CN115453818A - 微光刻中的基板加载 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微光刻中的基板加载。本发明涉及用于装载和卸载诸如半导体晶片的基板的方法、***和设备，涉及微光刻和类似的纳米制造技术。该***包括：两个或更多个基座；基板卡盘，其包括两个或更多个通道；转台，其具有顶面和与第二端相对定位的第一端，第一端和第二端中的每一者都包括相应的开口，每个开口包括两个或更多个切口和两个或更多个突片，所述转台能在第一位置与第二位置之间旋转；和致动器***，其用于调节转台与基板卡盘之间以及转台与基座之间的距离。
Description
本申请是申请号为201780046666.2的专利申请的分案申请，原申请的申请日为2017年6月2日，发明名称为“微光刻中的基板加载”。
优先权声明
本申请要求2016年7月29日提交的美国专利申请序列号62/368,443的优先权，该美国申请的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及在包含微光刻和类似的纳米制造技术的***和方法中装载诸如半导体晶片的基板/衬底。
背景技术
纳米制造包括制造具有大约100纳米以下的特征的非常小的结构。纳米制造在其中具有相当大影响的一个应用是集成电路的处理。半导体加工行业继续争取更大的产量，同时增加在基板上每单位面积形成的电路，因此纳米制造变得越来越重要。纳米制造提供了更好的过程控制，同时允许持续减少所形成结构的最小特征尺寸。已经采用纳米制造的其它研发领域包括生物技术、光学技术、机械***等。
纳米制造可以包括通过将基板暴露于多个处理模块来处理基板，以形成包括基板的多层结构的不同方面，例如蚀刻、光致抗蚀剂固化和特征形成。然而，在纳米制造***的不同模块中输送基板会影响***的吞吐量。
发明内容
本说明书中描述的主题的创新方面可以体现在包括以下动作的方法中：提供转台，该转台包括顶面和与第二端相对定位的第一端，第一端和第二端中的每一者包括相应的开口，每个开口包括两个或更多个切口和两个或更多个突片；提供基板卡盘，该基板卡盘包括与底面相对定位的顶面；将转台定位在第一位置，使得i)第一端的开口的两个或更多个切口与两个或更多个基座重叠，以及ii)两个或更多个基座的第一端远离转台的顶面延伸；增加转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离，以将第一基板从两个或更多个基座传送到转台的第一端的开口的两个或更多个突片；将转台从第一位置旋转到第二位置，使得i)转台的第一端的开口的两个或更多个突片与基板卡盘的两个或更多个通道重叠，以及ii)第二端的开口的两个或更多个切口与两个或更多个基座重叠；以及在将转台从第一位置旋转到第二位置之后，减小转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离，以在第一端的开口的两个或更多个突片定位在基板卡盘的通道内的同时将第一基板从转台的第一端的开口的两个或更多个突片传送到基板卡盘的顶面。
这些方面的其它实施例包括对应的***，以及构造成执行所述方法的动作的设备。
这些和其它实施例可各自可选地包括以下特征中的一个或多个。例如，在减小转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离之后，增加转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离，以便i)将其上形成有图案的第一基板从基板卡盘传送到转台的第一端的开口的两个或更多个突片，并且ii)将第二基板从两个或更多个基座传送到转台的第二端的开口的两个或更多个突片。在一些示例中，在增加转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离之后，将转台从第二位置旋转到第一位置，使得i)第一端的开口的两个或更多个切口与两个或更多个基座重叠，并且ii)转台的第二端的开口的两个或更多个突片与基板卡盘的两个或更多个通道重叠。在一些示例中，在将转台从第二位置旋转到第一位置之后，减小转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离，以便i)在转台的第二端的开口的两个或更多个突片位于基板卡盘的通道内的同时将第二基板从转台的第二端的开口的两个或更多个突片传送到基板卡盘的顶面，并且ii)将其上形成有图案的第一基板从转台的第一端的开口的两个或更多个突片传送到两个或更多个基座。
所述特征还包括例如在将转台从第一位置旋转到第二位置期间维持第一基板的一平面。在一些示例中，在减小转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离之后，在第一基板上形成图案。在一些示例中，在将转台从第一位置旋转到第二位置之前，将转台从第一位置旋转到第三位置，使得位于转台的第一端的开口的两个或更多个突片上的第一基板与检查站重叠；并且通过检查站在转台处于第三位置的状态下检查第一基板是否存在一个或多个缺陷。
本说明书中描述的主题的创新方面可以体现在一种***中，该***包括：两个或更多个基座；基板卡盘，其具有与底面相对定位的顶面，并且包括两个或更多个通道；转台，其具有顶面和与第二端相对定位的第一端，第一端和第二端中的每一者都包括相应的开口，每个开口包括两个或更多个切口和两个或更多个突片，转台能在第一位置与第二位置之间旋转，在第一位置，i)第一端的开口的两个或更多个切口与两个或更多个基座重叠，并且ii)两个或更多个基座的第一端远离转台的顶面延伸，在第二位置，i)转台的第一端的开口的两个或更多个突片与基板卡盘的两个或更多个通道重叠，并且ii)第二端的开口的两个或更多个切口与两个或更多个基座重叠；和致动器***，其用于在转台处于第一位置时减小转台的顶面与两个或更多个基座的第一端之间的距离以将第一基板从两个或更多个基座传送到转台的第一端的开口的两个或更多个突片，并且在转台处于第二位置时减小转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离以在两个或更多个突片位于基板卡盘的通道内的状态下将第一基板从转台的第一端的开口的两个或更多个突片传送到基板卡盘的顶面。
这些方面的其它实施例包括由该***执行的相应方法。
这些和其它实施例可各自可选地包括以下特征中的一个或多个。例如，该致动器***还构造成增加转台的顶面与基板的底面之间的距离，以便i)将其上形成有图案的第一基板从基板卡盘传送到转台的第一端的开口的两个或更多个突片，并且ii)将第二基板从两个或更多个基座传送到转台的第二端的开口的两个或更多个突片。在一些示例中，该***包括用于使转台在第一位置与第二位置之间旋转的旋转***。在一些示例中，在第一基板位于转台的第一端的开口的两个或更多个突片上的状态下维持第一基板的一平面。在一些示例中，该***包括用于在第一基板位于基板卡盘的顶面上时在第一基板中形成图案的图案形成***。在一些示例中，该***包括检查站，其中转台还能够旋转到第三位置，使得位于转台的第一端的开口的两个或更多个突片上的第一基板与检查站重叠，检查站在转台处于第三位置时检查第一基板是否存在一个或多个缺陷。
可以实施本说明书中描述的主题的具体实施方案以便实现以下优点中的一个或多个。本发明的实施方案可改善基板的输送，从而缩短基板的装载/卸载时间并增加吞吐量。
在附图和以下描述中阐述了本说明书中描述的主题的一个或多个实施例的细节。根据说明书、附图和权利要求，主题的其它潜在特征、方面和优点将变得显而易见。
附图说明
图1示出了光刻***的简化侧视图。
图2示出了具有位于其上的图案层的基板的简化侧视图。
图3示出了包括转台的基板装载***的透视图。
图4示出了转台的一部分的俯视图。
图5示出了基板卡盘的侧视图。
图6示出了基板装载***的侧视图。
图7示出了基板装载***的俯视图。
图8A-8H示出了基板装载***的简化侧视图，包括将基板装载至基座和基板卡盘以及从基座和基板卡盘卸载基板。
图9示出了包括检查站的基板装载***的俯视图。
图10示出了用于将基板装载到基座和基板卡盘上以及从基座和基板卡盘卸载基板的示例性方法。
具体实施方式
以下描述是以基板(例如半导体晶片)的装载和卸载为特征的方法和***，涉及微光刻和类似的纳米制造技术。具体而言，提供了转台，其具有顶面和与第二端相对定位的第一端。在一些示例中，第一和第二端中的每一者都包括相应的开口，每个开口都包括两个或更多个切口和两个或更多个突片。提供了基板卡盘，其具有与底面相对定位的顶面。转台位于第一位置，使得i)第一端的开口的两个或更多个切口与两个或更多个基座重叠，并且ii)两个或更多个基座的第一端远离转台的顶面延伸。增加转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离，以将第一基板从两个或更多个基座传送到转台的第一端的开口的两个或更多个突片。转台从第一位置旋转到第二位置，使得i)转台的第一端的开口的两个或更多个突片与基板卡盘的两个或更多个通道重叠，并且ii)第二端的开口的两个或更多个切口与两个或更多个基座重叠。在将转台从第一位置旋转到第二位置之后，减小转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离，以在第一端的开口的两个或更多个突片位于基板卡盘的通道内的状态下将第一基板从转台的第一端的开口的两个或更多个突片传送到基板卡盘的顶面。
图1示出了在基板102上形成浮凸图案的压印光刻***100。基板102可联接到基板卡盘104。在一些示例中，基板卡盘104可以包括真空卡盘、销型卡盘、槽型卡盘、电磁卡盘等。在一些示例中，基板102和基板卡盘104还可以位于空气轴承106上。空气轴承106提供围绕x、y和/或z轴的运动。在一些示例中，基板102和基板卡盘104位于平台上。空气轴承106、基板102和基板卡盘104也可位于基部108上。在一些示例中，机器人***110将基板102定位在基板卡盘104上。
基板102可以包括与基板卡盘104相对定位的平坦表面111。在一些示例中，基板102可以与跨越基板102的基本上均匀(恒定)的厚度相关联。
根据设计考虑，压印光刻***100还包括联接到一个或多个辊114的压印光刻柔性模板112。辊114提供柔性模板112的至少一部分的运动。这种运动可选择性地提供柔性模板112的与基板102重叠的不同部分。在一些示例中，柔性模板112包括图案化表面，该图案化表面包括多个特征(部)，例如间隔开的凹槽和凸部。然而，在一些示例中，特征的其它构型是可以的。图案化表面可限定形成要在基板102上形成的图案的基础的任何原始图案。在一些示例中，柔性模板112可联接到模板卡盘，例如真空卡盘、销型卡盘、槽型卡盘、电磁卡盘等。
压印光刻***100还可包括流体分配***120。流体分配***120可用于将可聚合材料沉积在基板102上。可聚合材料可使用诸如液滴分配、旋涂、浸涂、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、薄膜沉积、厚膜沉积等技术定位在基板102上。在一些示例中，可聚合材料作为多个液滴定位在基板102上。
参照图1和2，压印光刻***100还可包括联接成将能量引向基板102的能量源122。在一些示例中，辊114和空气轴承106构造成将柔性模板112的期望部分和基板102定位在期望位置。压印光刻***100可由与空气轴承106、辊114、流体分配***120和/或能量源122通信的处理器调节，并且可在存储在存储器中的计算机可读程序上操作。
在一些示例中，辊114、空气轴承106或两者改变柔性模板112与基板102之间的距离，以在其间限定由可聚合材料填充的所需容积。例如，柔性模板112接触可聚合材料。在通过可聚合材料填充所需容积之后，能量源122产生能量，例如宽带紫外线辐射，从而使可聚合材料固化和/或交联，以符合基板102的表面和柔性模板122的图案化表面的一部分的形状，从而在基板102上限定图案层150。在一些示例中，图案层150可包括残留层152以及示出为突起154和凹陷156的多个特征。
图3示出了基板装载***302的透视图。简而言之，基板装载***302便于将基板装载到一个或多个站(例如，基座和/或基板卡盘)和从一个或多个站卸载。基板装载***302包括转台304，转台304具有顶面306和与第二端310相对定位的第一端308。第一端308包括开口312a、312b(统称为开口312)；并且第二端310包括开口314a、314b(统称为开口314)。然而，第一端308和第二端310可分别包括任何数量的开口314和316。每个开口312、314包括切口和突片。具体而言，图4示出了开口312、314中的一个的俯视图，其包括切口316a、316b、316c、316d(统称为切口316)和突片318a、318b、318c、318d(统称为突片318)。然而，每个开口312、314可包括任何数量的切口316和突片318。
基板装载***302还包括基板卡盘320a、320b、320c、320d(统称为基板卡盘320)；然而，***302可包括任何数量的基板卡盘320。图5示出了其中一个基板卡盘320的侧视图。基板卡盘320包括与底面324相对定位的顶面322。基板卡盘320还包括位于每个基板卡盘320的周界处的通道326。在一些示例中，对于特定开口312、314，通道326的数量与特定开口312、314的突片318的数量匹配。基板装载***302还包括基座平台330，基座平台330包括多个基座332。在一些示例中，基座332的第一子集可以与第一高度相关联，并且基座332的第二子集可以与第二高度相关联。
参照图6，示出了基板装载***302的侧视图。基板装载***302还包括致动器***340和旋转***342。致动器***340增加和/或减少转台304相对于基板卡盘320和基座332的相对定位。旋转***342使转台304相对于轴线344旋转。基板装载***302还包括空气轴承350和支承结构352。在一些示例中，空气轴承350便于基板卡盘320围绕支承结构352的移动。参照图7，示出了基板装载***302的俯视图。基板装载***302还包括检查基板是否存在一个或多个缺陷的检查站346。
参照图8A-8H，示出了便于将基板装载到基座332和基板卡盘320以及从基座332和基板卡盘320卸载基板的基板装载***302。具体而言，在一些实施方案中，如图8A所示，旋转***342将转台304定位在第一位置。具体而言，旋转***342使转台304围绕轴线344旋转，使得转台处于第一位置。在一些示例中，通过旋转***342将转台304定位在第一位置包括使第一端308的每个开口312的切口316与基座332重叠。在一些示例中，通过旋转***342将转台304定位在第一位置包括使各基座332的第一端354远离转台304的顶面306延伸。
在一些实施方案中，如图8B所示，致动器***340增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离。亦即，致动器***340沿着远离支承结构352的方向平移。在一些示例中，增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离包括将位于基座332上的第一基板360传送到转台304的第一端308的开口312的突片318。
在一些示例中，通过将第一基板360传送到转台304的第一端308的开口312的突片318，与第一基板360的接触最小化。亦即，通过使第一基板360仅与转台304的突片318接触，这些之间的接触最小化。通过最小化——例如通过突片318——与第一基板360的接触，引入第一基板360的可能缺陷被最小化，并且转台304对第一基板360的颗粒污染最小化。
在一些实施方案中，如图8C所示，旋转***342将转台304从第一位置旋转到第二位置。具体而言，旋转***342使转台304围绕轴线344旋转，使得转台304处于第二位置。在一些示例中，将转台304定位在第二位置包括使转台304的第一端308的开口312的突片318与基板卡盘320的通道326重叠。在一些示例中，将转台304定位在第二位置包括使转台304的第二端310的开口314的切口316与基座332重叠。
在一些示例中，在转台304从第一位置旋转到第二位置期间保持第一基板360的平面。具体而言，如图8B所示，第一基板360围绕平面380放置。为此，在转台304从第一位置旋转到第二位置期间，保持第一基板360的平面380，如图8C所示。在一些示例中，保持第一基板360的平面380包括最小化(如果不是防止的话)第一基板360的非期望的角向运动(例如，相对于平面380)。在一些示例中，第一基板360的平面380贯穿第一基板360装载到基座332和基板卡盘320以及从基座332和基板卡盘320卸载第一基板360的任何或所有部分保持。
在一些实施方案中，如图8D所示，在旋转***342将转台304从第一位置旋转到第二位置之后，致动器***340减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离。亦即，致动器***340沿着朝向支承结构352的方向平移。在一些示例中，减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离包括在转台304的第一端308的开口312的突片318位于基板卡盘320的通道326内的状态下将基板360从转台304的第一端308的开口312的突片318传送到基板卡盘320的顶面322。
在一些实施方案中，如图8E所示，在减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离之后，图案形成***——例如如图1所示——在第一基板360(或位于其上的层)中形成图案。具体地，空气轴承350便于基板卡盘320在远离转台320并朝向图案形成***(未示出)的方向上围绕支承结构352移动。在一些示例中，与在第一基板360中形成图案的同时(或与在第一基板360中形成图案的过程的一部分的同时)，机器人***(未示出)将第二基板372定位在基座332上。
在一些实施方案中，如图8F所示，在减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离之后，致动器***340增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离。亦即，致动器***340沿着远离支承结构352的方向平移。在一些示例中，致动器***340在于第一基板360中形成图案之后增加转台304的顶面306与基板320的底面324之间的距离，如参考图8E所述；亦即，在空气轴承350促进基板卡盘320围绕支承结构352在朝向转台320并远离图案形成***(未示出)的方向上移动之后。
在一些示例中，增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离包括将其上形成有图案370的第一基板360从基板卡盘320传送到转台304的第一端308的开口312的突片318。在一些示例中，增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离包括将第二基板372从基座332传送到转台304的第二端310的开口314的突片318。
在一些实施方案中，如图8G所示，在增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离之后，旋转***342将转台304从第二位置旋转到第一位置。具体而言，旋转***342使转台304围绕轴线344旋转，使得转台304处于第一位置。在一些示例中，将转台定位在第一位置包括使转台304的第一端308的开口312的切口316与基座332重叠。在一些示例中，将转台304定位在第一位置包括使转台304的第二端310的突片318与基板卡盘320的通道326重叠。
在一些实施方案中，如图8H所示，在将转台从第二位置旋转到第一位置之后，致动器***340减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离。亦即，致动器***340沿着朝向支承结构352的方向平移。在一些示例中，减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离包括在转台304的第二端310的开口314的突片318位于基板卡盘320的通道326内的状态下将第二基板372从转台304的第二端310的突片318传送到基板卡盘320的顶面322。在一些示例中，减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面324之间的距离包括将其上形成有图案370的第一基板360从转台304的第一端308的开口312的突片318传送到基座332。
在一些示例中，第二基板372可以与上面关于第一基板360描述的类似地进行处理，并且具体而言，可以将在图8A-8H中描述的过程应用于第二基板372。在一些示例中，任何图8A-8H的步骤可以顺序地或并行地发生。
为了简化说明，示出了单个第一基板360、单个第二基板372和单个基板卡盘320；然而，可以将图8A-8H的过程关于多个基板卡盘320应用于多个第一基板360和多个第二基板372。亦即，多个第一基板360和多个第二基板372可以同时经历图8A-8H的过程。
在一些实施方案中，如图9所示，在旋转***342将转台304从第一位置旋转到第二位置之前，旋转***342将转台304从第一位置旋转到第三位置。具体而言，旋转***342使转台304围绕轴线344旋转，使得转台304处于第三位置。在一些示例中，将转台304定位在第三位置包括使转台304的第一端308的开口312的突片与检查站346重叠。在一些示例中，当转台位于第三位置时，检查站346检查第一基板360是否存在一个或多个缺陷。
在一些实施方案中，旋转***342将转台304旋转到第四位置。具体而言，旋转***342使转台304围绕轴线344旋转，使得转台304处于第四位置。在一些示例中，第四位置包括使转台304的第一端308的开口312与沉积站(未示出)重叠。具体而言，在一些示例中，在于第一基板360上形成图案层370之后，旋转***342将转台304旋转到第四位置，亦即，第一基板360与沉积站重叠。沉积站可以包括喷墨流体分配***，其在图案层370上分配反射材料层。在一些示例中，反射材料层可以包含铝和/或银。
在一些示例中，转台304的第一端308可以与转台304的第二端310与检查站346重叠同时地定位成与沉积站重叠。在一些示例中，转台304的第一端308可以与转台304的第二端310与基座332重叠同时地定位成与沉积站重叠；或与基板卡盘320重叠。
图10示出了用于将基板装载到基座和基板卡盘上以及从基座和基板卡盘卸载基板的示例性方法。过程1000被示为排列在逻辑流程图中的参考动作的集合。描述动作的顺序并非旨在被解释为限制，并且任何数量的所描述的动作可以以其它顺序和/或并行地组合以实施该过程。
提供转台304，其具有顶面306和与第二端310相对定位的第一端308(1002)。在一些示例中，第一端308和第二端310中的每一者都包括相应的开口312、314。在一些示例中，每个开口312、314都包括两个或更多个切口316和两个或更多个突片318。提供基板卡盘320，其具有与底面332相对定位的顶面322(1004)。将转台304定位在第一位置(1006)。例如，旋转***342将转台304旋转到第一位置。在一些示例中，将转台304定位在第一位置包括：i)第一端308的开口312的两个或更多个切口316与两个或更多个基座332重叠，以及ii)两个或更多个基座332的第一端354远离转台304的顶面306延伸。
增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面332之间的距离(1008)。例如，致动器***340增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面332之间的距离。在一些示例中，增加转台304的顶面306与基板卡盘320的底面332之间的距离，以将第一基板360从基座332传送到转台306的第一端308的开口312的突片318。
将转台304从第一位置旋转到第二位置(1010)。例如，旋转***342将转台304从第一位置旋转到第二位置。在一些示例中，从第一位置旋转转台304包括i)转台306的第一端308的开口312的突片318与基板卡盘320的通道326重叠，以及ii)第二端310的开口314的切口316与基座332重叠。
在将转台304从第一位置旋转到第二位置之后，减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面3323之间的距离(1012)。例如，致动器***340减小转台304的顶面306与基板卡盘的底面332之间的距离。在一些示例中，减小转台304的顶面306与基板卡盘320的底面3323之间的距离，以在第一端308的开口312的突片318位于基板卡盘320的通道326内的状态下将第一基板360从转台304的第一端308的开口312的突片318传送到基板卡盘320的顶面322。
Claims (7)
1.一种压印光刻方法，包括：
将转台定位在第一位置，使得i)与第二开口端相对定位的第一开口端的开口的两个或更多个切口与相应的两个或更多个基座重叠，并且ii)所述两个或更多个基座的第一基座端远离所述转台的顶面延伸；
增加所述转台的顶面与基板卡盘的底面之间的距离，以将第一基板从所述两个或更多个基座传送到所述转台的第一开口端的开口的两个或更多个突片，所述基板卡盘包括与所述底面相对定位的顶面；
将所述转台从所述第一位置旋转到第二位置，使得i)所述转台的第一开口端的开口的所述两个或更多个突片与所述基板卡盘的两个或更多个通道重叠，并且ii)所述第二开口端的开口的两个或更多个切口与所述两个或更多个基座重叠；
将所述转台从所述第一位置旋转到所述第二位置；以及
减小所述转台的顶面与所述基板卡盘的底面之间的距离，以在所述转台的第一开口端的开口的所述两个或更多个突片位于所述基板卡盘的通道内的同时将所述第一基板从所述第一开口端的开口的所述两个或更多个突片传送到所述基板卡盘的顶面。
2.根据权利要求1所述的压印光刻方法，还包括：
在减小所述转台的顶面与所述基板卡盘的底面之间的距离之后，增加所述转台的顶面与所述基板卡盘的底面之间的距离，以便i)将其上形成有图案的第一基板从所述基板卡盘传送到所述转台的第一开口端的开口的所述两个或更多个突片，并且ii)将第二基板从所述两个或更多个基座传送到所述转台的第二开口端的开口的两个或更多个突片。
3.根据权利要求2所述的压印光刻方法，还包括：
增加所述转台的顶面与所述基板卡盘的底面之间的距离；以及
将所述转台从所述第二位置旋转到所述第一位置，使得i)所述第一开口端的开口的所述两个或更多个切口与所述两个或更多个基座重叠，并且ii)所述转台的第二开口端的开口的所述两个或更多个突片与所述基板卡盘的所述两个或更多个通道重叠。
4.根据权利要求3所述的压印光刻方法，还包括：
在将所述转台从所述第二位置旋转到所述第一位置之后，减小所述转台的顶面与所述基板卡盘的底面之间的距离，以便i)在所述转台的第二开口端的开口的所述两个或更多个突片位于所述基板卡盘的通道内的同时将所述第二基板从所述转台的第二开口端的开口的所述两个或更多个突片传送到所述基板卡盘的顶面，并且ii)将其上形成有图案的所述第一基板从所述转台的第一开口端的开口的所述两个或更多个突片传送到所述两个或更多个基座。
5.根据权利要求1所述的压印光刻方法，其中，在将所述转台从所述第一位置旋转到所述第二位置期间保持所述第一基板的一平面。
6.根据权利要求1所述的压印光刻方法，还包括在减小所述转台的顶面与所述基板卡盘的底面之间的距离之后，在所述第一基板上形成图案。
7.根据权利要求1所述的压印光刻方法，还包括：
在将所述转台从所述第一位置旋转到所述第二位置之前，将所述转台从所述第一位置旋转到第三位置，使得位于所述转台的第一开口端的开口的所述两个或更多个突片上的第一基板与检查站重叠；以及
在所述转台处于所述第三位置的同时通过所述检查站检查所述第一基板是否存在一个或多个缺陷。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060132734A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007109770A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| WO2007084774A2 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
| JP2010188580A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Meisho Kiko Kk | ナノインプリント装置 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
| US6054029A (en) * | 1996-02-23 | 2000-04-25 | Singulus Technologies Gmbh | Device for gripping, holdings and/or transporting substrates |
| US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US7129694B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
| US7029529B2 (en) * | 2002-09-19 | 2006-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for metallization of large area substrates |
| JP2004128249A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Sendai Nikon:Kk | 基板保持搬送方法、基板ホルダ、基板搬送装置、基板保持搬送装置及び露光装置 |
| US6805054B1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-10-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes |
| US7656506B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
| WO2009149211A2 (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-10 | Vserv Technologies Corp | System for simultaneous tabbing and stringing of solar cells |
| JP2010067336A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Sony Disc & Digital Solutions Inc | 真空転写装置、真空転写方法 |
| US9685186B2 (en) * | 2009-02-27 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | HDD pattern implant system |
| US8870513B2 (en) * | 2009-03-18 | 2014-10-28 | Oerlikon Advanced Technologies Ag | Vacuum treatment apparatus |
| WO2011059749A2 (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-19 | Applied Materials, Inc. | Vertically integrated processing chamber |
| JP5411201B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| TWM394568U (en) * | 2010-07-23 | 2010-12-11 | Chen Long Technology Corp Ltd | Multiplexing wafer baking processing system |
| CN102969258B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-01-20 | 细美事有限公司 | 基板处理设备及基板传送方法 |
| US9368347B2 (en) * | 2012-09-20 | 2016-06-14 | Thomas Christ Dimitriadis | Apparatus and method for irradiating |
| JP6280487B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2018-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP6093741B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2017-03-08 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置及びウェーハの研磨方法 |
| JP6457307B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2019-01-23 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 |
| JP6895445B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2021-06-30 | インポッシブル オブジェクツ，エルエルシー | 自動化された複合系付加製造のための方法および装置 |
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-
2018
- 2018-06-14 US US16/008,728 patent/US10317806B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-24 IL IL264449A patent/IL264449B/en unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060132734A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007109770A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| WO2007084774A2 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
| JP2010188580A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Meisho Kiko Kk | ナノインプリント装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NZ785529A (en) | 2023-03-31 |
| TWI719228B (zh) | 2021-02-21 |
| AU2017301437B2 (en) | 2021-09-30 |
| NZ750120A (en) | 2022-03-25 |
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| JP6765503B2 (ja) | 2020-10-07 |
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