CN114799613B - 一种铜焊膏及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种铜焊膏及其制备方法和应用，铜焊膏包括以下原料组分制成：铜粉、铜前驱体与胺配体的络合物、有机溶剂载体、还原剂。本发明提供的焊膏中加入了铜前驱体与胺配体的络合物，一方面铜前驱体与胺配体的络合物分解产生的氢气可以在一定程度上抑制空气中的氧化，另一方面铜前驱体与胺配体的络合物原位分解产生的金属颗粒有助于烧结，促进互连。本发明提供的铜焊膏可以完全实现空气中键合的目的，得到较低的孔隙率和较高的剪切强度。

Description

一种铜焊膏及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于器件封装技术领域，涉及一种铜焊膏及其制备方法和应用。
背景技术
随着电动汽车、航空航天、5G、高铁、深井油气开采等技术的快速发展，需要更大功率的半导体器件，并且要求这些器件能够在更加苛刻的环境下工作，其工作温度常常大于200℃。以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料具有宽带隙、高击穿、高热导率等优异的性能，可以在高于500℃的温度下工作，因此在电子封装领域备受青睐。传统的高Pb焊料对人的身体和环境都有较大的危害，锡基无铅焊料不允许再溶，高熔点钎料如金、铋等也有其各自的缺点。因此迫切需要高温服役的无铅互连材料来满足这些需要。基于金属颗粒，如银颗粒和铜颗粒的互连材料，由于其较低的加工温度和较高的工作温度被认为是很有前景的替代材料。银基烧结材料形成的银互连结构具有很高的电导率和热导率，即便在高温和热冲击实验中也能表现出良好的剪切强度。但由于银的成本高昂以及高的电迁移，限制了其应用。铜焊膏有望成为作为银焊膏的替代品，相比于银，铜有着不亚于银的导电性，更低的电子迁移率，但铜的成本仅为银成本的1％，并且铜储量丰富，因此受到广泛的关注。但铜纳米粒子容易受到氧化，大大降低了其电导率和互连结构的剪切强度。常用的抑制氧化的方法是在惰性气体保护中进行烧结，但这却会大大提高成本。因此，开发一种可以在空气下进行烧结的铜焊膏来解决一般铜焊膏在空气下易氧化难以烧结的问题是很有必要的。
发明内容
为了解决上述背景技术中所提出的问题，本发明的目的在于提供一种铜焊膏及其制备方法和应用。本发明提供的铜焊膏以及基于该焊膏的空气下的键合工艺，可以完全实现空气中键合的目的，得到较低的孔隙率和较高的剪切强度。
为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：一方面，本发明提供了一种铜焊膏，包括以下原料组分制成：铜粉、铜前驱体与胺配体的络合物、有机溶剂载体、还原剂。
进一步地，由以下质量百分数的原料组分制成：铜粉60％～85％、铜前驱体与胺配体的络合物5％～25％、有机溶剂载体5％～25％、还原剂1％～10％。
进一步地，所述铜粉为纳米铜颗粒、微米铜颗粒、微米铜片中的一种或多种。
进一步地，所述铜前驱体与胺配体的络合物通过铜前驱体与胺配体在室温下搅拌制备得到；
优选地，所述铜前驱体与胺配体中的胺基团的摩尔比为1：2～1：4。
进一步地，所述铜前驱体包括乙酸铜、甲酸铜、油酸铜中的一种或多种，优选为甲酸铜；
优选地，所述胺配体包括乙二胺、丙二胺、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、己胺、辛胺、葵胺、3-乙基吡啶、3-丁基吡啶中的一种或多种。
进一步地，所述有机溶剂载体包括乙二醇、丙三醇、丙二醇、异丙醇、α-松油醇、β-松油醇、γ-松油醇中的一种或多种。
进一步地，所述还原剂包括L-抗坏血酸、葡萄糖、柠檬酸、戊二酸、辛二酸、琥珀酸、己酸、甲醛中的一种或多种。
另一方面，本发明提供了一种上述任一所述的铜焊膏的制备方法，包括以下步骤：将铜粉体、铜前驱体与胺配体的络合物、有机溶剂载体、还原剂搅拌混合，制备获得铜焊膏。
再一方面，本发明提供了一种上述任一所述的铜焊膏在电子器件封装互连结构中的应用，所述电子器件封装互连结构包括第一母片、第二母片以及用于连接所述第一母片和第二母片的连接层，所述连接层是采用上述任一所述的铜焊膏通过烧结工艺烧结形成。
进一步地，所述烧结工艺为空气键合工艺，所述空气键合工艺先后包括自还原过程、键合过程；
优选地，所述自还原过程为将涂覆有上述任一所述铜焊膏的第一母片和涂覆有上述任一所述铜焊膏的第二母片在60℃～180℃下，依次进行三个预热步骤；更优选地，所述自还原过程为依铜前驱体与胺配体的络合物分解温度设置的预热步骤一、依有机溶剂载体沸点设置的预热步骤二、依还原剂沸点设置的预热步三，依次在60℃～180℃下预热1～10min；
优选地，所述键合过程的键合温度为150℃～350℃，施压压力为0.1MPa～30MPa。
进一步地，所述第一母片或第二母片包括铜、金、银片，或，表层覆铜、金、银的陶瓷片、硅片以及功能器件等。
本发明的有益效果是：本发明提供的铜焊膏包含了铜粉、铜前驱体与胺配体的络合物、还原剂和有机溶剂载体，本发明提供的焊膏中加入了铜前驱体与胺配体的络合物，一方面铜前驱体与胺配体的络合物分解产生的氢气可以在一定程度上抑制空气中的氧化，另一方面铜前驱体与胺配体的络合物原位分解产生的金属颗粒有助于烧结，促进互连。本发明提供了基于该焊膏的空气键合工艺，基于铜焊膏中的铜前驱体与胺配体的络合物的分解温度、有机溶剂载体沸点和还原剂沸点，设计出一个多步预热自还原的空气键合工艺，通过三个预热步骤可以实现铜在低温下的自还原。该工艺可以很好契合所制备的铜焊膏，通过多步预热步骤实现铜在低温下的完全自还原，在键合过程中施压使微观结构致密化，降低由于溶剂快速挥发产生的高孔隙率，抑制键合过程中的氧化行为，以达到在空气下键合的目的。本发明提供的空气键合工艺，流程简单，易于实现，有利于大规模的工业应用。其在空气中150℃～350℃下可以很好的达到烧结效果，烧结完成后可以得到较高剪切强度的互连结构，可以很好的适用于大功率、高温电子器件封装领域，尤其适用于第三代半导体器件封装。本发明通过铜前驱体与胺配体的络合物分解产生的铜来弥补孔隙，通过预热步骤减缓气体释放速度降低孔隙率。
附图说明
图1是本发明实施例中的覆铜陶瓷基板示意图；
图2是本发明实施例中的封装互连结构示意图；
图3是本发明中使用的纳米铜颗粒的SEM图；
图4是本发明实施例1中的连接层的剪切断裂面的SEM图；
图5是本发明实施例2中的连接层的剪切断裂面的SEM图；
其中，1.陶瓷基底，2.金属镀层，3.第一母片，4.连接层，5.第二母片。
具体实施方式
为了更好地理解本发明的内容，下面结合具体实施方法对本发明内容作进一步说明，但本发明的保护内容不局限以下实施例。
实施例1
将甲酸铜、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、辛胺以摩尔比为1：1：1在室温下电磁搅拌20min，得到铜前驱体与胺配体的络合物。
将粒径为100nm的纳米铜颗粒(其SEM图如图3所示)、铜前驱体与胺配体的络合物、戊二酸、乙二醇在高速混料机中搅拌混合10min，制备获得铜焊膏(将戊二酸、乙二醇提前在60℃下搅拌30min溶解)，其中质量百分数分别为75％、13.5％、1.5％、10％。
将以上制备得到的铜焊膏应用于电子器件的封装互连结构中。封装互连结构的结构示意图如图2所示，封装互连结构中的第一母片和第二母片均选择为DBC基板，DBC基板的结构示意图如图1所示。
首先，对母片进行处理：将DBC基板(第一母片和第二母片)在5％稀盐酸中超声洗涤30s，再分别用去离子水和无水乙醇清洗30s，最后晾干。
接着，将本实施例中制备得到的铜焊膏均匀涂覆在DBC基板的连接面上。
接着，将两个涂覆有铜焊膏的DBC基板(第一母片和第二母片)依次在空气中110℃下预热5min，130℃下预热5min，160℃下预热5min。
接着，将DBC基板(第一母片和第二母片)相互堆叠得到DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的“三明治”结构。
然后，将以上DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的堆叠结构在压力为10MPa，在连接温度250℃下空气中进行烧结，压力保持时间为15min，焊膏涂层被烧结成连接层，冷却后得到如图2所示的封装互连结构。
经过测试，本实施例的焊膏烧结形成的连接层冷却后得到的剪切力为15.04MPa(其中，按照本实施例制备5个测试样品，测试数据取5个测试样品的平均值)。本实施例中的连接层的剪切断裂面的SEM图如图4所示，从图中可以看出，铜颗粒之间完成了很好的烧结连接，显示出明显的颗粒生长和烧结颈，具有较好的断裂形貌，互连结构具有较好的力学性能。
需要说明的是，对连接层进行剪切断裂测试的具体是：将样品固定于剪切力测试仪的固定夹具上，将测试仪的推头以100μm/s的速度推动压缩所述样品进行剪切断裂测试，在样品断裂时通过剪切力测试仪中读取获得相应的剪切力。
实施例2
将甲酸铜和丙二胺以摩尔比为1：2在室温下电磁搅拌20min，得到铜前驱体与胺配体的络合物。
将粒径为100nm的纳米铜颗粒(其SEM图如图3所示)、铜前驱体与胺配体的络合物、柠檬酸、α-松油醇在高速混料机中搅拌混合10min，制备获得铜焊膏(将柠檬酸、α-松油醇提前在60℃下搅拌30min溶解)，其中质量百分数分别为80％、12％、1％、7％。
将以上制备得到的铜焊膏应用于电子器件的封装互连结构中。封装互连结构的结构示意图如图2所示，封装互连结构中的第一母片和第二母片均选择为DBC基板，DBC基板的结构示意图如图1所示。
首先，对母片进行处理：将DBC基板(第一母片和第二母片)在5％稀盐酸中超声洗涤30s，再分别用去离子水和无水乙醇清洗30s，最后晾干。
接着，将本实施例中制备得到的铜焊膏均匀涂覆在DBC基板的连接面上。
接着，将两个涂覆有铜焊膏的DBC基板(第一母片和第二母片)依次在空气下90℃预热5min，110℃下预热5min，140℃下预热5min。
接着，将DBC基板(第一母片和第二母片)相互堆叠得到DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的“三明治”结构。
然后，将以上DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的堆叠结构在压力为10MPa，在连接温度250℃下空气中进行烧结，压力保持时间为15min，焊膏涂层被烧结成连接层，冷却后得到如图2所示的封装互连结构。
经过测试，本实施例的焊膏烧结形成的连接层冷却后得到的剪切力为9.66MPa(其中，按照本实施例制备5个测试样品，测试数据取5个测试样品的平均值)。本实施例中的连接层的剪切断裂面的SEM图如图5所示，从图中可以看出，铜颗粒之间完成了很好的烧结连接，显示出明显的颗粒生长和烧结颈，具有较好的断裂形貌，互连结构具有较好的力学性能。
需要说明的是，对连接层进行剪切断裂测试的具体是：将样品固定于剪切力测试仪的固定夹具上，将测试仪的推头以100μm/s的速度推动压缩所述样品进行剪切断裂测试，在样品断裂时通过剪切力测试仪中读取获得相应的剪切力。
实施例3
将甲酸铜和3-乙基吡啶以摩尔比为1：2在室温下电磁搅拌20min，得到铜前驱体与胺配体的络合物。
将粒径为100nm的纳米铜颗粒(其SEM图如图3所示)、铜前驱体与胺配体的络合物、己酸、丙三醇在高速混料机中搅拌混合10min，制备获得铜焊膏，其中质量百分数分别为85％、10％、1％、9％。
将以上制备得到的铜焊膏应用于电子器件的封装互连结构中。封装互连结构的结构示意图如图2所示，封装互连结构中的第一母片和第二母片均选择为DBC基板，DBC基板的结构示意图如图1所示。
首先，对母片进行处理：将DBC基板(第一母片和第二母片)在5％稀盐酸中超声洗涤30s，再分别用去离子水和无水乙醇清洗30s，最后晾干。
接着，将本实施例中制备得到的铜焊膏均匀涂覆在DBC基板的连接面上。
接着，将两个涂覆有铜焊膏的DBC基板(第一母片和第二母片)依次在空气下85℃预热5min，140℃下预热5min，160℃下预热5min。
接着，将DBC基板(第一母片和第二母片)相互堆叠得到DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的“三明治”结构。
然后，将以上DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的堆叠结构在压力为10MPa，在连接温度250℃下空气中进行烧结，压力保持时间为15min，焊膏涂层被烧结成连接层，冷却后得到如图2所示的封装互连结构。
经过测试，本实施例的焊膏烧结形成的连接层冷却后得到的剪切力为9.78MPa(其中，按照本实施例制备5个测试样品，测试数据取5个测试样品的平均值)。
需要说明的是，对连接层进行剪切断裂测试的具体是：将样品固定于剪切力测试仪的固定夹具上，将测试仪的推头以100μm/s的速度推动压缩所述样品进行剪切断裂测试，在样品断裂时通过剪切力测试仪中读取获得相应的剪切力。
实施例4
将乙酸铜和葵胺以摩尔比为1：2在室温下电磁搅拌20min，得到铜前驱体与胺配体的络合物。
将粒径为100nm的纳米铜颗粒(其SEM图如图3所示)、铜前驱体与胺配体的络合物、辛二酸、乙二醇在高速混料机中搅拌混合10min，制备获得铜焊膏(将辛二酸、乙二醇提前在60℃下搅拌30min溶解)，其中质量百分数分别为75％、14％、1％、10％。
将以上制备得到的铜焊膏应用于电子器件的封装互连结构中。封装互连结构的结构示意图如图2所示，封装互连结构中的第一母片和第二母片均选择为DBC基板，DBC基板的结构示意图如图1所示。
首先，对母片进行处理：将DBC基板(第一母片和第二母片)在5％稀盐酸中超声洗涤30s，再分别用去离子水和无水乙醇清洗30s，最后晾干。
接着，将本实施例中制备得到的铜焊膏均匀涂覆在DBC基板的连接面上。
接着，将两个涂覆有铜焊膏的DBC基板(第一母片和第二母片)依次在空气下110℃下预热5min，130℃下预热5min，140℃下预热5min。
接着，将DBC基板(第一母片和第二母片)相互堆叠得到DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的“三明治”结构。
然后，将以上DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的堆叠结构在压力为10MPa，在连接温度250℃下空气中进行烧结，压力保持时间为15min，焊膏涂层被烧结成连接层，冷却后得到如图2所示的封装互连结构。
经过测试，本实施例的焊膏烧结形成的连接层冷却后得到的剪切力为10.79MPa(其中，按照本实施例制备5个测试样品，测试数据取5个测试样品的平均值)。
需要说明的是，对连接层进行剪切断裂测试的具体是：将样品固定于剪切力测试仪的固定夹具上，将测试仪的推头以100μm/s的速度推动压缩所述样品进行剪切断裂测试，在样品断裂时通过剪切力测试仪中读取获得相应的剪切力。
实施例5
将甲酸铜和己胺以摩尔比为1：2在室温下电磁搅拌20min，得到铜前驱体与胺配体的络合物。
将粒径为100nm的纳米铜颗粒(其SEM图如图3所示)、铜前驱体与胺配体的络合物、葡萄糖、丙二醇在高速混料机中搅拌混合10min，制备获得铜焊膏(将葡萄糖、丙二醇提前在60℃下搅拌30min溶解)，其中质量百分数分别为70％、18％、2.5％、9.5％。
将以上制备得到的铜焊膏应用于电子器件的封装互连结构中。封装互连结构的结构示意图如图2所示，封装互连结构中的第一母片和第二母片均选择为DBC基板，DBC基板的结构示意图如图1所示。
首先，对母片进行处理：将DBC基板(第一母片和第二母片)在5％稀盐酸中超声洗涤30s，再分别用去离子水和无水乙醇清洗30s，最后晾干。
接着，将本实施例中制备得到的铜焊膏均匀涂覆在DBC基板的连接面上。
接着，将两个涂覆有铜焊膏的DBC基板(第一母片和第二母片)依次在空气下100℃预热5min，130℃预热5min，160℃预热5min。
接着，将DBC基板(第一母片和第二母片)相互堆叠得到DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的“三明治”结构。
然后，将以上DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的堆叠结构在压力为10MPa，在连接温度250℃下空气中进行烧结，压力保持时间为15min，焊膏涂层被烧结成连接层，冷却后得到如图2所示的封装互连结构。
经过测试，本实施例的焊膏烧结形成的连接层冷却后得到的剪切力为13.45MPa(其中，按照本实施例制备5个测试样品，测试数据取5个测试样品的平均值)。
需要说明的是，对连接层进行剪切断裂测试的具体是：将样品固定于剪切力测试仪的固定夹具上，将测试仪的推头以100μm/s的速度推动压缩所述样品进行剪切断裂测试，在样品断裂时通过剪切力测试仪中读取获得相应的剪切力。
实施例6
将甲酸铜和辛胺以摩尔比为1：2在室温下电磁搅拌20min，得到铜前驱体与胺配体的络合物。
将粒径为100nm的纳米铜颗粒(其SEM图如图3所示)、铜前驱体与胺配体的络合物、L-抗坏血酸、乙二醇在高速混料机中搅拌混合10min，制备获得铜焊膏(将L-抗坏血酸、乙二醇提前在60℃下搅拌30min溶解)，其中质量百分数分别为75％、14％、1％、10％。
将以上制备得到的铜焊膏应用于电子器件的封装互连结构中。封装互连结构的结构示意图如图2所示，封装互连结构中的第一母片和第二母片均选择为DBC基板，DBC基板的结构示意图如图1所示。
首先，对母片进行处理：将DBC基板(第一母片和第二母片)在5％稀盐酸中超声洗涤30s，再分别用去离子水和无水乙醇清洗30s，最后晾干。
接着，将本实施例中制备得到的铜焊膏均匀涂覆在DBC基板的连接面上。
接着，将两个涂覆有铜焊膏的DBC基板(第一母片和第二母片)依次在空气下100℃预热5min，130℃预热5min，150℃预热5min。
接着，将DBC基板(第一母片和第二母片)相互堆叠得到DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的“三明治”结构。
然后，将以上DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的堆叠结构在压力为10MPa，在连接温度275℃下空气中进行烧结，压力保持时间为15min，焊膏涂层被烧结成连接层，冷却后得到如图2所示的封装互连结构。
经过测试，本实施例的焊膏烧结形成的连接层冷却后得到的剪切力为14.53MPa(其中，按照本实施例制备5个测试样品，测试数据取5个测试样品的平均值)。
需要说明的是，对连接层进行剪切断裂测试的具体是：将样品固定于剪切力测试仪的固定夹具上，将测试仪的推头以100μm/s的速度推动压缩所述样品进行剪切断裂测试，在样品断裂时通过剪切力测试仪中读取获得相应的剪切力。
实施例7
将甲酸铜和2-胺基-2-甲基-1-丙醇以摩尔比为1：2在室温下电磁搅拌20min，得到铜前驱体与胺配体的络合物。
将粒径为100nm的纳米铜颗粒(其SEM图如图3所示)、铜前驱体与胺配体的络合物、葡萄糖、丙三醇在高速混料机中搅拌混合10min，制备获得铜焊膏(将葡萄糖、丙三醇提前在60℃下搅拌30min溶解)，其中质量百分数分别为75％、15％、1.5％、8.5％。
将以上制备得到的铜焊膏应用于电子器件的封装互连结构中。封装互连结构的结构示意图如图2所示，封装互连结构中的第一母片和第二母片均选择为DBC基板，DBC基板的结构示意图如图1所示。
首先，对母片进行处理：将DBC基板(第一母片和第二母片)在5％稀盐酸中超声洗涤30s，再分别用去离子水和无水乙醇清洗30s，最后晾干。
接着，将本实施例中制备得到的铜焊膏均匀涂覆在DBC基板的连接面上。
接着，将两个涂覆有铜焊膏的DBC基板(第一母片和第二母片)依次在空气下110℃预热5min，140℃预热5min，160℃预热5min。
接着，将DBC基板(第一母片和第二母片)相互堆叠得到DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的“三明治”结构。
然后，将以上DBC基板/焊膏涂层/DBC基板的堆叠结构在压力为10MPa，在连接温度250℃下空气中进行烧结，压力保持时间为15min，焊膏涂层被烧结成连接层，冷却后得到如图2所示的封装互连结构。
经过测试，本实施例的焊膏烧结形成的连接层冷却后得到的剪切力为11.24MPa(其中，按照本实施例制备5个测试样品，测试数据取5个测试样品的平均值)。
需要说明的是，对连接层进行剪切断裂测试的具体是：将样品固定于剪切力测试仪的固定夹具上，将测试仪的推头以100μm/s的速度推动压缩所述样品进行剪切断裂测试，在样品断裂时通过剪切力测试仪中读取获得相应的剪切力。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (7)

1.一种铜焊膏，其特征在于，包括以下原料组分制成：铜粉、铜前驱体与胺配体的络合物、有机溶剂载体、还原剂；
由以下质量百分数的原料组分制成：铜粉60％～85％、铜前驱体与胺配体的络合物5％～25％、有机溶剂载体5％～25％、还原剂1％～10％；所述铜前驱体与胺配体的络合物通过铜前驱体与胺配体在室温下搅拌制备得到；所述铜前驱体与胺配体中的胺基团的摩尔比为1：2-1：4；所述的铜焊膏的制备方法，包括以下步骤：将铜粉体、铜前驱体与胺配体的络合物、有机溶剂载体、还原剂搅拌混合，制备获得铜焊膏。
2.根据权利要求1所述的铜焊膏，其特征在于，所述铜粉为纳米铜颗粒、微米铜颗粒、微米铜片中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的铜焊膏，其特征在于，所述铜前驱体包括乙酸铜、甲酸铜、油酸铜中的一种或多种；所述胺配体包括乙二胺、丙二胺、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、己胺、辛胺、葵胺、3-乙基吡啶、3-丁基吡啶中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的铜焊膏，其特征在于，所述有机溶剂载体包括乙二醇、丙三醇、丙二醇、异丙醇、α-松油醇、β-松油醇、γ-松油醇中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的铜焊膏，其特征在于，所述还原剂包括L-抗坏血酸、葡萄糖、柠檬酸、戊二酸、辛二酸、琥珀酸、己酸、甲醛中的一种或多种。
6.权利要求1-5任一项所述的铜焊膏在电子器件封装互连结构中的应用，所述电子器件封装互连结构包括第一母片、第二母片以及用于连接所述第一母片和第二母片的连接层，所述连接层是采用所述的铜焊膏通过烧结工艺烧结形成。
7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述烧结工艺为空气键合工艺，所述空气键合工艺先后包括自还原过程、键合过程；所述自还原过程为将涂覆有所述铜焊膏的第一母片和涂覆有所述铜焊膏的第二母片在60℃～180℃下，依次进行三个预热步骤；所述自还原过程为依铜前驱体与胺配体的络合物分解温度设置的预热步骤一、依有机溶剂载体沸点设置的预热步骤二、依还原剂沸点设置的预热步三，依次在60℃～180℃下预热1～10min；所述键合过程的键合温度为150℃～350℃，施压压力为0.1MPa～30MPa。
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