CN114868221A - 限流熔断器 - Google Patents

Abstract

限流熔断器(20)包括：电绝缘壳体(2)，其具有围绕内部空间(6)的壁，具有第一开口(7)并具有与所述第一开口相对的第二开口(8)；以及整体形成的电导体元件(1)，其从所述壳体外部的第一端子区域(3)，穿过所述第一开口，穿过所述内部空间，穿过所述第二开口，延伸到所述壳体外部的第二端子区域(4)，其中，所述导体元件包括具有减小的截面的熔化部分(5)，所述熔化部分位于所述内部空间中并且被构造成当超过所述导体元件中的预定的最大允许电流时熔化，并且其中，所述导体元件的第一密封部分(9)密封所述第一开口(7)，并且其中，所述导体元件的第二密封部分(10)密封所述第二开口(9)。本发明还涉及一种制造限流熔断器的方法。

Description

限流熔断器

本发明涉及一种限流熔断器以及一种制造限流熔断器的方法。

限流熔断器是在电工技术的广泛领域中使用的保护装置。熔断器例如被构造成使得电流流过一部分可熔材料，并且当该电流变得过大时，电流被可熔材料的位移中断。希望限流熔断器在电流在预定的最大允许电流以上时必定被中断的意义上是可靠的。此外，熔断器不应在较低的电流值下中断电路，该较低的电流值对应于正常的操作条件。

已知类型的熔断器包括管状绝缘壳体，在管状壳体的两端具有导电端盖。延伸穿过壳体的内部的熔丝连接这两个端盖。熔丝的尺寸使得熔丝在预定的最大允许电流流过丝时熔化。熔丝和端盖之间的连接可能易于失效，即熔丝和端盖之间的连接可能在比额定电流低的电流下断开。额定电流越高，越难以避免这种具有高可靠性的熔断器的过早触发。

本发明的目的是提供一种替代的限流熔断器，其至少避免了现有技术的问题。本发明的更具体的目的是提供一种限流熔断器，其结构简单且可靠，特别是在中断大电流方面可靠。

该目的通过根据权利要求1的限流熔断器来实现。

根据本发明的限流熔断器包括：电绝缘壳体，其具有围绕内部空间的壁，具有第一开口并具有与第一开口相对的第二开口；以及整体形成的电导体元件，其从壳体外部的第一端子区域，穿过第一开口，穿过内部空间，穿过第二开口，延伸到壳体外部的第二端子区域。

导体元件包括具有减小的截面的熔化部分。熔化部分位于内部空间中并且被构造成当超过导体元件中的预定的最大允许电流时熔化。导体元件的第一密封部分密封第一开口，并且导体元件的第二密封部分密封第二开口。

由于导体元件是导电的并且是整体形成的，所以导体元件形成单件式可熔元件，该单件式可熔元件同时提供熔断器的端子的功能并且该单件式可熔元件封闭熔断器的壳体的开口。发明人已经认识到，这导致制造简单且具有高可靠性的熔断器。

限流熔断器的壳体可以不具有比所述第一和第二开口更多的开口。这样，产生了壳体的管状拓扑结构。一旦熔断器被烧断，壳体防止来自熔融的熔化部分的液滴损坏熔断器的相邻元件或附近的人。壳体可以由这样的材料制成，当熔断器熔断时，该材料会随着温度的升高而温度升高。

本发明的实施例针对利用表面安装技术(SMT)的应用。至少在这些情况下，可以选择壳体的材料以承受在高达260℃的温度下的回流工艺。

壳体的内部空间可以是空的，除了导体元件的穿过内部空间的部分。替代地，内部空间可填充有电弧猝熄材料。一种适用于限流熔断器的电弧猝熄材料可以是砂，特别是石英砂，所述限流熔断器被设计成用于高的最大容许电流，例如100安培(100A)范围及以上的电流，例如高达2000安培或甚至高达10000安培(10kA)。因此，限流熔断器适于在高电流或超高电流状态中使用。后一种电流状态可能是特别有用的，因为在不久的将来，具有在该范围内的短路电流的电池和蓄电池将是可用的。50A到500A范围内的标称电流和高达10kA的断路容量将在本文中是需要的，并且可以由根据本发明的熔断器提供。

端子区域彼此间隔开并允许限流熔断器与电气装置串联连接，应保护电气装置以免过电流。限流熔断器具有两种状态：导电状态和熔断状态。在导电状态下，即在原始的未熔断状态下，导体元件提供从第一端子区域到第二端子区域的电接触。一旦熔断器熔断，即一旦导体元件的熔化部分由于电流超过预定的最大允许电流而熔化，则第一端子区域和第二端子区域之间的电连接被中断。根据本发明的限流熔断器是不可复位熔断器，即它将不会返回到导电状态。不存在复位机构。

第一端子区域和第二端子区域可以由导体元件直接形成。替代地，它们可以由诸如锡或银层的层覆盖，使得端子可以通过焊接容易地连接到相应的导体焊盘。作为替代，可以提供通过焊接、螺纹连接或铆接将端子连接到相应导体的装置。

如何通过导体元件的相应密封部分密封或封闭壳体的第一和第二开口，这存在不同的选择。例如，开口可以由相应的密封部分覆盖。作为另一示例，开口的畅通截面可以被导体元件的相应密封部分完全填充。

导体元件的熔化部分中的减小的截面可以通过导体元件的减小的厚度、通过导体元件的减小的宽度、通过导体元件在熔化部分的区域中分离成两个或更多个平行的带或通过先前讨论的可能性的组合来实现，例如，局部分离成两个、三个或更多个平行的连续带，与形成熔断器的熔化部分的分离部分之前和之后的导体元件的厚度相比，每个带具有减小的厚度。通过改变带的数量和带的截面，熔断器的电流－时间特性可以根据期望应用的需要而改变。

在一些实施例中(这些实施例将下面讨论)，如相对于电导体元件所使用的以及如相对于壳体所使用的术语“整体形成的”具有“形成为单件”的含义。这意味着导体元件或壳体分别需要连续的材料形成，而没有接头，例如连接点、连接线或例如通过焊接、熔接等建立的连接面，或者没有机械互锁连接。整体形成的导体元件可以例如通过轧制、切割、冲压、压印或弯曲来接收其最终形状。

电导体元件可由金属(例如铜)或金属合金(例如铜合金，例如青铜或黄铜)，银合金或铁合金(例如不锈钢)组成。在铜－银合金、铜－锆合金、铜－锌合金、铜－镁合金、铜－铁合金、铜－铬合金、铜－铬－锆合金、铜－镍－磷合金和铜－锡合金的组中发现适用于电导体元件并具有高或非常高的电导率的金属合金。在铜－镍－硅合金、铜－铍合金、铜－镍－锡合金、铜－钴－铍合金和铜－镍－铍合金的组中发现适用于电导体元件并具有中等导电性的替代金属合金。

壳体可以包括聚合物。它可以由包含增加壳体的温度稳定性的填料的聚合物组成。壳体可以由陶瓷材料构成。壳体的材料可以选择为使得当达到最大电流时在热冲击下在壳体中不出现裂纹，特别适合于该目的的是高性能热塑性塑料，特别是纤维玻璃增强的高性能聚酰胺，例如聚合物PA4T-GF30FR(40)。

限流熔断器的实施例由权利要求2至12的特征产生。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，导体元件是金属片。

导体元件的外轮廓可以通过从较大块的金属片中冲压或切割(例如激光切割)导体元件来形成。也可以在导体元件中钻孔。在该步骤中可以生产宽度减小的或包括分开的平行延伸段的熔化部分。金属板的部分区域的厚度可以通过轧制或压制来减小，以便产生具有减小的截面的熔化部分。金属片可以容易地弯曲成最终形状，例如弯曲成覆盖壳体的第一和/或第二开口的形状。端子区域的最终位置可以通过将金属片的端部弯曲到所需位置来实现。

金属片可以由铜、青铜、黄铜、铜合金、银合金、钢(特别是不锈钢)等组成，如以上在用于导体元件的合适材料的上下文中所讨论的。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，第一端子区域和第二端子区域是共面的。

端子区域共面意味着第一端子区域和第二端子区域在公共假想平面中彼此隔开地布置。该实施例特别适合于设计为表面可安装器件(SMD)的熔断器，即适合于无引线应用，也称为表面可安装技术(SMT)。端子区域可以布置在近似长方体形状的壳体的底侧上并且背离壳体。这样，限流熔断器可以放置在印刷电路板上，并且第一和第二端子区域可以通过回流焊接焊接到印刷电路板上的焊盘。

与通常应用在汽车应用中的已知的所谓的叶片式熔断器相比，根据本实施例的限流熔断器具有以下优点：它们可以自动地放置在印刷电路板上，并且它们可以通过标准的回流工艺焊接，而叶片式熔断器需要用手安装，通常在生产链的最末端用手安装，这导致相对高的成本。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，熔化部分在内部空间中是机械自支撑的。

利用该实施例，可以制造空中熔丝型限流熔断器。特别地，熔化部分可以布置成对角地延伸跨越壳体的内部空间。熔化部分中的截面的尺寸、截面的几何形状和导体元件的材料的组合可以匹配，使得熔化部分是机械自支撑的。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，导体元件的第一密封部分的截面在形状和尺寸方面对应于第一开口的截面。替代地，或与前述实施例结合，导体元件的第二密封部分的截面在形状和尺寸方面对应于第二开口的截面。

例如，各个密封部分中的一个可具有矩形截面，例如由形成密封部分的金属片的部分的厚度和宽度限定的矩形。该矩形截面的尺寸可以设置成刚好紧密地配合到壳体的矩形开口中。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，导体元件的第二密封部分具有朝向内部空间突出的突起。突起支撑在第二开口的轮廓部分上。

突起可以例如具有带圆形基部的***或细长***的形式，该***可以压印到金属片中。由于该突起被支撑在该开口的轮廓部分上，密封该开口的密封部分的移位至少在该突起压靠该开口的轮廓部分的方向上受到阻碍。该实施例特别适合于与在壳体中具有较大开口的实施例结合，该开口由导电元件的相应密封部分覆盖。该密封部分在其他方向上的移动(该移动不被突起阻碍)可以例如通过导体元件的成角度设计而被阻挡，该导体元件围绕壳体的边缘延伸，例如以便在与具有该突起的面正交的面上形成端子区域。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，壳体的壁、导体元件的第一密封部分和导体元件的第二密封部分一起形成防尘围挡。

在该实施例中，壳体和导电元件之间的间隙的尺寸足够小，使得没有灰尘可以通过该间隙。这一方面防止灰尘颗粒从熔断器的外部进入壳体，另一方面保护熔断器的周围免受由于熔断熔断器而产生的颗粒的影响。灰尘颗粒的直径通常在5微米至100微米的范围内。因此，间隙宽度可以小于5微米或者甚至小到2微米或1微米，以便获得甚至更高的保护水平。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，第二开口的截面大于第一开口的截面。

该实施例就壳体中的开口的尺寸而言是不对称的。由于便于从较大开口的侧面***导体元件，因此可以简化熔断器的组装。该内部空间的漏斗型几何形状被设计成引导导体元件的一端通过较大的第二开口***并通过尺寸更紧密的第一开口，该漏斗型几何形状可以与该实施例组合。由于壳体一侧上的较大开口，导体元件可以对角地布置在壳体内的空的空间中。这样，与水平布置的熔化部分相比，熔化部分的长度可以增加，特别地，熔化部分可以比长方体壳体的最长边长。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，面向内部空间的至少一个凹槽形成在壳体中。特别地，凹槽可以形成在壳体的底侧中，所述邻近所述第一端子区域和所述第二端子区域。

发明人已经认识到，对于该实施例，在熔断器的端子之间产生非常高的绝缘电阻。因此，根据本实施例的限流熔断器具有高的断开能力，特别是对于高电流应用，即对于高达和高于2000安培的额定电流。

如果存在与第一端子区域和第二端子区域两者相邻的侧面，则在使用中，该侧面通常焊接到印刷品上，并且通常被称为底侧。在熔化部分中的减小的截面形成为两个或更多个平行条的情况下，凹槽的数目可对应于条的数目，且单独的凹槽可与每个条平行且邻近地延伸。在使用中，这些凹槽可以布置在熔化部分的下方，即在熔断器的导电状态下相对于熔化部分的位置在重力方向上。这导致熔断器的特别高的电流断开能力。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，内部空间的几何形状被定义为假想芯的负形，该假想芯能通过第二开口完整无损地移除。

这意味着在具有上述凹槽的实施例的情况下，包括一个或多个凹槽的壳体的内部空间具有这种几何形状。分别使用整体形成的芯作为成型形式的一部分或作为烧结形式的一部分，壳体可以被制造成注射成型的聚合物零件或烧结陶瓷零件。本实施例的优点在于，整体形成的芯可完整无损地移除，并且芯可重复使用。几何形状通过参考假想芯来描述，因为芯实际上不是所得壳体的一部分。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，壳体是整体形成的。

该实施例的优点是壳体的生产简单且成本低。此外，整体形成的壳体降低了在熔断器熔断时产生的热冲击下断开的风险。因此，本实施例特别适合于高电流应用，即额定电流高达和高于2000安培。

在根据本发明的限流熔断器的一个实施例中，限流熔断器由壳体和导体元件组成。

本发明人已经认识到，根据本发明的限流熔断器可以以仅使用两个元件的非常简单的构造来实现，即不导电壳体和导电元件，导电元件至少在熔化部分的区域中由壳体包围。令人惊讶的是，即使在这种简单的构造中，壳体的内部空间也可以被适当地密封，并且这两个零件可以被适当地彼此附接。

上述实施例的特征可以组合，只要它们彼此不矛盾。

此外，根据权利要求13的方法在本发明的范围内。它是制造根据本发明的限流熔断器的方法。根据本发明的方法包括如下步骤：

a)提供整体形成的电绝缘壳体，所述电绝缘壳体具有围绕内部空间的壁，具有第一开口并具有与该第一开口相对的第二开口；

b)提供导电的整体形成的导体元件，所述导体元件包括具有减小的截面的熔化部分；

c)穿过该第一开口或穿过该第二开口引入该导体元件，从而该熔化部分位于该内部空间中；并且

d)弯曲该导体元件以在该壳体外部形成第一端子区域和第二端子区域，由此通过导体元件的第一部分密封第一开口并通过导体元件的第二部分密封第二开口。

该方法的变体由权利要求14的特征产生。

在该方法的该变体中，在步骤a)中提供的导体元件是具有压印的突起的金属片。金属板具有界定第一端子区域的第一弯曲边缘。该金属片具有第二弯曲边缘，该第二弯曲边缘与该突起间隔开一距离，该距离允许该弯曲边缘和该突起紧密配合在所述第二开口的相对内轮廓之间。在步骤a)中提供的所述金属片在所述第二弯曲边缘和与所述第一端子区域相反的末端之间的区域中是平坦的。

在该方法的该变型中，引入导体元件的步骤c)包括从内部空间穿过第一开口馈送导体元件(即金属片)的平坦区域。

在该方法的该变型中，步骤d)包括建立界定第二端子区域的第三弯曲边缘，并且然后邻近第一开口建立第四弯曲边缘。

在应用步骤d)的附加弯曲步骤之后，金属板的先前平坦区域是弯曲的，并且防止金属板的向后移动。这样，壳体和导体元件构成机械稳定单元。

现在将借助于附图进一步举例说明本发明。附图示出：

图1是根据本发明的限流熔断器的截面；

图2.a)和图2.b)是限流熔断器的实施例的立体图；

图3.a)至图3.d)是限流熔断器的实施例的不同视图：图3.a)是侧视图，图3.b)是剖视面，图3.c)是立体图，图3.d)是另一截面；

图4.a)至图4.c)是限流熔断器的三个不同实施例的截面；

图5.a)至图5.c)是示出了在制造如图3所示的限流熔断器的实施例期间的三种不同状态的截面。

图1示意性和简化地示出了剖切根据本发明的限流熔断器20的截面。熔断器包括导体元件1和壳体2，导体元件1用对角阴影线显示，壳体2用交叉阴影线显示。壳体是电绝缘壳体2，其具有围绕内部空间6的壁。壳体具有第一开口7和与第一开口相对的第二开口8。导体元件1是整体形成的电导体元件。第一端子区域3和第二端子区域4在壳体外部。截面减小的熔化部分5(这里表示为减小的厚度)形成导体元件的中间部分。熔化部分被构造成当超过导体元件中的预定的最大允许电流时熔化。截面的减小不仅可以通过厚度的减小来实现，而且可以通过在该图中不可见的截面的截面的减小来实现。导体元件形成为单件，其从所述第一端子区域，跨过壳体的第一开口7，跨过壳体的内部空间6，跨过壳体的第二开口8，最终延伸到第二端子区域4。壳体的开口由导体元件的部分密封。导体元件的第一密封部分9密封第一开口7。导体元件的第二密封部分10密封第二开口9。在这里所示的形式中，第一密封部分简单地填充整个开口7。第二开口8大于第一开口7。第二开口由第二密封部分10覆盖。在这里所示的形式中，由于导体元件的特定几何形状，导体元件的密封部分被保持在该位置，这防止了在上/下方向上的移动，其中上和下指的是本图中的方向。

图2.a)示出具有壳体2和导体元件1的特定设计的限流熔断器的实施例的立体图。壳体以及整个熔断器具有近似长方体的形状。壳体具有斜切边缘。壳体具有两个较大的延展，即宽度和长度，以及较小的延展，在这种情况下是高度。突起11压印到导体元件1中，在本实施例中，导体元件1形成为金属片。该突起的功能将在下图的背景下进一步解释。端子区域3和4在图2.a)中可见。图2.b)示出了与图2.a)相同的熔断器，但是当熔断器可能被放置在印刷电路板上时，熔断器的位置被倒置。这里所示的实施例形成为适合于回流焊接的SMD熔断器。

图3.a)至图3.d)示出了与图2.a)和图2.b)所示相同的实施例的视图。图3.c)示出了根据图3.a)、图3.b)和图3.d)的视图的视图方向和切割平面的位置。图3.a)示出了壳体2本身的侧视图，即没有导体元件。观察方向由图3.c)中的箭头A表示，箭头A表示熔断器的纵向方向。在此可以看到壳体的第二开口8。凹部14形成在开口8的轮廓附近。凹部形成在开口的中部附近，并且在形状和尺寸上对应于导体元件1的突起11，见图3.b)和图3.c。凹部14和突起11的组合导致形状配合连接，以非常简单的方式防止导体元件和壳体之间的不希望的相对运动。两个梯形截面的凹槽13形成在壳体的内部空间的底侧上。这两个凹槽沿纵向延伸。

图3.b)示出了沿着熔断器的中间平面的截面。该图的观察方向由图3.c)中的箭头B指示，箭头B对应于熔断器的横向方向。导体元件1穿过壳体2并在壳体外部形成端子区域3和4。在该图中右侧示出的壳体的开口是矩形开口，该开口完全被导体元件的厚度填充，使得开口被密封。导体元件在该区域中形成第一密封部分9。图中左侧所示的壳体的较大开口由第二密封部分10覆盖。突起11与位于第二密封部分10上侧的倾斜部分一起以及与邻近第一端子区域3的倾斜部分一起将密封部分相对于壳体的横向和高度位置保持就位。导体元件的熔化部分5形成为两个平行的带，所述带的宽度与熔化部分5之前和之后的导体元件的宽度相比显著减小。在所示的实施例中，熔化部分中的导电材料的截面减小到整个截面的大约15％。

图3.d)示出了从由图3.c)中箭头D指示的顶部方向的截面。切割平面是水平平面，该水平平面位于壳体的内部空间的上限的正下方。从顶部看导体元件1。在图中的左侧，导体元件1具有全宽和全截面。中间的切口和两侧的切口将导电元件减小为两个平行的条，所述两个平行的形成导体元件的熔化部分5。两个条中的每一个平行于凹槽13中的一个延伸。在图的右侧，切割平面与壳体的壁相交。如图3.b)所示，壳体的内部空间在该区域中具有漏斗形形状。

图4.a)示出了对应于图1中的实施例的限流熔断器的实施例。导体元件1及其熔化部分5对角地延伸穿过壳体的内部空间。第一端子区域3和第二端子区域4是共面的，即位于共同的假想平面12中，该假想平面在本截面中由点划线表示。该实施例适合作为SMD熔断器。

图4.b)示出了具有两个尺寸大致相等的开口的实施例的变型。导体元件水平穿过内部空间。端子部分弯曲到同一侧，使得同样在该变型中，两个端子区域3，4位于共同的假想平面12中。

图4.c)示出了另一变型，此时端子部分弯曲到熔断器的不同侧。这样，端子区域3，4被限定在熔断器的相对侧上，使得熔断器可以像筒式熔断器一样使用。

图5.a)示出了将初始形式的导体元件1***壳体2之后的状态。左侧的弯曲边缘以及压印凸起可以在***步骤之前制备。在所示的状态中，壳体的两个开口都已经被密封。形成导体元件的金属片的平坦部分在图中右侧从壳体突出距离d1。

图5.b)示出了在附加弯曲步骤之后的状态。另一弯曲边缘的位置和角度可由距离d2，d3，d4和角度α指定，参见下表。

图5.c)示出了在进一步弯曲步骤之后并且在使第二端子进入其在壳体底侧上的最终位置之前的可选中间状态。在本图右侧的壳体的较小开口附近产生另一个弯曲边缘。几何形状由距离d5和d6以及角度β指定，参见下表。

作为示例，可以应用以下距离和角度：

d1(mm)

d2(mm)

d3(mm)

d4(mm)

d5(mm)

d6(mm)

α

β

3.91

2.01

2.07

2.2

1.53

2.19

90°

130°

角度α可以有意地制成稍微小于直角，例如小0.5°至3°，使得一旦端子部分处于其在熔断器的下侧上的最终位置就实现压配合。

附图标记列表

1 导体元件

2 壳体

3 第一端子区域

4 第二端子区域

5 熔化部分

6 内部空间

7 (壳体的)第一开口

8 (壳体的)第二开口

9 (导体元件的)第一密封部分

10 (导体元件的)第二密封部分

11 (导体元件的)突起

12 假想平面(包括两个端子区域)

13 凹槽

14 凹部

20 限流熔断器

d1，d2，d3，d4，d5，d6 用于限定根据实施例的弯曲过程的尺寸

α，β 用于限定根据实施例的弯曲过程的角度

Claims (14)

1.一种限流熔断器(20)，所述限流熔断器(20)包括：

电绝缘壳体(2)，所述电绝缘壳体(2)具有围绕内部空间(6)的壁，具有第一开口(7)并具有与所述第一开口相对的第二开口(8)；以及

整体形成的电导体元件(1)，所述电导体元件(1)从所述壳体外部的第一端子区域(3)，跨过所述第一开口，跨过所述内部空间，跨过所述第二开口，延伸到所述壳体外部的第二端子区域(4)，

其中，所述导体元件包括具有减小的截面的熔化部分(5)，所述熔化部分位于所述内部空间中并且被构造成当超过所述导体元件中的预定的最大允许电流时熔化，并且其中，所述导体元件的第一密封部分(9)密封所述第一开口(7)，并且其中，所述导体元件的第二密封部分(10)密封所述第二开口(9)。

2.根据权利要求1所述的限流熔断器，其中，所述导体元件(1)是金属片。

3.根据权利要求1或2所述的限流熔断器，其中，所述第一端子区域(3)和所述第二端子区域(4)是共面的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的限流熔断器，其中，所述熔化部分(5)在所述内部空间(6)中是机械自支撑的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的限流熔断器，其中，所述导体元件的所述第一密封部分(9)的截面在形状和尺寸方面对应于所述第一开口(7)的截面，和/或其中，所述导体元件的所述第二密封部分(10)的截面在形状和尺寸方面对应于所述第二开口(8)的截面。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的限流熔断器，其中，所述导体元件的所述第二密封部分(10)具有朝向所述内部空间(6)突出的突起(11)，所述突起支撑在所述第二开口(8)的轮廓部分上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的限流熔断器，其中，所述壳体(2)的所述壁、所述导体元件的所述第一密封部分(9)和所述导体元件的所述第二密封部分(10)一起形成防尘围挡。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的限流熔断器，其中，所述第二开口(8)的截面大于所述第一开口(7)的截面。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的限流熔断器，其中，面向所述内部空间的至少一个凹槽形成在所述壳体中，特别地，其中，所述凹槽形成在所述壳体的底侧中，所述底侧邻近所述第一端子区域和所述第二端子区域。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的限流熔断器，其中，所述内部空间(6)的几何形状被定义为假想芯的负形，所述假想芯能通过所述第二开口(8)完整无损地移除。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的限流熔断器，其中，所述壳体(2)是整体形成的。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的限流熔断器，其中，所述限流熔断器由所述壳体(2)和所述导体元件(1)组成。

13.一种制造根据权利要求1至12中任一项所述的限流熔断器的方法，所述方法包括以下步骤：

a)提供(101)整体形成的电绝缘壳体(2)，所述电绝缘壳体(2)具有围绕内部空间(6)的壁，具有第一开口(7)并具有与所述第一开口相对的第二开口(8)；

b)提供(102)导电的整体形成的导体元件(1)，所述导体元件(1)包括具有减小的截面的熔化部分(5)；

c)穿过所述第一开口(7)或穿过所述第二开口(8)引入(103)所述导体元件(1)，从而所述熔化部分(5)位于所述内部空间(6)中；

d)弯曲所述导体元件以在所述壳体外部形成第一端子区域(3)和第二端子区域(4)，由此通过所述导体元件的第一部分(9)密封所述第一开口(7)并且通过所述导体元件的第二部分密封所述第二开口(8)。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中，在步骤a)中提供的所述导体元件(1)是具有压印的突起(11)的金属片，其中，所述金属片具有界定所述第一端子区域的第一弯曲边缘，其中，所述金属片具有第二弯曲边缘，所述第二弯曲边缘与所述突起间隔开一距离，所述距离允许所述弯曲边缘和所述突起紧密配合在所述第二开口的相对的内轮廓之间，其中，所述金属片在所述第二弯曲边缘和与所述第一端子区域相反的末端之间的区域中是平坦的，

其中，引入所述导体元件的步骤c)包括从所述内部空间穿过所述第一开口馈送所述导体元件的平坦的所述区域，

其中，步骤d)包括建立界定所述第二端子区域的第三弯曲边缘并且然后邻近所述第一开口建立第四弯曲边缘。

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