CN115062575B - 一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及*** - Google Patents

一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及*** Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及***,应用于电子元件塑封技术领域,该方法包括:通过获得三相整流桥的电路设计图,根据获取的电路设计图,获取各电路图中各元件位置信息和导线位置信息。根据各元件位置信息和导线位置信息进行位置标定,得到标定信息。获得塑封模的结构信息,根据获取标定信息对塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息,对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域,根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息实现了对注胶口位置的调整。解决了现有技术中三相整流桥塑封模注胶口位置不合理,导致形成的塑封膜存在塑封本体露白及气孔的技术问题。

Description

一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及***
技术领域
本发明涉及电子元件塑封技术领域,具体涉及一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及***。
背景技术
三相整流桥是一种整流元件,其将多个整流管封装至一个壳体内,使其构成一个完整的整流电路。在现有的三相整流桥封装过程中往往采用注胶的方式进行封装,但是在形成塑封膜的过程中由于内部微小气泡的逸散,导致其会在注胶口处形成一个较大的凹陷,导致塑封本体露白及气孔的问题。
因此,在现有技术中的三相整流桥塑封模注胶口位置不合理,导致形成的塑封膜存在塑封本体露白及气孔的技术问题。
发明内容
本申请提供一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及***,用于针对解决现有技术中三相整流桥塑封模注胶口位置不合理,导致形成的塑封膜存在塑封本体露白及气孔的技术问题。
鉴于上述问题,本申请提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及***。
本申请的第一个方面,提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法,所述方法包括:获得三相整流桥的电路设计图;基于所述电路设计图,获取各元件位置信息和导线位置信息;根据所述各元件位置信息和所述导线位置信息进行位置标定,得到标定信息;获得塑封模的结构信息;根据所述标定信息对所述塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息;对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域;根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息。
本申请的第二个方面,提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化***,所述***包括:电路设计图获取模块,用于获得三相整流桥的电路设计图;元件位置获取模块,用于基于所述电路设计图,获取各元件位置信息和导线位置信息;元件位置标定模块,用于根据所述各元件位置信息和所述导线位置信息进行位置标定,得到标定信息;塑封膜结构获取模块,用于获得塑封模的结构信息;塑封膜结构标定模块,用于根据所述标定信息对所述塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息;低密度区域获取模块,用于对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域;注胶口位置获取模块,用于根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息。
本申请中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
本申请实施例提供的方法通过获得三相整流桥的电路设计图,根据获取的电路设计图,获取各电路图中各元件位置信息和导线位置信息。根据各元件位置信息和导线位置信息进行位置标定,得到标定信息。获得塑封模的结构信息,根据获取标定信息对塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息,对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域,根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息实现了对注胶口位置的调整。解决了现有技术中三相整流桥塑封模注胶口位置不合理,导致形成的塑封膜存在塑封本体露白及气孔的技术问题。提高了三相整流桥塑封模形成后的塑封效果,避免三相整流桥塑封本体产生露白及气孔的现象。
上述说明仅是本申请技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
图1为本申请提供的一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法流程示意图;
图2为本申请提供的一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法中根据注胶口深度信息对注胶口进行上移并加深的流程示意图;
图3为本申请提供的一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法中增加注胶口凸台的流程示意图;
图4为本申请提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化***结构示意图。
附图标记说明:电路设计图获取模块11,元件位置获取模块12,元件位置标定模块13,塑封膜结构获取模块14,塑封膜结构标定模块15,低密度区域获取模块16,注胶口位置获取模块17。
具体实施方式
本申请提供一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及***,用于针对解决现有技术中三相整流桥塑封模注胶口位置不合理,导致形成的塑封膜存在塑封本体露白及气孔的技术问题。
下面将参考附图对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。所描述的实施内容例仅为本申请所能实现的部分内容,而不是本申请的全部内容。
实施例一
如图1所示,本申请提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法,所述方法包括:
步骤100:获得三相整流桥的电路设计图;
步骤200:基于所述电路设计图,获取各元件位置信息和导线位置信息;
具体的,三相整流桥是一种整流元件,其将多个整流管封装至一个壳体内,使其构成一个完整的整流电路。通过获取三相整流桥的电路设计图,电路设计图为该三相整流桥的内部电路设计图纸,该电路设计图中记录了三相整流桥的内部元件构成和各元件之间的线路连接关系,和具体的元件位置。基于获取到的电路设计图,获取各元件位置信息和元件之间的线路连接关系即导线位置信息。通过获取各元件位置信息和导线位置信息,获取该三相整流桥内部的具体结构,便于后续对三相整流桥内部的具体结构进行位置标定。
步骤300:根据所述各元件位置信息和所述导线位置信息进行位置标定,得到标定信息;
具体的,根据各元件位置信息和导线位置信息进行位置标定,标定三相整流桥内部元件和导线的具***置,具体标定方式可以通过将获取的各元件位置信息和导线位置信息放置于坐标系中,获取各各元件位置和导线位置的具体坐标信息,得到各元件的具体坐标位置和各导线的具体坐标位置,完成对各元件位置信息和导线位置信息的位置标定,获取最终的标定信息,该标定信息中包含三相整流桥内部结构的具***置,便于后续对三相整流桥塑封膜注胶位置进行确定。
步骤400:获得塑封模的结构信息;
步骤500:根据所述标定信息对所述塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息;
具体的,在本申请实施例中塑封模为一种针对于三相整流桥产品进行塑封的模结构,该塑封膜通过向元件模具内注胶后形成,其中塑封膜的结构信息包括塑封膜的长度、宽度以及厚度等结构信息,上述塑封模的结构信息可以通过元器件的分部和尺寸信息进行确定。根据获取的标定信息对塑封膜的结构信息进行位置标定,获取塑封膜塑封的具***置,其中,由于塑封膜的作用是将三相整流桥内部结构中的各种电子元器件进行固定,并提高内部电子元件和线路之间的绝缘性,塑封膜需要对所有的电子元器件进行包裹。因此,在初结构信息进行标定时可以根据获取的各元件位置的标定信息进行确定,如原件的标定信息中包含各原件的具***置坐标,此时可以根据标定信息原件的具***置坐标进行塑封膜起始长度位置和塑封膜终止长度位置的,以及塑封膜起始宽度位置和塑封膜终止宽度位置的确定获得初始标记结构信息。
步骤600:对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域;
具体的,对各元件位置信息和导线位置信息进行获取,得到各元件和导线在三相整流桥内部的分布情况,根据三相整流桥内部的分布情况进行密集度分析。其中,在进行密集度分析时可以根据三相整流桥内部的分布情况,通过将三相整流桥均分为多个不同的区域得到多个均分区域,获得各均分区域内部的空白区域的大小、位置以及分布情况信息,根据上述空白区域的大小、位置以及分布情况信息进行空白占比获取,获取各空白区域在均分区域中的占比信息,并对占比进行排序,获取其中占比排序最高的多个区域。其中占比排序最高的多个区域数量可以根据实际情况进行具体设置,将占比排序最高的多个区域作为低密度区域。
步骤700:根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息。
具体的,根据初始标记结构信息获取塑封膜的结构位置信息,确定塑封膜起始长度位置和塑封膜终止长度位置的,以及塑封膜起始宽度位置和塑封膜终止宽度位置,根据上述结构位置信息以及低密度区域,确定各低密度区域的具***置坐标,由于低密度区域是三相整流桥内部区域通过均分后获取的均等区域位置,因此可以根据结构位置信息和低密度区域的对应关系进行低密度区域坐标的获取,将低密度区域作为注胶口位置信息。通过确定注胶口位置信息实现了对注胶口位置的调整,避免了最终形成的塑封本体有露白及气孔的问题,其中露白是塑封模形成后部分元件会因塑封不完全导致部分位置暴露在外的情况。提高了三相整流桥塑封模形成后的塑封效果,避免三相整流桥塑封本体产生露白及气孔的现象。
如图2所示,本申请实施例提供的方法步骤400还包括:
步骤410:根据所述塑封模的结构信息,得到所述塑封模的塑封厚度信息;
步骤420:基于所述塑封模的厚度信息,获得注胶口深度信息;
步骤430:根据所述注胶口深度信息,将所述注胶口进行上移并加深。
具体的,根据塑封膜的结构信息,其中塑封膜的结构信息包括塑封膜的长度、宽度以及厚度等结构信息,提取其中塑封膜的厚度信息。在进行注胶口注胶时,注胶的深度需要根据塑封膜的厚度进行确定,注胶口的深度相对于塑封膜的厚度不能太深,当注胶口深度相对于塑封膜的厚度过深时则可能导致待塑封元件中部分元件不能完全覆盖,导致塑封效果较差。因此,需要基于塑封膜厚度信息,获取注胶口的深度信息,该注胶口深度信息可以根据实际的厚度进行确定,其中注胶口的深度需要在注胶完成时完全覆盖待塑封的内部元件。随后将注胶口进行上移并加深,进行上移后并加深的注胶口对于三相整流桥内部的塑封更加完全。提高了三相整流桥塑封模的塑封效果,避免三相整流桥塑封本体产生露白现象。
本申请实施例提供的方法步骤410包括:
步骤411:根据所述塑封模的结构信息,获得所述塑封模的尺寸信息;
步骤412:根据所述塑封模的尺寸信息和所述注胶口深度信息进行约束分析,得到注胶口倾角值;
步骤413:根据所述注胶口倾角值对所述注胶口的倾斜角度进行调整。
具体的,根据三相整流桥塑封模的结构信息,其中塑封膜的结构信息包括塑封膜的长度、宽度以及厚度等结构信息,获取三相整流桥塑封膜的尺寸信息。根据获取的塑封模的尺寸信息和注胶口深度信息进行约束分析,分析在注胶过程中注胶口是否可以满足该尺寸塑封膜的形成,由于在形成塑封膜时流动的胶体需要通过注胶口均匀的蔓延至三相整流桥内部,当需要形成的塑封膜尺寸较大时获取的注胶口位置可能距离塑封膜边缘位置较远,导致胶体扩散缓慢从而导致形成的塑封膜中出现气泡等瑕疵,当存在塑封膜尺寸较大导致注胶口位置距离塑封膜边缘位置较远的约束条件时,则获取注胶口的倾角值,该倾角值由注胶口的中心到该注胶口辐射范围最远点确定,即辐射范围最远点与注胶口的中心点之间的连线与地面构成的夹角即为注胶口倾角值。根据获取的注胶口倾角值对注胶口的倾斜角度进行调整,使得注胶口存在一定的倾斜角度。进而避免注胶时胶体不能及时扩散,导致形成的塑封膜中出现气泡等瑕疵。
如图3所示,本申请实施例提供的方法步骤700之后还包括:
步骤800:确定注胶口凸台内缘尺寸信息;
步骤900:确定注胶口凸台外缘尺寸信息;
步骤1000:根据所述注胶口凸台内缘尺寸信息和所述注胶口凸台外缘尺寸信息,确定注胶口凸台的剖面尺寸信息;
步骤1100:确定所述注胶口凸台的厚度信息;
步骤1200:根据所述剖面尺寸信息和所述厚度信息,确定所述注胶口凸台的尺寸信息;
步骤1300:根据所述尺寸信息,增加注胶口凸台。
具体的,确定注胶口凸台内缘尺寸信息以及注胶口凸台外缘尺寸信息,其中注胶口凸台内缘尺寸信息与注胶口的尺寸信息一致,注胶口凸台外缘尺寸信息与塑封膜中注胶口以外的尺寸信息一致。根据获取的注胶口凸台内缘尺寸信息和注胶口凸台外缘尺寸信息,确定注胶口凸台的剖面尺寸信息,该注胶口凸台的剖面尺寸信息中包括凸台的长度信息和宽度信息,以及各注胶口对应凸台的尺寸信息。获取注胶口凸台的厚度信息,其中注胶口凸台的厚度信息与注胶口的深度信息一致。随后根据获取的注胶口凸台的剖面尺寸信息和注胶口凸台的厚度信息,确定注胶口凸台的尺寸信息,该注胶口凸台的尺寸信息中包含凸台的所有尺寸信息,例如凸台的长度信息和宽度信息,以及各注胶口对应凸台的尺寸信息和注胶口凸台的厚度信息。通过在对应位置的注胶口上增加凸台提高了注胶口深度,使最终注胶口的深度一致,避免了塑封本体露白及气孔的问题。
本申请实施例提供的方法步骤800还包括:
步骤810:获得所述注胶口形状信息和尺寸信息;
步骤820:根据所述注胶口形状信息和所述尺寸信息,确定注胶口凸台内缘尺寸信息。
具体的,由于注胶口位于三相整流桥内部各空白区域在均分区域中的占比排序最高的区域即低密度区域,因此注胶口的形状、位置以及尺寸与低密度区域的形状、位置以及尺寸相同,通过获取的排序最高的区域即低密度区域获取注胶口形状信息和尺寸信息。随后根据胶口形状信息和尺寸信息,确定注胶口凸台内缘尺寸信息,其中注胶口凸台内缘尺寸信息注胶口的尺寸信息一致,保证注胶口凸台和注胶口的配合效果。
本申请实施例提供的方法步骤900还包括:
步骤910:根据所述塑封模的结构信息和所述注胶口的尺寸信息,获得注胶口与塑封模的比例信息;
步骤920:根据所述注胶口与塑封模的比例信息,确定注胶口凸台外缘尺寸信息。
具体的,根据塑封模的结构信息和注胶口的尺寸信息,获取注胶口和塑封模的比例信息,该比例信息由注胶口的尺寸和塑封膜的尺寸比值获取。根据所述注胶口与塑封模的比例信息,获取塑封模中注胶口以外的区域,根据获取的塑封模中注胶口以外的区域确定注胶口凸台外缘尺寸信息,其中注胶口凸台外缘尺寸信息与塑封膜中注胶口以外的尺寸信息一致,保证注胶口凸台和注胶口的配合效果。
本申请实施例提供的方法步骤1100还包括:
步骤1110:根据所述注胶口的尺寸信息,得到所述注胶口的厚度信息;
步骤1120:根据所述注胶口的厚度信息,确定所述注胶口凸台的厚度信息。
具体的,根据注胶口的尺寸信息,获取注胶口的厚度。在进行注胶口注胶时由于注胶物质的流动性使其可以向四周流动,当注胶完成后此时注胶虽然完整的覆盖了所有的电子元器件,但是在形成塑封膜的过程中由于内部微小气泡的逸散,导致其会在注胶口处形成一个较大的凹陷,导致塑封本体露白。通过设置注胶口凸台提高了注胶口深度,保证了注胶口深度的一致性,避免塑封本体露白的问题。其中注胶口凸台厚度信息与注胶口的厚度信息一致,通过获取的注胶口的厚度信息确定所述注胶口凸台的厚度信息。
综上所述,本申请实施例提供的方法通过获得三相整流桥的电路设计图,根据获取的电路设计图,获取各电路图中各元件位置信息和导线位置信息。根据各元件位置信息和导线位置信息进行位置标定,得到标定信息。获得塑封模的结构信息,根据获取标定信息对塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息,对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域,根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息。并根据注胶口的结构信息在注胶口处设置凸台实现了对注胶口位置的调整。解决了现有技术中三相整流桥塑封模注胶口位置不合理,导致形成的塑封膜存在塑封本体露白及气孔的技术问题。提高了三相整流桥塑封模形成后的塑封效果,避免三相整流桥塑封本体产生露白及气孔的现象。
实施例二
基于与前述实施例中一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法相同的发明构思,如图4所示,本申请提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化***,所述***包括:
电路设计图获取模块11,用于获得三相整流桥的电路设计图;
元件位置获取模块12,用于基于所述电路设计图,获取各元件位置信息和导线位置信息;
元件位置标定模块13,用于根据所述各元件位置信息和所述导线位置信息进行位置标定,得到标定信息;
塑封膜结构获取模块14,用于获得塑封模的结构信息;
塑封膜结构标定模块15,用于根据所述标定信息对所述塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息;
低密度区域获取模块16,用于对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域;
注胶口位置获取模块17,用于根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息。
进一步地,所述塑封膜结构获取模块14还用于:
根据所述塑封模的结构信息,得到所述塑封模的塑封厚度信息;
基于所述塑封模的厚度信息,获得注胶口深度信息;
根据所述注胶口深度信息,将所述注胶口进行上移并加深。
进一步地,所述塑封膜结构获取模块14还用于:
根据所述塑封模的结构信息,获得所述塑封模的尺寸信息;
根据所述塑封模的尺寸信息和所述注胶口深度信息进行约束分析,得到注胶口倾角值;
根据所述注胶口倾角值对所述注胶口的倾斜角度进行调整。
进一步地,所述注胶口位置获取模块17还用于:
确定注胶口凸台内缘尺寸信息;
确定注胶口凸台外缘尺寸信息;
根据所述注胶口凸台内缘尺寸信息和所述注胶口凸台外缘尺寸信息,确定注胶口凸台的剖面尺寸信息;
确定所述注胶口凸台的厚度信息;
根据所述剖面尺寸信息和所述厚度信息,确定所述注胶口凸台的尺寸信息;
根据所述尺寸信息,增加注胶口凸台。
进一步地,所述注胶口位置获取模块17还用于:
获得所述注胶口形状信息和尺寸信息;
根据所述注胶口形状信息和所述尺寸信息,确定注胶口凸台内缘尺寸信息。
进一步地,所述注胶口位置获取模块17还用于:
根据所述塑封模的结构信息和所述注胶口的尺寸信息,获得注胶口与塑封模的比例信息;
根据所述注胶口与塑封模的比例信息,确定注胶口凸台外缘尺寸信息。
进一步地,所述注胶口位置获取模块17还用于:
根据所述注胶口的尺寸信息,得到所述注胶口的厚度信息;
根据所述注胶口的厚度信息,确定所述注胶口凸台的厚度信息。
上述实施例二用于执行如实施例一中的方法,其执行原理以及执行基础均可以通过实施例一中记载的内容获取,在此不做过多赘述。尽管结合具体特征及其实施例对本申请进行了描述,但本申请不受这里描述的示例实施例的限制。基于本申请的实施例,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的范围,这样获取的内容也属于本申请保护的范围。

Claims (6)

1.一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法,其特征在于,所述方法包括:
获得三相整流桥的电路设计图;
基于所述电路设计图,获取各元件位置信息和导线位置信息;
根据所述各元件位置信息和所述导线位置信息进行位置标定,得到标定信息;
获得塑封模的结构信息;
根据所述标定信息对所述塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息;
对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域,其中,在进行密集度分析时根据三相整流桥内部的分布情况,通过将三相整流桥均分为多个不同的区域得到多个均分区域,获得各均分区域内部的空白区域的大小、位置以及分布情况信息,根据上述空白区域的大小、位置以及分布情况信息进行空白占比获取,获取各空白区域在均分区域中的占比信息,并对占比进行排序,将占比排序最高的多个区域作为低密度区域;
根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息,其中,根据初始标记结构信息获取塑封膜的结构位置信息,确定塑封膜起始长度位置和塑封膜终止长度位置的,以及塑封膜起始宽度位置和塑封膜终止宽度位置,根据上述结构位置信息以及低密度区域,确定各低密度区域的具***置坐标,由于低密度区域是三相整流桥内部区域通过均分后获取的均等区域位置,因此根据结构位置信息和低密度区域的对应关系进行低密度区域坐标的获取,将低密度区域作为注胶口位置信息;
其中,所述方法还包括:
根据所述塑封模的结构信息,得到所述塑封模的塑封厚度信息;
基于所述塑封模的厚度信息,获得注胶口深度信息;
根据所述注胶口深度信息,将所述注胶口进行上移并加深;
根据所述塑封模的结构信息,获得所述塑封模的尺寸信息;
根据所述塑封模的尺寸信息和所述注胶口深度信息进行约束分析,得到注胶口倾角值;
根据所述注胶口倾角值对所述注胶口的倾斜角度进行调整。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
确定注胶口凸台内缘尺寸信息;
确定注胶口凸台外缘尺寸信息;
根据所述注胶口凸台内缘尺寸信息和所述注胶口凸台外缘尺寸信息,确定注胶口凸台的剖面尺寸信息;
确定所述注胶口凸台的厚度信息;
根据所述剖面尺寸信息和所述厚度信息,确定所述注胶口凸台的尺寸信息;
根据所述尺寸信息,增加注胶口凸台。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定注胶口凸台内缘尺寸信息,包括:
获得所述注胶口形状信息和尺寸信息;
根据所述注胶口形状信息和所述尺寸信息,确定注胶口凸台内缘尺寸信息。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定注胶口凸台外缘尺寸信息,包括:
根据所述塑封模的结构信息和所述注胶口的尺寸信息,获得注胶口与塑封模的比例信息;
根据所述注胶口与塑封模的比例信息,确定注胶口凸台外缘尺寸信息。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定所述注胶口凸台的厚度信息,包括:
根据所述注胶口的尺寸信息,得到所述注胶口的厚度信息;
根据所述注胶口的厚度信息,确定所述注胶口凸台的厚度信息。
6.一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化***,其特征在于,所述***包括:
电路设计图获取模块,用于获得三相整流桥的电路设计图;
元件位置获取模块,用于基于所述电路设计图,获取各元件位置信息和导线位置信息;
元件位置标定模块,用于根据所述各元件位置信息和所述导线位置信息进行位置标定,得到标定信息;
塑封膜结构获取模块,用于获得塑封模的结构信息;
塑封膜结构标定模块,用于根据所述标定信息对所述塑封模的结构信息进行标定,得到初始标记结构信息;
低密度区域获取模块,用于对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析,得到低密度区域,其中,在进行密集度分析时根据三相整流桥内部的分布情况,通过将三相整流桥均分为多个不同的区域得到多个均分区域,获得各均分区域内部的空白区域的大小、位置以及分布情况信息,根据上述空白区域的大小、位置以及分布情况信息进行空白占比获取,获取各空白区域在均分区域中的占比信息,并对占比进行排序,将占比排序最高的多个区域作为低密度区域;
注胶口位置获取模块,用于根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域,确定注胶口位置信息,其中,根据初始标记结构信息获取塑封膜的结构位置信息,确定塑封膜起始长度位置和塑封膜终止长度位置的,以及塑封膜起始宽度位置和塑封膜终止宽度位置,根据上述结构位置信息以及低密度区域,确定各低密度区域的具***置坐标,由于低密度区域是三相整流桥内部区域通过均分后获取的均等区域位置,因此根据结构位置信息和低密度区域的对应关系进行低密度区域坐标的获取,将低密度区域作为注胶口位置信息;
所述塑封膜结构获取模块还用于:
根据所述塑封模的结构信息,得到所述塑封模的塑封厚度信息;
基于所述塑封模的厚度信息,获得注胶口深度信息;
根据所述注胶口深度信息,将所述注胶口进行上移并加深;
根据所述塑封模的结构信息,获得所述塑封模的尺寸信息;
根据所述塑封模的尺寸信息和所述注胶口深度信息进行约束分析,得到注胶口倾角值;
根据所述注胶口倾角值对所述注胶口的倾斜角度进行调整。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244442A (ja) * 1993-07-02 2001-09-07 Hitachi Ltd 半導体メモリ装置及びその製造方法
WO2016165363A1 (zh) * 2015-04-17 2016-10-20 歌尔声学股份有限公司 扬声器振动***
CN109989686A (zh) * 2019-04-01 2019-07-09 施万库 一种防风防水注胶角码及其连接结构
CN112968026A (zh) * 2021-03-29 2021-06-15 广东汇芯半导体有限公司 智能功率模块和智能功率模块的制备方法
CN113198691A (zh) * 2021-05-19 2021-08-03 飓蜂科技(苏州)有限公司 一种基于3d线激光和ccd的高精度大视野点胶方法及装置
CN114065689A (zh) * 2020-08-07 2022-02-18 浙江宇视科技有限公司 一种焊盘选型方法、装置、电子设备和介质
WO2022048598A1 (zh) * 2020-09-04 2022-03-10 维沃移动通信有限公司 图像获取方法、装置、服务器和电子设备
WO2022063283A1 (zh) * 2020-09-28 2022-03-31 华为技术有限公司 半导体封装结构及其制造方法和半导体器件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4971050B2 (ja) * 2007-06-21 2012-07-11 株式会社日立製作所 半導体装置の寸法測定装置
CN105415568B (zh) * 2015-11-17 2018-04-17 苏州康尼格电子科技股份有限公司 低压注胶装置、低压封胶***及低压封胶方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244442A (ja) * 1993-07-02 2001-09-07 Hitachi Ltd 半導体メモリ装置及びその製造方法
WO2016165363A1 (zh) * 2015-04-17 2016-10-20 歌尔声学股份有限公司 扬声器振动***
CN109989686A (zh) * 2019-04-01 2019-07-09 施万库 一种防风防水注胶角码及其连接结构
CN114065689A (zh) * 2020-08-07 2022-02-18 浙江宇视科技有限公司 一种焊盘选型方法、装置、电子设备和介质
WO2022048598A1 (zh) * 2020-09-04 2022-03-10 维沃移动通信有限公司 图像获取方法、装置、服务器和电子设备
WO2022063283A1 (zh) * 2020-09-28 2022-03-31 华为技术有限公司 半导体封装结构及其制造方法和半导体器件
CN112968026A (zh) * 2021-03-29 2021-06-15 广东汇芯半导体有限公司 智能功率模块和智能功率模块的制备方法
CN113198691A (zh) * 2021-05-19 2021-08-03 飓蜂科技(苏州)有限公司 一种基于3d线激光和ccd的高精度大视野点胶方法及装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
基于光场成像的气液两相流中气泡三维测量方法;李庆浩;赵陆海波;张彪;唐志永;许传龙;;东南大学学报(自然科学版)(06);全文 *

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