CN115312670A - 一种量子点电致发光二极管、发光装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种量子点电致发光二极管，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、第一层电致发光层至第n层电致发光层、空穴传输层和阳极，n为整数，且n≥2；其中，第一层电致发光层至第n层电致发光层中的至少一层包含第一量子点，所述第一量子点包含核体、ZnS_1‑xO_x表面壳层，0＜x≤1；本申请的第一量子点不仅可以有效提升量子点电致发光二极管的电流效率、亮度和外量子效率，还能使量子点电致发光二极管获得较长的使用寿命。

Description

一种量子点电致发光二极管、发光装置

技术领域

本申请属于显示技术领域，具体涉及一种量子点电致发光二极管、发光装置。

背景技术

量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶体，是一种新型的半导体纳米材料，尺寸在1-10nm。由于量子尺寸效应和介电限域效应使它们具有独特的光致发光(PL)和电致发光(EL)性能。与传统的有机荧光染料相比，量子点具有量子效率高，光化学稳定性高，不易光解，以及宽激发、窄发射，高色纯度，发光颜色可通过控制量子点大小进行调节等优良的光学特性，在显示技术领域具有广泛的应用前景。

量子点电致发光二极管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)是一种电激发量子点发光的器件。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更优异的色纯度、亮度、可视角等特点。量子点可分散于有机溶剂中配制成墨水，采用喷墨打印、旋涂、刮涂等方法制造发光薄膜，特别适于溶液法制备大面积尺寸器件。因此，QLED市场前景十分可观。

常见的QLED器件一般采用自下而上依次为阳极、空穴传输层、量子点电致发光层、电子传输层、阴极的结构，通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED器件的发光性能已经得到了大幅度的提高，但仍有一些性能不能满足要求，尤其是器件寿命与产业化生产的要求还有一定差距。因此，亟需继续优化量子点电致发光二极管的结构，提升性能，以推动量子点电致发光二极管更快实现商业化。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种量子点电致发光二极管，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、第一层电致发光层至第n层电致发光层、空穴传输层和阳极，n为整数，且n≥2；

其中，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层中的至少一层包含第一量子点，所述第一量子点包含核体、ZnS_1-xO_x表面壳层，0＜x≤1。

进一步地，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层中的各层包含所述第一量子点，自所述第一层电致发光层至第n层电致发光层方向的任意相邻的两层中，所述第一量子点的x相同或者逐层递增。

进一步地，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层中，所述第一量子点的x逐层递增。

进一步地，所述第一层电致发光层的厚度为5～20nm。

进一步地，所述第一层电致发光层包含第二量子点，所述第二量子点包含所述核体、ZnS表面壳层，所述第二层电致发光层至第n层电致发光层中的各层都包含所述第一量子点，自第二层电致发光层至第n层电致发光层方向的任意相邻的两层中，所述第一量子点的x相同或者逐层递增。

进一步地，所述第二层电致发光层至第n层电致发光层中，所述第一量子点的x逐层递增。

进一步地，所述第二层电致发光层的厚度为5～20nm。

进一步地，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层的厚度之和为20～60nm。

进一步地，所述核体包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物中的至少一种。

本申请还提供一种发光装置，包括上述量子点电致发光二极管。

有益效果：本申请的量子点电致发光二极管，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、第一层电致发光层至第n层电致发光层、空穴传输层和阳极，n为整数，且n≥2；其中，第一层电致发光层至第n层电致发光层中的至少一层包含第一量子点，所述第一量子点包含核体、ZnS_1-xO_x表面壳层，0＜x≤1；本申请的第一量子点中的表面壳层是由ZnS壳层经部分氧化得到的，使得各层电致发光层中的量子点的能级可以平稳变化，从而避免了使用单层量子点而产生的巨大能级落差。并且，由于不同氧化程度的量子点的导电能力也有所差别，在叠层设计之下可以更有效的控制调节电致发光层的导电能力，从而本申请不仅可以有效提升量子点电致发光二极管的电流效率、亮度和外量子效率，还能使量子点电致发光二极管获得较长的使用寿命。

附图说明

图1为本申请一实施方式中的量子点电致发光二极管的结构示意图；

图2为本申请实施例1的量子点电致发光二极管中第二层电致发光层中InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点的表面能谱分析图；

图3为本申请实施例1的量子点电致发光二极管中第二层电致发光层中InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点的扫描电子显微镜图；

图4为本申请实施例1和对比例1的量子点电致发光二极管的电压-亮度比较图；

图5为本申请实施例1和对比例1的量子点电致发光二极管的电压-外量子效率比较图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。如果不另外定义，则说明书中的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以被定义为本领域技术人员通常所理解的。除非清楚定义，否则可以不理想化地或夸大地解释通用字典中定义的术语。此外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变型将被理解为意指包括所陈述的元件(要素)，但不排除任何其它元件(要素)。

在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反地，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

此外，除非另外提及，否则单数包括复数。如在此使用的，“一”、“一个(种/者)”、“该(所述)”和“……中的至少一个(种/者)”不表示量的限制，而是意图包括单数和复数两者，除非上下文另外明确指出。例如，除非上下文另外明确指出，否则“元件(要素)”具有与“至少一个元件(要素)”相同的含义。“至少一个(种/者)”不被解释为限制“一”或“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。还将理解的是，术语“包含”和/或“包括”或者它们的变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

将理解的是，虽然在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。

如背景技术所述，现有的QLED仍有一些性能不能满足应用要求，尤其是使用寿命与产业化生产要求还有一定差距。发明人发现，目前量子点电致发光层为一层量子点层，其导电性和能级都是固定的，无法调节，在一定程度上限制了QLED的寿命、电流密度、亮度等电学性能。

基于此，本申请提供一种量子点电致发光二极管，如图1所示，包括依次层叠设置的阴极10、电子传输层20、第一层电致发光层1至第n层电致发光层N、空穴传输层40和阳极50，n为整数，且n≥2；其中，第一层电致发光层至第n层电致发光层中的至少一层包含第一量子点，第一量子点包含核体、ZnS_1-xO_x表面壳层，0＜x≤1。发明人发现，本申请中第一量子点上ZnS_1-xO_x表面壳层的存在可以有效调节第一量子点的导电性，调控量子点电致发光二极管的电流密度，提升量子点电致发光二极管的亮度和量子效率，由于电子和空穴可以在能级平缓过渡的电致发光层上复合，从而使量子点电致发光二极管的寿命得到大幅提升。

在本申请的第一个具体实施方式中，第一层电致发光层至第n层电致发光层中的各层包含所述第一量子点，自第一层电致发光层至第n层电致发光层方向的任意相邻的两层中，第一量子点的x相同或者逐层递增，从而更好调控电致发光二极管中的电流密度，提升其发光性能。

优选实施方式中，第一层电致发光层至第n层电致发光层中的各层包含所述第一量子点，在第一层电致发光层的x不大于第二层电致发光层至第n层电致发光层中任意一层的x，即各层电致发光层中，靠近电子传输层一侧的第一层电致发光层的x最小。事实上，x可以表示表面壳层的氧化程度，发明人发现，靠近电子传输层的第一层电致发光层相较其他电致发光层中第一量子点的表面壳层的氧化程度低，从而电致发光层中电子和空穴注入速度更加均衡，复合效率更佳。由此，相比于只有一层量子点电致发光层的量子点电致发光二极管来说，本申请的多层电致发光层提高了量子点电致发光二极管的亮度、量子效率和使用寿命。

在进一步的第二个具体实施方式中，第一层电致发光层至第n层电致发光层中，第一量子点的x逐层递增。本申请通过控制多层电致发光层之间具有上述逐渐变化的规律，可以更容易控制空穴与电子在电致发光层中的复合效率，从而提高量子点电致发光二极管的外量子效，延长量子点电致发光二极管的使用寿命。

在进一步的第三个具体实施方式中，第一层电致发光层的厚度为5～20nm，即将靠近电子传输层一侧的氧化程度最小的第一层电致发光层保持在一定的厚度范围，从而电子在第一电致发光层中的传输速度合适，电子、空穴在第一电致发光层中的复合速度达到平衡，进而进一步提高量子点电致发光二极管的外量子效率和使用寿命，更优选地，第一层电致发光层的厚度优选为10～15nm。

在本申请的第四个具体实施方式中，第一层电致发光层包含第二量子点，所述第二量子点包含核体、ZnS表面壳层，第二层电致发光层至第n层电致发光层中的各层包含所述第一量子点，自第二层电致发光层至第n层电致发光层方向的任意相邻的两层中，第一量子点的x相同或者逐层递增，以更好调控电致发光二极管中的电流密度，提升其发光性能。

在优选实施方式中，在第二层电致发光层至第n层电致发光层中，第二层电致发光层中的第一量子点的x最小。具体地，第一层电致发光层含有第二量子点，第二量子点包含ZnS外壳层，第二层电致发光层包含第一量子点，第一量子点包含ZnS_1-xO_x表面壳层。这样的设置，使得从电子传输层迁移而来的电子在第一层电致发光层、第二层电致发光层的运行速度可控，更易于控制电子与空穴在各电致发光层中的复合效率，提高量子点电致发光二极管的外量子效率、使用寿命。

在进一步的第五个具体实施方式中，第二层电致发光层至第n层电致发光层中，第一量子点的x逐层递增。控制第二层电致发光层至第n层电致发光层之间具有上述逐渐变化的规律，可以更容易控制空穴与电子在电致发光层中的复合效率，从而提高量子点电致发光二极管的外量子效率，延长量子点电致发光二极管的使用寿命。

在进一步的第六个具体实施方式中，第二层电致发光层的厚度为5～20nm。由于电子在靠近电子传输层一侧的第一层电致发光层的运行速度较慢，空穴在氧化程度更高的量子点中传输速率较快，正好弥补了单层器件中电子迁移速率远远大于空穴传输速率的缺陷，从而本申请的电子、空穴在各电致发光层中的复合速度将趋于平衡，进而提高量子点电致发光二极管的外量子效率和使用寿命。优选地，第二层电致发光层的厚度优选为10～15nm。

在本申请的第七个具体实施方式中，第一层电致发光层至第n层电致发光层的厚度之和为20～60nm，从而使得电子、空穴在各层电致发光层中总的复合效率更高，提高冷量子点电致发光二极管的外量子效率、亮度。由于各层之间的量子点的氧化程度存在有规律的差异，使电子、空穴在电致发光层中的运行速率更趋于一致，从而显著提高量子点电致发光二极管的使用寿命。第一层电致发光层至第n层电致发光层的厚度之和优选为20～40nm。

在本申请的第八个具体实施方式中，核体包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其组合。例如，所述II-VI族化合物可包括：CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、或其组合。所述II-VI族化合物可进一步包括III族金属。所述III-V族化合物可包括：GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、InZnP、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、或其组合。所述III-V族化合物可进一步包括II族金属(例如，InZnP)。所述IV-VI族化合物可包括：SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、或其组合。所述I-III-VI族化合物的实例可包括CuInSe₂、CuInS₂、CuInGaSe和CuInGaS，但不限于此。所述I-II-IV-VI族化合物的实例可包括CuZnSnSe和CuZnSnS，但不限于此。

本申请的第一量子点、第二量子点中，核体和外壳层之间可以包括若干层壳，相邻的壳层可以具有彼此不同的组成。当具有多层壳时，各层可具有单一组成。若干壳层可具有合金。在多层壳的情况中，各层的纳米晶体被选择成具有适当的带隙能量，由此有效地显示出量子限制效应。

另外，本申请的第一量子点、第二量子点的粒径可具有约1nm至约100nm的尺寸。例如，所述量子点可具有约1nm至约50nm、例如从2nm至35nm的粒径。本申请的量子点的形状为本领域中通常使用的形状，且没有特别限制，可以根据实际需要选择相应的形状。

本申请中，第一量子点中的ZnS_1-xO_x表面壳层是由通过对包含表面壳层为ZnS的第二量子点进行不同程度的部分氧化而形成的，第一量子点的表面壳层既含有ZnS，又含有ZnO，当0.1≤x≤0.9时，第一量子点可以更好调节电致发光层的导电性，使适量的电子在电致发光层中与空穴复合，而不至于迁移至空穴传输层中复合消耗，表征氧化程度的x更优选为0.1≤x≤0.5，此时的电致发光层中空穴和电子的复合效率更高。

在本申请空穴传输层40的材料可选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的一种或多种。空穴传输层204还可选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO、MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、CuS中的一种或多种，但是本申请的示例性实施方式并不限于此。

本申请的电子传输层20的材料包括但不限于ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、InSnO、Alq₃、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一种或多种，但是本申请的示例性实施方式并不限于此。优选地，电子传输材料为金属掺杂的ZnO纳米颗粒，例如Mg、Al、Li、W、Ti、Ni、Sn、MgO、Al₂O₃、Li₂O、W₂O₃、TiO₂、NiO、SnO₂等掺杂的ZnO纳米颗粒。

本申请的阴极10、阳极50的材料分别独立选自一维或二维纳米材料、金属材料、导电金属氧化物材料中的至少一种。更具体的，阴极10、阳极50的材料分别独立选自纳米银线、纳米铜线、银、石墨烯、铟锡氧化物、碳纳米管、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、铝掺氧化锌、锑掺氧化锌、镓掺氧化锌、镉掺氧化锌、铜铟氧化物、氧化锡、氧化锆、铝、钙、钡等中的一种或多种，但是不限于此。

本申请的量子点电致发光二极管结构除了上述结构，还可以包括空穴注入层、电子注入层等结构，空穴注入层、电子注入层的材料不受特别的限制，本领域内任何已知的空穴注入、电子注入材料均可，可根据实际情况进行选择。

本申请还提供一种发光装置，包括上述量子点电致发光二极管，本申请的发光装置可以为显示装置，也可以为照明装置，显示装置包括但不限于手机、电脑、车载显示器、AR显示器、VR显示器、智能手表、显示屏、显示面板等装置或部件，部件例如可以为QLED器件、OLED器件、PLED器件、Micro-LED器件、Mini-LED器件等电致发光器件。本申请的显示装置可以为顶发光显示装置，也可以为底发光显示装置，还可以为透明显示装置。采用本申请的量子点电致发光二极管，发光装置的电流密度、发光亮度、外量子效率和寿命将均有大幅度提升。

以下更详细地描述根据本申请的一些示例性实施方式的量子点组合物、显示装置；然而，本申请的示例性实施方式不限于此。

实施例1

本实施例中的量子点电致发光二极管依次层叠设置：

阴极(Al)，

电子传输层(ZnO)，

第一层电致发光层(InP/ZnS红光量子点，厚度约为15nm)，

第二层电致发光层(InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的InP/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为15nm)，

空穴传输层(TFB)，

空穴注入层(PEDOT：PSS)，

阳极(ITO)。

实施例2

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点，厚度约为15nm)，

第二层电致发光层(InP/ZnS_0.10O_0.90红光量子点，该量子点由InP/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为15nm)。

实施例3(改变第一电致发光层厚度为5nm)

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(InP/ZnS红光量子点，厚度约为5nm)，

第二层电致发光层(InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的量子点氧化得到，厚度约为15nm)。

实施例4

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(InP/ZnS红光量子点，厚度约为20nm)，

第二层电致发光层(InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的InP/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为15nm)。

实施例5

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(InP/ZnS红光量子点，厚度约为15nm)，

第二层电致发光层(InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的InP/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为10nm)，

第三层电致发光层(InP/ZnS_0.10O_0.90红光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的InP/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为10nm)。

实施例6

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(InP/ZnS_0.89O_0.11红光量子点，厚度约为15nm)，

第二层电致发光层(InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点，该量子点由InP/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为10nm)，

第三层电致发光层(InP/ZnS_0.10O_0.90红光量子点，该量子点由InP/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为10nm)。

实施例7

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(InP/ZnS绿光量子点，厚度约为15nm)，

第二层电致发光层(InP/ZnS_0.51O_0.49绿光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的InP/ZnS绿光量子点氧化得到，厚度约为15nm)。

实施例8

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(ZnSe/ZnS蓝光量子点，厚度约为15nm)，

第二层电致发光层(ZnSe/ZnS_0.51O_0.49蓝光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的ZnSe/ZnS蓝光量子点氧化得到，厚度约为15nm)。

实施例9

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

第一层电致发光层(CdSe/ZnS红光量子点，厚度约为15nm)，

第二层电致发光层(CdSe/ZnS_0.56O_0.44红光量子点，该量子点由第一层电致发光层中的CdSe/ZnS红光量子点氧化得到，厚度约为15nm)。

对比例1

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

电致发光层(InP/ZnS红光量子点，厚度约为25nm)。

对比例2

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

电致发光层(ZnSe/ZnS蓝光量子点，厚度约为25nm)。

对比例3

其余各层同实施例1，只在电致发光层做如下改变：

电致发光层(CdSe/ZnS红光量子点，厚度约为25nm)。

测试上述实施例1～9及对比例1～3的量子点电致发光二极管的亮度、外量子效率(EQE)和使用寿命，各项电学性能参数具体见表1～表3，实施例1的第二层电致发光层中InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点的表面能谱分析图如图2，从中可知该量子点包含的表面壳层为ZnS_0.56O_0.44；实施例1的第二层电致发光层中InP/ZnS_0.56O_0.44红光量子点的扫描电子显微镜图如图3，从中可知该量子点的粒径为8nm左右；实施例1和对比例1的电压-亮度、电压-外量子效率比较图如图4～5所示。

表1实施例1～7、对比例1中包含InP核的量子点的量子点电致发光二极管电学性能参数表

编号	3V亮度(nits)	EQE(％)	寿命T<sub>50</sub>@1000nits(h)
				实施例1	1420	15.08	380
实施例2	1347	12.02	368
				实施例3	1914	10.79	365
实施例4	2259	19.26	574
				实施例5	1522	16.19	520
实施例6	1433	17.26	536
				实施例7	985	11.2	20
对比例1	556	9.64	20

表2实施例8、对比例2中包含ZnSe核的量子点的量子点电致发光二极管电学性能参数表

编号	3V亮度(nits)	EQE(％)	寿命T<sub>50</sub>@1000nits(h)
				实施例8	285	9.37	8
对比例2	3	6.44	2

表3实施例9、对比例3中包含CdSe核的量子点的量子点电致发光二极管电学性能对比表

编号	3V亮度(nits)	EQE(％)	寿命T<sub>50</sub>@1000nits(h)
				实施例9	14430	14.06	12000
对比例3	8260	11.02	5600

由表1～3、图4～5可知，相较于对比例1～3，本申请实施例1～9的量子点电致发光二极管具有优异的电学性能，电流效率、亮度、EQE以及使用寿命都获得显著提升。

尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举，应当理解，对于本领域技术人员来说，对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的，都不能脱离本申请精神的实质，本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解，并不能构成对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种量子点电致发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、第一层电致发光层至第n层电致发光层、空穴传输层和阳极，n为整数，且n≥2；

其中，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层中的至少一层包含第一量子点，所述第一量子点包含核体、ZnS_1-xO_x表面壳层，0＜x≤1。

2.根据权利要求1所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层中的各层包含所述第一量子点，自所述第一层电致发光层至第n层电致发光层方向的任意相邻的两层中，所述第一量子点的x相同或者逐层递增。

3.根据权利要求1所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层中，所述第一量子点的x逐层递增。

4.根据权利要求2所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第一层电致发光层的厚度为5～20nm。

5.根据权利要求1所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第一层电致发光层包含第二量子点，所述第二量子点包含所述核体、ZnS表面壳层，所述第二层电致发光层至第n层电致发光层中的各层都包含所述第一量子点，自第二层电致发光层至第n层电致发光层方向的任意相邻的两层中，所述第一量子点的x相同或者逐层递增。

6.根据权利要求5所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第二层电致发光层至第n层电致发光层中，所述第一量子点的x逐层递增。

7.根据权利要求5所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第二层电致发光层的厚度为5～20nm。

8.根据权利要求1-7任一所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第一层电致发光层至第n层电致发光层的厚度之和为20～60nm。

9.根据权利要求1所述的量子点电致发光二极管，其特征在于，所述核体包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物中的至少一种。

10.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1～9任一所述的量子点电致发光二极管。

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