CN115011348B - 一种氮化铝蚀刻液及其应用 - Google Patents
一种氮化铝蚀刻液及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115011348B CN115011348B CN202210758826.9A CN202210758826A CN115011348B CN 115011348 B CN115011348 B CN 115011348B CN 202210758826 A CN202210758826 A CN 202210758826A CN 115011348 B CN115011348 B CN 115011348B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- etching
- water
- etching solution
- residues
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 108
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 94
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims description 3
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims description 3
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001393 triammonium citrate Substances 0.000 claims description 3
- 235000011046 triammonium citrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 abstract 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 229940068918 polyethylene glycol 400 Drugs 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FQHUDZKKDCTQET-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NCCN1 FQHUDZKKDCTQET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 1
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229940077386 sodium benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- MZSDGDXXBZSFTG-UHFFFAOYSA-M sodium;benzenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 MZSDGDXXBZSFTG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供了一种氮化铝蚀刻液及其应用，该蚀刻液按质量百分数计，包括碱性物质：10~20%、添加剂0.1‑0.8%；表面活性剂0.01‑0.05%，其余为水。其中水和碱性物质提供了蚀刻液必要的基础碱性环境，添加剂提供了蚀刻必须的氧化性能与促进氮化铝水解的功能，表面活性剂优化蚀刻条件，在相同的蚀刻时间下，可以有效蚀刻掉氮化铝。该蚀刻液生产工艺简单，原材料成本低且性能稳定，有利于工业化大规模生产，同时可以加快蚀刻速率，提高半导体成品的生产效率。
Description
技术领域
本发明属于电子化学品领域，涉及一种蚀刻液，具体为一种氮化铝蚀刻液及其应用。
背景技术
氮化铝具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，是在半导体领域中重要的电子材料。在用于除去氮化铝层的湿法蚀刻工艺中，常使用氢氧化钾水溶液。单独的氢氧化钾水溶液存在一些无法避免的缺点，例如：氮化铝层在某些晶面难以被单独的氢氧化钾水溶液蚀刻，同时在制备氮化铝层时氮化铝也会和衬底材料产生合金变的难以被蚀刻。
目前，对于氮化铝蚀刻过程中生成难以被蚀刻的锥型残留还没有高效的解决方案，在半导体器件制程过程中，如若某一材料层产生过多的残留，则会引起整体产品良率下降。
为了解决以上的问题，需要在氢氧化钾水溶液中增加其他添加剂，来帮助氢氧化钾水溶液提升蚀刻能力，有效解决锥型残留的问题。
发明内容
本发明提供一种氮化铝蚀刻液及其应用，可以高效去除氮化铝的锥形针状残留。
本发明的技术方案是，一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，包括碱性物质10～20％、添加剂0.1-0.8％，表面活性剂0.01-0.05％，其余为水。
进一步地，所述碱性物质为氢氧化钾、氢氧化钠中的一种或几种。
进一步地，所述碱性物质还包括乙二胺、四甲基氢氧化铵中的一种或两种，添加量占总蚀刻液的0.01-0.1％。
进一步地，所述添加剂为柠檬酸铵、乙酸铵、柠檬酸三铵、三乙醇胺、N，N’-二环己基碳二亚胺、聚丙烯酰胺中的一种或几种的组合。
进一步地，所述表面活性剂为2-十一烷基咪唑啉、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、聚乙二醇、苯磺酸钠、烷基磺酸盐中的一种或几种的组合。
进一步地，所述水为去离子水、蒸馏水、纯水或超纯水中的一种或多种。
本发明还涉及所述的氮化铝蚀刻液在蚀刻氮化铝层中的应用。
本发明还涉及所述的氮化铝蚀刻液在蚀刻不同材料的复合基底层上的氮化铝层中的用途，包括碱性物质12～15％、添加剂0.5-0.8％，表面活性剂0.01-0.05％，其余为水。
本发明还涉及所述的氮化铝蚀刻液在蚀刻硅半导体基底层上的氮化铝层中的用途，包括碱性物质：16～18％、添加剂0.2-0.6％；表面活性剂0.01-0.05％，其余为水；该蚀刻液用于蚀刻硅半导体基底层上的氮化铝层。
进一步地，具体方法是将待蚀刻样品采用蚀刻液进行浸泡或喷淋处理，后清洗干燥。
本发明具有以下有益效果：
1、本发明通过的碱性物质中，以强碱性氢氧化物为主，添加有机碱作为辅助碱性物质，一方面可增强溶液碱性，另一方面可削弱碱蚀刻的各向异性，从而一定程度上减少氮化铝锥形针状残留的数量。
2、氮化铝的碱蚀刻分两步进行，首先水解生成氧化铝和一水合氨，而后氧化铝和氢氧根反应生成偏氯酸根。本发明中加入添加剂可以作为螯合剂去螯合一部分铝，从而促进水解反应的正向进行，有助于改善碱性蚀刻液对氮化铝的蚀刻速率。
3、本发明蚀刻液中包含的长链烷基类表面活性剂，改善溶液的表面张力等性质，使溶液与被蚀刻层的接触角减小，增加其蚀刻效果。
4、本发明所提供的蚀刻液可以有效解决锥型残留的问题，在相同的时间下，可以更好优化蚀刻效果。
附图说明
图1为对比例1氮化铝蚀刻效果图；
图2为蚀刻后的残留的截面图；
图3为对比例2氮化铝蚀刻效果图；
图4为实施例1氮化铝蚀刻效果图；
图5为实施例2氮化铝蚀刻效果图；
图6为实施例3氮化铝蚀刻效果图；
图7为实施例4氮化铝蚀刻效果图；
图8为实施例5氮化铝蚀刻效果图；
图9为实施例6氮化铝蚀刻效果图；
图10为实施例7氮化铝蚀刻效果图；
图11为实施例8氮化铝蚀刻效果图；
图12为实施例3所述蚀刻液钨表面蚀刻效果图；
图13为实施例4所述蚀刻液钨表面蚀刻效果图。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。
对比例1
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中氢氧化钾含量为12％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照上述配比混合的蚀刻液后在60℃的情况下蚀刻硅基底的氮化铝单片实验。首先将单片切割成2*2cm的大小，为了去除表面的氧化层，将切割好的单片放在低浓度的碱液中清洗10s，去离子水清洗，利用椭偏光谱偏振仪对氮化铝片进行测量，通过模型拟合计算得到氮化铝的初始厚度，单片测量4个点取平均值。而后将氮化铝片放入蚀刻液中蚀刻10s，清洗干净并用氮气吹干，采用椭偏光谱偏振仪测试氮化铝光谱(保持测试点与蚀刻前一致)，拟合计算并取平均值得到氮化铝厚度，计算可得氮化铝片蚀刻速率，在上述配比的蚀刻液中氮化铝的蚀刻速率为
为了研究该蚀刻液对残留的影响，将氮化铝片放入该蚀刻液中蚀刻的时长延长至1min，取出后去离子水清洗，氮气吹干；再将其在扫描电子显微镜(SEM)中观察硅基底表面上的锥形针状残留的数量，如图1，计数得，在氮化铝片和的残留数量为548个残留点，通过图2的截面图可以看出，其残留的形状为锥形针状。
对比例2
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中氢氧化钾含量为16％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图3，计数得，在氮化铝片上的残留数量为139个残留点。
实施例1
一种氮化铝蚀刻液，其中碱性物质氢氧化钾含量为12％，添加剂三乙醇含量为胺0.2％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图4，计数得，在氮化铝片上的残留数量为62个残留点。
实施例2
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中氢氧化钾含量为12％，添加剂三乙醇胺含量为0.5％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图5，计数得，在氮化铝片上的残留数量为43个残留点。
实施例3
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中氢氧化钾含量为12％，三乙醇胺含量为0.8％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图6，计数得，在氮化铝片上的残留数量为6个残留点。
实施例4
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中氢氧化钾的含量为16％，添加剂三乙醇胺含量为0.5％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图7，计数得，在氮化铝片上的残留数量为4个残留点。
过强的碱性对金属层有蚀刻影响，一般会用在非金属层上掺钪氮化铝层的蚀刻。按照对比例1中的方法，用实施例3和实施例4中的蚀刻液在60℃下于钨金属表面蚀刻相同的时间，采用实施例3中蚀刻液蚀刻后钨金属表面结构完整，如图12；而采用实施例4中的蚀刻液蚀刻后钨金属表面形成疏松多孔的结构，如图13。
实施例5
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中碱性物质为氢氧化钠含量为12％，添加剂三乙醇胺含量为0.8％，聚乙二醇400含量0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图8，计数得，在氮化铝片上的残留数量为7个残留点。
实施例6
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中碱性物质为氢氧化钾含量为12％，添加剂柠檬酸铵含量为0.8％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图9，计数得，在氮化铝片上的残留数量为12个残留点。
实施例7
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中碱性物质为氢氧化钾含量为12％，添加剂柠檬酸三铵含量为0.8％，聚乙二醇400含量为0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图10，计数得，在氮化铝片上的残留数量为8个残留点。
实施例8
一种氮化铝蚀刻液，按质量百分数计，其中碱性物质为氢氧化钾含量为12％，添加剂乙酸铵含量为0.4％、三乙醇胺含量为0.4％，聚乙二醇400含量0.05％，其余为水。
按照对比例1中的方法在60℃下对硅基底上的氮化铝单片进行蚀刻实验，得氮化铝的蚀刻速率为再通过SEM进行观察表面残留情况，如图11，计数得，在氮化铝片上的残留数量为6个残留点。
如表1所展示为对比例1～2和实施例1～8的蚀刻数据与残留数量，对比例1为空白对照，氮化铝蚀刻速率低，并且表面残留数量多。对比例2较对比例1提高了碱的浓度，蚀刻速率提高，残留数量减少，但并不能有效解决残留。实施例1-3在对比例1的基础上逐量添加了三乙醇胺，氮化铝的蚀刻速率有效升，实施例3中的配比减少氮化铝表面残留的效率达到98.9％。实施例4较对比例2添加了一定的三乙醇胺，有效提高了氮化铝的蚀刻速率，同时减少氮化铝表面残留的效率达到97.1％。实施例5较实施例3改变了碱的类型，其氮化铝蚀刻效果没有产生较大的差别。实施例6-8类比的三种同类型添加剂的一种或几种，都能达到和实施例3相近的蚀刻效果。
表1.对比例1和2与实施例1-4进行蚀刻实验的数据及残留数量
上述的实施例仅为本发明的优选技术方案，而不应视为对于本发明的限制，本申请中的实施例及实施例中的特征在不冲突的情况下，可以相互任意组合。本发明的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进，也在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种去除锥形针状残留的氮化铝蚀刻液，其特征在于，蚀刻液按质量百分数计，原料具体为碱性物质氢氧化钾：12%、添加剂为乙酸铵与三乙醇胺的混合物或三乙醇胺或柠檬酸三铵：0.8%；表面活性剂聚乙二醇0.05%，其余为水。
2.根据权利要求1所述的氮化铝蚀刻液，其特征在于：所述水为去离子水、蒸馏水、纯水或超纯水中的一种或多种。
3.权利要求1~2任意一项所述的氮化铝蚀刻液在蚀刻氮化铝层中的应用。
4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：具体方法是将待蚀刻样品采用蚀刻液进行浸泡或喷淋处理，后清洗干燥。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210758826.9A CN115011348B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种氮化铝蚀刻液及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210758826.9A CN115011348B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种氮化铝蚀刻液及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115011348A CN115011348A (zh) | 2022-09-06 |
| CN115011348B true CN115011348B (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=83079522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210758826.9A Active CN115011348B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种氮化铝蚀刻液及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115011348B (zh) |
Citations (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090011795A (ko) * | 2007-07-27 | 2009-02-02 | 조희욱 | 섬유 동도금방법 |
| CN101528884A (zh) * | 2006-11-01 | 2009-09-09 | 默克专利股份有限公司 | 用于硅表面和层的含颗粒的蚀刻糊 |
| CN101794088A (zh) * | 2004-07-22 | 2010-08-04 | 气体产品与化学公司 | 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 |
| CN101952406A (zh) * | 2007-12-06 | 2011-01-19 | 弗劳恩霍弗应用技术研究院 | 用于晶片表面处理的织构化和清洗剂及其应用 |
| CN103205259A (zh) * | 2012-03-12 | 2013-07-17 | 株式会社杰希优 | 选择性蚀刻方法 |
| CN103403845A (zh) * | 2011-03-04 | 2013-11-20 | 富士胶片株式会社 | 形成电容器结构的方法以及用于其的硅蚀刻液 |
| CN106701085A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-24 | 杭州格林达化学有限公司 | 一种ito返工蚀刻液及其制备方法 |
| CN107527808A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-12-29 | 气体产品与化学公司 | 蚀刻组合物和使用所述蚀刻组合物的方法 |
| CN108102552A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-01 | 北京航天赛德科技发展有限公司 | 一种用于氧化锆陶瓷3d抛光的抛光液及其制备方法 |
| CN110461920A (zh) * | 2017-04-06 | 2019-11-15 | 三菱制纸株式会社 | 用于树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法 |
| WO2020185745A1 (en) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution and method for aluminum nitride |
| CN112111279A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-12-22 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池制备碱抛光用添加剂及抛光工艺 |
| CN112384857A (zh) * | 2018-07-13 | 2021-02-19 | 三菱制纸株式会社 | 感光性树脂组合物、蚀刻方法以及树脂构造体的制造方法 |
| CN112912466A (zh) * | 2018-10-24 | 2021-06-04 | 三菱制纸株式会社 | 树脂组合物的蚀刻液及蚀刻方法 |
| WO2021135804A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种等离子体刻蚀残留物清洗液 |
| CN113308684A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-27 | 广东利尔化学有限公司 | 一种应用于线路板孔金属化的化学沉薄镀液智能制备方法 |
| CN113348226A (zh) * | 2019-01-28 | 2021-09-03 | 三菱制纸株式会社 | 树脂组合物的蚀刻液及蚀刻方法 |
| CN113614204A (zh) * | 2019-04-03 | 2021-11-05 | 三菱制纸株式会社 | 液晶聚合物用蚀刻液及液晶聚合物的蚀刻方法 |
| CN113621375A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-09 | 深圳市科玺化工有限公司 | 一种石英晶片蚀刻添加剂及其制备方法 |
| CN114107989A (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-01 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种含铜金属膜用蚀刻液 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294610B2 (en) * | 2004-03-03 | 2007-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated sulfonamide surfactants for aqueous cleaning solutions |
| MY150000A (en) * | 2006-05-02 | 2013-11-15 | Mimasu Semiconductor Ind Co | Process for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate for solar application and etching solution |
| US20090042390A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Sakae Koyata | Etchant for silicon wafer surface shape control and method for manufacturing silicon wafers using the same |
| US10934485B2 (en) * | 2017-08-25 | 2021-03-02 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon over silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ silicon stack during manufacture of a semiconductor device |
| US11180697B2 (en) * | 2018-11-19 | 2021-11-23 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same |
-
2022
- 2022-06-30 CN CN202210758826.9A patent/CN115011348B/zh active Active
Patent Citations (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101794088A (zh) * | 2004-07-22 | 2010-08-04 | 气体产品与化学公司 | 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 |
| CN101528884A (zh) * | 2006-11-01 | 2009-09-09 | 默克专利股份有限公司 | 用于硅表面和层的含颗粒的蚀刻糊 |
| KR20090011795A (ko) * | 2007-07-27 | 2009-02-02 | 조희욱 | 섬유 동도금방법 |
| CN101952406A (zh) * | 2007-12-06 | 2011-01-19 | 弗劳恩霍弗应用技术研究院 | 用于晶片表面处理的织构化和清洗剂及其应用 |
| CN103403845A (zh) * | 2011-03-04 | 2013-11-20 | 富士胶片株式会社 | 形成电容器结构的方法以及用于其的硅蚀刻液 |
| CN103205259A (zh) * | 2012-03-12 | 2013-07-17 | 株式会社杰希优 | 选择性蚀刻方法 |
| CN107527808A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-12-29 | 气体产品与化学公司 | 蚀刻组合物和使用所述蚀刻组合物的方法 |
| CN106701085A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-24 | 杭州格林达化学有限公司 | 一种ito返工蚀刻液及其制备方法 |
| CN110461920A (zh) * | 2017-04-06 | 2019-11-15 | 三菱制纸株式会社 | 用于树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法 |
| CN108102552A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-01 | 北京航天赛德科技发展有限公司 | 一种用于氧化锆陶瓷3d抛光的抛光液及其制备方法 |
| CN112384857A (zh) * | 2018-07-13 | 2021-02-19 | 三菱制纸株式会社 | 感光性树脂组合物、蚀刻方法以及树脂构造体的制造方法 |
| CN112912466A (zh) * | 2018-10-24 | 2021-06-04 | 三菱制纸株式会社 | 树脂组合物的蚀刻液及蚀刻方法 |
| CN113348226A (zh) * | 2019-01-28 | 2021-09-03 | 三菱制纸株式会社 | 树脂组合物的蚀刻液及蚀刻方法 |
| WO2020185745A1 (en) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution and method for aluminum nitride |
| CN113614204A (zh) * | 2019-04-03 | 2021-11-05 | 三菱制纸株式会社 | 液晶聚合物用蚀刻液及液晶聚合物的蚀刻方法 |
| WO2021135804A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种等离子体刻蚀残留物清洗液 |
| CN112111279A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-12-22 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池制备碱抛光用添加剂及抛光工艺 |
| CN114107989A (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-01 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种含铜金属膜用蚀刻液 |
| CN113308684A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-27 | 广东利尔化学有限公司 | 一种应用于线路板孔金属化的化学沉薄镀液智能制备方法 |
| CN113621375A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-09 | 深圳市科玺化工有限公司 | 一种石英晶片蚀刻添加剂及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115011348A (zh) | 2022-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100248113B1 (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
| AU2021234274B2 (en) | Surfactants for electronics products | |
| JP3435698B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液 | |
| CN103620753B (zh) | 清洁引线框以改善导线接合工艺 | |
| CN111020610A (zh) | 一种用于Cu互连CMP后腐蚀抑制剂的清洗液及配制方法 | |
| CN114350367A (zh) | 一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液 | |
| CN115011348B (zh) | 一种氮化铝蚀刻液及其应用 | |
| CN101399196A (zh) | 晶圆背面粗糙化处理方法 | |
| WO2006068091A1 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| US20220017821A1 (en) | Branched amino acid surfactants for electronics products | |
| CN115044376B (zh) | 一种掺钪氮化铝蚀刻液及其应用 | |
| KR102309758B1 (ko) | 질화티타늄막 및 텅스텐막 적층체 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 식각방법 | |
| CN114989825B (zh) | 一种掺钪氮化铝和钨的选择性蚀刻液 | |
| WO2012001874A1 (ja) | 太陽電池基板用半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| CN114273320B (zh) | 一种半导体晶圆干刻后清洗工艺 | |
| TW201311882A (zh) | 含氟清洗液 | |
| CN112259455B (zh) | 一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法 | |
| CN108269884B (zh) | 一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法 | |
| CN115011347B (zh) | 一种氮化铝和钨的选择性蚀刻液 | |
| JPH04317331A (ja) | 半導体製造における湿式化学的方法のためのエッチング液 | |
| CN117702116A (zh) | 一种高深宽比的铝蚀刻液及应用 | |
| JP4838578B2 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| CN111139076B (zh) | 一种化学腐蚀液在硅片表面制绒中的应用 | |
| Fano et al. | Alkaline texturing | |
| JP2006179513A (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 443007 no.66-3, Yiting Avenue, Yiting District, Yichang City, Hubei Province Applicant after: Hubei Xingfu Electronic Materials Co.,Ltd. Address before: 443007 no.66-3, Yiting Avenue, Yiting District, Yichang City, Hubei Province Applicant before: HUBEI SINOPHORUS ELECTRONIC MATERIALS CO.,LTD. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |