CN100565905C - 有机发光二极管器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光二极管器件，包括：在基板上的第一晶体管的栅极；在所述第一晶体管的栅极上的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上并与所述第一晶体管的栅极重叠的第二晶体管的源极；暴露出所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极的接触孔；以及在所述接触孔中的导线，用于电连接所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管器件及其制造方法，更具体地说，涉及一种可以通过减少接触孔的数量以缩小由接触孔所占面积，从而获得充足范围并扩大驱动晶体管的设计区域的有机发光二极管，以及制造该器件的方法。
背景技术
具有重量轻和功耗低特点的液晶显示器通常用作平板显示器(FPD)。然而，液晶显示器并非自发光器件，而需要如外部光源的背光。另外，液晶显示器在亮度、对比度、视角和尺寸方面存在技术限制。大量努力致力于研发解决前述问题的新型FPD。
作为新型FPD其中之一的有机发光二极管器件为自发光器件。相比于液晶显示器，有机发光二极管器件具有良好的视角和高对比度，并且通过省略背光可以减小有机发光二极管器件的重量、厚度以及功耗。
有机发光二极管器件可实现低DC电压驱动和快速的响应速度。另外，有机发光二极管器件由固体材料制造以防止外部撞击，具有宽的温度范围，以及降低制作成本。
特别地，不同于液晶显示器或等离子显示面板(PDP)，有机电致发光器件在制造中仅要求沉积和封装设备。所以，其制造工序可相当简化。
另一方面，不使用特殊的薄膜晶体管(TFT)的无源矩阵方法通常用作有机发光二极管器件的驱动方法。
在无源矩阵方法中，扫描线和信号线彼此交叉，从而以矩阵的方式形成器件。无源矩阵方法按时间顺序地驱动扫描线以驱动各像素。因此，需要等于平均亮度乘以线数量的瞬时亮度以获得目标平均亮度。
在无源矩阵方法中，当线的数量增加时，必须即时施加更高的电压和电流，这加速了器件的恶化并增加了器件的功耗。因此，无源矩阵方法并不适于高清晰度大尺寸的显示器。
在有源矩阵方法中，用于导通和截止像素的TFT设置在各像素处并作为开关工作。在像素单元中的第一电极导通/截止，并且与第一电极相对的第二电极用作公共电极。
另外，在有源矩阵方法中，施加给像素的电压充入存储电容中，用于施加电源直到后续帧信号的应用。所以，无论扫描线数量的多少，驱动状态都可以在一帧内持续保持。
有源矩阵方法即使在低电流情况下也可产生同样的亮度，并因此实现低功耗和高精度，并适于大尺寸的显示器。以下将解释有源矩阵有机发光二极管的基本结构。
虽然未示出，在基板(未示出)上沿第一方向形成栅线，并且沿与第一方向交叉的第二方向形成数据线和电源线并以预定间隔彼此分离，以限定出一个像素区域。
作为寻址元件的开关TFT形成于栅线和数据线的交叉点。存储电容与开关TFT和电源线相连接。作为电流源元件的驱动TFT与存储电容和电源线相连接。有机发光二极管与驱动TFT相连接。
在有机发光二极管器件中，当正向电流施加给有机发光材料时，电子和空穴通过阳极和阴极之间的P-N结复合，其中阳极为空穴提供层而阴极为电子提供层，并且在复合以后具有小于分离的电子和空穴的能量。有机发光二极管利用由在电子和空穴复合过程中释放能量而发光的原理。开关TFT用于控制电压并存储电流源。
图1为示出了上述有机发光二极管的一个像素中至少两个晶体管g间连接关系的布局图。参照图1，作为驱动晶体管的第二TFT的栅极13以预定间隔与作为开关晶体管的第一TFT的源极17分开。
用于通过第一接触孔23和第二接触孔25连接第二TFT的栅极13和第一TFT的源极17的连接线27设置在第二TFT的栅极13和第一TFT的源极17上。
以下将参照图2A到2F解释连接两个晶体管的方法。图2A到2F为示出了漏/源与栅之间的接触工序，沿图1的线II-II截取的截面示意图。
参照图2A，通过在绝缘基板11上沉积导电材料，并使用曝光掩模的曝光和显影工序有选择地对导电材料进行构图而形成驱动晶体管的栅极13。当形成驱动晶体管的栅极13时，也形成开关晶体管的栅极(未示出)。
如图2B所示，在包括栅极13的整个基板上沉积栅绝缘膜15。在栅绝缘膜15上顺序地层压有源层(未示出)和欧姆接触层(未示出)。在整个基板11上沉积诸如钼的导电材料。通过使用曝光掩模的曝光和显影工序对该导电材料进行有选择的构图而形成作为开关晶体管的第一TFT的源/漏极17。当形成第一TFT的源/漏极17时，同样形成驱动TFT的源/漏极(未示出)。
如图2C所示，在包括第一TFT的源极17的栅绝缘膜15上形成保护膜19。如图2D所指出的，通过在保护膜19上涂覆光刻胶膜(未示出)，并使用曝光掩模的曝光和显影工序有选择地去除该光刻胶膜，形成光刻胶膜图案21，以暴露出源极17和第二TFT的栅极13上的保护膜19。
如图2E所示，通过使用作为掩模的光刻胶膜图案21有选择地去除保护膜19、栅绝缘膜15以及源极17而形成第一接触孔23和第二接触孔25。当形成第一接触孔23时，蚀刻源极17以暴露出设置在下方的栅绝缘膜15。当形成第二接触孔25时，进行蚀刻工序以暴露出栅极13的上表面。
参照图2F，通过去除光刻胶膜21、在包括第一接触孔23和第二接触孔25的整个基板11上沉积导电材料层、以及有选择地对该导电材料层进行构图，形成用于电连接第一TFT的源极17和第二TFT的栅极13的连接线27。
传统的有机发光二极管具有以下缺点。在现有技术的有源矩阵发光二极管器件中，特别是，基于非晶硅，在一个像素中存在两个或多个晶体管，并形成接触孔以相互连接晶体管或层。在小尺寸器件的情况下，像素尺寸相对较小，并且因此由晶体管所占的区域在像素中受到限制。所以，施加给驱动晶体管的电流应力增加。因此，晶体管的寿命缩短。换言之，当驱动晶体管的设计区域减小时，晶体管的寿命相对缩短。结果，有机发光二极管的寿命缩短。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种可以通过减少接触孔的数量以缩小由接触孔所占面积，从而获得充足范围并扩大驱动晶体管的设计区域的有机发光二极管，以及制造该器件的方法。
为了实现这些目的及其它优点以及根据本发明的目的，如此处所清楚阐明地，本发明提供一种有机发光二极管器件，包括：在基板上的第一晶体管的栅极；在所述第一晶体管的栅极上的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上并与所述第一晶体管的栅极重叠的第二晶体管的源极；暴露出所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极的接触孔；以及在所述接触孔中的导线，用于电连接所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极。
在本发明的另一个技术方案中，提供了一种有机发光二极管器件，包括：形成在基板上的栅连接线，第一晶体管的栅极和电容下电极；形成在所述基板和栅极之上的栅绝缘膜，半导体层，第二晶体管的源极和漏极，数据连接线和电容上电极；形成在整个基板上的隔层绝缘膜，并具有用于暴露出所述第一晶体管的栅极，第二晶体管的源极和漏极，电容下电极和电容上电极的多个接触孔；在所述隔层绝缘膜上形成的多根导线，以通过所述多个接触孔分别与所述第一晶体管的栅极，第二晶体管的源极和漏极，下电极和上电极相连接，其中一个所述接触孔暴露出所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的源极和漏极其中之一，其中一根导线位于所述一个接触孔中用于电连接第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极；以及在所述隔层绝缘膜上形成有机发光二极管元件，以与连接线相连接。
在本发明的另一个技术方案中，提供了一种制造有机发光二极管元件的方法，包括：在基板上形成第一晶体管的栅极；在所述第一晶体管的栅极上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成第二晶体管的源极，所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极重叠；形成暴露出所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极的接触孔；以及在所述接触孔中形成导线，且所述导线用于电连接所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极。
在本发明的另一个技术方案中，提供了一种制造有机发光二极管器件的方法，包括：在基板上形成栅连接线，第一晶体管的栅极和电容下电极；在所述基板和栅极之上形成栅绝缘膜，半导体层，第二晶体管的源极和漏极，数据连接线和电容上电极；在整个基板上形成隔层绝缘膜，以具有用于暴露出所述第一晶体管的栅极，第二晶体管的源极和漏极，电容下电极和电容上电极的多个接触孔；形成在所述隔层绝缘膜上的多根导线，并通过所述多个接触孔分别与所述第一晶体管的栅极，第二晶体管的源极和漏极，下电极和上电极相连接，其中一个所述接触孔暴露出所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的源极和漏极其中之一，其中一根导线位于所述一个接触孔中并用于电连接第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极；以及形成在所述隔层绝缘膜上的有机发光二极管元件，并与连接线相连接。
附图说明
包含用来提供本发明进一步理解并结合进来组成本申请一部分的附图，示出了本发明的实施方式，并和说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1为示出了在通常的有源矩阵有机发光二极管器件中第一晶体管单元的源极和第二晶体管单元的栅极之间连接结构的放大的平面图；
图2A到2F为示出了漏/源与栅之间的接触工序，沿图1的线II-II截取的截面示意图；
图3为示出了根据本发明实施方式的有源矩阵有机发光二极管器件中像素基本结构的电路；
图4为示出了图3的部分A的局部放大图；
图5A到5E为示出了漏/源与栅之间的接触工序，沿图4的线V-V截取的截面示意图；以及
图6为示出了根据本发明实施方式的有源矩阵有机发光二极管器件的制造方法的截面示意图。
具体实施方式
下面参照附图详细描述本发明的优选实施方式，在附图中示出了其实施例。
图3为示出了根据本发明实施方式的有源矩阵有机发光二极管器件中像素基本结构的电路。图4为示出了根据本发明实施方式的有源矩阵有机发光二极管器件中图3的部分A的局部放大图。
参照图3，在基板(未示出)上沿第一方向形成栅线GL，并且沿与第一方向交叉的第二方向形成数据线DL和电源线VDD并以预定间隔彼此分开，以限定出一个像素区域。作为寻址元件的开关TFT Ts形成于栅线GL和数据线DL的交叉点。存储电容Cst与开关TFT Ts和电源线VDD相连接。作为电流源元件的驱动TFT Td与存储电容Cst和电源线VDD相连接。有机电致发光二极管OELD与驱动TFT Td相连接。
在有机发光二极管器件(OLED)中，当正向电流施加给有机发光材料时，电子和空穴通过阳极和阴极之间的P-N结复合，其中阳极为空穴提供层而阴极为电子提供层，并且在复合以后具有小于分离的电子和空穴的能量。有机发光二极管OLED利用由在电子和空穴复合过程中释放能量而发光的原理。开关TFT Ts用于控制电压并存储电流源。
另一方面，图4为示出了根据本发明的有机发光二极管器件的一个像素中至少两个晶体管之间连接结构的布局图。如图4所示，作为驱动晶体管的第二TFT的栅极113以预定长度与作为开关晶体管的第一TFT的源极117彼此重叠。
用于通过接触孔123电连接第二TFT的栅极113和第一TFT的源极117的连接线125设置在第二TFT的栅极113和第一TFT的源极117上。以下将参照附图描述有机发光二极管中TFT之间的连接结构及其制造方法。
图5A到5E为示出了漏/源与栅之间的接触工序，沿图4的线V-V截取的截面示意图。第一开关晶体管和第二驱动晶体管具有相同的结构。以下将解释第一开关晶体管的结构。
参照图5A，通过在绝缘基板111上沉积导电材料层，并通过使用曝光掩模的曝光和显影工序有选择地对导电材料层进行构图而形成驱动晶体管和开关晶体管的栅极113。当形成栅极113时，也形成栅连接线(未示出)和电容下电极113a(参照图6)。随后，在包括栅极113的整个基板111上沉积栅绝缘膜115。
如图5B所示，在栅绝缘膜115上顺序地层压有源层(未示出)和欧姆接触层(未示出)，并在整个基板111上沉积诸如钼的导电材料。通过使用曝光掩模的曝光和显影工序对该导电材料层进行有选择地构图而形成作为开关晶体管的第一TFT的漏极117a和源极117b。当形成漏极117a和源极117b时，同样形成电容上电极117c(参照图6)。下文中，漏极117a和源极117b在图5B到5E称为源/漏极117。当形成第一TFT的源/漏极117时，也形成驱动TFT的源/漏极(未示出)。源/漏极117与第二TFT的栅极113部分重叠。
如图5C所示，在第一TFT的源/漏极117和栅绝缘膜115上形成第一隔层绝缘膜121。在第一隔层绝缘膜121上设置诸如金属的导电材料。虽然在图5A到5B中未示出(见图6)，通过使用掩模图案(未示出)对该导电材料层进行有选择的构图而形成有机发光元件的阴极122(像素电极)。在第一隔层绝缘膜121和阴极122上设置第二隔层绝缘膜123。在第二隔层绝缘膜123上涂覆光刻胶膜(未示出)。通过使用曝光掩模的曝光和显影工序有选择地去除该光刻胶膜，形成光刻胶膜图案124，以暴露出源极117和第二TFT的栅极113上的第二隔层绝缘膜123。
如图5D所示，通过使用作为掩模的光刻胶膜图案121顺序地去除第二隔层绝缘膜123、第一隔层绝缘膜121、源极117以及栅绝缘膜115而形成暴露出第二TFT的栅极113上表面的接触孔124a。
参照图5E，去除光刻胶膜图案124，并在包括接触孔124a的整个基板111上沉积导电材料层。通过有选择地对该导电材料层进行构图，形成用于电连接第一TFT的源极117和第二TFT的栅极113的连接线125c。如图6所示，当形成125c时，形成125a以连接漏极117a和阴极122，并且形成125c以连接电容下电极113a和电源线VDD。连接线125c接触第一TFT的源极117的已暴露的侧面，以及接触第二TFT的栅极113的上表面。
另一方面，将参照图6描述根据本发明实施方式的有源矩阵有机发光二极管器件的制造方法。图6为解释根据本发明实施方式的有源矩阵有机发光二极管器件的制造方法的截面图。
如图6所示，通过在基板111上沉积栅极材料，并通过掩模工序有选择地去除栅极材料，形成栅连接线(未示出)和延伸自该栅连接线的(第一TFT和第二TFT的，即开关TFT和驱动TFT的)栅极113。当形成栅极113时，也形成电容(未示出)的下电极113a。
通过在包括栅极113的整个基板111上沉积栅绝缘膜115和半导体层116，并有选择地对所形成的结构进行构图，从而形成半导体层图案116。
通过在包括半导体层图案116的整个基板111上沉积导电层，并对该导电层进行构图而形成开关TFT的漏极117a和源极117b。当形成漏极117a和源极117b时，也形成与栅连接线交叉的数据连接线和电容的上电极117c。在整个基板111上沉积第一隔层绝缘膜121，并且在其上沉积诸如金属的导电材料。
通过使用掩模图案(未示出)对该导电材料层进行有选择地构图而形成有机发光元件的阴极122(像素电极)。在包括阴极122和电容上电极117c的整个基板111上形成第二隔层绝缘膜123。通过使用掩模图案124(参照图5D)有选择地对第二隔层绝缘膜123、第一隔层绝缘膜121以及源极117进行构图，形成接触孔124a(参照图5D)，以暴露出源/漏极117a/117b、电容上电极117c和下电极113，以及部分栅极113。在包括接触孔124a的整个基板上沉积诸如金属的导电材料。
通过使用掩模图案(未示出)有选择地对该导电材料层进行构图而形成通过第一到第五接触孔(未示出)用于连接漏极117a和有机发光元件的第一连接线125a，用于连接源极117b、阴极上电极117c和电源线VDD的第二连接线125b，以及用于连接电容下电极113a、第一TFT的源极117b和第二TFT的栅极的第三连接线125c。
此后，通过使用诸如氧化物膜的绝缘材料在整个基板111上沉积第三隔层绝缘膜139。通过使用掩模图案(未示出)有选择地对第三隔层绝缘膜139和第二隔层绝缘膜123进行构图，而形成用于暴露阴极122的开口141。在开口141中的阴极122上形成单色有机发光层142。在电致发光层142上形成阳极145，从而结束有源矩阵有机发光二极管的制造。
如上所讨论的，根据本发明的实施方式，有机发光二极管及其制造方法具有以下优点。连接线通过单个接触孔与第一TFT的源极的已暴露的侧面和第二TFT的栅极的上表面接触。因此，有机发光二极管器件及其制造方法可减少接触孔的数量并获得作为驱动晶体管的设计区域的更大的范围。
也就是说，有机发光二极管器件及其制造方法可通过减少接触孔的数量而获得用于驱动晶体管的充足区域。因此，电流应力对驱动晶体管寿命的影响减小。结果，可延长有机发光二极管的寿命。
由于在不偏离本发明的精神和基本特征的情况下可以按照多种形式实施本发明，应该理解，上述实施方式并不由前述说明书的任何细节所限定，除非另外明确说明，而更应在所附权利要求书所限定的构思和范围内广泛构建，并且因此所有落入权利要求书和其等效物范围内的改进和变形均由所附权利要求书所覆盖。
Claims (28)
1、一种有机发光二极管器件，包括：
在基板上的第一晶体管的栅极；
在所述第一晶体管的栅极上的栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上并与所述第一晶体管的栅极重叠的第二晶体管的源极；
暴露出所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极的接触孔，其中所述接触孔暴露出所述第二晶体管的源极的侧面并暴露出所述第一晶体管的栅极的上表面，且所述接触孔形成在所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极重叠的区域处；以及
在所述接触孔中的导线，用于电连接所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极，其中所述导线与所述第二晶体管的源极的侧面以及所述第一晶体管的栅极的上表面接触。
2、根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，在所述接触孔中的导线与所述第二晶体管的源极和第一晶体管的栅极接触。
3、根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，还包括在所述栅绝缘膜和源极之上的保护膜，所述接触孔贯穿所述保护膜、在与第一晶体管的栅极重叠的区域处的第二晶体管的源极以及所述栅绝缘膜，且所述接触孔暴露出第二晶体管的源极的侧面和第一晶体管的栅极的上表面。
4、根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述第一晶体管的栅极为所述有机发光二极管器件的驱动晶体管的栅极。
5、根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述第二晶体管的源极为所述有机发光二极管器件的开关晶体管的源极。
6、根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述第二晶体管的漏极形成在所述栅绝缘膜上。
7、根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述栅绝缘膜位于所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极之间。
8、一种有机发光二极管器件，该器件的每个像素单元包括：
形成在基板上的栅连接线，第一晶体管的栅极和电容下电极；
形成在所述基板和栅极之上的栅绝缘膜，半导体层，第二晶体管的源极和漏极，数据连接线和电容上电极；
隔层绝缘膜，形成在整个基板上，并具有用于暴露出所述第一晶体管的栅极、第二晶体管的源极和漏极、电容下电极和电容上电极的多个接触孔；
多根导线，在所述隔层绝缘膜上形成，并通过所述多个接触孔分别与所述第一晶体管的栅极、第二晶体管的源极和漏极、以及下电极和上电极接触，其中一个所述接触孔暴露出所述第一晶体管的栅极的上表面以及所述第二晶体管的源极和漏极其中之一的侧面，其中一根导线位于所述其中一个所述接触孔中以接触第一晶体管的栅极的上表面和所述第二晶体管的源极和漏极其中之一的侧面；以及
有机发光二极管元件，在所述隔层绝缘膜上形成，并与连接线相连接。
9、根据权利要求8所述的有机发光二极管器件，其特征在于，第二晶体管的源极与第一晶体管的栅极重叠。
10、根据权利要求9所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述其中一个所述接触孔贯穿所述隔层绝缘膜、在与第一晶体管的栅极重叠的区域处的第二晶体管的源极、以及所述栅绝缘膜，并暴露出第二晶体管的源极的侧面和第一晶体管的栅极的上表面。
11、根据权利要求10所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述其中一个所述接触孔形成在所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的源极重叠的区域处。
12、根据权利要求8所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述第一晶体管的栅极为所述有机发光二极管器件的驱动晶体管的栅极。
13、根据权利要求8所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述第二晶体管的源极为所述有机发光二极管器件的开关晶体管的源极。
14、一种制造有机发光二极管器件的方法，包括：
在基板上形成第一晶体管的栅极；
在所述第一晶体管的栅极上形成栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上形成第二晶体管的源极，并且所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极重叠；
形成暴露出所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极的接触孔，其中形成所述接触孔的步骤包括形成所述接触孔以暴露出所述第二晶体管的源极的侧面和所述第一晶体管的栅极的上表面；以及
在所述接触孔中形成导线，且所述导线电连接所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极，其中形成所述导线的步骤包括在所述接触孔中形成所述导线以接触所述第二晶体管的源极的侧面和所述第一晶体管的栅极的上表面。
15、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括在所述栅绝缘膜和源极之上形成保护膜，其中形成所述接触孔的步骤包括形成所述接触孔以贯穿所述保护膜、在与第一晶体管的栅极重叠的区域处的第二晶体管的源极、以及所述栅绝缘膜，且所述接触孔暴露出第二晶体管的源极的侧面和第一晶体管的栅极的上表面。
16、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管的栅极为所述有机发光二极管器件的驱动晶体管的栅极。
17、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第二晶体管的源极为所述有机发光二极管器件的开关晶体管的源极。
18、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括在所述栅绝缘膜上的所述第二晶体管的漏极。
19、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成所述接触孔的步骤包括在所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的源极重叠的区域处形成所述接触孔。
20、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，形成所述栅绝缘膜的步骤包括在所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极之间形成所述栅绝缘膜。
21、一种制造有机发光二极管器件的方法，包括：
在基板上形成栅连接线，第一晶体管的栅极和电容下电极；
在所述基板和栅极之上形成栅绝缘膜，半导体层，第二晶体管的源极和漏极，数据连接线和电容上电极；
在整个基板上形成隔层绝缘膜，以使所述隔层绝缘膜具有用于暴露出所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的源极和漏极以及所述电容下电极和所述电容上电极的多个接触孔，其中形成所述接触孔的步骤包括形成一个所述接触孔以暴露出所述第二晶体管的源极的侧面以及所述第一晶体管的栅极的上表面；
形成在所述隔层绝缘膜上的多根导线，以使所述多根导线通过所述多个接触孔分别与所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的源极和漏极以及所述下电极和所述上电极相连接，其中一个所述接触孔暴露出所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的源极和漏极其中之一，其中一根导线位于所述其中一个所述接触孔中并电连接第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极，其中形成所述导线的步骤包括在所述其中一个所述接触孔中形成所述其中一根导线以使所述其中一根导线与所述第二晶体管的源极和所述第一晶体管的栅极接触，且形成所述其中一根导线的步骤包括形成所述其中一根导线以使所述其中一根导线与所述第二晶体管的源极的侧面以及所述第一晶体管的栅极的上表面接触；以及
形成在所述隔层绝缘膜上的有机发光二极管元件，以使所述有机发光二极管元件与连接线相连接。
22、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，形成所述第二晶体管的源极的步骤包括形成所述第二晶体管的源极以与所述第一晶体管的栅极重叠。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，形成所述接触孔的步骤包括形成所述其中一个所述接触孔以贯穿所述隔层绝缘膜、在与第一晶体管的栅极重叠的区域处的第二晶体管的源极、以及所述栅绝缘膜，并暴露出第二晶体管的源极的侧面和第一晶体管的栅极的上表面。
24、根据权利要求23所述的方法，其特征在于，形成所述其中一个所述接触孔的步骤包括在所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的源极重叠的区域处形成所述其中一个所述接触孔。
25、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管的栅极为所述有机发光二极管器件的驱动晶体管的栅极。
26、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第二晶体管的源极为所述有机发光二极管器件的开关晶体管的源极。
27、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，形成所述有机发光二极管元件的步骤包括：
在隔层绝缘膜上形成阴极；
通过在所述阴极上形成上隔层绝缘膜，并对所述上隔层绝缘膜进行构图，从而形成开口；
在所述开口中形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成阳极。
28、根据权利要求27所述的方法，其特征在于，形成所述阴极的步骤包括形成所述阴极，以通过另一所述连接线与所述漏极相连接。
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