CN114866917A - 发声器件和音频设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、多个磁路结构、低音音圈、低音振膜、高音音圈和高音振膜，多个磁路结构包括第一磁路结构、第二磁路结构和第三磁路结构，第二磁路结构间隔环设于第一磁路结构，第三磁路结构间隔环设于第二磁路结构，第一磁路结构和第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，第二磁路结构和第三磁路结构之间形成有低音磁间隙；低音音圈设于低音振膜的靠近导磁板的一侧，并插设于低音磁间隙；高音音圈设于高音振膜的靠近导磁板的一侧，并插设于高音磁间隙；每一磁路结构的磁体均沿其径向充磁，且其充磁方向均相同。本发明技术方案旨在提升对高音音圈和低音音圈的驱动力，以提升音频设备的声学性能。

Description

发声器件和音频设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元发声器件，即一个发声器件中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元发声器件中，高音单元和低音单元的音圈的驱动力不足，导致音频设备的声学性能不理想，给用户带来了不好的使用体验。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种发声器件，旨在提升对高音音圈和低音音圈的驱动力，以提升音频设备的声学性能。

为实现上述目的，本发明提出的发声器件，包括：

导磁板；

多个磁路结构，设于所述导磁板，包括第一磁路结构、第二磁路结构和第三磁路结构，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构，所述第三磁路结构间隔环设于所述第二磁路结构，所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，所述第二磁路结构和所述第三磁路结构之间形成有低音磁间隙；

低音音圈、低音振膜，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述低音磁间隙；以及

高音音圈、高音振膜，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述高音磁间隙，其中

每一所述磁路结构的磁体均沿其径向充磁，且其充磁方向均相同。

可选地，所述发声器件正对所述高音振膜的位置设有用于辐射高音振膜声波的出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心区域设置，所述低音振膜设有避让所述出音孔的避让孔，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧。

可选地，所述发声器件还包括盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，并盖设于所述第二磁路结构，所述盖体设有所述出音孔，所述避让孔对应所述出音孔设置，且所述低音振膜对应所述避让孔的内周固定于所述盖体。

可选地，所述出音孔设于所述盖体的中心位置,所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有平面支撑部，所述低音振膜对应所述避让孔的内周固定结合于所述平面支撑部。

可选地，所述第一磁路结构包括第一磁体和设于所述第一磁体远离所述导磁板一侧的第一华司，所述第二磁路结构包括第二磁体和设于所述第二磁体的背离所述导磁板的一侧的第二华司，所述盖体盖设于所述第二华司，所述盖体朝向所述低音振膜凸起。

可选地，所述盖体包括边缘部和中心部，所述边缘部连接于所述高音振膜，所述中心部朝向所述低音振膜凸起，所述中心部呈弧形结构。

可选地，所述高音振膜为朝向所述盖体凸起的弧形振膜。

可选地，所述高音振膜包括球顶部和环设于所述球顶部的折环部，所述球顶部和所述折环部均朝向所述盖体凸起，且所述折环部的曲率小于所述球顶部的曲率。

可选地，所述折环部和所述球顶部的结合位置形成平面安装部，所述高音音圈安装于所述平面安装部。

可选地，所述高音振膜为平面结构。

可选地，在所述高音振膜的振动方向上，所述第一磁路结构的高度高于所述第二磁路结构的高度。

可选地，所述第二华司靠近所述第一华司的一侧具有朝远离所述导磁板的方向凸设的导磁凸部。

可选地，所述高音振膜在所述导磁板的投影位于所述低音音圈在所述导磁板的投影的内侧。

可选地，所述发声器件还包括环形支架，所述环形支架设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，所述低音音圈绕设于所述环形支架且插设于所述低音磁间隙。

本发明还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。

可选地，所述音频设备为耳机。

本发明技术方案中，每一磁路结构的磁体的充磁方向均为自外周至内周或自内周自外周的径向方向，如此，第一磁路结构和第二磁路结构之间的间隙以及第二磁路结构和第三磁路结构之间的间隙均有大量的磁感线通过，使得高音磁间隙和低音磁间隙能够具有足够的磁场强度，高音音圈和低音音圈的驱动力得以提升，从而能够提升音频设备的声学性能。另外，本发明中，第二磁路结构既与第一磁路结构配合形成高音磁间隙，又与第三磁路结构配合形成低音磁间隙，简化了发声器件的磁路***，有利于减小发声器件的轴向尺寸，而能提升发声器件在音频设备内的装配便利性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明发声器件一实施例的装配结构示意图；

图2为本发明发声器件一实施例的剖视图；

图3为本发明发声器件一实施例的磁场仿真云图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

术语“连接”、“安装”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种发声器件。

在本发明一实施例中，如图1和图2所示，该发声器件，包括：

导磁板110；

多个磁路结构，设于所述导磁板110，包括第一磁路结构200、第二磁路结构300和第三磁路结构400，所述第二磁路结构300间隔环设于所述第一磁路结构200，所述第三磁路结构400间隔环设于所述第二磁路结构300，所述第一磁路结构200和所述第二磁路结构300之间形成有高音磁间隙H，所述第二磁路结构300和所述第三磁路结构400之间形成有低音磁间隙L；

低音音圈510、低音振膜520，所述低音音圈510设于所述低音振膜520的靠近所述导磁板110的一侧，并插设于所述低音磁间隙L；以及

高音音圈530、高音振膜540，所述高音音圈530设于所述高音振膜540的靠近所述导磁板110的一侧，并插设于所述高音磁间隙H，其中

每一所述磁路结构的磁体均沿其径向充磁，且其充磁方向均相同。

本发明中，定义第一磁路结构200和第二磁路结构300、高音振膜540以及用于驱动高音振膜540振动的高音音圈530形成的发声单元为高音单元，定义第二磁路结构300和第三磁路结构400、低音振膜520以及驱动低音振膜520振动的低音音圈510形成的发声单元为低音单元，由此，发声器件能具备全频段音质。

本发明中，高音单元和低音单元共用第二磁路结构300，但其高音磁场和低音磁场相对独立，高音单元发声和低音单元发声互不干涉，设计构思更为巧妙，提升发声器件的声学性能的同时，也利于发声器件的微型化设计。

本发明技术方案中，每一磁路结构的磁体的充磁方向均对应为自外而内或自内而外的径向方向，由此，如图3所示，第一磁路结构200和第二磁路结构300之间的间隙以及第二磁路结构300和第三磁路结构400之间的间隙均有大量的磁感线通过，使得高音磁间隙H和低音磁间隙L能够具有足够的磁场强度，高音音圈530和低音音圈510的驱动力得以提升，从而能够提升音频设备的声学性能。另外，本发明中，第二磁路结构300既与第一磁路结构200配合形成高音磁间隙H，又与第三磁路结构400配合形成低音磁间隙L，简化了发声器件的磁路***，有利于减小发声器件的轴向尺寸，而能提升发声器件在音频设备内的装配便利性。需要说明的是，在未特别说明的情况下，发声器件内的结构的轴向即为高音振膜540和低音振膜520的振动方向，其径向则与导磁板110的延伸方向相并行，周向则以前述的轴向和径向为基准定位。

进一步地，在本实施例中，所述发声器件正对所述高音振膜540的位置设有用于辐射高音振膜540声波的出音孔601，所述出音孔601对应所述低音振膜520的中心区域设置，所述低音振膜520设有避让所述出音孔601的避让孔521，所述低音振膜520位于所述高音振膜540的远离所述导磁板110的一侧。如此，高音单元和低音单元能够同向出声，以使发声器件的音质饱满，且低音振膜520不会阻碍高音振膜540的声波辐射，有利于保障发声器件的声学性能。

进一步地，在本实施例中，所述发声器件还包括盖体600，所述盖体600设于所述高音振膜540远离所述导磁板110的一侧，并盖设于所述第二磁路结构300，所述盖体600设有所述出音孔601，所述避让孔521对应所述出音孔601设置，且所述低音振膜520对应所述避让孔521的内周固定于所述盖体600。如此，低音振膜520的内周能够相对稳定地安装在盖体600上，由于盖体600的分隔作用，高音振膜540引起的空气振动不会对低音振膜520产生干扰，低音振膜520引起的空气振动也不会对高音振膜540产生干扰，有利于进一步保障发声器件的高音单元和低音单元之间的独立性，以进一步保障发声器件的高音性能和低音性能。另外，发声器件还包括设于导磁板110的壳体120，各磁路结构、高音音圈530、高音振膜540及低音音圈510均收容于壳体120内，低音振膜520的外周固定于壳体120的周部，以实现低音振膜520的稳定安装，使得低音振膜520能够稳定地发生振动，从而保障发声器件的低音性能。

进一步地，在本实施例中，所述出音孔601设于所述盖体600的中心位置,所述盖体600环绕所述出音孔601的外周侧设有平面支撑部602，所述低音振膜520对应所述避让孔521的内周固定结合于所述平面支撑部602。不失一般性，低音振膜520的内周通过胶粘的方式固定于支撑部。如此，不仅能够提升低音振膜520和盖体600的连接稳定性，还能提升低音振膜520和盖体600相固定的操作便利性。

进一步地，在本实施例中，所述第一磁路结构200包括第一磁体210和设于所述第一磁体210远离所述导磁板110一侧的第一华司220，所述第二磁路结构300包括第二磁体310和设于所述第二磁体310的背离所述导磁板110的一侧的第二华司320，所述盖体600盖设于所述第二华司320，所述盖体600朝向所述低音振膜520凸起。如此，高音振膜540和高音音圈530收容于第二华司320、第二磁体310和盖体600共同围合形成的收容空间内，能够保障发声器件的高音发声和低音发声的独立性，以保障发声器件的声学性能。另外，第一磁体210和第二磁体310都连接有华司结构，在华司的导磁作用下，第一磁体210和第二磁体310的杂散磁通可以更多的聚集在高音磁间隙H中，提升高音单元磁路的磁感应强度，以提升磁路对高音音圈530的驱动力，提升高频灵敏度。高音音圈530可以穿设于第一华司220和第二华司320之间的间隙，而适当***至第一磁体210和第二磁体310之间。

不失一般性，第三磁路结构400包括第三磁体410和设于第三磁体410远离导磁板110一侧的第三华司420，如此，第三磁体410和第二磁体310都连接有华司结构，在华司的导磁作用下，第二磁体310和第三磁体410杂散磁通可以更多的聚集在低音磁间隙L中，以提升磁路对低音音圈510的驱动力，提升低频灵敏度。

在一实施例中，所述高音振膜540为朝向所述盖体600凸起的弧形振膜。如此，高音振膜540能够更靠近盖体600的出音孔601设置，缩减了高音振膜540的声波辐射距离，有利于提升发声器件的高音性能。需要说明的是，此处所说的高音振膜540为弧形振膜，指的是高音振膜540大致呈弧形，高音振膜540的边缘或者其他局部位置也可以设置平面结构，只要保障高音振膜540整体呈朝盖体600凸设的凸弧结构，以使高音振膜540整体能够相对靠近出音孔601即可。

进一步地，在本实施例中，所述高音振膜540包括球顶部541和环设于所述球顶部541的折环部542，所述球顶部541和所述折环部542均朝向所述盖体600凸起，且所述折环部542的曲率小于所述球顶部541的曲率。也即，球顶部541设置于高音振膜540的中部，而能相对于出音孔601设置，球顶部541的曲率更大，使得球顶部541能够更靠近于出音孔601设置，进一步缩减了高音振膜540和出音孔601之间的距离，能够进一步提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，所述折环部542和所述球顶部541的结合位置形成平面安装部543，所述高音音圈530安装于所述平面安装部543。如此，能够提升高音音圈530的安装稳定性，以保障发声器件的高音性能，还能提升高音音圈530和高音振膜540的装配便利性，以提升发声器件的生产装配效率。

进一步地，在本实施例中，在所述高音振膜540的振动方向上，所述第一磁路结构200的高度高于所述第二磁路结构300的高度。如此，第一磁路结构200能够更靠近高音振膜540设置，而能使高音磁间隙H更靠近高音振膜540设置，以保障高音音圈530在高音磁间隙H中具备足够的***距离，从而保障高音音圈530能够受到足够驱动力，进而保障发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，所述第二华司320靠近所述第一华司220的一侧具有朝远离所述导磁板110的方向凸设的导磁凸部321。如此，导磁凸部321和第一华司220之间即具有磁场，也即能将高音磁间隙H尽可能朝靠近高音振膜540的平面安装部543延伸，在为高音振膜540提供足够的能供其正常振动的空间余量的前提下，能够增加高音音圈530***高音磁间隙H的深度，以使得高音音圈530能够受到足够的驱动力，从而保障发声器件的高音性能。另外，第二华司320的外周缘可以供高音振膜540的外周缘安装，第二华司320的外周缘和导磁凸部321之间能够形成避让折环部542的避让空间。当然，在其他实施例中，也可以是，第二磁体310靠近第一磁体210的一侧具有朝高音振膜540的方向凸设的结构，如此，也能够朝高音振膜540的方向拓展高音磁间隙H。

进一步地，在本实施例中，所述高音振膜540在所述导磁板110的投影位于所述低音音圈510在所述导磁板110的投影的内侧。如此，高音振膜540和低音音圈510在径向上不会发生干涉，高音振膜540能够收容于低音音圈510的内侧，第一磁路结构200和第二磁路结构300也能至少部分收容于低音音圈510内，由此能够减小发声器件的轴向尺寸，以进一步减小发声器件的体积，而便于发声器件在音频设备内装配。

在一实施例中，所述盖体600包括边缘部610和中心部620，所述边缘部610连接于所述高音振膜540，所述中心部620朝向所述低音振膜520凸起，所述中心部620呈弧形结构。如此，盖体600大体上呈弧形设置，盖体600和其相对的磁路结构之间能够形成足够大的收容空间，能够避免对高音振膜540的振动产生干涉，特别是当高音振膜540也大致呈弧形设置时，可以通过中心部620与高音振膜540的弧形部分相配合，以避免盖体600和高音振膜540的弧形部分干涉，从而保障发声器件的高音性能。另外，在低音振膜520设置有相对盖体600的折环时，中心部620的弧形结构也能起到避让低音振膜520的作用，以避免盖体600对低音振膜520的振动产生干涉，从而保障发声器件的低音性能。

在一实施例中，所述高音振膜540为平面结构。高音振膜540整体呈平面结构，能使得发声器件的高音F0(谐振频率)比较高，与低音合成后带宽较宽，且高音振膜540的模量高，能够扩展高频带宽，从而有利于提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，所述发声器件还包括环形支架550，所述环形支架550设于所述低音振膜520的靠近所述导磁板110的一侧，所述低音音圈510绕设于所述环形支架550且插设于所述低音磁间隙L。如此，低音音圈510能够充分插设于低音磁间隙L，以保障低音音圈510能够受到足够的驱动力，而且，通过设置环形支架550，不必在低音磁间隙L外的部分设置音圈导线，不仅有利于节约生产成本，还能够减轻低音振膜520承受的重量，有利于提升发声器件的高音性能。

本发明还提出一种音频设备，该音频设备包括发声器件，该发声器件的具体结构参照上述实施例，由于本音频设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，音频设备可以是音响、耳机、手机或电脑等。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (16)

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

导磁板；

多个磁路结构，设于所述导磁板，包括第一磁路结构、第二磁路结构和第三磁路结构，所述第二磁路结构间隔环设于所述第一磁路结构，所述第三磁路结构间隔环设于所述第二磁路结构，所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，所述第二磁路结构和所述第三磁路结构之间形成有低音磁间隙；

低音音圈、低音振膜，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述低音磁间隙；以及

高音音圈、高音振膜，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述高音磁间隙，其中

每一所述磁路结构的磁体均沿其径向充磁，且其充磁方向均相同。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件正对所述高音振膜的位置设有用于辐射高音振膜声波的出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心区域设置，所述低音振膜设有避让所述出音孔的避让孔，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧。

3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，并盖设于所述第二磁路结构，所述盖体设有所述出音孔，所述避让孔对应所述出音孔设置，且所述低音振膜对应所述避让孔的内周固定于所述盖体。

4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述出音孔设于所述盖体的中心位置,所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有平面支撑部，所述低音振膜对应所述避让孔的内周固定结合于所述平面支撑部。

5.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构包括第一磁体和设于所述第一磁体远离所述导磁板一侧的第一华司，所述第二磁路结构包括第二磁体和设于所述第二磁体的背离所述导磁板的一侧的第二华司，所述盖体盖设于所述第二华司，所述盖体朝向所述低音振膜凸起。

6.如权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述盖体包括边缘部和中心部，所述边缘部连接于所述高音振膜，所述中心部朝向所述低音振膜凸起，所述中心部呈弧形结构。

7.如权利要求6所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜为朝向所述盖体凸起的弧形振膜。

8.如权利要求7所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜包括球顶部和环设于所述球顶部的折环部，所述球顶部和所述折环部均朝向所述盖体凸起，且所述折环部的曲率小于所述球顶部的曲率。

9.如权利要求8所述的发声器件，其特征在于，所述折环部和所述球顶部的结合位置形成平面安装部，所述高音音圈安装于所述平面安装部。

10.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜为平面结构。

11.如权利要求7所述的发声器件，其特征在于，在所述高音振膜的振动方向上，所述第一磁路结构的高度高于所述第二磁路结构的高度。

12.如权利要求11所述的发声器件，其特征在于，所述第二华司靠近所述第一华司的一侧具有朝远离所述导磁板的方向凸设的导磁凸部。

13.如权利要求1至12任一项所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜在所述导磁板的投影位于所述低音音圈在所述导磁板的投影的内侧。

14.如权利要求1至12任一项所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括环形支架，所述环形支架设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，所述低音音圈绕设于所述环形支架且插设于所述低音磁间隙。

15.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至14任一项所述的发声器件。

16.如权利要求15所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。

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