CN114678442A - 用于数字x射线检测仪的阵列基板和包含其的数字x射线检测仪 - Google Patents

用于数字x射线检测仪的阵列基板和包含其的数字x射线检测仪 Download PDF

Info

Publication number
CN114678442A
CN114678442A CN202111527826.XA CN202111527826A CN114678442A CN 114678442 A CN114678442 A CN 114678442A CN 202111527826 A CN202111527826 A CN 202111527826A CN 114678442 A CN114678442 A CN 114678442A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dummy
gate
width
array substrate
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111527826.XA
Other languages
English (en)
Inventor
朴时亨
姜汶秀
尹载皓
张栋现
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN114678442A publication Critical patent/CN114678442A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

公开了一种用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含其的数字X射线检测仪，该阵列基板可以使由静电流入引起的缺陷最小化。为此，延伸跨过虚设像素区域的数据线或栅极线的宽度小于延伸跨过有效区域的数据线或栅极线的宽度。此外，延伸跨过虚设像素区域的虚设栅极线或虚设数据线的宽度小于延伸跨过有效区域的栅极线或数据线的宽度。因此，在制造过程期间生成的静电不会随机地流入有效区域，而是流入具有最低电容的虚设像素区域。静电可以不被引导到有效区域，而是被引导到虚设像素区域中的虚设栅极线或虚设数据线。这可以使由在制造过程期间生成的静电引起的线缺陷或块亮度偏差缺陷最小化。

Description

用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含其的数字X射线检 测仪
技术领域
本公开涉及一种用于数字X射线检测仪(或探测器)的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪，该阵列基板可以使由静电流入引起的缺陷最小化。
背景技术
因为X射线具有短波长，所以X射线可以容易地透过对象(物体)。X射线的透射率取决于对象的内部密度。因此，通过检测透过对象的X射线的透射率，可以观察对象的内部结构。
在医学领域中使用的基于X射线的检查方法之一是胶片打印方案。然而，在胶片打印方案中，为了检查结果，图像被拍摄，然后胶片被打印。因此，检查结果需要花费很长时间。尤其是，在胶片打印方案中，在存储和保存打印的胶片方面存在许多困难。
最近，使用薄膜晶体管的数字X射线检测仪(DXD)已经被开发并在医疗领域中广泛地使用。
数字X射线检测仪检测透过对象的X射线的透射率，并基于透射率在显示器上显示对象的内部状态。
因此，数字X射线检测仪可以显示对象的内部结构，而无需使用单独的胶片和打印纸。此外，DXD具有在X射线拍摄之后立即实时检查结果的优点。
发明内容
数字X射线检测仪包含将X射线转换为可见光的闪烁体，以及将经转换的可见光转换为电检测信号的多个光敏像素。
光敏像素包含诸如PIN(P型/I型/N型半导体)二极管和薄膜晶体管的各种元件。PIN二极管对光敏感。
因此，包含PIN二极管的数字X射线检测仪响应于非常微弱(小)的光并显示信号。
具体而言，电子(即，从PIN二极管生成的信号)延伸跨过薄膜晶体管，然后通过数据线，然后被施加到读出电路。
此外，在制造数字X射线检测仪的过程期间可能生成大量的静电。由于这种静电，可能频繁地发生栅极线和数据线之间的短路。
当栅极线和数据线彼此短路时，栅极线的电子被部分地泄漏到数据线，使得高于读出电路中可允许量的一定量的电子可能被施加到读出电路。
以这种方式，高于读出电路中可允许电压的电压被施加到读出电路，使得在对应线(即，数据线)中可能发生数据线缺陷或块间亮度偏差缺陷(块暗淡)。
此外，数据线的电子可能被部分地泄漏到栅极线。在这种情况下，可能发生栅极线缺陷。
发生线缺陷或块亮度偏差缺陷的数字X射线检测仪面板被确定为是有缺陷的。因此，由于所述缺陷，工艺产出率或产量急剧降低。
特别地，静电集中在数字X射线检测仪面板的、其中栅极线和数据线以最小面积彼此交叠的部分(即，两条线之间电容最低的部分)上。因此，静电集中可能不是在特定像素中发生，而是在面板内随机地发生。
因此，本公开的发明人已经发明了一种用于数字X射线检测仪的阵列基板以及包含该阵列基板的数字X射线检测仪，该阵列基板可以使由于静电的流入而引起的缺陷最小化。
根据本公开的一个实施例的目的是提供一种用于数字X射线检测仪的阵列基板以及包含该阵列基板的数字X射线检测仪，该阵列基板可以使有效区域中的静电的随机生成最小化。
根据本公开的一个实施例的另一目的是提供一种用于数字X射线检测仪的阵列基板以及包含该阵列基板的数字X射线检测仪，即使在制造过程期间生成静电时，该阵列基板也可以使静电对检测仪的操作(或运行)的影响最小化。
根据本公开的一个实施例的又一目的是提供一种用于数字X射线检测仪的阵列基板以及包含该阵列基板的数字X射线检测仪，该阵列基板可以使由在制造过程期间生成的静电引起的线缺陷或块亮度偏差缺陷最小化。
根据本公开的目的不限于上述目的。根据本公开的如上文未提及的其他目的和优点可以从以下描述中理解，并且从根据本公开的实施例中更清楚地理解。此外，将容易理解，根据本公开的目的和优点可以通过如权利要求中公开的特征及其组合来实现。
根据本公开的第一实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板包含(或包括)：有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设栅极线沿着第一虚设像素区域延伸，第二虚设栅极线沿着第二虚设像素区域延伸。
就此而言，每条数据线延伸跨过有效区域、第一虚设像素区域和第二虚设像素区域，其中，第一虚设像素区域和第二虚设像素区域中的每一个中的每条数据线的宽度小于有效区域中的每条数据线的宽度，其中第一虚设栅极线和第二虚设栅极线中的每一条可以以与每条栅极线的延伸方向平行的方式延伸，其中第一虚设栅极线和第二虚设栅极线中的每一条的宽度小于每条栅极线的宽度。
根据本公开的第二实施例，在每条虚设栅极线与每条数据线交叉的区域中，每条虚设栅极线被分支为多条虚设栅极支线，其中每条虚设栅极支线的宽度小于每条虚设栅极线的宽度。
根据本公开的第三实施例，在每条数据线与每条虚设栅极线交叉的区域中，每条数据线被分支为多条数据支线，其中所述多条数据支线的宽度彼此不同。
根据本公开的第四实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板包含：有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设数据线沿着第一虚设像素区域延伸，第二虚设数据线沿着第二虚设像素区域延伸。
就此而言，每条栅极线延伸跨过有效区域和每个虚设像素区域，其中，每个虚设像素区域中的每条栅极线的宽度小于有效区域中的每条栅极线的宽度，其中每条虚设数据线可以以与每条数据线的延伸方向平行的方式延伸，其中每条虚设数据线的宽度小于每条数据线的宽度。
根据本公开的第五实施例，在每条虚设数据线与每条栅极线交叉的区域中，每条虚设数据线被分支为多条虚设数据支线，其中每条虚设数据支线的宽度小于每条虚设数据线的宽度。
根据本公开的第六实施例，在每条栅极线与每条虚设数据线交叉的区域中，每条栅极线被分支为多条栅极支线，其中所述多条栅极支线的宽度彼此不同。
根据本公开的实施例的数字X射线检测仪包含如上所述的根据第一至第六实施例中的每一个的用于数字X射线检测仪的阵列基板，以及设置在阵列基板上和有效区域中的闪烁体层。
根据如上所述的各种实施例，静电可以被引导为不流入有效区域，而是流入与阵列基板的操作无关的虚设像素区域，从而可以使数字X射线检测仪中的缺陷最小化。
根据本公开的实施例，延伸跨过虚设像素区域的数据线或栅极线的宽度可以小于延伸跨过有效区域的数据线或栅极线的宽度。此外，延伸跨过虚设像素区域的虚设栅极线或虚设数据线的宽度可以小于延伸跨过有效区域的栅极线或数据线的宽度。因此，在制造过程期间生成的静电不会随机地流入有效区域，而是流入具有最低电容的虚设像素区域。
此外，根据本公开的实施例，将虚设栅极线分支为具有较窄宽度的多条虚设栅极支线作为具有低电容的区域或者将虚设数据线分支为具有较窄宽度的多条虚设数据支线作为具有低电容的区域可以允许静电流入具有较低电容的虚设支线。
在这种情况下，即使当由于引入的静电而使虚设栅极支线或虚设数据支线与数据线或栅极线短路时，由于短路发生在虚设线中，可以使静电对数字X射线检测仪的操作的影响最小化。
此外，根据本公开的实施例，将数据线或栅极线分支为具有不同宽度的多条数据支线或具有不同宽度的多条栅极支线作为具有较低电容的区域可以允许静电流入相对较窄的数据支线或栅极支线。
在这种情况下，即使当由于引入的静电而在较窄的数据支线或栅极支线中发生烧毁并且因此降低了其电导率时，由于信号可以正常地移动到相对较宽的数据支线或栅极支线，可以使静电对数字X射线检测仪的操作的影响最小化。
此外，根据本公开的实施例，静电可以不被引导到有效区域，而是被引导到虚设像素区域中的虚设栅极线或虚设数据线。因此，即使当将静电被引导到栅极线和数据线时，也可以使静电对数字X射线检测仪的操作的影响最小化。这可以使由在制造过程期间生成的静电引起的线缺陷或块亮度偏差缺陷最小化。
除了上述效果之外，将与用于实施本公开的以下详细描述一起描述根据本公开的具体效果。
附图说明
图1是用于示意性地示出数字X射线检测仪的框图。
图2是根据本公开的第一实施例至第三实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板以及包含所述阵列基板的数字X射线检测仪的有效区域和虚设像素区域的示意性布置图。
图3是根据本公开的第一实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的平面图。
图4是根据本公开的第二实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的平面图。
图5是根据本公开的第三实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的平面图。
图6是根据本公开的第四实施例至第六实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板以及数字X射线检测仪的有效区域和虚设像素区域的示意性布置图。
图7是根据本公开的第四实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的平面图。
图8是根据本公开的第五实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的平面图。
图9是根据本公开的第六实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的平面图。
图10是根据本公开的实施例的与单个像素区域相对应的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的截面图。
具体实施方式
为了图示的简单和清楚，图中的元件不一定按比例绘制。不同附图中的相同附图标记表示相同或相似的元件，并且因此执行相似的功能。此外，为了描述的简单，省略了公知步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，将理解，本公开可以在没有这些具体细节的情况下实践。在其他情况下，未详细描述公知的方法、过程、部件和电路，以免不必要地使本公开的各方面难以理解。下面进一步说明和描述各种实施例的示例。应当理解，本文的描述不旨在将权利要求限制于所描述的具体实施例。相反，本公开旨在覆盖可包含在由所附权利要求限定的本公开的精神和范围内的替代、修改和等同方案。在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，本公开不限于此。相同的参考数字在本文中表示相同的元件。
本文所用的术语仅为了描述特定实施例，而不是旨在限制本公开。如本文所用，单数形式“一”和“一个”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还将理解，术语“包括”和“包含”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整数、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。当位于元素列表之后时，诸如“至少一个”的表达可以修饰元素列表的整体，并且可以不修饰列表的各个元素。当提及“C至D”时，这是指包括C在内至包括D在内，除非另有说明。应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分(或区段)，这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
此外，还应当理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“(之)上”或“(之)下”时，第一元件可以直接设置在第二元件或层(之)上或(之)下，或者可以间接设置在第二元件或层上或下，其中第三元件或层设置在第一和第二元件或层之间。应当理解，当元件或层被称为“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，其可以直接位于另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。此外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
此外，如本文所用，当层、膜、区域、板等设置在另一层、膜、区域、板等“(之)上”或“顶部”时，前者可直接接触后者，或者可将又一层、膜、区域、板等设置在前者和后者之间。如本文所用，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“(之)上”或“顶部”时，前者直接接触后者，并且在前者和后者之间不设置又一层、膜、区域、板等。此外，如本文所用，当层、膜、区域、板等设置在另一层、膜、区域、板等“下面”或“下方”时，前者可以直接接触后者，或者可将又一层、膜、区域、板等设置在前者和后者之间。如本文所用，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“下面”或“下方”时，前者直接接触后者，并且在前者和后者之间不设置又一层、膜、区域、板等。
除非另有定义，否则本文所用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
在一个示例中，当某个实施例可以被不同地实施时，在特定框中指定的功能或操作可以以与流程图中指定的顺序不同的顺序发生。例如，两个连续的框实际上可以同时执行。取决于相关的功能或操作，可以以相反的顺序执行这些框。
在时间关系的描述中，例如，诸如“之后”、“随后”、“之前”等两个事件之间的时间在先关系，除非指示“直接在…之后”、“直接在…随后”或“直接在…之前”，否则在其间可能发生另一事件。本公开的各种实施例的特征可以部分地或完全地彼此组合，并且可以在技术上彼此相关联或彼此操作。各实施例可以彼此独立地实现，并且可以以关联关系一起实现。为了便于解释，本文中可使用诸如“之下”、“下方”、“下部”、“下面”、“上方”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或特征与图中所示的另一元件或特征的关系。应当理解，除了图中所示的取向之外，空间相对术语还旨在包含器件(或设备)在使用或操作中的不同取向。例如，当图中的器件被翻转时，描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“下面”可以包含上方和下方的取向。器件可以以其他方式定向，例如旋转90度或处于其他取向，并且本文所用的空间相对描述符应当相应地进行解释。“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”不应仅被解释为具有X轴方向、Y轴方向和Z轴方向彼此垂直的几何关系。“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”可以被解释为在其中本文的部件可以功能性地工作的范围内具有更宽泛的方向。
在下文中，将参考附图描述根据本公开的一些实施例的可使由静电流入引起的缺陷最小化的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪。
图1是用于示意性地示出数字X射线检测仪的框图。数字X射线检测仪可以包含(或包括)薄膜晶体管阵列110、栅极驱动器120、偏压(偏置)电源130、读出电路140和定时(时序)控制器150。
薄膜晶体管阵列110包含多个单元区域(或单元区)，所述多个单元区域由沿第一方向排列的多条栅极线GL和沿与第一方向正交的第二方向排列的多条数据线DL限定。
单元区域以具有多行和多列的矩阵形式排列。在每个单元区域中，可以形成光敏像素P。薄膜晶体管阵列110检测从X射线源发射的X射线，将检测到的X射线转换为电信号，并输出该电信号。
每个光敏像素包含PIN二极管和薄膜晶体管TFT，PIN二极管将由闪烁体从X射线转换的可见光范围中的光转换为电信号并输出该电信号，薄膜晶体管TFT将从PIN二极管输出的检测信号传送到读出电路140。PIN二极管的一端可以连接到薄膜晶体管，而其另一端可以连接到偏压线BL。
薄膜晶体管的栅电极可以连接到载送扫描信号的栅极线GL。薄膜晶体管的源/漏电极可以分别连接到PIN二极管和数据线DL，所述数据线DL载送从PIN二极管输出的检测信号。每条偏压线BL可以以与每条数据线DL平行的方式延伸。
栅极驱动器120可以通过栅极线GL顺序地将栅极信号施加到光敏像素的薄膜晶体管。光敏像素的薄膜晶体管可以响应于具有栅极导通电压电平的栅极信号而导通。
偏压电源130可以通过偏压线BL将驱动电压施加到光敏像素。偏压电源130可以选择性地向PIN二极管施加反向偏压或正向偏压。
读出电路140可以读出从响应于栅极驱动器的栅极信号而导通的薄膜晶体管传送的检测信号。即，从PIN二极管输出的检测信号可以通过薄膜晶体管和数据线DL被输入到读出电路140。
读出电路140可以在用于读出偏移图像的偏移读出时段和用于在X射线曝光之后读出检测信号的X射线读出时段期间读出从每个光敏像素输出的检测信号。
读出电路140可以包含信号检测器和多路复用器。信号检测器包含分别对应于数据线DL的多个放大电路。每个放大电路可以包含放大器、电容器和复位(重置)元件。
定时控制器150可以生成启动信号和时钟信号，并将启动信号和时钟信号提供给栅极驱动器120以控制栅极驱动器120的操作。此外，定时控制器150可以生成读出控制信号和读出时钟信号，并且可以将读出控制信号和读出时钟信号提供给读出电路140以控制读出电路140的操作。
图2是根据本公开的第一实施例至第三实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板100以及包含该阵列基板的数字X射线检测仪的有效区域AA和虚设像素区域DPA的示意性布置图。
数字X射线检测仪检测从X射线源发射的X射线，以光电方式转换所检测的X射线，并输出电检测信号。
为此，数字X射线检测仪包含将X射线转换为可见光范围中的光的闪烁体，以及将可见光范围中的经转换的光转换为电检测信号的多个光敏像素P。光敏像素P可以以具有多行和多列的矩阵形式排列。
具体而言，每个光敏像素P可以包含PIN二极管230(例如，参见图3-5)和薄膜晶体管220(例如，参见图3-5)，PIN二极管230将经由闪烁体从X射线转换的可见光范围中的光转换为电子检测信号并输出该信号，薄膜晶体管220将从PIN二极管230接收的检测信号传送到读出电路140。
因此，由于光敏像素P以具有多行和多列的矩阵形式排列，分别包含在光敏像素P中的PIN二极管230和薄膜晶体管220可以以具有多行和多列的矩阵形式排列。
如图2所示，根据本公开的一个实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板100可以包含(包括)：有效区域AA，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域DPA，其中，第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸(即，第一虚设像素区域在并且沿着有效区域的一侧延伸)，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸(即，第二虚设像素区域在并且沿着有效区域的相反侧延伸)。
用于数字X射线检测仪的阵列基板100包含有效区域AA和围绕有效区域AA的非有效区域。
有效区域AA包含多个像素区域PA。
在非有效区域中，可以设置与焊盘相关的部件，例如连接到像素区域PA中的光敏像素P的栅极驱动器120和读出电路140。
此外，虚设像素区域DPA可以设置在非有效区域中。如在本公开的一个实施例中，每个虚设像素区域DPA可以沿着有效区域AA的一侧和相反侧(具体而言，有效区域AA的顶侧和底侧)中的每一侧并在所述每一侧延伸。
虚设像素区域DPA是指具有与一行像素区域PA的图案相似的图案、但基本上不对数字X射线检测仪的操作做出贡献的虚设区域。
如下所述的第一实施例至第三实施例可以具有相同的有效区域AA和虚设像素区域DPA的布置。将参照图3至图5详细描述第一实施例至第三实施例。
在根据图3的第一实施例中，有效区域AA包含多个像素区域PA。所述多个像素区域PA可以由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线320和多条数据线340之间的交叉部限定。
所述多条数据线340中的每一条可以在有效区域AA的垂直(竖直)方向上延伸，而所述多条栅极线320中的每一条可以在有效区域AA的水平方向上延伸。
在这种情况下，有效区域AA的垂直方向表示穿过有效区域AA的顶部和底部的方向。虚设像素区域DPA在有效区域AA的顶部和底部的每一个上并沿着所述有效区域AA的顶部和底部的每一个延伸。
因此，所述多条数据线340不仅可以延伸跨过有效区域AA，而且可以延伸跨过分别沿着有效区域AA的顶部和底部并在所述有效区域AA的顶部和底部上延伸的第一和第二虚设像素区域DPA中的每一个。
读出电路140和栅极驱动器120可以设置在有效区域AA的外部，例如，设置在非有效区域中。
读出电路140可以通过数据线340从光敏像素P读出检测信号。栅极驱动器120可以通过栅极线320向光敏像素提供扫描信号。
每个像素区域PA包含光敏像素。每个光敏像素包含PIN二极管230和电连接到PIN二极管230的薄膜晶体管220。
在虚设像素区域DPA中，可以设置具有与像素区域PA的图案相似的图案的多个虚设光敏像素。
每个虚设光敏像素可以包含虚设PIN二极管230D和虚设薄膜晶体管220D。
在这种情况下，虚设PIN二极管230D和虚设薄膜晶体管220D彼此不电连接，使得虚设像素区域DPA中的虚设感测像素可基本上不工作(不运行)。
虚设光敏像素的形成图案不限于此。可替换地，虚设PIN二极管230D和虚设薄膜晶体管220D可以彼此连接。
然而，在这种情况下，虚设PIN二极管230D自身或虚设薄膜晶体管220D自身可具有电不连续的图案。
即，只要虚设像素区域DPA中的虚设光敏像素基本上不工作，其形成图案不受特别限制。
虚设像素区域DPA包含沿着虚设像素区域DPA延伸的虚设栅极线320D。
虚设栅极线320D可以沿着与数据线340的延伸方向垂直的方向延伸。因此，虚设栅极线320D可以以与栅极线320平行的方式延伸。
如上所述，栅极线320可以从栅极驱动器120接收扫描信号，并将该扫描信号提供给光敏像素。然而，虚设栅极线320D不可以从栅极驱动器120接收扫描信号，因此不可以将扫描信号提供给虚设光敏像素。
例如，虚设栅极线320D可以不电连接到栅极驱动器120。可替换地，即使当虚设栅极线320D电连接到栅极驱动器120时，也不可以将单独的扫描信号提供给虚设栅极线320D。
在一个示例中，延伸跨过虚设像素区域DPA的数据线340的宽度W12可小于延伸跨过有效区域AA的数据线340的宽度W11。
换句话说，单条数据线340不具有沿整个长度恒定的宽度。相反，其宽度可以在有效区域AA和虚设像素区域DPA之间的边界线附近变化。
在另一示例中，数据线340的宽度变化的点不与有效区域AA和虚设像素区域DPA的边界线重合。相反，其宽度可以在边界线附近逐渐增大或减小。
此外，虚设栅极线320D的宽度W14可小于栅极线320的宽度W13。
在这种情况下，单条虚设栅极线320D和单条栅极线320中的每一条可沿其整个长度具有恒定的宽度。
以此方式，延伸跨过虚设像素区域DPA的数据线340的宽度W12和延伸跨过虚设像素区域DPA的虚设栅极线320D的宽度W14可分别小于延伸跨过有效区域AA的数据线340的宽度W11和栅极线320的宽度W13。因此，在制造过程期间生成的静电可以被引导到虚设像素区域DPA，而不是有效区域AA。
静电集中在数字X射线检测仪面板的、其中栅极线320和数据线340以最小面积彼此交叠的部分(即，两条线之间电容最低的部分)上。
因此，根据第一实施例，静电可以集中在其中较窄的数据线340和较窄的虚设栅极线320D彼此交叉的虚设像素区域DPA上，而不是集中在有效区域AA上。
因此，当由于静电而引起的线间短路发生时，短路可以发生在虚设像素区域DPA中，而不是有效区域AA中。可以不发生线缺陷。
此外，虚设像素区域DPA不显示在数字X射线检测仪的屏幕上。因此，即使当在虚设像素区域DPA中发生线间短路时，在屏幕上也不会出现黑点。
在一个示例中，在根据图4的第二实施例中，在虚设栅极线320D与数据线340交叉的区域中，虚设栅极线320D可以分支为多条虚设栅极支线321D。
在这种情况下，虚设栅极支线321D的宽度W15可小于虚设栅极线320D的宽度W14。
具体而言，虚设栅极线320D可以分支为至少两条虚设栅极支线321D，所述至少两条虚设栅极支线321D的宽度W15可以彼此相等。
当所述至少两条虚设栅极支线321D的宽度W15彼此相等时，由于静电而发生短路的顺序可能不能以特定的方式确定。
然而，本公开不限于此。所述至少两条虚设栅极支线321D的宽度W15可以彼此不同。当所述至少两条虚设栅极支线321D的宽度W15彼此不同时，短路可能发生在具有相对较小宽度的虚设栅极支线321D处。
即，当所述至少两条虚设栅极支线321D的宽度W15彼此不同时，短路可能首先发生在具有相对较小宽度的虚设栅极支线321D中，然后可能发生在具有相对较大宽度的虚设栅极支线321D中。
当虚设栅极线320D分支为多条虚设栅极支线321D时，每条虚设栅极支线321D的宽度比虚设栅极线320D的宽度小，在虚设栅极支线321D与数据线340的交叉处，虚设栅极支线321D与数据线340之间的电容进一步降低。
因此，根据第二实施例，静电可以集中在数据线340和多条虚设栅极支线321D彼此交叉的虚设像素区域DPA上，而不是集中在有效区域AA上。
特别是，在第二实施例中，由于虚设栅极线320D分支为多条虚设栅极支线321D，每条虚设栅极支线321D的宽度比虚设栅极线320D的宽度小，因此在虚设栅极支线321D与数据线340的交叉区域处，虚设栅极支线321D与数据线340之间的电容进一步降低。
另外，当虚设栅极线320D分支为多条虚设栅极支线321D时，每条虚设栅极支线321D的宽度比虚设栅极线320D的宽度小，可以使总电容量的损失最小化，从而可以使在交叉区域中可能生成静电的缓冲区的总量的损失最小化。
另外，当虚设栅极线320D分支为多条虚设栅极支线321D时，每条虚设栅极支线321D的宽度比虚设栅极线320D的宽度小，与数据线340交叠的虚设栅极支线321D的数量增加。因此，可以增加由于在虚设栅极支线321D中感应的静电而在其中发生短路的机会或概率。
另外，当虚设栅极支线321D的条数显著增加时，所有虚设栅极支线321D的宽度W15之和变得接近虚设栅极线320D的宽度W14。因此，所述多条虚设栅极支线321D与数据线340交叠的面积也可以大大增加。
因此，可以增加由于在虚设栅极支线321D中感应的静电而在其中发生短路的机会和概率。
此外，即使当由于静电集中在单条虚设栅极支线321D上而在其中发生烧毁现象并且因此其电导率降低时，因为存在多条虚设栅极支线321D，静电可以继续流入剩余的虚设栅极支线321D。
此外，信号不在虚设栅极线320D中流动。因此，即使当所有的多条虚设栅极支线321D均被烧毁时，该烧毁也不会影响数字X射线检测仪的操作。因此，通过形成多条虚设栅极支线321D，每条虚设栅极支线具有较小的宽度，可以有效地感应静电。
在一个示例中，在根据图5的第三实施例中，数据线340可以在数据线340与虚设栅极线320D交叉的区域中分支为多条数据支线343。
在这种情况下，所述多条数据支线343的宽度可以彼此不同。
具体而言，所述多条数据支线343中的至少一条的宽度可以小于延伸跨过有效区域AA的数据线340的宽度。
此外，所述多条数据支线343中的至少一条的宽度可以小于延伸跨过虚设像素区域DPA的数据线340的宽度。
例如，所述多条数据支线343可以包含第一数据支线343a和第二数据支线343b。
虽然图5中示出了其中所述多条数据支线343包含两条数据支线的示例，但是本公开不限于此。所述多条数据支线343可以包含至少两条数据支线。
在这种情况下，第一数据支线343a的宽度W16可以大于第二数据支线343b的宽度W17。即，第二数据支线343b的宽度W17可以小于第一数据支线343a的宽度W16。
此外，第二数据支线343b的宽度W17可以小于延伸跨过有效区域AA的数据线340的宽度W11，并且可以小于延伸跨过虚设像素区域DPA的数据线340的宽度W12。
在一个实施例中，第一数据支线343a的宽度W16可以等于延伸跨过有效区域AA的数据线340的宽度W11或延伸跨过虚设像素区域DPA的数据线340的宽度W12。但是本公开不限于此。
如上所述，在数据线340与虚设栅极线320D交叉的区域中将数据线340分支为具有不同宽度的多条数据支线343可以允许静电集中在宽度相对较小的数据支线上。
例如，当静电集中在宽度相对较小的第二数据支线343b上时，在第二数据支线343b中可能发生烧毁现象，因此第二数据支线343b的电导率极低。因此，在第二数据支线343b中没有信号流动。
然而，具有相对较大宽度的第一数据支线343a具有低电阻并因此具有高电导率。因此，信号可以流过第一数据支线343a。
因此，第二数据支线343b可以起到感应静电的作用，而第一数据支线343a可以起到正常传送信号的作用。因此，第二数据支线343b的烧毁不影响数字X射线检测仪的操作。
此外，延伸跨过虚设像素区域DPA的数据线340必须传送来自有效区域AA的信号。为此，第一数据支线343a的宽度W16可以等于延伸跨过有效区域AA的数据线340的宽度W11或延伸跨过虚设像素区域DPA的数据线340的宽度W12，从而读出信号可以正常地传送到读出电路140。
此外，如图6所示，根据本公开的另一实施例的用于数字X射线检测仪的阵列基板100可以包含：有效区域AA，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域DPA，其中，第一虚设像素区域在有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸。
用于数字X射线检测仪的阵列基板100包含有效区域AA和围绕有效区域AA的非有效区域。
有效区域AA包含多个像素区域PA。
在非有效区域中，可以设置与焊盘相关的部件，例如连接到像素区域PA中的光敏像素P的栅极驱动器120和读出电路140。
此外，虚设像素区域DPA可以设置在非有效区域中。如在本公开的一个实施例中，每个虚设像素区域DPA可以沿着有效区域AA的一侧和相反侧(具体而言，有效区域AA的左侧和右侧)中的每一侧并在所述每一侧延伸。
虚设像素区域DPA是指具有与一列像素区域PA的图案相似的图案、但基本上不对数字X射线检测仪的操作做出贡献的虚设区域。
如下所述的第四实施例至第六实施例可以具有相同的有效区域AA和虚设像素区域DPA的布置。将参照图7至9详细描述第四实施例至第六实施例。
在根据图7的第四实施例中，有效区域AA包含多个像素区域PA。所述多个像素区域PA可由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线320和多条数据线340之间的交叉部限定。
所述多条数据线340中的每一条可以在有效区域AA的垂直方向上延伸，而所述多条栅极线320中的每一条可以在有效区域AA的水平方向上延伸。
在这种情况下，有效区域AA的垂直方向表示有效区域AA的顶部和底部之间的方向。虚设像素区域DPA不在有效区域AA的顶部和底部中的每一个上以及沿着其延伸。
因此，所述多条栅极线340不仅可以延伸跨过有效区域AA，而且可以延伸跨过分别沿着有效区域AA的左侧和右侧并在所述有效区域AA的左侧和右侧延伸的第一和第二虚设像素区域DPA中的每一个。
虚设像素区域DPA包含沿着虚设像素区域DPA延伸的虚设数据线340D。
虚设数据线340D可以在与栅极线320的延伸方向垂直的方向上延伸。因此，虚设数据线340D可以以平行于数据线340的方式延伸。
如上所述，数据线340可以将检测信号从光敏像素传送到读出电路140。然而，虚设数据线340D不可以将单独的检测信号传送到读出电路140。
例如，虚设数据线340D可以不电连接到读出电路140。然而，如果这样的话，则不可以通过虚设数据线340D传送单独的读出检测信号。
在一个实施例中，延伸跨过虚设像素区域DPA的栅极线320的宽度W22小于延伸跨过有效区域AA的栅极线320的宽度W21。
换句话说，单条栅极线320不具有沿整个长度恒定的宽度。相反，其宽度可以在有效区域AA和虚设像素区域DPA之间的边界线附近变化。
在另一实施例中，栅极线320的宽度变化的点不与有效区域AA和虚设像素区域DPA之间的边界线重合。相反，栅极线320的宽度可以在边界线附近逐渐增大或减小。
此外，虚设数据线340D的宽度W24小于数据线340的宽度W23。
在这种情况下，单条虚设数据线340D和单条数据线340中的每一条可以沿着其整个长度具有恒定的宽度。
这样，当虚设像素区域DPA中的栅极线320的宽度W22和虚设数据线340D的宽度W24分别小于有效区域AA中的栅极线320的宽度W21和数据线340的宽度W23时，在制造过程期间所生成的静电可以被引导到虚设像素区域DPA，而不是有效区域AA。
静电集中在数字X射线检测仪面板的、其中栅极线320和数据线340以最小面积彼此交叠的部分(即，两条线之间电容最低的部分)上。
因此，根据第四实施例，静电可以集中在其中较窄的栅极线320与较窄的虚设数据线340D彼此交叉的虚设像素区域DPA上，而不是集中在有效区域AA上。
因此，当由于静电而发生线间短路时，短路可以发生在虚设像素区域DPA中，而不是有效区域AA中。可以不发生线缺陷。
此外，虚设像素区域DPA不显示在数字X射线检测仪的屏幕上。因此，即使当在虚设像素区域DPA中发生线间短路时，在屏幕上也不会出现黑点。
在一个示例中，在根据图8的第五实施例中，虚设数据线340D可以在虚设数据线与栅极线320交叉的区域中分支为多个虚设数据支线341D。
在这种情况下，每条虚设数据支线341D的宽度W25可以小于虚设数据线340D的宽度W24。
具体而言，虚设数据线340D可以分支为至少两条虚设数据支线341D。虚设数据支线341D的宽度W25可以彼此相等。
当分支的虚设数据支线341D的宽度W25彼此相等时，由于静电而发生短路的顺序可能不能以特定的方式确定。
然而，本公开不限于此。虚设数据支线341D的宽度W25可以彼此不同。当虚设数据支线341D的宽度W25彼此不同时，短路可能发生在具有相对较小宽度的虚设数据支线341D处。
即，当虚设数据支线341D的宽度W25彼此不同时，短路可能首先发生在具有相对较小宽度的虚设数据支线341D中，然后可能发生在具有相对较大宽度的虚设数据支线341D中。
当虚设数据线340D分支为多条虚设数据支线341D时，每条虚设数据支线341D的宽度小于虚设数据线340D的宽度，在虚设数据支线341D与栅极线320之间的交叉处，虚设数据支线341D与栅极线320之间的电容进一步降低。
因此，根据第五实施例，静电可以集中在其中栅极线320和所述多条虚设数据支线341D彼此交叉的虚设像素区域DPA上，而不是集中在有效区域AA上。
特别地，在第五实施例中，由于虚设数据线340D分支为多条虚设数据支线341D，每条虚设数据支线341D的宽度小于虚设数据线340D的宽度，在虚设数据支线341D与栅极线320之间的交叉区域处，虚设数据支线341D与栅极线320之间的电容进一步降低。
另外，当虚设数据线340D分支为多条虚设数据支线341D时，每条虚设数据支线341D的宽度小于虚设数据线340D的宽度，可以使总电容量的损失最小化，从而可以使在交叉区域中可能生成静电的缓冲区的总量的损失最小化。
另外，当虚设数据线340D分支为多条虚设数据支线341D时，每条虚设数据支线341D的宽度小于虚设数据线340D的宽度，与栅极线320交叠的虚设数据支线341D的数量增加。因此，可以增加由于在其中感应的静电而在虚设数据支线341D中发生短路的机会或概率。
另外，当虚设数据支线341D的数量显著增加时，所有虚设数据支线341D的宽度W25之和变得接近虚设数据线340D的宽度W24。因此，其中所述多条虚设数据支线341D与栅极线320交叠的区域也可以大大增加。
因此，可以增加由于在其中感应的静电而在虚设数据支线341D中发生短路的机会和概率。
此外，即使当由于静电集中在单条虚设数据支线341D上而在其中发生烧毁现象并且因此其电导率降低时，因为存在多条虚设数据支线341D，静电可以继续流入剩余的虚设数据支线341D。
此外，信号不会流入虚设数据线340D。因此，即使当所有的多条虚设数据支线341D均被烧毁时，烧毁也不会影响数字X射线检测仪的操作。因此，通过形成多条虚设数据支线341D，每条虚设数据支线具有较小的宽度，可以有效地感应静电。
在一个示例中，在根据图9的第六实施例中，栅极线320可以在其中栅极线320与虚设数据线340D交叉的区域中分支为多条栅极支线323。
在这种情况下，所述多条栅极支线323的宽度可以彼此不同。
具体而言，所述多条栅极支线323中的至少一条的宽度可以小于栅极线320的延伸跨过有效区域AA的部分的宽度。
此外，所述多条栅极支线323中的至少一条的宽度可以小于栅极线320的延伸跨过虚设像素区域DPA的部分的宽度。
例如，所述多条栅极支线323可以包含第一栅极支线323a和第二栅极支线323b。
虽然图9中示出了其中所述多条栅极支线323包含两条栅极支线的示例，但是本公开不限于此。所述多条栅极支线323可以包含至少两条栅极支线。
在这种情况下，第一栅极支线323a的宽度W26可以大于第二栅极支线323b的宽度W27。即，第二栅极支线323b的宽度W27可以小于第一栅极支线323a的宽度W26。
此外，第二栅极支线323b的宽度W27可以小于栅极线320的延伸跨过有效区域AA的部分的宽度W21，并且可以小于栅极线320的延伸跨过虚设像素区域DPA的部分的宽度W22。
在一个示例中，第一栅极支线323a的宽度W26可以等于栅极线320的延伸跨过有效区域AA的部分的宽度W21，或者等于栅极线320的延伸跨过虚设像素区域DPA的部分的宽度W22。但是本公开不限于此。
如上所述，在栅极线320与虚设数据线340D交叉的区域中将栅极线320分支为具有不同宽度的多条栅极支线323，可以允许静电集中在具有相对较小的宽度的栅极支线上。
例如，当静电集中在具有相对较小的宽度的第二栅极支线323b上时，在第二栅极支线323b中可能发生烧毁现象，因此第二栅极支线323b的电导率极低。因此，在第二栅极支线323b中没有信号流动。
但是，具有相对较大的宽度的第一栅极支线323a具有低电阻，因此具有高电导率。因此，信号可以流过第一栅极支线323a。
因此，第二栅极支线323b可以起到感应静电的作用，而第一栅极支线323a可以起到正常传送信号的作用。因此，第二栅极支线323b的烧毁不影响数字X射线检测仪的操作。
此外，栅极线320的延伸跨过虚设像素区域DPA的部分必须传送来自有效区域AA的信号。为此，第一栅极支线323a的宽度W26可以等于栅极线320的延伸跨过有效区域AA的部分的宽度W21，或者等于栅极线320的延伸跨过虚设像素区域DPA的部分的宽度W22，从而扫描信号可以正常地传送到有效区域AA。
在数字X射线检测仪的屏幕上，数据线340的线缺陷发生的区域可以用白色指示，而栅极线320与数据线340之间发生短路的区域可以用黑色指示。
在这一点上，根据本公开的实施例，静电可以被引导到虚设像素区域DPA中的虚设栅极线320D或虚设数据线340D，而不是被引导到有效区域AA。因此，当在栅极线320和数据线340中生成静电时，其对数字X射线检测仪的操作的影响被最小化，从而可以使由在制造过程期间生成的静电引起的线缺陷或块亮度偏差缺陷最小化。
特别地，根据本公开的实施例，由静电引起的栅极线320和数据线340之间的线缺陷或短路可能发生在虚设像素区域DPA中，而不是与屏幕对应的有效区域AA中。这可以防止静电影响数字X射线检测仪和实际显示屏的操作。
图10是根据本公开实施例的与单个像素区域相对应的用于数字X射线检测仪的阵列基板和包含该阵列基板的数字X射线检测仪的截面图。
根据本公开实施例的数字X射线检测仪包含基础基板210。
基础基板210可以实施为玻璃基板。然而，本公开不限于此。当基础基板10应用于柔性数字X射线检测仪时，基础基板210可以由具有柔性特性的聚酰亚胺材料制成。
基础基板210包含有效区域AA和焊盘区域PDA。有效区域AA可以包含多个像素区域PA。
每个薄膜晶体管220和每个PIN二极管230可以属于每个像素。因此，多个薄膜晶体管220和多个PIN二极管230可以形成在具有所述多个像素区域PA的阵列基板中。
下文中，以下说明基于与单个像素对应的薄膜晶体管220和PIN二极管230，因此除非另有说明，否则这些说明同样适用于与其相邻的像素。
在基础基板210上，包含第一电极225a、第二电极225b、栅电极221和有源层223的薄膜晶体管220被形成。
缓冲层(未示出)可以形成在基础基板210与薄膜晶体管220之间。在这种情况下，缓冲层可以由诸如氧化硅膜SiOx或氮化硅膜SiNx的无机材料膜构成，并且可以实施为多层缓冲层。
栅电极221可以从栅极线320延伸。此外，栅电极221可以与栅极线320集成，使得栅极线320可用作栅电极221。因此，栅极线320和栅电极221可以构成同一层。
栅极绝缘层222可以形成在栅电极221(之)上。有源层223可以形成在栅极绝缘层222(之)上。
有源层223可以由诸如IGZO(铟镓锌氧化物)的氧化物半导体材料制成，但不限于此。有源层221可以由LTPS(低温多晶硅)或非晶硅(a-Si)制成。
在有源层223上，第一电极225a和第二电极225b可以形成为使得第一电极225a和第二电极225b分别连接到有源层223的一端和相反端。
在这种情况下，第一电极225a可以从数据线340分支，并且可以用作漏电极。
第二电极225b可以与第一电极225a间隔开。第二电极225b和第一电极225a可以构成同一层。第二电极225b可以用作连接到PIN二极管230的源电极。
作为绝缘层的第一钝化层226可以形成在有源层223、第一电极225A和第二电极225b上。
在第一钝化层226上，可以形成PIN二极管230，其可以连接到下面的薄膜晶体管220。PIN二极管230可以设置在像素区域PA中。
PIN二极管230可以包含连接到薄膜晶体管220的下电极231、下电极231上的PIN层232和PIN层232上的上电极233。
下电极231可以用作PIN二极管230中的像素电极。
下电极231可以经由在第一钝化层226中限定的第一接触孔226h连接到薄膜晶体管220的第二电极225b。因此，薄膜晶体管220可以连接到PIN二极管230。
在下电极231上，可以形成用于将经由闪烁体从X射线转换的可见光转换为电信号的PIN层232。
PIN层232可以通过在下电极231上依次堆叠包含n型杂质的n型半导体层、本征半导体层和包含p型杂质的p型半导体层来形成。
本征半导体层可以比n型半导体层和p型半导体层中的每一个相对更厚。PIN层232可以被形成为包含能够将可见光转换为电信号的材料，其中闪烁体将X射线转换为该可见光。例如，PIN层243可以包含诸如a-Se、HgI2、CdTe、PbO、PbI2、BiI3、GaAs和Ge的材料。
上电极233可以形成在PIN层232上。上电极233可以由选自诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和ZnO(氧化锌)的透明氧化物中的至少一种材料制成，从而可以提高PIN二极管230的填充因子。
作为绝缘层的第二钝化层235可以形成在PIN二极管230上。
偏压电极243可以形成在PIN二极管230上的第二钝化层235上。偏压电极243可以经由第二钝化层235的接触孔连接到PIN二极管230的上电极233，从而可以向PIN二极管230施加偏压电压。
偏压电极243可以从以平行于数据线340的方式延伸的偏压线BL分支。
平坦化层245可以形成在偏压电极243上，以覆盖基础基板210和PIN二极管230的整个面。平坦化层245可以由诸如PAC(Photo Acryl，光压克力)的有机材料制成。本公开不限于此。
闪烁体层260可以形成在平坦化层245上，以覆盖PIN二极管230。
具体而言，闪烁体层260可以形成在薄膜晶体管220和PIN二极管230上，以覆盖薄膜晶体管220和PIN二极管230。
闪烁体层260可以在垂直方向上生长以具有多个柱状晶相，使得可以以并排方式排列多个闪烁体柱状晶体。本公开不限于此。闪烁体可以由诸如碘化铯(CsI)或碘化铊(TlI)的材料制成。本公开不限于此。
根据本公开的数字X射线检测仪200以如下方式操作。
X射线照射到数字X射线检测仪200。闪烁体层260将X射线转换为可见光。PIN二极管230的PIN层232将可见光范围中的光转换为电信号。
具体而言，当可见光范围中的光照射到PIN层232时，本征半导体层由于n型半导体层和p型半导体层而进入耗尽状态，并且在其中生成电场。此外，由光生成的空穴和电子被电场漂移，并且分别被收集在p型半导体层和n型半导体层中。
PIN二极管230将可见光范围中的光转换为作为电信号的检测信号，并将该信号传送到薄膜晶体管220。所传送的检测信号经由连接到薄膜晶体管220的数据线340作为图像信号输出。
本公开可以包含以下方面及其实施方式。
本公开的第一方面提供了一种用于数字X射线检测仪的阵列基板，所述阵列基板包括：有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设栅极线沿着第一虚设像素区域延伸，第二虚设栅极线沿着第二虚设像素区域延伸，其中，每条数据线延伸跨过有效区域、第一虚设像素区域和第二虚设像素区域，第一虚设像素区域和第二虚设像素区域中的每一个中的每条数据线的宽度小于有效区域中的每条数据线的宽度，每条虚设栅极线可以以与每条栅极线的延伸方向平行的方式延伸，每条虚设栅极线的宽度小于每条栅极线的宽度。
在第一方面的一个实施方式中，在每条虚设栅极线与每条数据线交叉的区域中，每条虚设栅极线被分支为多条虚设栅极支线。
在第一方面的一个实施方式中，每条虚设栅极支线的宽度小于每条虚设栅极线的宽度。
在第一方面的一个实施方式中，所述多条虚设栅极支线的宽度彼此相等。
在第一方面的一个实施方式中，在每条数据线与每条虚设栅极线交叉的区域中，每条数据线被分支为多条数据支线。
在第一方面的一个实施方式中，所述多条数据支线的宽度彼此不同。
在第一方面的一个实施方式中，所述多条数据支线中的至少一条数据支线的宽度小于有效区域中的每条数据线的宽度。
在第一方面的一个实施方式中，所述多条数据支线中的至少一条数据支线的宽度小于每个虚设像素区域中的每条数据线的宽度。
在第一方面的一个实施方式中，每个像素区域包含光敏像素，其中，每个光敏像素包含PIN(P型/I型/N型半导体)二极管和电连接到PIN二极管的薄膜晶体管。
在第一方面的一个实施方式中，阵列基板还包括设置在有效区域外部的读出电路和栅极驱动器，其中，读出电路经由每条数据线从每个光敏像素读出检测信号，栅极驱动器经由每条栅极线向每个光敏像素提供扫描信号。
在第一方面的一个实施方式中，每条数据线的宽度在有效区域和每个虚设像素区域之间的边界线附近逐渐变化。
本公开的第二方面提供了一种用于数字X射线检测仪的阵列基板，所述阵列基板包括：有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设数据线沿着第一虚设像素区域延伸，第二虚设数据线沿着第二虚设像素区域延伸，其中，每条栅极线延伸跨过有效区域和每个虚设像素区域，每个虚设像素区域中的每条栅极线的宽度小于有效区域中的每条栅极线的宽度，每条虚设数据线可以以与每条数据线的延伸方向平行的方式延伸，每条虚设数据线的宽度小于每条数据线的宽度。
在第二方面的一个实施方式中，在每条虚设数据线与每条栅极线交叉的区域中，每条虚设数据线被分支为多条虚设数据支线。
在第二方面的一个实施方式中，每条虚设数据支线的宽度小于每条虚设数据线的宽度。
在第二方面的一个实施方式中，所述多条虚设数据支线的宽度彼此相等。
在第二方面的一个实施方式中，在每条栅极线与每条虚设数据线交叉的区域中，每条栅极线被分支为多条栅极支线。
在第二方面的一个实施方式中，所述多条栅极支线的宽度彼此不同。
在第二方面的一个实施方式中，所述多条栅极支线中的至少一条栅极支线的宽度小于有效区域中的每条栅极线的宽度。
在第二方面的一个实施方式中，所述多条栅极支线中的至少一条栅极支线的宽度小于每个虚设像素区域中的每条栅极线的宽度。
在第二方面的一个实施方式中，每个像素区域包含光敏像素，其中，每个光敏像素包含PIN(P型/I型/N型半导体)二极管和电连接到PIN二极管的薄膜晶体管。
在第二方面的一个实施方式中，阵列基板还包括设置在有效区域外部的读出电路和栅极驱动器，其中，读出电路经由每条数据线从每个光敏像素读出检测信号，栅极驱动器经由每条栅极线向每个光敏像素提供扫描信号。
在第二方面的一个实施方式中，每条栅极线的宽度在有效区域和每个虚设像素区域之间的边界线附近逐渐变化。
本公开的第三方面提供了一种数字X射线检测仪，其包括：用于数字X射线检测仪的阵列基板；以及闪烁体层，其设置在阵列基板上，以覆盖阵列基板的有效区域，其中，用于数字X射线检测仪的阵列基板包含：有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设栅极线沿着第一虚设像素区域延伸，第二虚设栅极线沿着第二虚设像素区域延伸，其中，每条数据线延伸跨过有效区域、第一虚设像素区域和第二虚设像素区域，第一虚设像素区域和第二虚设像素区域中的每一个中的每条数据线的宽度小于有效区域中的每条数据线的宽度，每条虚设栅极线可以以与每条栅极线的延伸方向平行的方式延伸，每条虚设栅极线的宽度小于每条栅极线的宽度。
本公开的第四方面提供了一种数字X射线检测仪，其包括：用于数字X射线检测仪的阵列基板；以及闪烁体层，其设置在阵列基板上，以覆盖阵列基板的有效区域，其中，用于数字X射线检测仪的阵列基板包含：有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设数据线沿着第一虚设像素区域延伸，第二虚设数据线沿着第二虚设像素区域延伸，其中，每条栅极线延伸跨过有效区域和每个虚设像素区域，每个虚设像素区域中的每条栅极线的宽度小于有效区域中的每条栅极线的宽度，每条虚设数据线可以以与每条数据线的延伸方向平行的方式延伸，每条虚设数据线的宽度小于每条数据线的宽度。
尽管已经参考附图更详细地描述了本公开的实施例，但是本公开不必限于这些实施例。在不脱离本公开的技术构思的范围内，可以以各种修改方式实现本公开。因此，本公开中所公开的实施例不是旨在限制本公开的技术构思，而是旨在描述本公开。本公开的技术构思的范围不受实施例限制。因此，应当理解，如上所述的实施例在所有方面均是说明性的，而非限制性的。本公开的保护范围应当由权利要求来解释，并且本公开的范围内的所有技术构思应当被解释为包括在本公开的范围内。

Claims (26)

1.一种用于数字X射线检测仪的阵列基板，所述阵列基板包括：
有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及
第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设栅极线沿着所述第一虚设像素区域延伸，第二虚设栅极线沿着所述第二虚设像素区域延伸，
其中，每条数据线延伸跨过所述有效区域、所述第一虚设像素区域和所述第二虚设像素区域，
其中，所述第一虚设像素区域和所述第二虚设像素区域中的每一个中的每条数据线的宽度小于所述有效区域中的每条数据线的宽度，
其中，每条虚设栅极线的宽度小于每条栅极线的宽度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在每条虚设栅极线与每条数据线交叉的区域中，每条虚设栅极线被分支为多条虚设栅极支线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，每条虚设栅极支线的宽度小于每条虚设栅极线的宽度。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述多条虚设栅极支线的宽度彼此相等。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在每条数据线与每条虚设栅极线交叉的区域中，每条数据线被分支为多条数据支线。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述多条数据支线的宽度彼此不同。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述多条数据支线中的至少一条数据支线的宽度小于所述有效区域中的每条数据线的宽度。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述多条数据支线中的至少一条数据支线的宽度小于每个虚设像素区域中的每条数据线的宽度。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，每个像素区域包含光敏像素，
其中，每个光敏像素包含PIN二极管和电连接到所述PIN二极管的薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括设置在所述有效区域外部的读出电路和栅极驱动器，
其中，所述读出电路经由每条数据线从每个光敏像素读出检测信号，
其中，所述栅极驱动器经由每条栅极线向每个光敏像素提供扫描信号。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，每条虚设栅极线以与每条栅极线的延伸方向平行的方式延伸。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，每条数据线的宽度在所述有效区域和每个虚设像素区域之间的边界线附近逐渐变化。
13.一种数字X射线检测仪，其包括：
根据权利要求1至12中的任一项所述的阵列基板；以及
闪烁体层，其设置在所述阵列基板上，以覆盖所述阵列基板的有效区域。
14.一种用于数字X射线检测仪的阵列基板，所述阵列基板包括：
有效区域，其包含由以具有多行和多列的矩阵形式排列的多条栅极线和多条数据线之间的交叉部限定的多个像素区域；以及
第一和第二虚设像素区域，其中第一虚设像素区域在所述有效区域的一侧并沿着所述有效区域的所述一侧延伸，而第二虚设像素区域在所述有效区域的相反侧并沿着所述有效区域的所述相反侧延伸，其中第一虚设数据线沿着所述第一虚设像素区域延伸，第二虚设数据线沿着所述第二虚设像素区域延伸，
其中，每条栅极线延伸跨过所述有效区域和每个虚设像素区域，
其中，每个虚设像素区域中的每条栅极线的宽度小于所述有效区域中的每条栅极线的宽度，
其中，每条虚设数据线的宽度小于每条数据线的宽度。
15.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，在每条虚设数据线与每条栅极线交叉的区域中，每条虚设数据线被分支为多条虚设数据支线。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，其中，每条虚设数据支线的宽度小于每条虚设数据线的宽度。
17.根据权利要求15所述的阵列基板，其中，所述多条虚设数据支线的宽度彼此相等。
18.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，在每条栅极线与每条虚设数据线交叉的区域中，每条栅极线被分支为多条栅极支线。
19.根据权利要求18所述的阵列基板，其中，所述多条栅极支线的宽度彼此不同。
20.根据权利要求19所述的阵列基板，其中，所述多条栅极支线中的至少一条栅极支线的宽度小于所述有效区域中的每条栅极线的宽度。
21.根据权利要求19所述的阵列基板，其中，所述多条栅极支线中的至少一条栅极支线的宽度小于每个虚设像素区域中的每条栅极线的宽度。
22.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，每个像素区域包含光敏像素，
其中，每个光敏像素包含PIN二极管和电连接到所述PIN二极管的薄膜晶体管。
23.根据权利要求22所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括设置在所述有效区域外部的读出电路和栅极驱动器，
其中，所述读出电路经由每条数据线从每个光敏像素读出检测信号，
其中，所述栅极驱动器经由每条栅极线向每个光敏像素提供扫描信号。
24.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，每条虚设数据线以与每条数据线的延伸方向平行的方式延伸。
25.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，每条栅极线的宽度在所述有效区域和每个虚设像素区域之间的边界线附近逐渐变化。
26.一种数字X射线检测仪，其包括：
根据权利要求14至25中的任一项所述的阵列基板；以及
闪烁体层，其设置在所述阵列基板上，以覆盖所述阵列基板的有效区域。
CN202111527826.XA 2020-12-24 2021-12-14 用于数字x射线检测仪的阵列基板和包含其的数字x射线检测仪 Pending CN114678442A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200183757A KR20220092211A (ko) 2020-12-24 2020-12-24 디지털 엑스레이 검출기용 어레이 기판 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기
KR10-2020-0183757 2020-12-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114678442A true CN114678442A (zh) 2022-06-28

Family

ID=82069906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111527826.XA Pending CN114678442A (zh) 2020-12-24 2021-12-14 用于数字x射线检测仪的阵列基板和包含其的数字x射线检测仪

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220210345A1 (zh)
KR (1) KR20220092211A (zh)
CN (1) CN114678442A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152427A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Sharp Corp 液晶表示装置
CN1334550A (zh) * 2000-07-24 2002-02-06 国际商业机器公司 显示装置与其制造方法以及接线板
US20060170794A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-03 Fujitsu Limited Imaging device
US20060221288A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Sanyo Epson Imaging Devices Corp. Active matrix liquid crystal display device
US20130148049A1 (en) * 2011-10-06 2013-06-13 Japan Display East Inc. Display device
US20160071884A1 (en) * 2014-09-05 2016-03-10 Japan Display Inc. Display device
CN106980214A (zh) * 2016-01-15 2017-07-25 三星显示有限公司 液晶显示设备
CN108121119A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 乐金显示有限公司 液晶显示器
CN108766327A (zh) * 2018-05-14 2018-11-06 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104253134B (zh) * 2013-06-28 2017-11-10 上海天马微电子有限公司 一种像素单元静电防护结构及图像传感器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152427A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Sharp Corp 液晶表示装置
CN1334550A (zh) * 2000-07-24 2002-02-06 国际商业机器公司 显示装置与其制造方法以及接线板
US20060170794A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-03 Fujitsu Limited Imaging device
US20060221288A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Sanyo Epson Imaging Devices Corp. Active matrix liquid crystal display device
US20130148049A1 (en) * 2011-10-06 2013-06-13 Japan Display East Inc. Display device
US20160071884A1 (en) * 2014-09-05 2016-03-10 Japan Display Inc. Display device
CN106980214A (zh) * 2016-01-15 2017-07-25 三星显示有限公司 液晶显示设备
CN108121119A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 乐金显示有限公司 液晶显示器
CN108766327A (zh) * 2018-05-14 2018-11-06 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220092211A (ko) 2022-07-01
US20220210345A1 (en) 2022-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8044362B2 (en) Array substrate for X-ray detector, method of manufacturing the same, X-ray detector having the same installed therein, and method of manufacturing X-ray detector
KR102583562B1 (ko) 디지털 엑스레이 검출기용 어레이 기판과 이를 포함하는 엑스레이 검출기
US20190198702A1 (en) X-ray detector
CN110034207B (zh) 数字x射线检测器的阵列基板和数字x射线检测器
CN111129045A (zh) 数字x射线检测器和用于其的薄膜晶体管阵列衬底
KR20190079418A (ko) 디지털 엑스레이 검출기 패널과 이를 포함하는 엑스레이 시스템
KR20180060769A (ko) 광차단층을 구비한 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법
US11769783B2 (en) Thin film transistor array substrate for digital X-ray detector device and digital X-ray detector device and manufacturing method thereof
KR20180044681A (ko) 검출효율이 향상된 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법
US11515354B2 (en) Thin film transistor array substrate for digital X-ray detector device and digital X-ray detector device including the same
US11594569B2 (en) Thin film transistor array substrate for digital X-ray detector device and digital X-ray detector device including the same
CN107068701B (zh) 用于x射线检测器的阵列基板以及包括其的x射线检测器
KR102670832B1 (ko) 디지털 엑스레이 검출장치
US11269089B2 (en) Digital X-ray detector
US11430826B2 (en) Thin film transistor array substrate for digital x-ray detector device and digital x-ray detector device including the same
KR102619971B1 (ko) 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법
CN114678442A (zh) 用于数字x射线检测仪的阵列基板和包含其的数字x射线检测仪
KR102508784B1 (ko) 디지털 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법
KR102631651B1 (ko) 필팩터가 향상된 디지털 엑스레이 검출장치
KR101858356B1 (ko) 수소침투가 방지된 디지털 엑스레이 검출장치
KR20210080903A (ko) 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이를 포함하는엑스레이 검출기
KR20220065426A (ko) 디지털 엑스레이 검출기
KR20220047052A (ko) 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기
KR20230099425A (ko) 디지털 엑스레이 검출기용 패널
KR20210079974A (ko) Pin 다이오드와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 디지털 엑스레이 검출기

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination