2上，每一个传感器FX可以设置在彼此相邻的第一像素PXR和第三像素PXB之间以及两个第二像素PXG之间。可以以各种方式修改像素PXR、PXB和PXG以及传感器FX的布置结构。
例如，第一像素PXR和第三像素PXB可以布置在不同的列或不同的行中。当第一像素PXR布置在奇数列中时，第三像素PXB可以布置在偶数列中。当第一像素PXR布置在奇数行中时，第三像素PXB可以布置在偶数行中。至少一个第二像素PXG和至少一个传感器FX可以布置在在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此相邻的两个第一像素PXR之间。至少一个第二像素PXG和至少一个传感器FX可以布置在在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此相邻的两个第三像素PXB之间。
如图4C中所示，在第一方向DR1和第二方向DR2上，第一像素PXR和第三像素PXB可以交替地并且重复地布置。第二像素PXG可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置。在第一方向DR1上，每一个传感器FX可以布置在两个第二像素PXG之间，并且可以布置在在第二方向DR2上彼此相邻的第一像素PXR和第三像素PXB之间。例如，由一个第一像素PXR、两个第二像素PXG和一个第三像素PXB组成的每个单元组可以设置一个传感器FX。可以以各种方式修改像素PXR、PXB和PXG以及传感器FX的布置结构。
作为本发明的一个示例，第一发光元件ED_R可以具有大于第二发光元件ED_G的尺寸。第三发光元件ED_B可以具有大于或等于第一发光元件ED_R的尺寸。第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B中的每一个的尺寸不限于此，并且可以以各种方式修改和应用。在一实施例中，第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B可以具有彼此相同的尺寸。
在一实施例中，第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B中的每一个具有正方形形状。然而，本发明不限于此。在一实施例中，第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B中的每一个可以具有各种形状，诸如多边形、圆形和椭圆形等。在一实施例中，第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B的形状可以彼此不同。例如，第二发光元件ED_G可以具有圆形形状，并且第一发光元件ED_R和第三发光元件ED_B中的每一个可以具有正方形形状。
感光元件OPD可以具有小于第一发光元件ED_R和第三发光元件ED_B的尺寸。作为本发明的一个示例，感光元件OPD可以具有小于或等于第二发光元件ED_G的尺寸。然而，感光元件OPD的尺寸不限于此。在一实施例中，可以对感光元件OPD的尺寸进行各种修改和应用。感光元件OPD具有正方形形状，但是本发明不限于此。在一实施例中，感光元件OPD可具有多种形状，诸如多边形、圆形和椭圆形等。
第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B中的每一个可以与对应的像素驱动电路PDC电连接。像素驱动电路PDC可以包括多个晶体管和电容器。分别与第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B连接的像素驱动电路PDC可以具有相同的配置。
感光元件OPD可以与传感器驱动电路SDC电连接。传感器驱动电路SDC可以包括多个晶体管。作为本发明的示例，传感器驱动电路SDC和像素驱动电路PDC可以通过相同的工艺同时形成。在一实施例中，扫描驱动器300可以包括通过与像素驱动电路PDC和传感器驱动电路SDC相同的工艺形成的晶体管。
像素驱动电路PDC可以从电压发生器400接收第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS以及第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2。传感器驱动电路SDC可以从电压发生器400接收第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS、第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的至少一个。
图5是示出根据本发明的一实施例的像素和传感器的电路图。
图3中所示的多个像素PX之中的一个像素PXij的等效电路图在图5中作为示例示出。因为多个像素PX中的每一个具有相同的电路结构，所以将描述像素PXij的电路结构并且将省略剩余像素的详细描述。图3中示出的多个传感器FX之中的一个传感器FXij的等效电路图在图5中作为示例示出。因为多个传感器FX中的每一个具有相同的电路结构，所以将描述传感器FXij的电路结构并且将省略剩余传感器的详细描述。
参照图5，像素PXij可以与数据线DL1-DLm之中的第i数据线DLi、初始化扫描线SIL1-SILn之中的第j初始化扫描线SILj、补偿扫描线SCL1-SCLn之中的第j补偿扫描线SCLj、写入扫描线SWL1-SWLn+1之中的第j写入扫描线SWLj和第j+1写入扫描线SWLj+1、以及发光控制线EML1-EMLn之中的第j发光控制线EMLj连接。
像素PXij可以包括发光元件ED和像素驱动电路PDC。发光元件ED可以是发光二极管。作为本公开的示例，发光元件ED可以是包括有机发光层的有机发光二极管。
像素驱动电路PDC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、以及一个存储电容器Cst。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以分别称为驱动薄膜晶体管(TFT)T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFTT4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的至少一个可以是具有低温多晶硅(low-temperaturepolycrystalline silicon，LTPS)半导体层的晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一些可以是P型晶体管，其他可以是N型晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是PMOS晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是NMOS晶体管。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的至少一个可以是具有氧化物半导体层的晶体管。
在一实施例中，对显示装置的亮度具有直接影响或用于控制显示装置的亮度的第一晶体管T1可以包括由具有高可靠性的多晶硅构成的半导体层，从而实现高分辨率的显示装置。
氧化物半导体具有高载流子迁移率和低漏电流，并且因此尽管氧化物半导体的驱动时间长，但是氧化物半导体的电压降不大。换言之，因为即使当以低频驱动时图像根据电压降的颜色的变化也不大，所以可以以低频驱动。
氧化物半导体具有低漏电流的优点。在一实施例中，与第一晶体管T1的驱动栅极电极连接的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的至少一个可以包括氧化物半导体以减少功耗并且防止漏电流流向驱动栅极电极。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是LTPS晶体管。
根据本公开的像素驱动电路PDC的配置不限于图5中所示的实施例。图5中所示的像素驱动电路PDC仅是示例，并且可以修改和实施像素驱动电路PDC的配置。在一实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7都可以是P型晶体管或N型晶体管。
第j初始化扫描线SILj、第j补偿扫描线SCLj、第j写入扫描线SWLj、第j+1写入扫描线SWLj+1和第j发光控制线EMLj可以分别传递第j初始化扫描信号SIj、第j补偿扫描信号SCj、第j写入扫描信号SWj、第j+1写入扫描信号SWj+1和第j发光控制信号EMj到像素PXij。第i数据线DLi可以将第i数据信号Di传递到像素PXij。第i数据信号Di可以具有与输入到显示装置DD(参照图3)的图像信号RGB(参照图3)相对应的电压电平。
第一驱动电压线VL1和第二驱动电压线VL2可以将第一驱动电压ELVDD和第二驱动电压ELVSS分别传递到像素PXij。第一初始化电压线VL3和第二初始化电压线VL4可以分别将第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2传递到像素PXij。
第一晶体管T1可以连接在用于接收第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线VL1和发光元件ED之间。第一晶体管T1可以包括经由第五晶体管T5与第一驱动电压线VL1连接的第一电极、经由第六晶体管T6与发光元件ED的阳极电连接的第二电极、以及与存储电容器Cst的一端连接的第三电极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收由第i数据线DLi传递的数据信号Di，并且可以将驱动电流Id供应到发光元件ED。
第二晶体管T2可以连接在数据线DLi和第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2可以包括与数据线DLi连接的第一电极、与第一晶体管T1的第一电极连接的第二电极以及与第j写入扫描线SWLj连接的第三电极。第二晶体管T2可以根据通过第j写入扫描线SWLj传递的写入扫描信号SWj导通，以将从第i数据线DLi传递的第i数据信号Di传递到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3可以包括与第一晶体管T1的第三电极连接的第一电极、与第一晶体管T1的第二电极连接的第二电极、以及与第j补偿扫描线SCLj连接的第三电极。第三晶体管T3可以根据通过第j补偿扫描线SCLj传递的第j补偿扫描信号SCj导通以将第一晶体管T1的第三电极和第一晶体管T1的第二电极连接，从而将第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4可以连接在通过其施加第一初始化电压VINT1的第一初始化电压线VL3和第一节点N1之间。第四晶体管T4包括与第一晶体管T1的第三电极连接的第一电极、与通过其供应第一初始化电压VINT1的第一初始化电压线VL3连接的第二电极、以及与第j初始化扫描线SILj连接的第三电极。第四晶体管T4可以根据通过第j初始化扫描线SILj传递的第j初始化扫描信号SIj导通。导通的第四晶体管T4可以将第一初始化电压VINT1传输到第一晶体管T1的第三电极以初始化第一晶体管T1的第三电极的电位(即，第一节点N1的电位)。
第五晶体管T5可以包括与第一驱动电压线VL1连接的第一电极、与第一晶体管T1的第一电极连接的第二电极、以及与第j发光控制线EMLj连接的第三电极。
第六晶体管T6可以包括与第一晶体管T1的第二电极连接的第一电极、与发光元件ED的阳极连接的第二电极、以及与第j发光控制线EMLj连接的第三电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过第j发光控制线EMLj传递的第j发光控制信号EMj同时导通。通过导通的第五晶体管T5施加的第一驱动电压ELVDD可以通过二极管连接的第一晶体管T1被补偿以传输到发光元件ED。
第七晶体管T7可以包括与通过其传送第二初始化电压VINT2的第二初始化电压线VL4连接的第一电极、与第六晶体管T6的第二电极连接的第二电极、以及与第j+1写入扫描线SWLj+1连接的第三电极。第二初始化电压VINT2可以具有低于或等于第一初始化电压VINT1的电平。作为本发明的示例，第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的每一个可以具有-3.5V的电压。
如上所述，存储电容器Cst的一端可以与第一晶体管T1的第三电极连接，并且电容器Cst的另一端可以与第一驱动电压线VL1连接。发光元件ED的阴极可以与供应第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2连接。第二驱动电压ELVSS可以具有低于第一驱动电压ELVDD的电平。作为本发明的示例，第二驱动电压ELVSS可以具有低于第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2的电压电平。
当通过第j初始化扫描线SILj提供高电平的第j初始化扫描信号SIj时，在第j初始化扫描信号SIj的激活区间期间，第四晶体管T4可以响应于高电平的第j初始化扫描信号SIj而导通。第一初始化电压VINT1通过导通的第四晶体管T4传输到第一晶体管T1的第三电极，并且第一节点N1初始化为第一初始化电压VINT1。因此，第j初始化扫描信号SIj的激活区间可以是像素PXij的初始化区间。
接下来，当第j补偿扫描信号SCj激活并且当通过第j补偿扫描信号SCLj提供高电平的第j补偿扫描信号SCj时，在第j补偿扫描信号SCj的激活区间期间，第三晶体管T3可以导通。第一晶体管T1可以通过导通的第三晶体管T3进行二极管连接并且可以被正向偏置。
第j写入扫描信号SWj可以在第j补偿扫描信号SCj的激活区间中被激活。第j写入扫描信号SWj在激活区间期间可以具有低电平。在第j写入扫描信号SWj的激活区间期间，第二晶体管T2可以由低电平的第j写入扫描信号SWj导通。然后，补偿电压(“Di-Vth”)(其中从第i数据线DLi提供的第i数据信号Di减小了第一晶体管T1的阈值电压Vth)可以施加到第一晶体管T1的第三电极。换言之，第一晶体管T1的第三电极的电位可以是补偿电压(“Di-Vth”)。
由于第一驱动电压ELVDD和补偿电压(“Di-Vth”)被施加到存储电容器Cst的相对端，与相对端的电压差相对应的电荷可以存储在存储电容器Cst中。在本文中，第j补偿扫描信号SCj的高电平区间可以称为像素PXij的补偿区间。
第j+1写入扫描信号SWj+1可以在第j补偿扫描信号SCj的激活区间中被激活。第七晶体管T7可以在j+1写入扫描信号SWj+1的激活区间期间导通。驱动电流Id的一部分可以由第七晶体管T7作为旁路电流Ibp通过第七晶体管T7排出。
当发光元件ED发光并且显示黑色图像的第一晶体管T1的最小电流作为驱动电流Id流动时，黑色图像可能无法正确显示。因此，根据本发明的实施例的像素PXij中的第七晶体管T7可以将第一晶体管T1的最小电流的一部分分散(即，旁路)到不同于到发光元件ED的电流路径的电流路径作为旁路电流Ibp。在本文中，第一晶体管T1的最小电流是指在第一晶体管T1的栅极-源极电压小于阈值电压Vth使得第一晶体管T1截止的情况下流动的电流。在第一晶体管T1截止的情况下，最小驱动电流(例如，10皮安(pA)或更小的电流)流入发光元件ED以呈现黑色亮度的图像。当显示黑色图像的最小驱动电流流动时，旁路电流Ibp的旁路传输的影响可能大，而当显示诸如正常图像或白色图像的图像的大驱动电流流动时，旁路电流Ibp可能几乎没有影响。因此，当显示黑色图像的驱动电流Id流动时，发光元件ED的发光电流Ied(其中驱动电流Id减少了通过第七晶体管T7排出的旁路电流Ibp的量)可以具有最小电流到准确地表达黑色图像的这样的程度。因此，可以通过使用第七晶体管T7实现准确的黑色亮度图像来改善对比度。
接下来，从第j发光控制线EMLj提供的第j发光控制信号EMj可以从高电平变为低电平。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以通过低电平的发光控制信号EMj导通。然后，驱动电流Id可以根据第一晶体管T1的第三电极的电压和第一驱动电压ELVDD之间的电压差产生，并且可以通过第六晶体管T6供应到发光元件ED，并且电流Ied可以流入发光元件ED。
参照图5，传感器FXij可以与读出线RL、第j补偿扫描线SCLj和第j+1写入扫描线SWLj+1连接。传感器FXij还可以与第二驱动电压线VL2连接。
传感器FXij可以包括感光元件OPD和传感器驱动电路SDC。感光元件OPD可以是光电二极管。作为本发明的示例，感光元件OPD可以是包括有机材料作为光电转换层的有机光电二极管。感光元件OPD的阳极可以与第一感测节点SN1连接，并且感光元件OPD的阴极可以与传送第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线VL2连接。
传感器驱动电路SDC可以包括三个晶体管ST1-ST3。三个晶体管ST1-ST3可以是复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3。复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的至少一个可以包括氧化物半导体。作为本发明的示例，复位晶体管ST1可以包括氧化物半导体晶体管，并且放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以包括LTPS晶体管。然而，本发明不限于此。在一实施例中，至少复位晶体管ST1和输出晶体管ST3可以包括氧化物半导体，并且放大晶体管ST2可以包括氧化物半导体晶体管或LTPS晶体管。
复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些可以是P型晶体管，并且其他可以是N型晶体管。作为本发明的示例，放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是PMOS晶体管，并且复位晶体管ST1可以是NMOS晶体管。然而，本发明不限于此。在一些实施例中，复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3都可以是N型晶体管或P型晶体管。
复位晶体管ST1、放大晶体管ST2和输出晶体管ST3中的一些(例如，复位晶体管ST1)可以是与像素PXij的第三晶体管T3和第四晶体管T4相同类型的晶体管。放大晶体管ST2和输出晶体管ST3可以是与像素PXij的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7相同类型的晶体管。
根据本发明的传感器驱动电路SDC的电路配置不限于图5。图5中所示的传感器驱动电路SDC只是示例，并且可以修改和实施传感器驱动电路SDC的配置。
复位晶体管ST1可以包括用于接收复位信号RST的第一电极、与第一感测节点SN1连接的第二电极、以及用于接收复位控制信号的第三电极。复位晶体管ST1可以响应于复位控制信号将第一感测节点SN1的电位复位到复位信号RST。复位控制信号可以是通过第j补偿扫描线SCLj提供的第j补偿扫描信号SCj。换言之，复位晶体管ST1可以接收从第j补偿扫描线SCLj提供的第j补偿扫描信号SCj作为复位控制信号。作为本发明的示例，在第j补偿扫描信号SCj的激活区间期间，复位信号RST可以至少是具有低于第二驱动电压ELVSS的电压电平的信号。
复位晶体管ST1可以包括彼此串联连接的多个子复位晶体管。例如，复位晶体管ST1可以包括两个子复位晶体管(在下文中，称为第一子复位晶体管和第二子复位晶体管)。第一子复位晶体管的第三电极和第二子复位晶体管的第三电极可以与第j补偿扫描线SCLj连接。第一子复位晶体管的第二电极和第二子复位晶体管的第一电极可以彼此电连接。复位信号RST可以施加到第一子复位晶体管的第一电极，并且第二子复位晶体管的第二电极可以与第一感测节点SN1电连接。然而，子复位晶体管的数量不限于此。在一实施例中，可以对子复位晶体管的数量进行各种修改。
放大晶体管ST2可以包括用于接收感测驱动电压SLVD的第一电极、与第二感测节点SN2连接的第二电极、以及与第一感测节点SN1连接的第三电极。放大晶体管ST2可以根据第一感测节点SN1的电位导通以将感测驱动电压SLVD施加到第二感测节点SN2。作为本发明的示例，感测驱动电压SLVD可以是第一驱动电压ELVDD、第一初始化电压VINT1和第二初始化电压VINT2中的一个。当感测驱动电压SLVD是第一驱动电压ELVDD时，放大晶体管ST2的第一电极可以与第一驱动电压线VL1电连接。当感测驱动电压SLVD是第一初始化电压VINT1时，放大晶体管ST2的第一电极可以与第一初始化电压线VL3电连接。当感测驱动电压SLVD是第二初始化电压VINT2时，放大晶体管ST2的第一电极可以与第二初始化电压线VL4电连接。
输出晶体管ST3可以包括与第二感测节点SN2连接的第一电极、与读出线RL连接的第二电极、以及用于接收输出控制信号的第三电极。输出晶体管ST3可以响应于输出控制信号将感测信号FSj传递到读出线RL。输出控制信号可以是通过第j+1写入扫描线SWLj+1提供的第j+1写入扫描信号SWj+1。换言之，输出晶体管ST3可以接收第j+1写入扫描信号SWj+1作为来自第j+1写入扫描线SWLj+1的输出控制信号。
图6是示出根据本公开的一实施例的显示面板的像素的截面图。图7A和图7B是示出根据本公开的一实施例的显示面板的发光元件和感光元件的截面图。
参照图6和图7A，显示面板DP可以包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路层DP_CL、器件层DP_ED和封装层TFE。
基体层BL可以是提供其上设置电路层DP_CL的基体表面的构件。基体层BL可以是刚性基底或者可以是能够弯曲、折叠或卷曲等的柔性基底。基体层BL可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底等。然而，本发明不限于此。在一实施例中，基体层BL可以是无机层、有机层或复合材料层。
基体层BL可以具有多层结构。例如，基体层BL可以包括或可以是第一合成树脂层、多层或单层结构的中间层、以及设置在中间层上的第二合成树脂层。中间层可以称为基体屏障层。中间层可以包括或者可以是，但是不特别限于，氧化硅(SiOx)层和设置在氧化硅(SiOx)层上的非晶硅(a-Si)层。例如，中间层可以包括氧化硅层、氮化硅层、氧氮化硅层和非晶硅层中的至少一种或者可以由氧化硅层、氮化硅层、氧氮化硅层和非晶硅层中的至少一种形成。
第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括聚酰亚胺类树脂或者可以由聚酰亚胺类树脂形成。在一实施例中，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种，或者可以由丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种形成。同时，说明书中的“X”类树脂是指包括“X”的官能团。可以在基体层BL的上表面上形成至少一个无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种或者可以由包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种形成。无机层可以由多层形成。多层的无机层可以形成屏障层BRL和/或缓冲层BFL。可以选择性地布置屏障层BRL和缓冲层BFL。
屏障层BRL可以防止异物从外部引入。屏障层BRL可以包括氧化硅层和氮化硅层或者可以由氧化硅层和氮化硅层形成。氧化硅层和氮化硅层中的每一个可以提供为多个。氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。
缓冲层BFL可以设置在屏障层BRL上。缓冲层BFL可以改善基体层BL以及半导体图案和/或导电图案之间的接合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层和氮化硅层或者可以由氧化硅层和氮化硅层形成。氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。
半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。在下文中，将直接设置在缓冲层BFL上的半导体图案限定为第一半导体图案。第一半导体图案可以包括硅半导体或者可以由硅半导体形成。第一半导体图案可以包括多晶硅或者可以由多晶硅形成。然而，本发明不限于此。在一实施例中，第一半导体图案可以包括非晶硅或者可以由非晶硅形成。
图6仅示出设置在缓冲层BFL上的第一半导体图案的一部分。第一半导体图案可以进一步设置在像素PXij(参照图5)的另一区中。第一半导体图案可以跨像素以常规规则布置。半导体图案的电学特性可以随其是否被掺杂而变化。第一半导体图案可以包括具有高电导率的第一区域和具有低电导率的第二区域。第一区域可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可以包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可以包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或者可以是掺杂浓度低于第一区域的区域。
第一区域的电导率大于第二区域的电导率。第一区域可以基本上用作电极或信号线。第二区域可以基本上对应于晶体管的有源区域(或沟道部分)。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且半导体图案的他部分可以是连接电极或连接信号线。
如图6中所示，第一晶体管T1的第一电极S1、沟道部分A1和第二电极D1可以由第一半导体图案形成。第一晶体管T1的第一电极S1和第二电极D1可以从沟道部分A1在相反方向上延伸。
图6示出由半导体图案形成的连接信号线CSL的一部分。尽管未单独示出，但是连接信号线CSL可以在平面上与第六晶体管T6(参照图5)的第二电极连接。
第一绝缘层10可以设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可以与多个像素PX(参照图3)共同地重叠并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种或者可以由氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种形成。在一实施例中，第一绝缘层10可以是单个氧化硅层。与第一绝缘层10一样，将在下面描述的电路层DP_CL的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种或者可以由上述材料中的至少一种形成，但不限于此。
第一晶体管T1的第三电极G1可以设置在第一绝缘层10上。第三电极G1可以是第一导电图案的一部分。第一晶体管T1的第三电极G1可以与第一晶体管T1的沟道部分A1重叠。在掺杂第一半导体图案的工艺中，第一晶体管T1的第三电极G1可以用作掩模。
第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖第一晶体管T1的第三电极G1。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层并且可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种或者可以由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种形成。在一实施例中，第二绝缘层20可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以具有单层结构或多层结构。例如，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。存储电容器Cst(参见图5)的上电极UE可以设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。存储电容器Cst的下电极可以设置在第一绝缘层10和第二绝缘层20之间。
在本发明的一实施例中，第二绝缘层20可以用绝缘图案代替。上电极UE可以设置在绝缘图案上。上电极UE可以用作由第二绝缘层20形成绝缘图案的掩模。
第二半导体图案可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可以包括氧化物半导体或者可以由氧化物半导体形成。氧化物半导体可以包括根据金属氧化物是否被还原而划分的多个区域。其中金属氧化物被还原的区域(在下文中，称为“还原区域”)在电导率上大于其中金属氧化物未被还原的区域(在下文中，称为“非还原区域”)。还原区域基本上具有晶体管的源极/漏极或信号线的作用。非还原区域基本上对应于晶体管的有源区域(或半导体区域或沟道部分)。换言之，第二半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，并且另一部分可以是晶体管的源极/漏极区域，并且其他部分可以是信号传输区域。
如图6中所示，第三晶体管T3的第一电极S3、沟道部分A3和第二电极D3可以由第二半导体图案形成。第一电极S3和第二电极D3可以包括从金属氧化物半导体还原的金属或者可以由从金属氧化物半导体还原的金属形成。第一电极S3和第二电极D3可以具有距第二半导体图案的上表面的特定的厚度，并且可以包括包含被还原金属的金属层或者可以由包含被还原金属的金属层形成。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以与多个像素PX共同地重叠并且可以覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种或者可以由氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种形成。
第三晶体管T3的第三电极G3可以设置在第四绝缘层40上。第三电极G3可以是第三导电图案的一部分。第三晶体管T3的第三电极G3可以与第三晶体管T3的沟道部分A3重叠。在掺杂第二半导体图案的工艺中，第三晶体管T3的第三电极G3可以用作掩模。
在本公开的一实施例中，第四绝缘层40可以用绝缘图案代替。第三晶体管T3的第三电极G3可以设置在绝缘图案上。在一实施例中，第三电极G3可以在平面上具有与绝缘图案相同的形状。为了便于描述，在一实施例中示出了一个第三电极G3，但是第三晶体管T3可以包括两个第三电极。
第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上并且可以覆盖第三晶体管T3的第三电极G3。第五绝缘层50可以是无机层和/或有机层并且可以具有单层结构或多层结构。例如，第五绝缘层50可以包括氧化硅层和氮化硅层或者可以由氧化硅层和氮化硅层形成。第五绝缘层50可以包括交替地层叠的多个氧化硅层和多个氮化硅层或者可以由交替地层叠的多个氧化硅层和多个氮化硅层形成。
尽管未单独示出，但是可以通过与第三晶体管T3的第一电极S3和第二电极D3相同的工艺来形成第四晶体管T4(参照图5)的第一电极和第二电极。通过与第三晶体管T3的第一电极S3和第二电极D3相同的工艺可以同时形成传感器FXij(参照图5)的复位晶体管ST1(参照图5)的第一电极和第二电极以及输出晶体管ST3(参照图5)的第一电极和第二电极。
第一连接电极CNE10可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极CNE10可以通过穿透第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CH1与连接信号线CSL连接。
第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE20可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极CNE20可以通过穿透第六绝缘层60的接触孔CH-60与第一连接电极CNE10连接。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第二连接电极CNE20。
第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每一个可以是有机层。例如，第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每一个可以包括以下或可以由以下形成：诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的混和物等。
器件层DP_ED可以包括发光元件ED和像素限定层PDL。发光元件ED可以包括阳极AE、空穴控制层HCL、发光层EML、电子控制层ECL和阴极CE。
阳极AE可以设置在第七绝缘层70上。阳极AE可以通过穿透第七绝缘层70的接触孔CH-70与第二连接电极CNE20连接。阳极AE可以是(半)透射电极或反射电极。作为示例，阳极AE可以具有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、或它们的化合物等形成的反射层和形成在反射层上的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可以具有氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)、以及从包括掺杂有铝的氧化锌(AZO)的组中选择的至少一种或多种。例如，阳极AE可以提供为ITO/Ag/ITO。
像素限定层PDL可以设置在第七绝缘层70上。在一实施例中，像素限定层PDL可以具有吸收光的特性。例如，像素限定层PDL可以具有黑色。像素限定层PDL可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、苯胺黑、诸如铬的金属或金属氧化物。可以通过混合蓝色有机材料和黑色有机材料来形成像素限定层PDL。像素限定层PDL还可以包括疏水有机物。
像素限定层PDL的开口OP可以暴露发光元件ED的至少一部分。像素限定层PDL的开口OP可以限定发光区域PXA。例如，多个像素PX(参照图3)可以以特定规则布置在显示面板DP(参照图3)的平面上。其中布置多个像素PX的区域可以限定为像素区域。一个像素区域可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。
空穴控制层HCL可以共同地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。诸如空穴控制层HCL的公共层可以共同地形成在多个像素PX中。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层和空穴注入层。
发光层EML可以设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以仅设置在与开口OP相对应的区域中。发光层EML可以单独地形成在多个像素PX中的每一个中。
图案化的发光层EML在一实施例中作为示例示出，但是发光层EML可以共同地设置在多个像素PX中。发光层EML可以产生白光或蓝光。在一实施例中，发光层EML可以具有多层结构。
电子控制层ECL可以设置在发光层EML上。电子控制层ECL可以包括电子传输层和电子注入层。发光元件ED的阴极CE可以设置在电子控制层ECL上。电子控制层ECL和阴极CE可以共同地布置在多个像素PX中。
封装层TFE可以设置在阴极CE上。封装层TFE可以覆盖多个像素PX。在一实施例中，封装层TFE可以直接覆盖阴极CE。在本公开的一实施例中，显示面板DP还可以包括直接覆盖阴极CE的覆盖层。在本公开的一实施例中，发光元件ED的层叠结构可以具有与图6中所示的结构相反的结构。
参照图7A和图7B，第一电极层可以设置在电路层DP_CL上。像素限定层PDL可以形成在第一电极层上。第一电极层可以包括第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3。像素限定层PDL的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以分别暴露第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的至少一些。如图7A中所示，显示面板DP可以包括第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B以及与第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B相邻的第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B。非发光区域NPXA-R、NPXA-G和NPXA-B中的每一个可以围绕对应的发光区域PXA-R、PXA-G或PXA-B。在一实施例中，第一发光区域PXA-R可以限定为对应于第一阳极AE1的由第一开口OP1暴露的部分区域。第二发光区域PXA-G可以限定为对应于第二阳极AE2的由第二开口OP2暴露的部分区域。第三发光区域PXA-B可以限定为对应于第三阳极AE3的由第三开口OP3暴露的部分区域。非像素区域NPA可以限定在第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B之间。
发光层可以设置在第一电极层上。发光层可以包括第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3。第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以分别布置在对应于第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的区域中。第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以分别并且单独地形成在第一像素PX-R、第二像素PX-G和第三像素PX-B(参照图4A)中。第一发光层EML1至第三发光层EML3中的每一个可以包括有机材料和/或无机材料或者可以由有机材料和/或无机材料形成。第一发光层EML1至第三发光层EML3中的每一个可以产生特定颜色的光。例如，第一发光层EML1可以产生红光，第二发光层EML2可以产生绿光，并且第三发光层EML3可以产生蓝光。
图案化的第一发光层EML1至第三发光层EML3在一实施例中作为示例示出，但是一个发光层可以共同地设置在第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B中。此时，发光层可以产生白光或蓝光。在一实施例中，发光层可以具有称为串联(tandem)的多层结构。
第一发光层EML1至第三发光层EML3中的每一个可以包括低分子量有机物质或高分子量有机物质作为发光材料或者可以由低分子量有机物质或高分子量有机物质作为发光材料形成。在一实施例中，第一发光层EML1至第三发光层EML3中的每一个可以包括量子点材料作为发光材料。量子点的核可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元件、IV族化合物及它们的组合。
第二电极层可以设置在发光层上。第二电极层可以包括第一阴极CE1、第二阴极CE2和第三阴极CE3。第一阴极CE1、第二阴极CE2和第三阴极CE3可以彼此电连接。作为本发明的示例，第一阴极CE1、第二阴极CE2和第三阴极CE3可以具有彼此一体的形状。第一阴极CE1、第二阴极CE2和第三阴极CE3可以共同地布置在第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B、第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B、以及非像素区域NPA中。
器件层DP_ED还可以包括感光元件OPD。每一个感光元件OPD中可以是光电二极管。像素限定层PDL还可以包括被提供为对应于感光元件OPD的第四开口OP4。
每一个感光元件OPD中可以包括第四阳极AE4、光电转换层ORL和第四阴极CE4。第四阳极AE4可以与第一电极层设置在相同的层上。换言之，第四阳极AE4可以设置在器件层DP_ED上并且可以通过与第一阳极AE1至第三阳极AE3相同的工艺同时形成。
像素限定层PDL的第四开口OP4可以暴露第四阳极AE4的至少一部分。光电转换层ORL可以设置在由第四开口OP4暴露的第四阳极AE4上。光电转换层ORL可以包括有机感光材料。第四阴极CE4可以设置在光电转换层ORL上。第四阴极CE4可以通过与第一阴极CE1至第三阴极CE3相同的工艺同时形成。作为本公开的示例，第四阴极CE4可以具有与第一阴极CE1至第三阴极CE3一体化的形状。
第四阳极AE4和第四阴极CE4中的每一个可以接收电信号。第四阴极CE4可以接收与第四阳极AE4不同的信号。因此，可以在第四阳极AE4和第四阴极CE4之间形成特定电场。光电转换层ORL可以产生与入射到传感器的光相对应的电信号。光电转换层ORL可以吸收入射光的能量以产生电荷。例如，光电转换层ORL可以包括光敏半导体材料。
在光电转换层ORL中产生的电荷可以改变第四阳极AE4和第四阴极CE4之间的电场。光电转换层ORL中产生的电荷量可以随着光是否入射到感光元件OPD、入射到感光元件OPD的光量以及入射到感光元件OPD的光的强度而变化。因此，在第四阳极AE4和第四阴极CE4之间形成的电场可以变化。根据本发明的感光元件OPD可以通过第四阳极AE4和第四阴极CE4之间的电场变化来获得用户的指纹信息。
在一实施例中，每一个感光元件OPD中可以包括使用光电转换层ORL作为有源层的光电晶体管。每一个感光元件OPD中可以检测在光电晶体管中流动的流动量以获得指纹信息。根据本公开的一实施例的每一个感光元件OPD可以包括能够响应于光量的变化而产生电信号的各种光电转换元件，并且不限于任何一个实施例。
封装层TFE可以设置在器件层DP_ED上。封装层TFE可以包括无机层和有机层中的至少一个或者可以由无机层和有机层中的至少一个形成。在本发明的一实施例中，封装层TFE可以包括两个无机层和设置在两个无机层之间的有机层或者可以由两个无机层和设置在两个无机层之间的有机层形成。在本公开的一实施例中，薄膜封装层(封装层TFE)可以包括交替地堆叠的多个无机层和多个有机层或可以由交替地层叠的多个无机层和多个有机层形成。
封装无机层可以保护第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B以及感光元件OPD免受湿气/氧气的影响。封装有机层可以保护第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B以及感光元件OPD免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装无机层可以包括或可以是，但不特别限于，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、或氧化铝层等。封装有机层可以包括或可以是，但不特别限于，丙烯酸类有机层。
显示装置DD还可以包括设置在显示面板DP上的输入感测层ISL和设置在输入感测层ISL上的防反射层CFL。
输入感测层ISL可以直接设置在封装层TFE上。输入感测层ISL可以称为传感器层、传感器或输入感测面板。输入感测层ISL可以包括基体层BIL、第一导电层ICL1、绝缘层IL、第二导电层ICL2和保护层PL。
基体层BIL可以直接设置在显示面板DP上。基体层BIL可以是包括氮化硅、氧氮化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。在一实施例中，基体层BIL可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺类树脂的有机层。基体层BIL可以具有单层结构或者可以具有沿着第三方向DR3层叠的多层结构。
第一导电层ICL1可以设置在基体层BIL上。图7A和图7B示出其中第一导电层ICL1直接设置在基体层BIL上的结构，但是本公开不限于此。例如，输入感测层ISL的基体层BIL可以省略，并且第一导电层ICL1可以直接设置在封装层TFE上。绝缘层IL可以覆盖第一导电层ICL1并且可以设置在基体层BIL上。第二导电层ICL2设置在绝缘层IL上。图7A和图7B示出其中输入感测层ISL包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2的结构，但是本公开不限于此。例如，输入感测层ISL可以仅包括第一导电层ICL1和第二导电层ICL2中的一个或者可以仅由第一导电层ICL1和第二导电层ICL2中的一个形成。
保护层PL可以设置在第二导电层ICL2上。保护层PL可以包括有机绝缘材料或者可以由有机绝缘材料形成。保护层PL可以用于保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受湿气/氧气影响，并且保护第一导电层ICL1和第二导电层ICL2免受异物影响。
防反射层CFL可以设置在输入感测层ISL上。防反射层CFL可以直接设置在保护层PL上。防反射层CFL可以包括第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B。第一滤色器CF_R可以具有第一颜色，第二滤色器CF_G可以具有第二颜色，并且第三滤色器CF_B可以具有第三颜色。作为本发明的一示例，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色。
防反射层CFL还可以包括虚设滤色器DCF。作为本发明的一示例，当其中限定光电转换层ORL的区域为感测区域SA并且当感测区域SA的***限定为非感测区域NSA时，虚设滤色器DCF可以设置为对应于感测区域SA。虚设滤色器DCF可以与感测区域SA和非感测区域NSA重叠。作为本公开的一示例，虚设滤色器DCF可以具有与第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B中的一个相同的颜色。作为本公开的一示例，虚设滤色器DCF可以具有与第二滤色器CF_G相同的绿色。
防反射层CFL还可以包括黑矩阵BM。黑矩阵BM可以设置为对应于非像素区域NPA。黑矩阵BM可以与非像素区域NPA中的第一导电层ICL1和第二导电层ICL2重叠。作为本公开的一示例，黑矩阵BM可以与非像素区域NPA以及第一非发光区域NPXA-R、第二非发光区域NPXA-G和第三非发光区域NPXA-B重叠。黑矩阵BM可以不与第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXR-G和第三发光区域PXA-B重叠。
防反射层CFL还可以包括外涂层OCL。外涂层OCL可以包括有机绝缘材料或者可以由有机绝缘材料形成。可以以去除第一滤色器CF_R、第二滤色器CF_G和第三滤色器CF_B之间的台阶差的程度的厚度提供外涂层OCL。外涂层OCL可以包括能够具有特定厚度并且能够使防反射层CFL的上表面平滑(即，平坦化)的任何材料，或者可以由能够具有特定厚度并且能够使防反射层CFL的上表面平滑(即，平坦化)的任何材料形成，但不特别限于此。例如，外涂层OCL可以包括丙烯酸酯类有机物或者可以由丙烯酸酯类有机物形成。
参照图7B，当显示装置DD(参照图1)操作时，第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B中的每一个可以输出光。第一发光元件ED_R可以输出第一光Lr1，第二发光元件ED_G可以输出第二光Lg1，并且第三发光元件ED_B可以输出第三光。在本文中，第一光Lr1可以是在红色波段中的光，第二光Lg1可以是在绿色波段中的光，并且第三光可以是在蓝色波段中的光。
作为本公开的一示例，每一个感光元件OPD可以接收来自第一发光元件ED_R、第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B之中的特定发光元件(例如，第二发光元件ED_G)的光。换言之，每一个感光元件OPD可以接收其中从第二发光元件ED-G输出的第二光Lg1从用户的指纹反射的第二反射光Lg2。第二光Lg1和第二反射光Lg2中的每一个可以是在绿色波段中的光。虚设滤色器DCF可以设置在感光元件OPD的上部。虚设滤色器DCF可以具有绿色。因此，第二反射光Lg2可以通过虚设滤色器DCF入射到感光元件OPD。
从第二发光元件ED_G和第三发光元件ED_B输出的第二光Lg1和第三光可以由用户的手US_F反射。例如，当其中从第一发光元件ED_R输出的第一光Lr1由用户的手US_F反射的光限定为第一反射光Lr2时，第一反射光Lr2可以被吸收而不穿过虚设滤色器DCF。因此，第一反射光Lr2可以不穿过虚设滤色器DCF而不入射到感光元件OPD。同样地，虽然第三光由用户的手US_F反射，但也可以由虚设滤色器DCF吸收。因此，可以仅将第二反射光Lg2提供到感光元件OPD。
图8A至图8G是示出用于构成图5的像素驱动电路和传感器驱动电路的每一层的导电图案的平面图。
参照图8A至图8G，导电图案和半导体图案可以在平面上以特定规则重复地布置。在图8A至图8G中示出一些像素驱动电路和部分传感器驱动电路的平面图。第一部分PDC1p和第二部分PDC2p可以具有彼此对称的结构并且可以形成像素驱动电路。第三部分SDCp可以形成传感器驱动电路。
图8A至图8G示出具有彼此对称的结构的第一部分PDC1p和第二部分PDC2p。然而，可以连续地重复与第一部分PDC1p相同的结构，或者可以连续地重复与第二部分PDC2p相同的结构。例如，如图8A至图8G中所示，第一部分PDC1p、第二部分PDC2p和第三部分SDCp可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2重复地布置。然而，本公开不特别限于此。
参照图6和图8A，示出了第一半导体图案1100。第一半导体图案1100可以设置在缓冲层BFL和第一绝缘层10之间。第一半导体图案1100可以包括硅半导体或者可以由硅半导体形成。例如，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅等。例如，第一半导体图案1100可以包括低温多晶硅(LTPS)或者可以由低温多晶硅(LTPS)形成。
第一半导体图案1100可以划分为包括在第一部分PDC1p和第二部分PDC2p中的第一半导体部分1110以及包括在第三部分SDCp中的第二半导体部分1120。
参照图6和图8B，第一导电图案1200可以设置在第一绝缘层10上。第一导电图案1200可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等，或者可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。例如，第一导电图案1200可以包括银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等，或者可以由银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等形成，但不特别限于此。
第一导电图案1200可以包括第一栅极线1210、栅极电极1220和第二栅极线1230。
第一栅极线1210可以在第二方向DR2上延伸。第一栅极线1210可以对应于图5的第j写入扫描线SWLj。第一栅极线1210可以与第一半导体部分1110一起形成第二晶体管T2。例如，可以将第j写入扫描信号SWj(参照图5)提供到第一栅极线1210。第一栅极线1210可以与第一半导体部分1110一起形成第七晶体管T7-1。例如，当图8B中所示的第二晶体管T2包括在第j列像素驱动电路中时，图8B中所示的第七晶体管T7-1可以包括在第j-1列像素驱动电路中。因此，第一栅极线1210可以与第二半导体部分1120一起形成输出晶体管ST3。
输出晶体管ST3可以包括在第j-1列传感器驱动电路中。
第一栅极电极1220可以以岛状形状设置。第一栅极电极1220可以与第一半导体图案1100一起形成第一晶体管T1。第一栅极电极1220可以对应于图6中所示的第一晶体管T1的第三电极G1。
第二栅极线1230可以在第二方向DR2上延伸。第二栅极线1230可以对应于图5的第j发光控制线EMLj。第二栅极线1230可以与第一半导体图案1100一起形成第五晶体管T5和第六晶体管T6。例如，可以将第j发光控制信号EMj(参照图5)提供到第二栅极线1230。
第二栅极电极1240可以以岛状形状设置。第二栅极电极1240可以与第一半导体图案1100一起形成放大晶体管ST2。
参照图6和图8C，第二绝缘层20可以覆盖第一导电图案1200并且可以设置在第一绝缘层10上。第二导电图案1300可以设置在第二绝缘层20上。第二导电图案1300可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等或者可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
第二导电图案1300可以包括第三栅极线1310、第四栅极线1320、存储电容器电极1330和第一初始化电压线1340。
第三栅极线1310可以在第二方向DR2上延伸。第三栅极线1310可以对应于第j补偿扫描线SCLj(参照图5)。第四栅极线1320可以在第二方向DR2上延伸。第四栅极线1320可以对应于第j初始化扫描线SILj(参照图5)。存储电容器电极1330可以与第一栅极电极1220重叠并且可以在第二方向DR2上延伸。例如，存储电容器电极1330可以与第一栅极电极1220一起形成存储电容器Cst(参照图5)。存储电容器电极1330可以对应于上电极UE。可以驱动电压ELVDD(参照图5)提供到存储电容器电极1330。可以在存储电容器电极1330中形成穿透存储电容器电极1330的开口1330-OP，并且第一栅极电极1220可以通过开口1330-OP暴露。
第一初始化电压线1340可以在第二方向DR2上延伸。第一初始化电压线1340可以对应于第一初始化电压线VL3(参照图5)。可以通过第一初始化电压线1340提供第一初始化电压VINT1(参照图5)。
参照图6和图8D，第三绝缘层30可以覆盖第二导电图案1300并且可以设置在第二绝缘层20上。第二半导体图案1400可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案1400可以包括氧化物半导体或者可以由氧化物半导体形成。第二半导体图案1400可以与第一半导体图案1100设置在不同的层上并且可以不与第一半导体图案1100重叠。
第二半导体图案1400可以划分为包括在第一部分PDC1p和第二部分PDC2p中的第三半导体部分1410以及包括在第三部分SDCp中的第四半导体部分1420。
参照图6和图8E，第四绝缘层40可以覆盖第二半导体图案1400并且可以设置在第三绝缘层30上。第三导电图案1500可以设置在第四绝缘层40上。第三导电图案1500可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等或者可以由金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
第三导电图案1500可以包括第五栅极线1510、第六栅极线1520和第一传输图案1530。
第五栅极线1510可以在第二方向DR2上延伸。第五栅极线1510可以与第三栅极线1310和第三半导体部分1410重叠。在一实施例中，第五栅极线1510可以通过接触孔或接触部分接触第三栅极线1310。可以将第j补偿扫描信号SCj(参照图5)提供到第五栅极线1510。第三栅极线1310、第三半导体部分1410和第五栅极线1510可以形成第三晶体管T3。例如，第三栅极线1310可以对应于第三晶体管T3的背-栅极电极，并且第五栅极线1510可以对应于第三晶体管T3的栅极电极。
第五栅极线1510可以与第四半导体部分1420一起形成复位晶体管ST1。
第六栅极线1520可以与第四栅极线1320和第三半导体图案1410重叠。第六栅极线1520可以与第四栅极线1320电连接。可以将第j初始化扫描信号SIj(参照图5)提供到第六栅极线1520。第四栅极线1320、第六栅极线1520和第三半导体部分1410可以形成第四晶体管T4。例如，第四栅极线1320可以对应于第四晶体管T4的背-栅极电极，并且第六栅极线1520可以对应于第四晶体管T4的栅极电极。
第一传输图案1530可以接触通过存储电容器电极1330的开口1330-OP暴露的第一栅极电极1220。第一传输图案1530可以将第一初始化电压VINT1(参照图5)传输到第一栅极电极1220。
参照图6和图8F，第五绝缘层50可以覆盖第三导电图案1500的至少一部分并且可以设置在第四绝缘层40上。第四导电图案1600可以设置在第五绝缘层50上。第四导电图案1600可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料或者可以由例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
第四导电图案1600可以包括第二初始化电压线1610、第二传输图案1620、第三传输图案1630、第四传输图案1640、第五传输图案1650、第六传输图案1660、第七传输图案1670、第八传输图案1610R、第九传输图案1620R、第十传输图案1630R、第十一传输图案1640R和信号传输线1650R。
第二初始化电压线1610可以在第二方向DR2上延伸。第二初始化电压线1610可以对应于第二初始化电压线VL4(参照图5)。可以通过第二初始化电压线1610提供第二初始化电压VINT2(参照图5)。
第二传输图案1620可以接触第一半导体部分1110。可以通过第二传输图案1620将数据信号Di(参照图5)传递到第一半导体部分1110。
第三传输图案1630可以通过分别形成在一侧和另一侧的接触部分接触第三半导体部分1410和第一传输图案1530。第一初始化电压VINT1(参照图5)可以通过第二半导体图案1400、第三传输图案1630和第一传输图案1530传输到第一栅极电极1220。
第四传输图案1640可以通过分别形成在一侧和另一侧的接触部分接触第三半导体部分1410和第一半导体部分1110。第四传输图案1640可以电连接第三半导体部分1410和第一半导体部分1110。
第五传输图案1650可以通过接触部分接触第一半导体部分1110。第五传输图案1650可以将驱动电流Id(参照图5)或第二初始化电压VINT2(参照图5)从第一半导体部分1110传输到发光元件ED(参照图5)。
第六传输图案1660可以通过分别形成在一侧和另一侧的接触部分接触第一半导体部分1110和存储电容器电极1330。可以通过第六传输图案1660将驱动电压ELVDD(参照图5)传输到第一半导体部分1110。
第七传输图案1670可以通过接触部分接触第三半导体部分1410和第一初始化电压线1340。因此，第一初始化电压VINT1(参照图5)可以传输到第四晶体管T4。
第八传输图案1610R可以接触第四半导体部分1420。当感测驱动电压SLVD(参照图5)是第二初始化电压VINT2(参照图5)时，第八传输图案1610R可以与第一初始化电压线1340连接。放大晶体管ST2可以通过第八传输图案1610R接收感测驱动电压SLVD(参照图5)。
第九传输图案1620R可以通过分别形成在一侧和另一侧的接触部分接触第四半导体部分1420和第二栅极电极1240。复位晶体管ST1和放大晶体管ST2可以通过第九传输图案1620R连接。
第十传输图案1630R可以通过分别形成在一侧和另一侧的接触部分与第四半导体部分1420和第四栅极线1320连接。第四栅极线1320可以对应于第j初始化扫描线SILj(参照图5)。复位晶体管ST1可以通过第十传输图案1630R接收第j初始化扫描信号SIj(参照图5)作为复位信号RST(参照图5)。
第十一传输图案1640R可以通过接触部分接触第一半导体图案1100。例如，第十一传输图案1640R可以与输出晶体管ST3连接。
信号传输线1650R可以沿着第二方向DR2延伸。信号传输线1650R可以对应于读出线RL(参照图5)。例如，信号传输线1650R可以对应于设置在显示区域DA(参照图1)中的读出线RL的一部分。信号传输线1650R可以沿着与上述栅极线1210、1230、1310、1320、1510和1520相同的方向延伸。信号传输线1650R可以不与显示区域DA中的栅极线1210、1230、1310、1320、1510和1520交叉。因此，可以最小化在信号传输线1650R和栅极线1210、1230、1310、1320、1510和1520之间产生的耦接。结果，可以减少或消除在通过信号传输线1650R传递的感测信号中产生的失真。结果，可以改善显示装置DD(参照图1)的指纹感测性能。
参照图6和图8G，第六绝缘层60可以覆盖第四导电图案1600的至少一部分并且可以设置在第五绝缘层50上。第五导电图案1700可以设置在第六绝缘层60上。第五导电图案1700可以包括例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等或者可以由例如金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等形成。
第五导电图案1700可以包括连接图案1710R。尽管未示出，但是第五导电图案1700还可以包括包含在显示面板DP中的一些信号线。例如，第五导电图案1700还可以包括数据线。
连接图案1710R可以通过分别形成在一侧和另一侧的接触部分与第十一传输图案1640R和信号传输线1650R连接。输出晶体管ST3可以响应于输出控制信号输出感测信号。感测信号可以通过第十一传输图案1640R和连接图案1710R传递到信号传输线1650R。
图9是示出根据本发明的一实施例的显示面板的一些组件的平面图。
参照图9，显示面板DP可以包括沿着第一方向DR1限定的第一面板区域AA1、弯曲区域BA和第二面板区域AA2。第二面板区域AA2和弯曲区域BA可以是非显示区域NDA的部分区域。弯曲区域BA可以设置在第一面板区域AA1和第二面板区域AA2之间。
弯曲区域BA的平行于第二方向DR2的宽度(或长度)和第二面板区域AA2的平行于第二方向DR2的宽度(或长度)可以小于第一面板区域AA1的平行于第二方向DR2的宽度(或长度)。其中在弯曲轴的方向上的长度越短的区域越容易弯曲。
当从平面图观察时，焊盘PD可以布置成邻近第二面板区域AA2的下端。驱动芯片DIC可以与焊盘PD电连接。图3中所示的数据驱动器200和读出电路500可以嵌入在驱动芯片DIC中。图3中所示的扫描驱动器300或发光驱动器350可以设置在显示面板DP的非显示区域NDA中。
多个传感器FX和读出线RLx和RLy示出在图9中。读出线RLx和RLy可以包括第一读出线RLx和第二读出线RLy。每一条第一读出线RLx可以包括第一读出部分RLh1和第二读出部分RLv1。每一条第二读出线Rly可以包括第三读出部分RLh2和第四读出部分RLv2。
第一读出部分RLh1和第三读出部分RLh2中的每一者可以沿着第二方向DR2从显示区域DA延伸到非显示区域NDA。第二读出部分RLv1和第四读出部分RLv2可以布置在非显示区域NDA中。第二读出部分RLv1和第四读出部分RLv2中的每一者的一部分可以沿着第一方向DR1延伸。
第二读出部分RLv1和第四读出部分RLv2可以跨显示区域DA彼此间隔开。当第二读出部分RLv1和第四读出部分RLv2跨显示区域DA彼此间隔开时，非显示区域NDA的面积可以小于当第二读出部分RLv1和第四读出部分RLv2布置在显示区域DA的一侧时非显示区域NDA的面积。
布置在一行中的多个传感器FX可以与一个读出部分RLh1或RLh2电连接。读出电路500(参照图3)可以基于关于从一条读出线RLx或RLy接收的感测信号的时间(或时序)的感测信号来产生指纹图像。然而，本公开不限于此。在本公开的一实施例中，布置在相同列中的多个传感器FX可以与相同的读出部分RLv1或RLv2连接。布置在相同行中的多个传感器FX可以与不同的读出部分RLh1或RLh2连接。
第一读出部分RLh1和第三读出部分RLh2可以不与图5中所示的初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn和写入扫描线SWL1-SWLn+1重叠。例如，在显示区域DA中，第一读出部分RLh1和第三读出部分RLh2可以不与图5中所示的诸如初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn和写入扫描线SWL1-SWLn+1的扫描线重叠。因此，可以通过初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn和写入扫描线SWL1-SWLn+1来最小化在第一读出部分RLh1和第三读出部分RLh2中的每一个中产生的耦接。因此，可以减少或消除在通过第一读出部分RLh1和第三读出部分RLh2传递的感测信号中产生的失真。结果，可以改善显示装置DD(参照图1)的指纹感测性能。
图10是示出根据本公开的一实施例的显示面板的一些组件的平面图。
参照图10，示出了多个传感器FX和多个读出线RLxa。每一个读出线RLxa可以包括第一读出部分RLha和第二读出部分RLva。第一读出部分RLha可以沿着第二方向DR2从显示区域DA延伸到非显示区域NDA。第二读出部分RLva可以设置在非显示区域NDA中。第二读出部分RLva的一部分可以沿着第一方向DR1延伸。在一实施例中，在显示区域DA中，第一读出部分RLha可以不与如图5中所示的诸如初始化扫描线SIL1-SILn、补偿扫描线SCL1-SCLn和写入扫描线SWL1-SWLn+1的扫描线重叠。
图11是示意性地示出沿着图9中所示的线I-I'截取的部分的截面图。
参照图6和图11，第一读出部分RLh1和第二读出部分RLv1可以布置在不同的层上。例如，第一读出部分RLh1可以设置在第五绝缘层50和第六绝缘层60之间。第一读出部分RLh1可以对应于图8F中所示的信号传输线1650R。第二读出部分RLv1可以设置在第六绝缘层60上。第二读出部分RLv1可以设置在与第五导电图案1700(参照图8G)相同的层上，并且可以包括与第五导电图案1700相同的材料或者可以由与第五导电图案1700相同的材料形成。第二读出部分RLv1可以穿透第六绝缘层60并且可以接触第一读出部分RLh1。
图12是示意性地示出包括沿着图9中所示的线I-I'截取的部分的截面的图。
参照图6、图7A和图12，第一读出部分RLh1-1和第二读出部分RLv1-1可以布置在不同层上。例如，第一读出部分RLh1-1可以设置在第五绝缘层50和第六绝缘层60之间。第一读出部分RLh1-1可以对应于图8F中所示的信号传输线1650R。
第二读出部分RLv1-1可以包括在输入感测层ISL中。例如，第二读出部分RLv1-1可以包括在输入感测层ISL的第一导电层ICL1或第二导电层ICL2中。
用于连接第一读出部分RLh1-1和第二读出部分RLv1-1的连接电极RL-CN可以设置在第六绝缘层60上。连接电极RL-CN可以设置在与第五导电图案1700(参照图8G)相同的层上并且可以包括与第五导电图案1700相同的材料或者可以由与第五导电图案1700相同的材料形成。连接电极RL-CN可以穿透第六绝缘层60以接触第一读出部分RLh1-1。第二读出部分RLv1-1可以穿透封装层TFE以接触连接电极RL-CN。
其中第六绝缘层60和封装层TFE在非显示区域NDA中彼此接触的结构在图12中作为示例示出，但是不限于此。例如，另一绝缘层，例如第七绝缘层70可以进一步设置在第六绝缘层60和封装层TFE之间。
读出线RL1-RLn(参照图3)的所有第二读出部分可以布置在与第五导电图案1700(参照图8G)相同的层上，可以包括在第一导电层ICL1中，或者可以包括在第二导电层ICL2中。在一实施例中，读出线RL1-RLn(参照图3)的一些第二读出部分可以布置在与第五导电图案1700(参照图8G)相同的层上，读出线RL1-RLn(参照图3)的一些可以包括在第一导电层ICL1中，或者其他可以包括在第二导电层ICL2中。在一实施例中，读出线RL1-RLn(参照图3)的第二读出部分中的每一个可以包括在与第五导电图案1700(参图8G)相同的层中(在第一导电层ICL1或在第二导电层ICL2中)。
根据上文，与输出感测信号的传感器连接的读出线可以沿着与扫描线相同的方向延伸。在一实施例中，读出线和扫描线可以在显示区域中沿相同方向平行延伸。在显示区域中读出线不与扫描线重叠。可以最小化读出线和扫描线之间的耦接。换言之，可以减少或消除在通过读出线传递的感测信号中产生的失真。结果，可以改善显示装置的指纹感测性能。
虽然已经参考本公开的实施例描述了本公开，但是对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在不背离如在所附权利要求中提出的本公开的精神和范围的情况下，可以对本公开进行各种改变和修改。因此，本公开的技术范围不应限于在说明书的详细描述中描述的内容，而应由权利要求限定。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
显示面板，在所述显示面板中限定显示区域和非显示区域，
其中，所述显示面板包括：
像素，设置在所述显示区域中，并且包含发光元件和与所述发光元件电连接的像素驱动电路；
传感器，设置在所述显示区域中，并且包含感光元件和与所述感光元件电连接的传感器驱动电路；
数据线，与所述像素电连接并且沿着第一方向延伸；
扫描线，与所述像素电连接并且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及
读出线，包含所述显示区域中的第一读出部分，
其中，所述第一读出部分与所述传感器电连接，并且在所述显示区域中沿着所述第二方向延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述读出线的所述第一读出部分在所述显示区域中不与所述扫描线重叠，并且
其中，所述读出线的所述第一读出部分和所述扫描线在所述显示区域中平行。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述读出线的所述第一读出部分沿着所述第二方向从所述显示区域延伸到所述非显示区域，
其中，所述读出线还包括：
第二读出部分，设置在所述非显示区域中并且在所述非显示区域处连接到所述第一读出部分，并且
其中，所述第二读出部分沿着所述第一方向从所述非显示区域延伸到所述第一读出部分。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第一读出部分和所述第二读出部分布置在彼此不同的层上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
输入感测层，设置在所述显示面板上并且包含第一导电层和第二导电层，
其中，所述读出线的一部分包含在所述第一导电层或所述第二导电层中。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述读出线的所述第一读出部分沿着所述第二方向从所述显示区域延伸到所述非显示区域，
其中，所述读出线还包括：
第二读出部分，设置在所述非显示区域中并且在所述非显示区域处连接到所述第一读出部分，
其中，所述第二读出部分沿着所述第一方向从所述非显示区域延伸到所述第一读出部分，并且
其中，所述第二读出部分包含在所述第一导电层或所述第二导电层中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述显示面板还包括：
连接电极，与所述第一读出部分和所述第二读出部分中的每一个连接。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述传感器驱动电路包括：
复位晶体管，包含配置为接收复位信号的第一电极、与第一感测节点连接的第二电极、和配置为接收复位控制信号的第三电极；
放大晶体管，包含配置为接收感测驱动电压的第一电极、与第二感测节点连接的第二电极、和与所述第一感测节点连接的第三电极；以及
输出晶体管，包含与所述第二感测节点连接的第一电极、与所述读出线连接的第二电极、和配置为接收输出控制信号的第三电极。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述显示面板还包括：
连接图案，将所述输出晶体管和所述读出线彼此电连接。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述连接图案沿着所述第一方向延伸，并且
其中，所述连接图案设置在与所述第一读出部分不同的层上。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述连接图案和所述第二读出部分设置在相同层上。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描线提供为多条，
其中，多条所述扫描线包含与所述像素连接的初始化扫描线、补偿扫描线和写入扫描线，并且
其中，所述读出线的所述第一读出部分不与所述初始化扫描线、所述补偿扫描线和所述写入扫描线中的每一个重叠。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述像素驱动电路包括：
第一晶体管，选择性地连接配置为接收第一驱动电压的第一驱动电压线和所述发光元件；
第二晶体管，选择性地连接所述数据线和所述第一晶体管的第一电极；
第三晶体管，选择性地连接所述第一晶体管的第二电极和第一节点，其中，所述第三晶体管配置为接收第一扫描信号；
第四晶体管，选择性地连接通过其施加第一初始化电压的第一初始化电压线和所述第一节点，其中，所述第四晶体管配置为接收第二扫描信号；以及
第五晶体管，选择性地连接通过其施加第二初始化电压的第二初始化电压线和所述发光元件的阳极，其中，所述第五晶体管配置为接收第三扫描信号。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第二初始化电压线和设置在所述显示区域中的所述读出线的所述第一读出部分设置在相同层上。
15.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
显示面板，在所述显示面板中限定显示区域和非显示区域，
其中，所述显示面板包括：
像素，设置在所述显示区域中，并且包含发光元件和与所述发光元件电连接的像素驱动电路；
传感器，设置在所述显示区域中，并且包含感光元件和与所述感光元件电连接的传感器驱动电路；以及
读出线，与所述传感器电连接，并且包含所述显示区域中的第一读出部分和所述非显示区域中的第二读出部分，并且
其中，所述第一读出部分和所述第二读出部分沿着彼此不同的方向延伸，并且
其中，所述第一读出部分和所述第二读出部分布置在彼此不同的层上。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述显示面板还包括：
扫描线，与所述像素电连接，并且沿着与所述第一读出部分的延伸方向相同的方向延伸；以及
数据线，与所述像素电连接，并且沿着与所述第二读出部分的延伸方向相同的方向延伸，并且
其中，所述第一读出部分不与所述扫描线重叠。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述像素驱动电路包括：
第一晶体管，选择性地连接配置为接收第一驱动电压的第一驱动电压线和所述发光元件；
第二晶体管，选择性地连接所述数据线和所述第一晶体管的第一电极；
第三晶体管，选择性地连接所述第一晶体管的第二电极和第一节点，其中，所述第三晶体管配置为接收第一扫描信号；
第四晶体管，选择性地连接通过其施加第一初始化电压的第一初始化电压线和所述第一节点，其中，所述第四晶体管配置为接收第二扫描信号；以及
第五晶体管，选择性地连接通过其施加第二初始化电压的第二初始化电压线和所述发光元件的阳极，其中，所述第五晶体管配置为接收第三扫描信号，并且
其中，所述第一读出部分和所述第二初始化电压线设置在彼此相同的层上。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
输入感测层，设置在所述显示面板上并且包含第一导电层和第二导电层，
其中，所述第二读出部分包含在所述第一导电层或所述第二导电层中。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述传感器驱动电路包括：
复位晶体管，包含配置为接收复位信号的第一电极、与第一感测节点连接的第二电极、和配置为接收复位控制信号的第三电极；
放大晶体管，包含配置为接收感测驱动电压的第一电极、与第二感测节点连接的第二电极、和与所述第一感测节点连接的第三电极；以及
输出晶体管，包含与所述第二感测节点连接的第一电极、与所述读出线连接的第二电极、和配置为接收输出控制信号的第三电极。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述显示面板包括将所述输出晶体管和所述读出线彼此电连接的连接图案，
其中，所述连接图案沿着与所述第一读出部分的延伸方向不同的方向延伸，并且
其中，所述连接图案和所述第一读出部分设置在彼此不同的层上。
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