CN115881338A - 高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用 - Google Patents
高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115881338A CN115881338A CN202211715503.8A CN202211715503A CN115881338A CN 115881338 A CN115881338 A CN 115881338A CN 202211715503 A CN202211715503 A CN 202211715503A CN 115881338 A CN115881338 A CN 115881338A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silver
- parts
- topcon
- solar cell
- crystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- -1 silver-aluminum Chemical compound 0.000 title claims abstract description 74
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 54
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 45
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 10
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 6
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 6
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 235000013350 formula milk Nutrition 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 3
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000020610 powder formula Nutrition 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAUDZVJPLUQNMU-UHFFFAOYSA-N Erucasaeureamid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(N)=O UAUDZVJPLUQNMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N dimethyl terephthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OC)C=C1 WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N erucamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(N)=O UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- IFPMZBBHBZQTOV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trinitro-2-(2,4,6-trinitrophenyl)-4-[2,4,6-trinitro-3-(2,4,6-trinitrophenyl)phenyl]benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+](=O)[O-])=CC([N+]([O-])=O)=C1C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C(C=2C(=C(C=3C(=CC(=CC=3[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)C(=CC=2[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)=C1[N+]([O-])=O IFPMZBBHBZQTOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008656 Li2O—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQLVXDKIJBQVDF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;hydrate Chemical compound O.CC(O)=O PQLVXDKIJBQVDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-UHFFFAOYSA-N oleicacidamide-heptaglycolether Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及光伏电子浆料领域,具体涉及H01B1/22,更具体地,本发明涉及高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用。具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,按重量份计,所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆包括如下组分:导电银粉80‑90份,导电铝粉0.5‑3份,玻璃粉2.5‑11.0份,有机载体5‑10份,有机分散剂0.1‑1.0份,触变剂0‑1.0份,爽滑剂0.1‑1.0份,有机助剂0‑1.0份。通过高含量的铅和钡的玻璃粉,平衡TOPCon电池银铝浆形成银铝电极的体电阻率、接触电阻率及高可靠性需求,满足TOPCon电池组件20年以上质保需求。
Description
技术领域
本发明涉及光伏电子浆料领域,具体涉及H01B1/22,更具体地,本发明涉及高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用。
背景技术
随着光伏技术的快速发展,背面钝化局域接触(PERC)晶体硅太阳电池凭借其高转换效率、寿命长等特性,已经成为光伏行业的主流技术。受制于PERC电池结构的特性,PERC电池产业化理论极限效率约为24.5%左右,而目前PERC电池产业化平均效率已经达23.0-23.7%,后期发展将面临明显的技术瓶颈问题。n型电池技术作为新一代晶硅太阳电池技术,它的产业化理论效率可到28%左右,是未来具有更高潜力的发展技术之一。根据2020年ITRPV研究机构对光伏市场预测,2020年n型电池占光伏市场的10%左右,2029年后将占到42%的市场份额。
n型晶硅太阳电池主要包括异质结(HJT)电池、n-TOPCon太阳电池和IBC电池,其中除了HJT电池使用低温银浆外,其余电池均用高温银铝浆/银浆。-TOPCon晶体硅太阳电池最先于Fronhofure太阳能研究所开发,它结合了热氧化膜钝化+多晶硅薄膜接触等新技术,具备高开压、大电流、高FF、光衰小、双面率高等特性,成为近两年来国内大型光伏电池公司/研究机构研究的重要课题。N-TOPCon电池是N-PERT技术的进一步升级,目前规模产业化的厂家主要有中来光伏、晶科能源、通威太阳能、天合光能、隆基乐叶等。尽管其制备工艺较为复杂,但目前产业化批量效率已经达到24.0-24.5%左右。预计未来几年,其转换效率将超过25%,发电效率明显比PERC电池具有更大优势,n-TOPCon电池将成为光伏市场主流。
然而,N-TOPCon晶体硅太阳电池正面的p+层表面掺杂浓度较低,单纯的正银浆料无法形成良好的欧姆接触,需要采用正面银铝浆才能与p+形成良好的功函数匹配;受制于p+层表面掺杂源为低浓度硼源,无法采用常规PERC电池正面银浆用的PbO-TeO2-Bi2O3-ZnO-Li2O-SiO2等玻璃粉设计,为实现其良好的金属-半导体接触和钝化特性,TOPCon电池正面银铝浆一般采用高铅玻璃粉设计。基于采用铝粉、高铅玻璃粉应用,TOPCon电池正面银铝浆经过丝网印刷、烘干烧结形成太阳电池,太阳电池被封装成组件,组件中的EVA经过常年老化后分解出醋酸和水汽,其醋酸水汽会明显腐蚀铝粉、高铅玻璃,导致其银铝电极与硅衬底界面发生分离,接触电阻率明显上升,太阳电池组件的转换效率大幅度下降,部分组件效率衰减可达50%以上。同时,电池组件常年经受冷热交替、高温高湿等环境,纯高铅玻璃粉耐候性能较差。
如何有效制备出具有高可靠性但同时转换效率高的TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆是TOPCon电池发展的必经阶段。为实现该目标,需要对我们所用的关键原材料功能型玻璃粉进行深入开发,在满足高可靠性要求的同时,快速提升高转换效率的客户需求,为客户提供质量更优、性价比更高的产品。
发明内容
针对现有技术中存在的TOPCon太阳电池银铝浆的不耐醋酸腐蚀、耐候性差等可靠性问题。本发明第一个方面提供了一种具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,按重量份计,所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆包括如下组分:
优选的,按重量份计,有机载体包括80-90份有机溶剂、10-15份树脂、1-5份触变剂,更优选的,按重量份计,有机载体包括86份有机溶剂、11份树脂、3份触变剂。
在一种实施方式中,所述导电银粉至少满足如下条件的至少一种:
(1)平均粒径为0.5-3.0μm;
(2)振实密度为4.0-7.0g/cm3;
(3)比表面积为0.1-2.0cm2/g。
银粉是整个银铝浆的主要成分,它具有良好的导电性,同时它在高温下氧化、溶解到特殊的玻璃液中,冷却时会有银胶体的析出,提高玻璃的导电性能。
采用上述导电银粉,可以保证导电银粉与纳米铝粉在720-750℃温度下实现银铝合金,降低银层与衬底的接触电阻和对衬底的金属诱导复合。
优选的,所述导电银粉呈球形或类球形。
进一步优选的,所述导电银粉至少满足如下条件的至少一种:
(1)平均粒径为1-2.5μm;
(2)振实密度为4.5-6.0g/cm3;
(3)比表面积为0.5-1.5cm2/g。
优选的,银粉添加81-87份。
在一种实施方式中,所述导电铝粉至少满足如下条件的至少一种:
(1)平均粒径为0.5-3.0μm;
(2)振实密度为0.5-2.0g/cm3;
(3)比表面积为0.3-2.0cm2/g。
在一种实施方式中,所述导电铝粉表面有一层自然生长的纳米氧化铝层,其厚度为3-20nm;导电铝粉在整个银铝浆中起关键作用,它可以在高温下与银形成银铝合金,并在硅衬底界面形成银铝微晶,优化银铝电极与硅衬底的功函数匹配,减少金属-半导体的匹配性;导电铝粉制备工艺可选用但不限于氧气雾化法、氮气雾化法、电***法等。
在一种实施方式中,所述导电铝粉被纳米铝粉包覆剂进行包覆。
在一种实施方式中,所述玻璃粉包括高铅玻璃粉和高钡玻璃粉。
优选的,按重量份计,所述高铅玻璃粉包括:40-80份Pb的氧化物和/或Pb盐、5-20份含B化合物、0.2-10份SiO2、0.1-6份Al2O3、0-15份ZnO和0-10份改性氧化物。
进一步优选的,所述改性氧化物包括Li2O、Na2O、Sb2O3、V2O5、TeO2、Ga2O3、In2O3、GeO2、MgO、BaO、CaO、Ni2O3、Ag2O、La2O3和Tl2O3中的一种或多种组合。
优选的,Pb的氧化物可选用Pb3O4、PbO、Pb2O3中的一种或几种混合物,Pb盐可以选用Pb(NO3)2等盐类化合物。
氧化铅(PbO)作为网络骨架,具有良好的助熔性、成玻能力,具有较低的玻璃软化温度,能够有效提升银粉氧化氧化后的溶解性;按重量份计,PbO在整个高铅玻璃粉配方的比例为40-80份,优选50-70份。
优选的,含B化合物可以选用B2O3、H3BO3中的一种或两种,也可选用硼酸盐。
氧化硼(B2O3)可降低玻璃粉的熔炼温度和软化温度,同时作为三价氧化物,它可以使玻璃层与硅衬底的p+层具有良好的欧姆接触;按重量份计,B2O3在整个高铅玻璃粉配方的比例为5-20份,优选10-15份,更优选12-14份。
二氧化硅(SiO2)属于网络形成体,可以使玻璃具有良好的成玻能力,提升玻璃高温粘度和表面张力,控制玻璃流动性。按重量份计,SiO2在整个高铅玻璃粉配方的比例为0.2-10份,优选2-8份,更优选4-6份。
氧化铝(Al2O3)属于中性氧化物,具有很高的熔点,可提高玻璃粉高温流动性,提升玻璃粉的耐酸性和耐热应力变化。按重量份计,Al2O3在整个高铅玻璃粉配方的比例为0.1-6份,优选1-5份,更优选2-3份。
氧化锌(ZnO)属于偏碱性氧化物,可以控制整个玻璃的酸碱平衡性,并使玻璃具有很好的高温稳定性和耐化学腐蚀性。按重量份计,ZnO在整个高铅玻璃粉配方的比例为0-15份。
优选的,改性氧化物包括Li2O、Na2O、Sb2O3、V2O5、TeO2、Ga2O3、In2O3、GeO2、MgO、BaO、CaO、Ni2O3、Ag2O、La2O3和Tl2O3中的一种或多种组合。改性氧化物目的主要为了平衡玻璃软化温度、高温流动性、表面润湿性、溶银能力、耐化学腐蚀性、耐候性等。
在一种实施方式中,按重量份计,所述高钡玻璃粉包括:10-70份BaO、5-35份B2O3、0.2-20份SiO2、0-8份Al2O3、0-15份ZnO和0-15份改性氧化物-1;所述改性氧化物-1包括Li2O、Na2O、Sb2O3、V2O5、TeO2、Ga2O3、In2O3、GeO2、MgO、CaO、Ag2O和Tl2O3中的一种或多种组合。
氧化钡(BaO)属于碱性氧化物,与酸性氧化物(如B2O3、SiO2等)搭配使用,具有很好的成玻能力和较低的软化温度;同时,氧化钡具有很好的抗化学腐蚀性、耐候性。制备出的高钡玻璃粉可以有效帮助提升整个银铝电极的可靠性,保证电池组件在长时间使用中具有良好的效率稳定性,满足其20年或更长的使用寿命。
需要注意的是,本申请中玻璃粉和正面银铝浆的重量份标准不同。
在一种实施方式中,所述玻璃粉的制备方法包括:将玻璃粉按照配方比例进行混合,然后于1000-1300℃熔炼30-90min,然后将高温熔融玻璃液导入冷却水或冷辊中淬火,得到玻璃渣或玻璃片;经过水淬球磨方法或气流粉碎法粉碎成玻璃粉,然后烘干玻璃粉。
在烧结过程中,玻璃粉可以有效熔解氮化硅,并在硅衬底界面形成一层超薄玻璃层,玻璃层内部形成大量纳米银微晶,可有效降低玻璃层体电阻率。
优选的,所述玻璃粉的平均粒径为0.5-5μm,更优选为1-2μm。
本申请所述有机溶剂不作特别限定,包括但不限于二乙二醇丁醚醋酸酯、醇酯十二、松油醇、二乙二醇丁醚醋酸酯、己二酸二甲酯、N-甲基吡咯烷酮、邻苯二甲酸二甲酯和对苯二甲酸二甲酯等。
本申请中树脂包括但不限于乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛酯、丙烯酸树脂和醛酮树脂等。
采用上述树脂,可以有效改善浆料印刷效果,保证良好的高宽比,提高太阳电池短路电流密度。溶剂具有溶解树脂、降低浆料粘度、改善印刷性以及促进浆料流平的作用。
在一种实施方式中,所述有机分散剂中含胺基基团和/或酸性基团。
有机分散剂可以有效增强对导电银粉和纳米铝粉的润湿效果,调节银铝浆在高低转速中的粘度差异,更加有效纳米铝粉与导电银粉接触,降低体电阻率特性。本申请中所述爽滑剂包括但不限于硅油、油酸酰胺和芥酸酰胺等。
本申请所述触变剂包括但不限于氢化蓖麻油、聚酰胺蜡和聚脲等。
爽滑剂可以减少银铝浆与网版的摩擦阻力,提高浆料过网特性,避免长时间印刷后出现堵网情况。而触变剂可以使银铝浆在高剪切作用力下的低粘度特性,提升浆料过网后的表面流平特性,保证良好的平整线型。
本申请所述有机助剂的种类不作特别限定,包括但不限于流平剂、有机硅消泡剂、硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂等。
有机助剂可以根据实际生产需要进行添加,流平剂能有效降低银铝浆的表面张力,提高银铝浆的流平性和均匀性;有机硅消泡剂能降银铝浆的表面张力,防止泡沫形成;硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂起到提高导电银粉和纳米铝粉的分散度的作用。
在一种实施方式中,所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆的制备方法如下:
(1)制备有机载体:按照配比,称取有机溶剂、树脂、触变剂,使用高速分散机进行搅拌,直到树脂和触变剂的分子链基本完全舒展溶解在有机溶剂中,得到均一的有机载体;
(2)制备银铝浆:按照配比,称取导电银粉、导电铝粉、玻璃粉、有机载体、有机分散剂、爽滑剂和有机助剂,并进行混合搅拌,得到半成品银铝浆;
(3)轧制:采用三辊研磨机对半成品银铝浆进行研磨分散,得到具有高可行性的晶体硅太阳电池TOPCon银铝浆。
本发明所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆作为TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,用于制备TOPCon晶体硅太阳电池。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果:
所述高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆引入的玻璃粉含有高含量的铅和钡,实现银铝电极与硅衬底良好欧姆接触需求,同时利用高钡含量的玻璃粉熔融后耐酸腐蚀性及耐环境抗击等特性,减少在封装成电池组件及长时间暴晒老化后EVA分解出的醋酸对银铝电极的腐蚀、热应力变化等原因导致的银铝电极发生溶解反应,降低银铝电极内部出现线电阻急剧增加、银铝电极与硅衬底出现脱离导致欧姆接触变差等风险。通过高含量的铅和钡的玻璃粉,平衡TOPCon电池银铝浆形成银铝电极的体电阻率、接触电阻率及高可靠性需求,满足TOPCon电池组件20年以上质保需求。
具体实施方式
以下通过具体实施方式说明本发明,但不局限于以下给出的具体实施例。
实施例组A
制备高铅玻璃粉:根据表1中的玻璃粉原料重量份配方进行配料;使用高温熔炼炉900℃条件下对玻璃熔炼60min,充分融化后,使用水淬法对玻璃液进行急速冷却,得到玻璃渣;使用装有锆珠的行星球磨机对玻璃渣就行快速球磨,使玻璃粉的平均粒径1.5-2.0μm后,使用250目网版对玻璃液进行过滤;采用烘箱对玻璃液进行烘干,得到玻璃粉。
表1-高铅玻璃粉原料重量份配方
实施例组B
制备高铅玻璃粉:根据表2中的玻璃粉原料重量份配方进行配料;使用高温熔炼炉1100℃条件下对玻璃熔炼30min,充分融化后,使用水淬法对玻璃液进行急速冷却,得到玻璃渣;使用气流磨设备对玻璃渣就行快速粉碎,使玻璃粉的平均粒径达到2.5-3.0μm。
表2-高钡玻璃粉原料重量份配方
制备具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,具体如下步骤:
(1)制备有机载体A:按照表3配比,称取有机溶剂、树脂、触变剂,使用高速分散机进行搅拌,搅拌速度3000r/min,加热温度60℃,直到树脂和触变剂的分子链基本完全舒展溶解在有机溶剂中,得到均一的有机载体A;
(2)配料并混合:按照表4配比,称取导电银粉、导电铝粉、高铅玻璃粉、高钡玻璃粉、有机载体、有机分散剂、爽滑剂和有机助剂,并进行混合搅拌,得到半成品银浆;
(3)轧制:使用三辊研磨机对半成品银浆进行研磨,使用刮板细度计对细度进行评估,浆料研磨细度在10μm以下,得到高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆。
表3-有机载体组分A
表4-银铝浆组分
其中,表4中的导电银粉的平均粒径为1.5-2.5μm,导电银粉的振实密度为4.5-6.0g/cm3,所述导电银粉的比表面积为0.5-1.5cm2/g。表4中的导电铝粉平均粒径为2.0-3.0μm,所述导电铝粉的振实密度为0.5-2.0g/cm3,所述导电铝粉比表面积为0.3-2.0cm2/g;导电铝粉表面有一层自然生长的纳米氧化铝层,其厚度为3-20nm,有机载体均用有机载体A。
实施例7~8所用爽滑剂为美国瓦克硅油,有机分散剂市售型号为BYK 110。
实施例9-10中爽滑剂为芥酸酰胺,有机分散剂市售型号为Tego 655,有机助剂为有机硅消泡剂,牌号为道康宁DC65。
对比例1
所述对比例1正面银铝浆的制备方法与实施例7一致,区别点在于,对比例1的组分见表4。
对比例2
所述对比例2正面银铝浆的制备方法与实施例8一致,区别点在于,对比例2的组分见表4。
将实施例7-10和对比例1-2所制备的得到高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆应用于TOPCon晶体硅太阳电池上,具体电池制备包括:
对N型晶体硅片进行前清洗、制绒、后清洗,然后通过高温扩散或等离子掺杂工艺形成正面p+层,再通过氧化工艺使背面形成隧道氧化层,LPCVD或APCVD设备沉积形成背面多晶硅薄膜。经过LPCVD或ALD等工艺对硅片正面沉积3~5nm/80~90nm厚的Al2O3/SiNx,对背面进行沉积80~90nmSiNx,形成正背面钝化介质膜。通过丝网印刷或喷墨打印的方式将晶体硅太阳电池银铝浆印刷在TOPCon半成品蓝膜片正面,将背面银浆同样印刷在TOPCon半成品蓝膜片背面。经烘干烧结工艺后,晶体硅太阳电池银铝浆和背面银浆的有机挥发或燃烧裂解,玻璃粉软化流平,润湿银粉、铝粉或其它无机粉体。晶体硅太阳电池银铝浆的玻璃粉在高温下熔解前表面介质膜和少量p+层衬底,同时少量导电银粉氧化溶解进玻璃层中,冷却时,玻璃中的银胶体发生重结晶,形成纳米银胶体,促进银铝合金与衬底、超薄玻璃膜与衬底形成良好的欧姆接触。背面银浆同样会熔解背面氮化硅等介质膜,与背面多晶硅膜n-poly形成良好欧姆接触。经过上述工艺后,形成完整的TOPCon晶体硅太阳电池。
采用太阳电池常用的电流电压电性测试仪(IV测试仪)评估太阳电池转换效率,醋酸实验前测试结果见表5,醋酸实验后测试结果及衰减值见表6。通过太阳电池企业常用的醋酸实验方法,验证正面银铝浆的抗老化性能,模拟评估组件的DH1000/DH2000等可靠性。
表5-TOPCon晶体硅太阳电池电性能(烧结后,醋酸实验前)
表6-TOPCon晶体硅太阳电池电性能(醋酸实验后)
以上烧结峰值温度为750℃,电性能中Voc为开路电压,Isc为短路电流,FF为填充因子,Rs为串联电阻,Rsh为并联电阻,Eta为转化效率,Irev2为饱和漏电流。
其中醋酸实验设计如下:(1)实验前测试电池片电性;(2)在密封箱中底部加入300g去离子水,并加入180g KCl,再加入34g冰乙酸;(3)将对比例1~2的电池片和实验例7~10的电池片分别交替插放在花篮中,边缘各隔1片假片;(4)将密封箱密封,放入烘箱中,设定85℃,保温4H后;(5)取出自然晾干12H后测试电池片电性。(6)对比实验前后转换效率相对值,即醋酸实验衰减值。
根据表5所述测试结果,实施例7-8分别加入0.5%和1%高钡玻璃粉,电性能的转换效率较好,即加入合适的高钡玻璃粉对电性能无明显负面影响。实施例10加入的高钡含量较高,对转换效率有下降趋势,高钡玻璃粉不宜加入过量。
根据表6所述测试结果,对比例1与对比例2为纯高铅玻璃粉,醋酸衰减分别为34.33%和17.33%。而在对比例1基础上加入0.5%实施例3-高钡玻璃粉的实施例7,其醋酸衰减率仅为12.22%,降低22.11%;而在对比例1基础上加入1.5%实施例4-高钡玻璃粉的实施例8,其醋酸衰减率仅为5.13%,降低12.20%。实施例8~10同样为加入高钡玻璃粉,其衰减率维持≤8%以内,满足目前醋酸实验要求水平。
根据上述实施例情况可知,本发明所述晶体硅太阳电池银铝浆同时引入高铅玻璃粉和高钡玻璃粉,实现银铝电极与硅衬底良好欧姆接触需求,同时利用高钡玻璃粉熔融后耐酸腐蚀性及耐环境抗击等特性,减少在封装成电池组件及长时间暴晒老化后EVA分解出的醋酸对银铝电极的腐蚀、热应力变化等原因导致的银铝电极发生溶解反应,降低银铝电极内部出现线电阻急剧增加、银铝电极与硅衬底出现脱离导致欧姆接触变差等风险,有效提高TOPCon组件可靠性需求,为企业及用户提供更多的经济效益和社会价值。
Claims (10)
2.根据权利要求1所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,其特征在于,所述导电银粉至少满足如下条件的至少一种:
(1)平均粒径为1-2.5μm;
(2)振实密度为4.5-6.0g/cm3;
(3)比表面积为0.5-1.5cm2/g。
3.根据权利要求2所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,其特征在于,所述导电铝粉至少满足如下条件的至少一种:
(1)平均粒径为0.5-3.0μm;
(2)振实密度为0.5-2.0g/cm3;
(3)比表面积为0.3-2.0cm2/g。
4.根据权利要求1-3任一项所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,其特征在于,所述导电铝粉表面有一层自然生长的纳米氧化铝层,其厚度为3-20nm。
5.根据权利要求1-3任一项所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,其特征在于,按重量份计,所述高铅玻璃粉包括:40-80份Pb的氧化物和/或Pb盐、5-20份含B化合物、0.2-10份SiO2、0.1-6份Al2O3、0-15份ZnO和0-10份改性氧化物。
6.根据权利要求5所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,其特征在于,所述改性氧化物包括Li2O、Na2O、Sb2O3、V2O5、TeO2、Ga2O3、In2O3、GeO2、MgO、BaO、CaO、Ni2O3、Ag2O、La2O3和Tl2O3中的一种或多种组合。
7.根据权利要求6所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,其特征在于,按重量份计,所述高钡玻璃粉包括:10-70份BaO、5-35份B2O3、0.2-20份SiO2、0-8份Al2O3、0-15份ZnO和0-15份改性氧化物-1。
8.根据权利要求7所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆,其特征在于,所述改性氧化物-1包括Li2O、Na2O、Sb2O3、V2O5、TeO2、Ga2O3、In2O3、GeO2、MgO、CaO、Ag2O和Tl2O3中的一种或多种组合。
9.一种根据权利要求1-8任一项所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)制备有机载体:按照配比,称取有机溶剂、树脂、触变剂,使用高速分散机进行搅拌,直到树脂和触变剂的分子链基本完全舒展溶解在有机溶剂中,得到均一的有机载体;
(2)制备银铝浆:按照配比,称取导电银粉、导电铝粉、玻璃粉、有机载体、有机分散剂、爽滑剂和有机助剂,并进行混合搅拌,得到半成品银铝浆;
(3)轧制:采用三辊研磨机对半成品银铝浆进行研磨分散,得到具有高可行性的晶体硅太阳电池TOPCon银铝浆。
10.一种根据权利要求1-8任一项所述具有高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆在制备TOPCon晶体硅太阳电池中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211715503.8A CN115881338A (zh) | 2022-12-28 | 2022-12-28 | 高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211715503.8A CN115881338A (zh) | 2022-12-28 | 2022-12-28 | 高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115881338A true CN115881338A (zh) | 2023-03-31 |
Family
ID=85757338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211715503.8A Pending CN115881338A (zh) | 2022-12-28 | 2022-12-28 | 高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115881338A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116543948A (zh) * | 2023-06-30 | 2023-08-04 | 浙江晶科新材料有限公司 | N型TOPCon太阳能电池用银铝浆及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214257A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | 非線形誘電体素子 |
US6406774B1 (en) * | 1996-07-16 | 2002-06-18 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Electrically conductive composition for use in through hole of electric component |
CN103165214A (zh) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池用铝导电浆料及其制备方法 |
CN114822909A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-29 | 广东南海启明光大科技有限公司 | 用于低温烧结的晶体硅太阳电池银铝浆、制备方法、用途 |
CN114822910A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-07-29 | 上海银浆科技有限公司 | 导电银铝浆、制备方法、电极及电池 |
-
2022
- 2022-12-28 CN CN202211715503.8A patent/CN115881338A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406774B1 (en) * | 1996-07-16 | 2002-06-18 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Electrically conductive composition for use in through hole of electric component |
JPH11214257A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | 非線形誘電体素子 |
CN103165214A (zh) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池用铝导电浆料及其制备方法 |
CN114822909A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-29 | 广东南海启明光大科技有限公司 | 用于低温烧结的晶体硅太阳电池银铝浆、制备方法、用途 |
CN114822910A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-07-29 | 上海银浆科技有限公司 | 导电银铝浆、制备方法、电极及电池 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116543948A (zh) * | 2023-06-30 | 2023-08-04 | 浙江晶科新材料有限公司 | N型TOPCon太阳能电池用银铝浆及其制备方法 |
CN116543948B (zh) * | 2023-06-30 | 2023-10-31 | 浙江晶科新材料有限公司 | N型TOPCon太阳能电池用银铝浆及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN114822909B (zh) | 用于低温烧结的晶体硅太阳电池银铝浆、制备方法、用途 | |
US11756699B1 (en) | Conductive silver aluminum paste, preparation method, electrode and cell | |
US20220153627A1 (en) | Glass powder and silver-aluminum paste for use on front of n-type double-sided solar cell comprising same | |
CN112041994B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
CN102956283A (zh) | 一种新型高效晶硅太阳能电池用无铅化银浆及其制备与应用 | |
CN109119181B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池用正面银浆及其制备方法和应用 | |
CN113979641B (zh) | 玻璃粉及其制备方法及一种应用窗口宽的电池银浆 | |
CN109659064A (zh) | 一种晶硅Perc电池用具有高拉力的正面银浆料及其制备工艺 | |
WO2020118781A1 (zh) | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 | |
CN111902881B (zh) | 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法 | |
CN111599506A (zh) | 一种太阳能电池导电浆料、玻璃料及太阳能电池 | |
CN113035975A (zh) | 一种玻璃粉及其制备方法、一种导电银浆及其制备方法和应用 | |
CN115881338A (zh) | 高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用 | |
CN102910828A (zh) | 用于硅太阳能电池正面银浆无铅低熔点玻璃粉及制备方法 | |
US20240234602A1 (en) | Conductive paste composition, preparation method and use thereof, crystalline silicon solar cell | |
CN102881351A (zh) | 一种晶硅光伏电池用背面锡电极浆料及其制备方法 | |
US11784277B2 (en) | Method for preparing P-type crystalline silicon rear electrode | |
CN107759093B (zh) | 一种高方阻浅结晶硅太阳能电池用玻璃料及其制备方法和浆料 | |
CN109493993B (zh) | 一种用于晶硅太阳能电池正面电极的银浆料及其制备方法 | |
CN109166646B (zh) | 一种用于背钝化硅太阳能电池的环保型铝电极浆料 | |
US11884587B2 (en) | Silicon-lithium-lead system, conductive paste and preparation method thereof | |
CN114999704A (zh) | 一种银浆用辅助玻璃粉添加剂及其制备方法 | |
CN113372013B (zh) | 耐候性光伏钢化玻璃白颜料及其制备方法和应用 | |
JP2014007212A (ja) | 電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料 | |
CN109020244A (zh) | 背钝化晶体硅太阳能电池用正面银浆玻璃粉及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |