TWI753032B

TWI753032B - 光罩、近接曝光用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法

Info

Publication number: TWI753032B
Application number: TW106135837A
Authority: TW
Inventors: 小林周平
Original assignee: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date: 2016-11-07
Filing date: 2017-10-19
Publication date: 2022-01-21
Also published as: CN108073033B; TW201833659A; KR20180051386A; KR102493944B1; CN108073033A; JP6716427B2; JP2018077266A

Abstract

本發明抑制於使光罩之轉印用圖案微細化、高密度化時易產生之轉印像之角部變圓。本發明之近接曝光用光罩係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案。轉印用圖案包含主圖案、及於主圖案具有之角部之附近與主圖案相離而配置之輔助圖案。主圖案係於透明基板上形成第1透過控制膜，輔助圖案係於透明基板上形成第2透過控制膜，並且具有不會藉由曝光而於被轉印體上解像之尺寸。

Description

光罩、近接曝光用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法

本發明係關於一種用以製造電子元件之光罩，尤其係關於一種用於平板顯示器(FPD，flat panel display)之製造之較佳之光罩、近接曝光用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法。

於專利文獻1中，記載有將構成液晶顯示裝置(以下，亦稱為「LCD(Liquid Crystal Display)」)之彩色濾光片之圖案藉由使用有光罩之近接曝光而曝光時，與光罩之遮光部之角部對應之圖案角部不帶弧度之光罩。即，於專利文獻1中，記載有於使用負型光阻且藉由近接曝光而形成構成彩色濾光片之圖案時所使用之光罩中，使多角形之修正遮光圖案與上述光罩之遮光部之角部之頂點相接而設置。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2008-76724號公報

[發明所欲解決之問題] 近年來，於包含液晶顯示裝置或有機EL顯示器之顯示器業界，以移動終端為源頭之顯示元件之高精細化正在急速發展。又，為使顯示器之畫質或顯示性能提昇，LCD之像素數、或像素密度之增加傾向顯著。圖1係表示既有之彩色濾光片(以下，亦稱為「CF(Color Filter)」)之圖案之一例之模式圖。於此處所示之圖案中，於1個像素1中排列有彼此呈相同形狀之3個子像素2。3個子像素2分別對應於R(紅)、G(綠)、B(藍)之濾色器。子像素2以固定之間距規律地排列。各子像素2形成為長方形。又，各子像素2藉由複數個較細之黑矩陣(以下，亦稱為「BM(Black Matrix)」)3而劃分。複數個黑矩陣3相互交叉而形成為格子狀。又，藉由將具有上述3色量之子像素2之1個像素1以固定之間距規律地排列而形成重複圖案。用以製造此種CF之具備轉印用圖案之光罩為響應市場之需求而使CF之設計微細化，必須使圖案微細化。然而，若僅單純地縮小光罩所具備之轉印用圖案之尺寸，會產生以下之不良。於CF之製造中，常採用將光罩所具有之轉印用圖案藉由近接曝光方式之曝光裝置而於負型感光材料上曝光之方法。此處，將用以製造圖1所示之既有之CF中使用之BM3之光罩圖案4例示於圖2(a)。而且，將為了製造更加高精細之BM3而使上述圖案4微細化後之圖案5示於圖2(b)。此種圖案之微細化例如於將300 ppi(pixel-per-inch，每英吋像素數)左右之CF改變為超過400 ppi之更加微細之規格之狀況下成為必要。於使用具備圖2(b)之圖案5之光罩將BM圖案轉印而製造CF之情形時，較為理想的是獲得圖3(a)所示之CF之圖案6。然而，實際上，難以轉印此種圖案之情形並不少。即，若藉由實際轉印之BM而製造CF，則產生如下課題：如圖3(b)之圖案7般，子像素之各個角部帶弧度等圖案形狀變化之傾向變得顯著，並且BM之寬度無法充分地微細化。其原因在於，於近接曝光時，藉由光罩與被轉印體之間隙(即近接間隙)中產生之繞射光而形成複雜之光強度分佈，形成於被轉印體上之轉印像不會成為如實地再現遮罩圖案者。於該情形時，尤其應注意之點為，子像素(此處為長方形)之角部帶弧度等形狀劣化(參照圖3(b)之A部)，BM之寬度亦無法充分地微細化(參照圖3(a)之B部與圖3(b)之C部)，故認為有子像素之開口面積變小，CF之開口率減少之傾向。該傾向之結果會導致LCD等之畫面之亮度降低、或使功耗增大之不良。另一方面，為了控制成為上述問題之原因之近接間隙之繞射光，考慮使近接間隙充分地狹窄、或根本性地變更光學條件(曝光光源波長等)。然而，若考慮CF製造之生產效率、成本效率，則設為某程度之大型光罩(一邊之大小為300 mm以上，較佳為400 mm以上之四邊形)為有利的。而且，為了保持該程度之尺寸之光罩以用於近接曝光，作為近接間隙，於穩定生產方面，確保30 μm以上、較佳為40 μm較為理想。又，與投影曝光方式相比較，近接曝光方式之較大優點為生產成本低，但有光學條件等裝置構成之變更會損及該優點之顧慮。根據以上所述，本發明者關注到，為了消除為獲得高精細之顯示功能而僅單純地縮小光罩之圖案從而如上所述使轉印像劣化之上述問題，有益的是，提出能夠抑制角部之弧度，且能夠維持或增加CF之開口面積之光罩之轉印用圖案。又，本發明者確認後之結果為，即便採用上述專利文獻1中記載之使修正遮光圖案與遮光部之角部相接而設置之圖案，亦無法獲得充分之效果。本發明之目的在於提供一種可抑制使光罩之轉印用圖案微細化、高密度化時易產生之轉印像之角部之變圓的光罩、近接曝光用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] (第1態樣) 本發明之第1態樣係一種光罩，其特徵在於：其係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案之近接曝光用光罩，上述轉印用圖案包含：複數個主圖案，其等規律地排列；及輔助圖案，其於上述主圖案各自所具有之角部之附近，與上述主圖案相離而配置；且上述主圖案於上述透明基板上形成第1透過控制膜，上述輔助圖案於上述透明基板上形成第2透過控制膜，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸。 (第2態樣) 本發明之第2態樣係一種光罩，其特徵在於：其係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案之近接曝光用光罩，上述轉印用圖案包含將單位圖案規律地重複排列之重複圖案，上述單位圖案包含：主圖案；輔助圖案，其於上述主圖案所具有之角部之附近，與上述主圖案相離而配置；及狹縫部，其包圍上述主圖案及上述輔助圖案；且上述主圖案於上述透明基板上形成第1透過控制膜，上述輔助圖案於上述透明基板上形成第2透過控制膜，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸。 (第3態樣) 本發明之第3態樣如上述第1或2態樣之光罩，其中上述輔助圖案具有點形狀或線形狀，且針對每1個上述主圖案而配置複數個。 (第4態樣) 本發明之第4態樣如上述第1至3態樣中任一態樣之光罩，其中上述主圖案具有被相互平行之一對直線夾著之帶狀之區域。 (第5態樣) 本發明之第5態樣如上述第2至4態樣中任一態樣之光罩，其中上述狹縫部具有帶狀之第1狹縫部，其有寬度S1(μm)，並於一方向延伸；及第2狹縫部，其具有寬度S2(μm)，並與上述第1狹縫部交叉；且於上述第1狹縫部與上述第2狹縫部交叉之區域，於將以直線連結4個上述主圖案之相對向之4個角部之頂點而形成之四邊形設為交叉區域時，以使上述輔助圖案之重心位於上述交叉區域內之方式而配置上述輔助圖案。 (第6態樣) 本發明之第6態樣如上述第2至4態樣中任一態樣之光罩，其中上述狹縫部具有：帶狀之第1狹縫部，其具有寬度S1(μm)，並於一方向延伸；及第2狹縫部，其具有寬度S2(μm)，並與上述第1狹縫部交叉；且於上述第1狹縫部與上述第2狹縫部交叉之區域，於將以直線連結4個上述主圖案之相對向之4個角部之頂點而形成之四邊形設為交叉區域時，以使上述輔助圖案包含於上述交叉區域內之方式而配置上述輔助圖案。 (第7態樣) 本發明之第7態樣如上述第1至6態樣中任一態樣之光罩，其中上述第1透過控制膜係對用於上述光罩之曝光之曝光之光實質上進行遮光之遮光膜。 (第8態樣) 本發明之第8態樣如上述第1至7態樣中任一態樣之光罩，其中上述第1透過控制膜係包含與上述第2透過控制膜相同之材料之膜。 (第9態樣) 本發明之第9態樣如上述第1至7態樣中任一態樣之光罩，其中上述第2透過控制膜相對於用於上述光罩之曝光之曝光之光之代表波長光具有透過率T2(%)，0≦T2≦60。 (第10態樣) 本發明之第10態樣如上述第1至9態樣中任一態樣之光罩，其中上述第1透過控制膜係於上述第2透過控制膜上積層有第3透過控制膜者。 (第11態樣) 本發明之第11態樣係一種近接曝光用光罩之製造方法，該近接曝光用光罩係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案，上述轉印用圖案包含：複數個主圖案，其等規律地排列；輔助圖案，其係於上述主圖案各自之附近，與上述主圖案相離而配置者，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸；及狹縫部，其包圍上述主圖案及上述輔助圖案；該近接曝光用光罩之製造方法包含以下步驟：準備於上述透明基板上形成有第2透過控制膜、第3透過控制膜、及抗蝕膜之光罩基底；對上述抗蝕膜進行繪圖與顯影，形成具有複數種類之殘膜厚度之抗蝕圖案；將上述抗蝕圖案作為遮罩，對上述第3透過控制膜及第2透過控制膜依序進行蝕刻；將上述抗蝕圖案減膜特定之厚度量；及將減膜後之抗蝕圖案作為遮罩，對新露出之上述第3透過控制膜進行蝕刻。 (第12態樣) 本發明之第12態樣係一種近接曝光用光罩之製造方法，該近接曝光用光罩係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案，上述轉印用圖案包含：主圖案；輔助圖案，其係於上述主圖案之附近，與上述主圖案相離而配置者，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸；及狹縫部，其包圍上述主圖案及上述輔助圖案；該近接曝光用光罩之製造方法包含以下步驟：準備於上述透明基板上形成有第2透過控制膜、蝕刻阻止膜、第3透過控制膜、及抗蝕膜之光罩基底；對上述抗蝕膜進行繪圖與顯影，形成具有複數種類之殘膜厚度之抗蝕圖案；將上述抗蝕圖案作為遮罩，對上述第3透過控制膜、上述蝕刻阻止膜、及上述第2透過控制膜依序進行蝕刻；將上述抗蝕圖案減膜特定之厚度量；及將減膜後之抗蝕圖案作為遮罩，對新露出之上述第3透過控制膜進行蝕刻。 (第13態樣) 本發明之第13態樣係一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：準備如上述第1至10態樣中任一態樣之光罩；及使用近接曝光方式之曝光裝置，將上述轉印用圖案進行曝光，且轉印至被轉印體上。 [發明之效果] 根據本發明，可抑制於使光罩之轉印用圖案微細化、高密度化時易產生之轉印像之角部之變圓。又，若使用本發明之光罩而製造液晶顯示裝置，則可獲得畫面之亮度、或功耗之節減之優點。

＜光罩之構成＞本發明之光罩之特徵在於：其係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案之近接曝光用光罩，上述轉印用圖案包含：複數個主圖案，其等規律地排列；及輔助圖案，其於上述主圖案各自所具有之角部之附近，與上述主圖案相離而配置；且上述主圖案於上述透明基板上形成第1透過控制膜，上述輔助圖案於上述透明基板上形成第2透過控制膜，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸。上述本發明之較佳之一例為一種光罩，其特徵在於：其係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案之近接曝光用光罩，上述轉印用圖案包含將單位圖案規律地重複排列之重複圖案，上述單位圖案包含：主圖案；輔助圖案，其於上述主圖案所具有之角部之附近，與上述主圖案相離而配置；及狹縫部，其包圍上述主圖案及上述輔助圖案；且上述主圖案於上述透明基板上形成第1透過控制膜，上述輔助圖案於上述透明基板上形成第2透過控制膜，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸。此處所謂「曝光」係指將光罩所具備之轉印用圖案藉由曝光裝置進行曝光，可藉由該曝光而於被轉印體(CF基板等)上形成光學像，且可藉由顯影而於被轉印體上之抗蝕膜上形成圖案。圖4係表示本發明之實施形態之光罩所具備之轉印用圖案之一例之俯視圖。本發明之實施形態之光罩係近接曝光用光罩，其於構成光罩之透明基板上形成轉印用圖案。轉印用圖案係藉由近接曝光而用以轉印至被轉印體之圖案，且包含主圖案11、輔助圖案12、及狹縫部13。此處例示之轉印用圖案係CF之BM形成用之圖案。但是，圖式為模式圖，各部分之尺寸比等並不限於與實際之圖案設計相同。構成光罩之透明基板可將使用石英玻璃等透明材料者精密地研磨而使用。透明基板之大小或厚度並無限制，但作為用於顯示裝置之製造之光罩用之透明基板，較佳為具有一邊為300 mm～1800 mm之四邊形之主面、且厚度為5～16 mm左右者。再者，下述光罩之各部分之透光率表示將透明基板之透光率設為100%時之值。轉印用圖案較佳為包含將單位圖案規律地重複排列之重複圖案。於該情形時，重複之數量為2以上。較佳為，單位圖案之規律的重複排列係以固定之間距排列者。於圖4中，例示有以特定之間距將單位圖案規律地重複排列之重複圖案。圖4中例示之轉印用圖案係於X方向以P1(μm)之間距、於Y方向以P2(μm)之間距排列有複數個單位圖案14。各個單位圖案14係與CF之各子像素對應者。於以下之說明中，將子像素單位之單位圖案14亦稱為「SP單位圖案14」。SP單位圖案14之X方向之間距P1可設為15～30 μm，Y方向之間距P2可設為40～100 μm。又，圖4所示之轉印用圖案之設計亦成為將像素單位之單位圖案(以下，亦稱為「P單位圖案」)15規律地排列而成之重複圖案。P單位圖案15較SP單位圖案14之圖案區域大，1個P單位圖案15中包含3個SP單位圖案14。於以下之說明中，將「SP單位圖案14」僅記述為「單位圖案14」進行說明。於單位圖案14中，包含主圖案11、輔助圖案12、及包圍該等之狹縫部13。主圖案11及輔助圖案12之外緣分別與狹縫部13相接。狹縫部13具有沿Y方向之第1狹縫部13a、及沿X方向之第2狹縫部13b，該等狹縫部13a、13b包圍主圖案11與輔助圖案12。此處轉印用圖案若為CF之BM形成用之圖案，則主圖案11成為與CF之開口部分對應者，且狹縫部13成為與BM對應者。主圖案11係遮蔽曝光之光之至少一部分者，且於透明基板上形成第1透過控制膜(以下敍述)。第1透過控制膜係相對於用於光罩之曝光之曝光之光之代表波長光具有透過率T1(%)之膜。第1透過控制膜之透過率T1(%)較佳為0≦T1≦10。此處所謂「曝光之光」係由搭載於作為LCD用、或FPD(平板顯示器)用而為人所知之曝光裝置上之光源所產生者，可設為包含i線、h線、g線之任一者或包含該等之全部之寬帶光。又，於本發明中，將寬帶光中包含之任一者(例如i線)之波長光設為代表波長光而表現透過率等光學物性。尤其第1透過控制膜較佳為遮光膜(亦即T1≒0)。於該情形時，第1透過控制膜較佳為例如相對於曝光之光之光學濃度(OD)為3以上之膜，且為實質上不使曝光之光透過之膜。又，該遮光膜較佳為於其表面側(遠離透明基板之側)具備抗反射層。抗反射層發揮使繪圖光或曝光之光之反射降低之功能。主圖案11較佳為具有被相互平行之一對直線夾著之帶狀之區域，更佳為具有被相互平行之二對直線夾著之帶狀之區域。例如，主圖案11可設為長方形、或平行四邊形、或將該等結合而成之形狀。又，主圖案較佳為按照單位圖案規律地排列而相互平行地排列複數個。主圖案11具有至少1個角部。該角部較佳為凸形狀之角部。圖4所示之長方形之主圖案11於其四個角落分別具有直角之角部11a。但是，根據主圖案之形狀亦可未必為直角之角部。例如於平行四邊形等具有直角以外之角部之主圖案中，可設為60～120度之凸形之角部。主圖案11具有於以近接曝光方式進行曝光時能夠於被轉印體上解像之尺寸。例如，作為主圖案11之尺寸，可使用帶狀之部分之寬度(或短邊之長度)M1為10～20 μm、且長邊之長度M2為30～70 μm左右者。具有此種主圖案11之轉印用圖案可較佳地用作CF用之BM圖案。藉由將該主圖案11曝光且轉印而可於被轉印體上形成寬度(或短邊之長度)為12～20(μm)、長邊之長度為30～70(μm)左右之主圖案像。再者，該等圖案設計亦與下述之關於狹縫部之尺寸及曝光偏置之應用之部分相關。進而，單位圖案14包含配置於主圖案11所具有之角部之附近之輔助圖案12。該輔助圖案12並未與主圖案11連接，而是以與主圖案11相離而配置之所謂「島」之狀態形成。輔助圖案12於透明基板上形成第2透過控制膜(以下敍述)。該第2透過控制膜相對於曝光之光之代表波長光具有透過率T2(%)。第2透過控制膜亦可為相對於曝光之光之代表波長光之透過率T2(%)較佳為0＜T2≦60、更佳為10≦T2≦50、進而佳為20≦T2≦50之半透光膜。或第2透過控制膜亦可為實質上不使曝光之光透過之遮光膜(T2≒0)。上述之第1透過控制膜與第2透過控制膜可為包含彼此相同之材料之膜，亦可為包含彼此不同之材料之膜。例如，於將第1透過控制膜與第2透過控制膜均設為遮光膜之情形時，可使該等為包含相同之材料之膜。又，亦可將第1透過控制膜設為遮光膜，且將第2透過控制膜設為具有上述透過率T2(%)之半透光膜。又，第1透過控制膜與第2透過控制膜可分別為單層構成，亦可分別為積層構成。例如，亦可將第2透過控制膜設為具有特定之透過率T2(T2＞0)之單一膜，且第1透過控制膜可於上述第2透過控制膜之上積層其他膜(例如第3透過控制膜)而形成。於該情形時，第3透過控制膜亦可為遮光膜，或作為具有積層構成之第1透過控制膜，曝光之光之透過率實質上亦可成為零。再者，於使第1透過控制膜與第2透過控制膜中之至少任一方之膜具有積層構成之情形時，除上下之膜直接積層之情形外，亦可將上下之膜間接地積層。即，亦可為，上下之膜非接觸，於其間介置其他膜。其他膜可設為例如蝕刻阻止膜、電荷控制膜等功能膜。又，於第1透過控制膜與第2透過控制膜分別以特定之透過率使曝光之光透過之情形時，相對於曝光之光之代表波長光，第1透過控制膜及/或第2透過控制膜之相位偏移量較佳為±90度之範圍內，更佳為±60度之範圍內。輔助圖案12之形狀並無特別限制。輔助圖案12較佳為具有點形狀或線形狀。作為點形狀，可舉出正方形等正多角形、或圓形等360/n度(n≧4)之旋轉對稱之形狀。又，作為線形狀，可舉出長方形、平行四邊形等具有長邊與短邊之四邊形。關於輔助圖案12之尺寸、或配置輔助圖案12之位置將於以下敍述。於圖4所例示之轉印用圖案中，主圖案與輔助圖案之任一者均於X方向以相同之間距(P1)而排列，但主圖案與輔助圖案之位置每隔1/2間距相互偏移而配置。此種配置於取得本發明之效果方面較為有用。狹縫部13係於轉印用圖案中使曝光之光之至少一部分透過之部分。狹縫部13係相對於曝光之光之代表波長光之透過率較主圖案11或輔助圖案12高之部分。狹縫部13較佳為透明基板之表面露出而成之透光部。圖5及圖6係表示輔助圖案之配置例之俯視圖。如圖5及圖6中部分所示，狹縫部13包圍主圖案11及輔助圖案12，並且以特定之間距排列於X方向及Y方向。構成狹縫部13之第1狹縫部13a與第2狹縫部13b藉由於轉印用圖案內以格子狀排列而相互交叉。狹縫部13未必限於縱橫交叉成直角者(圖5)，亦可為縱橫所成之角度較佳為於90度±45度之範圍、更佳為於90度±30度之範圍傾斜者(圖6)。即，狹縫部13具有：帶狀之第1狹縫部13a，其具有寬度S1(μm)，並於一方向(圖5中Y方向)延伸；及帶狀之第2狹縫部13b，其具有寬度S2(μm)，並於另一方向(圖3(a)中X方向)延伸。第1狹縫部13a與第2狹縫部13b相互交叉(圖5之例中垂直地交叉)。例如，沿主圖案之長邊之第1狹縫部13a之寬度S1(μm)可設為5～20 μm，沿主圖案之短邊之第2狹縫部13b之寬度S2(μm)可設為10～30 μm。藉由包含具有此種寬度之第1狹縫部13a及第2狹縫部13b之轉印用圖案，可將劃分X方向上寬度3～20 μm、Y方向上寬度10～30 μm等CF開口之BM像形成於被轉印體上。第1狹縫部13a之寬度S1與第2狹縫部13b之寬度S2之關係較佳為S1≦S2。於圖5中，第2狹縫部13b之寬度S2較第1狹縫部13a之寬度S1大。於第2狹縫部(粗狹縫部)13b，在排列於Y方向之主圖案11之間，於Y方向排列有2個輔助圖案12，另一方面，於第1狹縫部(細狹縫部)13a，在排列於X方向之主圖案11之間，於X方向配置有1個輔助圖案12。尤其關於細寬度之第1狹縫部，可應用0＜Δ≦5左右之曝光偏置Δ(μm)進行遮罩圖案之設計。此處所謂「曝光偏置Δ」係用於曝光之光罩之圖案尺寸、與對應於此而於被轉印體上形成之圖案尺寸之差(前者－後者)。隨著圖案成為細寬度，使上述曝光偏置Δ為正值而進行圖案設計較為有用。此時，可考慮由曝光條件引起之解像性之制約或遮罩圖案加工之難度等而進行。此處，於第1狹縫部13a與第2狹縫部13b交叉之區域，與其接近之4個主圖案11之4個角部對向，將以直線連結該等4個角部之頂點而形成之四邊形之區域設為交叉區域16。對於該交叉區域16，較佳為以使輔助圖案12之重心G位於交叉區域16內之方式而配置輔助圖案12。更佳為，以使輔助圖案12包含於交叉區域16內之方式(換言之，以不使輔助圖案12自交叉區域16露出之方式)配置輔助圖案12為宜。於圖5之配置例中，表示主圖案11為長方形，且1個主圖案11於外周具有4個角部之情形。1個主圖案11具有之4個角部全部成為直角之角部。第1狹縫部13a與第2狹縫部13b交叉之交叉區域16成為以直線連結4個主圖案11之相對向之4個角部之頂點而形成之四邊形之交叉區域16。該交叉區域16係於Y方向(縱)具有S2之尺寸、且於X方向(橫)具有S1之尺寸之長方形之區域。輔助圖案12與主圖案11相離而配置。如上所述，輔助圖案12較佳為以使輔助圖案12之重心G位於交叉區域16內之方式而配置，更佳為以使輔助圖案12包含於交叉區域16內之方式而配置為宜。又，於圖5之配置例中，於1個交叉區域16配置有2個輔助圖案12。各個輔助圖案12形成為長方形。又，2個輔助圖案12於1個交叉區域16內彼此相離而配置。而且，輔助圖案12各自與最接近之2個主圖案11之角部之頂點隔開相等之距離而配置。即，輔助圖案12所具有之重心G於X方向上配置於自與該輔助圖案12接近之2個主圖案11之角部(於該例中為直角之角部)之頂點起之等距離之位置。此處，主圖案11於X方向上隔以S1之寬度而排列，故將該主圖案11之排列方向設為X方向。另一方面，於圖6之配置例中，表示主圖案11為平行四邊形，且1個主圖案11於外周具有4個角部之情形。1個主圖案11具有之4個角部中之2個角部成為銳角，其他2個角部成為鈍角。於該情形時，第1狹縫部13a與第2狹縫部13b交叉之交叉區域16亦成為以直線連結4個主圖案11之相對向之4個角部之頂點而形成之四邊形之交叉區域16。於該例中，交叉區域16亦為於Y方向(縱)具有S2之尺寸、且於X方向(橫)具有S1之尺寸之長方形之區域。而且，於該例中，輔助圖案12亦與主圖案11相離而配置。又，輔助圖案12較佳為以使輔助圖案12之重心G位於交叉區域16內之方式而配置，更佳為以使輔助圖案12包含於交叉區域16內之方式而配置為宜。再者，交叉區域16未必為長方形，亦可為平行四邊形。又，於圖6之配置例中，於1個交叉區域16內彼此相離地配置有2個長方形之輔助圖案12。此處，2個輔助圖案12各自於X方向上並未配置於自最接近之2個主圖案11之角部之頂點起之等距離之位置。即，輔助圖案12之重心G朝較於X方向上連結與該輔助圖案12接近之2個主圖案11之角部(銳角之角部與鈍角之角部)之直線之中心位置朝具有銳角之角部之側略微偏移而配置。該偏移量於X方向上向銳角之角部側成為U(μm)。藉此，輔助圖案12相較對與其接近之2個主圖案11之角部中之具有鈍角之角部之主圖案11，更對具有銳角之角部之主圖案11自更近之距離帶來光學影響。但是，於使輔助圖案12之位置偏移之情形時，較佳亦為使輔助圖案12之重心G處於交叉區域16內(更佳為，使輔助圖案12處於交叉區域16內)，且較佳亦為於該範圍使輔助圖案12於X方向上朝銳角之角部側偏移。再者，如上所述以使輔助圖案12之重心G位於交叉區域16內之方式將輔助圖案12配置於交叉區域16之情形時，配置於1個交叉區域16之輔助圖案12之個數並無特別限制，但較佳為1～4個為宜。又，配置於1個交叉區域16之輔助圖案12之個數較佳為偶數，設為2個或4個為宜。更佳為2個。此情形如圖4所示，每1個單位圖案(此處為SP單位圖案)14之輔助圖案12之個數、或每1個主圖案11之輔助圖案12之個數一致。此處，可表現為每1個單位圖案14具有2個輔助圖案12之圖案設計。或亦可謂對於X方向上相鄰之2個主圖案11之角部配置1個輔助圖案12。又，換言之，對劃定圖5之交叉區域16之4個角部配置2個輔助圖案12，且對該角部之轉印帶來影響。但是，並不限於此，亦可於1個角部配置1個輔助圖案12。又，如圖5及圖6所示，輔助圖案12於X方向上具有H1(μm)之尺寸，且於Y方向上具有H2(μm)之尺寸。輔助圖案12之尺寸H1(μm)、H2(μm)較佳為1≦H1≦S1、1≦H2＜0.5×S2。H1(μm)、H2(μm)之較佳之範圍例如為1≦H1≦6、1≦H2≦3。又，輔助圖案12與主圖案11之Y方向之相離距離V(μm)較佳為0≦V＜0.5×S2－H2，更佳為0.5≦V＜0.5×S2－H2，進而佳為0.5≦V＜0.25×S2－0.5×H2。再者，於上述之圖4、圖5及圖6中，將複數個輔助圖案12設為全部相同之形狀而例示，但複數個輔助圖案12亦可未必為相同之形狀。例如，於1個單位圖案14中包含複數個輔助圖案12之情形時，該等複數個輔助圖案12可為形狀彼此不同者，亦可為尺寸彼此不同者。又，輔助圖案12於將光罩之轉印用圖案藉由近接曝光而轉印至被轉印體上之情形時，不會於被轉印體上解像。即，輔助圖案12於近接曝光時，不形成獨立之轉印像。其原因在於，輔助圖案12具有較小的尺寸，該尺寸未滿對於輔助圖案12所具有之透光率能夠解像之尺寸。又，輔助圖案12參與上述近接曝光時於近接間隙中產生之曝光之光之繞射。而且，於先前之光罩中，於主圖案之轉印像(光學像)中，發現有其角部因光之繞射而帶弧度、使有效面積率減少之傾向，但輔助圖案12會抑制該傾向。於本發明者之模擬中，亦發現於使用不具有輔助圖案12之轉印用圖案之情形時，光學像中之主圖案之角部尖端缺損，或該主圖案之外緣朝內側偏移(BM寬度變大)之傾向，但於使用具有輔助圖案12之轉印用圖案之情形時，該等傾向得以抑制。該結果為，與不具有輔助圖案12之情形相比，於具有輔助圖案12之情形時，將轉印用圖案之光學像形成於被轉印體上時之轉印像(光學像)中之主圖案之有效面積率變高。該有效面積率係指與1個單位圖案對應之轉印像(光學像)中之主圖案之有效面積率。此處，所謂有效面積率係於將轉印用圖案於被轉印體上曝光而形成之轉印像(光學像)中，形成與用於CF之開口形成之光強度閾值對應之等高線的閉曲線內之面積率。由此，提高上述有效面積率會令CF開口率增加。例如，於轉印至被轉印體之轉印像中，1個單位圖案14中之主圖案11之有效面積率為47%以上，較佳為50%以上，更佳為52%以上。此係指於使用本發明之實施形態之光罩而製造之LCD中，會對開口率較高、更明亮之圖像、或功耗更小之性能有所貢獻。再者，根據上述說明而明確，本發明中之「轉印用圖案」係指包含於被轉印體上不獨立地解像之輔助圖案在內的、受到用於轉印之曝光之光之照射而形成被轉印體上之光強度分佈之光罩的圖案。該轉印用圖案較佳為，能夠藉由轉印至形成於被轉印體(例如CF基板)上之負型感光材料而形成立體構成物(例如BM)。又，除此以外，轉印用圖案亦能夠形成對BM附加有其他功能(例如感光性間隔件等)之複雜之立體形狀。本發明之光罩藉由近接曝光方式之曝光裝置(近接式曝光裝置)而曝光。該曝光裝置中，可將準直角(度)設為0.5～2.5，更佳為1.0～2.0左右。近接曝光中之近接間隙係根據光罩之尺寸而設定。本發明中，於將該近接間隙設為例如30～200 μm、較佳為40～100 μm左右之間隙時，效果顯著。又，作為曝光之光，較佳為使用處於300～450 nm之波長域之光，可使用單一波長之光、或具有寬波長域之光。又，作為曝光用之光源，亦可較佳地使用i線、h線、g線之任一者、或包含該等全部之光源。本發明之光罩所應用之第1至第3透過控制膜之材料可應用公知者。例如，於任一透過控制膜為實質上不使曝光之光透過之遮光膜之情形時，可設為含有Cr、Ta、Zr、Si、Mo等之膜，可自該等單體或化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氮化物、碳氧氮化物等)中選擇適當者。尤其可較佳地使用Cr或Cr之化合物。又，作為透過控制膜之材料，可使用過渡金屬矽化物(MoSi等)、或其化合物。作為過渡金屬矽化物之化合物，可舉出氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧氮化物等，較佳為例示MoSi之氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧氮化物等。又，例如，於將第1透過控制膜與第2透過控制膜設為包含相同材料之膜，且將各個透過控制膜設為遮光膜之情形時，將自上述所選擇之膜材料應用於該等即可。又，於將第1至第3透過控制膜之任一者設為使曝光之光之一部分透過之膜(半透光膜)之情形時，該膜材料可設為例如含有Cr、Ta、Zr、Si、Mo等之膜，且可自該等化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氮化物、碳氧氮化物等)中選擇適當者。尤其可較佳地使用Cr之化合物。作為其他半透光膜材料，可使用Si之化合物(SiON等)、或過渡金屬矽化物(MoSi等)、或其化合物。作為過渡金屬矽化物之化合物，可舉出氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧氮化物等，較佳為例示MoSi之氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧氮化物等。又，例如，於將第1透過控制膜設為遮光膜、且將第2透過控制膜設為半透光膜之情形時，可選擇對彼此之蝕刻劑具有耐受性之材料。例如，對於第1透過控制膜可使用含有Cr之材料，對於第2透過控制膜可使用含有Si之材料。又，將第1至第3透過控制膜中之複數個透過控制膜之膜材料設為能夠藉由共通之蝕刻劑而蝕刻之材料(例如含有Cr之膜)，且視需要亦可使用與該材料之間具有蝕刻選擇性之蝕刻阻止膜。詳情將於以下敍述。又，聯繫以上所述，用以獲得本發明之光罩之光罩基底可設為以下(1)～(3)中之任一構成。 (1)於透明基板上成膜有遮光膜之光罩基底。 (2)於透明基板上依序積層有半透光膜、及與其具有蝕刻選擇性之遮光膜之光罩基底。 (3)於透明基板上，積層有半透光膜、及能夠以與其共通之蝕刻劑進行蝕刻之遮光膜，且於其中間(半透光膜與遮光膜之間)設置有與其等具有蝕刻選擇性之蝕刻阻止膜之光罩基底。又，本發明之光罩於不妨礙本發明之效果之範圍，亦可進而具有其他光學膜(例如，控制曝光之光透過率或反射率、相位特性之膜)、或功能膜(例如，進行電荷之控制、蝕刻性之控制等之膜)、或由該等而得之膜圖案。＜光罩之製造方法＞繼而，對本發明之實施形態之光罩之製造方法進行說明。上述構成之光罩可藉由以下敍述之方法而製造。 (光罩基底準備步驟) 首先，準備圖7(a)所示之光罩基底20。該光罩基底20係於透明基板21上依序積層第2透過控制膜22與第3透過控制膜23而形成，進而於第3透過控制膜23之上積層抗蝕膜24而形成者。透明基板21可使用石英玻璃等透明材料而構成。透明基板21之大小或厚度並無限制。光罩基底20只要為用於顯示裝置之製造者，則可使用一邊之長度為300～1800 mm、厚度為5～16 mm左右之具有四邊形之主面之透明基板21。第2透過控制膜22較佳為包含Si之膜，可自Si化合物(SiON等)或MSi(M為Mo、Ta、Ti等金屬)或其化合物(氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧氮化物等)中選擇適當之膜材料。此處作為一例，將第2透過控制膜22設為半透光膜。又，第2透過控制膜22相對於曝光之光之代表波長光之透過率T2例如設為40%。第3透過控制膜23設為以Cr為主成分之膜(Cr或其氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧氮化物等化合物)。即，第2透過控制膜22與第3透過控制膜23設為對彼此之蝕刻劑具有耐受性之所謂彼此具有蝕刻選擇性之膜。此處作為一例，將第3透過控制膜23設為遮光膜。抗蝕膜24能夠使用EB(electron beam，電子束)抗蝕劑、光阻等而形成。此處作為一例設為使用光阻。抗蝕膜24可藉由於第3透過控制膜23上塗佈光阻而形成。光阻可為正型、負型之任一者，但此處設為使用正型光阻。 (繪圖步驟) 其次，如圖7(b)所示，使用繪圖裝置對抗蝕膜24繪製所需之圖案。用於繪圖之能量線可使用電子束或雷射光束等。此處作為一例，使用雷射繪圖機之雷射光束(波長410～420 nm)進行繪圖。於該繪圖處理中，以不對與上述主圖案11對應之區域24a賦予劑量(Dose)、對與上述輔助圖案12及狹縫部13對應之區域24b、24c賦予劑量之方式進行繪圖。又，與輔助圖案12對應之區域24b之繪圖係以相對較低之劑量之照射進行，與狹縫部13對應之區域24c之繪圖係以相對較高之劑量、即較輔助圖案12高之劑量之照射進行。藉此，與主圖案11對應之區域24a之劑量實質上成為零。又，與輔助圖案12對應之區域24b之劑量較與狹縫部13對應之區域24c之劑量少。 (顯影步驟) 其次，如圖7(c)所示，對完成上述繪圖步驟之光罩基底20之抗蝕膜24進行顯影。藉此，於第3透過控制膜23上，形成與上述劑量之不同相應地具有複數種類之殘膜厚之抗蝕圖案24p。即，於抗蝕圖案24p中，與輔助圖案12對應之區域24b之抗蝕殘膜厚較與主圖案11對應之區域24a之抗蝕殘膜厚小。又，於與狹縫部13對應之區域24c，未殘留抗蝕劑，第3透過控制膜23之表面露出。 (第1蝕刻步驟) 其次，如圖8(d)所示，將抗蝕圖案24p作為遮罩進行濕式蝕刻。於該濕式蝕刻中，藉由對第3透過控制膜23與第2透過控制膜22依序蝕刻而去除，從而使透明基板21之表面露出於與狹縫部13對應之區域24c。此處，第3透過控制膜23與第2透過控制膜22成為彼此具有蝕刻選擇性之膜，故濕式蝕刻劑對照各自之膜材料而依序應用適當者。 (抗蝕減膜步驟) 其次，如圖8(e)所示，藉由將抗蝕圖案24p減膜特定之厚度量而使第3透過控制膜23之新的表面露出於與輔助圖案12對應之區域24b。抗蝕圖案24p之減膜係藉由將抗蝕圖案24p之表面氧化、使其膜厚均勻地減少之處理而進行。於該處理中，可應用電漿灰化、或臭氧水處理等。 (第2蝕刻步驟) 其次，如圖8(f)所示，將於上述抗蝕減膜步驟中減膜後之抗蝕圖案24p作為遮罩，對上述新露出之第3透過控制膜23進行蝕刻。藉此，於與輔助圖案12對應之區域24b，第2透過控制膜22之表面露出。 (抗蝕剝離步驟) 其次，如圖8(g)所示，剝離抗蝕圖案24p。藉此，於透明基板21上，形成包含於第2透過控制膜22上積層有第3透過控制膜23之構成之積層膜之主圖案11，並且形成包含第2透過控制膜22之單一膜之輔助圖案12。再者，於第2透過控制膜22上積層有第3透過控制膜23之構成之積層膜相當於第1透過控制膜。藉由以上之製造方法而完成本發明之光罩。根據該製造方法，經過將第3透過控制膜23與第2透過控制膜22該2個光學膜依序蝕刻之步驟而形成包含主圖案11與輔助圖案12之轉印用圖案。該轉印用圖案藉由僅1次繪圖步驟之應用而獲得。藉此，無需複數次繪圖步驟，故可縮短繪圖裝置之佔有時間，可提高生產效率。進而，於該製造方法中，不會產生伴隨複數次繪圖之對準偏移、即第3透過控制膜23與第2透過控制膜22相互之對準偏移(例如0.2～0.5 μm左右)。因此，可獲得轉印用圖案之各部分之尺寸、即CD(Critical Dimension，臨界尺寸)精度較高之光罩。尤其於本發明之光罩中，主圖案11與輔助圖案12之位置精度較為重要，故將上述製造方法應用於該光罩之製造於可獲得優異之CD精度之方面為有利的。繼而，對使用於第2透過控制膜與第3透過控制膜之間具有蝕刻阻止膜之光罩基底而製造本發明之光罩之方法進行說明。 (光罩基底準備步驟) 首先，準備圖9(a)所示之光罩基底20。該光罩基底20係於透明基板21上依序積層第2透過控制膜22、蝕刻阻止膜25及第3透過控制膜23而形成，進而於第3透過控制膜23之上積層正型之抗蝕膜24而形成者。透明基板21可使用石英玻璃等透明材料而構成。透明基板21之大小或厚度並無限制。光罩基底20只要為可用於顯示裝置之製造者，則可使用一邊之長度為300～1800 mm、厚度為5～16 mm左右之具有四邊形之主面之透明基板21。第2透過控制膜22係包含Cr之化合物(選自氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧氮化物等之材料)之膜，設為相對於曝光之光之代表波長光之透過率T2為40%之半透光膜。蝕刻阻止膜25可設為包含Si之膜，可自Si化合物(SiON等)或MSi(M為Mo、Ta、Ti等金屬)或其化合物(氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧氮化物等)中選擇適當之膜材料。第3透過控制膜23係包含Cr之化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、碳氧氮化物等)之膜，設為遮光膜。即，第2透過控制膜22與第3透過控制膜23包含能夠藉由彼此相同之蝕刻劑進行蝕刻之膜材料。相對於此，蝕刻阻止膜25包含與第2透過控制膜22及第3透過控制膜23具有蝕刻選擇性之材料。 (繪圖步驟) 其次，如圖9(b)所示，使用雷射繪圖機對抗蝕膜24進行繪圖。此時，以不對與主圖案11對應之區域24a賦予劑量、而對與輔助圖案12及狹縫部13對應之區域24b、24c賦予劑量之方式進行繪圖。又，與輔助圖案12對應之區域24b之繪圖以相對較低之劑量之照射進行，與狹縫部13對應之區域24c之繪圖以相對較高之劑量、即較輔助圖案12高之劑量之照射進行。藉此，與主圖案11對應之區域24a之劑量實質上成為零。又，與輔助圖案12對應之區域24b之劑量較與狹縫部13對應之區域24c之劑量少。 (顯影步驟) 其次，如圖9(c)所示，對完成上述繪圖步驟之光罩基底20之抗蝕膜24進行顯影。藉此，於第3透過控制膜23上，形成與上述劑量之不同相應地具有複數種類之殘膜厚之抗蝕圖案24p。即，於抗蝕圖案24p中，與輔助圖案12對應之區域24b之抗蝕殘膜厚較與主圖案11對應之區域24a之抗蝕殘膜厚小。又，於與狹縫部13對應之區域24c，未殘留抗蝕劑，第3透過控制膜23之表面露出。 (第1蝕刻步驟) 其次，如圖10(d)所示，將抗蝕圖案24p作為遮罩進行濕式蝕刻。於該濕式蝕刻中，藉由對第3透過控制膜23、蝕刻阻止膜25及第2透過控制膜22依序蝕刻而去除，從而使透明基板21之表面露出於與狹縫部13對應之區域24c。此處，第3透過控制膜23與蝕刻阻止膜25成為彼此具有蝕刻選擇性之膜，又，第2透過控制膜22與蝕刻阻止膜25亦成為彼此具有蝕刻選擇性之膜。因此，濕式蝕刻劑對照各自之膜材料而依序應用適當者。 (抗蝕減膜步驟) 其次，如圖10(e)所示，藉由將抗蝕圖案24p減膜特定之厚度量而使第3透過控制膜23之新的表面露出於與輔助圖案12對應之區域24b。抗蝕圖案24p之減膜係藉由將抗蝕圖案24p之表面氧化、且使其膜厚均勻地減少之處理而進行。於該處理中，可應用電漿灰化、或臭氧水處理等。 (第2蝕刻步驟) 其次，圖10(f)所示，將於上述抗蝕減膜步驟中減膜後之抗蝕圖案24p作為遮罩，對上述新露出之第3透過控制膜23進行蝕刻，繼而，對蝕刻阻止膜25進行蝕刻。藉此，於與輔助圖案12對應之區域24b，第2透過控制膜22之表面露出。再者，必須進行膜所具有之光學特性之調整，但亦可不去除蝕刻阻止膜25而使其殘存，藉由蝕刻阻止膜25與第2透過控制膜22之積層而用作上述「第2透過控制膜」。 (抗蝕剝離步驟) 其次，如圖10(g)所示，剝離抗蝕圖案24p。藉此，於透明基板21上，形成包含於第2透過控制膜22上積層有蝕刻阻止膜25與第3透過控制膜23之構成之積層膜之主圖案11，並且形成包含第2透過控制膜22之單一膜之輔助圖案12。再者，於第2透過控制膜22上積層有蝕刻阻止膜25與第3透過控制膜23之構成之積層膜相當於第1透過控制膜。藉由以上之製造方法而完成本發明之光罩。根據該製造方法，可獲得與上述之製造方法相同之優點。即，經過將第3透過控制膜23與第2透過控制膜22該2個光學膜與蝕刻阻止膜25一同依序蝕刻之步驟而形成包含主圖案11與輔助圖案12之轉印用圖案。該轉印用圖案藉由僅1次繪圖步驟之應用而獲得。藉此，無需複數次繪圖步驟，故可縮短繪圖裝置之佔有時間，可提高生產效率。進而，於該製造方法中，不會產生伴隨複數次繪圖之對準偏移、即第3透過控制膜23與第2透過控制膜22相互之對準偏移(例如0.2～0.5 μm左右)。因此，可獲得轉印用圖案之各部分之尺寸、即CD精度較高之光罩。尤其於本發明之光罩中，主圖案11與輔助圖案12之位置精度較為重要，故將上述製造方法應用於該光罩之製造於可獲得優異之CD精度之方面為有利的。再者，本發明亦可作為顯示裝置之製造方法而實現。於該情形時，顯示裝置之製造方法成為包含以下步驟之方法，即，準備上述構成之光罩；及使用近接曝光方式之曝光裝置將上述轉印用圖案曝光且轉印至被轉印體上。又，於本發明之實施形態之光罩或其製造方法中，主圖案11與輔助圖案12可為包含彼此相同之材料之膜，亦可為包含彼此不同之材料之膜。又，於主圖案11與輔助圖案12為包含彼此不同之材料之膜之情形時，本發明之光罩之製造方法中亦可將繪圖步驟僅設為1次。於該情形時，能夠精細地控制製造過程中之主圖案11與輔助圖案12之對準。而且，如上所述可使自2個主圖案11各自之角部至輔助圖案12之重心G為止之直線距離(未圖示，例如設為K1與K2)準確地相等。例如，可使K1－K2＜0.1 μm。又，根據液晶顯示裝置等之設計，BM之交叉並不限於垂直(90度)，有以45～135度左右之角度傾斜之格子狀之情形，像素之形狀亦並不限於長方形，有平行四邊形或將其複數個連結而成之形狀之情形。又，亦可有於1個像素所包含之R、G、B各子像素之任一者為與其他不同之形狀或尺寸之情形，對於此種圖案設計，本發明亦會有效地發揮效果。＜實施例＞以下，將對使用本發明之光罩於被轉印體上形成之轉印像藉由模擬而產生之評價結果作為實施例且與參考例一併顯示。 (參考例) 於模擬中，首先將圖11所示之參考圖案設為主圖案11，取得將其曝光時之光學像。該主圖案11為平行四邊形，其角部中，銳角側具有75度之角度，鈍角側具有105度之角度。參考例設為僅主圖案11之態樣，實施例設為於主圖案11中添加有輔助圖案12之態樣。繼而，將參考例與實施例加以比較。又，關於圖案尺寸，根據作為市場動向之希望於BM之一部分具有4.5～6 μm之細線寬度之CF之現狀而如下所述。再者，下述之寬度S1、S2、間距P1、P2如圖4～圖6中所說明。第1狹縫部之寬度S1＝5 μm 第2狹縫部之寬度S2＝18 μm X方向之間距P1＝18 μm Y方向之間距P2＝54 μm 該尺寸之圖案例如係相當於470 ppi之液晶顯示裝置之微細圖案。模擬條件如下。使用近接式曝光裝置(準直角1.5度)使近接間隙(Gap)於50～100 μm之範圍變化時，取得被轉印體上所形成之轉印像。曝光之光之波長設為365 nm(i線)。圖12～圖14表示根據參考例(圖11)之參考圖案而形成於被轉印體上之光學像。圖12(a)為Gap＝50 μm之情形，圖12(b)為Gap＝60 μm之情形，圖13(a)為Gap＝70 μm之情形，圖13(b)為Gap＝80 μm之情形，圖14(a)為Gap＝90 μm之情形，圖14(b)為Gap＝100 μm之情形。圖中之光學像中呈現之等高線、與其間之色之濃淡係指光學像之光強度之分佈。光學像之光強度之種類如圖11中所記載。於參考例之模擬結果中，可知即便較小之Gap(50 μm)，亦可見角部之變圓、或角部尖端之缺損傾向，且隨著Gap變大，該傾向變得更加強烈。 (實施例1) 於實施例1中，將與上述參考例相同之參考圖案設為主圖案11，且於該主圖案11中添加有如圖15之輔助圖案12。該輔助圖案12係長邊為X＝2.5 μm、短邊為Y＝1.5 μm之長方形，且與主圖案11於Y方向上相離V＝2.0 μm而配置。又，輔助圖案12之重心G設為自連結相鄰之主圖案11之角部之直線之中心位置朝銳角之角部側偏移U＝0.5 μm之位置。又，輔助圖案12藉由實質上不使曝光之光透過之遮光膜而形成。將導入上述圖15所示之輔助圖案12時之光學像示於圖16～圖18。圖16(a)為Gap＝50 μm之情形，圖16(b)為Gap＝60 μm之情形，圖17(a)為Gap＝70 μm之情形，圖17(b)為Gap＝80 μm之情形，圖18(a)為Gap＝90 μm之情形，圖18(b)為Gap＝100 μm之情形。根據該結果，於實施例1中，與參考例(圖11)之情形相比較，確認到主圖案11之角部之形狀劣化得以抑制，甚至於角部之角落主圖案形狀之劣化亦較少。尤其確認到，表示光學像之光強度50%以上之區域(於圖16～圖18所示之各光學像中，自較淡之色起之第3個等高線內)之面積為較圖12～圖14所示之參考例相對較大之區域。因此，根據實施例1，藉由選擇適當之曝光之光強度而能夠使CF之實效開口較參考例大。 (實施例2) 於實施例2中，將與上述參考例相同之參考圖案設為主圖案11，且於該主圖案11中添加有如圖19之輔助圖案12。該輔助圖案12係長邊為X＝5.5 μm、短邊為Y＝2.0 μm之長方形，且與主圖案11於Y方向上相離V＝1.0 μm而配置。又，輔助圖案12之重心G設為自連結相鄰之主圖案11之角部之直線之中心位置朝銳角之角部側偏移U＝0.5 μm之位置。又，輔助圖案12藉由對曝光之光(i線)之透過率T為40%之半透光膜而形成。將導入上述圖19所示之輔助圖案12時之光學像示於圖20～圖22。圖20(a)為Gap＝50 μm之情形，圖20(b)為Gap＝60 μm之情形，圖21(a)為Gap＝70 μm之情形，圖21(b)為Gap＝80 μm之情形，圖22(a)為Gap＝90 μm之情形，圖22(b)為Gap＝100 μm之情形。根據該結果，於實施例2中，與上述實施例1同樣地確認到主圖案11之角部之形狀劣化得以抑制。又，與上述實施例1相比較，可知於實施例2之情形時，主圖案11之角部附近之等高線變得更「密」。此係指相對於曝光量之變動的圖案CD之容限更大。進而，可知於實施例2之情形時，於在曝光時所應用之光強度更廣之範圍，可獲得改善後之角部形狀，故可確保穩定之轉印性，亦可取得良率之提昇。再者，於實施例1及實施例2中，均未將輔助圖案12本身作為解像圖案而轉印。此係指輔助圖案12根據其透過率(包含實質上為零之情形)而具有不會藉由曝光而於被轉印體上解像之尺寸。又，於實施例1、2中，如上述圖15及圖19所示，使用長方形圖案作為輔助圖案12。另一方面，作為輔助圖案12，於與上述主圖案11同樣地使用具有銳角與鈍角之角部之平行四邊形圖案之情形時，所獲得之光學像之改良傾向與使用長方形圖案之情形時大致相同。 (光學像之有效面積率之比較) 基於上述模擬結果，求出將參考例、實施例1、實施例2之光學像形成於CF基板上時的、與所獲得之子像素之開口率對應之光學像之有效面積率。此處，如圖23所示，所謂有效面積率係將光罩之轉印用圖案中之SP單位圖案面積(P1×P2)作為分母，將圖12～圖14、圖16～圖18、圖20～圖22所示之由各等高線包圍之面積作為分子而計算所得者。再者，於產生有等高線之一部分與鄰接之子像素之等高線相連之現象(此現象與BM之斷線對應)之情形時，將該子像素除外而計算。圖24係對近接間隙設為70 μm時之光學像中之光強度與有效面積率之關係進行繪製之圖。根據該圖24可知，若將光強度設為50%以上，則實施例1(由遮光膜形成之輔助圖案)表現出較參考例(無輔助圖案)高之有效面積率，為有利上的。進而明確，若採用實施例2(由半透光膜形成之輔助圖案)，則於光強度為40～60%之廣泛之範圍，有效面積率超過參考例。再者，該計算係將近接間隙設為70 μm時之計算，但即便使近接間隙變化亦可見大致同樣之傾向。又，參考例、實施例1、實施例2各自之子像素有效面積率之平均值(除產生有BM之斷線之子像素外)如圖23之表所示，實施例2為最高且有利之值。其係被光學像之光強度為60%以下之等高線所包圍之部分之面積、且於近接間隙為50～100 μm之所有情形時獲得之有效面積率之平均值。再者，於與轉印像對應之光強度較大之情形時(例如60%以上)，若近接間隙變大(例如90 μm以上)，則斷線之危險逐漸上升。然而，於採用有輔助圖案之實施例1、2中，未見此種危險較參考例增加之傾向。根據以上可明確，本發明之光罩之特徵在於，藉由近接式曝光裝置之曝光而將上述轉印用圖案之光學像形成於被轉印體上時，上述光學像中之上述主圖案之有效面積率大於使用不具有上述輔助圖案之轉印用圖案且藉由相同曝光條件而形成之光學像中之上述主圖案之有效面積率。然，半透光性之輔助圖案之導入雖帶來如上所述之優異效果，但為此而延長光罩之生產步驟並不佳。一般而言，於CF基板之生產步驟之前半段必需進行BM製作，於短時期內進行該過程為有利的。該點對於應用本發明之上述製造方法之意義亦較大。

1‧‧‧像素2‧‧‧子像素3‧‧‧黑矩陣4‧‧‧光罩圖案5‧‧‧圖案6‧‧‧圖案7‧‧‧圖案11‧‧‧主圖案11a‧‧‧角部12‧‧‧輔助圖案13‧‧‧狹縫部13a‧‧‧第1狹縫部13b‧‧‧第2狹縫部14‧‧‧SP單位圖案15‧‧‧P單位圖案16‧‧‧交叉區域20‧‧‧光罩基底21‧‧‧透明基板22‧‧‧第2透過控制膜23‧‧‧第3透過控制膜24‧‧‧抗蝕膜24a‧‧‧區域24b‧‧‧區域24c‧‧‧區域24p‧‧‧抗蝕圖案25‧‧‧蝕刻阻止膜G‧‧‧重心H1‧‧‧X方向之尺寸H2‧‧‧Y方向之尺寸M1‧‧‧寬度M2‧‧‧長度P1‧‧‧X方向之間距P2‧‧‧Y方向之間距S1‧‧‧寬度S2‧‧‧寬度U‧‧‧偏移量V‧‧‧距離X‧‧‧長邊長度Y‧‧‧短邊長度

圖1係表示既有之彩色濾光片之圖案之一例之模式圖。圖2(a)、(b)係例示用以製造既有之彩色濾光片中使用之黑矩陣之光罩圖案之模式圖，(a)表示微細化前，(b)表示微細化後。圖3(a)係表示理想的彩色濾光片之圖案之模式圖，(b)係表示實際獲得之彩色濾光片之圖案之模式圖。圖4係表示本發明之實施形態之光罩所具備之轉印用圖案之一例之俯視圖。圖5係表示輔助圖案之配置例之俯視圖(其1)。圖6係表示輔助圖案之配置例之俯視圖(其2)。圖7(a)～(c)係說明本發明之實施形態之光罩之製造方法之一例之步驟圖(其1)。圖8(d)～(g)係說明本發明之實施形態之光罩之製造方法之一例之步驟圖(其2)。圖9(a)～(c)係說明本發明之實施形態之光罩之製造方法之另一例之步驟圖(其1)。圖10(d)～(g)係說明本發明之實施形態之光罩之製造方法之另一例之步驟圖(其2)。圖11係說明參考例之主圖案之圖。圖12(a)、(b)係表示參考例之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其1)。圖13(a)、(b)係表示參考例之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其2)。圖14(a)、(b)係表示參考例之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其3)。圖15係說明本發明之實施例1之主圖案與輔助圖案之圖。圖16(a)、(b)係表示本發明之實施例1之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其1)。圖17(a)、(b)係表示本發明之實施例1之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其2)。圖18(a)、(b)係表示本發明之實施例1之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其3)。圖19係說明本發明之實施例2之主圖案與輔助圖案之圖。圖20(a)、(b)係表示本發明之實施例2之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其1)。圖21(a)、(b)係表示本發明之實施例2之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其2)。圖22(a)、(b)係表示本發明之實施例2之轉印像(光學像)之模擬結果之圖(其3)。圖23係表示光學像之有效面積率之算出方法與算出結果之圖。圖24係對近接間隙設為70 μm時之光學像中之光強度與有效面積率之關係進行繪製之圖。

11‧‧‧主圖案

11a‧‧‧角部

12‧‧‧輔助圖案

13‧‧‧狹縫部

13a‧‧‧第1狹縫部

13b‧‧‧第2狹縫部

14‧‧‧SP單位圖案

15‧‧‧P單位圖案

M1‧‧‧寬度

M2‧‧‧長度

P1‧‧‧X方向之間距

P2‧‧‧Y方向之間距

S1‧‧‧寬度

S2‧‧‧寬度

X‧‧‧長邊長度

Y‧‧‧短邊長度

Claims

一種光罩，其特徵在於：其係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案之近接曝光用光罩，上述轉印用圖案包含：主圖案；及輔助圖案，其於上述主圖案所具有之角部之附近，與上述主圖案相離而配置；且上述主圖案係於上述透明基板上形成第1透過控制膜，上述輔助圖案係於上述透明基板上形成第2透過控制膜，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸，上述第1透過控制膜包含遮光膜，上述第2透過控制膜包含令曝光之光之一部份透過之半透光膜。
如請求項1之光罩，其中上述轉印用圖案包含將單位圖案規律地重複排列之重複圖案。
如請求項1或2之光罩，其中上述輔助圖案具有點形狀或線形狀，且針對每1個上述主圖案而配置複數個。
如請求項1或2之光罩，其中上述主圖案具有被相互平行之一對直線夾著之帶狀之區域。
如請求項1或2之光罩，其中上述轉印用圖案包含包圍上述主圖案及上述輔助圖案之狹縫部，上述狹縫部具有：帶狀之第1狹縫部，其具有寬度S1(μm)，並於一方向延伸；及第2狹縫部，其具有寬度S2(μm)，並與上述第1狹縫部交叉；且於上述第1狹縫部與上述第2狹縫部交叉之區域，於將以直線連結4個上述主圖案之相對向之4個角部之頂點而形成之四邊形設為交叉區域時，以使上述輔助圖案之重心位於上述交叉區域內之方式而配置上述輔助圖案。
如請求項1或2之光罩，其中上述轉印用圖案包含包圍上述主圖案及上述輔助圖案之狹縫部，上述狹縫部具有：帶狀之第1狹縫部，其具有寬度S1(μm)，並於一方向延伸；及第2狹縫部，其具有寬度S2(μm)，並與上述第1狹縫部交叉；且於上述第1狹縫部與上述第2狹縫部交叉之區域，於將以直線連結4個上述主圖案之相對向之4個角部之頂點而形成之四邊形設為交叉區域時，以使上述輔助圖案包含於上述交叉區域內之方式而配置上述輔助圖案。
如請求項1或2之光罩，其中上述第1透過控制膜及上述第2透過控制膜包含對彼此之蝕刻劑具有耐受性之材料。
如請求項1或2之光罩，其中上述第2透過控制膜相對於上述光罩之曝光所用之曝光之光之代表波長光具有透過率T2(%)，且滿足0<T2≦60。
如請求項1或2之光罩，其中上述第1透過控制膜係於上述第2透過控制膜上積層有第3透過控制膜者。
一種近接曝光用光罩之製造方法，該近接曝光用光罩係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案，上述轉印用圖案包含：複數個主圖案，其等規律地排列；輔助圖案，其係於上述主圖案各自之附近，與上述主圖案相離而配置者，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸；及狹縫部，其包圍上述主圖案及上述輔助圖案；該近接曝光用光罩之製造方法包含以下步驟：準備於上述透明基板上形成有第2透過控制膜、第3透過控制膜、及抗蝕膜之光罩基底；對上述抗蝕膜進行繪圖與顯影，形成具有複數種類之殘膜厚度之抗蝕圖案；將上述抗蝕圖案作為遮罩，對上述第3透過控制膜及第2透過控制膜依序進行蝕刻；將上述抗蝕圖案減膜特定之厚度量；及將減膜後之抗蝕圖案作為遮罩，對新露出之上述第3透過控制膜進行蝕刻。
一種近接曝光用光罩之製造方法，該近接曝光用光罩係於透明基板上具備用以轉印至被轉印體上之轉印用圖案，上述轉印用圖案包含：主圖案；輔助圖案，其係於上述主圖案之附近，與上述主圖案相離而配置者，並且具有不會藉由曝光而於上述被轉印體上解像之尺寸；及狹縫部，其包圍上述主圖案及上述輔助圖案；該近接曝光用光罩之製造方法包含以下步驟：準備於上述透明基板上形成有第2透過控制膜、蝕刻阻止膜、第3透過控制膜、及抗蝕膜之光罩基底；對上述抗蝕膜進行繪圖與顯影，形成具有複數種類之殘膜厚度之抗蝕圖案；將上述抗蝕圖案作為遮罩，對上述第3透過控制膜、上述蝕刻阻止膜、及上述第2透過控制膜依序進行蝕刻；將上述抗蝕圖案減膜特定之厚度量；及將減膜後之抗蝕圖案作為遮罩，對新露出之上述第3透過控制膜進行蝕刻。
一種顯示裝置之製造方法，其包含以下步驟：準備如請求項1至9中任一項之光罩；及使用近接曝光方式之曝光裝置，將上述轉印用圖案進行曝光，且轉印至被轉印體上。