CN115881621A - 浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，以解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题。一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括：在硅片上形成浅沟槽结构，浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层去除，并在去除自然氧化物层的硅片表面形成保护层，保护层的材料包括：六氟硅酸氨；将保护层去除，并在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片。
背景技术
浅沟槽隔离技术（Shallow Trench Isolation，STI）是在衬底上制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺，能有效保证n型和p型掺杂区域彻底隔断。具体的，浅沟槽隔离技术是在n型和p型掺杂区域中先将Si刻蚀掉，形成一个浅沟槽，然后在浅沟槽中填入绝缘的物质，达到隔离的目的。浅沟槽隔离技术相比传统的本征氧化隔离技术，可以减少电极间的漏电流，承受更大的击穿电压。
在STI的隔离工艺中，是靠填充在有源区之间的氧化硅介质层来实现的。所以，氧化硅介质层的填充是STI隔离的关键工艺。在采用HDPCVD（High Density Plasma ChemicalVapor Deposition，高密度等离子体化学气相沉积）或HARP（Highaspectratioprocess，高深宽比工艺）沉积氧化硅，对浅沟槽进行填充之前，先利用热氧化在刻蚀后的浅沟槽表面生长一层薄氧化物膜（如线性氧化物层）。其主要作用是增加HDPCVD或HARP沉积氧化硅时与浅沟槽界面的附着性。由于浅沟槽的宽度极小、深度较深，利用常规的介质膜生长方法来填充比较困难，即易形成填充空洞。HDPCVD或HARP的优良填充能力正好满足STI对浅沟槽填充的要求。
除此之外，上述利用热氧化在刻蚀后的浅沟槽表面生长一层薄氧化物膜还可以用来修补刻蚀时所形成的侧壁损伤，提高后续浅沟槽沉积薄膜的绝缘效果，同时，在HDPCVD或HARP沉积前修复尖角，可以减小STI接触面，且HDPCVD或HARP填充氧化硅是使用等离子体激发，线性氧化物层也可以作为沉积时的缓冲层，由此可见，线性氧化物层的生长工艺和成膜质量，直接影响着其绝缘性能和后续的HDPCVD或HARP沉积氧化硅的填充效果。
目前，在相关技术中，在线性氧化物层生长之前，会对晶圆进行清洗，以去除晶圆在大气接触过程中生成的自然氧化物层或前段制程残余的氧化物层，这是因为自然氧化物层的膜层质量较差，会影响STI的绝缘隔离效果，并会对后续线性氧化物层的质量造成影响。目前主要通过湿法刻蚀工艺去除自然氧化物层，即用氢氟酸和氟化铵混合而成的缓冲氢氟酸去除浅沟槽表面的自然氧化物层，但是，湿法工艺刻蚀自然氧化物层至少存在以下不足：第一、在湿法刻蚀结束到采用炉管生长线性氧化物层的等候时间里，自然氧化物层仍会生长，无法确保自然氧化物层完全去除。第二、湿法刻蚀是各相同性刻蚀，刻蚀过程中会加剧浅沟槽的侧壁损伤，造成线性氧化物层生长不均匀的问题，同时，后续的HDPCVD或HARP工艺存在选择性生长线性氧化物层的不均匀性，也会影响HDPCVD或HARP的填充效果，不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离。
发明内容
基于此，本申请提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，用于解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题。
第一方面，提供一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括：
在硅片上形成浅沟槽结构，浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；
采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层去除，并在去除自然氧化物层的硅片表面形成保护层，保护层的材料包括：六氟硅酸氨；
将保护层去除，并在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层。
可选的，采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层去除，并在去除自然氧化物层的硅片表面形成保护层，包括：
将形成有自然氧化物层的硅片放置于第一反应腔中；
向第一反应腔内通入NH3、NF3和等离子体气源；
使NH3和NF3在等离子体的激发下，与自然氧化物层发生反应，将自然氧化物层转换成保护层。
可选的，NH3的流量为70~100sccm，NF3的流量为14~30sccm。
可选的，将保护层去除和在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层发生在同一反应腔内。
可选的，将保护层去除，包括：
将形成有保护层的硅片放置于第二反应腔中；
对第二反应腔抽真空，至第二反应腔内的真空度为6.8~7.2Torr；
对第二反应腔进行加热，使保护层硅片表面升华去除。
可选的，加热的温度为180~190℃，加热的时间为15~30s.
可选的，在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层，包括：
在将保护层去除之后，直接在第二反应腔内，通过热氧化法在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层。
可选的，热氧化法的温度为900~1100℃，通入的氧气气源的流量为20~30SLM。
可选的，直接在第二反应腔内，通过热氧化法在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层，包括：
将第二反应腔从加热的温度升温至热氧化反应的温度；
向第二反应腔内通入氧气，使氧气和去除保护层的硅片表面发生热氧化反应，生成线性氧化物层。
可选的，升温的速度为75~125℃/s，时间为10~12s。
第二方面，提供一种浅沟槽隔离结构，通过如第一方面所述方法制备获得。
第三方面，提供一种半导体结构，包括：
如第二方面所述的浅沟槽隔离结构。
第四方面，提供一种芯片，包括：
如第三方面所述的半导体结构。
与现有技术相比较，本申请具有如下有益效果：
通过采用SiCoNi刻蚀工艺，即可将浅沟槽结构表面的自然氧化物层去除，并生成保护层，该保护层的材料包括：六氟硅酸氨，而在硅片表面形成线性氧化物层之前，仅需要在隔绝空气或氧气的条件下将保护层去除，即可直接在浅沟槽结构的表面形成线性氧化物层，而尽可能减少自然氧化物层的残留。如此，一方面可以使浅沟槽结构表面的硅直接生成线性氧化物层，便于对STI刻蚀造成的侧壁损伤进行修复，确保线性氧化物层的膜层质量。另一方面，该线性氧化物层具有较高的致密性和成膜质量，可以确保其良好的绝缘性能和后续的HDPCVD或HARP沉积氧化硅的填充效果，从而可以提高浅沟槽隔离结构对有源区的隔离效果。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种浅沟槽隔离结构制备方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种将自然氧化物去除，并在硅片上形成保护层的流程示意图；
图3为本申请实施例提供的一种第二反应腔内的温度随时间变化的示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本申请进一步详细的说明。本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请公开内容理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
基于以上技术问题，本申请的一些实施例提供一种浅沟槽隔离结构制备方法，如图1所示，包括：
S1）、在硅片1上形成浅沟槽结构2，浅沟槽结构2的表面形成有自然氧化物层20；
S2）、采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层20去除，并在去除自然氧化物层20的硅片1表面形成保护层30，保护层30的材料包括：六氟硅酸氨；
S3）、将保护层30去除，并在去除保护层30的硅片表面形成线性氧化物层3。
其中，上述硅片1示例的可以为晶圆。
浅沟槽结构2可以通过STI刻蚀形成，在STI刻蚀完成后，晶圆接触大气会在浅沟槽结构2的表面形成自然氧化物层20。
该自然氧化物层20的厚度可以为30~60埃。
SiCoNi刻蚀是一种高选择性的预清洁方式，其作用是去除硅片1表面的自然氧化物层20。具体的，硅片1进入反应腔后，NF3和NH3的混合气体在等离子体的激发作用下生成活性粒子，活性粒子进入反应腔与硅片1表面的自然氧化物层（氧化硅）反应生成易升华的化合物六氟硅酸氨（（NH4）2SiF6），从而将硅片1表面的氧化硅去除。
线性氧化物层3可以在热氧化炉管中反应生成。
在本申请实施例提供的浅沟槽隔离结构制备方法中，通过采用SiCoNi刻蚀工艺，即可将浅沟槽结构2表面的自然氧化物层20去除，并生成保护层30，该保护层30的材料包括：六氟硅酸氨，而在硅片1表面形成线性氧化物层3之前，仅需要在隔绝空气或氧气的条件下将保护层30去除，即可直接在浅沟槽结构2的表面形成线性氧化物层3，而尽可能地减少自然氧化物层20的残留。如此，一方面可以使浅沟槽结构2表面的硅直接生成线性氧化物层3，便于对STI刻蚀造成的侧壁损伤进行修复，确保线性氧化物层3的膜层质量。另一方面，该线性氧化物层3具有较高的致密性和成膜质量，可以确保其良好的绝缘性能和后续的HDPCVD或HARP沉积氧化硅的填充效果，从而可以提高浅沟槽隔离结构对有源区的隔离效果。
在一些实施例中，S2）、采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层20去除，并在去除自然氧化物层20的硅片1表面形成保护层30，如图2所示，包括：
S21）、将形成有自然氧化物层20的硅片1放置于第一反应腔100中；
S22）、向第一反应腔100中通入NH3、NF3和等离子体气源；
S23）、使NH3和NF3在等离子体的激发作用下，与自然氧化物层20发生反应，将自然氧化物层20转换成保护层30。
在这些实施例中，NH3、NF3和自然氧化物层20发生如下反应：NF3+NH3→NH4F/NH4F.HF和NH4F/NH4F.HF+SiO2→(NH4)2SiF6(s)+H2O，从而将自然氧化物层20转换成保护层30。
在一些实施例中，上述NH3的流量为70~100sccm，NF3的流量为14~30sccm。
在这些实施例中，通过将NH3、NF3控制在上述范围内，可以尽可能地将自然氧化物层20去除完全。
在一些实施例中，等离子体气源可以为氩气。
在一些实施例中，将上述保护层30去除和在去除保护层30的硅片1表面形成线性氧化物层3发生在同一反应腔内。
在这些实施例中，可以避免去除保护层30的硅片1表面与大气接触重新生成自然氧化物层20。
在一些实施例中，将保护层30去除，包括：
将形成有保护层30的硅片1放置于第二反应腔中；
将第二反应腔抽真空，至第二反应腔内的真空度为6.8~7.2Torr
对第二反应腔进行加热，使保护层30从硅片1表面升华去除。
在这些实施例中，通过在真空腔内，将保护层30从硅片1表面升华去除，可以避免去除保护层30的硅片1表面与空气中的氧气接触重新生成自然氧化物层20。保护层30升华的反应方程式如下所示：(NH4)2SiF6(s)→SiF4(g)+NH3(g)+HF(g)。
在一些实施例中，上述加热的温度为180~190℃，时间为15-30s。
在这些实施例中，通过控制加热温度和时间在上述范围内，可以使保护层30升华去除完全。
在一些实施例中，在去除保护层30的硅片1表面形成线性氧化物层3，包括：
在将保护层30去除之后，直接在第二反应腔内，通过热氧化法在去除保护层30的硅片1表面形成线性氧化物层3。
在这些实施例中，直接在第二反应腔内，通过热氧化法在去除保护层30的硅片1表面形成线性氧化物层3，无需将去除保护层30的硅片1从第二反应腔内取出，可以进一步避免去除保护层30的硅片1表面与空气中的氧气接触重新生成自然氧化物层20。
该第二反应腔可以为热氧化炉管的反应腔。在需要在去除保护层30的硅片1表面形成线性氧化物层3之前，可以直接将形成有保护层30的硅片1转移到热氧化炉管的反应腔内，然后抽真空，并通过加热将保护层30从硅片1表面去除，而后直接向热氧化炉管的反应腔内通入氧气进行热氧化反应，以生成线性氧化物层3。如此，在将硅片1转移至热氧化炉管中时，在保护层30的保护作用下，能够避免在硅片1表面重新生成自然氧化物层20，而直接在热氧化炉管中将保护层30去除，而后仅需要向热氧化炉管中通入氧气，并升高温度，即可使硅片1表面与氧气发生热氧化反应而生成致密的线性氧化物层3。在整个过程中能够有效避免硅片1表面与大气接触生成疏松的自然氧化物层20，从而尽可能地减少自然氧化物层20的残留。
在一些实施例中，热氧化法的温度为900~1100℃，通入的氧元素气源的流量为20~30SLM。
在这些实施例中，可以生成致密度较高的线性氧化物层3，有利于对STI侧壁损伤进行修复，以及便于提高HDPCVD或HARP的填充效果，从而有利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离。
在一些实施例中，上述氧元素气源可以选自氧气、臭氧、二氧化碳和水中的一种或多种。
在一些实施例中，该方法还包括：在热氧化法中，向第二反应腔中通入氢气。
在这些实施例中，通入氢气可以使氢气和氧元素气源生成水，由于水的存在，有利于生成更加致密的线性氧化物层3。
在一些实施例中，氢气流量可以为0.8~1.0SLM。
在一些实施例中，直接在第二反应腔内，通过热氧化法在去除保护层30的硅片1表面形成线性氧化物层3，如图3所示，包括：
将第二反应腔从加热的温度升温至热氧化反应的温度；
向第二反应腔内通入氧气，使氧气和去除保护层30的硅片1表面发生热氧化反应，生成线性氧化物层3。
在这些实施例中，通过将第二反应腔从加热的温度直接升温至热氧化反应的温度，然后向第二反应腔200内通入氧气，即可使氧气和去除保护层30的硅片表面在上述热氧化反应的温度下发生热氧化反应，从而可以生成致密度较高的线性氧化物层3，可以减少温度降低再升高所带来的热能损失。
在一些实施例中，升温的速度为75-125℃/s，时间为10-12s。
在这些实施例中，通过控制升温的速度和时间，可以最大程度上消除自然氧化物层20。
在一些实施例中，将第二反应腔从加热的温度升温至热氧化反应的温度，包括：
先将第二反应腔从加热的温度升温至第一温度，在第一温度下使氧元素气源和去除保护层的硅片表面反应生成热氧化物衬垫层，然后将第二反应腔从第一温度升至热氧化反应的温度，继续在热氧化物衬垫层上生长热氧化物层，直至在去除保护层30的硅片1表面形成线性氧化物层3。
在这些实施例中，线性氧化物层3可以包括热氧化物衬垫层和后续生长的热氧化物层。该热氧化物衬垫层的形成可以减少自然氧化物层的生成，尽可能地消除自然氧化物层的生成，并能够为后续热氧化物层的生长做准备，提高整个线性氧化物层3的成膜质量。
在一些实施例中，上述第一温度可以为600~750℃。
在一些实施例中，如图1所示，该方法还包括：S4）、采用HDPCVD或HARP沉积氧化硅，形成有线性氧化物层3的浅沟槽结构中形成介质层4。
在这些实施例中，该介质层4填充在浅沟槽结构2中，对有源区进行隔离。
本申请的一些实施例提供一种浅沟槽隔离结构，通过如上所述的方法制备获得。
该浅沟槽隔离结构中，线性氧化物层3和硅片1之间几乎不存在自然氧化物层20，可以对STI刻蚀造成的侧壁损伤进行更好地修复，确保线性氧化物层3的膜层质量。同时，随着该线性氧化物层3的致密性和成膜质量等的提高，可以确保线性氧化物层3具有良好的绝缘性能，并确保后续的HDPCVD或HARP沉积氧化硅的填充效果，从而可以有效提高浅沟槽隔离结构对有源区的隔离效果。
在一些实施例中，该浅沟槽隔离结构还包括填充在浅沟槽结构中的介质层4，介质层4的材料包括二氧化硅。
在这些实施例中，该介质层4可以通过HDPCVD或HARP沉积形成，由于线性氧化物层3具有良好的成膜质量，因此，在采用HDPCVD或HARP沉积形成介质层4时，可以增大介质层4在线性氧化物层3上的附着性能，从而提高介质层4在浅沟槽结构2中的填充效果，进而可以提高浅沟槽隔离效果。
本申请的一些实施例提供一种半导体结构，包括：如上所述的浅沟槽隔离结构。
本申请的一些实施例提供一种芯片，包括：如上所述的半导体结构。
以上介绍了本申请的具体实施方式，为了对本申请产生的技术效果进行客观说明，接下来，将通过如下实施例进行详细地示例性地描述。
在以下的实施例中，所有原料均可以通过商业形式购买获得，并且为了保持实验的可靠性，如下实施例所采用的原料均具有相同的物理和化学参数或经过同样的处理。
实施例1
实施例1提供的浅沟槽隔离结构的制备方法包括如下步骤：
步骤1）、提供一种已完成STI刻蚀的晶圆，其中，该晶圆的STI侧壁和硅表面都存在自然氧化物层（native oxide）；
步骤2）、采用SiCoNi蚀刻技术去除晶圆表面及STI表面的自然氧化物层（nativeoxide），具体操作为：将表面具有自然氧化物层的晶圆放置于PVD设备的SiCoNi的反应腔中，向该反应腔中通入NF3（14sccm）、NH3（70sccm）和并打开Power：30W，Power打开时间大约为9s，温度为常温，反应方程式如下：（NF3+NH3→NH4F/NH4F.HF和NF4F/NH4F.HF+SiO2→(NH4)2SiF6(s)+H2O），该SiCoNi蚀刻技术具有较高的蚀刻选择性，在蚀刻自然氧化物层时，对氮化硅和硅几乎不反应，保护了晶圆表面的原始形貌；
步骤3）、刻蚀完成后会在晶圆表面和浅沟槽结构表面形成固体副产物六氟硅酸氨（(NH4)2SiF6）作为保护层，阻止自然氧化物层的形成；
步骤4）、将表面覆盖有六氟硅酸氨副产物的晶圆在常温下置于真空度为6.8Torr热氧化炉的反应腔中，然后逐步升温至180℃，保持15s，使六氟硅酸氨副产物由固态升华成气态分解挥发，反应方程式如下：(NH4)2SiF6(s)→SiF4(g)+NH3(g)+HF(g)）；
步骤5）、完成上述步骤后将热氧化炉的反应腔升温至600℃，保持8s，再升温至正常线性氧化物层的生长温度约900℃，保持10s，完成线性氧化物层的生长过程。
实施例2
实施例2中浅沟槽隔离结构的制备方法与实施例1中浅沟槽隔离结构的制备方法基本相同，不同的是：实施例2中步骤2）中NF3的流量为30sccm，NH3的流量为100sccm，射频频率为30W，温度为常温；步骤4）中真空度为7.2 Torr，升温至190℃，保持30s；步骤5）中先升温至750℃，保持8s，再升温至1100℃，保持12s。
实施例3
实施例3中浅沟槽隔离结构的制备方法与实施例1中浅沟槽隔离结构的制备方法基本相同，不同的是：实施例3中步骤2）中NF3的流量为20sccm，NH3的流量为85sccm，射频频率为30W，温度为常温；步骤4）中真空度为7.0Torr，升温至185℃，保持25s；步骤5）中先升温至680℃，保持8s，再升温至1000℃，保持11s。
测试例
对实施例1~实施例3提供的浅沟槽隔离结构中的自然氧化物层进行光谱测试（椭偏仪）测试，得到自然氧化物层小于4埃左右，说明自然氧化物去除较为完全。
综上所述，通过采用SiCoNi刻蚀工艺，对浅沟槽结构2表面的自然氧化物层20进行刻蚀，可以将浅沟槽结构2表面的自然氧化物层20去除，并生成保护层30，该保护层30的材料包括：六氟硅酸氨。如此，在硅片1表面形成线性氧化物层3之前，在保护层30的保护下，将硅片转移至热氧化炉管中，可以对浅沟槽结构表面与大气接触进行保护，而在将硅片转移至热氧化炉管中之后，在该热氧化炉管中通过真空加热将保护层30去除，而后直接将热氧化炉管的温度升至热氧化反应的温度，使浅沟槽结构的表面和氧气发生热氧化反应生成线性氧化物层，可以将自然氧化物层可能地去除干净，并减少中间过程重新引入自然氧化物层，能够确保最终所形成的线性氧化物层3具有良好的致密性和成膜质量，从而可以确保其具有良好的绝缘性能，并确保后续的HDPCVD或HARP具有良好的填充效果，进而可以提高浅沟槽隔离结构对有源区的隔离效果。解决了相关技术中浅沟槽隔离结构中由于自然氧化物层的存在而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (13)
1.一种浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，包括：
在硅片上形成浅沟槽结构，所述浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；
采用SiCoNi刻蚀工艺，将所述自然氧化物层去除，并在去除所述自然氧化物层的硅片表面形成保护层，所述保护层的材料包括：六氟硅酸氨；
将所述保护层去除，并在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
采用SiCoNi刻蚀工艺，将所述自然氧化物层去除，并在去除所述自然氧化物层的硅片表面形成保护层，包括：
将形成有所述自然氧化物层的硅片放置于第一反应腔中；
向所述第一反应腔内通入NH3、NF3和等离子体气源；
使所述NH3和NF3在等离子体的激发下，与所述自然氧化物层发生反应，将所述自然氧化物层转换成所述保护层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述NH3的流量为70~100sccm，所述NF3的流量为14~30sccm。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
将所述保护层去除和在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层发生在同一反应腔内。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将所述保护层去除，包括：
将形成有所述保护层的硅片放置于第二反应腔中；
对所述第二反应腔抽真空，至所述第二反应腔内的真空度为6.8~7.2Torr；
对所述第二反应腔进行加热，使所述保护层从所述硅片表面升华去除。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述加热的温度为180~190℃，所述加热的时间为15~30s。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层，包括：
在将所述保护层去除之后，直接在所述第二反应腔内，通过热氧化法在去除所述保护层的硅片表面形成所述线性氧化物层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
所述热氧化法的温度为900~1100℃，通入的氧元素气源的流量为20~30SLM。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
直接在所述第二反应腔内，通过热氧化法在去除所述保护层的硅片表面形成所述线性氧化物层，包括：
将第二反应腔从所述加热的温度升温至热氧化反应的温度；
向所述第二反应腔内通入氧元素气源，使氧元素气源和去除所述保护层的硅片表面发生热氧化反应，生成所述线性氧化物层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述升温的速度为75~125℃/s，时间为10~12s。
11.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，通过如权利要求1~10任一项所述方法制备获得。
12.一种半导体结构，其特征在于，包括：
如权利要求11所述的浅沟槽隔离结构。
13.一种芯片，其特征在于，包括：
如权利要求12所述的半导体结构。
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