CN114975475A - 驱动背板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种驱动背板及其制造方法、显示装置。驱动背板包括设置在基底上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的支撑结构，所述驱动结构层包括叠设的第一导电层和第二导电层，所述支撑结构在基底上的正投影与所述第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。本公开通过设置支撑结构，支撑结构在基底上的正投影与第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域，后续网印和打件过程挤压支撑结构不会造成第一导电层和第二导电层导通，有效解决了现有技术存在的短路不良等问题。

Description

驱动背板及其制备方法、显示装置
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种驱动背板及其制备方法、显示装置。
背景技术
半导体发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。其中，随着芯片制作及封装技术的发展，采用亚毫米量级甚至微米量级的微LED的背光源得到了广泛的应用。
基于LED技术的背光源的主体结构包括驱动背板和控制电路，通过控制电路对驱动背板上的发光二极管进行精细调节，可以实现高动态范围图像(High Dynamic Range，HDR)显示。
目前，现有驱动背板制备中存在较严重的短路问题，良品率较低。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开所要解决的技术问题是，提供一种驱动背板及其制备方法、显示装置，以解决现有技术存在的短路问题。
为了解决上述技术问题，本公开提供了一种驱动背板，包括设置在基底上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的支撑结构，所述驱动结构层包括叠设的第一导电层和第二导电层，所述支撑结构在基底上的正投影与所述第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在示例性实施方式中，所述支撑结构包括如下任意一种或多种：支撑柱和支撑坝。
在示例性实施方式中，所述支撑结构远离所述基底一侧的表面与所述驱动结构层远离所述基底一侧的表面之间的距离为10μm至50μm。
在示例性实施方式中，所述驱动结构层包括：设置在所述基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层远离所述基底一侧的第一导电层，覆盖所述第一导电层的第二绝缘层和第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层远离所述基底一侧的第二导电层、覆盖所述第二导电层的第四绝缘层和设置在所述第四绝缘层远离所述基底一侧的第五绝缘层，所述支撑结构设置在所述第五绝缘层远离所述基底一侧。
在示例性实施方式中，所述第五绝缘层和支撑结构的材料相同。
在示例性实施方式中，所述支撑结构的图案与所述第一导电层的图案为互补图案，或者，所述支撑结构的图案与所述第二导电层的图案为互补图案。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述的驱动背板。
本公开还提供了一种驱动背板的制备方法，包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括叠设的第一导电层和第二导电层；
在所述驱动结构层上形成支撑结构，所述支撑结构在基底上的正投影与所述第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在示例性实施方式中，在基底上形成驱动结构层，包括：
在所述基底上形成第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的第一导电层；
形成覆盖所述第一导电层的第二绝缘层和第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成第二导电层；
形成覆盖所述第二导电层的第四绝缘层；
在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层。
在示例性实施方式中，
在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层，包括：在所述第四绝缘层上涂覆第五绝缘薄膜，通过第一普通掩膜板的图案化工艺形成第五绝缘层；
在所述驱动结构层上形成支撑结构，包括：在所述第五绝缘层上涂覆支撑薄膜，通过第二普通掩膜板的图案化工艺形成支撑结构。
在示例性实施方式中，所述第二普通掩膜板与形成第一导电层的掩膜板相同，使所述支撑结构的图案与所述第一导电层的图案为互补图案；或者，所述第二普通掩膜板与形成第二导电层的掩膜板相同，使所述支撑结构的图案与所述第二导电层的图案为互补图案。
在示例性实施方式中，在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层和在所述驱动结构层上形成支撑结构是通过一次采用灰色调掩膜板的图案化工艺形成的。
在示例性实施方式中，所述支撑结构远离所述基底一侧的表面与所述驱动结构层远离所述基底一侧的表面之间的距离为10μm至50μm。
本公开示例性实施例提供了一种驱动背板及其制备方法、显示装置，通过设置支撑结构，支撑结构在基底上的正投影与第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域，后续网印和打件过程挤压支撑结构不会造成第一导电层和第二导电层导通，有效解决了现有技术存在的短路不良等问题。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其它方面。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为一种驱动背板的结构示意图；
图2为一种驱动背板中发光单元的平面结构示意图；
图3为图2中电路焊盘的放大图；
图4为本公开示例性实施例驱动背板中发光单元的剖面结构示意图；
图5为本公开示例性实施例形成第一导电层图案后的示意图；
图6为图5中A-A向的剖视图；
图7为本公开示例性实施例形成第三绝缘层图案后的示意图；
图8为图7中A-A向的剖视图；
图9为本公开示例性实施例形成第二导电层图案后的示意图；
图10为图9中A-A向的剖视图；
图11为本公开示例性实施例形成支撑结构图案后的示意图；
图12为图11中A-A向的剖视图；
图13为图11中焊盘区域的放大图；
图14a和图14b为本公开示例性实施例支撑柱的结构示意图；
图15a和图15b为本公开示例性实施例支撑坝的结构示意图；
图16为本公开示例性实施例驱动背板中绑定区域的平面结构示意图；
图17a、图17b和图17c为本公开示例性实施例共用掩膜板的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—第一绝缘层； 12—第二绝缘层；
13—第三绝缘层； 14—第四绝缘层； 15—第五绝缘层；
16—支撑结构； 31—第一控制线； 32—第二控制线；
33—驱动电压线； 34—公共电压线； 41—第一连接线；
42—第二连接线； 43—第三连接线； 44—第四连接线；
45—第五连接线； 46—第六连接线； 51—第一固晶区域；
52—第二固晶区域； 53—第三固晶区域； 54—第四固晶区域；
55—焊盘区域； 71—引线； 72—绑定焊盘；
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
微LED可以包括微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)和次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)，具有尺寸小、亮度高等优点，可以广泛应用于显示装置的背光模组中，利用微LED背光源的显示产品的画面对比度可以达到有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示产品的水平，可以使产品保留液晶显示(Liquid Crystal Display，简称LCD)的技术优势，进而提升画面的显示效果，为用户提供更优质的视觉体验。此外，微LED显示逐渐成为显示面板的一个热点，主要应用在AR/VR、TV及户外显示等领域。
目前，微LED背光源通常是通过将LED芯片用微缩制程技术进行微缩化、阵列化、薄膜化，通过巨量转移技术将LED芯片批量转移到驱动背板上。Micro LED的典型尺寸(例如长度)可以小于50μm，例如10μm至50μm。Mini LED的典型尺寸(例如长度)可以约为50μm至150μm，例如80μm至120μm。驱动背板通常包括多个发光单元，每个发光单元可以包括多个串联设置的微LED和显示驱动集成电路(Display Drive Integrated Circuit，简称DDIC)，显示驱动集成电路与控制电路连接。经本申请发明人研究发现，现有驱动背板制备工艺中存在较严重的短路问题，部分原因是驱动背板制备工艺中产生的颗粒(particle)造成的。目前，驱动背板的多个结构膜层制备过程中会产生颗粒，且无法完全避免，由于颗粒所在区域的高度高于周围区域，因此当后续网印和打件过程对驱动背板进行挤压时，会导致颗粒所在区域的膜层破损。当膜层破损正好处于两个导电层的重叠区域时，会造成两个导电层导通，从而导致源栅短路(Data Gate Short，简称DGS)不良，主要现象为十字交叉亮线。此外，即使膜层破损没有导致两个导电层导通，但由于膜层破损处容易使水汽进入，水汽腐蚀导电层，同样存在短路不良等风险。
图1为一种驱动背板的结构示意图。如图1所示，在示例性实施例中，在平行于驱动背板的平面内，驱动背板可以包括发光区域和绑定区域，绑定区域可以位于发光区域的一侧或多侧。在示例性实施例中，发光区域可以包括多个规则排布的发光单元P，绑定区域可以包括多条引线71和绑定焊盘72，至少一条引线71的一端与至少一个发光单元P中的驱动电路连接，另一端与绑定焊盘72连接。在示例性实施例中，绑定焊盘72被配置为通过柔性电路板(Flexible Printed Circuit，简称FPC)与外部控制电路连接，由控制电路控制相应的发光单元发光。
在示例性实施例中，发光区域的形状可以根据需要设置。例如，发光区域的轮廓可以为矩形，发光单元的形状也可以为矩形，这样更加容易实现背光源的分区控制。
图2为一种驱动背板中发光单元的平面结构示意图，示意了驱动背板中2个发光单元的结构。如图2所示，在示例性实施例中，在平行于驱动背板的平面内，至少一个发光单元可以包括第一控制线31、第二控制线32、驱动电压线33、公共电压线34、电路焊盘35和多个连接线。在示例性实施例中，第一控制线31配置为向发光单元提供第一信号，第一信号可以是地址信号，第二控制线32配置为向发光单元提供第二信号，第二信号可以是时长信号，驱动电压线33配置为向发光单元提供驱动电压信号，公共电压线34配置为向发光单元提供公共电压信号，公共电压信号可以是接地信号，电路焊盘35配置为与显示驱动集成电路DDIC绑定连接。在示例性实施例中，多个连接线可以包括第一连接线41、第二连接线42、第三连接线43、第四连接线44、第五连接线45和第六连接线46。
图3为图2中电路焊盘的放大图。如图3所示，在示例性实施例中，电路焊盘35可以包括第一输入端子Di、第二输入端子Pwr、输出端子Out和公共电压端子Gnd。第一输入端子Di与第一控制线31连接，配置为接收第一控制线31提供的第一信号，第一信号例如为地址信号，以用于选通相应地址的发光单元。驱动背板中的多个发光单元中，不同的发光单元的地址可以相同或不同，地址信号可以是8bit信号，显示驱动集成电路通过解析地址信号可以获知待传输的地址。第二输入端子Pwr与第二控制线32连接，配置为接收第二信号，第二信号例如为载波信号和时长信号，载波信号可以为显示驱动集成电路提供电能，时长信号可以控制发光单元的发光时长，进而控制其视觉上的发光亮度。公共电压端子Gnd与公共电压线34连接，配置为接收公共电压信号。输出端子Out配置为输出驱动信号和中继信号，驱动信号可以是驱动电流，用于驱动发光元件发光，中继信号可以是提供给其它发光单元的地址信号，其它发光单元接收该中继信号作为输入信号，从而获取地址信号。
如图2所示，在示例性实施例中，第一连接线41的第一端通过过孔与驱动电压线33连接，第一连接线41的第二端延伸到第一固晶区域51，并在第一固晶区域51形成第一端子。第二连接线42的第一端设置在第一固晶区域51内，并在第一固晶区域51形成第二端子。第一固晶区域51的第一端子与第二端子相对间隔设置，第一端子和第二端子配置为分别连接后续转移的第一发光二极管的两个电极，实现第一发光二极管与驱动背板的连接。在示例性实施例中，固晶区域是指固定发光二极管中电极的区域。
在示例性实施例中，第二连接线42的第二端延伸到第二固晶区域52，并在第二固晶区域52形成第一端子。第三连接线43的第一端设置在第二固晶区域52内，并在第二固晶区域52形成第二端子。第二固晶区域52的第一端子与第二端子相对间隔设置，第一端子和第二端子配置为分别连接后续转移的第二发光二极管的两个电极，实现第二发光二极管与驱动背板的连接。
在示例性实施例中，第三连接线43的第二端延伸到第三固晶区域53，并在第三固晶区域53形成第一端子。第四连接线44的第一端设置在第三固晶区域53内，并在第三固晶区域53形成第二端子。第三固晶区域53的第一端子与第二端子相对间隔设置，第一端子和第二端子配置为分别连接后续转移的第三发光二极管的两个电极，实现第三发光二极管与驱动背板的连接。
在示例性实施例中，第四连接线44的第二端延伸到第四固晶区域54，并在第四固晶区域54形成第一端子。第五连接线45的第一端设置在第四固晶区域54内，并在第四固晶区域54形成第二端子。第四固晶区域54的第一端子与第二端子相对间隔设置，第一端子和第二端子配置为分别连接后续转移的第四发光二极管的两个电极，实现第四发光二极管与驱动背板的连接。
在示例性实施例中，第五连接线45的第二端延伸到电路焊盘35所在区域，并与电路焊盘35中的输出端子Out连接。这样，通过一个发光单元中的多条连接线，可以安装4个串联连接的发光二极管。在示例性实施例中，一个发光单元安装发光二极管的数量可以为多个，如5个、6个、8个等，多个发光单元的排布方式采用任意排列方式，本公开在此不做限定。
在示例性实施例中，第六连接线46作为地址转接线，配置为传输第一信号。例如，驱动背板可以包括M行N列共M*N个发光单元组，每个发光单元组包括多个发光单元，每个发光单元组的多个发光单元根据行列分布位置依次编号，只有编号1的发光单元中电路焊盘35的第一输入端子Di通过连接线与第一控制线31连接，其它发光单元的第一输入端子Di接收前一个发光单元的的输出端子Out输出的中继信号作为第一输入信号。例如，编号为n的发光单元中电路焊盘35的第一输入端子Di通过第六连接线46与编号为n-1的发光单元中电路焊盘35的输出端子Out连接，编号为n的发光单元的第一输入端子Di接收编号为n-1的发光单元的输出端子Out输出的中继信号以作为第一信号。又如，编号为n的发光单元中电路焊盘35的输出端子Out通过第六连接线46与编号为n+1的发光单元中电路焊盘35的第一输入端子Di连接。这样，对于一个发光单元组，只需要通过一条连接线提供一个第一信号(地址信号)，便可以使该发光单元组中的所有发光单元均获得各自的地址信号，极大地减少了信号线的数量，节省了布线空间，并且简化了控制方式。
在示例性实施例中，发光单元可以采用2个时段驱动方式，发光单元可以在第一时段内根据第一输入端子Di接收的第一信号和第二输入端子Pwr接收的第二信号通过输出端子Out输出中继信号，在第二时段内通过输出端子Out提供驱动信号至依次串联的多个发光二极管。例如，在第一时段内，输出端子Out输出中继信号，该中继信号被提供给其它发光单元，以使其它发光单元获得地址信号。在第二时段内，输出端子Out输出驱动信号，该驱动信号被提供给依次串联的多个发光二极管，使得发光二极管在第二时段内发光。在示例性实施例中，第一时段与第二时段为不同的时段，第一时段可以早于第二时段。例如，第一时段可以与第二时段连续相接，第一时段的结束时刻即为第二时段的开始时刻。又如，第一时段与第二时段中间还可以有其它时段，该其它时段可以用于实现其它需要的功能，该其它时段也可以仅用于使第一时段和第二时段间隔开，以避免输出端子Out在第一时段和第二时段的信号彼此干扰。
在示例性实施例中，驱动背板上发光单元组的数量和排列方式、发光单元组内多个发光单元的数量和排列方式、发光单元内多个发光二极管的数量和排列方式等，可以根据实际情况来设置，本公开在此不做限定。
本公开示例性实施例驱动背板可以包括设置在基底上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层远离基底一侧的支撑结构，所述驱动结构层包括叠设的第一导电层和第二导电层，所述支撑结构在基底上的正投影与所述第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。图4为本公开示例性实施例驱动背板中发光单元的剖面结构示意图，为图2中A-A向的剖视图。如图2和图4所示，在示例性实施例中，在垂直于驱动背板的平面内，驱动背板可以包括基板10、设置在基底10上的第一绝缘层11、设置在第一绝缘层11上的第一导电层、设置在第一导电层的第二绝缘层12、设置在第二绝缘层12的第三绝缘层13、设置在第三绝缘层13上的第二导电层、设置在第二导电层的第四绝缘层14、设置在第四绝缘层14的第五绝缘层15，设置在第五绝缘层15上的支撑结构16。在示例性实施例中，第一绝缘层11、第一导电层、第二绝缘层12、第三绝缘层13、第二导电层、第四绝缘层14和第五绝缘层15组成本公开的驱动结构层。
在示例性实施例中，第一导电层可以包括第一控制线31、第二控制线32、驱动电压线33和公共电压线34。
在示例性实施例中，第二导电层可以包括第一连接线41、第二连接线42、第三连接线43、第四连接线44、第五连接线45、第六连接线46、第一输入端子Di、第二输入端子Pwr、输出端子Out和公共电压端子Gnd。
在示例性实施例中，第二绝缘层12和第三绝缘层13上设置有第一过孔，第二导电层22中的第一连接线41通过第一过孔与第一导电层21的驱动电压线33连接。
在示例性实施例中，第一绝缘层11、第二绝缘层12和第四绝缘层14为无机绝缘层，可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称为钝化(PVX)层。第三绝缘层13和第五绝缘层15为有机绝缘层，可以采用有机材料，如树脂等。第一导电层21和第二导电层22可以采用金属材料，如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)和钨(W)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者是多层复合结构，如MoNb/Cu/MoNb等。
在示例性实施例中，支撑结构16在基底上的正投影与第一导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在示例性实施例中，支撑结构16在基底上的正投影与第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在示例性实施例中，支撑结构16在基底上的正投影与第一导电层21在基底上的正投影和第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在示例性实施例中，支撑结构16可以采用有机材料，如树脂等。
在示例性实施例中，支撑结构16与第五绝缘层15通过两次采用普通掩膜板的图案化工艺分别形成。
在示例性实施例中，支撑结构16与第五绝缘层15通过一次采用灰色调掩膜板的图案化工艺同时形成。
在示例性实施例中，支撑结构16远离基底一侧的表面与第五绝缘层15远离基底一侧的表面之间的距离可以约为10μm至50μm。
在示例性实施例中，支撑结构16可以如下任意一种或多种：支撑柱和支撑坝。
在示例性实施例中，在驱动背板的不同位置，支撑结构16可以采用不同的结构。例如，在发光单元所在区域内，支撑结构16可以采用支撑柱结构，在相邻发光单元之间的区域，支撑结构16可以采用支撑坝结构。在示例性实施例中，在驱动背板的不同位置，支撑结构16可以采用不同的形状。例如，在发光二极管所在区域，支撑结构16可以采用平面形状是圆形或椭圆形的支撑柱，在发光二极管以外区域，支撑结构16可以采用平面形状是矩形或多边形的支撑柱。在示例性实施例中，在驱动背板的不同位置，支撑结构16可以采用不同的尺寸。例如，在发光区域，支撑结构16可以采用宽度较大的支撑坝，在绑定区域，支撑结构16可以采用宽度较小的支撑坝。在示例性实施例中，驱动背板上支撑结构16的结构、形状、尺寸等，可以根据实际需要进行设置，本公开在此不做限定。
下面通过驱动背板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于驱动背板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，驱动背板的制备过程可以包括如下操作。
(1)形成第一导电层图案。在示例性实施方式中，形成第一导电层可以包括：在基底上依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成设置在基底10上的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的第一导电层图案，第一导电层图案至少包括第一控制线31、第二控制线32、驱动电压线33和公共电压线34，如图5和图6所示，图6为图5中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，驱动电压线33、公共电压线34、第二控制线32和第一控制线31可以沿着第一方向X依次设置，并沿着第二方向Y延伸。第一控制线31、第二控制线32、驱动电压线33和公共电压线34可以为等宽度的直线，公共电压线34的宽度可以大于驱动电压线33的宽度，驱动电压线33的宽度可以大于第一控制线31和第二控制线32的宽度，宽度为第一方向X的尺寸。
在示例性实施方式中，第二控制线32靠近公共电压线34的一侧设置有凸块，凸块可以用于通过过孔与后续形成的电路焊盘的第二输入端子Pwr连接。
在示例性实施方式中，沉积第一绝缘薄膜可以采用化学气相沉积(CVD)方式，沉积第一金属薄膜可以采用磁控溅射(Sputter)方式。
在示例性实施方式中，第一导电层可以为多层复合结构，包括叠设的第一子层(靠近基底一侧的底层)、第二底层(中层)和第三子层(远离基底一侧的顶层)，第一子层可以采用钼铌合金MoNb，用于提高粘附力，第二子层可以采用铜Cu，用于降低电阻，第三子层可以采用MoNb，用于防氧化，形成叠层结构的MoNb/Cu/MoNb。
在示例性实施方式中，第一导电层的整体厚度可以约为1.5μm至7μm。根据电阻定律，走线的横截面积越大，电阻越小，因而较厚的第一导电层可以减小电阻，提高电学性能。
在示例性实施方式中，第一子层的厚度可以约为
Figure BDA0002950685100000141
至
Figure BDA0002950685100000142
例如
Figure BDA0002950685100000143
第三子层的厚度可以约为
Figure BDA0002950685100000144
至
Figure BDA0002950685100000145
例如
Figure BDA0002950685100000146
在示例性实施方式中，本次工艺也可以采用如下方式。在基底上先沉积第一绝缘薄膜，形成设置在基底上的第一绝缘层，然后在第一绝缘层上制备作为种子层的第一子层，以提高晶粒成核密度，然后通过电镀工艺在第一子层上电镀上第二子层，然后在第二子层上制备作为防氧化层的第三子层。第一子层可以采用MoNiTi，第二子层可以采用铜Cu，第三子层可以采用MoNiTi。
在示例性实施例中，基底可以采用硬质基底或柔性基底，硬质基底可以是玻璃等，柔性基底可以是聚酰亚胺(PI)等。
(2)形成第二绝缘层和第三绝缘层图案。在示例性实施方式中，形成第二绝缘层和第三绝缘层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先沉积第二绝缘薄膜，形成覆盖第一导电层图案的第二绝缘层12图案，然后涂覆一层第三绝缘薄膜，在第二绝缘层12上形成第三绝缘层13，通过图案化工艺对第二绝缘层12和第三绝缘层13进行图案化，形成多个过孔图案，多个过孔可以至少包括：第一过孔V1、第二过孔V2和第三过孔V3，如图7和图8所示，图8为图7中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，第一过孔V1内的第三绝缘层13和第二绝缘层12被去掉，暴露出驱动电压线33的表面，第一过孔V1配置为使后续形成的第一连接线41通过该过孔与驱动电压线33连接。第二过孔V2内的第三绝缘层13和第二绝缘层12被去掉，暴露出第二控制线32中凸块的表面，第二过孔V2配置为使后续形成的第二输入端子Pwr通过该过孔与第二控制线32连接。第三过孔V3内的第三绝缘层13和第二绝缘层12被去掉，暴露出公共电压线34的表面，第三过孔V3配置为使后续形成的公共电压端子Gnd通过该过孔与公共电压线34连接。
(3)形成第二导电层图案。在示例性实施方式中，形成第二导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，沉积第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，在第三绝缘层13上形成第二导电层图案，第二导电层图案至少包括第一连接线41、第二连接线42、第三连接线43、第四连接线44、第五连接线45、第六连接线46、第一输入端子Di、第二输入端子Pwr、输出端子Out和公共电压端子Gnd，如图9和图10所示，图10为图9中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，第五连接线45和输出端子Out为相互连接的一体结构，位于焊盘区域55的第一输入端子Di、第二输入端子Pwr、输出端子Out和公共电压端子Gnd构成电路焊盘，电路焊盘配置为连接显示驱动集成电路DDIC。
在示例性实施方式中，第一连接线41的第一端位于驱动电压线33所在区域，并通过第一过孔V1与驱动电压线33连接，第一连接线41的第二端沿第一方向X延伸到第一固晶区域51。
在示例性实施方式中，第二连接线42的第一端位于第一固晶区域51，且与第一连接线41的第二端相对设置，第二连接线42的第二端沿第二方向Y的反方向延伸到第二固晶区域52。
在示例性实施方式中，第三连接线43的第一端位于第二固晶区域52，且与第二连接线42的第二端相对设置，第三连接线43的第二端沿第一方向X延伸到第三固晶区域53。
在示例性实施方式中，第四连接线44的第一端位于第三固晶区域53，且与第三连接线43的第二端相对设置，第四连接线44的第二端沿第二方向Y延伸到第四固晶区域54。
在示例性实施方式中，第五连接线45的第一端位于第四固晶区域54，且与第四连接线44的第二端相对设置，第五连接线45的第二端沿第二方向Y延伸到焊盘区域55，并在焊盘区域55形成输出端子Out。
在示例性实施方式中，第一固晶区域51中相对设置的第一连接线41的第二端和第二连接线42的第一端形成固定后续转移的第一发光二极管的两个电极端子，第一连接线41的第二端可以作为阴极端子，连接第一发光二极管的阴极(N极)，第二连接线42的第一端可以作为阳极端子，连接第一发光二极管的阳极(P极)。
在示例性实施方式中，第二固晶区域52中相对设置的第二连接线42的第二端和第三连接线43的第一端形成固定后续转移的第二发光二极管的两个电极端子，第二连接线42的第二端可以作为阴极端子，连接第二发光二极管的阴极(N极)，第三连接线43的第一端可以作为阳极端子，连接第二发光二极管的阳极(P极)。
在示例性实施方式中，第三固晶区域53中相对设置的第三连接线43的第二端和第四连接线44的第一端形成固定后续转移的第三发光二极管的两个电极端子，第三连接线43的第二端可以作为阴极端子，连接第三发光二极管的阴极(N极)，第四连接线44的第一端可以作为阳极端子，连接第三发光二极管的阳极(P极)。
在示例性实施方式中，第四固晶区域54中相对设置的第四连接线44的第二端和第五连接线45的第一端形成固定后续转移的第四发光二极管的两个电极端子，第四连接线44的第二端可以作为阴极端子，连接第四发光二极管的阴极(N极)，第五连接线45的第一端可以作为阳极端子，连接第四发光二极管的阳极(P极)。
在示例性实施方式中，第一固晶区域51至第四固晶区域54中的阴极端子可以均位于阳极端子第二方向Y的反方向的一侧，或者，第一固晶区域51至第四固晶区域54中的阴极端子可以均位于阳极端子第二方向Y的一侧。通过发光二极管的纵向安装，可以提高显示效果。
在示例性实施方式中，第六连接线46可以包括依次连接的第一端46-1、折线段和第二端46-2。本发光单元(编号n)的第六连接线46的第一端46-1位于焊盘区域55，并在焊盘区域55形成输出端子Out，即第一端46-1与输出端子Out为相互连接的一体结构。本发光单元的第一端46-1通过折线段与下一个发光单元(编号n+1)的第六连接线的第二端连接。本发光单元(编号n)的第六连接线46的第二端46-2位于焊盘区域55，并在焊盘区域55形成第一输入端子Di，即第二端46-2与第一输入端子Di为相互连接的一体结构。本发光单元的第二端46-2通过折线段与上一个发光单元(编号n-1)的第六连接线的第一端连接。
在示例性实施方式中，第二输入端子Pwr和公共电压端子Gnd均位于焊盘区域55，第二输入端子Pwr通过第二过孔V2与第二控制线32连接，公共电压端子Gnd通过第三过孔V3与公共电压线34连接。
在示例性实施方式中，第二导电层可以采用单层结构或多层结构。例如，单层结构可以采用铜，厚度可以约为
Figure BDA0002950685100000171
又如，多层结构可以采用叠设的MoNb/Cu/CuNi。对于叠层结构MoNb/Cu/CuNi，底层采用钼铌合金MoNb可以提高粘附力，钼铌合金MoNb的厚度可以约为
Figure BDA0002950685100000172
至
Figure BDA0002950685100000173
例如
Figure BDA0002950685100000174
顶层采用铜镍合金CuNi可以兼顾防氧化和固晶牢固性，铜镍合金CuNi的厚度可以约为
Figure BDA0002950685100000175
至
Figure BDA0002950685100000176
在示例性实施方式中，顶层也可以采用镍Ni或氧化铟锡ITO，本公开在此不做限定。
(4)形成第五绝缘层和支撑结构图案。在示例性实施方式中，形成第五绝缘层和支撑结构图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先沉积第四绝缘薄膜，形成覆盖第二导电层图案的第四绝缘层14图案，然后涂覆一层第五绝缘薄膜，通过图案化工艺对第五绝缘薄膜进行图案化，在第四绝缘层14上形成第五绝缘层15图案，第五绝缘层15上形成有支撑结构16，且第四绝缘层14和第五绝缘层15形成有多个过孔图案，多个过孔可以包括：多个第四过孔V4、多个第五过孔V5、第六过孔V6、第七过孔V7、第八过孔V8和第九过孔V9，如图11、图12和图13所示，图12为图11中A-A向的剖视图，图13为图11中焊盘区域的放大图。
在示例性实施方式中，前述形成的第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第三绝缘层、第二导电层、第四绝缘层和第五绝缘层构成本公开的驱动结构层。
在示例性实施例中，支撑结构16远离基底一侧的表面与第五绝缘层15远离基底一侧的表面之间的距离H可以约为10μm至50μm。
在示例性实施方式中，多个第四过孔V4分别位于第一固晶区域51至第四固晶区域54中阴极端子所在区域，第四过孔V4内的第五绝缘层15和第四绝缘层14被去掉，暴露出阴极端子的表面。多个第五过孔V5分别位于第一固晶区域51至第四固晶区域54中阳极端子所在区域，第五过孔V5内的第五绝缘层15和第四绝缘层14被去掉，暴露出阳极端子的表面。后续转移发光二极管中，发光二极管的两个电极端子分别通过第四过孔V4和第五过孔V5与阴极端子和阳极端子固定连接。
在示例性实施方式中，第六过孔V6位于焊盘区域55中第一输入端子Di所在区域，第六过孔V6内的第五绝缘层15和第四绝缘层14被去掉，暴露出第一输入端子Di的表面。第七过孔V7位于焊盘区域55中第二输入端子Pwr所在区域，第七过孔V7内的第五绝缘层15和第四绝缘层14被去掉，暴露出第二输入端子Pwr的表面。第八过孔V8位于焊盘区域55中输出端子Out所在区域，第八过孔V8内的第五绝缘层15和第四绝缘层14被去掉，暴露出输出端子Out的表面。第九过孔V9位于焊盘区域55中公共电压端子Gnd所在区域，第九过孔V9内的第五绝缘层15和第四绝缘层14被去掉，暴露出公共电压端子Gnd的表面。后续安装显示驱动集成电路DDIC时，显示驱动集成电路DDIC的四个引脚分别通过第六过孔V6、第七过孔V7、第八过孔V8和第九过孔V9与第一输入端子Di、第二输入端子Pwr、输出端子Out和公共电压端子Gnd固定连接。
在示例性实施方式中，支撑结构16可以如下任意一种或多种：多个支撑柱和/或多个支撑坝。
图14a和图14b为本公开示例性实施例支撑柱的结构示意图。在示例性实施方式中，支撑柱可以是柱状体，柱状体的平面形状可以是矩形，如图14a所示，或者可以是圆形，如图14b所示。
图15a和图15b为本公开示例性实施例支撑坝的结构示意图。在示例性实施方式中，支撑坝可以是沿着某一个方向延伸的条状体，如图15a所示，或者可以是沿着某二个方向延伸的面状体，如图15b所示。
在示例性实施例中，由于支撑柱和支撑坝配置为避免后续网印和打件过程中挤压颗粒，避免颗粒因挤压造成膜层破损，因而可以设置支撑柱和支撑坝的高度大于颗粒的尺寸。考虑到制备工艺中产生颗粒的尺寸约小于10μm，本公开设置支撑柱的高度可以约为10μm至50μm。
在示例性实施例中，由于支撑柱和支撑坝配置为起到支撑作用，因而支撑柱和支撑坝的面积越大，支撑效果越好。在示例性实施例中，支撑柱和支撑坝可以设置在没有设置第一导电层和第二导电层的间隙区域，为了提高支撑效果，可以设置支撑柱和支撑坝的宽度大于相应间隙区域的宽度。考虑到相应间隙区域的最小宽度约为10μm左右，本公开设置支撑柱的宽度可以约为10μm至100μm，支撑坝的宽度可以约为100μm至1000μm。
在示例性实施方式中，在平行于驱动背板的平面内，支撑结构可以是孤立结构，或者可以是折线结构，或者可以是闭合的环形结构。例如，多个支撑柱或支撑坝可以间隔设置，每个支撑柱或支撑坝为孤立的结构。又如，多个支撑坝可以依次连接，形成折线的结构。再如，多个支撑坝可以依次连接成环形，形成闭合的环形结构。
在示例性实施方式中，在平行于驱动背板的平面内，支撑柱的截面形状可以包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、多边形、圆形和椭圆形。在垂直于驱动背板的平面内，支撑柱的截面形状可以包括如下任意一种或多种：三角形、矩形和梯形。
在一种示例性实施例中，支撑结构16在基底上的正投影与第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在另一种示例性实施例中，支撑结构16在基底上的正投影与第一导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在又一种示例性实施例中，支撑结构16在基底上的正投影与第一导电层21在基底上的正投影和第二导电层在基底上的正投影均没有重叠区域。
在示例性实施例中，支撑结构16可以采用有机材料，如树脂等。
在示例性实施例中，形成第五绝缘层和支撑结构图案可以采用一次灰色调掩膜的工艺。例如，采用一次灰色调掩膜的工艺可以包括：涂覆第五绝缘薄膜后，采用灰色调掩膜板对第五绝缘薄膜进行曝光，显影后形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域，完全曝光区域中的第五绝缘薄膜被去掉，暴露出第四绝缘层14，部分曝光区域的第五绝缘薄膜被去掉部分厚度，具有第一厚度，未曝光区域的第五绝缘薄膜被保留，部分曝光区域的第五绝缘薄膜，具有第二厚度，第一厚度小于第二厚度。然后通过干刻工艺刻蚀有机孔内的第四绝缘层14，在完全曝光区域形成多个过孔图案，在部分曝光区域形成第五绝缘层图案，在未曝光区域形成支撑结构图案。由于形成多个过孔和支撑结构采用一个灰色调掩膜板，可以减小掩膜次数，缩短工艺时间，可以有效降低生产成本。
至此，完成本公开示例性实施例驱动背板的制备，驱动背板包括在基底上叠设的第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第三绝缘层、第二导电层、第四绝缘层、第五绝缘层和支撑结构。第一导电层可以包括第一控制线31、第二控制线32、驱动电压线33和公共电压线34，第二导电层22可包括第一连接线41至第六连接线46、第一输入端子Di、第二输入端子Pwr、输出端子Out和公共电压端子Gnd。
图16为本公开示例性实施例驱动背板中绑定区域的平面结构示意图。如图16所示，在平行于驱动背板的平面内，驱动背板可以包括发光区域和绑定区域，绑定区域可以位于发光区域的一侧，发光区域包括多个规则排布的发光单元，绑定区域可以包括多条引线71和绑定焊盘72，多条引线71可以包括与发光区域中第一控制线31一体结构且连接的引线、与发光区域中第二控制线32一体结构且连接的引线、与发光区域中驱动电压线33一体结构且连接的引线和与发光区域中公共电压线34一体结构且连接的引线，多条引线远离发光区域一侧的端部与绑定焊盘72连接。
在示例性实施例中，绑定区域还可以包括多条连接线36，连接线36配置为通过相应的过孔与相应的引线连接。例如，连接线36可以将传输相同信号的引线连接起来。在示例性实施例中，绑定区域的多条引线71设置在第一的导电层，与发光区域的第一导电层同层设置，且通过同一次图案化工艺同时形成。连接线36设置在第二的导电层，与发光区域的第二导电层同层设置，且通过同一次图案化工艺同时形成。
在示例性实施例中，图16中空白区域为既没有第一导电层、也没有第二导电层的区域。支撑结构可以设置在上述空白区域中，与第一导电层和第二导电层均不交叠，这样，支撑结构在基底上的正投影与第一导电层和第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在示例性实施例中，形成第五绝缘层和支撑结构图案可以采用两次普通掩膜(Mask)的工艺。例如，采用两次普通掩膜的工艺可以包括：涂覆第五绝缘薄膜后，先采用第一普通掩膜板对第五绝缘薄膜进行曝光，显影后通过刻蚀工艺刻蚀第四绝缘层，形成多个过孔图案。然后涂覆第六绝缘薄膜(支撑薄膜)，采用第二普通掩膜板对第六绝缘薄膜进行曝光，显影后形成支撑结构图案，第五绝缘薄膜和第六绝缘薄膜可以采用相同的材料，或者可以采用不同的材料。或者不涂覆第六绝缘薄膜，直接采用第二普通掩膜板对第五绝缘薄膜进行曝光等。
在示例性实施例中，第二普通掩膜板可以和第一导电层图案化的掩膜板共用。图17a、图17b和图17c为本公开示例性实施例共用掩膜板的示意图。在示例性实施例中，在利用第一导电层掩膜板图案化第一导电层的工艺中，可以以采用正性光刻胶，正性光刻胶是曝光后显影可以去除曝光区域的光刻胶，形成第一导电层20图案，如图17a所示。而在后续形成支撑结构的图案化工艺中，第五绝缘薄膜或者第六绝缘薄膜可以采用具有负性光刻胶性质的有机材料，仍采用第一导电层掩膜板对第五绝缘薄膜或者第六绝缘薄膜进行曝光，显影后去除未曝光区域的薄膜，形成支撑结构16图案，如图17b所示。这样，利用同一个第一导电层掩膜板所形成的第一导电层图案与支撑结构图案是互补图案，即驱动背板上有第一导电层图案的区域没有支撑结构图案，驱动背板上有支撑结构图案的区域没有第一导电层图案，驱动背板上没有第一导电层图案的区域在基底上的正投影与支撑结构图案在基底上的正投影重叠，驱动背板上没有支撑结构图案的区域在基底上的正投影与第一导电层图案在基底上的正投影重叠，如图17c所示。由本工艺形成的支撑结构，支撑结构在基底上的正投影与第一导电层在基底上的正投影没有重叠区域。由于形成第一导电层和支撑结构采用同一个掩膜板，不仅可以减少制备掩膜板的费用，而且可以缩短更换掩膜板的时间，可以有效降低生产成本。
在示例性实施例中，形成第一导电层工艺可以采用负性光刻胶，形成支撑结构的工艺可以采用具有正性光刻胶性质的有机材料。
在示例性实施例中，第二普通掩膜板可以和第二导电层图案化的掩膜板共用，利用同一个第二导电层掩膜板所形成的第二导电层图案与支撑结构图案是互补图案。
通过以上描述的驱动背板的结构和制备流程可以看出，本公开示例性实施例所提供的驱动背板，通过设置支撑结构，支撑结构在基底上的正投影与第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域，后续网印和打件过程挤压支撑结构不会造成第一导电层和第二导电层导通，有效解决了现有技术存在的短路不良等问题。此外，由于支撑结构在基底上的正投影与第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域，即使支撑结构所在区域存在膜层破损导致水汽进入，水汽也不会腐蚀导电层，有效降低了出现短路的风险。本公开示例性实施例驱动背板的制备工艺可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开示例性实施例还提供了一种驱动背板的制备方法，用于制备前述示例性实施例的驱动背板。在示例性实施方式中，驱动背板的制备方法可以包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括叠设的第一导电层和第二导电层；
在所述驱动结构层上形成支撑结构，所述支撑结构在基底上的正投影与所述第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
在示例性实施方式中，在基底上形成驱动结构层，可以包括：
在所述基底上形成第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的第一导电层；
形成覆盖所述第一导电层的第二绝缘层和第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成第二导电层；
形成覆盖所述第二导电层的第四绝缘层；
在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层。
在示例性实施方式中，在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层，包括：在所述第四绝缘层上涂覆第五绝缘薄膜，通过第一普通掩膜板的图案化工艺形成第五绝缘层；在所述驱动结构层上形成支撑结构，包括：在所述第五绝缘层上涂覆支撑薄膜，通过第二普通掩膜板的图案化工艺形成支撑结构。
在示例性实施方式中，所述第二普通掩膜板与形成第一导电层的掩膜板相同，使所述支撑结构的图案与所述第一导电层的图案为互补图案；或者，所述第二普通掩膜板与形成第二导电层的掩膜板相同，使所述支撑结构的图案与所述第二导电层的图案为互补图案。
在示例性实施方式中，在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层和在所述驱动结构层上形成支撑结构是通过一次采用灰色调掩膜板的图案化工艺形成的。
在示例性实施方式中，所述支撑结构远离所述基底一侧的表面与所述驱动结构层远离所述基底一侧的表面之间的距离为10μm至50μm。
本公开驱动背板的制备方法的具体内容，已在前述驱动背板制备过程详细介绍，这里不再赘述。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述示例性实施例的驱动背板。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种驱动背板，其特征在于，包括设置在基底上的驱动结构层、设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的支撑结构，所述驱动结构层包括叠设的第一导电层和第二导电层，所述支撑结构在基底上的正投影与所述第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述支撑结构包括如下任意一种或多种：支撑柱和支撑坝。
3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述支撑结构远离所述基底一侧的表面与所述驱动结构层远离所述基底一侧的表面之间的距离为10μm至50μm。
4.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动结构层包括：设置在所述基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层远离所述基底一侧的第一导电层，覆盖所述第一导电层的第二绝缘层和第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层远离所述基底一侧的第二导电层、覆盖所述第二导电层的第四绝缘层和设置在所述第四绝缘层远离所述基底一侧的第五绝缘层，所述支撑结构设置在所述第五绝缘层远离所述基底一侧。
5.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述第五绝缘层和支撑结构的材料相同。
6.根据权利要求1至5任一项所述的驱动背板，其特征在于，所述支撑结构的图案与所述第一导电层的图案为互补图案，或者，所述支撑结构的图案与所述第二导电层的图案为互补图案。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的驱动背板。
8.一种驱动背板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括叠设的第一导电层和第二导电层；
在所述驱动结构层上形成支撑结构，所述支撑结构在基底上的正投影与所述第一导电层和/或第二导电层在基底上的正投影没有重叠区域。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在基底上形成驱动结构层，包括：
在所述基底上形成第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的第一导电层；
形成覆盖所述第一导电层的第二绝缘层和第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成第二导电层；
形成覆盖所述第二导电层的第四绝缘层；
在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层，包括：在所述第四绝缘层上涂覆第五绝缘薄膜，通过第一普通掩膜板的图案化工艺形成第五绝缘层；
在所述驱动结构层上形成支撑结构，包括：在所述第五绝缘层上涂覆支撑薄膜，通过第二普通掩膜板的图案化工艺形成支撑结构。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第二普通掩膜板与形成第一导电层的掩膜板相同，使所述支撑结构的图案与所述第一导电层的图案为互补图案；或者，所述第二普通掩膜板与形成第二导电层的掩膜板相同，使所述支撑结构的图案与所述第二导电层的图案为互补图案。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层和在所述驱动结构层上形成支撑结构是通过一次采用灰色调掩膜板的图案化工艺形成的。
13.根据权利要求8至12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述支撑结构远离所述基底一侧的表面与所述驱动结构层远离所述基底一侧的表面之间的距离为10μm至50μm。
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