CN115515768A - Asc工序自动化装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种ASC工序自动化设备，包括：装载部分，已经历线锯的锭块被输入到该装载部分中；煤油清洁部分，该煤油清洁部分用于用煤油清洁锭块；预清洁部分，该预清洁部分用于对锭块进行预清洁；主清洁部分，该主清洁部分用于对锭块进行多次清洁；晶片剥离部分，该晶片剥离部分用于剥离晶锭以产生多个晶片；以及输送单元，该输送单元用于使晶锭在前进至煤油清洁部分、预清洁部分、主清洁部分和晶片剥离部分的同时线性地且向上/向下地运动。

Description

ASC工序自动化装置
技术领域
本发明涉及一种晶片制造设备，并且更具体地涉及一种用于执行ASC工序的自动化ASC工序设备。
背景技术
单晶硅锭通常通过柴可拉斯基(Czochralski)方法生长和制造。该方法是如下的方法，其中，在腔室中的坩埚中熔化多晶硅，将作为单晶的晶种浸入硅熔体中，以及缓慢拉起晶种以生长出具有期望直径的单晶硅锭块(以下简称“锭块”)。
单晶硅晶片的制造工序大致包括：单晶体生长工序，该单晶体生长工序用于产生锭块；切片工序，该切片工序用于对锭块进行切片来获得薄盘状的晶片；边缘磨削工序，该边缘磨削工序用于对由切片工序获得的晶片的边缘进行机加工，以防止晶片发生开裂和翘曲；精磨工序，该精磨工序用于去除由于机械加工而对晶片造成的损坏，以改善晶片的平整度；抛光工序，该抛光工序用于对晶片进行镜面抛光；以及清洁工序，该清洁工序用于去除附着于抛光晶片的磨料或异物。
同时，使用线锯设备执行将锭块切割成晶片的切片工序。
图1是表示一般线锯设备的操作的图。
如图1所示，线锯设备1000包括：用于固定锭块IG上部的梁B；锭块夹具1100，该锭块夹具用于夹持梁B，使得锭块IG被支承以可向上和向下运动；多个辊1200和1300，这些辊设置在锭块夹具100下方以可旋转；线材W，该线材绕该多个辊1200和1300缠绕以可沿正方向和反方向旋转；以及用于朝向线材W喷射浆料的浆料喷射喷嘴(未示出)。
在线锯设备1000中，浆料被喷射到高速运动的线材W上，并且锭块IG朝向线材W下降。在这种情况下，锭块IG通过与附着于线材W的浆料的摩擦而被切割成多个晶片。
线锯工序完成后，进一步执行作为上述边缘研磨工艺之前的步骤的切片清洁(assliced cleaning，ASC)工序，该工序包括从晶片去除异物，诸如浆料、油污或切屑以及去除固定于晶片上部的梁B以分离晶片的一系列工序。
ASC工序由组合了各种装置的ASC工序设备执行。ASC工序设备依次执行ASC工序所需的程序，诸如使用煤油(WN-420)的清洁、装载、超清洁、一次漂洗、二次漂洗、三次漂洗、晶片分离和卸载。
然而，ASC工序的许多工序和工序之间的许多连接部分(进程部分)是手动执行的，而不是以自动方式执行的。这种体力劳动导致ASC工序的质量下降(在晶片表面上产生污点、不均匀清洁、晶片损坏等)，这取决于工人的熟练程度，并且更加耗时和昂贵。
发明内容
技术问题
因此，本发明提供了一种ASC工序自动化设备，该设备能够将ASC工序的各个程序以及在这些程序之间连接部分(进程部分)自动化，从而提高ASC工序的质量，并且节省时间和费用。
技术方案
本发明提供了一种ASC工序自动化设备，包括：装载单元，该装载单元构造成允许将经过线锯的锭块装载于其上；煤油清洁单元，该煤油清洁单元构造成使用煤油来清洁锭块；预清洁单元，其构造成对锭块进行预清洁；主清洁单元，该主清洁单元构造成多次清洁锭块；晶片分离单元，该晶片分离单元构造成将锭块分割成多个晶片；以及输送单元，该输送单元构造成线性地输送并在锭块经过煤油清洁单元、预清洁单元、主清洁单元和晶片分离单元时使锭块向上和向下运动。
该设备还可包括沿着煤油清洁单元、预清洁单元、主清洁单元和晶片分离单元安装的轨道单元，并且输送单元可以安装至轨道单元。
输送单元可包括构造成夹持锭块的夹持单元、被安装成能够沿着轨道单元线性运动的线性输送单元、以及构造成使夹持单元向上和向下运动的向上/向下输送单元。
夹持单元可以包括夹具，该夹具构造成选择性地保持或释放在锭块的外周缘上的两个相对点。
线性输送单元可包括第一马达以及可运动地安装至轨道并且构造成由第一马达旋转的轮子。
向上/向下输送单元可包括第二马达以及联接于夹持单元并构造成通过第二马达调节长度的线材。
煤油清洁单元可包括多个煤油浴，并且可通过输送单元将锭块顺序地浸入多个煤油浴中。
预清洁单元可包括预清洁槽和喷嘴，该喷嘴构造成将清洁液喷射至由输送单元引入到预清洁槽中的锭块。
主清洁单元可包括构造成进行超清洁的第一浴、构造成执行一次漂洗工序的第二浴、构造成执行二次漂洗工序的第三浴、以及构造成执行三次漂洗工序的第四浴，并且可通过输送单元将锭块依次浸入第一浴、第二浴、第三浴和第四浴中。
晶片分离单元可包括剥离单元，该剥离单元构造成去除粘附于由输送单元输送的锭块的梁。
剥离单元可包括：剥离槽，剥离槽构造成储存用于剥离的液体并允许将锭块浸入其中；以及梁分离器，该梁分离器构造成将梁与位于剥离槽中的锭块分离。
输送单元可将锭块放入剥离槽中，使得梁位于锭块的上部上，梁分离器可在剥离槽上方的位置处沿梁的纵向方向去除梁，并且被去除的梁可通过输送单元排出到外部。
该设备还可包括卸载单元，该卸载单元安装成与晶片分离单元相邻并且构造成将多个晶片排出到外部。
卸载单元可包括卸载机器人，该卸载机器人构造成抓取该多个晶片并从剥离槽输送该多个晶片。
本发明提供一种ASC工序自动化设备，包括形成为使得梁附连于晶片的锭块；构造成线性输送锭块并使锭块向上和向下运动的输送单元；以及轨道单元，该轨道单元构造成允许输送单元安装至轨道单元。输送单元包括构造成夹持锭块的夹持单元、被安装成能够沿着轨道单元线性运动的线性输送单元、以及构造成使夹持单元向上和向下运动的向上/向下输送单元。
有利效果
根据本发明的ASC工序自动化设备，ASC工序的各个程序之间的连接部分(进程部分)是自动化的，因此能够连续执行，从而提高ASC工序的质量，并且节省时间和费用。
附图说明
图1是示出一般的线锯设备的操作的图。
图2是示意性地示出本发明的实施例的ASC工序自动化设备的结构的正视图。
图3是图2所示的装载单元、煤油清洁单元和预清洁单元的放大图。
图4是图2所示的主清洁单元的放大图。
图5是图2所示的晶片分离单元和卸载单元的放大图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图经由对各实施例的描述来阐明实施例。在以下对各实施例的描述中，将理解的是，当诸如层(薄膜)、区域、型式或结构之类的元件形成于诸如基底、层(薄膜)、区域、型式或结构的另一元件“之上”或“之下”时，它可以“直接”位于该另一元件之上或之下，或者“间接”地形成，使得还可存在中间元件。此外，还将理解的是，“上”或“下”的标准是基于附图。
在附图中，为了描述中方便和简洁，元件可能在尺寸方面被夸大、省略或示意性地示出。进一步地，元件的大小并不表示元件的实际大小。只要可能，相同的附图标记将会在所有附图中使用以指代相同的部分。在下文中，将参照附图对本发明的实施例进行描述。
图2是示意性地示出本发明的实施例的ASC工序自动化设备的结构的正视图，图3是图2所示的装载单元、煤油清洁单元和预清洁单元的放大图，图4是图2所示的主清洁单元的放大图，并且图5是图2所示的晶片分离单元和卸载单元的放大图。
如图2至图5所示，根据该实施例的ASC工序自动化设备1可以包括装载单元10、煤油清洁单元20、预清洁单元30、主清洁单元40、晶片分离单元50、以及卸载单元60。
装载单元10可构造为用于将已经经历线锯的锭块IG(下文中，参考图1)引入到煤油清洁单元20中的机构或装置。被供应通过装载单元10的锭块IG已经通过切片工序(线锯工序)而被切割成多个晶片。梁B(下文参照图1)处于借助诸如胶水之类的粘附材料附连于晶片上部的状态。在下文中，通过将梁B联接至晶片以具有锭块IG(圆柱体)的形状而形成的元件将被称为“锭块IG”，并且可拆卸地附连于梁B的单个切片元件将被称为“晶片”。
装载单元10可从线锯装置输送上述锭块IG，以将其引入煤油清洁单元20中。在一示例中，装载单元10可实施为装载机11，该装载机包括安装在其下部的轮子和安装在其上部以支承锭块IG的搁板或夹具。
由装载单元10引入到煤油清洁单元20中的锭块IG可通过煤油清洁单元20来经受煤油清洁工序。煤油清洁单元20可从晶片表面去除碱油，该碱油包含在线锯工序中使用的浆料中。
如图3所示，煤油清洁单元20可包括多个煤油浴21、22、23和24，通过稍后描述的输送单元100将锭块IG顺序地浸入这些煤油浴中。在示例中，煤油浴21、22、23和24的数量可以是四个，但实施例不限于此。不同浓度的煤油可储存在相应的煤油浴21、22、23和24中。当然，多个煤油浴21、22、23和24中的一些可填充有除煤油之外的其他清洁液。
可将锭块IG顺序地浸入相应的煤油浴21、22、23和24中预定的时间量。为此，输送单元100可使锭块IG向下运动以将其浸入煤油浴21、22、23和24中的一个，可使锭块IG向上运动，可将锭块IG朝向另一个煤油浴21、22、23和24输送，然后可使锭块IG向下运动到其中。
传统地，将锭块IG浸入煤油浴21、22、23、24中的工序由工人手动执行。然而，根据本发明，煤油浴工序可自动化，使得输送单元100将锭块IG顺序地浸入多个煤油浴21、22、23和24中。
预清洁单元30可对经过煤油清洁的锭块IG执行预清洁工序。
作为主清洁步骤之前的步骤，预清洁单元30可执行从晶片初步(宏观地)去除煤油和异物的工序。因此，预清洁单元30可包括有力且强大的装置。
例如，如图3所示，预清洁单元30可包括预清洁槽300和用于将清洁液喷射到由输送单元100引入到预清洁槽300中的锭块IG的喷嘴310。
预清洁槽300可在其中设置有固定装置，用于稳定地支承由输送单元100输送的锭块IG。固定装置可构造成使锭块IG旋转或运动。喷嘴310能够以恒定的压力朝向固定于固定装置的锭块IG的一侧表面喷射清洁液。此处，喷嘴310可安装在预清洁槽300中，从而能够向上和向下运动，以便将清洁液朝向锭块IG的相对侧表面喷射。
传统地，预清洁工序由工人手动执行。然而，根据本发明，预清洁工序可自动化，使得喷嘴310受控制以将清洁液均匀稳定地朝向通过输送单元100输送到预清洁槽300中的锭块IG喷射。
主清洁单元40可执行多次(若干次)清洁锭块IG的工序。为此，主清洁单元40可包括多个浴。
例如，如图4所示，主清洁单元40可包括用于进行超清洁的第一浴41、用于使用DIW执行一次漂洗工序的第二浴42、用于使用DIW执行二次漂洗工序的第三浴43、以及用于使用热DIW(例如80℃)执行三次冲洗工序的第四浴。
由输送单元100输送的锭块IG可顺序地浸入上述主清洁单元40的第一浴41至第四浴中，因此可被清洁。
如图5所示，晶片分离单元50可将锭块IG分成多个晶片。为此，晶片分离单元50可包括剥离单元500，用于从由输送单元100输送的锭块IG去除梁B。
例如，剥离单元500可包括：剥离槽510，在剥离槽中存储有用于剥离的液体并且锭块IG被浸入到剥离槽中；以及用于将梁B与位于剥离槽510中的锭块IG分开的梁分离器520。
输送单元100可将锭块IG放入剥离槽510中，使得梁B位于锭块IG的上部上，并且梁分离器520可在剥离槽510上方的位置处沿梁B的纵向方向(参见图1中的y方向)去除梁B。在这种情况下，被移除的梁B可由输送单元100排出到外部。
传统地，为了分离晶片，工人将锭块IG浸入储存有剥离用液体的槽中，并等待预定时间段，直到粘附于梁B和晶片的粘合剂溶解。然后，工人需要手动将晶片从梁B的上部分离，这导致晶片损坏或二次污染。
相比之下，根据本发明，通过剥离单元500、输送单元100和卸载单元60执行分离和排出晶片的工序，而不需要工人的任何体力劳动，从而缩短了加工时间并改善了晶片分离工序的质量。
卸载单元60可安装成与晶片分离单元50相邻并且可将多个晶片排出到外部。卸载单元60可实施为包括卸载机器人的卸载器600，该卸载机器人构造成抓取该多个晶片并从剥离槽510输送这些晶片。在一示例中，卸载机器人可将多个晶片一起拉出晶片分离单元50，或者可将多个晶片一个一个分别地拉出晶片分离单元50。在这种情况下，还可使用诸如FOUP之类的盒子。
此外，本发明还可包括输送单元100和轨道单元200。
如图2所示，输送单元100可线性输送锭块IG，并且可在连续经过上述煤油清洁单元20、预清洁单元30、主清洁单元40和晶片分离单元50的同时使锭块IG向上和向下运动。
轨道单元200可沿着煤油清洁单元20、预清洁单元30、主清洁单元40和晶片分离单元50安装，并且输送单元100可安装至轨道单元200。在一示例中，轨道单元200可沿纵向方向(x轴方向)安装，以连接ASC工序设备的所有部件。轨道单元200可实施为单个轨道或多个轨道。因此，输送单元100可沿着轨道单元200运动，从而顺序地执行ASC工序的各程序。
在一示例中，如图3所示，输送单元100可包括夹持单元110、线性输送单元120和向上/向下输送单元130。
夹持单元110可夹持锭块IG。在一示例中，夹持单元110可以包括夹具111，该夹具构造成选择性地保持或释放在锭块IG的外周缘上的两个相对点。此处，如图1所示，锭块IG可配置成使得其纵向平行于Y轴方向，并且夹具111可选择性地保持或释放锭块IG沿X轴方向的前后点。因此，锭块IG可由输送单元100配置成使得其纵向平行于Y轴方向，并且可以沿在X轴方向进行ASC工序。
线性输送单元120可安装成可沿着轨道单元200线性运动。
尽管未详细示出，但是线性输送单元120可包括第一马达以及可运动地安装至轨道并且构造成由第一马达旋转的轮子。因此，轮子可通过第一马达沿正向和反向方向的旋转而沿着轨道的纵向方向在前后方向上线性运动。
向上/向下输送单元130可使夹持单元110向上和向下运动。
尽管未详细示出，但是向上/向下输送单元130可包括第二马达以及联接于夹持单元110并构造成通过第二马达调节长度的线材。因此，线材可响应于第二马达沿正向和反向方向的旋转而使夹持单元110沿着线材的纵向方向(图1中的Z轴方向)向上和向下运动。
如上所述，根据本发明的ASC工序自动化设备，ASC工序的各个程序之间的连接部分(进程部分)是自动化的，因此能够由轨道单元200和输送单元连续执行，从而提高ASC工序的质量，并且节省时间和费用。
与上述实施例相关联描述的特征、结构、效果等包含在本发明的至少一个实施例中，但是不仅限于一个实施例。此外，与各实施例相关联的特征、结构、效果等可以由本领域的技术人员通过组合或修改在其它实施例中实现。因此，与这种组合和改型有关的内容应解释为落入本发明的范围内。
工业适用性
根据实施例的ASC工序自动化设备可用于制造半导体元件、硅晶片等的设备。

Claims (15)

1.一种ASC工序自动化设备，包括：
装载单元，所述装载单元构造成允许将经历过线锯的锭块装载于其上；
煤油清洁单元，所述煤油清洁单元构造成使用煤油清洁所述锭块；
预清洁单元，所述预清洁单元用于对所述锭块进行预清洁；
主清洁单元，所述主清洁单元构造成对所述锭块进行多次清洁；
晶片分离单元，所述晶片分离单元构造成将所述锭块分离成多个晶片；以及
输送单元，所述输送单元构造成在所述锭块经过所述煤油清洁单元、所述预清洁单元、所述主清洁单元和所述晶片分离单元的同时线性地输送所述锭块并且使所述向上和向下运动。
2.如权利要求1所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，还包括：
沿着所述煤油清洁单元、所述预清洁单元、所述主清洁单元和所述晶片分离单元安装的轨道单元，
其中，所述输送单元安装至所述轨道单元。
3.如权利要求2所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述输送单元包括：
夹持单元，所述夹持单元构造成夹持所述锭块；
线性输送单元，所述线性输送单元安装成能够沿着所述轨道单元线性运动；以及
构造成使所述夹持单元向上和向下运动的向上/向下输送单元。
4.如权利要求3所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述夹持单元包括夹具，所述夹具构造成选择性地保持或释放在所述锭块的外周缘上的相对的两个点。
5.如权利要求4所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述线性输送单元包括第一马达以及轮子，所述轮子可运动地安装至所述轨道并且构造成由所述第一马达旋转。
6.如权利要求5所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述向上/向下输送单元包括第二马达以及线材，所述线材联接于所述夹持单元并构造成通过所述第二马达调节长度。
7.如权利要求1所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述煤油清洁单元包括多个煤油浴，并且通过所述输送单元将所述锭块顺序地浸入所述多个煤油浴中。
8.如权利要求1所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述预清洁单元包括预清洁槽和喷嘴，所述喷嘴构造成将清洁液喷射至由所述输送单元引入到所述预清洁槽中的所述锭块。
9.如权利要求1所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述主清洁单元包括：
构造成执行超清洁的第一浴；
构造成执行一次漂洗工序的第二浴；
构造成执行二次漂洗工序的第三浴；以及
构造成执行三次漂洗工序的第四浴，以及
其中，通过所述输送单元将所述锭块顺序地浸入所述第一浴、所述第二浴、所述第三浴和所述第四浴中。
10.如权利要求1所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述晶片分离单元包括剥离单元，所述剥离单元构造成去除粘附于由所述输送单元输送的所述锭块的梁。
11.如权利要求1所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述剥离单元包括：
剥离槽，所述剥离槽构造成储存用于剥离的液体并允许将所述锭块浸入所述液体中；以及
梁分离器，所述梁分离器构造成将梁从位于所述剥离槽中的所述锭块分离。
12.如权利要求11所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述输送单元将所述锭块放入所述剥离槽中，使得所述梁位于所述锭块的上部上，所述梁分离器在剥离槽上方的位置处沿所述梁的纵向方向去除所述梁，并且被去除的梁通过所述输送单元排出到外部。
13.如权利要求12所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，还包括：
卸载单元，所述卸载单元安装成与所述晶片分离单元相邻，并且构造成将所述多个晶片排出到外部。
14.如权利要求13所述的ASC工序自动化设备，其特征在于，所述卸载单元包括卸载机器人，所述卸载机器人构造成抓取所述多个晶片并从所述剥离槽输送所述多个晶片。
15.一种ASC工序自动化设备，包括：
锭块，所述锭块形成为使得梁附连于晶片；
输送单元，所述输送单元构造成线性地输送所述锭块并使所述锭块向上和向下运动；以及
轨道单元，所述轨道单元构造成允许所述输送单元安装至所述轨道单元，
其中，所述输送单元包括：
夹持单元，所述夹持单元构造成夹持所述锭块；
线性输送单元，所述线性输送单元安装成能够沿着所述轨道单元线性运动；以及
构造成使所述夹持单元向上和向下运动的向上/向下输送单元。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09326375A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Mitsubishi Materials Corp ウェハの洗浄方法および装置
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
JP2010080829A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Kyocera Corp 洗浄装置、基板の製造方法、および太陽電池素子
CN102272913A (zh) * 2009-01-13 2011-12-07 株式会社艾克萨 晶片分离装置、晶片分离输送装置、晶片分离方法、晶片分离输送方法以及用于太阳能电池的晶片分离输送方法
KR101586940B1 (ko) * 2014-08-18 2016-01-19 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 에칭 장치
CN205940134U (zh) * 2016-07-21 2017-02-08 广东广云新材料科技股份有限公司 一种配合熔铝炉的投料机构
KR101964568B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-01 손귀욱 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100936191B1 (ko) * 2007-08-24 2010-01-11 하나실리콘(주) 잉곳 세정 장치 및 잉곳 세정 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
JPH09326375A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Mitsubishi Materials Corp ウェハの洗浄方法および装置
JP2010080829A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Kyocera Corp 洗浄装置、基板の製造方法、および太陽電池素子
CN102272913A (zh) * 2009-01-13 2011-12-07 株式会社艾克萨 晶片分离装置、晶片分离输送装置、晶片分离方法、晶片分离输送方法以及用于太阳能电池的晶片分离输送方法
KR101586940B1 (ko) * 2014-08-18 2016-01-19 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 에칭 장치
CN205940134U (zh) * 2016-07-21 2017-02-08 广东广云新材料科技股份有限公司 一种配合熔铝炉的投料机构
KR101964568B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-01 손귀욱 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치

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