CN114940867A - 一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子产品技术领域，且一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶及其制备方法，所述高粘接力薄涂填缝的uv胶包括丙烯酸酯预聚物，咪唑基单丙烯酸酯，单官能和多官能单体，阳离子活性稀释剂，光引发剂，偶联剂，气硅。该发明在UV胶中添加咪唑基单丙烯酸酯，咪唑基单丙烯酸酯具有增强粘接力，通过化学键的耦合与交联方式，在10um的缝隙中薄涂有效的增强粘接力，使得电子器件牢牢的被粘住，有效避免电子器件损坏。
Description
技术领域
本发明属于电子产品技术领域，尤其涉及一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶及其制备方法。
背景技术
随着讯息时代的迅猛发展，电子产品用到UV胶的地方十分广泛，比如：敏感性元器件，如线路板，继电器，芯片等等，由于电子产品有的电子器件对水十分敏感，所以发明一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶及其制备方法。
本发明是这样实现的，一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，所述uv胶包括丙烯酸酯预聚物、咪唑基单丙烯酸酯、单官能和多官能单体、阳离子活性稀释剂、光引发剂、偶联剂和气硅。
作为本发明优选的，所述咪唑基单丙烯酸酯具有增强粘接力，为无色透明溶液。
作为本发明优选的，所述咪唑基单丙烯酸酯相对于UV胶的重量比不大于20％。
作为本发明优选的，所述咪唑基单丙烯酸酯为多重有机合成产物。
作为本发明优选的，所述UV胶还包括无机材料。
作为本发明优选的，所述无机材料选自Ni。
作为本发明优选的，所述uv胶的成分配比，丙烯酸酯预聚物：30％-35％、咪唑基单丙烯酸酯：15％-20％、单官能和多官能单：30％-40％、阳离子活性稀释剂：3％-5％、光引发剂：2％-8％、偶联剂：4％-6％、气硅：1％-3％。
作为本发明优选的，一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶制备方法，包括如下步骤：
S1:将丙烯酸酯预聚物与咪唑基单丙烯酸酯混合，得到树脂混合物A；
S2：将树脂混合物A与偶联剂混合，得到混合物B；
S3：将混合物B与单官能和多官能单体，阳离子活性稀释剂，光引发剂，气硅混合，得到UV胶。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
1、本发明本发明在UV胶中添加咪唑基单丙烯酸酯，咪唑基单丙烯酸酯具有增强粘接力，通过化学键的耦合与交联方式，在10um的缝隙中薄涂有效的增强粘接力，使得电子器件牢牢的被粘住，有效避免电子器件损坏。
2、本发明UV胶由于使用了球状的丙烯酸酯预聚物，咪唑基单丙烯酸酯，UV固化速度快，对于不同材料的电子器件均有极好的粘接效果，可以在10um的缝隙下使用，将胶水运用到电子器件的保护上，然后将它们整体放置在震动设备上，检测电子器件发现没有任何损坏与脱落，同时所选用的偶联剂具有增强粘接力，更加使得胶水在10um下可以固化的更好，胶水不黄变，可长时间储存。
具体实施方式
本发明实施例提供的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，所述uv胶包括丙烯酸酯预聚物、咪唑基单丙烯酸酯、单官能和多官能单体、阳离子活性稀释剂、光引发剂、偶联剂和气硅，单官能为：IBOA、IBOMA、HEMA；二官能单体为：TPGDA、HDDA、DEGDA、NPGDA等，三官能及多官能单体为：TMPTA、PETA的一种或几种，阳离子活性稀释剂为：邻苯二甲酸二丁酯，零本二甲酸二辛酯，间苯二酚双缩水甘油酯的一种或者几种。
咪唑基单丙烯酸酯具有增强粘接力，为无色透明溶液。
咪唑基单丙烯酸酯相对于UV胶的重量比不大于20％。
咪唑基单丙烯酸酯为多重有机合成产物。
UV胶还包括无机材料。
无机材料选自Ni。
uv胶的成分配比，丙烯酸酯预聚物：30％-35％、咪唑基单丙烯酸酯：15％-20％、单官能和多官能单：30％-40％、阳离子活性稀释剂：3％-5％、光引发剂：2％-8％、偶联剂：4％-6％、气硅：1％-3％。
咪唑基单丙烯酸酯相对于UV胶的比例如可以为12％、13％、14％、15％、16％，17％、18％、19％、20％、21％、22％。
一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1:将丙烯酸酯预聚物与咪唑基单丙烯酸酯混合，得到树脂混合物A；
S2：将树脂混合物A与偶联剂混合，得到混合物B；
S3：将混合物B与单官能和多官能单体，阳离子活性稀释剂，光引发剂，气硅混合，得到UV胶，混合的方式为高速搅拌，负压混合，通过高速搅拌使所有成分混合均匀，负压搅拌是消除高速搅拌过程中引入的气泡。
根据本发明的的另一方面，提供了根据本发明UV胶的制备方法，包括以下步骤：
S1:将丙烯酸酯预聚物与咪唑基单丙烯酸酯混合，得到树脂混合物A；
S2：将树脂混合物A与偶联剂混合，得到混合物B；
S3：将混合物B与单官能和多官能单体，阳离子活性稀释剂，光引发剂，气硅混合，得到所述UV胶。
步骤S3中，混合的方式为高速搅拌，负压混合，通过高速搅拌使所有成分混合均匀，负压搅拌是消除高速搅拌过程中引入的气泡。
本实施例的对比例
UV胶的制备方法，包括如下步骤：
将丙烯酸酯预聚物与咪唑基单丙烯酸酯混合，得到树脂混合物A；
将树脂混合物A与偶联剂混合，得到混合物B；
将混合物B与单官能和多官能单体，阳离子活性稀释剂，光引发剂，气硅混合，得到所述UV胶。
对比例中的UV胶的制备方法与实施例的UV胶的制备方法的区别在于咪唑基单丙烯酸酯的用量比例不同。
评价方法：
1表干性：将UV薄涂成10um的厚度去固化成膜接触观察：当固化不好时，用手指接触固化膜的表面，会发现胶层是湿的或者留下指纹印。
2粘接力：武藏点胶机使用同一程序，定量点胶后在Ni上将胶水薄涂成10um的厚度后，在上面放置一个5mm*5mm*5mm的块状glass，UV固化后进行Die shear粘接力测试，最终会将具体的粘接力显示出来，然后用最大力值除以25后得到对应的粘接强度，粘接强度的大小作为评价标准。粘接强度在20Mpa以内，粘接力差，超过20Mpa粘接力就好。
表一 各组分的量为相对于UV胶的总重量的重量百分数
表二
结合表1和表2可以看出，咪唑基单丙烯酸酯的量在15％-20％时10um所对应的性能粘接强度和表干性是最好的，因此可以知道该发明中运用在电子器件上的新型硅烷偶联剂的最佳用量应该在15％-20％。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，其特征在于：所述uv胶包括丙烯酸酯预聚物、咪唑基单丙烯酸酯、单官能和多官能单体、阳离子活性稀释剂、光引发剂、偶联剂和气硅。
2.如权利要求1所述的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，其特征在于：所述咪唑基单丙烯酸酯具有增强粘接力，为无色透明溶液。
3.如权利要求1所述的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，其特征在于：所述咪唑基单丙烯酸酯相对于UV胶的重量比不大于20％。
4.如权利要求1所述的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，其特征在于：所述咪唑基单丙烯酸酯为多重有机合成产物。
5.如权利要求1所述的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，其特征在于：所述UV胶还包括无机材料。
6.如权利要求1所述的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，其特征在于：所述无机材料选自Ni。
7.如权利要求1所述的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶，其特征在于：所述uv胶的成分配比，丙烯酸酯预聚物：30％-35％、咪唑基单丙烯酸酯：15％-20％、单官能和多官能单：30％-40％、阳离子活性稀释剂：3％-5％、光引发剂：2％-8％、偶联剂：4％-6％、气硅：1％-3％。
8.一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1:将丙烯酸酯预聚物与咪唑基单丙烯酸酯混合，得到树脂混合物A；
S2：将树脂混合物A与偶联剂混合，得到混合物B；
S3：将混合物B与单官能和多官能单体，阳离子活性稀释剂，光引发剂，气硅混合，得到UV胶。
9.如权利要求8所述的一种用于电子产品高粘接力薄涂填缝的uv胶制备方法，其特征在于，步骤S3中，混合的方式为高速搅拌，负压混合，通过高速搅拌使所有成分混合均匀，负压搅拌是消除高速搅拌过程中引入的气泡。
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