CN217470268U - 发声器件和音频设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、设于导磁板的壳体、第一磁路结构和第二磁路结构以及设于壳体的高音振膜；第二磁路结构设于第一磁路结构的***；第一磁路结构和第二磁路结构之间形成有边磁间隙，第一磁路结构远离导磁板的一侧形成中心磁间隙；高音振膜对应中心磁间隙设置，发声器件设有供高音振膜的声波辐射的出音孔。发声器件还包括低音振膜，低音振膜设有位于内周侧的第一固定部和位于外周侧的第二固定部，第一固定部内侧形成有相对出音孔的避让孔，第一固定部固定连接于出音孔外，第二固定部结合于壳体的周部。本实用新型技术方案旨在优化低音振膜的安装结构，以保障发声器件的低音性能。

Description

发声器件和音频设备

技术领域

本实用新型涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即一个音频设备中放置高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元音频设备中，低音振膜的安装结构不合理，导致发声器件的低音性能不理想，影响用户的使用体验。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种发声器件，旨在优化低音振膜的安装结构，以保障发声器件的低音性能。

为实现上述目的，本实用新型提出的发声器件，包括：

导磁板、设于所述导磁板的壳体；

第一磁路结构、第二磁路结构，均设于所述导磁板上，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的***；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有边磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成中心磁间隙；

高音振膜，设于所述壳体内，对应所述中心磁间隙设置，所述发声器件设有供所述高音振膜的声波辐射的出音孔；以及

低音振膜，设有位于内周侧的第一固定部和位于外周侧的第二固定部，所述第一固定部内侧去料的区域形成有相对出音孔的避让孔，所述第一固定部固定连接于所述出音孔外，所述第二固定部结合于所述壳体的周部。

可选地，所述发声器件还包括盖体，所述盖体的外周连接于所述第一磁路结构，所述高音振膜收容于盖体和所述第一磁路结构之间，所述盖体开设有所述出音孔，所述第一固定部固定于所述盖体的远离所述高音振膜的一侧。

可选地，所述出音孔设于所述盖体的中心位置，所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有支撑部，所述低音振膜的第一固定部固定结合于所述支撑部。

可选地，所述出音孔为沿所述高音振膜振动方向延伸的管状结构，所述出音孔靠近所述高音振膜的一端设有环绕所述出音孔设置的所述支撑部。

可选地，所述盖体的上表面为平面结构，所述出音孔为设置于所述盖体上表面中心位置的孔状结构，所述盖体上表面位于所述出音孔周围的区域形成所述支撑部。

可选地，所述盖体的材质为导磁材质。

可选地，所述发声器件还包括设于所述第一磁路结构的远离所述导磁板的一侧的辅助磁体，所述高音振膜收容于所述第一磁路结构和所述辅助磁体之间，所述辅助磁体开设有所述出音孔，所述第一固定部连接于所述辅助磁体的远离所述高音振膜的一侧。

可选地，所述低音振膜包括第一折环和环设于所述第一折环外的第二折环，所述第一固定部设置于第一折环的内周，所述第二固定部设置于第二折环的外周；所述第一折环和所述第二折环之间形成有平面振动部，所述发声器件还包括插设于所述边磁间隙的低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述高音振膜的一侧，并连接于所述平面振动部。

可选地，所述第一折环和所述第二折环呈分体设置。

可选地，所述第一折环和所述第二折环一体成型。

可选地，所述第一折环和所述第二折环呈分体设置，所述第一折环的外周形成有第一平面部，所述第二折环的内周形成有与所述第一平面部相对应的第二平面部，所述第一平面部和所述第二平面部相搭接设置，以形成所述平面振动部。

可选地，所述平面振动部上设有加强件，所述加强件呈环形，所述加强件的相对两周侧分别连接于所述第一折环和所述第二折环，所述低音音圈连接于所述加强件；

可选地，所述第一折环和/或所述第二折环朝背离所述高音振膜的方向凸设。

可选地，所述第一折环的曲率在自外而内的方向上逐渐增加。

可选地，所述第二折环的曲率在自外而内的方向上逐渐减小。

可选地，所述第一折环的材质和/或所述第二折环的材质为LCP材质或PEN材质。

本实用新型还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。

可选地，所述音频设备为耳机。

在本实用新型技术方案中，低音振膜的振动部位于第一固定部和第二固定部之间，第一固定部固定连接于出音孔外，且第二固定部固定连接于壳体的周部，能使低音振膜稳定安装，有利于保障振动部的稳定振动，从而能够保障发声器件的低音性能。并且，低音振膜设置有避让出音孔的避让孔，高音振膜的声波辐射不会被低音振膜阻挡，有利于保障发声器件的高音性能。由此，低音振膜的安装结构得以优化，从而有利于保障发声器件的声学性能。另外，第一磁路结构在形成中心磁间隙的同时，还与第二磁路结构构造形成边磁间隙L，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用，从而能够减小发声器件的体积，以提升其在音频设备内的装配便利性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型发声器件一实施例的装配结构示意图；

图2为本实用新型发声器件一实施例的***结构示意图；

图3为本实用新型发声器件一实施例的剖视图；

图4为本实用新型发声器件一实施例的剖视图；

图5为本实用新型发声器件一实施例的剖视图；

图6为本实用新型发声器件一实施例的剖视图；

图7为本实用新型发声器件一实施例的剖视图；

图8为图3所示的结构在盖体导磁且不设置辅助磁体时时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图9为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图10为图3所示的结构在盖体不导磁且设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；

图11为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时另一实施例所对应的磁场仿真云图；

图12为图4所示的结构在盖体导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。

附图标号说明：

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

术语“连接”、“安装”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提出一种发声器件。

在本实用新型一实施例中，如图1至图7所示，该发声器件，包括：

导磁板110、设于所述导磁板110的壳体120；

第一磁路结构200、第二磁路结构300，均设于所述导磁板110上，所述第一磁路结构200位于中心区域，所述第二磁路结构300设于所述第一磁路结构200的***；所述第一磁路结构200和所述第二磁路结构300之间形成有边磁间隙，所述第一磁路结构200远离所述导磁板110的一侧形成中心磁间隙；

高音振膜500，设于所述壳体120内，对应所述中心磁间隙设置，所述发声器件设有供所述高音振膜500的声波辐射的出音孔101；以及

低音振膜620，设有位于内周侧的第一固定部612和位于外周侧的第二固定部613，所述第一固定部612内侧去料的区域形成有相对出音孔101的避让孔621，所述第一固定部612固定连接于所述出音孔101外，所述第二固定部613结合于所述壳体120的周部。

在本实用新型技术方案中，低音振膜620的振动部位于第一固定部612和第二固定部613之间，第一固定部612固定连接于出音孔101外，且第二固定部613固定连接于壳体120的周部，能使低音振膜620稳定安装，有利于保障振动部的稳定振动，从而能够保障发声器件的低音性能。并且，低音振膜620设置有避让出音孔101的避让孔621，高音振膜500的声波辐射不会被低音振膜620阻挡，有利于保障发声器件的高音性能。由此，低音振膜620的安装结构得以优化，从而有利于保障发声器件的声学性能。另外，第一磁路结构200在形成中心磁间隙的同时，还与第二磁路结构300构造形成边磁间隙L，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用，从而能够减小发声器件的体积，以提升其在音频设备内的装配便利性。

进一步地，在本实施例中，如图3至图7所示，所述第一磁路结构200包括相连接的第一磁体210和第一华司220，所述第一磁体210设于所述导磁板110，所述第一华司220设于所述第一磁体210的远离所述导磁板110的一侧，所述第一华司220包括第一子华司221和间隔环设于所述第一子华司221外的第二子华司222，所述第一磁体210形成有相对所述第一子华司221设置的第一磁区和相对所述第二子华司222设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司221和所述第二子华司222之间形成有所述中心磁间隙；所述第二磁路结构300的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构200和所述第二磁路结构300之间形成有所述边磁间隙L。

具体而言，第一磁区、第二磁区和第二磁路结构300均采用轴向充磁的方式进行充磁，其中，第一磁区和第二磁区的充磁方向相反，经第一子华司221和第二子华司222导磁后，第一子华司221和第二子华司222之间即形成中心磁间隙；第二磁区和第二磁路结构300的充磁方向相反，也即为第二磁区和第二磁路结构300的磁体的充磁方向相反，如此，第二磁路结构300和第一磁路结构200的第二磁区以及第二子华司222之间都能形成有边磁间隙。其中，中心间隙形成于第一子华司221和第二子华司222之间，在华司的导磁作用下，中心磁间隙H的磁场的磁感线分布更加密集，有利于保障发声器件的高音性能。

另外，第二子华司222可以是由多个弧形部组成，多个弧形部之间可以在周向上紧密配合，形成环状，也可以是在周向上间隔分布，形成类环状，第二子华司222还可以是一体的环状结构；同理，第二磁路结构300亦参照第二子华司222设置。

不失一般性，如图3至图7所示，所述第二磁路结构300包括第二磁体310和第二华司320，所述第二磁体310包括固接于所述导磁板110的两个半环形磁体，所述第二华司320固接于所述第二磁体310的远离所述导磁板110的一侧。第二磁体310的充磁方向与第二磁区的充磁方向相反，在第二华司320和第二子华司222的导磁作用下，第二华司320和第二子华司222之间形成边磁间隙L，磁场分布均匀且更密集，低音音圈610至少部分相对第一磁体210设置，低音音圈610能穿设于此间，以提升边磁间隙L的磁场利用率，从而保障发声器件的低音性能。需要说明的是，在未特别说明的情况下，发声器件内的结构的轴向即为高音振膜500和低音振膜620的振动方向，其径向则与导磁板110的延伸方向相并行，周向则以前述的轴向和径向为基准定位。

进一步地，在本实施例中，所述第一磁区的直径小于或等于所述第二磁区的环宽。如此，能使得第二磁区的面积更大，能够提升第二磁区的磁场强度，有利于兼顾中心磁间隙H和边磁间隙L的电声转换效率，以保障发声器件的高音性能和低音性能。当然，在其他实施例中，也可以是，第一磁区的直径大于第二磁区的环宽，第一磁区的直径和第二磁区的环宽的大小关系可以根据声学性能的不同要求进行调整。

进一步地，在本实施例中，如图2、图5和图7所示，所述第一磁体210为整体式结构，所述第一磁体210还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区，如此，有利于提升第一磁体210在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。

进一步地，在本实施例中，所述高音音圈400对应所述第一无磁区设置，且所述第一无磁区的环宽小于所述高音音圈400的环宽。如此，有利于提升第一子华司221和第二子华司222的磁场强度，由此提升中心磁间隙的磁场对高音线圈的作用力，而使得中心磁间隙H的电声转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。

在一实施例中，如图3、图4和图6所示，所述第一磁体210包括分体设置的第一子磁体211和第二子磁体212，所述第二子磁体212环设于所述第一子磁体211外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体211，所述第二磁区形成于所述第二子磁体212。如此，有利于提升第一子华司221和第二子华司222的磁场强度，由此提升中心磁间隙H的磁场对高音线圈的作用力，而使得中心磁间隙H的电声转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，所述第一子磁体211和所述第二子磁体212之间的间隙小于所述第一子华司221和所述第二子华司222之间的间隙。如此，在第一子华司221和第二子华司222之间需形成供高音音圈400插设的间隙时，第一子磁体211和第二子磁体212能够更靠近设置，在最大化利用发声器件内部空间的同时，还能提升第一子华司221和第二子华司222之间的磁场强度，也即提升中心磁间隙H的电声转换效率，有利于提升发声器件的高音性能。其中，第一子磁体211和第二子磁体212紧配为宜，也即二者之间的间隙越小，越有利于提升发声器件的高音性能。

进一步地，在本实施例中，如图3至图6所示，所述发声器件还包括盖体700，所述盖体700的外周连接于所述第一磁路结构200，所述高音振膜500收容于盖体700和所述第一磁路结构200之间，所述盖体700开设有所述出音孔101，所述第一固定部612固定于所述盖体700的远离所述高音振膜500的一侧。如此，低音振膜620能够稳定地安装在盖体700上，并且，由于盖体700的分隔作用，高音振膜500引起的空气振动不会对低音振膜620产生干扰，低音振膜620引起的空气振动也不会对高音振膜500产生干扰，有利于保障发声器件的高音发声和低音发声之间的独立性，以进一步保障发声器件的声学性能。

进一步地，所述盖体700为导磁材料，请一并参照图9和图10，图9和图10分别为相同结构的发声器件在盖体700700导磁和不导磁时的磁场仿真云图，其中，图9对应的低音BL(电力耦合因子)为0.56521，高音BL(电力耦合因子)为0.22983，图10对应的低音BL为0.55447，高音BL为0.21978，由此可见，盖体700700导磁有利于提升中心磁间隙和边磁间隙的磁场强度，从而提升发声器件的高音BL和低音BL，以提升发声器件的声学性能。

进一步地，在本实施例中，如图4所示，所述出音孔101设于所述盖体700的中心位置，所述盖体700环绕所述出音孔101的外周侧设有支撑部703，所述低音振膜620的第一固定部612固定结合于所述支撑部703。如此，能够提升低音振膜620和盖体700的连接稳定性，从而进一步保障发声器件的高音发声和低音发声之间的独立性，以进一步保障发声器件的高音性能和低音性能。不失一般性，第一固定部612通过胶粘的方式固定于支撑部703。

在一实施例中，如图3至图5所示，所述出音孔101为沿所述高音振膜500振动方向延伸的管状结构，所述出音孔101靠近所述高音振膜500的一端设有环绕所述出音孔101设置的所述支撑部703。也即，出音孔101的孔壁较支撑部703凸出设置，如此，能够方便低音振膜620的第一固定部612的定位安装，有利于提升发声器件的装配便利性，而能提升音频设备的生产效率。

在一实施例中，如图6所示，所述盖体700的上表面为平面结构，所述出音孔101为设置于盖体700上表面中心位置的孔状结构，所述盖体700上表面位于所述出音孔101周围的区域形成所述支撑部703。也即，出音孔101自盖体700靠近导磁板110一侧的表面贯穿至支撑部703，如此，有利于简化盖体700结构，便于盖体700的生产，以及，有利于进一步减小发声器件的轴向尺寸，以进一步发声器件于音频设备内的安装便利性。

在一实施例中，如图2至图7所示，所述发声器件还包括设于所述第一磁路结构200的远离所述导磁板110的一侧的辅助磁体800，所述高音振膜500收容于所述第一磁路结构200和所述辅助磁体800之间。如此，可对辅助磁体800的充磁方向进行调整，具体地，可通过使辅助磁体800的磁场影响第一磁路结构200内部或者第一磁路结构200和第二磁路结构300之间的磁感线走向，从而能对应提升中心磁间隙H或边磁间隙L的磁场强度，以对应提升发声器件的高音性能或低音性能。可以理解，边磁间隙L和中心磁间隙H的形成都和第一磁路结构200有关，因此，在需要对边磁间隙L或中心磁间隙H的电声转换效率进行调整时，对第一磁路结构200和第二磁路结构300进行调整，都有可能会导致另一磁间隙发生很大变化，很多时候都需要对第一磁路结构200和第二磁路结构300同时进行适应性调整，导致调整和验证的工作量大，而对辅助磁体800进行调整，则不涉及到对主要磁路结构的调整，能够非常方便地对中心磁间隙H或边磁间隙L的磁场强度进行调整，从而获得所需的电声转换效率。由此，在新品研发时，可将本实用新型的磁路结构适应性应用，以便于调整高音单元和低音单元的磁路的转换效率，从而提升多单元音频设备的新品研发效率。

在一实施例中，如图7所示，所述辅助磁体800开设有所述出音孔101，所述第一固定部612连接于所述辅助磁体800的远离所述高音振膜500的一侧。如此，由于辅助磁体800的分隔作用，高音振膜500引起的空气振动不会对低音振膜620产生干扰，低音振膜620引起的空气振动也不会对高音振膜500产生干扰，有利于进一步保障发声器件的高音和低音之间的独立性，以进一步保障发声器件的高音性能和低音性能。

在一实施例中，如图3至图6所示，所述辅助磁体800设置于所述盖体700的靠近导磁板110的一侧，并设置有连通出音孔101的连通孔801。进一步地，在本实施例中，如图4和图7所示，所述盖体700还设有固定安装所述辅助磁体800的安装部704，所述安装部704位于所述支撑部703远离所述低音振膜620的一侧，所述安装部704与所述支撑部703之间形成高度差。如此，安装部704可供辅助磁体800固定安装，有利于保障发声器件的结构稳定性。当然，在其他实施例中，辅助磁体800也可以安装于第二子华司222的远离导磁板110的一侧，确保辅助磁体800和第一华司220之间具备足够的空间，而不会干涉到高音振膜500的振动即可。

进一步地，如图3所示，在本实施例中，所述第二子华司222靠近所述高音振膜500的一侧设置有安装环凸223，所述安装环凸223设于所述第二子华司222的边缘位置，所述高音振膜500的外周固定连接于所述安装环凸223。可选地，所述安装环凸223由所述第二子华司222一体形成，所述安装环凸223为向靠近所述高音振膜500的方向凸起的结构；可选地，所述安装环凸223为独立于所述第二子华司222的结构，所述安装环凸223设于所述第二子华司222的边缘位置。如此，在安装环凸223的内侧空间，高音振膜500和第二子华司222及第一子华司221之间能够具有间隙，该间隙能够覆盖高音振膜500的振幅，以使高音振膜500的振动不受干扰，从而保障发声器件的高音性能。

进一步地，如图3所示，在本实施例中，所述盖体700的外周部对应所述安装环凸223设置，并固接于所述高音振膜500远离所述安装环凸223的一侧，所述安装环凸223的外周连接有较所述安装环凸223向远离所述导磁板110的方向凸设的限位环凸224，所述盖体700被限位于所述限位环凸224的内侧。如此，有利于提升盖体700在第二子华司222上的安装稳定性，以保障发声器件的结构稳定性，另外，限位环凸224还可在装配盖体700时提供定位作用，有利于提升盖体700的装配便利性，从而能够提升发声器件的装配便利性。

在一实施例中，所述辅助磁体800形成有单磁区。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区的充磁方向相同。请一并参照图8和图11，图8和图11所对应的发声器件的结构的区别在于，图8对应的结构不设置辅助磁体800，图11对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图8对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图11对应的低音BL为0.5802，高音BL为0.138523。。由此可见，在辅助磁体800的作用下，边磁间隙L的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过低音音圈610，低音BL显著提升，有利于提升低音单元的灵敏度，当整机调试，需要提升低音性能时，可以采用此种充磁方式。

可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相同。请一并参照图8和图9，图8和图9所对应的发声器件的结构的区别在于，图8对应的结构不设置辅助磁体800，图9对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图8对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图9对应的低音BL为0.56521，高音BL为0.22983。由此可见，在辅助磁体800的作用下，中心磁间隙H的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过高音音圈400，高音BL显著提升，有利于提升高音单元的电声转换效率，当整机调试，需要提升高音性能时，可以采用此种充磁方式

进一步地，在本实施例中，所述中心磁间隙H的正投影位于所述辅助磁体800的正投影的区域内。其中，中心磁间隙H的正投影指第一子华司221和第二子华司222在导磁板110上的投影之间的间隙，辅助磁体800的正投影指辅助磁体800在导磁板110上的投影。如此，辅助磁体800既能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，又能在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，而使辅助磁体800能够适用于上述两种情况的单区充磁，具体地，当辅助磁体800的充磁方向与第一磁区相反时，辅助磁体800中心位置的磁感线能够连接于第二磁区的磁感线，以增加中心磁间隙H处的磁感线，而使更多的磁感线穿过高音音圈400；当辅助磁体800的充磁方向与第二磁区相反时，辅助磁体800周侧部分的磁感线能够连接于第二磁路结构300的磁感线，以增加边磁间隙L处的磁感线，而使更多的磁感线穿过低音音圈610。

在一实施例中，所述辅助磁体800形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。如此，辅助磁体800同样能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，以及在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，通过调整第三磁区和第四磁区的充磁量，以满足对高音BL和低音BL不同的调整需求。请一并参照图8和图12，图8和图12所对应的发声器件的结构的区别在于，图8对应的结构不设置辅助磁体800，图12对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有双磁区，双磁区的充磁方向如前所述，其中，图8对应的低音BL为0.56921，高音BL为0.1811，图12对应的低音BL为0.57533，高音BL为0.25425。由此可见，辅助磁体800设置的第三磁区和第四磁区能够影响中心磁间隙H和边磁间隙L处的磁感线走向，以使更多的磁感线穿过高音音圈400和低音音圈610，高音BL和低音BL均能有所提升，其中高音BL的提升更显著，当整机调试，需要同时提升高音性能和低音性能时，可以采用此种充磁方式。

在本实施例中，可选地，如图3和图5所示，所述辅助磁体800设置为整体式结构，所述辅助磁体800还形成有设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区，如此，有利于提升辅助磁体800在生产装配时的安装便利性，从而提升发声器件的生产效率。

在本实施例中，可选地，如图4和图6所示，所述辅助磁体800包括第一辅助磁体和环设于所述第一辅助磁体外的第二辅助磁体810，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体，所述第四磁区形成于如图3至图6所示，所述第二辅助磁体810。本实施例中，辅助磁体800包括分体设置的第一辅助磁体和第二辅助磁体810，分别对第一辅助磁体和第二辅助磁体810进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一辅助磁体和第二辅助磁体810的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。其中，第一辅助磁体和第二辅助磁体810的间隙相对中心磁间隙设置，第一辅助磁体和第二辅助磁体810之间紧密配合为宜，也即，第一辅助磁体和第二辅助磁体810之间的间隙越小越好，越有利于提升发声器件的声学性能。

在一实施例中，如图3所示，所述低音振膜620包括第一折环622和环设于所述第一折环622外的第二折环623，所述第一固定部612设置于第一折环622的内周，所述第二固定部613设置于第二折环623的外周；所述第一折环622和所述第二折环623之间形成有平面振动部624，所述发声器件还包括插设于所述边磁间隙的低音音圈610，所述低音音圈610设于所述低音振膜620的靠近所述高音振膜500的一侧，并连接于所述平面振动部624。本实施例中，低音振膜620采用双折环结构，如此，低音振膜620的顺性足够大，还能兼顾低音中较高频区域的声学性能，能起到平衡低音各频段的声学性能的作用。而平面振动部624能够便于低音音圈610安装，有利于提升发声器件的装配效率，且能供低音音圈610稳定安装，有利于保障发声器件的低音性能。

在一实施例中，所述第一折环622和所述第二折环623一体成型。如此，低音振膜620的加工工艺简单，能够具备较高的加工效率，且一致性好，有利于保障发声器件的低音性能。其中，第一折环622和第二折环623可以是采用同样的材料一体成型，也可以采用不同的材料一体成型，平面振动部624也随第一折环622和第二折环623一体成型。

在一实施例中，所述第一折环622和所述第二折环623呈分体设置。如此，能够单独对第一折环622或第二折环623的参数做调整，特别是能够方便地对第一折环622和第二折环623的材料自由搭配，将低音振膜620调整到合适的顺性，以实现所需求的低音性能。

进一步地，在本实施例中，所述第一折环622的外周形成有第一平面部，所述第二折环623的内周形成有与所述第一平面部相对应的第二平面部，所述第一平面部和所述第二平面部相搭接设置，以形成所述平面振动部624。如此，能够提升第一折环622和第二折环623的连接稳定性，其中，第一平面部和第二平面部粘接固定，以使第一折环622与第二折环623相固定。当然，在其他实施例中，也可以是，

进一步地，在本实施例中，如图7所示，所述平面振动部624上设有加强件625，所述加强件625呈环形，所述加强件625的相对两周侧分别连接于所述第一折环622和所述第二折环623，所述低音音圈610连接于所述加强件625。加强件625的设置，使得平面振动部624的厚度增大，有利于提升低音的中高频音质，其中，加强件625的材质可以是铝镁合金，加强件625可以通过粘接的方式连接于平面振动部624。本实施例中，加强件625设置于平面振动部624的靠近高音振膜500的一侧，低音音圈610通过粘接的方式连接于加强件625。当然，在其他实施例中，也可以是，加强件624设置于平面振动部624的远离高音振膜500的一侧，低音音圈610连接于平面振动部624的靠近高音振膜500的一侧。

进一步地，在本实施例中，所述第一折环622和所述第二折环623朝背离所述高音振膜500的方向凸设。如此，能够避免第一折环622和第二折环623和壳体120内的各部件发生干涉，壳体120内不会预留太多避让孔621径，有利于发声器件的小型化设计。当然，在其他实施例中，第一折环622和第二折环623也可以朝靠近高音振膜500的方向凸设。

进一步地，在本实施例中，所述第一折环622的曲率在自外而内的方向上逐渐增加，所述第二折环623的曲率在自外而内的方向上逐渐减小。也即，在靠***面振动部624的方向上，第一折环622和第二折环623的倾斜程度均呈减缓趋势，如此，能够增大低音振膜620的顺性以及提升低音振膜620的内阻尼，从而保障发生设备的声学性能。

可选地，所述第一折环622的材质和所述第二折环623的材质可以是LCP(LiquidCrystal Polymer，液晶高分子聚合物)材质或PEN(polyethy-lenenaphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)材质。LCP材料机械性能优异，强度极高，尺寸稳定性、自阻燃性、加工性等性能良好，且耐热性好，热膨胀系数低，PEN材料具有具有优越的物理机械性能、耐热性能、力学性能、气体阻隔性能，第一折环622和第二折环623采用上述材料制成，均能使发声器件具有足够的低频灵敏度，有利于提升音频设备的低频频响。其中，第一折环622和第二折环623无论是一体成型还是分体设置，都可以选用相同的材质或不同的材质。

进一步地，如图3和图4所示，在本实施例中，所述盖体700设有避让所述低音振膜620的第一折环622的第一避让部702，所述第一避让部702为相对于所述安装部704倾斜设置的结构，所述辅助磁体800对应所述第一避让部702的结构与所述第一避让部702相适配，辅助磁体800设置有和第二避让部803相对应的第三避让部802，以避免干涉低音振膜620的振动。如此，辅助磁体800能够更贴合盖体700设置，当辅助磁体800和盖体700采用粘接的方式相连接时，有利于提升辅助磁体800和盖体700之间的连接稳定性。当然，在其他实施例中，也可以是，如图5和图6所示，辅助磁体800不具有与低音振膜620的第一折环622上的朝靠近导磁板110倾斜延伸的部分相对设置的部分。

进一步地，如图3和图4所示，所述辅助磁体800靠近所述高音振膜500的一侧设有避让所述高音振膜500的折环部的第二避让部803。具体而言，第二避让部803为辅助磁体800靠近高音振膜500的表面朝背离高音振膜500的方向倾斜设置的结构，如此，可在高音振膜500的折环部朝远离导磁板110的方向振动时，避免辅助磁体800对其产生干涉，以保障发声器件的高音性能。当然，在其他实施例中，也可以是，如图5和图6所示，辅助磁体800不具有相对高音振膜500的折环部设置的部分。

本实用新型还提出一种音频设备，该音频设备包括发声器件，该发声器件的具体结构参照上述实施例，由于本音频设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，音频设备可以是音响、耳机、手机或电脑等。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

导磁板、设于所述导磁板的壳体；

第一磁路结构、第二磁路结构，均设于所述导磁板上，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的***；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有边磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成中心磁间隙；

高音振膜，设于所述壳体内，对应所述中心磁间隙设置，所述发声器件设有供所述高音振膜的声波辐射的出音孔；以及

低音振膜，设有位于内周侧的第一固定部和位于外周侧的第二固定部，所述第一固定部内侧去料的区域形成有相对出音孔的避让孔，所述第一固定部固定连接于所述出音孔外，所述第二固定部结合于所述壳体的周部。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括盖体，所述盖体的外周连接于所述第一磁路结构，所述高音振膜收容于盖体和所述第一磁路结构之间，所述盖体开设有所述出音孔，所述第一固定部固定于所述盖体的远离所述高音振膜的一侧。

3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述出音孔设于所述盖体的中心位置，所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有支撑部，所述低音振膜的第一固定部固定结合于所述支撑部。

4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述出音孔为沿所述高音振膜振动方向延伸的管状结构，所述出音孔靠近所述高音振膜的一端设有环绕所述出音孔设置的所述支撑部，或者，

所述盖体的上表面为平面结构，所述出音孔为设置于所述盖体上表面中心位置的孔状结构，所述盖体上表面位于所述出音孔周围的区域形成所述支撑部。

5.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述盖体的材质为导磁材质。

6.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括设于所述第一磁路结构的远离所述导磁板的一侧的辅助磁体，所述高音振膜收容于所述第一磁路结构和所述辅助磁体之间，所述辅助磁体开设有所述出音孔，所述第一固定部连接于所述辅助磁体的远离所述高音振膜的一侧。

7.如权利要求1至6任一项所述的发声器件，其特征在于，所述低音振膜包括第一折环和环设于所述第一折环外的第二折环，所述第一固定部设置于第一折环的内周，所述第二固定部设置于第二折环的外周；

所述第一折环和所述第二折环之间形成有平面振动部，所述发声器件还包括插设于所述边磁间隙的低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述高音振膜的一侧，并连接于所述平面振动部。

8.如权利要求7所述的发声器件，其特征在于，所述第一折环和所述第二折环呈分体设置；或，所述第一折环和所述第二折环一体成型。

9.如权利要求8所述的发声器件，其特征在于，所述第一折环和所述第二折环呈分体设置，所述第一折环的外周形成有第一平面部，所述第二折环的内周形成有与所述第一平面部相对应的第二平面部，所述第一平面部和所述第二平面部相搭接设置，以形成所述平面振动部。

10.如权利要求7所述的发声器件，其特征在于，所述平面振动部上设有加强件，所述加强件呈环形，所述加强件的相对两周侧分别连接于所述第一折环和所述第二折环，所述低音音圈连接于所述加强件；

和/或，所述第一折环和/或所述第二折环朝背离所述高音振膜的方向凸设；

和/或，所述第一折环的曲率在自外而内的方向上逐渐增加；

和/或，所述第二折环的曲率在自外而内的方向上逐渐减小；

和/或，所述第一折环的材质和/或所述第二折环的材质为LCP材质或PEN材质。

11.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至10任一项所述的发声器件。

12.如权利要求11所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。

Images