CN115779950A - 一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂及其制备方法和应用。本发明的制备方法包括以下步骤，先将载体和钴盐混合研磨均匀得研磨产物，再将其在空气或惰性气体氛围中煅烧处理，反应完成后即可获得碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂；其中，上述载体为负载含氮表面活性剂的介孔二氧化硅，煅烧处理的温度为300～700℃，时间为3～6h。上述制备方法所制得的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂具有高比表面积，高分散度的钴团簇和Co‑N活性位点，具备优异的催化氧化性能和稳定性，能够同时应用于大气和废水领域中污染物的深度氧化。
Description
技术领域
本发明涉及金属氧化物催化剂技术领域，更具体地，涉及一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹钴团簇催化剂及其制备方法和应用。
背景技术
VOCs易与其它大气污染物相互耦合形成难以自然分解且危害更为持久的二次污染物，其来源众多、特性复杂，目前缺乏深度治理措施。传统的液相吸收法利用喷淋塔、鼓泡塔等装置，通过吸收作用去除有机废气，但该技术对难溶性VOCs的去除存在吸收速率慢、吸收容量低等问题，难以广泛推广；而利用SAOPs联合液湘吸收法处理VOCs，不仅能够通过自由基的氧化作用促进VOCs气液传质效果，还可以利用液湘体系中空气流和VOCs废气流的作用使自由基与VOCs之间得到充分接触和氧化，使降解率得到进一步提高。
但在SAOPs中通常以过硫酸盐作为氧化剂，在外部能量(加热、紫外光辐射、微波辐射等)作用下，通过产生活性氧物种来降解有机物，但此过程能源消耗量大、运行成本较高，且活化过硫酸产生活性氧物种的速率过快，因此不利于连续流VOCs废气的处理。而利用过渡金属及其氧化物作为活化剂激活过硫酸盐无需外加热源或光源，常温常压下即可实现过硫酸盐活化，但过渡金属及其氧化物的催化活性与金属活性组分的分散程度密切相关。
而纳米介孔二氧化硅球具备高比表面积、大孔隙率、理想的单分散性和纳米球形形貌以及热力学稳定性，是合成负载型过渡金属催化剂最理想的载体之一。此外，粒径小于200nm的球形纳米结构可以为物质传输提供较短的扩散路径，还可以提供一个纳米约束空间，从而利用纳米约束空间抑制金属的聚集。因此，以纳米介孔二氧化硅球作为载体合成的负载型过渡金属催化剂中，通常需要预先煅烧或萃取等手段去除模板剂，但在负载过渡金属前将模板剂去除，不仅易导致二氧化硅壁收缩，还会损失其表面丰富的硅羟基，从而使得过渡金属在煅烧过程中聚集形成颗粒，进而致使活性位点分布不均匀均匀且暴露不足。
现有技术中通常将金属活性组分负载于特定载体上以提高其分散性，例如，现有技术中公开了一种介孔二氧化硅包覆钴锰氧化物的制备方法及其产品和应用，通过将双金属钴锰“锚定”在MOF的三维框架结构中并原位合成介孔二氧化硅，最终通过还原再氧化得到介孔二氧化硅包覆的钴锰复合金属氧化物，虽然通过二氧化硅对于钴锰离子的之间的保护作用使得最终活性组分钴锰氧化物能够不团聚长大，但其金属活性位点的分散性及催化活性有待进一步提高。
发明内容
本发明目的是克服现有负载型催化剂因其活性位点分散不均匀导致其对过氧化物催化活化效果较差的缺陷和不足，提供一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，以纳米介孔纳米化硅为载体，含氮表面活性剂为碳氮前驱体，在煅烧过程中原位高温炭化形成氮掺杂碳点，同时使得均匀分布的四氧化三钴纳米颗粒与氮掺杂缺陷碳点之间通过强配位作用形成Co-N位点，从而避免钴原子在纳米介孔纳米化硅的孔道中聚集，形成钴纳米簇，提高活性位点的分散度，进而提高对过氧化物的催化活化效果。
本发明的另一目的是提供一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂。
本发明的又一目的在于提供一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在在催化活化过氧化物中的应用。
本发明上述目的通过以下技术方案实现：
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括以下步骤：
S1.将载体和钴盐混合研磨均匀得研磨产物；
S2.将S1的研磨产物在空气或惰性气体氛围中煅烧处理，反应完成后即可获得碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂；
其中，S1中所述载体为负载含氮表面活性剂的介孔二氧化硅；S2中所述煅烧处理的温度为300～700℃，煅烧处理时间为3～6h。
本发明的制备方法以表面活性剂为模板剂制备载体，利用表面活性剂在煅烧处理过程中通过原位高温炭化形成氮掺杂碳点，与Co3O4纳米颗粒通过强配位作用形成Co-N位点，进而在载体内部形成受限空间，使得钴原子在受限的空间内生长，不仅可以有效避免过金属氧化物的聚集，获得超细钴纳米团簇，促进钴位点的分散度，暴露更多的活性位点，提高催化活性；此外，由于钴活性物种被包裹在纳米介孔结构而不是分布在外表面，因此能够有效地防止钴金属离子在强酸强碱条件下的腐蚀和浸出(该催化剂在pH范围2～11之间均具有较好活性，远远好于目前传统芬顿反应中污染物降解性能由于pH值超过4而急剧下降)，避免催化剂活性的快速丧失以及二次污染。
此外，纳米介孔纳米二氧化硅(mSiO2)表面含有丰富的硅羟基，其电离后与表面活性剂水解产生的氮正离子通过正负离子吸引，使得表面活性剂均匀沉积在mSiO2基体中，再以表面活性剂为模板剂，使Co2+在其表面自缔合生成前驱体，高温煅烧处理时，前驱体热裂解产生大量的CO2作为致孔剂，从而使得到具有丰富孔道的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹的超细钴团簇催化剂。
当煅烧处理温度过低时，表面活性剂无法分解形成氮掺杂碳点与钴配位；而煅烧处理温度过高，则会使使得表面活性剂完全分解成CO2，同样无法形成氮掺杂碳点将钴团簇包裹在介孔结构中，且煅烧温度过高还会导致钴颗粒出现严重团聚、分散度低，最终导致催化性能下降。
具体地，本发明步骤S2中所述煅烧处理的温度可以为300℃、500℃或700℃，煅烧处理时间为3h、5h或6h。
优选地，在煅烧处理过程中，从室温升温至所需煅烧温度的升温速率为2～10℃/min。
优选地，本发明步骤S1中所述研磨产物中钴原子的质量百分数为1％～12％。
在具体实施方式中，本发明步骤S1中所述载体由以下制备方法得到：
将氨水和表面活性剂加入醇溶液中，搅拌均匀至溶液澄清透明，再逐滴加入正硅酸乙酯，在常温下搅拌反应完全，干燥后即可获得载体；所述醇溶液为乙醇溶液；所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基二甲基乙基溴化铵、十二烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵和十八烷基三甲基氯化铵中的一种或多种。
优选地，所述表面活性剂与正硅酸乙酯的质量比为1：(4～6)。
本发明还保护一种由上述制备方法制得的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂。
一种上述碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在催化活化过氧化物中的应用。
一种上述碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在降解连续流VOCs废气和降解废水有机污染物中的应用。
在具体实施方式中，所述连续流VOCs废气的流量为0.2～1L/min，氧化剂过硫酸盐的加入量为2～6g/L，碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的加入量为5～70mg/L。
在具体实施方式中，所述连续流VOCs废气中VOCs的浓度为30～100ppmv。
在具体实施方式中，所述氧化剂过硫酸盐的加入量为50～200mg/L，碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的加入量为1～5mg/L。
与现有技术相比，本发明具有以下有益技术效果是：
本发明提供了一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，以纳米介孔纳米化硅为载体，含氮表面活性剂为碳氮前驱体，在煅烧过程中原位高温炭化形成氮掺杂碳点，同时使得均匀分布的四氧化三钴纳米颗粒与氮掺杂缺陷碳点之间通过强配位作用形成Co-N位点，从而避免钴原子在纳米介孔纳米化硅的孔道中聚集，形成钴纳米簇，提高活性位点的分散度，进而提高对过氧化物的催化活化效果，所制得的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂不仅可应用于深度净化VOCs废气，也可用于废水中有机污染物的高效降解，在高级氧化技术方面具有广泛的适用性。
附图说明
图1为实施例1中碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的XRD图。
图2为实施例1中碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的HRTTEM图。
图3为实施例1中碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的HAABF-STEM图。
图4为实施例1的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂降解大气中不同VOCs的柱状图。
图5为实施例1、实施例6和实施例7制备的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂降解气态氯苯的点线图。
图6为实施例1、实施例9和实施例10制备的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂降解气态氯苯的点线图。
图7为实施例1的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂降解废水中不同有机污染的点线图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明，但实施例并不对本发明做任何形式的限定。除非另有说明，本发明实施例采用的原料试剂为常规购买的原料试剂。
实施例1
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括以下步骤：
S1.将载体CTAB@mSiO2和钴盐(Co(NO3)2·6H2O)混合研磨均匀得研磨产物；
S2.将S1的研磨产物在500℃条件下煅烧处理5h，反应完成后即可获得碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂(Co/NC@mSiO2)；
其中，S1中所述CTAB@mSiO2与钴盐的质量比为1：0.3152(即研磨产物中钴原子的质量百分数为6％)，S2中从室温升温至煅烧处理所需温度的升温速率为2℃/min。
上述载体CTAB@mSiO2可采用以下制备方法制得：
S11.配制乙醇和去离子水的混合溶液，加入3mL氨水，待搅拌均匀后加入表面活性剂0.45gCTAB至溶液澄清透明，逐滴加入3mL正硅酸乙酯，在常温下搅拌反应24h，得到反应产物；
S12.将S11得到的反应产物过滤，用去离子水和乙醇洗涤至少三遍，然后于60℃干燥过夜，制得载体CTAB@mSiO2；
其中，S11中表面活性剂和正硅酸乙酯的质量比为1:5。
实施例2
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S1中所述CTAB@mSiO2与钴盐的质量比为1：0.0494(即研磨产物中钴原子的质量百分数为1％)。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
实施例3
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S1中所述CTAB@mSiO2与钴盐的质量比为1：0.1527(即研磨产物中钴原子的质量百分数为3％)。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
实施例4
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S1中所述CTAB@mSiO2与钴盐的质量比为1：0.4884(即研磨产物中钴原子的质量百分数为9％)。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
实施例5
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S1中所述CTAB@mSiO2与钴盐的质量比为1：0.6304(即研磨产物中钴原子的质量百分数为12％)。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
实施例6
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S2中所述煅烧处理的温度为300℃，煅烧处理时间为6h。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
实施例7
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S2中所述煅烧处理的温度为700℃，煅烧处理时间为3h。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
实施例8
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S1中所述载体为CTAC@mSiO2。
上述载体为CTAC@mSiO2可采用以下制备方法制得：
S11.配制乙醇和去离子水的混合溶液，加入3mL氨水，待搅拌均匀后加入表面活性剂0.45gCTAC至溶液澄清透明，逐滴加入3mL正硅酸乙酯，在常温下搅拌反应24h，得到反应产物；
S12.将S11得到的反应产物过滤，用去离子水和乙醇洗涤至少三遍，然后于60℃干燥过夜，制得载体CTAC@mSiO2；
其中，S11中表面活性剂和正硅酸乙酯的质量比为1:5。
实施例9
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S2中从室温升温至煅烧处理所需温度的升温速率为5℃/min。
实施例10
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S2中从室温升温至煅烧处理所需温度的升温速率为10℃/min。
对比例1
一种钴氧化物催化剂的制备方法，包括如下步骤：
S1.将载体mSiO2和钴盐(Co(NO3)2·6H2O)混合研磨均匀得研磨产物，其中mSiO2与钴盐的质量比为1：0.3152(即钴原子负载量为6wt％)；
S2.将S1的研磨产物在500℃条件下煅烧处理5h，反应完成后即可获得钴氧化物催化剂(Co/mSiO2)；
其中，S1中所述mSiO2与钴盐的质量比为1：0.3152(即钴原子负载量为6wt％)；从室温升温至煅烧处理所需温度的升温速率为2℃/min。
上述载体mSiO2由以下制备方法制得：
S11.配制乙醇和去离子水的混合溶液，加入3mL氨水，待搅拌均匀后加入表面活性剂0.45gCTAB至溶液澄清透明，逐滴加入3mL正硅酸乙酯，在常温下搅拌反应24h，得到反应产物；
S12.将S11得到的反应产物过滤，用去离子水和乙醇洗涤至少三遍，然后于60℃干燥过夜，制得载体CTAB@mSiO2；然后于管式炉中500℃恒温处理5h，从室温升温至500℃的升温速率为2℃/min；
其中，S11中表面活性剂和正硅酸乙酯的质量比为1:5。
对比例2
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S2中所述煅烧处理的温度为200℃，煅烧处理时间为6h。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
对比例3
一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，包括与实施例1基本相同的步骤，其区别在于：S2中所述煅烧处理的温度为900℃，煅烧处理时间为3h。
上述载体CTAB@mSiO2的制备方法与实施例1相同。
结果检测
对实施例1～8和对比例1～3所制得催化剂分别进行结构表征及性能测试。
(1)XRD测试
从图1可看出，实施例1中碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂(Co/NC@mSiO2)的XRD衍射峰中未出现钴氧化物的特征峰，说明钴氧化物在载体上呈高度分散且颗粒较小；实施例2～8中催化剂的XRD图谱与实施例1中Co/NC@mSiO2的XRD图谱基本相同。
(2)BET测试
本发明对介孔二氧化硅(mSiO2)、实施例1中催化剂(Co/NC@mSiO2)和对比例1中催化剂(Co/mSiO2)进行BET测试，比表面积、孔体积和平均孔径如表1所示，可看出，相较于催化剂Co/mSiO2，实施例1中催化剂Co/NC@mSiO2的比表面积高达1293m2g-1，说明经原位碳质化制备的Co/NC@mSiO2更有利于提升钴团簇和Co-N活性位点的分散度，进而暴露更多的活性位点。实施例2～8中催化剂的比表面积、孔体积和平均孔径与实施例1中Co/NC@mSiO2相关数据基本处于同一水平。
表1
| 样品 | 比表面积(m<sup>2</sup> g<sup>-1</sup>) | 孔体积(cm<sup>3</sup> g<sup>-1</sup>) | 平均孔径(nm) |
| mSiO<sub>2</sub> | 1397 | 0.70 | 3.26 |
| Co/mSiO<sub>2</sub> | 1037 | 0.68 | 4.27 |
| Co/NC@mSiO<sub>2</sub> | 1293 | 0.66 | 5.22 |
(3)TEM及EDS测试
图2a、图2b和图2c分别为实施例1中Co/NC@mSiO2催化剂的HRTEM图，没有观察到归属于钴物种的衍射环，说明Co/NC@mSiO2呈无定形性质，钴物种在介孔中高度分散。图3a、图3b、图3c和图3d分别为不同拍摄倍数下实施例1中Co/NC@mSiO2催化剂的HAABF-STEM图，由此可见Si、O、C、N和Co元素呈现均匀分布，进一步证明介孔二氧化硅纳米结构中成功包裹超细钴团簇。
(4)降解连续流VOCs废气测试
具体测试方法：在连续流体系中设定VOCs废气的流量为1L/min，氧化剂过硫酸盐的加入量为5g/L；碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的加入量为50mg/L。
氯苯降解率(％)＝(氯苯的进口浓度-氯苯的出口浓度)/氯苯的进口浓度×100％；
矿化率(％)＝(CO2的进口浓度-CO2的出口浓度*n)/CO2的进口浓度×100％，其中n代表VOC分子中碳原子的个数。
表2
| 编号 | 氯苯降解率/％ | 出口CO<sub>2</sub>浓度/ppmv | 矿化率/％ |
| 实施例1 | 94 | 105 | 59 |
| 实施例2 | 92 | 42 | 26 |
| 实施例3 | 94 | 49 | 30 |
| 实施例4 | 95 | 62 | 37 |
| 实施例5 | 95 | 52 | 32 |
| 实施例6 | 94 | 68 | 40 |
| 实施例7 | 95 | 70 | 40 |
| 实施例8 | 95 | 112 | 62 |
| 对比例1 | 35 | 2 | 4 |
| 对比例2 | 32 | 2 | 4 |
| 对比例3 | 40 | 4 | 6 |
从图4可以看出，实施例1中制备的Co/NC@mSiO2催化剂对大气中芳香烃类VOCs均表现出优异的降解效果，氯苯、苯乙烯、甲苯的去除率分别为94％、98％、88％，说明该Co/NC@mSiO2催化剂对VOCs的降解具有普适性，可应用于工业中实际废气的处理。
从图5可以看出，在催化剂制备过程中，热解温度过低或过高对氯苯去除率没有很大影响，去除率均保持在90％以上，但显著降低了其矿化率。这可能是因为热解温度过低或过高导致暴露的钴活性位点有一定程度的下降，使得氯苯在初步降解之后产生的中间产物无法被进一步矿化生成CO2。
从图6可以看出，在催化剂制备过程中，升温速率升高对氯苯去除率没有很大影响，去除率均保持在90％以上，但矿化率随着温度升高而显著降低。这可能是因为升温速率升高容易导致钴物种在热解过程中团聚，暴露的钴活性位点有限，使得氯苯在初步降解之后产生的中间产物无法被进一步矿化生成CO2。
(5)降解废水中有机污染物测试
具体测试方法：所述氧化剂过硫酸盐的加入量为100mg/L；碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的加入量为5mg/L，有机污染物的浓度为10mg/L。
测试结果如图7所示，可看出实施例1中Co/NC@mSiO2催化剂对于废水中典型的污染物，包括邻氯苯酚(2-CP)、二氯苯酚(2,4-CP)、三氯苯酚(2,4,6-CP)、诺氟沙星(NOR)、双酚A(BPA)、罗丹明B(RhB)、甲基蓝B(MB)的去除率均接近100％，说明本发明制备的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在高级氧化技术去除污染物具有高效性和普适性。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.将载体和钴盐混合研磨均匀得研磨产物；
S2.将S1的研磨产物在空气或惰性气体氛围中煅烧处理，反应完成后即可获得碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂；
其中，S1中所述载体为负载含氮表面活性剂的介孔二氧化硅；S2中所述煅烧处理的温度为300～700℃，煅烧处理时间为3～6h。
2.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述煅烧处理从室温升温至所需煅烧温度的升温速率为2～10℃/min。
3.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述研磨产物中钴原子质量百分数为1％～12％。
4.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述载体由以下制备方法得到：
将氨水和表面活性剂加入醇溶液中，搅拌均匀至溶液澄清透明，再逐滴加入正硅酸乙酯，在常温下搅拌反应完全，干燥后即可获得载体；
所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基二甲基乙基溴化铵、十二烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵和十八烷基三甲基氯化铵中的一种或多种。
5.如权利要求4所述制备方法，其特征在于，所述表面活性剂与正硅酸乙酯的质量比为1：(4～6)。
6.一种权利要求1～5任一项所述制备方法制得的碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂。
7.一种权利要求6所述碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在催化活化过氧化物中的应用。
8.一种权利要求6所述碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在降解连续流VOCs废气和降解废水有机污染物中的应用。
9.如权利要求8所述碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在降解连续流VOCs废气中的应用，其特征在于，所述连续流VOCs废气的流量为0.2～1L/min，氧化剂过硫酸盐的加入量为2～6g/L，碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂的加入量为5～70mg/L。
10.如权利要求8所述碳质化介孔二氧化硅纳米球包裹超细钴团簇催化剂在降解连续流VOCs废气中的应用，其特征在于，所述连续流VOCs废气中VOCs的浓度为30～100ppmv。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |