CN115826348A - 掩模版及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种掩模版及其制备方法。该掩模版中设置有至少两层相位移层，通过对相位移层进行灵活的组合搭配以形成相位移量不同的多种相位移区，从而满足不同掩模图案对相位移量的需求，提高图形的对比度，并且还有利于规避相邻区域之间出现相位移量的超大跨度的直接变化，进而改善由此引发的“鬼影”的问题。此外，还能够降低OPC修正的难度，有效改善小尺寸、高密度的掩模图案容易受到空间限制而难以进行OPC修正的问题。

Description

掩模版及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩模版及其制备方法。

背景技术

在半导体制造技术中，光刻工艺是实现图形转移的重要一环，而随着图形细微化的发展趋势，对光刻技术提出了更高的要求。为此，一种优化方式是在掩模版上增加相位移层，以用于使相位移区的光产生大约180°的相位改变，从而和非相位移区的光之间可以因相位差而产生相消干涉，提高了所复制的图形的边缘对比度。

然而，现有的掩模版中对相位移层的设置较为单一，针对掩模版中不同图形形状、不同图形密度的掩模图案而言，单一的相位移层存在较大的局限性而难以满足各种掩模图案的不同需求。此外，增加相位移层虽然可以提高光分辨率，但是也会额外带来“鬼影”的风险。例如可参考图1所示，在掩模版的基底10设置有相位移层20，用于使通过的光产生大约180°的相位改变。具体可参考图2，其示意性的示出了光通过相位移区（覆盖有相位移层的区域）和非相位移区（未覆盖有相位移层的区域）时的光强度波形图，在相位移区和非相位移区的交界处因为光的相消干涉而使得光强度接近于0，在进行光刻工艺时，该位置将极易引起“鬼影”而形成在半导体基片上。

因此，如何进一步优化掩模版上的相位移层、提高掩模图案复制在半导体基板上的图形精度是目前的一个至关重要的课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩模版，以对掩模版上的相位移层进行优化，提高掩模图案的复制精度。

为此，本发明提供了一种掩模版，包括：基底、依次形成在所述基底上的至少两层相位移层和一遮光层，所述遮光层中定义有遮光图案，所述相位移层位于所述遮光图案的下方并从所述遮光图案的边缘延伸出。其中，在至少部分遮光图案的下方重叠设置有至少两层相位移层，并且至少两层相位移层从遮光图案的下方横向延伸出的尺寸不同，以使相位移量梯度递减。

可选的，所述遮光层定义出的遮光图案中，还有一部分遮光图案的下方仅形成有其中一层相位移层。

可选的，单一层相位移层所产生的相位移量小于等于135°；沿着厚度方向重叠设置有至少两层相位移层时所产生的相位移量小于等于200°。

可选的，所述至少两层相位移层中，所有相位移层均只延伸在所述遮光图案的边缘区域，并且至少部分相位移层的边缘厚度沿着延伸方向逐步减小。

可选的，所述至少两层相位移层中包括只延伸在遮光图案边缘的部分覆盖相位移层和覆盖整个基底的全覆盖相位移层，所述全覆盖相位移层的光透过率大于所述部分覆盖相位移层的光透过率。

可选的，所述部分覆盖相位移层位于所述全覆盖相位移层的下方，所述部分覆盖相位移层的端部厚度沿着延伸方向逐步减小，所述全覆盖相位移层保形的覆盖所述部分覆盖相位移层。

可选的，延伸在遮光图案边缘的相位移层的端部由顶表面至侧壁呈弧状连接而形成弧形表面；或者，延伸在遮光图案边缘的相位移层的端部为斜角结构。

可选的，所述基底的顶表面上还形成有碳薄膜层，所述至少两层相位移层形成在所述碳薄膜层上。

本发明还提供了一种掩模版的制备方法，包括：提供基底，并形成遮光层在所述基底上，所述遮光层中定义有遮光图案。其中，在形成所述遮光层之前，还形成至少两层相位移层在所述基底上，所述相位移层位于所述遮光图案的下方并从所述遮光图案的边缘延伸出。

可选的，所述至少两层相位移层的制备方法包括：形成图案化的第一相位移层，所述第一相位移层形成在遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘；形成介质层，所述介质层覆盖所述第一相位移层，并平坦化所述介质层的顶表面；以及，形成图案化的第二相位移层在平坦化后的介质层上，所述第二相位移层也形成在遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘。

可选的，所述至少两层相位移层的制备方法包括：形成图案化的第一相位移层，所述第一相位移层形成在遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘；以及，沉积第二相位移层，所述第二相位移层全覆盖整个基底，并保形的覆盖所述第一相位移层。

可选的，在形成所述相位移层之前，还包括：在所述基底的顶表面上形成碳薄膜层。

在本发明提供的掩模版中，设置有至少两层相位移层，通过对相位移层进行不同的组合搭配以形成多种不同的相位移区，从而可满足不同掩模图案的不同需求。即，本发明提供的掩模版，可以针对不同的掩模图案，利用至少两层相位移层进行灵活的组合搭配，从而形成相匹配的相位移区，满足不同掩模图案对相位移量的需求，提高图形的对比度。

并且，基于至少两层相位移层的多种组合搭配而能够产生多种相位移量，有利于规避相邻区域之间出现光的相位由180°到0°的超大跨度的直接变化，进而改善由此引发的“鬼影”的问题。例如，可以使单层的相位移层的相位移量较小，减小相位移区和空白区域（未覆盖有相位移层的区域）之间的相位差，改善“鬼影”的问题；或者，越往远离掩模图案的方向上，使相位移层的堆叠数量依次递减，从而实现了相位移量逐步递减，有效缓解“鬼影”的问题。

此外，正是因为本发明提供的掩模版中，可以利用多层相位移层实现对各个掩模图案进行有针对性的补偿，如此还能够降低OPC修正的难度，有效改善小尺寸、高密度的掩模图案容易受到空间限制而难以进行OPC修正的问题。

附图说明

图1为现有的一种掩模版的结构示意图。

图2为光通过相位移区和非相位移区时的光强度波形图。

图3为本发明一实施例中的一种掩模版的结构示意图。

图4为本发明一实施例中的另一种掩模版的结构示意图。

图5为本发明一实施例中的掩模版其基底的局部放大图。

图6为本发明一实施例中的掩模版其相位移层的端部为斜角结构的示意图。

其中，附图标记如下：10/100-基底；110-碳薄膜层；20/200-相位移层；210-第一相位移层；220-第二相位移层；300-遮光层；400-介质层。

具体实施方式

本发明的核心思路在于提供一种掩模版，该掩模版中设置有至少两层相位移层，从而可利用至少两层相位移层进行组合搭配而用于产生多种不同的相位移量，因此在掩模版中例如可针对不同图形形状、不同图形密度等灵活调整相位移层的组合搭配，可以有针对性的对各种掩模图案所需的相位移量进行调整，提高图形转移复制的精度。此外，基于本发明中可以对相位移层进行灵活调整，有利于规避相邻区域之间出现光的相位由180°到0°的超大跨度的直接变化，进而改善由此引发的“鬼影”的问题。

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的掩模版及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应当认识到，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。

图3为本发明一实施例中的一种掩模版的结构示意图，图4为本发明一实施例中的另一种掩模版的结构示意图。结合图3和图4所示，该掩模版包括基底100和形成在所述基底100上的至少两层相位移层200，用于将其中一层或若干层的相位移层200叠加组合以形成至少两种相位移区，所述至少两种相位区的相位移量不同。

具体的，可以根据掩模版的不同掩模图案而调整相位移层200叠加情况进而产生不同的相位移量，例如，在掩模版的部分位置，可以在厚度方向上仅设置有其中一层相位移层200，以得到较小的相位移量；或者，在厚度方向上可重叠设置有至少两层相位移层200，以用于产生更大的相位移量。举例来说，针对排布稀疏的图案时，允许较低的相位移量也仍满足其图形对比度的需求，此时可减少相位移层200的数量（例如，可仅设置一层相位移层200）；而针对排布密集的图案时，则可增大相位移量以提高图形的对比度，此时即可重叠设置有更多层的相位移层200；以及，针对边界较为尖锐的图形而言，也可重叠设置至少两层相位移层200，以增大相位移量、提高图形的对比度。

进一步的，所述掩模版上还设置有遮光层300，所述遮光层300中定义有遮光图案。其中，所述遮光层300具体可以采用高吸光系数的材料形成，例如，所述遮光层300的材料可包括铬（Cr）和/或氮化铬，以使其对光的透射率可小于2%，甚至可以达到0%。

一种示例中，所有相位移层200仅延伸设置在遮光图案的边缘，以在掩模图案的边缘位置可基于不同相位的光线形成相消干涉，提高掩模图案复制至半导体基板上的边缘对比度。以图3为例，至少两层相位移层200均设置在所述遮光图案的下方并横向延伸出，并且所述相位移层200仅设置在所述遮光图案的边缘。

具体来说，在图3的示例中设置有第一相位移层210和第二相位移层220。其中，第一相位移层210和第二相位移层220两者可用于产生相同的相位移量，例如，第一相位移层210和第二相位移层220均用于产生70°-110°的相位改变。或者，第一相位移层210和第二相位移层220也可用于分别产生不同的相位移量，例如，第一相位移层210用于产生30°-60°的相位改变，第二相位移层220用于产生90°-135°的相位改变。

以及，在厚度方向上重叠设置有至少两层的相位移层200时所产生的相位移量即可基于各个相位移层200的相位移量而相互叠加。具体示例中，沿着厚度方向仅具有一层相位移层200时其所产生的相位移量可小于等于135°，而厚度方向上重叠设置有至少两层的相位移层200时所产生的相位移量可小于等于200°。通过对不同相位移层200进行组合搭配即可形成多种不同相位移量的相位移区。

为了便于理解，以图3中的第一相位移层210和第二相位移层220均用于产生90°相位改变、且该掩模版为透射型掩模版为例进行说明，因此在仅具有第一相位移层210时透射光产生了90°的相位改变，在仅具有第二相位移层220时透射光产生了90°的相位改变，而在重叠设置有第一相位移层210和第二相位移层220时则产生了180°的相位改变。

应当认识到，图3仅为示例性说明，在实际应用中第一相位移层210和第二相位移层220均可通过膜层参数调整而改变其相位移量。具体而言，可通过增大相位移层200的厚度，以对应增大相位移量；反之，可通过降低相位移层200的厚度，以减小相位移量。

以及，各个相位移层200均具有一定的光透射率T，例如单一层的相位移层200的光透射率T大于等于20%。以及，不同层的相位移层200的光透射率T可以相同（例如，均为20%-60%）；或者，不同层的相位移层200的光透射率T也可以不同（例如，部分相位移层200的光透射率T为20%-50%，部分相位移层200的光透射率T为50%-100%）。在图3所示的示例中，可以使第一相位移层210和第二相位移层220的光透射率T均为20%-50%，以及叠加有第一相位移层210和第二相位移层220时的光透射率T可以为4%-25%。

此外，如上所述，可以根据具体的掩模图案而在其下方延伸设置有不同的相位移层200。具体来说，可以在至少一部分遮光图案的下方设置有至少两层相位移层200，并且至少两层相位移层200从遮光图案的下方横向延伸出的尺寸不同，从而往远离遮光图案的方向可逐步减少相位移层的数量，形成了相位移量梯度降低的至少两个相位移区。

例如图3所示，遮光层300在右侧的遮光图案例如为边界尖锐的图形，因此其下方可延伸设置有第一相位移层210和第二相位移层220，以提高图形对比度，并且往远离遮光图案的方向相位移层的数量减小，以使相位移量梯度降低，改善“鬼影”的问题。具体可以使第二相位移层220延伸出的尺寸大于第一相位移层210延伸出的尺寸，或者使第一相位移层210延伸出的尺寸大于第二相位移层220延伸出的尺寸，均可形成相位移量梯度变化的两个相位移区。

继续参考图3，遮光层300在左侧的遮光图案（图中未示出）例如为直线图形，则可仅延伸设置第一相位移层210或仅延伸设置第二相位移层220，仍能够满足该遮光图案的对比度需求。

进一步的，在图3的示例中，还可在相邻的相位移层200之间设置有介质层400，所述介质层400覆盖下方的相位移层200，并且可进一步平坦化介质层400的顶表面，并将上方的相位移层200形成在平坦的介质层400上。本实施例中，所述介质层400可采用透明介质材料形成，例如包括氧化硅等，以降低通过介质层400时的传输损耗。

在另一个示例中，所述至少两层相位移层200中包括仅延伸设置在掩模图案边缘的部分覆盖相位移层和覆盖整个基底100的全覆盖相位移层，其中，所述全覆盖相位移层的光透射率T大于所述部分覆盖相位移层的光透射率T，例如，所述全覆盖相位移层的光透射率T＞50%，甚至可使所述全覆盖相位移层的光透射率T≥70%。以及，叠加有全覆盖相位移层和部分覆盖相位移层时的总光透射率可介于10%-50%。

以图4为例，其同样设置有第一相位移层210和第二相位移层220。其中，可使下方的第一相位移层210构成部分覆盖相位移层，即，第一相位移层210仅设置在遮光图案的下方并横向延伸出而仅位于遮光图案的边缘；以及，上方的第二相位移层220可构成全覆盖相位移层，即第二相位移层220覆盖整个基底100。或者，也可使上方的第二相位移层220构成部分覆盖相位移层，下方的第一相位移层210构成全覆盖相位移层。

因此，在图4所示的示例中，遮光图案的边缘区域可基于第一相位移层210和第二相位移层220的相互叠加而产生较大的相位移量（例如170°-190°），而在远离遮光图案的区域则可基于单一的第二相位移层220而产生较小的相位移量（例如，小于等于60°）。以图4为例，第一相位移层210和第二相位移层220的相互叠加而产生180°的相位改变，而单一的第二相位移层220则可产生45°的相位改变。

综上所述，本实施例提供的掩模版中，其设置有至少两层相位移层200，从而可利用至少两层相位移层200根据不同图案的不同需求，进行搭配组合而得到多种不同的相位移量，用于满足不同掩模图案对相位移量的不同需求。其中，各个相位移层200的光透射率T和相位移量φ均可通过对相位移层200的材料或者厚度进行调整。例如，相位移层200的材料可包括氮化硅钼（MoSiN），并在氮化硅钼中还可进一步掺杂有其他离子（例如氧、碳、氟等）以进一步调整相位移层200的光学参数（例如折射率、消光系数等）。在一具体示例中，可使相位移层200的折射率调整在2.0-3.0之间，相位移层200的消光系数调整在0.4-0.8之间，以及相位移层200的厚度范围例如是30nm-100nm之间。

并且，正是因为本实施例中可以利用至少两层相位移层200组合搭配出多种不同的相位移量，因此通过对相位移层200的灵活调整还有利于规避相邻区域之间的相位移量的陡然降低或增大，进而能够有效改善图形复制时所产生“鬼影”问题。

继续以图3为例，首先，可使单一的相位移层200所产生的相位移量小于180°（具体可进一步小于135°），此时光通过单一的相位移层200所产生的相位移量与光通过邻近的空白区域（未设置有相位移层的区域）所产生的相位移量之间的差异减小，从而有利于缓解“鬼影”的问题。例如图3中，光通过第一相位移层210所产生的相位移量和光通过邻近的空白区域所产生的相位移量之间的相位差异仅为90°，同样的，光通过第二相位移层220所产生的相位移量和光通过邻近的空白区域所产生的相位移量之间的相位差异也仅为90°，因此紧邻的相位移区和空白区域之间仅具有90°的相位差。其次，还可对相位移层200进行组合搭配实现相位移量由高到低的梯度递减，例如图3中在逐步靠近空白区域的方向上，依次设置有重叠的第一相位移层210和第二相位移层220形成了相位移量为180°的相位移区，以及仅设置有第二相位移层220形成了相位移量为90°的相位移区，由此即实现了相位移量由180°降低到90°，再进一步降低至0°的梯度变化，同样可以有效缓解“鬼影”的问题。当然，在图3中由相位移区朝向空白区域的方向上，其相位移层200的排布方式还可以是：依次设置有重叠的第一相位移层210和第二相位移层220，以及仅设置有第一相位移层210，此时同样可以形成相位移量由180°降低到90°，再进一步降低至0°的梯度变化。

可选的方案中，还可使至少部分相位移层200的端部厚度沿着延伸方向逐步减小，例如，使延伸距离最远的相位移层200其端部厚度沿着延伸方向逐步减小。本实施例中，使相位移层200的端部由顶表面至侧壁呈弧状连接而形成弧形表面，如此，即可进一步平缓相位移量的变化趋势，更好的改善“鬼影”的问题。或者其他实施例中，例如图6所示，还可使相位移层200的端部为斜角结构，同样可以达到端部厚度沿着延伸方向逐步减小的效果。

接着参考图4所示的示例，其在遮光图案的边缘区域重叠有部分覆盖相位移层和全覆盖相位移层，在远离遮光图案的区域仅具有全覆盖相位移层，使得相邻区域之间的相位移量不会出现大范围的降低或增大，进而能够有效改善图形复制时所产生“鬼影”问题。

与图3中的示例类似的，在图4中的部分覆盖相位移层（第一相位移层210）其延伸端的端部厚度沿着延伸方向逐步减小，例如可使部分覆盖相位移层的端部由顶表面至侧壁呈弧状连接而形成弧形表面，并可使全覆盖相位移层（第二相位移层220）保形的覆盖其下方的部分覆盖相位移层（第一相位移层210），进而使全覆盖相位移层（第二相位移层220）在部分覆盖相位移层的端部位置上相应的产生有平滑过渡的台阶，同样可进一步平缓相位移量的变化趋势，更好的改善“鬼影”的问题。当然其他示例中，也可使部分覆盖相位移层（第一相位移层210）的端部为斜角结构，此时全覆盖相位移层（第二相位移层220）覆盖其下方的部分覆盖相位移层（第一相位移层210）的端部时，相应的形成有高度逐步降低的斜坡，进一步优化“鬼影”的问题。

此外，为了提高掩模图案复制在半导体基片上的图形精度，通常还会利用OPC修正补偿光学干扰所带来的图形变异，然而在针对小尺寸、密集度高的图案时其OPC修正的空间受限，难以执行光学修正。但是，本实施例中利用至少两层相位移层200，可以针对性的进行相位移量的调整，提高各个图形的图形精度，针对小尺寸、密集度高的图案时即可以在特定的相位移区的补偿下，降低OPC修正的难度。

进一步的方案中，所述基底100的顶表面上还可形成有碳薄膜层110，用于平滑基底100的顶表面，并有利于实现基底100的重复利用。需要说明的是，本实施例的掩模版中需要在基底100上制备至少两层相位移层200，为了避免对基底100造成损害，则在制备相位移层之前在基底100的顶表面上形成碳薄膜层110，从而可利用碳薄膜层110保护基底100免受其上方工艺的影响。并且，碳薄膜层110容易被氧等离子体灰化去除，不会对基底100造成损伤，保证基底表面的质量，因此可以实现基底的重复使用，降低生产成本。

此外，参考图5所示，在基底100的顶表面上通常还具有细小的缺陷（例如，细小的裂缝等），所述碳薄膜层110具有较强的间隙填充能力，因此该碳薄膜层110可以有效填充基底表面上的细小缺陷，并进行表面平坦化。具体示例中，所述基底100可以为石英玻璃、微晶玻璃（Zerodur）、超低膨胀系数石英玻璃（ULE，又称为零膨胀玻璃）等。以及，所述碳薄膜层110的厚度例如可控制在30nm以内。

基于如上所述的掩模版，以下对其制备方法进行说明，其制备方法具体包括：在一基底100上依次形成至少两层相位移层200，以将其中一层或若干层的相位移层200叠加组合而形成至少两种相位移区，所述至少两种相位区的相位移量不同。

具体示例中，可以在形成相位移层200之前，在基底100的顶表面上形成碳薄膜层110，所述碳薄膜层110例如可采用旋涂工艺形成。所述碳薄膜层110具有较强的间隙填充能力，可以有效填充基底表面上的细小缺陷，并进行表面平坦化。如此，一方面可以对基底100进行保护，避免后续的膜层制备工艺对基底100造成损伤，并且该碳薄膜层110可以达到较高的表面平坦度，也有利于提高后续所制备的相位移层的膜层品质；另一方面，基于碳薄膜层110容易被氧等离子体灰化去除，不会对基底100造成损伤，保证基底表面的质量，因此可以实现基底的重复使用，降低生产成本。

在形成所述碳薄膜层110之后，即可在所述碳薄膜层110上依次制备相位移层200和遮光层300等。

首先针对图3中所示的掩模版，其制备方法包括：第一步骤，形成第一相位移层210，所述第一相位移层210为图案化的相位移层，其仅形成在掩模图案（所述掩模图案可以由后续形成的遮光层定义出）的下方及其边缘区域；第二步骤，形成介质层400， 所述介质层400覆盖所述第一相位移层210，并平坦化所述介质层400的顶表面；第三步骤，形成第二相位移层220在平坦化后的介质层400上，所述第二相位移层220也为图案化的相位移层，并且第二相位移层220也仅形成在掩模图案的下方及其边缘区域。具体示例中，在制备第一相位移层210和第二相位移层220时，可通过调整刻蚀工艺的刻蚀参数而进一步将相位移层的端部修饰为斜角结构或者弧形结构。以及，在形成第二相位移层220之后，制备遮光层300，用于定义出遮光图案。

接着针对图4所示的掩模版而言，其制备方法包括：第一步骤，形成第一相位移层210，所述第一相位移层210为图案化的相位移层，其仅形成在掩模图案（所述掩模图案可以由后续形成的遮光层定义出）的下方及其边缘区域，同样的，在制备第一相位移层210时也可通过调整刻蚀工艺的刻蚀参数而将第一相位移层210的端部修饰为斜角结构或者弧形结构；第二步骤，形成第二相位移层220，所述第二相位移层220全覆盖所述基底100，并保形的覆盖第一相位移层210。以及，在形成第二相位移层220之后，制备遮光层300，用于定义出遮光图案。

如上所述的掩模版及其制备方法中，大大提高了相位移区的设置灵活性，使得不同掩模图案可以有针对性的设置对应的相位移量，提高图形对比度，同时还能够改善“鬼影”的问题，进一步增加掩模图案的复制精度。此外，如上实施例中是以DUV用的透射型掩模版为例进行说明，然而应当认识到，本发明提供的核心思路同样可以适用于EUV用的反射型掩模版中。

需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。以及，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。此外还应该认识到，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。

Claims (12)

1.一种掩模版，其特征在于，包括：基底、依次形成在所述基底上的至少两层相位移层和一遮光层，所述遮光层中定义有遮光图案，所述相位移层位于所述遮光图案的下方并从所述遮光图案的边缘延伸出；

其中，在至少部分遮光图案的下方重叠设置有至少两层相位移层，并且至少两层相位移层从遮光图案的下方横向延伸出的尺寸不同，以使相位移量梯度递减。

2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述遮光层定义出的遮光图案中，还有一部分遮光图案的下方仅形成有其中一层相位移层。

3.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，单一层相位移层所产生的相位移量小于等于135°；沿着厚度方向重叠设置有至少两层相位移层时所产生的相位移量小于等于200°。

4.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所有相位移层均只延伸在所述遮光图案的边缘区域，并且至少部分相位移层的边缘厚度沿着延伸方向逐步减小。

5.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述至少两层相位移层中包括只延伸在遮光图案边缘的部分覆盖相位移层和覆盖整个基底的全覆盖相位移层，所述全覆盖相位移层的光透过率大于所述部分覆盖相位移层的光透过率。

6.如权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述部分覆盖相位移层位于所述全覆盖相位移层的下方，所述部分覆盖相位移层的端部厚度沿着延伸方向逐步减小，所述全覆盖相位移层保形的覆盖所述部分覆盖相位移层。

7.如权利要求4或6所述的掩模版，其特征在于，延伸在遮光图案边缘的相位移层的端部由顶表面至侧壁呈弧状连接而形成弧形表面；或者，延伸在遮光图案边缘的相位移层的端部为斜角结构。

8.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述基底的顶表面上还形成有碳薄膜层，所述至少两层相位移层形成在所述碳薄膜层上。

9.一种掩模版的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，并形成遮光层在所述基底上，所述遮光层中定义有遮光图案；

其中，在形成所述遮光层之前，还形成至少两层相位移层在所述基底上，所述相位移层位于所述遮光图案的下方并从所述遮光图案的边缘延伸出。

10.如权利要求9所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述至少两层相位移层的制备方法包括：

形成图案化的第一相位移层，所述第一相位移层位于遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘；

形成介质层，所述介质层覆盖所述第一相位移层，并平坦化所述介质层的顶表面；以及，

形成图案化的第二相位移层在平坦化后的介质层上，所述第二相位移层也位于遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘。

11.如权利要求9所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述至少两层相位移层的制备方法包括：

形成图案化的第一相位移层，所述第一相位移层位于遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘；以及，

沉积第二相位移层，所述第二相位移层全覆盖整个基底，并保形的覆盖所述第一相位移层。

12.如权利要求9-11任一项所述的掩模版的制备方法，其特征在于，在形成所述相位移层之前，还包括：在所述基底的顶表面上形成碳薄膜层。

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