CN115325892B - 用于分析电子***是否受干扰复位的方法及*** - Google Patents
用于分析电子***是否受干扰复位的方法及*** Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种用于分析电子***是否受干扰复位的方法及***，包括：***通过A、B总线给电子***模块供电；电子***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加；***进行电子***芯片组网，对电子***芯片进行在线点名；电子***芯片接收到点名命令后，返回电子***芯片用户识别码UID；***内部将电子***芯片的UID和对应的复位次数N建立映射表后存储在Flash内部；***完成组网后进行一系列操作，完成当前的电子***模块实爆；完成实爆后，如果存在电子***模块拒爆的现象，用***对拒爆电子***模块作进一步的分析。本发明有助于电子***的抗干扰方案地整改和优化，降低电子***在各类小断面应用的拒爆率。
Description
技术领域
本发明涉及电子***的技术领域，具体地，涉及用于分析电子***是否受干扰复位的方法及***。
背景技术
随着电子***的广泛应用，电子***在一些***现场尤其是地下矿的小断面掘进***时，出现明显的盲炮问题。与地面露天***应用不同，地下小断面***面狭小、孔间距小，电子***在组网***时，通常需要设置不同的延时，组网的电子***之间的间距比较近，先***的电子******后产生的强烈冲击波和电磁干扰都会影响后***的***，导致电子***停止工作或出现异常。拒爆的电子***大都外观良好，无明显结构损伤，其中有一些***内部电路损伤且不可修复；有一些***电路完好。也有一些外观损坏的拒爆***往往是因为前期***造成的机械力损坏导致，在其他***场景也会存在类似情况。
现有技术有部分电子***模块在芯片前级通过额外的防护电路或放电装置，来抑制或者减弱干扰的影响，但是实际上由于干扰信号频率过高很难完全消除，残留的信号还是容易进入芯片内部导致***失效。而一旦芯片发生复位，因为现场所有信息都丢失，缺乏有效的进一步分析的手段。
在公开号为CN111750748A的专利文献中公开了本发明公开了电子***抗电磁干扰方法。在小断面***时，电磁干扰易引起电子***的误引爆与拒爆。本发明方法在控制芯片中增设一个电平输出管脚g，管脚g在控制芯片上电复位后输出低电平，在控制芯片在收到起爆命令后输出高电平；增设一个Nmos管和一个防返流二极管；管脚g接Nmos管的栅极，Nmos管的漏极接防返流二极管的阳极，防返流二极管的阴极接控制芯片的电源端，Nmos管的源极接整流桥的接地端。当有电子***起爆时，后起爆电子***的引脚线上感应出***引发电磁干扰而产生的电流脉冲，电流脉冲直接传输到大地，控制芯片不会被***引起的电磁脉冲干扰。
因此，需要提出一种新的技术方案以改善上述技术问题。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种用于分析电子***是否受干扰复位的方法及***。
根据本发明提供的一种用于分析电子***是否受干扰复位的方法，所述方法包括如下步骤：
步骤S1：***通过A、B总线给电子***模块供电，电子***模块中的电子***芯片上电后完成复位，复位后从带电可擦可编程只读存储器EEPROM加载复位次数信息到复位次数寄存器；
步骤S2：电子***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加，完成后将结果存储到带电可擦可编程只读存储器EEPROM，进入步骤S3，否则不做任何处理；
步骤S3：***进行电子***芯片组网，对电子***芯片进行在线点名；
步骤S4：电子***芯片接收到点名命令后，返回电子***芯片用户识别码UID，将电子***芯片的当前复位次数N返回给***；
步骤S4：***内部将电子***芯片的UID和对应的复位次数N建立映射表后存储在Flash内部；
步骤S5：***完成组网后进行一系列操作，包括延期设置、起爆密码验证、高压电容充电及发送起爆命令，完成当前的电子***模块实爆；
步骤S6：完成实爆后，如果存在电子***模块拒爆的现象，用***对拒爆电子***模块作进一步的分析。
优选地，所述步骤S6包括如下步骤：
步骤S6.1：***对单发电子***芯片进行点名操作，得到电子***芯片的UID和当前复位次数值M；
步骤S6.2：***根据当前电子***芯片的UID，从Flash里面检索出该电子***芯片实爆前的复位计数值N；
步骤S6.3：如果M=N+1，说明电子***芯片实爆过程中没有发生复位；如果M>=N+2,则说明电子***芯片实爆过程中发生了一次以上的复位。
优选地，所述***完成对电子***模块的起爆控制；
所述电子***模块通过脚线接收***的指令，完成起爆引爆***，所述电子***模块包含电子***芯片和前级保护电路；
所述前级保护电路包含瞬态高压抑制管和静电保护管，抑制从脚线进入的瞬态高压信号；
所述电子***芯片是电子***模块的主控芯片，接收指令，控制延期，完成起爆。
优选地，所述电子***芯片包括可调节低压差线性稳压器LDO、基准电压电路、充放电电路、振荡器电路、POR上电复位电路、数字逻辑电路、带电可擦可编程只读存储器EEPROM、发火控制管、功率管、通信电路、储能电容C、发火电阻R和点火开关MOS管；
所述可调节低压差线性稳压器LDO分别与充放电电路、上电复位电路、数字逻辑电路及基准电压电路相连接；所述充放电电路分别与数字逻辑电路、基准电压电路、发火电阻R和储能电容C相连接；所述上电复位电路分别与基准电压电路和数字逻辑电路相连接；所述数字逻辑电路分别与振荡器电路、通信电路、带电可擦可编程只读存储器EEPROM及点火开关MOS管的栅极相连接；所述发火电阻R的另一端与点火开关MOS管的漏极相连接，所述储能电容C的另一端接地，所述点火开关MOS管的源极接地。
优选地，所述可调节低压差线性稳压器LDO进行高压电源到低压电源的转换，输出的低压供振荡器、数字逻辑电路、通信电路和带电可擦可编程只读存储器EEPROM使用，通过发火控制管控制作为发火开关功率管栅极的驱动电压；
所述基准电压电路产生上电复位电路及可编程低压线性稳压器需要的基准电压REF1、REF2、REF3，分别用于LDO、上电复位电路和电荷泵；
所述充放电电路包含限流电阻和充、放电管，对储能电容C进行充放电管理。
优选地，所述振荡器电路为数字逻辑电路提供时钟CLK，时钟频率在100K以上；
所述POR上电复位电路为电子***芯片上电后产生的全芯片复位信号POR的电路，POR信号有效电平为低电平；
所述数字逻辑电路为电子***芯片对外通信和芯片内部状态转换、延期控制的逻辑电路。
优选地，所述带电可擦可编程只读存储器EEPROM储存***的用户识别码UID、起爆密码、延期值、复位次数及其他用户配置信息；
所述通信电路将二总线信号写入数据转完成***芯片内部数字逻辑信号，当二总线从***芯片读数据时进行A、B短接提供反馈电流；通信电路为电子***内部与***完成通信功能的电路，接收***指令和返回数据给***；
所述发火控制管由数字逻辑电路控制，当FIRE为高时，发火控制管导通，LDO输出电压输出给发火开关功率管栅极，打开功率管。
优选地，所述功率管采用LDMOS横向扩散金属氧化物半导体的发火开关MOS管，当栅极控制信号FIRE有效时，打开MOS管，储能电容C释放能量，加热发火电阻R，引爆点火电阻上的药头；
所述储能电容C在电子***芯片进入延期后给芯片供电，在起爆时提供能量加热发火电阻R；
所述发火电阻R采用桥丝电阻或贴片金属电阻，用于发火，点燃药头；
所述点火开关MOS管控制储能电容C释放能量的电流通路，引爆发火元件。
本发明还提供一种用于分析电子***是否受干扰复位的***，所述***包括如下模块：
模块M1：***通过A、B总线给电子***模块供电，电子***模块中的电子***芯片上电后完成复位，复位后从带电可擦可编程只读存储器EEPROM加载复位次数信息到复位次数寄存器；
模块M2：电子***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加，完成后将结果存储到带电可擦可编程只读存储器EEPROM，进入模块M3，否则不做任何处理；
模块M3：***进行电子***芯片组网，对电子***芯片进行在线点名；
模块M4：电子***芯片接收到点名命令后，返回电子***芯片用户识别码UID，将电子***芯片的当前复位次数N返回给***；
模块M4：***内部将电子***芯片的UID和对应的复位次数N建立映射表后存储在Flash内部；
模块M5：***完成组网后进行一系列操作，包括延期设置、起爆密码验证、高压电容充电及发送起爆命令，完成当前的电子***模块实爆；
模块M6：完成实爆后，如果存在电子***模块拒爆的现象，用***对拒爆电子***模块作进一步的分析。
优选地，所述模块M6包括如下模块：
模块M6.1：***对单发电子***芯片进行点名操作，得到电子***芯片的UID和当前复位次数值M；
模块M6.2：***根据当前电子***芯片的UID，从Flash里面检索出该电子***芯片实爆前的复位计数值N；
模块M6.3：如果M=N+1，说明电子***芯片实爆过程中没有发生复位；如果M>=N+2,则说明电子***芯片实爆过程中发生了一次以上的复位。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
1、本发明可以用来评价不同的抗冲击电路的有效性，从而提高电子***在各类小断面应用的成功率，也为电子***全面代替传统***奠定了基础；
2、本发明方法易于实现，尤其适合于包含可多次编程存储器（如带电可擦可编程只读存储器EEPROM）的电子***芯片，只需要在存储器中增加记录复位次数的信息，并且在芯片每次复位之后自动加1后更新存储器；
3、应用本发明，***只需要在存储器里面增加一个***UID和复位次数的映射表即可，不需要做大的调整就可以实现；
4、采用本发明之后，可以有效地确认电子***拒爆是否因为复位导致，有助于电子***的抗干扰方案地整改和优化，从而降低电子***在各类小断面应用的拒爆率。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明电子***组网示意图；
图2为本发明起爆***电路组成结构图；
图3为本发明电子***芯片示意图；
图4为本发明***芯片内部处理流程图；
图5为本发明拒爆***分析流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1：
根据本发明提供的一种用于分析电子***是否受干扰复位的方法，方法包括如下步骤：
步骤S1：***通过A、B总线给电子***模块供电，电子***模块中的电子***芯片上电后完成复位，复位后从带电可擦可编程只读存储器EEPROM加载复位次数信息到复位次数寄存器；
步骤S2：电子***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加，完成后将结果存储到带电可擦可编程只读存储器EEPROM，进入步骤S3，否则不做任何处理；
步骤S3：***进行电子***芯片组网，对电子***芯片进行在线点名；
步骤S4：电子***芯片接收到点名命令后，返回电子***芯片用户识别码UID，将电子***芯片的当前复位次数N返回给***；
步骤S4：***内部将电子***芯片的UID和对应的复位次数N建立映射表后存储在Flash内部；
步骤S5：***完成组网后进行一系列操作，包括延期设置、起爆密码验证、高压电容充电及发送起爆命令，完成当前的电子***模块实爆；
步骤S6：完成实爆后，如果存在电子***模块拒爆的现象，用***对拒爆电子***模块作进一步的分析。
步骤S6.1：***对单发电子***芯片进行点名操作，得到电子***芯片的UID和当前复位次数值M；
步骤S6.2：***根据当前电子***芯片的UID，从Flash里面检索出该电子***芯片实爆前的复位计数值N；
步骤S6.3：如果M=N+1，说明电子***芯片实爆过程中没有发生复位；如果M>=N+2,则说明电子***芯片实爆过程中发生了一次以上的复位。
***完成对电子***模块的起爆控制；电子***模块通过脚线接收***的指令，完成起爆引爆***，电子***模块包含电子***芯片和前级保护电路；前级保护电路包含瞬态高压抑制管和静电保护管，抑制从脚线进入的瞬态高压信号；电子***芯片是电子***模块的主控芯片，接收指令，控制延期，完成起爆。
电子***芯片包括可调节低压差线性稳压器LDO、基准电压电路、充放电电路、振荡器电路、POR上电复位电路、数字逻辑电路、带电可擦可编程只读存储器EEPROM、发火控制管、功率管、通信电路、储能电容C、发火电阻R和点火开关MOS管；可调节低压差线性稳压器LDO分别与充放电电路、上电复位电路、数字逻辑电路及基准电压电路相连接；充放电电路分别与数字逻辑电路、基准电压电路、发火电阻R和储能电容C相连接；上电复位电路分别与基准电压电路和数字逻辑电路相连接；数字逻辑电路分别与振荡器电路、通信电路、带电可擦可编程只读存储器EEPROM及点火开关MOS管的栅极相连接；发火电阻R的另一端与点火开关MOS管的漏极相连接，储能电容C的另一端接地，点火开关MOS管的源极接地。
可调节低压差线性稳压器LDO进行高压电源到低压电源的转换，输出的低压供振荡器、数字逻辑电路、通信电路和带电可擦可编程只读存储器EEPROM使用，通过发火控制管控制作为发火开关功率管栅极的驱动电压；基准电压电路产生上电复位电路及可编程低压线性稳压器需要的基准电压REF1、REF2、REF3，分别用于LDO、上电复位电路和电荷泵；充放电电路包含限流电阻和充、放电管，对储能电容C进行充放电管理。
振荡器电路为数字逻辑电路提供时钟CLK，时钟频率在100K以上；POR上电复位电路为电子***芯片上电后产生的全芯片复位信号POR的电路，POR信号有效电平为低电平；数字逻辑电路为电子***芯片对外通信和芯片内部状态转换、延期控制的逻辑电路。
带电可擦可编程只读存储器EEPROM储存***的用户识别码UID、起爆密码、延期值、复位次数及其他用户配置信息；通信电路将二总线信号写入数据转完成***芯片内部数字逻辑信号，当二总线从***芯片读数据时进行A、B短接提供反馈电流；通信电路为电子***内部与***完成通信功能的电路，接收***指令和返回数据给***；发火控制管由数字逻辑电路控制，当FIRE为高时，发火控制管导通，LDO输出电压输出给发火开关功率管栅极，打开功率管。
功率管采用LDMOS横向扩散金属氧化物半导体的发火开关MOS管，当栅极控制信号FIRE有效时，打开MOS管，储能电容C释放能量，加热发火电阻R，引爆点火电阻上的药头；储能电容C在电子***芯片进入延期后给芯片供电，在起爆时提供能量加热发火电阻R；发火电阻R采用桥丝电阻或贴片金属电阻，用于发火，点燃药头；点火开关MOS管控制储能电容C释放能量的电流通路，引爆发火元件。
实施例2：
实施例2为实施例1的优选例，以更为具体地对本发明进行说明。
本发明还提供一种用于分析电子***是否受干扰复位的***，***包括如下模块：
模块M1：***通过A、B总线给电子***模块供电，电子***模块中的电子***芯片上电后完成复位，复位后从带电可擦可编程只读存储器EEPROM加载复位次数信息到复位次数寄存器；
模块M2：电子***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加，完成后将结果存储到带电可擦可编程只读存储器EEPROM，进入模块M3，否则不做任何处理；
模块M3：***进行电子***芯片组网，对电子***芯片进行在线点名；
模块M4：电子***芯片接收到点名命令后，返回电子***芯片用户识别码UID，将电子***芯片的当前复位次数N返回给***；
模块M4：***内部将电子***芯片的UID和对应的复位次数N建立映射表后存储在Flash内部；
模块M5：***完成组网后进行一系列操作，包括延期设置、起爆密码验证、高压电容充电及发送起爆命令，完成当前的电子***模块实爆；
模块M6：完成实爆后，如果存在电子***模块拒爆的现象，用***对拒爆电子***模块作进一步的分析。
模块M6.1：***对单发电子***芯片进行点名操作，得到电子***芯片的UID和当前复位次数值M；
模块M6.2：***根据当前电子***芯片的UID，从Flash里面检索出该电子***芯片实爆前的复位计数值N；
模块M6.3：如果M=N+1，说明电子***芯片实爆过程中没有发生复位；如果M>=N+2,则说明电子***芯片实爆过程中发生了一次以上的复位。
实施例3：
实施例3为实施例1的优选例，以更为具体地对本发明进行说明。
本发明公开了一种用于分析电子***是否受干扰复位的方法。
本发明提供一种方法用于对拒爆的电子***进行分析，确认是否是因为外界干扰引起的复位而导致的拒爆。该发明涉及的电子***芯片内部集成了带电可擦可编程只读存储器EEPROM(带电可擦可编程只读存储器，支持多次编程)，电子***芯片上电时，在复位完成之后会先读出带电可擦可编程只读存储器EEPROM里面存储的***芯片已复位次数的信息（共2个字节长度），该数值会被加1之后再写回到带电可擦可编程只读存储器EEPROM进行更新。电子***现场实爆时都要先进行组网，***会进行每发***的在线点名，***芯片在点名过程中会返回当前的复位次数（假设当前次数为N），这些信息被存储在***里面。在分析拒爆的***时，可以用***再次通过在线点名读出***芯片的复位次数，如果读出的复位次数值为N+1，则表示该***拒爆的原因不是发生了复位；如果读出的复位次数值为N+2，则可以确认***拒爆的原因就是因为发生了复位。
***：用于完成对电子***的起爆控制的主控设备。
电子***模块：通过脚线接收***的指令，完成起爆引爆***。包含了电子***芯片、前级保护电路等元件。
前级保护电路：一般包含一些瞬态高压抑制管、静电保护管等，抑制从脚线进入的瞬态高压信号。
电子***芯片：电子***模块的主控芯片，接收指令，控制延期，完成起爆。
可调节低压差线性稳压器（LDO）：实现高压电源到低压电源的转换。输出的低压主要用作数字电源，供振荡器、数字逻辑电路、通信电路和带电可擦可编程只读存储器EEPROM用，通过发火控制管控制也作为发火开关功率管栅极的驱动电压。
基准电压电路：产生上电复位电路及可编程低压线性稳压器需要的一些基准电压REF1、REF2、REF3，分别用于LDO、上电复位电路和电荷泵。
充放电电路：包含限流电阻和充、放电管，实现对储能电容C的充放电管理。
振荡器电路：为数字逻辑电路提供稳定的时钟CLK，时钟频率通常在100K以上。
POR上电复位电路：电子***芯片上电之后产生的全芯片复位信号POR的电路，POR信号有效电平为低电平。
数字逻辑电路：完成电子***芯片对外通信和芯片内部状态转换、延期控制的逻辑电路。
带电可擦可编程只读存储器EEPROM：带电可擦可编程只读存储器，用于储存***的用户识别码UID、起爆密码、延期值、复位次数及其他用户配置信息。
通信电路：实现将二总线信号写入数据转完成***芯片内部数字逻辑信号，及当二总线从***芯片读数据时实现A、B短接提供反馈电流。
发火控制管：由数字逻辑电路控制，当FIRE为高时，发火控制管导通，LDO输出电压输出给发火开关功率管栅极，进一步打开功率管。
功率管：采用LDMOS（laterally-diffused metal-oxide semiconductor）横向扩散金属氧化物半导体实现的发火开关MOS管，当栅极控制信号FIRE有效时，打开MOS管，储能电容C上能量释放出来，加热发火电阻R，从而引爆点火电阻上的药头。
通信电路：电子***内部与***完成通信功能的电路，主要负责接收***指令和返回数据给***。
储能电容C：用于在电子***芯片进入延期之后给芯片供电，并在起爆时提供能量加热发火电阻R。
发火电阻R：一般采用桥丝电阻或贴片金属电阻，用于发火，点燃药头。一般为几ohm
点火开关MOS管：用于控制储能电容C释放能量的电流通路，引爆发火元件。
***工作原理：
步骤S1：***通过A、B总线给电子***模块供电，***芯片上电后完成复位，复位后从带电可擦可编程只读存储器EEPROM加载复位次数信息（2个字节,记为N-1）到复位次数寄存器。
步骤S2：***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加（更新为N），完成之后将结果存储到带电可擦可编程只读存储器EEPROM，进入步骤S3；否则不做任何处理。
步骤S3：***进行***组网，对***进行在线点名。
步骤S4：电子***芯片接收到点名命令之后，除了返回***用户识别码UID之外，也会将***芯片的当前复位次数N返回给***。
步骤S4：***内部会将***的UID和对应的复位次数N建立映射表之后存储在Flash内部，防止掉电丢失。
步骤S5：***完成组网之后会进行一系列操作，包括延期设置、起爆密码验证、高压电容充电及发送起爆命令来完成当前的***实爆。
步骤S6：完成实爆之后，如果存在***拒爆的现象，就可以用***对拒爆***作进一步的分析。分析过程如下：
步骤S6.1：***对单发***进行点名操作，得到***UID和当前复位次数值M。
步骤S6.2：***根据当前***的UID，从Flash里面检索出该***实爆前的复位计数值N。
步骤S6.3：如果M=N+1，说明***实爆过程中没有发生复位，增加的1次复位是因为***重新上电之后又经历了一次复位；如果M>=N+2,则说明***实爆过程中肯定发生了一次以上的复位。
本发明中的复位次数不同于其他常规的接收复位指令进行计数和记录的功能。在电子***领域，高集成度的电子***芯片会把上电复位POR集成在芯片内部，复位操作是在***芯片上电之后自动完成的，无法受外部命令控制来实现，所以也就要求复位次数的记录功能也必须是电路自动完成的。
图4详细说明了复位次数记录的完整控制方法。首先，在***芯片带电可擦可编程只读存储器EEPROM内部存储了两类与复位次数相关信息，第一类是复位次数RESET_CNT,第二类似复位次数记录功能使能标志RESET_FLAG，只有***或***产线生产设备下发指令打开复位次数记录功能之后，RESET_FLAG才会被设置成特征值（此处以0x58为例）。***芯片复位完之后分别加载RESET_CNT和RESET_FLAG，只有满足RESET_FLAG=0x58之后才会将RESET_CNT累加之后再更新记录在带电可擦可编程只读存储器EEPROM，否则不做记录。
这种特殊的设计方法主要为了解决两个问题：
一方面芯片初次上电时带电可擦可编程只读存储器EEPROM还没经过编程，带电可擦可编程只读存储器EEPROM里面的数据可能为全0，也可能为全1，不同带电可擦可编程只读存储器EEPROM类型结果不同，为兼容所有的带电可擦可编程只读存储器EEPROM类型，设计了专门的复位记录标志，***或***产线生产设备可以先下发指令将带电可擦可编程只读存储器EEPROM里面的复位次数写成0，然后再写入复位次数记录使能标志0x58，打开记录功能，之后每次芯片上电都能自动开始复位次数记录功能。
另一方面带电可擦可编程只读存储器EEPROM的使用寿命是有限的，如果在前期生产过程种***上下电次数过多，会导致对应的复位记录失效，所以可以通过产线设备在电子***制成成品时才打开该功能，以用于之后现场实爆后分析使用。
在拒爆***分析的过程中对复位次数的读取也是不同于常规的方法。因为本发明中的复位不是基于常规的接收复位指令，而是每次上电之后自动完成，并自动完成复位次数的累加，所以在取得拒爆的***之后，不能随意上下电，一定要用配套的***来对***进行上电，如果能用现场实爆用的***则更好，在给***上电进行在线点名读出复位次数之后可以直接与***之前存储的记录进行比对来判断。如果不是同一套***，则需要将现场使用的***的存储记录调出之后做比对来确定拒爆的原因是否是发生了复位。
加强电子***模块芯片和电路抗冲击设计是解决***小断面应用的关键，但也需要一种有效的方法来确认拒爆的***是否是因为芯片受到外界干扰引发了复位，此方法也可以用来评价不同的抗冲击电路的有效性，从而提高电子***在各类小断面应用的成功率，也为电子***全面代替传统***奠定了基础。
本领域技术人员可以将本实施例理解为实施例1、实施例2的更为具体的说明。
本领域技术人员知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现本发明提供的***及其各个装置、模块、单元以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得本发明提供的***及其各个装置、模块、单元以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器以及嵌入式微控制器等的形式来实现相同功能。所以，本发明提供的***及其各项装置、模块、单元可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置、模块、单元也可以视为硬件部件内的结构；也可以将用于实现各种功能的装置、模块、单元视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。
Claims (8)
1.一种用于分析电子***是否受干扰复位的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
步骤S1：***通过A、B总线给电子***模块供电，电子***模块中的电子***芯片上电后完成复位，复位后从带电可擦可编程只读存储器EEPROM加载复位次数信息到复位次数寄存器；
步骤S2：电子***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加，完成后将结果存储到带电可擦可编程只读存储器EEPROM，进入步骤S3，否则不做任何处理；
步骤S3：***进行电子***芯片组网，对电子***芯片进行在线点名；
步骤S4：电子***芯片接收到点名命令后，返回电子***芯片用户识别码UID，将电子***芯片的当前复位次数N返回给***；
步骤S4：***内部将电子***芯片的UID和对应的复位次数N建立映射表后存储在Flash内部；
步骤S5：***完成组网后进行一系列操作，包括延期设置、起爆密码验证、高压电容充电及发送起爆命令，完成当前的电子***模块实爆；
步骤S6：完成实爆后，如果存在电子***模块拒爆的现象，用***对拒爆电子***模块作进一步的分析；
步骤S6.1：***对单发电子***芯片进行点名操作，得到电子***芯片的UID和当前复位次数值M；
步骤S6.2：***根据当前电子***芯片的UID，从Flash里面检索出该电子***芯片实爆前的复位计数值N；
步骤S6.3：如果M=N+1，说明电子***芯片实爆过程中没有发生复位；如果M>=N+2,则说明电子***芯片实爆过程中发生了一次以上的复位。
2.根据权利要求1所述的用于分析电子***是否受干扰复位的方法，其特征在于，所述***完成对电子***模块的起爆控制；
所述电子***模块通过脚线接收***的指令，完成起爆引爆***，所述电子***模块包含电子***芯片和前级保护电路；
所述前级保护电路包含瞬态高压抑制管和静电保护管，抑制从脚线进入的瞬态高压信号；
所述电子***芯片是电子***模块的主控芯片，接收指令，控制延期，完成起爆。
3.根据权利要求1所述的用于分析电子***是否受干扰复位的方法，其特征在于，所述电子***芯片包括可调节低压差线性稳压器LDO、基准电压电路、充放电电路、振荡器电路、POR上电复位电路、数字逻辑电路、带电可擦可编程只读存储器EEPROM、发火控制管、功率管、通信电路、储能电容C、发火电阻R和点火开关MOS管；
所述可调节低压差线性稳压器LDO分别与充放电电路、上电复位电路、数字逻辑电路及基准电压电路相连接；所述充放电电路分别与数字逻辑电路、基准电压电路、发火电阻R和储能电容C相连接；所述上电复位电路分别与基准电压电路和数字逻辑电路相连接；所述数字逻辑电路分别与振荡器电路、通信电路、带电可擦可编程只读存储器EEPROM及点火开关MOS管的栅极相连接；所述发火电阻R的另一端与点火开关MOS管的漏极相连接，所述储能电容C的另一端接地，所述点火开关MOS管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的用于分析电子***是否受干扰复位的方法，其特征在于，所述可调节低压差线性稳压器LDO进行高压电源到低压电源的转换，输出的低压供振荡器、数字逻辑电路、通信电路和带电可擦可编程只读存储器EEPROM使用，通过发火控制管控制作为发火开关功率管栅极的驱动电压；
所述基准电压电路产生上电复位电路及可编程低压线性稳压器需要的基准电压REF1、REF2、REF3，分别用于LDO、上电复位电路和电荷泵；
所述充放电电路包含限流电阻和充、放电管，对储能电容C进行充放电管理。
5.根据权利要求3所述的用于分析电子***是否受干扰复位的方法，其特征在于，所述振荡器电路为数字逻辑电路提供时钟CLK，时钟频率在100K以上；
所述POR上电复位电路为电子***芯片上电后产生的全芯片复位信号POR的电路，POR信号有效电平为低电平；
所述数字逻辑电路为电子***芯片对外通信和芯片内部状态转换、延期控制的逻辑电路。
6.根据权利要求3所述的用于分析电子***是否受干扰复位的方法，其特征在于，所述带电可擦可编程只读存储器EEPROM储存***的用户识别码UID、起爆密码、延期值、复位次数及其他用户配置信息；
所述通信电路将二总线信号写入数据转换成***芯片内部数字逻辑信号，当二总线从***芯片读数据时进行A、B短接提供反馈电流；通信电路为电子***内部与***完成通信功能的电路，接收***指令和返回数据给***；
所述发火控制管由数字逻辑电路控制，当FIRE为高时，发火控制管导通，LDO输出电压输出给发火开关功率管栅极，打开功率管。
7.根据权利要求3所述的用于分析电子***是否受干扰复位的方法，其特征在于，所述功率管采用LDMOS横向扩散金属氧化物半导体的发火开关MOS管，当栅极控制信号FIRE有效时，打开MOS管，储能电容C释放能量，加热发火电阻R，引爆点火电阻上的药头；
所述储能电容C在电子***芯片进入延期后给芯片供电，在起爆时提供能量加热发火电阻R；
所述发火电阻R采用桥丝电阻或贴片金属电阻，用于发火，点燃药头；
所述点火开关MOS管控制储能电容C释放能量的电流通路，引爆发火元件。
8.一种用于分析电子***是否受干扰复位的***，其特征在于，所述***包括如下模块：
模块M1：***通过A、B总线给电子***模块供电，电子***模块中的电子***芯片上电后完成复位，复位后从带电可擦可编程只读存储器EEPROM加载复位次数信息到复位次数寄存器；
模块M2：电子***芯片将复位次数寄存器中存储的复位次数进行累加，完成后将结果存储到带电可擦可编程只读存储器EEPROM，进入模块M3，否则不做任何处理；
模块M3：***进行电子***芯片组网，对电子***芯片进行在线点名；
模块M4：电子***芯片接收到点名命令后，返回电子***芯片用户识别码UID，将电子***芯片的当前复位次数N返回给***；
模块M4：***内部将电子***芯片的UID和对应的复位次数N建立映射表后存储在Flash内部；
模块M5：***完成组网后进行一系列操作，包括延期设置、起爆密码验证、高压电容充电及发送起爆命令，完成当前的电子***模块实爆；
模块M6：完成实爆后，如果存在电子***模块拒爆的现象，用***对拒爆电子***模块作进一步的分析；
模块M6.1：***对单发电子***芯片进行点名操作，得到电子***芯片的UID和当前复位次数值M；
模块M6.2：***根据当前电子***芯片的UID，从Flash里面检索出该电子***芯片实爆前的复位计数值N；
模块M6.3：如果M=N+1，说明电子***芯片实爆过程中没有发生复位；如果M>=N+2,则说明电子***芯片实爆过程中发生了一次以上的复位。
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