CN115276565B - 一种高稳定度表贴石英晶体振荡器 - Google Patents

一种高稳定度表贴石英晶体振荡器 Download PDF

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Abstract

本发明属于压电晶体技术领域，具体公开了一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，包括陶瓷基座，安装于陶瓷基座内的高稳定度晶振芯片和镀有电极的石英晶片，以及与陶瓷基座连接用于封装的金属盖板；所述高稳定度晶振芯片包括温度补偿电路，与温度补偿电路相连的压控振荡电路和程序存储电路，与程序储存电路相连的控温电路，以及用于为温度补偿电路、压控振荡电路、程序存储电路和控温电路相连的电源管理电路；其中，所述石英晶片与压控振荡电路相连。本发明的石英晶体振荡器加电3分钟后可达到高稳定度指标，同时最大功耗可控制在0.3W以内。该表贴石英晶体振荡器开机特性、功耗优于传统的恒温晶体振荡器，频率精度、稳定度优于传统的晶体振荡器。

Description

一种高稳定度表贴石英晶体振荡器
技术领域
本发明属于压电晶体技术领域，具体地说，是涉及一种高稳定度表贴石英晶体振荡器。
背景技术
石英晶体振荡器是现代电子设备中的一种核心电子元器件，它可为电子设备提供稳定的时间基准。在石英晶体振荡器设计中，为了得到较高的频率稳定度指标，通常采用温度补偿和精密控温两种方式。采用温度补偿技术的石英晶体振荡器称作温度补偿晶体振荡器，它通过补偿电压发生电路产生一个随温度变化的电压，用于补偿石英晶体振荡器在高低温下的频率偏移，从而实现高稳定度指标。采用精密控温技术的石英晶体振荡器称作恒温晶体振荡器，它通过控温电路将振荡电路和石英晶体恒温至一个稳定的温度值，使恒温晶体振荡器内部电路和元件不受外界环境温度的影响，从而实现频率的高稳定度指标。
在实际使用中，温度补偿晶体振荡器具有体积小、功耗低、工作温度范围宽等特点，但其稳定度指标受其电路的基本原理和补偿精度的影响，在宽温度范围（-55℃～105℃）内只能做到±0.5×10-6～±1.0×10-6。恒温晶体振荡器由于其内部恒温的基本工作原理，其稳定度指标较温度补偿晶体振荡器更高，通常可到10-7～10-8量级，但恒温晶体振荡器体积大、功耗高，工作温度范围较温度补偿晶体振荡器更窄，同时其开机后需要稳定至少3分钟以上的时间才能能达到10-7～10-8的稳定度指标，特别是在开机的1~2分钟内，恒温晶体振荡器输出频率的稳定度指标非常差，至少大于±1×10-6。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，主要解决恒温晶体振荡器体积大、功耗高、工作温度范围窄以及开机稳定时间过长的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，包括陶瓷基座，安装于陶瓷基座内的高稳定度晶振芯片和镀有电极的石英晶片，以及与陶瓷基座连接用于封装的金属盖板；所述高稳定度晶振芯片包括温度补偿电路，与温度补偿电路相连的压控振荡电路和程序存储电路，与程序储存电路相连的控温电路，以及用于为温度补偿电路、压控振荡电路、程序存储电路和控温电路相连的电源管理电路；其中，所述石英晶片与压控振荡电路相连；
所述温度补偿电路集成了温度传感器A、温度传感器B、1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器，其中，温度传感器A和温度传感器B产生随温度变化的补偿电压，温度传感器A产生的补偿电压进入1次项系数～6次项系数的电压发生器，温度传感器B产生的补偿电压进入6个温度分段电压发生器，1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器产生的电压求和后加载到压控振荡电路的压控调谐端；其中，所述程序存储电路与1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器相连，从而通过程序存储器设置1次项系数～6次项系数的电压发生器内部放大器的增益，确定不同补偿电压曲线系数，同时程序存储器还设置了温度分段电压发生器内部放大器的增益。
进一步地，在本发明中，所述压控振荡电路包括CMOS逻辑非门M1，一端连接于CMOS逻辑非门M1的输入端另一端接地的电容C1，一端连接于CMOS逻辑非门M1的输入端的可变电容阵列Cs，连接于CMOS逻辑非门M1的输入端与输出端之间的反馈电阻Rf，一端与可变电容阵列Cs的另一端相连且另一端与CMOS逻辑非门M1的输出端相连的可变电阻Rd，一端连接于可变电容阵列Cs、可变电阻Rd的公共端且另一端接地的电容C2，连接于CMOS逻辑非门M1的输出端的 CMOS逻辑非门M2，以及连接于CMOS逻辑非门M2的输出端的缓冲器M3；其中，所述石英晶片连接于电容C1与可变电容阵列Cs之间；所述缓冲器M3的输出端作为压控振荡电路的输出端；其中，所述可变电容阵列Cs的输入端作为压控振荡电路的压控调谐端。
进一步地，在本发明中，所述控温电路包括依次连接的温度传感器C、增益控制器、闸门控制器、电流控制器和MOS管；其中，增益控制器的电压增益倍数、闸门控制器的开关电压以及电流控制器允许MOS管通过的最大电流值均通过所述程序存储器设置。
进一步地，在本发明中，所述陶瓷基座的一侧设有一个腔体，所述腔体内部开设有晶振芯片安装位和石英晶片安装位，所述石英晶片安装位上设置有两个点胶平台。
进一步地，在本发明中，所述石英晶片采用AT切方晶片，电极材料为Au，振动模式为基频。
进一步地，在本发明中，所述温度传感器A、温度传感器B、温度传感器C均为半导体PN结型温度传感器。
进一步地，在本发明中，1次项系数～6次项系数的电压发生器中的1次项系数的电压发生器包括1次项粗调电压发生器和1次项细调电压发生器。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明的高稳定度表贴石英晶体振荡器通过设置温度补偿电路，使得石英晶体振荡器在-55℃~105℃温度范围内开机1秒钟便可以达到±0.2×10-6～±0.5×10-6的稳定度指标。在-55℃~85℃温度范围内，该石英晶体振荡器加电3分钟后可达到优于±0.05×10-6的稳定度指标，同时最大功耗可控制在0.3W以内。该表贴石英晶体振荡器开机特性、功耗优于传统的恒温晶体振荡器，频率精度、稳定度优于传统的温度补偿晶体振荡器。
（2）本发明的高稳定度表贴石英晶体振荡器结合了高精度温度补偿技术和精密控温技术，采用一体化的表面贴装的封装形式，将镀有电极的石英晶片和高稳定度晶振芯片（包含电源管理电路、压控振荡电路、高精度温度补偿电路、高精密控温电路）安装在一个基座腔体内部，并通过平行封焊工艺实现陶瓷基座的密封，使得该石英晶体振荡器具有开机快速稳定、功耗低、体积小、可工作温度范围宽的特点，且石英晶体振荡器生产自动化程度高，批生产性好，参数一致性好，成本也得到了进一步的降低。
附图说明
图1为本发明的结构***示意图。
图2为本发明内部芯片的连接示意图。
图3为本发明内部石英晶片的连接示意图。
图4为本发明的外形结构剖面图。
图5为本发明的外形结构底视图。
图6为本发明内部的高稳定晶振芯片的电路原理框图。
图7为本发明内部的压控振荡电路的原理框图。
图8为本发明的温度补偿电路的原理框图。
图9为本发明的控温电路的原理框图。
其中，附图标记对应的名称为：
1-陶瓷基座，2-高稳定度晶振芯片，3-石英晶片，4-金属盖板，5-晶振芯片安装位，6-石英晶片安装位，7-密封环，8-点胶平台，9-压控脚，10-接地脚，11-输出脚，12-电源脚。
具体实施方式
下面结合附图说明和实施例对本发明作进一步说明，本发明的方式包括但不仅限于以下实施例。
实施例
如图1~图5所示，本发明的一种高稳定度的表贴石英晶体振荡器，包括一个陶瓷基座1、一颗高稳定度晶振芯片2、一片镀有电极的石英晶片3和一个金属盖板4。陶瓷基座1上端面开设有一个腔体，腔体内设有晶振芯片安装位5和石英晶片安装位6，高稳定度晶振芯片2和镀有电极的石英晶片3分别安装在晶振芯片安装位5和石英晶片安装位6内。金属盖板4通过平行封焊工艺与陶瓷基座1的密封环7连接。该表贴石英晶体振荡器采用一体化封装结构，结构内部为真空环境，封装后的尺寸为5mm×3.2mm×1.5mm。
如图2~图4所示，高稳定度晶振芯片2通过导电胶粘接在陶瓷基座1的晶振芯片安装位5上，通过键合金丝将高稳定度晶振芯片2绑定在陶瓷基座1内对应的芯片的焊接金带上，从而实现高稳定度晶振芯片2与陶瓷基座1的电连接。
如图3所示，镀有电极的石英晶片3采用导电胶粘接在陶瓷基座1的点胶平台8上，通过陶瓷基座1内部走线实现与高稳定度晶振芯片2的电连接。其中，石英晶片采用AT切方晶片，振动模式为基频，电极材料为Au，晶片频率设置为10MHz～52MHz范围内的固定频点。
如图5所示，陶瓷基座1的底部有4个功能焊盘，分别为晶体振荡的压控脚9、接地脚10、输出脚11、电源脚12，4个功能焊盘的位置、大小、功能定义均兼容该封装尺寸的表贴石英晶体振荡器的国际标准方式。
如图6所示，所述的高稳定度晶振芯片2包括集成了电源管理电路、压控振荡电路、温度补偿电路、控温电路、程序存储电路。
首先，电源管理电路采用基本的包含了低压差稳压电路和偏置电流源的滤波电路形式，为芯片内部电路提供稳定的、低噪声的电压基准。电源管理电路可实现输出电压可调精度优于50mV，输出电压噪声优于11µVRMS ，在100KHz处的电源抑制比优于54dB。
如图7所示，所述压控振荡电路采用基于CMOS逻辑非门的门振荡的电路形式，振荡电路支持10MHz～52MHz的频率范围。该压控振荡电路包括CMOS逻辑非门M1，一端连接于CMOS逻辑非门M1的输入端另一端接地的电容C1，一端连接于CMOS逻辑非门M1的输入端的可变电容阵列Cs，连接于CMOS逻辑非门M1的输入端与输出端之间的反馈电阻Rf，一端与可变电容阵列Cs的另一端相连且另一端与CMOS逻辑非门M1的输出端相连的可变电阻Rd，一端连接于可变电容阵列Cs、可变电阻Rd的公共端且另一端接地的电容C2，连接于CMOS逻辑非门M1的输出端的 CMOS逻辑非门M2，以及连接于CMOS逻辑非门M2的输出端的缓冲器M3；其中，所述石英晶片连接于电容C1与可变电容阵列Cs之间；所述缓冲器M3的输出端作为压控振荡电路的输出端。电容C1、C2用于与镀有电极的石英晶片3的负载电容进行匹配。振荡电路内部的电容CS采用可变电容阵列，通过电压可以改变电容阵列Cs的电容值从而实现对振荡电路频率的调整。电阻Rd为可变电阻器，用于调节振荡电路对于镀有电极的石英晶片3的激励电流。同时，压控振荡电路在输出前设置了输出缓冲电路，进一步减小了负载对压控振荡电路状态的影响。压控振荡电路与镀有电极的石英晶片3电连接，产生稳定的振荡频率。
如图8所示，所述温度补偿电路集成了温度传感器A、温度传感器B、1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器，其中，温度传感器A和温度传感器B产生随温度变化的补偿电压，温度传感器A产生的补偿电压进入1次项系数～6次项系数的电压发生器，温度传感器B产生的补偿电压进入6个温度分段电压发生器，1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器产生的电压求和后加载到压控振荡电路的压控调谐端。其中1次项系数的电压发生器又进一步分为1次项粗调电压发生器和1次项细调电压发生器。程序存储器可以设置电压发生器内部放大器的增益，从而确定不同补偿电压曲线系数，同时程序存储器还设置了分段电压发生器内部放大器的增益。
电压发生器以带源极负反馈的差分放大器组合作为核心单元，组成1次项系数～6次项系数的电压曲线和温度分段电压曲线。1次项系数～6次项系数的电压发生器可实现-55℃～105℃宽温度范围内的补偿电压（电压与温度之间成6次项系数曲线），6个温度分段电压发生器针对不同温度范围（-55℃～-30℃、-30℃～0℃、0℃～25℃、25℃～65℃、65℃～85℃、85℃～105℃）产生另一个补偿电压，该补偿电压对局部温度的频率偏移进行进一步修正。最终，1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器产生的电压求和后加载到压控振荡电路的压控调谐端，实现对振荡频率偏移的补偿。其中，所述可变电容阵列Cs的输入端作为压控振荡电路的压控调谐端。
如图9所示，所述控温电路包括了温度传感器C、增益控制器、闸门控制器、电流控制器、MOS管。控温电路主要通过程序存储器设置增益控制器的电压增益倍数、闸门控制器的开关电压以及电流控制器允许MOS管通过的最大电流值。其中，内部温度传感器C为半导体PN结型温度传感器 ，产生随温度变化的线性电压，该电压进入增益控制器再进入闸门控制器后产生电压用于控制电流控制器，电流控制器驱动MOS管工作，通过MOS管发热将温度升温到设置的温度值，同时电流控制器还可限制流过MOS管的最大电流。
其次，程序存储电路用于存储电源管理电路的参数（电压基准值）、压控振荡电路的参数（包括激励电流、压控增益、波形等）、温度补偿电路的参数（对应不同频率温度特性曲线的补偿电压曲线参数）、控温电路的参数（包括控温温度值、控温精度、控温灵敏度和流经MOS管的最大电流等）的配置。同时，程序存储电路通过串口通讯电路实现对高稳定度晶振芯片2内部数据的读写，从而实现对高稳定度晶振芯片2的实时参数设置。
通过上述设计，本发明的高稳定度表贴石英晶体振荡器结合了高精度温度补偿技术和精密控温技术，将压控振荡电路、温度补偿电路、控温电路集成在一颗芯片中。同时，晶体振荡器采用一体化的表贴封装形式，内部为真空环境，封装后的体积为5mm×3.2mm×1.5mm。该石英晶体振荡器在-55℃~105℃的宽温范围内可实现±0.2×10-6～±0.5×10-6的稳定度指标，在内部控温的温度稳定后可实现在-55℃~85℃温度范围内优于±0.05×10-6的稳定度指标。本发明的石英晶体振荡器比较传统的恒温晶体振荡器，其开机特性更好、功耗更低、体积更小、可工作温度范围更宽；比较传统的温度补偿晶体振荡器，其频率精度和频率温度稳定度指标更好。同时，本发明的晶体振荡器的生产自动化程度高，批生产性好、参数一致性好，成本也得到了进一步的降低。
上述实施例仅为本发明的优选实施方式之一，不应当用于限制本发明的保护范围，但凡在本发明的主体设计思想和精神上作出的毫无实质意义的改动或润色，其所解决的技术问题仍然与本发明一致的，均应当包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，其特征在于，包括陶瓷基座（1），安装于陶瓷基座（1）内的高稳定度晶振芯片（2）和镀有电极的石英晶片（3），以及用于与陶瓷基座（1）连接用于封装的金属盖板（4）；所述高稳定度晶振芯片（2）包括温度补偿电路，与温度补偿电路相连的压控振荡电路和程序存储电路，与程序储存电路相连的控温电路，以及用于为温度补偿电路、压控振荡电路、程序存储电路和控温电路相连的电源管理电路；其中，所述石英晶片（3）与压控振荡电路相连；
所述温度补偿电路集成了温度传感器A、温度传感器B、1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器，其中，温度传感器A和温度传感器B产生随温度变化的补偿电压，温度传感器A产生的补偿电压进入1次项系数～6次项系数的电压发生器，温度传感器B产生的补偿电压进入6个温度分段电压发生器，1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器产生的电压求和后加载到压控振荡电路的压控调谐端；其中，所述程序存储电路与1次项系数～6次项系数的电压发生器和6个温度分段电压发生器相连，从而通过程序存储器设置1次项系数～6次项系数的电压发生器内部放大器的增益，确定不同补偿电压曲线系数，同时程序存储器还设置了温度分段电压发生器内部放大器的增益；
所述控温电路包括依次连接的温度传感器C、增益控制器、闸门控制器、电流控制器和MOS管；其中，增益控制器的电压增益倍数、闸门控制器的开关电压以及电流控制器允许MOS管通过的最大电流值均通过所述程序存储器设置；
所述温度补偿电路的补偿方法为：所述1次项系数～6次项系数的电压发生器产生的补偿电压在-55℃～105℃温度范围内对频率的偏移进行精确的第一补偿； 6个温度分段电压发生器用于在控温电路稳定在固定温度后再次对高温段的频率偏移进行二次补偿。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，其特征在于，所述压控振荡电路包括CMOS逻辑非门M1，一端连接于CMOS逻辑非门M1的输入端另一端接地的电容C1，一端连接于CMOS逻辑非门M1的输入端的可变电容阵列Cs，连接于CMOS逻辑非门M1的输入端与输出端之间的反馈电阻Rf，一端与可变电容阵列Cs的另一端相连且另一端与CMOS逻辑非门M1的输出端相连的可变电阻Rd，一端连接于可变电容阵列Cs、可变电阻Rd的公共端且另一端接地的电容C2，连接于CMOS逻辑非门M1的输出端的 CMOS逻辑非门M2，以及连接于CMOS逻辑非门M2的输出端的缓冲器M3；其中，所述石英晶片连接于电容C1与可变电容阵列Cs之间；所述缓冲器M3的输出端作为压控振荡电路的输出端；其中，所述可变电容阵列Cs的输入端作为压控振荡电路的压控调谐端。
3.根据权利要求2所述的一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，其特征在于，所述陶瓷基座（1）的一侧设有一个腔体，所述腔体内部开设有晶振芯片安装位（5）和石英晶片安装（6）位，所述石英晶片安装位上设置有两个点胶平台（8）。
4.根据权利要求3所述的一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，其特征在于，所述石英晶片采用AT切方晶片，电极材料为Au，振动模式为基频。
5.根据权利要求4所述的一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，其特征在于，所述温度传感器A、温度传感器B、温度传感器C均为半导体PN结型温度传感器。
6.根据权利要求5所述的一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，其特征在于，1次项系数～6次项系数的电压发生器中的1次项系数的电压发生器包括1次项粗调电压发生器和1次项细调电压发生器。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111628723A (zh) * 2020-05-20 2020-09-04 成都恒晶科技有限公司 一种高稳定度温度补偿压控晶体振荡器
CN115459733B (zh) * 2022-11-11 2023-03-24 成都世源频控技术股份有限公司 一种高稳定性晶体振荡器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136552A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶発振制御装置
CN106533363A (zh) * 2016-11-02 2017-03-22 河北鸿捷电子科技有限公司 多门振荡低相噪恒温晶体振荡器
CN114545998A (zh) * 2022-04-27 2022-05-27 成都世源频控技术股份有限公司 一种恒温晶体振荡器自适应保护温度控制电路及实现方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0716413U (ja) * 1993-08-25 1995-03-17 日本ビクター株式会社 温度補償型水晶発振器
US5519388A (en) * 1995-04-20 1996-05-21 Schlumberger Industries, Inc. Method and apparatus for active temperature compensation in a radiowave transmitter
US5629875A (en) * 1995-04-20 1997-05-13 Schlumberger Industries, Inc. Method and apparatus for interactively tuning frequency hopping transmitter
JP4870894B2 (ja) * 2000-08-31 2012-02-08 シチズンホールディングス株式会社 温度補償型発振器
JP2006222645A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Super Fine Technology:Kk 温度補償型発振器
CN1697309A (zh) * 2005-06-06 2005-11-16 电子科技大学 一种模拟温度补偿晶体振荡器
CN102082548A (zh) * 2010-11-12 2011-06-01 成都天奥电子股份有限公司 具有高精度的微机补偿表贴温补晶振
JP2014171158A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 温度補償型水晶発振器
CN104105286B (zh) * 2013-04-15 2016-08-10 阮小青 直流低压电源注锁功率合成调光无极灯
CN104181954B (zh) * 2014-08-18 2017-01-11 国家电网公司 一种电子制冷器恒温控制电路
JP6513927B2 (ja) * 2014-10-20 2019-05-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 発振器及びそのキャリブレーション方法
CN105932976B (zh) * 2016-05-25 2018-07-27 电子科技大学 一种用于晶体振荡器的温度补偿电路
JP6680615B2 (ja) * 2016-05-26 2020-04-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 調整装置、調整方法、および発振装置
CN109921785A (zh) * 2018-12-24 2019-06-21 钟祥博谦信息科技有限公司 一种晶体振荡器的温度补偿电路
CN111641389A (zh) * 2020-05-13 2020-09-08 北京无线电计量测试研究所 一种表贴温补晶振设计方法
CN111812319B (zh) * 2020-07-21 2023-07-11 中南大学 一种微流控石英晶片阵列传感检测***及其检测方法
CN114499452A (zh) * 2021-12-17 2022-05-13 北京无线电计量测试研究所 一种小型化温补晶振

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136552A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶発振制御装置
CN106533363A (zh) * 2016-11-02 2017-03-22 河北鸿捷电子科技有限公司 多门振荡低相噪恒温晶体振荡器
CN114545998A (zh) * 2022-04-27 2022-05-27 成都世源频控技术股份有限公司 一种恒温晶体振荡器自适应保护温度控制电路及实现方法

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