CN115489040A - 一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法 - Google Patents

一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115489040A
CN115489040A CN202211149318.7A CN202211149318A CN115489040A CN 115489040 A CN115489040 A CN 115489040A CN 202211149318 A CN202211149318 A CN 202211149318A CN 115489040 A CN115489040 A CN 115489040A
Authority
CN
China
Prior art keywords
main
silicon wafer
main roller
area
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211149318.7A
Other languages
English (en)
Inventor
伍金军
彭云祥
陈欣琪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yichun Yuze New Energy Co ltd
Original Assignee
Yichun Yuze New Energy Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yichun Yuze New Energy Co ltd filed Critical Yichun Yuze New Energy Co ltd
Priority to CN202211149318.7A priority Critical patent/CN115489040A/zh
Publication of CN115489040A publication Critical patent/CN115489040A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本申请提供一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,包括如下步骤:(1)根据需求确定硅片的目标片厚;(2)测量并确定钢线的有效线径;(3)将主辊分三段开槽,从钢线进线到出线方向开槽处的长度依次均匀分为LI、L2和L3三个区域;(31)确定L1区域的主辊槽距为目标片厚+钢线有效线径;(32)确定L2区域的主辊槽距为L1区域的主辊槽距减M距离;(33)确定L3区域的主辊槽距为L2区域的主辊槽距减N距离,本申请结构合理,硅片片厚均匀,硅片出片多,节约成本。

Description

一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法
技术领域
本申请涉及主辊开槽方法,具体地,涉及一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法。
背景技术
硅片作为光伏行业下游电池及组件产品的主要原材料之一,经历了由砂浆切割向金刚线切割的技术更替,带动了硅片产品持续降本增效。在硅片环节,继续推进硅片向“大尺寸”和“薄片化”方向发展将会成为未来持续降本增效的重要措施。硅片大尺寸化有利于在不增加设备和人力的情况下增加硅片产出,进而摊低硅片成本;硅片薄片化有利于在相同切割时间内增加硅片产出、减少硅料消耗,来降低硅片成本。
现有技术中,硅片出片数量取决于开槽参数,都是采用均一的开槽距离,随着切割过程中钢线的磨损,磨损越严重的位置,硅片越厚,导致硅片的片厚不均匀,而且存在一定的厚度浪费,增加生产成本,因此,急需一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法来解决上述出现的问题。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本申请目的是提供一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为了实现上述目的,本申请提供了一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,包括如下步骤:
(1)根据需求确定硅片的目标片厚;
(2)测量并确定钢线的有效线径;
(3)将主辊分三段开槽,从钢线进线到出线方向开槽处的长度依次均匀分为LI、L2和L3三个区域;
(31)确定L1区域的主辊槽距为目标片厚+钢线有效线径;
(32)确定L2区域的主辊槽距为L1区域的主辊槽距减M距离;
(33)确定L3区域的主辊槽距为L2区域的主辊槽距减N距离。
进一步地,所述主辊设置有两个,两个所述主辊上的一端对角设置有预留的主辊槽距。
进一步地,两个所述主辊之间的所述钢线所在的在同一竖直面上的主辊槽距相同。
进一步地,所述步骤(31)中的钢线有效线径为L1、L2和L3区域内的钢线的有效线径平均值。
进一步地,所述步骤(32)中的M和步骤(33)中的N数值相同。
进一步地,所述步骤(32)中的M数值为0.5-1.5um,所述步骤(33)中的N的数值为0.5-1.5um。
进一步地,所述步骤(32)中的M数值为1um,所述步骤(33)中的N的数值为1um。
进一步地,所述L1区域的主辊槽距、L2区域的主辊槽距和L3区域的主辊槽距均为U型结构,且U型结构的主辊槽距的底面与其所对应处的钢线的底面相匹配。
根据本申请的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,通过相较于L1区域,L2、L3区域的主辊槽距的降低,线切理论片数将多于L1区域,实现了多出片的目的,避免钢线由于磨损导致硅片越厚存在厚度浪费的现象,从而节约生产成本,通过使用减小主辊局部位置的主辊槽距,从而保持硅片片厚的均匀性。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为根据本申请一实施例的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法的流程图;
图2为根据本申请一实施例的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法的结构图;
图中:1-主辊、2-主辊槽距、3-钢线。
具体实施方式
为使本申请实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本申请。
如图1所示,本申请提供一种技术方案:一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,包括如下步骤:
(1)根据需求确定硅片的目标片厚;
(2)测量并确定钢线3的有效线径;
(3)将主辊1分三段开槽,从钢线3进线到出线方向开槽处的长度依次均匀分为LI、L2和L3三个区域;
(31)确定L1区域的主辊槽距2为目标片厚+钢线3有效线径;
(32)确定L2区域的主辊槽距2为L1区域的主辊槽距2减M距离;
(33)确定L3区域的主辊槽距2为L2区域的主辊槽距2减N距离,该设计通过相较于L1区域,L2、L3区域的主辊槽距2的降低,线切理论片数将多于L1区域,实现了多出片的目的,避免钢线3由于磨损导致硅片越厚存在厚度浪费的现象,从而节约生产成本,通过使用减小主辊1局部位置的主辊槽距2,从而保持硅片片厚的均匀性。
参照图2,主辊1设置有两个,两个主辊1上的一端对角设置有预留的主辊槽距2,该设计预留的主辊槽距2是为了防止全部开槽,导致开槽刀具损伤,两个主辊1之间的钢线3所在的在同一竖直面上的主辊槽距2相同,该设计便于钢线3切割的硅片片厚更加均匀,提高硅片片厚的均匀性。
参照图1,步骤(31)中的钢线3有效线径为L1、L2和L3区域内的钢线3的有效线径平均值,步骤(32)中的M和步骤(33)中的N数值相同,该设计提高了L1区域的主辊槽距2得到数值的准确度,步骤(32)中的M数值为0.5-1.5um,步骤(33)中的N的数值为0.5-1.5um,步骤(32)中的M数值为1um,步骤(33)中的N的数值为1um。
参照图1,L1区域的主辊槽距2、L2区域的主辊槽距2和L3区域的主辊槽距2均为U型结构,且U型结构的主辊槽距2的底面与其所对应处的钢线3的底面相匹配,该设计提高了钢线3与主辊槽距2连接处的稳定性,防止钢线3与主辊槽距2发生错位导致钢线3损坏的现象。
参照图1-图2,作为本申请的一个实施例:工作人员先根据需求确定硅片的目标片厚,然后测量并确定钢线3的有效线径,将主辊1分三段开槽,从钢线3进线到出线方向开槽处的长度依次均匀分为LI、L2和L3三个区域,依次确定L1区域的主辊槽距2为目标片厚+钢线3有效线径,确定L2区域的主辊槽距2为L1区域的主辊槽距2减M距离,确定L3区域的主辊槽距2为L2区域的主辊槽距2减N距离,通过相较于L1区域,L2、L3区域的主辊槽距2的降低,线切理论片数将多于L1区域,实现了硅片多出片的目的,避免钢线3由于磨损导致硅片越厚存在厚度浪费的现象,从而节约生产成本,通过使用减小主辊1局部位置的主辊槽距2,从而保持硅片片厚的均匀性。
以40um规格产品线径,线切182尺寸165um片厚为例,现有常规参数槽距,工艺主辊槽距2设定为226um,按照固定硅棒长度830mm计算,理论出片数是3672片(830/0.226),其中理论片数=硅棒长度/主辊槽距2。
采用本发明提供的三段式开槽方法,L1区域的主辊槽距226um,L2区域的主辊槽距225um,L3区域的主辊槽距2为224um,理论出片数是3688片(276.6/0.224+276.6/0.225+276.6/0.226),线切一刀可多出16片,按照每月切割10000刀计算(10000*16=16万片,按照每片单价6.5元合算*16万片=104万元)每月可增收104万元。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)根据需求确定硅片的目标片厚;
(2)测量并确定钢线(3)的有效线径;
(3)将主辊(1)分三段开槽,从钢线(3)进线到出线方向开槽处的长度依次均匀分为LI、L2和L3三个区域;
(31)确定L1区域的主辊槽距(2)为目标片厚+钢线(3)有效线径;
(32)确定L2区域的主辊槽距(2)为L1区域的主辊槽距(2)减M距离;
(33)确定L3区域的主辊槽距(2)为L2区域的主辊槽距(2)减N距离。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,所述主辊(1)设置有两个,两个所述主辊(1)上的一端对角设置有预留的主辊槽距(2)。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,两个所述主辊(1)之间的所述钢线(3)所在的在同一竖直面上的主辊槽距(2)相同。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,所述步骤(31)中的钢线(3)有效线径为L1、L2和L3区域内的钢线(3)的有效线径平均值。
5.根据权利要求1所述的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,所述步骤(32)中的M和步骤(33)中的N数值相同。
6.根据权利要求5所述的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,所述步骤(32)中的M数值为0.5-1.5um,所述步骤(33)中的N的数值为0.5-1.5um。
7.根据权利要求6所述的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,所述步骤(32)中的M数值为1um,所述步骤(33)中的N的数值为1um。
8.根据权利要求1所述的一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法,其特征在于,所述L1区域的主辊槽距(2)、L2区域的主辊槽距(2)和L3区域的主辊槽距(2)均为U型结构,且U型结构的主辊槽距(2)的底面与其所对应处的钢线(3)的底面相匹配。
CN202211149318.7A 2022-09-21 2022-09-21 一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法 Pending CN115489040A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211149318.7A CN115489040A (zh) 2022-09-21 2022-09-21 一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211149318.7A CN115489040A (zh) 2022-09-21 2022-09-21 一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115489040A true CN115489040A (zh) 2022-12-20

Family

ID=84470551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211149318.7A Pending CN115489040A (zh) 2022-09-21 2022-09-21 一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115489040A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10644178B2 (en) Solar battery and solar battery module
EP3836230A1 (en) Method for manufacturing monocrystalline silicon cell and monocrystalline silicon wafer, and photovoltaic module
CN109967529B (zh) 改善极薄带轧后边紧肋浪板形缺陷的工作辊辊形设计方法
CN104441281B (zh) 一种超薄硅片的切割方法
CN108357002B (zh) 一种太阳能级硅片及其生产方法
CN112214864B (zh) 一种多道多层激光熔覆层尺寸预测方法
CN115489040A (zh) 一种太阳能级大尺寸薄片化的硅片加工用主辊的开槽方法
JP2008114318A (ja) ソーワイヤー及びワイヤーソー
EP3998640B1 (en) Conductive member and manufacturing method therefor, and photovoltaic assembly and manufacturing method therefor
CN110856963A (zh) 一种同时切割不同SiC厚度的多线切割机槽轮
CN213440477U (zh) 一种线切机主辊及线切机
CN102151699A (zh) 铝合金带材轧制方法
CN102335675B (zh) 提高边降控制能力的工作辊
CN114734543A (zh) 一种大尺寸超薄硅片的切割方法
CN111697102B (zh) 一种分步印刷太阳能电池主副栅偏移的调整方法
CN212264170U (zh) 一种无取向硅钢冷连轧设备
CN212147060U (zh) 提升效率的晶锭切片装置
CN207238849U (zh) 可实现毛边去除的精密金属带材加工生产线
CN111883611A (zh) 一种具有良好印刷性能的p型单晶硅片的制备方法
JPH10209479A (ja) 半導体薄膜及び光起電力素子の作製装置
CN219294404U (zh) 一种切片装置
CN116330502A (zh) 硅片的加工方法和具有其的电池片、光伏组件
CN110993726A (zh) 一种太阳能电池片的印刷工艺
CN213671199U (zh) 一种型材矫直装置
CN112848350B (zh) 一种叶片腹板避雷导线的定位装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination