CN114664887A - 显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法 - Google Patents

显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114664887A
CN114664887A CN202111327003.2A CN202111327003A CN114664887A CN 114664887 A CN114664887 A CN 114664887A CN 202111327003 A CN202111327003 A CN 202111327003A CN 114664887 A CN114664887 A CN 114664887A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
area
region
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111327003.2A
Other languages
English (en)
Inventor
金东源
金相佑
金容奭
李揆汀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114664887A publication Critical patent/CN114664887A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0448—Details of the electrode shape, e.g. for enhancing the detection of touches, for generating specific electric field shapes, for enhancing display quality
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种包括穿透部分的显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法，所述显示面板包括：基底，包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域彼此间隔开并且穿透部分设置在它们之间；以及显示元件，布置在基底上并且包括与第一区域叠置的第一显示元件和与第二区域叠置的第二显示元件，其中，基底的与第一区域的边缘对应的第一侧表面和基底的与第二区域的边缘对应的第二侧表面限定穿透部分的至少部分，并且从基底的上表面在第一侧表面与第二侧表面之间的间隔小于从基底的下表面在第一侧表面与第二侧表面之间的间隔，上表面面对显示元件，基底的下表面不面对显示元件。

Description

显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法
本申请要求于2020年12月23日提交的第10-2020-0182420号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此完全阐述的一样。
技术领域
发明的实施例/实施方式总体上涉及一种显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法。
背景技术
基于移动性的电子设备被广泛使用。最近，除了诸如移动电话的小型电子设备之外，平板个人计算机(PC)已经被广泛用作移动电子设备。这样的移动电子设备可以包括向用户提供各种功能(例如，视觉信息(诸如图像或视频))的显示装置。
最近，已经研究和开发了可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性显示装置。此外，正在积极进行对能够改变成各种形状的可伸展显示装置或能够在角部处弯曲的同时显示图像的显示装置的研究和开发。
另外，正在添加提供到显示装置上或与显示装置相关的各种功能。例如，正在研究包括在显示图像的同时执行各种功能的组件区域的显示装置。
在该背景技术部分中公开的上面的信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的实施例构造的设备/方法以及这些实施例的实施方式能够提供一种柔性显示装置，该柔性显示装置能够被弯曲、被卷曲或被折叠并且具有提高的可靠性。
在此公开的实施例提供了一种显示面板、显示装置和制造显示装置的方法，其中，显示面板的柔性增加并且可靠性增强。
发明构思的附加特征将在以下的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践而获知。
根据实施例，显示面板包括穿透部分，显示面板包括：基底，包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域彼此间隔开且穿透部分设置在它们之间；以及显示元件，布置在基底上并且包括与第一区域叠置的第一显示元件和与第二区域叠置的第二显示元件，其中，基底的与第一区域的边缘对应的第一侧表面和基底的与第二区域的边缘对应的第二侧表面限定穿透部分的至少部分，并且在第一侧表面与第二侧表面之间的最靠近基底的面对显示元件的上表面的间隔小于在第一侧表面与第二侧表面之间的最靠近基底的下表面的间隔，下表面与基底的上表面背对且不面对显示元件。
基底可以包括第一基体层和布置在第一基体层上的第一阻挡层，并且第一侧表面和第二侧表面可以分别包括第一基体层的第一倾斜表面和第一基体层的第二倾斜表面。
第一基体层可以进一步包括：第一基体层的上表面，面对显示元件；第一基体层的下表面，与第一基体层的上表面背对并且连接到第一倾斜表面；以及第一表面，连接到第一基体层的上表面和第一倾斜表面并且与第一基体层的第一倾斜表面和上表面交叉。
第一基体层可以进一步包括：第一基体层的上表面，面对显示元件；以及第一基体层的下表面，与第一基体层的上表面背对并且连接到第一倾斜表面，其中，第一倾斜表面可以连接到第一基体层的上表面。
基底还可以包括覆盖第一阻挡层的第二基体层和第二阻挡层，其中，第二基体层可以接触第一基体层的至少一部分。
第一基体层可以包括与第一区域叠置的第一基体图案和与第二区域叠置并且与第一基体图案间隔开的第二基体图案，第一阻挡层可以包括布置在第一基体图案上的第一阻挡图案和布置在第二基体图案上并且与第一阻挡图案间隔开的第二阻挡图案，并且第一阻挡图案与第二阻挡图案之间的最短距离可以小于第一基体图案与第二基体图案之间的最短距离。
第一倾斜表面与第二倾斜表面之间的距离可以在从第一基体层的下表面朝向第一基体层的上表面的方向上减小。
显示面板还可以包括覆盖显示元件并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层，其中，至少一个有机封装层可以包括第一有机封装层区域和第二有机封装层区域，第一有机封装层区域和第二有机封装层区域基于设置在它们之间的穿透部分而彼此分离。
第一区域可以包括第一中心区域、从第一中心区域在第一方向上延伸的第一连接区域以及在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二连接区域，第一连接区域和第二连接区域中的一个可以从第一中心区域延伸到第二区域。
基底还可以包括前显示区域、从前显示区域在第一方向上延伸的第一侧显示区域、从前显示区域在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二侧显示区域以及布置在第一侧显示区域与第二侧显示区域之间的角部显示区域，第一区域和第二区域可以与角部显示区域至少部分地叠置，并且第一区域和第二区域可以在远离前显示区域的方向上延伸。
根据另一实施例，显示装置包括：基底，包括包含透射区域的组件区域和围绕组件区域的至少一部分的显示区域；显示元件，布置在组件区域中并且与透射区域间隔开；以及组件，与组件区域叠置，其中，基底还包括第一基体层和布置在第一基体层上的第一阻挡层，第一基体层包括限定凹槽的倾斜表面，凹槽与透射区域叠置并且面对组件，并且凹槽中的第一基体层的厚度小于显示区域中的第一基体层的厚度。
根据另一实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：准备包括第一凹形部分和第二凹形部分的支撑基底；在支撑基底上形成与第一凹形部分和第二凹形部分叠置的基底；在基底上形成与第一凹形部分叠置的第一像素电极和与第二凹形部分叠置的第二像素电极；以及将基底从支撑基底剥离。
形成基底的步骤可以包括形成填充第一凹形部分和第二凹形部分的第一基体层以及在第一基体层上形成第一阻挡层。
方法还可以包括通过去除第一基体层的至少一部分来形成布置在第一凹形部分上的第一基体图案和布置在第二凹形部分上并且与第一基体图案间隔开的第二基体图案。
形成第一阻挡层的步骤可以包括形成与第一凹形部分叠置的第一阻挡图案和与第二凹形部分叠置并且与第一阻挡图案间隔开的第二阻挡图案。
方法还可以包括形成第二基体层以接触第一基体层。
准备支撑基底的步骤可以包括在支撑基底的上表面上形成第一凹形部分和第二凹形部分。
方法还可以包括去除基底的与支撑基底的第一上表面叠置并且布置在第一凹形部分与第二凹形部分之间的部分。
第一凹形部分可以包括第一中心部分、从第一中心部分在第一方向上延伸的第一连接部分以及在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二连接部分，并且第一连接部分和第二连接部分中的一个可以从第一中心部分朝向第二凹形部分延伸。
支撑基底可以进一步包括与第一凹形部分和第二凹形部分成一体的前凹形部分，并且第一凹形部分和第二凹形部分可以在远离前凹形部分的方向上延伸。
将理解的是，前面的总体描述和以下的详细描述都是说明性的和解释性的，并且旨在提供对如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思。
图1A、图1B和图1C是用于描述根据依据发明的原理构造的第一实施例的制造基底的方法的剖视图。
图2A是用于描述根据第二实施例的制造基底的方法的剖视图。
图2B是用于描述根据第三实施例的制造基底的方法的剖视图。
图3A、图3B、图3C和图3D是用于描述根据第四实施例的制造基底的方法的剖视图。
图4是用于描述根据第五实施例的制造基底的方法的剖视图。
图5A、图5B和图5C是用于描述根据第六实施例的制造基底的方法的剖视图。
图6是根据实施例的显示装置的剖视图。
图7A是根据实施例的显示面板的平面图。
图7B是根据实施例的显示面板的放大图。
图7C是根据实施例的在第一方向和第二方向上拉长的显示面板的平面图。
图8是可应用于显示面板的像素电路的等效电路图。
图9是根据实施例的显示面板的剖视图。
图10A是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的平面图。
图10B、图10C、图10D和图10E是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图11是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
图12是用于描述根据另一实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图13是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
图14是用于描述根据另一实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图15是根据实施例的显示装置的透视图。
图16A、图16B和图16C是根据实施例的显示装置的剖视图。
图17是根据实施例的显示面板的平面图。
图18是根据实施例的显示面板的角部的放大图。
图19是根据实施例的主体区域和延伸区域的平面图。
图20是根据实施例的显示面板的剖视图。
图21A是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的平面图。
图21B、图21C和图21D是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图22是根据公开的实施例的显示装置的透视图。
图23是根据实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节以提供对发明的各种实施例或实施方式的透彻理解。如在此所使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用在此公开的一个或更多个发明构思的设备或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节或具有一个或更多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和设备，以避免使各种实施例不必要地模糊。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排它性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一实施例中使用或实现实施例的特定形状、构造和特性。
除非另外说明，否则所示出的实施例将被理解为提供发明构思可以以其在实践中实现的一些方式的变化细节的特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离发明构思的情况下，可以另外组合、分离、互换和/或重新布置各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独或统称为“元件”)。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻的元件之间的边界。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
可以在此出于描述性的目的使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下(下部)”、“在……上方”、“上(上部)”、“在……之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并且由此来描述如附图中所示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，装置可以另外定向(例如，旋转90度或处于其它方位)，并且如此，在此使用的空间相对描述语被相应地解释。
在此使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不旨在成为限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”及其变型、“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此所使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化实施例和/或中间结构的示意图的剖面图和/或分解图描述了各种实施例。如此，将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在此所公开的实施例不应该必须被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式，附图中所示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映设备的区域的实际形状，并且如此不必旨在成为限制。
除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
显示装置是用于显示移动图像或静止图像的装置，并且不仅可以用作便携式电子设备(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备和超移动PC(UMPC))的显示屏，而且可以用作各种产品(诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)设备)的显示屏。另外，根据实施例的显示装置可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备。此外，根据实施例的显示装置可以用作车辆的面板、布置在车辆的中央仪表板或仪表盘上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器、或者作为针对车辆的后座的娱乐设施而布置在前座的后表面上的显示器。
可以通过在基底上形成多个层来制造显示装置。根据需要，这样的显示装置的基底可能需要各种厚度。例如，当需要切割基底时，基底可以被制造为使得其一部分具有小厚度，并且可以通过去除薄的部分来切割所述基底。在这种情况下，因为去除了基底的薄的部分，所以可以减少蚀刻和去除基底所花费的时间。作为另一示例，在包括在显示图像的同时执行各种功能的组件区域的显示装置中，需要增加用于透射光的透射区域的透光率。在这种情况下，可以通过减小基底的对应于透射区域的厚度来增加透射区域的透光率。在下文中，将详细描述形成具有各种厚度的基底的方法。
图1A至图1C是用于描述根据依据发明的原理构造的第一实施例的制造基底100的方法的剖视图。
参照图1A，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS。支撑基底SS可以包括上表面SSUS和下表面SSLS。支撑基底SS的下表面SSLS可以是与支撑基底SS的上表面SSUS背对的表面。支撑基底SS可以包括能够支撑制造的显示面板的具有硬度和刚度的材料，例如，玻璃材料。
第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2可以设置在支撑基底SS的上表面SSUS处。第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2可以具有在从支撑基底SS的上表面SSUS到支撑基底SS的下表面SSLS的方向上挖入的形状。根据实施例，第一凹形部分CCP1可以被限定为支撑基底SS的倾斜侧表面。根据实施例，第二凹形部分CCP2可以被限定为支撑基底SS的倾斜侧表面。
根据实施例，第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2可以彼此间隔开。在这种情况下，可以在第一凹形部分CCP1与第二凹形部分CCP2之间限定支撑基底SS的第一上表面SSUS1。
根据实施例，可以在平坦的支撑基底SS的上表面SSUS处形成第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。例如，可以通过将激光束照射到支撑基底SS的上表面SSUS上来形成第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。作为另一示例，可以通过蚀刻支撑基底SS的上表面SSUS来形成第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。蚀刻可以是湿法蚀刻。作为另一示例，可以通过将激光束照射到支撑基底SS的上表面SSUS上，然后蚀刻支撑基底SS的上表面SSUS来形成第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。
参照图1B，可以在支撑基底SS上形成与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置的基底。根据实施例，可以在支撑基底SS上形成第一基体层100a。第一基体层100a可以填充第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。因此，第一基体层100a可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。
根据实施例，第一基体层100a也可以形成在支撑基底SS的限定在第一凹形部分CCP1与第二凹形部分CCP2之间的第一上表面SSUS1上。第一基体层100a可以连续地布置在第一凹形部分CCP1、支撑基底SS的第一上表面SSUS1和第二凹形部分CCP2上。
第一基体层100a的上表面可以是平坦的。根据实施例，第一凹形部分CCP1中的第一基体层100a的厚度可以大于支撑基底SS的第一上表面SSUS1上的第一基体层100a的厚度。
第一基体层100a可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。第一区域AR1可以是与第一凹形部分CCP1叠置的区域。第一区域AR1可以包括作为边缘区域的第一外部区域ER1。在第一外部区域ER1处，第一基体层100a可以包括第一倾斜表面ICS1。第一倾斜表面ICS1可以是倾斜的。在图1B中，第一倾斜表面ICS1被示出为以恒定的斜率倾斜，但是根据另一实施例，第一倾斜表面ICS1可以略微地倾斜或者第一倾斜表面ICS1可以极大地倾斜。第一基体层100a的在第一区域AR1中的宽度可以在从支撑基底SS的上表面SSUS到支撑基底SS的下表面SSLS的方向上减小。
第二区域AR2可以是与第二凹形部分CCP2叠置的区域。第二区域AR2可以包括作为边缘区域的第二外部区域ER2。在第二外部区域ER2处，第一基体层100a可以包括第二倾斜表面ICS2。第二倾斜表面ICS2可以是倾斜的。在图1B中，第二倾斜表面ICS2被示出为以恒定的斜率倾斜，但是根据另一实施例，第二倾斜表面ICS2可以略微地倾斜或者第二倾斜表面ICS2可以极大地倾斜。第一基体层100a的在第二区域AR2中的宽度可以在从支撑基底SS的上表面SSUS到支撑基底SS的下表面SSLS的方向上减小。
根据实施例，第一倾斜表面ICS1与第二倾斜表面ICS2之间的距离可以在从支撑基底SS的第一上表面SSUS1到支撑基底SS的下表面SSLS的方向上增加。
第一基体层100a可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素或无色聚酰亚胺(CPI)的聚合物树脂。根据实施例，第一基体层100a可以包括硅氧烷类材料。
参照图1C，可以在第一基体层100a上形成第一阻挡层100b。第一阻挡层100b可以布置在第一基体层100a上。第一阻挡层100b是防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以是包括无机材料(诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiON))的单层或多层。
接下来，可以将基底100从支撑基底SS剥离。
如此，根据第一实施例的基底100可以包括第一基体层100a和第一阻挡层100b。因为支撑基底SS包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2，所以基底100的厚度可以根据区域而改变。例如，第一区域AR1中的基底100的厚度100t1可以大于第一区域AR1与第二区域AR2之间的基底100的厚度100t2。换句话说，第一凹形部分CCP1中的基底100的厚度100t1可以大于支撑基底SS的第一上表面SSUS1上的基底100的厚度100t2。
图2A是用于描述根据第二实施例的制造基底100的方法的剖视图。图2B是用于描述根据第三实施例的制造基底100的方法的剖视图。在图2A和图2B中，与图1A至图1C的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此为了易于解释这些附图，将省略其冗余描述。
参照图2A，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS。接下来，可以在支撑基底SS上形成与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置的基底100。
根据实施例，可以在支撑基底SS上形成第一基体层100a，并且可以在第一基体层100a上形成第一阻挡层100b。
接下来，可以在第一阻挡层100b上形成第二基体层100c。第二基体层100c可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素或CPI的聚合物树脂。根据实施例，第二基体层100c可以包括硅氧烷类材料。
接下来，可以在第二基体层100c上形成第二阻挡层100d。第二阻挡层100d是防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以是包括无机材料(诸如SiNx、SiO2和/或SiON)的单层或多层。
接下来，可以将基底100从支撑基底SS剥离。
如此，根据第二实施例的基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d。
参照图2B，可以在第二阻挡层100d上形成第三基体层100e。第三基体层100e可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素或CPI的聚合物树脂。根据实施例，第三基体层100e可以包括硅氧烷类材料。
接下来，可以在第三基体层100e上形成第三阻挡层100f。第三阻挡层100f是防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以是包括无机材料(诸如SiNx、SiO2和/或SiON)的单层或多层。
接下来，可以将基底100从支撑基底SS剥离。
因此，根据第三实施例的基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c、第二阻挡层100d、第三基体层100e和第三阻挡层100f。
如此，可以通过交替地堆叠包括有机材料的基体层和包括无机材料的阻挡层来形成基底100。换句话说，可以通过交替地堆叠多个基体层和多个阻挡层来形成基底100。
图3A至图3D是用于描述根据第四实施例的制造基底100的方法的剖视图。在图3A至图3D中，与图1A至图1C的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释这些附图，将省略其冗余描述。
参照图3A至图3D，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS。接下来，可以在支撑基底SS上形成与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置的基底100。
参照图3A，可以在支撑基底SS上形成第一基体层100a。第一基体层100a可以填充第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。
参照图3B，可以去除第一基体层100a的至少一部分。根据实施例，可以形成第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2。第一基体图案100aP1可以布置在第一凹形部分CCP1中。第二基体图案100aP2可以布置在第二凹形部分CCP2中。第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2可以彼此间隔开。
支撑基底SS的第一上表面SSUS1可以暴露在外。换句话说，可以去除第一基体层100a的至少一部分，并且因此支撑基底SS的第一上表面SSUS1可以暴露在外。
可以通过对第一基体层100a的一个表面抛光来去除第一基体层100a的至少一部分。在这种情况下，第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2中的至少一个的上表面可以在与支撑基底SS的上表面SSUS的方向相同的方向上延伸。根据实施例，可以对第一基体层100a的一个表面执行化学机械抛光(CMP)。
参照图3C，可以在第一基体层100a上形成第一阻挡层100b。第一阻挡层100b可以包括彼此间隔开的第一阻挡图案100bP1和第二阻挡图案100bP2。第一阻挡图案100bP1可以形成为与第一区域AR1叠置。第一阻挡图案100bP1可以与第一凹形部分CCP1叠置。根据实施例，第一阻挡图案100bP1可以与第一外部区域ER1叠置并且从第一外部区域ER1延伸到支撑基底SS的第一上表面SSUS1。
第二阻挡图案100bP2可以形成为与第二区域AR2叠置。第二阻挡图案100bP2可以与第二凹形部分CCP2叠置。根据实施例，第二阻挡图案100bP2可以与第二外部区域ER2叠置并且从第二外部区域ER2延伸到支撑基底SS的第一上表面SSUS1。
根据实施例，第一阻挡图案100bP1与第二阻挡图案100bP2之间的最短距离dis1可以小于第一基体图案100aP1与第二基体图案100aP2之间的最短距离dis2。根据实施例，第一基体图案100aP1与第二基体图案100aP2之间的最短距离dis2可以被限定为支撑基底SS的第一上表面SSUS1的宽度。
参照图3D，可以在第一阻挡层100b上形成第二基体层100c。第二基体层100c可以形成在第一阻挡图案100bP1、第二阻挡图案100bP2和支撑基底SS的第一上表面SSUS1上。第二基体层100c可以填充在第一阻挡图案100bP1与第二阻挡图案100bP2之间。因此，第二基体层100c可以与第一基体层100a分离。根据第四实施例的基底100可以防止或减少外部异物渗透通过第一基体层100a和第二基体层100c。
可以在第二基体层100c上形成第二阻挡层100d。接下来，可以将基底100从支撑基底SS剥离。
图4是用于描述根据第五实施例的制造基底100的方法的剖视图。在图4中，与图3A至图3D的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释这些附图，将省略其冗余描述。
参照图4，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS。接下来，可以在支撑基底SS上形成与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置的基底100。
可以在支撑基底SS上形成第一基体层100a。接下来，可以通过去除第一基体层100a的至少一部分来形成第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2。接下来，可以形成包括彼此间隔开的第一阻挡图案100bP1和第二阻挡图案100bP2的第一阻挡层100b。然后，可以在第一阻挡层100b上形成第二基体层100c，并且可以在第二基体层100c上形成第二阻挡层100d。
接下来，可以在第二阻挡层100d上形成第三基体层100e。接下来，可以在第三基体层100e上形成第三阻挡层100f。接下来，可以将基底100从支撑基底SS剥离。
如此，可以通过交替地堆叠包括有机材料的基体层和包括无机材料的阻挡层来形成基底100。换句话说，可以通过交替地堆叠多个基体层和多个阻挡层来形成基底100。
图5A至图5C是用于描述根据第六实施例的制造基底100的方法的剖视图。在图5A至图5C中，与图3A至图3D的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释这些附图，将省略其冗余描述。
参照图5A至图5C，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS。接下来，可以在支撑基底SS上形成与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置的基底100。
参照图5A，可以在支撑基底SS上形成第一基体层100a。第一基体层100a可以填充第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。接下来，可以通过去除第一基体层100a的至少一部分来形成第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2。
参照图5B，可以在第一基体层100a上形成第一阻挡层100b。第一阻挡层100b可以包括彼此间隔开的第一阻挡图案100bP1和第二阻挡图案100bP2。第一阻挡图案100bP1可以形成为与第一区域AR1叠置。第一阻挡图案100bP1可以与第一凹形部分CCP1叠置。根据实施例，第一阻挡图案100bP1可以与支撑基底SS的第一上表面SSUS1间隔开。第一阻挡图案100bP1可以不与支撑基底SS的第一上表面SSUS1叠置。根据实施例，第一阻挡图案100bP1可以与第一外部区域ER1间隔开。因此，第一基体图案100aP1的一部分可以暴露在外。
第二阻挡图案100bP2可以形成为与第二区域AR2叠置。第二阻挡图案100bP2可以与第二凹形部分CCP2叠置。根据实施例，第二阻挡图案100bP2可以与支撑基底SS的第一上表面SSUS1间隔开。第二阻挡图案100bP2可以不与支撑基底SS的第一上表面SSUS1叠置。根据实施例，第二阻挡图案100bP2可以与第二外部区域ER2间隔开。因此，第二基体图案100aP2的一部分可以暴露在外。
根据实施例，第一阻挡图案100bP1与第二阻挡图案100bP2之间的最短距离dis1可以大于第一基体图案100aP1与第二基体图案100aP2之间的最短距离dis2。
参照图5C，可以在第一阻挡层100b上形成第二基体层100c。第二基体层100c可以形成在第一阻挡图案100bP1、第二阻挡图案100bP2和支撑基底SS的第一上表面SSUS1上。第二基体层100c可以填充在第一阻挡图案100bP1与第二阻挡图案100bP2之间。第二基体层100c可以接触第一基体层100a。因为包括有机材料的第一基体层100a和包括有机材料的第二基体层100c彼此接触，所以根据第六实施例的基底100可以具有增强的粘合力。
接下来，可以将基底100从支撑基底SS剥离。
上面描述的基底100可以用于制造能够改变成各种形状的可伸展显示装置。可选择地，基底100可以用于制造其中在角部处弯曲的同时显示图像的显示装置。可选择地，基底100可以用于制造具有在显示图像的同时执行各种功能的组件区域的显示装置。下面将详细描述显示装置。
图6是根据实施例的显示装置1的剖视图。
参照图6，显示装置1可以包括显示面板10和覆盖窗20。覆盖窗20可以布置在显示面板10上。
显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括多个像素，并且可以通过使用多个像素来显示图像。
多个像素可以均包括显示元件。显示面板10可以是使用包括有机发射层的有机发光二极管的有机发光显示面板。可选择地，显示面板10可以是使用发光二极管(LED)的发光二极管显示面板。发光二极管(LED)的尺寸可以是微米级或纳米级。例如，发光二极管可以是微型发光二极管。可选择地，发光二极管可以是纳米棒发光二极管。纳米棒发光二极管可以包括氮化镓(GaN)。根据实施例，颜色转换层可以布置在纳米棒发光二极管上。颜色转换层可以包括量子点。可选择地，显示面板10可以是使用包括量子点发射层的量子点发光二极管的量子点发光显示面板。可选择地，显示面板10可以是使用包括无机半导体的无机发光器件的无机发光显示面板。在下文中，将详细描述其中显示面板10是使用有机发光二极管作为显示元件的有机发光显示面板的情况。
覆盖窗20可以保护显示面板10。根据实施例，覆盖窗20可以通过根据外力容易地弯曲而不引起裂纹等来保护显示面板10。覆盖窗20可以通过透明粘合构件(诸如光学透明粘合(OCA)膜)附着到显示面板10。
覆盖窗20可以包括玻璃、蓝宝石或塑料。覆盖窗20可以是例如超薄玻璃(UTG)或CPI。根据实施例，覆盖窗20可以具有其中柔性聚合物层布置在玻璃基底的一个表面上的结构，或者可以仅包括聚合物层。
图7A是根据实施例的显示面板10的平面图。图7B是根据实施例的显示面板10的放大图。图7C是根据实施例的在第一方向和第二方向上拉长的显示面板10的平面图。图7B和图7C是图7A的显示面板10的区域A的放大图。
参照图7A，显示面板10可以包括基底100和布置在基底100上的多层膜。基底100可以是根据第一实施例至第六实施例中的一个的基底100。
参照图7B，显示面板10可以包括穿透部分PNP。穿透部分PNP可以穿透显示面板10的上表面和下表面。因此，基底100和基底100上的多层膜可以不布置在穿透部分PNP中。当显示面板10包括穿透部分PNP时，可以增强显示面板10的柔性。
显示面板10可以包括基底100和布置在基底100上的像素PX。基底100可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。第一区域AR1和第二区域AR2可以彼此间隔开。第一区域AR1和第二区域AR2可以彼此间隔开第一距离d1或第二距离d2。
第一区域AR1可以包括作为边缘区域的第一外部区域ER1。第一外部区域ER1可以沿着第一区域AR1的边缘延伸。第一外部区域ER1可以包括作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1。
第二区域AR2可以包括作为边缘区域的第二外部区域ER2。第二外部区域ER2可以沿着第二区域AR2的边缘延伸。第二外部区域ER2可以包括作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2。
根据实施例，第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面和第二倾斜表面。这将在稍后更详细地描述。
可以存在多个第一区域AR1和第二区域AR2。多个第一区域AR1和多个第二区域AR2可以形成在第一方向和第二方向上重复地布置的网格图案。在此，第一方向和第二方向可以彼此交叉。例如，第一方向和第二方向可以形成锐角。作为另一示例，第一方向和第二方向可以形成钝角或直角。在下文中，将详细描述其中第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)形成直角的情况。
根据实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)上彼此间隔开。根据另一实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以在第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上彼此间隔开。
第一区域AR1和第二区域AR2可以彼此间隔开且穿透部分PNP在它们之间。根据实施例，显示面板10的组件可以不布置在第一区域AR1与第二区域AR2之间。
第一区域AR1和第二区域AR2可以均包括中心区域和连接区域。连接区域可以在邻近的中心区域之间延伸。根据实施例，每个中心区域可以连接到四个连接区域。连接到一个中心区域的四个连接区域在不同的方向上延伸，并且每个连接区域可以连接到与所述一个中心区域相邻布置的另一中心区域。
根据实施例，第一区域AR1可以包括第一中心区域CR1、第一连接区域CNR1和第二连接区域CNR2。第一连接区域CNR1可以在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)上延伸。第二连接区域CNR2可以在与第一方向交叉的第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上延伸。第一中心区域CR1、第一连接区域CNR1和第二连接区域CNR2可以是一体的。
根据实施例，第二区域AR2可以包括第二中心区域CR2、第三连接区域CNR3和第四连接区域CNR4。第三连接区域CNR3可以在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)上延伸。第四连接区域CNR4可以在与第一方向交叉的第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上延伸。第二中心区域CR2、第三连接区域CNR3和第四连接区域CNR4可以是一体的。
第一连接区域CNR1和第二连接区域CNR2中的一个可以从第一中心区域CR1延伸到第二区域AR2。根据实施例，第一连接区域CNR1可以朝向第二中心区域CR2延伸。在这种情况下，第一连接区域CNR1和第三连接区域CNR3可以彼此接触并且是一体的。
基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。根据实施例，第一中心区域CR1的侧表面CRS1、第一连接区域CNR1的侧表面CNRS1、第三连接区域CNR3的侧表面CNRS3和第二中心区域CR2的侧表面CRS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。根据实施例，第二连接区域CNR2的侧表面CNRS2、第一中心区域CR1的侧表面CRS1、第一连接区域CNR1的侧表面CNRS1、第三连接区域CNR3的侧表面CNRS3、第二中心区域CR2的侧表面CRS2和第四连接区域CNR4的侧表面CNRS4可以限定穿透部分PNP的至少一部分。
一个中心区域和从其延伸的连接区域的一部分可以被限定为一个基体单元U。基体单元U可以在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上重复地布置，并且基底100可以被理解为设置为重复布置的基体单元U彼此连接。两个相邻的基体单元U可以是对称的。例如，在图7B中在左右方向上相邻的两个基体单元U可以基于位于它们之间并且平行于y轴方向的对称轴而横向对称。类似地，在图7B中在上下方向上相邻的两个基体单元U可以基于位于它们之间并且平行于x轴方向的对称轴而纵向对称。
多个基体单元U之中的彼此相邻的基体单元U(例如，图7B中所示的四个基体单元U)在它们之间形成闭环CL，并且闭环CL可以限定作为空的空间的分离区域V。分离区域V可以由闭环CL限定，闭环CL包括多个中心区域的边缘和多个连接区域的边缘。每个分离区域V可以穿透基底100的上表面和下表面。分离区域V可以与显示面板10的穿透部分PNP叠置。
根据实施例，第二中心区域CR2的侧表面CRS2与第三连接区域CNR3的侧表面CNRS3之间的角度θ可以是锐角。当施加拉动基底100的外力时，第二中心区域CR2的侧表面CRS2与第三连接区域CNR3的侧表面CNRS3之间的角度θ'(θ'>θ)可以如图7C中所示增大，分离区域V'的面积或形状可以改变，并且第二中心区域CR2的位置也可以改变。
当施加外力时，每个中心区域CR1或CR2可以经由角度θ'的变化、分离区域V'的面积的增加和/或分离区域V'的形状的变化而以一定角度旋转。根据每个中心区域CR1或CR2的旋转，中心区域CR1和CR2之间的间隔(例如，第一距离d1'和第二距离d2')可以根据位置而改变。
当施加拉动基底100的外力时，应力可以集中在第二中心区域CR2的侧表面CRS2和第三连接区域CNR3的侧表面CNRS3中，因此，限定分离区域V的闭环CL可以包括曲线以防止损坏基底100。
像素PX可以与第一区域AR1的至少一部分和第二区域AR2的至少一部分叠置。根据实施例，每个像素PX可以与每个中心区域CR1或CR2的至少一部分叠置。
根据实施例，像素PX可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。根据另一实施例，像素PX可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg、蓝色子像素Pb和白色子像素。在下文中，将详细描述其中与第一区域AR1和第二区域AR2叠置的像素PX包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb的情况。
根据实施例，子像素是显示元件，并且通过使用有机发光二极管发射特定颜色的光。在本说明书中，子像素表示以最小单位实现图像的发射区域。当有机发光二极管用作显示元件时，发射区域可以由下面描述的像素限定层的开口限定。有机发光二极管可以发射例如红光、绿光或蓝光。
连接布线可以布置在第一连接区域CNR1至第四连接区域CNR4中，并且可以向布置在第一中心区域CR1和第二中心区域CR2中的像素PX供应电力或信号。
图8是可应用于显示面板10的像素电路PC的等效电路图。
参照图8，像素电路PC可以连接到显示元件(例如，有机发光二极管OLED)。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。另外，有机发光二极管OLED可以发射红光、绿光或蓝光，或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的扫描信号或开关电压将从数据线DL输入的数据信号或数据电压传输到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以被构造为响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极可以接收第二电力电压ELVSS。
在图8中，像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管。
图9是根据实施例的显示面板10的剖视图。图9是沿着图7B的线B-B'截取的显示面板10的剖视图。
参照图9，显示面板10可以包括穿透部分PNP。显示面板10的组件可以不布置在穿透部分PNP中。穿透部分PNP可以被限定为显示面板10的组件的边缘。例如，穿透部分PNP可以被限定为基底100的边缘。
显示面板10可以包括基底100、缓冲层111、像素电路PC、绝缘层IL、作为显示元件的有机发光二极管OLED以及封装层300。基底100可以包括第一区域AR1和第二区域AR2，第一区域AR1和第二区域AR2彼此间隔开且穿透部分PNP在它们之间。
基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。根据实施例，彼此面对的第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的空间可以被限定为基底100的分离区域V。分离区域V可以与穿透部分PNP叠置。
基底100可以包括面对有机发光二极管OLED的上表面100US和与上表面100US背对的下表面100LS。从基底100的上表面100US在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第一间隔int1可以小于从基底100的下表面100LS在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第二间隔int2。第一间隔int1可以是从第一点100P1到第二点100P2的间隔，基底100的上表面100US和第一侧表面RS1在第一点100P1处彼此接触，基底100的上表面100US和第二侧表面RS2在第二点100P2处彼此接触。第二间隔int2可以是从第三点100P3到第四点100P4的间隔，基底100的下表面100LS和第一侧表面RS1在第三点100P3处彼此接触，基底100的下表面100LS和第二侧表面RS2在第四点100P4处彼此接触。
基底100可以包括基体层和基体层上的阻挡层。根据实施例，基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，第一基体层100a可以包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。
第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。第一倾斜表面ICS1可以与作为第一区域AR1的边缘区域的第一外部区域ER1叠置。第二倾斜表面ICS2可以与作为第二区域AR2的边缘区域的第二外部区域ER2叠置。
根据实施例，第一倾斜表面ICS1可以在第一区域AR1处连接到基底100的下表面100LS。第二倾斜表面ICS2可以在第二区域AR2处连接到基底100的下表面100LS。根据实施例，第一倾斜表面ICS1与第二倾斜表面ICS2之间的距离可以在从基底100的下表面100LS到基底100的上表面100US的方向上减小。换句话说，基底100可以基于穿透部分PNP包括倒锥形形状。在下文中，因为第二区域AR2类似于第一区域AR1，所以将主要详细描述第一区域AR1。
第一基体层100a可以包括第一基体层100a的上表面100aUS、下表面100aLS、第一倾斜表面ICS1和第一表面SS1。
第一基体层100a的上表面100aUS可以面对有机发光二极管OLED。第一基体层100a的下表面100aLS可以是与第一基体层100a的上表面100aUS背对的表面。第一倾斜表面ICS1可以接触第一基体层100a的下表面100aLS。
第一基体层100a的第一表面SS1可以与第一基体层100a的上表面100aUS和第一倾斜表面ICS1交叉。第一基体层100a的第一表面SS1可以接触第一基体层100a的上表面100aUS和第一倾斜表面ICS1。例如，第一基体层100a的第一表面SS1的一侧可以接触第一基体层100a的上表面100aUS，并且第一基体层100a的第一表面SS1的另一侧可以接触第一倾斜表面ICS1。第一基体层100a的第一表面SS1可以是经由蚀刻工艺形成的表面。
第一基体层100a和第二基体层100c中的至少一个可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素或CPI的聚合物树脂。根据实施例，第一基体层100a和第二基体层100c中的至少一个可以包括硅氧烷类材料。
第一阻挡层100b和第二阻挡层100d是防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以均是包括无机材料(诸如SiNx、SiO2和/或SiON)的单层或多层。
缓冲层111可以布置在基底100上。缓冲层111可以包括无机绝缘材料(诸如SiNx、SiON或SiO2)，并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。根据实施例，可以省略缓冲层111。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst可以布置在缓冲层111上。驱动薄膜晶体管T1可以包括第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。开关薄膜晶体管T2可以包括第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。
绝缘层IL可以包括第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114、第一无机层PVX1、第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116和第二无机层PVX2。
第一半导体层Act1可以布置在缓冲层111上。第一半导体层Act1可以包括多晶硅。可选择地，第一半导体层Act1可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。第一半导体层Act1可以包括沟道区以及分别布置在沟道区的两侧上的漏区和源区。
第一栅电极GE1可以与沟道区叠置。第一栅电极GE1可以包括低电阻金属材料。第一栅电极GE1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以以包括导电材料的多层或单层形成。
第一半导体层Act1与第一栅电极GE1之间的第一栅极绝缘层112可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
第二栅极绝缘层113可以设置为覆盖第一栅电极GE1。像第一栅极绝缘层112一样，第二栅极绝缘层113可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnOx的无机绝缘材料，ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。
上电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层113上。上电极CE2可以与其下方的第一栅电极GE1叠置。在此，叠置且第二栅极绝缘层113在它们之间的上电极CE2和驱动薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1可以形成存储电容器Cst。换句话说，驱动薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。
如此，存储电容器Cst和驱动薄膜晶体管T1可以叠置。根据一些实施例，存储电容器Cst可以不与驱动薄膜晶体管T1叠置。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是包括这样的材料的单层或多层。
层间绝缘层114可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层114可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnOx，ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。层间绝缘层114可以是包括上面描述的无机绝缘材料的单层或多层。
第一漏电极DE1和第一源电极SE1可以均位于层间绝缘层114上。第一漏电极DE1和第一源电极SE1可以包括具有好的导电性的材料。第一漏电极DE1和第一源电极SE1可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以以包括导电材料的多层或单层形成。根据实施例，第一漏电极DE1和第一源电极SE1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二漏电极DE2和第二源电极SE2分别类似于第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一漏电极DE1和第一源电极SE1，因此，省略其详细描述。
第一有机绝缘层115可以覆盖第一漏电极DE1和第一源电极SE1。第一有机绝缘层115可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物或其共混物的有机绝缘材料。
连接电极CM可以布置在第一有机绝缘层115上。在此，连接电极CM可以经由第一有机绝缘层115的接触孔连接到第一漏电极DE1或第一源电极SE1。连接电极CM可以包括具有好的导电性的材料。连接电极CM可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以以包括导电材料的多层或单层形成。根据实施例，连接电极CM可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二有机绝缘层116可以覆盖连接电极CM。第二有机绝缘层116可以包括诸如通用聚合物(例如，PMMA或PS)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物或其共混物的有机绝缘材料。
第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116可以包括孔HL。根据实施例，孔HL可以设置为彼此叠置的第一有机绝缘层115的孔和第二有机绝缘层116的孔。根据另一实施例，孔HL可以设置在第二有机绝缘层116处。在这种情况下，第一有机绝缘层115的上表面可以被第二有机绝缘层116的孔暴露。在下文中，将主要详细描述其中在第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116处设置孔HL的情况。
根据实施例，第一无机层PVX1可以布置在层间绝缘层114与第一有机绝缘层115之间。第一无机层PVX1可以覆盖第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。根据实施例，第一无机层PVX1可以包括接触孔，使得第一源电极SE1或第一漏电极DE1电连接到连接电极CM。
根据另一实施例，第一无机层PVX1可以布置在第一有机绝缘层115与第二有机绝缘层116之间。在这种情况下，第一无机层PVX1可以覆盖连接电极CM。第一无机层PVX1的至少一部分可以被孔HL暴露。第一无机层PVX1可以是包括无机材料(诸如SiNx和/或SiO2)的单层膜或多层膜。
有机发光二极管OLED可以布置在第二有机绝缘层116上。有机发光二极管OLED可以包括第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2。第一有机发光二极管OLED1作为第一显示元件可以与第一区域AR1叠置。第二有机发光二极管OLED2作为第二显示元件可以与第二区域AR2叠置。
第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极211A、中间层212和对电极213。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极211B、中间层212和对电极213。第一像素电极211A和第二像素电极211B可以均经由第二有机绝缘层116的接触孔连接到连接电极CM。
第一像素电极211A和第二像素电极211B可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据另一实施例，第一像素电极211A和第二像素电极211B可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物或其混合物的反射膜。根据另一实施例，第一像素电极211A和第二像素电极211B还可以包括在反射膜上/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。
具有暴露第一像素电极211A的中心部分和第二像素电极211B的中心部分中的每个的开口118OP的像素限定层118可以布置在第一像素电极211A和第二像素电极211B上。像素限定层118可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口118OP可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发射区域。例如，开口118OP的宽度可以对应于发射区域的宽度。另外，开口118OP的宽度可以对应于子像素的宽度。
中间层212可以布置在像素限定层118上。中间层212可以包括布置在像素限定层118的开口118OP处的发射层212b。发射层212b可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。
第一功能层212a和第二功能层212c可以分别布置在发射层212b下方和发射层212b上。第一功能层212a可以包括例如空穴传输层(HTL)或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层212c是布置在发射层212b上的组件，并且可以是可选的。第二功能层212c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。像对电极213一样，第一功能层212a和/或第二功能层212c可以是形成为完全覆盖基底100的公共层。
对电极213可以包括具有低逸出功的导电材料。对电极213可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可选择地，对电极213还可以包括在包括上面的材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
根据一些实施例，可以在对电极213上进一步布置盖层。盖层可以包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。
第二无机层PVX2可以布置在有机发光二极管OLED与第二有机绝缘层116之间。第二无机层PVX2可以包括在第二有机绝缘层116上彼此间隔开的多个无机图案。第二无机层PVX2可以包括在孔HL的中心方向上突出的突出尖端PT。因此，突出尖端PT的下部可以在孔HL处被暴露。换句话说，孔HL可以具有底切结构。第二无机层PVX2可以是包括无机材料(诸如SiNx和/或SiO2)的单层膜或多层膜。
孔HL和第二无机层PVX2的突出尖端PT可以是用于使第一功能层212a和第二功能层212c断开的结构。根据实施例，第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213可以形成在基底100的整个表面上。在这种情况下，第一功能层212a和第二功能层212c可以包括有机材料，并且外部氧或湿气等会通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个从穿透部分PNP被引入到第一区域AR1和/或第二区域AR2。这样的氧或湿气可能损坏有机发光二极管OLED。孔HL和第二无机层PVX2的突出尖端PT可以使第一功能层212a和第二功能层212c断开，并且彼此分离的第一功能层图案和第二功能层图案可以布置在孔HL内部。因此，可以防止湿气或氧从穿透部分PNP引入到有机发光二极管OLED，并且可以防止对有机发光二极管OLED的损坏。
第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2可以布置在第二无机层PVX2上。第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2可以在基底100的厚度方向上从第二无机层PVX2突出。第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2可以与穿透部分PNP相邻地布置。
第一坝部分DAM1可以布置在穿透部分PNP与第一有机发光二极管OLED1之间。根据实施例，第一坝部分DAM1可以围绕第一有机发光二极管OLED1。第一坝部分DAM1可以布置为比孔HL靠近穿透部分PNP。第一坝部分DAM1可以包括第一图案层118D1和第一上图案层119D1。根据实施例，第一图案层118D1可以包括与像素限定层118的材料相同的材料。第一上图案层119D1可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。
第二坝部分DAM2可以布置在穿透部分PNP与第二有机发光二极管OLED2之间。根据实施例，第二坝部分DAM2可以围绕第二有机发光二极管OLED2。第二坝部分DAM2可以布置为比孔HL靠近穿透部分PNP。第二坝部分DAM2可以包括第二图案层118D2和第二上图案层119D2。根据实施例，第二图案层118D2可以包括与像素限定层118和第一图案层118D1的材料相同的材料。可以同时形成像素限定层118、第一图案层118D1和第二图案层118D2。第二上图案层119D2可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。第二上图案层119D2可以包括与第一上图案层119D1的材料相同的材料。
封装层300可以布置在对电极213上。根据实施例，封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据实施例，图9示出了封装层300包括以所陈述的顺序依次堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310可以覆盖有机发光二极管OLED。第一无机封装层310可以完全且连续地覆盖基底100。第一无机封装层310可以覆盖第一有机发光二极管OLED1、孔HL、第一坝部分DAM1、第二坝部分DAM2和第二有机发光二极管OLED2。第一无机封装层310可以接触第二无机层PVX2的突出尖端PT。第一无机封装层310可以接触第一无机层PVX1。因此，可以防止湿气或氧通过包括有机材料的层从穿透部分PNP被引入到有机发光二极管OLED。
有机封装层320可以布置在第一无机封装层310上。有机封装层320可以与第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2叠置，并且可以填充孔HL。根据实施例，有机封装层320可以基于穿透部分PNP分离。因为第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2在基底100的厚度方向上从第二无机层PVX2的上表面突出，所以可以控制有机封装层320的流动。
第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320。第二无机封装层330可以完全且连续地覆盖基底100。第二无机封装层330可以接触第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2上的第一无机封装层310。因此，有机封装层320可以通过第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2而分离。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以均包括来自Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、SiO2、SiNx和SiON之中的一种或更多种有机材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。根据实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
触摸电极层可以布置在封装层300上，并且光学功能层可以布置在触摸电极层上。触摸电极层可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。光学功能层可以降低从外部朝向显示装置入射的光(外部光)的反射率和/或增强从显示装置发射的光的色纯度。根据实施例，光学功能层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括拉长的合成树脂膜，液晶涂覆型可以包括以特定布置布置的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。
根据另一实施例，光学功能层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示装置的子像素发射的光的颜色来分别布置滤色器。滤色器可以均包括红色、绿色或蓝色颜料或染料。可选择地，除了上面的颜料或染料之外，滤色器可以还均包括量子点。可选择地，滤色器中的一些可以不包括颜料或染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
根据另一实施例，光学功能层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以被相消干涉，因此，可以降低外部光的反射率。
粘合构件可以布置在触摸电极层与光学功能层之间。现有技术中已知的常规粘合构件可以不受限制地用作粘合构件。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。
根据实施例，穿透部分PNP可以被限定在显示面板10中并且增强显示面板10的柔性。穿透部分PNP可以由基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2来限定。
根据实施例，第一间隔int1可以小于第二间隔int2。另外，第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。因此，可以将基底100容易地从支撑基底SS剥离，并且可以增强显示面板10的可靠性。
在制造显示面板10时，可能需要去除形成在分离区域V中的组件，以形成显示面板10的穿透部分PNP。例如，可以经由蚀刻去除基底100和绝缘层IL的与分离区域V叠置的部分。当基底100的厚度是均匀的时，在分离区域V中将被去除的基底100的量会增加，因此会增加处理时间。根据公开的实施例，第一间隔int1可以小于第二间隔int2，并且基底100包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。因此，可以减少在分离区域V中蚀刻的基底100的量，从而减少显示面板10的处理时间。
图10A是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的平面图。图10B至图10E是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图10B至图10E是示出沿着图10A的线C-C'截取的支撑基底SS以及形成在支撑基底SS上的多层膜的剖视图。
参照图10A，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS。根据实施例，可以设置多个第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2。多个第一凹形部分CCP1和多个第二凹形部分CCP2可以均形成在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上重复地布置的网格图案。
根据实施例，第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2可以在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)上彼此间隔开。根据实施例，第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2可以在第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上彼此间隔开。
第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2可以均包括中心部分和连接部分。连接部分可以在邻近的中心部分之间延伸。根据实施例，每个中心部分可以连接到四个连接部分。连接到一个中心部分的四个连接部分在不同的方向上延伸，并且每个连接部分可以连接到与所述一个中心部分相邻布置的另一中心部分。
根据实施例，第一凹形部分CCP1可以包括第一中心部分CP1、第一连接部分CNP1和第二连接部分CNP2。第一连接部分CNP1可以在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)上延伸。第二连接部分CNP2可以在第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上延伸。第一中心部分CP1、第一连接部分CNP1和第二连接部分CNP2可以是一体的。
根据实施例，第二凹形部分CCP2可以包括第二中心部分CP2、第三连接部分CNP3和第四连接部分CNP4。第三连接部分CNP3可以在第一方向(例如，x轴方向或-x轴方向)上延伸。第四连接部分CNP4可以在第二方向(例如，y轴方向或-y轴方向)上延伸。第二中心部分CP2、第三连接部分CNP3和第四连接部分CNP4可以是一体的。
第一连接部分CNP1和第二连接部分CNP2中的一个可以从第一中心部分CP1延伸到第二凹形部分CCP2。根据实施例，第一连接部分CNP1可以朝向第二中心部分CP2延伸。在这种情况下，第一连接部分CNP1和第三连接部分CNP3可以彼此接触并且是一体的。
可以在支撑基底SS上形成与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置的基底100。基底100可以包括第一区域AR1、第二区域AR2和分离区域V。第一区域AR1可以与第一凹形部分CCP1叠置。第一区域AR1可以包括作为边缘区域的第一外部区域ER1。第一外部区域ER1可以沿着第一区域AR1的边缘延伸。第一外部区域ER1可以接触分离区域V。
第二区域AR2可以与第二凹形部分CCP2叠置。第二区域AR2可以包括作为边缘区域的第二外部区域ER2。第二外部区域ER2可以沿着第二区域AR2的边缘延伸。第二外部区域ER2可以接触分离区域V。
参照图10B，基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，基底100可以是根据参照图2A描述的第二实施例的基底100。根据另一实施例，基底100可以是根据参照图1A至图1C描述的第一实施例的基底100。根据另一实施例，基底100可以是根据参照图2B描述的第三实施例的基底100。在下文中，将主要描述其中基底100是根据参照图2A描述的第二实施例的基底100的情况。
可以在第二阻挡层100d上形成缓冲层111、绝缘层IL和像素电路PC。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
绝缘层IL可以因分离区域V而分离。根据实施例，缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以均包括与分离区域V叠置的孔。
可以在第一无机层PVX1上形成第一有机绝缘层115、连接电极CM和第二有机绝缘层116。根据实施例，第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116可以均因分离区域V而分离。根据另一实施例，第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116中的至少一个可以与分离区域V叠置。
可以在第二有机绝缘层116上形成第二无机层PVX2。第二无机层PVX2可以形成为在第二有机绝缘层116上彼此间隔开。
可以在第二无机层PVX2上形成第一像素电极211A和第二像素电极211B。第一像素电极211A可以布置在第一区域AR1中。第一像素电极211A可以与第一凹形部分CCP1叠置。第二像素电极211B可以布置在第二区域AR2中。第二像素电极211B可以与第二凹形部分CCP2叠置。第一像素电极211A和第二像素电极211B可以形成在基底100上并且彼此间隔开。
接下来，可以形成像素限定层118、第一图案层118D1和第二图案层118D2。像素限定层118可以被形成为同时覆盖第一像素电极211A的边缘和第二像素电极211B的边缘中的每个。像素限定层118可以包括暴露第一像素电极211A的中心部分和第二像素电极211B的中心部分中的每个的开口118OP。
可以同时形成像素限定层118、第一图案层118D1和第二图案层118D2。根据实施例，可以通过在基底100上完全形成有机层之后对有机层进行图案化来形成像素限定层118、第一图案层118D1和第二图案层118D2。在这种情况下，像素限定层118、第一图案层118D1和第二图案层118D2可以包括相同的材料。
可以在第一图案层118D1和第二图案层118D2上分别形成第一上图案层119D1和第二上图案层119D2。根据实施例，可以通过在基底100上完全形成有机层之后对有机层进行图案化来形成第一上图案层119D1和第二上图案层119D2。在这种情况下，第一上图案层119D1和第二上图案层119D2可以包括相同的材料。
第一图案层118D1和第一上图案层119D1可以形成第一坝部分DAM1，并且第二图案层118D2和第二上图案层119D2可以形成第二坝部分DAM2。
根据实施例，支撑基底SS可以包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2，并且基底100可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。因此，基底100的厚度可以根据区域而改变。例如，第一区域AR1中的基底100的厚度100t1可以大于第一区域AR1与第二区域AR2之间的基底100的厚度100t2。
参照图10C，可以去除基底100的与支撑基底SS的第一上表面SSUS1叠置的部分。换句话说，可以去除基底100的与分离区域V叠置的部分。因此，支撑基底SS的第一上表面SSUS1可以暴露在外。换句话说，可以形成穿透部分PNP。基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。根据实施例，可以经由蚀刻工艺去除基底100的与支撑基底SS的第一上表面SSUS1叠置的部分。蚀刻工艺可以是例如干法蚀刻工艺。
根据公开的实施例，支撑基底SS可以包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2，并且基底100可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。因此，可以减少在分离区域V中蚀刻的基底100的量。例如，基底100的被蚀刻的量可以减少第一凹形部分CCP1和/或第二凹形部分CCP2的深度SSdp，并且可以减少显示面板10和/或显示装置的处理时间。
根据实施例，可以在第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116处形成孔HL。根据实施例，布置在第二无机层PVX2下方的第二有机绝缘层116可以被过蚀刻。因此，第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116可以具有底切结构。在这种情况下，可以暴露第二无机层PVX2的端部的下表面。换句话说，可以暴露第二无机层PVX2的与孔HL叠置的突出尖端PT的下表面。
参照图10D，可以在基底100上形成中间层212和对电极213。因此，可以形成第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2。因为第二无机层PVX2包括在孔HL的中心方向上突出的突出尖端PT，所以第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213可以基于孔HL而断开。另外，第二无机层PVX2的突出尖端PT的下表面可以不接触第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213。因此，可以防止或减少外部湿气和异物通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个引入到有机发光二极管OLED，并且可以增强显示面板10的可靠性。
接下来，可以形成封装层300。
根据实施例，可以形成覆盖有机发光二极管OLED的第一无机封装层310。第一无机封装层310可以完全且连续地覆盖基底100。第一无机封装层310可以覆盖第一有机发光二极管OLED1、孔HL、第一坝部分DAM1、第二坝部分DAM2和第二有机发光二极管OLED2。第一无机封装层310可以接触第二无机层PVX2的突出尖端PT。第一无机封装层310可以接触第一无机层PVX1。因此，可以防止湿气或氧通过包括有机材料的层从穿透部分PNP被引入到有机发光二极管OLED。
接下来，可以在第一无机封装层310上形成有机封装层320。有机封装层320可以与第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2叠置，并且可以填充孔HL。根据实施例，有机封装层320可以基于穿透部分PNP而分离。
接下来，可以形成覆盖有机封装层320的第二无机封装层330。第二无机封装层330可以完全且连续地覆盖基底100。第二无机封装层330可以在第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2上接触第一无机封装层310。因此，有机封装层320可以通过第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2而分离。
接下来，可以在封装层300上形成触摸电极层和/或光学功能层。当形成触摸电极层和/或光学功能层时，可以执行在封装层300上形成光致抗蚀剂、使光致抗蚀剂曝光和显影的工艺。可以在形成穿透部分PNP之后执行这样的工艺。因此，光致抗蚀剂不仅可以涂覆在第一区域AR1和第二区域AR2中，而且可以涂覆在分离区域V中。可以经由显影工艺去除涂覆在分离区域V中的光致抗蚀剂，并且由于从封装层300的上表面到支撑基底SS的上表面SSUS限定的穿透部分PNP的深度，工艺难度水平可能增加。
根据实施例，支撑基底SS可以包括与第一区域AR1叠置的第一凹形部分CCP1和与第二区域AR2叠置的第二凹形部分CCP2。因此，穿透部分PNP的深度可以从封装层300的上表面到支撑基底SS的第一上表面SSUS1限定。
与其中支撑基底SS不包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的情况相比，从支撑基底SS的上表面SSUS到封装层300的上表面的高度可以减小第一凹形部分CCP1和/或第二凹形部分CCP2的深度SSdp。因此，可以降低由穿透部分PNP的深度引起的工艺难度水平。已经基于其中光致抗蚀剂形成在封装层300上的情况描述了这样的效果，但是当形成在封装层300上的有机层被图案化时，可以以类似的方式降低工艺难度水平。
参照图10E，可以将基底100从支撑基底SS剥离。根据实施例，可以根据将激光束照射到基底100上的激光释放来将基底100与支撑基底SS分离。可以在从支撑基底SS的下表面SSLS到支撑基底SS的上表面SSUS的方向上照射激光束。因此，激光束可以朝向基底100的面对支撑基底SS的上表面SSUS的下表面100LS照射。激光束可以是例如具有308nm的波长的准分子激光束或具有343nm或355nm的波长的固体紫外(UV)激光束。
从基底100的上表面100US在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第一间隔int1可以小于从基底100的下表面100LS在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第二间隔int2。第一间隔int1可以是从第一点100P1到第二点100P2的间隔，基底100的上表面100US和第一侧表面RS1在第一点100P1处彼此接触，基底100的上表面100US与第二侧表面RS2在第二点100P2处彼此接触。第二间隔int2可以是从第三点100P3到第四点100P4的间隔，基底100的下表面100LS与第一侧表面RS1在第三点100P3处彼此接触，基底100的下表面100LS与第二侧表面RS2在第四点100P4处彼此接触。另外，第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。因此，可以将基底100容易地从支撑基底SS剥离。
接下来，可以在封装层300上布置覆盖窗。
图11是根据另一实施例的显示面板10的剖视图。图11是沿着图7B的线B-B'截取的显示面板10的剖视图。在图11中，与图9的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释该附图，将省略其冗余描述。
参照图11，显示面板10可以包括穿透部分PNP。显示面板10可以包括基底100、缓冲层111、像素电路PC、绝缘层IL、作为显示元件的有机发光二极管OLED和封装层300。基底100可以包括彼此间隔开的第一区域AR1和第二区域AR2且穿透部分PNP在它们之间。
基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。
基底100可以包括面对有机发光二极管OLED的上表面100US和与上表面100US背对的下表面100LS。从基底100的上表面100US在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第一间隔int1可以小于从基底100的下表面100LS在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第二间隔int2。
基底100可以包括基体层和基体层上的阻挡层。根据实施例，基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，第一基体层100a可以包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。
第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。第一倾斜表面ICS1可以与作为第一区域AR1的边缘区域的第一外部区域ER1叠置。第二倾斜表面ICS2可以与作为第二区域AR2的边缘区域的第二外部区域ER2叠置。
根据实施例，第一倾斜表面ICS1可以在第一区域AR1处连接到基底100的下表面100LS。第二倾斜表面ICS2可以在第二区域AR2处连接到基底100的下表面100LS。根据实施例，第一倾斜表面ICS1与第二倾斜表面ICS2之间的距离可以在从基底100的下表面100LS到基底100的上表面100US的方向上减小。换句话说，基底100可以基于穿透部分PNP包括倒锥形形状。在下文中，因为第二区域AR2类似于第一区域AR1，所以将主要详细描述第一区域AR1。
第一基体层100a可以包括第一基体层100a的上表面100aUS、第一基体层100a的下表面100aLS和第一倾斜表面ICS1。
第一基体层100a的上表面100aUS可以面对有机发光二极管OLED。第一基体层100a的下表面100aLS可以是与第一基体层100a的上表面100aUS背对的表面。
第一倾斜表面ICS1可以接触第一基体层100a的下表面100aLS。另外，第一倾斜表面ICS1可以接触第一基体层100a的上表面100aUS。
第一基体层100a可以包括第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2。第一基体图案100aP1可以与第一区域AR1叠置。第二基体图案100aP2可以与第二区域AR2叠置。第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2可以彼此间隔开。
第一阻挡层100b可以包括彼此间隔开的第一阻挡图案100bP1和第二阻挡图案100bP2。第一阻挡图案100bP1可以布置在第一基体图案100aP1上。第二阻挡图案100bP2可以布置在第二基体图案100aP2上。
根据实施例，第一阻挡图案100bP1与第二阻挡图案100bP2之间的最短距离dis1可以小于第一基体图案100aP1与第二基体图案100aP2之间的最短距离dis2。因此，第一阻挡图案100bP1和第二阻挡图案100bP2可以防止或减少外部异物从第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2渗透到有机发光二极管OLED。
图12是用于描述根据另一实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图12是示出沿着图10A的线C-C'截取的支撑基底SS和形成在支撑基底SS上的多层膜的剖视图。在图12中，与图10B的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释该附图，将省略其冗余描述。
参照图12，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS，并且基底100可以形成为与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。
基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，基底100可以是根据参照图3A至图3D描述的第四实施例的基底100。根据另一实施例，基底100可以是根据参照图4描述的第五实施例的基底100。在下文中，将主要描述其中基底100是根据参照图3A至图3D描述的第四实施例的基底100的情况。
根据公开的实施例，支撑基底SS可以包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2，并且基底100可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。因此，可以减少在分离区域V中被蚀刻的基底100的量。例如，基底100的被蚀刻的量可以减少第一凹形部分CCP1和/或第二凹形部分CCP2的深度SSdp。具体地，当在分离区域V中仅蚀刻第二基体层100c和第二阻挡层100d时，可以暴露支撑基底SS的第一上表面SSUS1。因此，可以减少显示面板10/显示装置的处理时间。
此后执行的制造显示装置的方法类似于参照图10B至图10E描述的方法，因此，为了易于解释这些附图，将省略其细节。
图13是根据另一实施例的显示面板10的剖视图。图13是沿着图7B的线B-B'截取的显示面板10的剖视图。在图13中，与图9的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释该附图，将省略其冗余描述。
参照图13，显示面板10可以包括穿透部分PNP。显示面板10可以包括基底100、缓冲层111、像素电路PC、绝缘层IL、作为显示元件的有机发光二极管OLED和封装层300。基底100可以包括彼此间隔开的第一区域AR1和第二区域AR2且穿透部分PNP在它们之间。
基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。
基底100可以包括面对有机发光二极管OLED的上表面100US和与上表面100US背对的下表面100LS。从基底100的上表面100US在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第一间隔int1可以小于从基底100的下表面100LS在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第二间隔int2。
基底100可以包括基体层和基体层上的阻挡层。根据实施例，基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，第一基体层100a可以包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。
第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。第一倾斜表面ICS1可以与作为第一区域AR1的边缘区域的第一外部区域ER1叠置。第二倾斜表面ICS2可以与作为第二区域AR2的边缘区域的第二外部区域ER2叠置。
基底100可以包括面对有机发光二极管OLED的上表面100US和与上表面100US背对的下表面100LS。根据实施例，第一倾斜表面ICS1可以在第一区域AR1处连接到基底100的下表面100LS。第二倾斜表面ICS2可以在第二区域AR2处连接到基底100的下表面100LS。根据实施例，第一倾斜表面ICS1与第二倾斜表面ICS2之间的距离可以在从基底100的下表面100LS到基底100的上表面100US的方向上减小。换句话说，基底100可以基于穿透部分PNP包括倒锥形形状。在下文中，因为第二区域AR2类似于第一区域AR1，所以将主要详细描述第一区域AR1。
第一基体层100a可以包括第一基体层100a的上表面100aUS、第一基体层100a的下表面100aLS和第一基体层100a的第一倾斜表面ICS1。
第一基体层100a的上表面100aUS可以面对有机发光二极管OLED。第一基体层100a的下表面100aLS可以是与第一基体层100a的上表面100aUS背对的表面。
第一倾斜表面ICS1可以接触第一基体层100a的下表面100aLS。另外，第一倾斜表面ICS1可以接触第一基体层100a的上表面100aUS。
第一基体层100a可以包括第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2。第一基体图案100aP1可以与第一区域AR1叠置。第二基体图案100aP2可以与第二区域AR2叠置。第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2可以彼此间隔开。
第一阻挡层100b可以包括彼此间隔开的第一阻挡图案100bP1和第二阻挡图案100bP2。第一阻挡图案100bP1可以布置在第一基体图案100aP1上。第二阻挡图案100bP2可以布置在第二基体图案100aP2上。
根据实施例，第一阻挡图案100bP1可以与第一外部区域ER1间隔开。根据实施例，第二阻挡图案100bP2可以与第二外部区域ER2间隔开。
根据实施例，第一阻挡图案100bP1与第二阻挡图案100bP2之间的最短距离dis1可以大于第一基体图案100aP1与第二基体图案100aP2之间的最短距离dis2。
第二基体层100c可以接触第一基体层100a的至少一部分。根据实施例，第二基体层100c可以接触第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2中的每个。因此，因为包括有机材料的第一基体层100a和包括有机材料的第二基体层100c彼此接触，所以基底100可以具有增强的粘合力。
图14是用于描述根据另一实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图14是示出沿着图10A的线C-C'截取的支撑基底SS和形成在支撑基底SS上的多层膜的剖视图。在图14中，与图10B的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释该附图，将省略其冗余描述。
参照图14，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS，并且基底100可以形成为与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。
基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，基底100可以是根据参照图5A至图5C描述的第六实施例的基底100。
第二基体层100c可以接触第一基体层100a的至少一部分。根据实施例，第二基体层100c可以接触第一基体图案100aP1和第二基体图案100aP2中的每个。因此，因为包括有机材料的第一基体层100a和包括有机材料的第二基体层100c彼此接触，所以基底100可以具有增强的粘合力。
根据实施例，支撑基底SS可以包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2，并且基底100可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。因此，可以减少在分离区域V中被蚀刻的基底100的量。例如，基底100的被蚀刻的量可以减少第一凹形部分CCP1和/或第二凹形部分CCP2的深度SSdp。具体地，当在分离区域V中仅蚀刻第二基体层100c和第二阻挡层100d时，可以暴露支撑基底SS的第一上表面SSUS1。因此，可以减少显示面板10/显示装置的处理时间。
此后执行的制造显示装置的方法类似于参照图10B至图10E描述的方法，因此，为了易于解释这些附图，将省略其细节。
图15是根据实施例的显示装置2的透视图。图16A至图16C是根据实施例的显示装置2的剖视图。图16A示出了显示装置2在图15的x轴方向上的剖面。图16B示出了显示装置2在图15的y轴方向上的剖面。图16C示出了其中角部显示区域CDA布置在前显示区域FDA的两侧上的显示装置2的剖面。
参照图15和图16A至图16C，显示装置2可以具有在第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上的短边和在第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上的长边。根据另一实施例，显示装置2的在第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上的边的长度和显示装置2的在第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上的边的长度可以相同。根据另一实施例，显示装置2可以具有在第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上的长边和在第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上的短边。
其中第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上的短边和第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上的长边相遇的角部可以以一定曲率弯折。
显示装置2可以包括显示面板10-1和覆盖窗20-1。覆盖窗20-1可以布置在显示面板10-1上。图16A至图16C的覆盖窗20-1类似于图6的覆盖窗20，因此，为了易于解释该附图，将省略其细节。
显示面板10-1可以包括显示图像的显示区域DA和围绕显示区域DA的***区域PA。多个像素PX可以布置在显示区域DA中，并且可以通过多个像素PX显示图像。
显示区域DA可以包括前显示区域FDA、侧显示区域SDA、角部显示区域CDA和中间显示区域MDA。布置在每个显示区域DA中的多个像素PX可以显示图像。
前显示区域FDA是平坦的显示区域，并且包括显示元件的第一像素PX1可以布置在其中。根据实施例，前显示区域FDA可以提供大多数图像。
包括显示元件的像素PX可以布置在侧显示区域SDA中。因此，侧显示区域SDA可以显示图像。根据实施例，侧显示区域SDA可以包括第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2、第三侧显示区域SDA3和第四侧显示区域SDA4。根据一些实施例，可以省略第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2、第三侧显示区域SDA3和第四侧显示区域SDA4中的至少一个。
第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3可以在第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上连接到前显示区域FDA。例如，第一侧显示区域SDA1可以从前显示区域FDA在-x轴方向上连接，并且第三侧显示区域SDA3可以从前显示区域FDA在x轴方向上连接。
第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3可以以曲率半径弯曲。根据实施例，第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3可以具有不同的曲率半径。根据另一实施例，第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3可以具有相同的曲率半径。在下文中，将主要详细描述其中第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3的曲率半径相同(即，第一曲率半径R1)的情况。另外，因为第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3相同或类似，所以将主要详细描述第一侧显示区域SDA1。
第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以在第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上连接到前显示区域FDA。例如，第二侧显示区域SDA2可以从前显示区域FDA在-y轴方向上连接，并且前显示区域FDA可以从前显示区域FDA在y轴方向上连接。
第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以以曲率半径弯曲。根据实施例，第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以具有不同的曲率半径。根据另一实施例，第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以具有相同的曲率半径。在下文中，将主要详细描述其中第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4的曲率半径相同(即，第二曲率半径R2)的情况。另外，因为第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4相同或类似，所以将主要详细描述第二侧显示区域SDA2。
根据实施例，第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1可以与第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2不同。根据另一实施例，第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1可以与第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2相同。在下文中，将主要描述其中第一曲率半径R1小于第二曲率半径R2的情况。
角部显示区域CDA可以布置在显示面板10-1和/或显示装置2的角部CN处并弯曲。换句话说，角部显示区域CDA可以布置为对应于角部CN。在此，角部CN可以是其中显示装置2和/或显示面板10-1的在第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上的短边与显示装置2和/或显示面板10-1的在第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上的长边相遇的部分。角部显示区域CDA可以布置在邻近的侧显示区域SDA之间。例如，角部显示区域CDA可以布置在第一侧显示区域SDA1与第二侧显示区域SDA2之间。可选择地，角部显示区域CDA可以布置在第二侧显示区域SDA2与第三侧显示区域SDA3之间、第三侧显示区域SDA3与第四侧显示区域SDA4之间或者第四侧显示区域SDA4与第一侧显示区域SDA1之间。因此，侧显示区域SDA和角部显示区域CDA可以在围绕前显示区域FDA的至少一部分的同时弯曲。
包括显示元件的第二像素PX2可以布置在角部显示区域CDA中。因此，角部显示区域CDA可以显示图像。
当第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1和第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2彼此不同时，角部显示区域CDA处的曲率半径可以逐渐改变。根据实施例，当第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1小于第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2时，角部显示区域CDA的曲率半径可以在从第一侧显示区域SDA1到第二侧显示区域SDA2的方向上逐渐增大。例如，角部显示区域CDA的第三曲率半径R3可以大于第一曲率半径R1并且小于第二曲率半径R2。
中间显示区域MDA可以布置在角部显示区域CDA与前显示区域FDA之间。根据实施例，中间显示区域MDA可以在侧显示区域SDA与角部显示区域CDA之间延伸。例如，中间显示区域MDA可以在第一侧显示区域SDA1与角部显示区域CDA之间延伸。另外，中间显示区域MDA可以在第二侧显示区域SDA2与角部显示区域CDA之间延伸。
中间显示区域MDA可以包括第三像素PX3。根据实施例，可以在中间显示区域MDA中设置用于提供电信号的驱动电路和/或用于提供电力的电源布线，并且第三像素PX3可以与驱动电路和电源布线叠置。在这种情况下，第三像素PX3的显示元件可以布置在驱动电路和/或电源布线的上部中。根据一些实施例，驱动电路和/或电源布线可以布置在***区域PA中，并且第三像素PX3可以不与驱动电路和/或电源布线叠置。
显示装置2不仅可以在前显示区域FDA中显示图像，而且可以在侧显示区域SDA、角部显示区域CDA和中间显示区域MDA中显示图像。因此，显示装置2之中的由显示区域DA占据的比例可以增大。另外，显示装置2包括在角部处弯曲并显示图像的角部显示区域CDA，因此，可以具有增强的美观性。
图17是根据实施例的显示面板10-1的平面图。图17是在角部显示区域CDA弯曲之前显示面板10-1的形状(即，显示面板10-1的未弯曲的形状)的平面图。
参照图17，显示面板10-1可以包括显示区域DA和***区域PA。显示区域DA是其中多个像素PX显示图像的区域，并且***区域PA是围绕显示区域DA的至少一部分的区域。根据实施例，***区域PA可以完全围绕显示区域DA。显示区域DA可以包括前显示区域FDA、侧显示区域SDA、角部显示区域CDA和中间显示区域MDA。
显示面板10-1可以包括基底100和布置在基底100上的多层膜。在此，显示区域DA和***区域PA可以被限定在基底100和/或多层膜中。换句话说，基底100和/或多层膜可以包括前显示区域FDA、侧显示区域SDA、角部显示区域CDA、中间显示区域MDA和***区域PA。在下文中，将主要详细描述其中前显示区域FDA、侧显示区域SDA、角部显示区域CDA、中间显示区域MDA和***区域PA被限定在基底100中的情况。
***区域PA可以是不提供图像的区域，并且可以是非显示区域。用于向像素PX提供电信号的驱动电路DC、用于提供电力的电源布线等可以布置在***区域PA中。例如，驱动电路DC可以是经由扫描线SL向每个像素PX提供扫描信号的扫描驱动电路。可选择地，驱动电路DC可以是经由数据线DL向每个像素PX提供数据信号的数据驱动电路。根据实施例，数据驱动电路可以与显示面板10-1的一个侧表面相邻地布置。例如，***区域PA中的数据驱动电路可以布置为对应于第一侧显示区域SDA1。
***区域PA可以包括作为电子装置、印刷电路板等可以电连接到其的区域的垫(“pad”，又被称为“焊盘”或“焊垫”)部分。垫部分可以被暴露而不被绝缘层覆盖，以电连接到柔性印刷电路板(FPCB)。FPCB可以将控制器和垫部分电连接，并且供应从控制器接收的信号或电力。根据一些实施例，数据驱动电路可以布置在FPCB上。
包括显示元件的第一像素PX1可以布置在前显示区域FDA中。前显示区域FDA可以是平坦的部分。根据实施例，前显示区域FDA可以提供大多数图像。
包括显示元件的像素PX可以布置在侧显示区域SDA中，并且侧显示区域SDA可以弯曲。换句话说，如上面参照图15所描述的，侧显示区域SDA可以是从前显示区域FDA弯曲的区域。侧显示区域SDA可以包括第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2、第三侧显示区域SDA3和第四侧显示区域SDA4。
第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3可以从前显示区域FDA在第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上延伸。另外，第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以从前显示区域FDA在第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上延伸。
角部显示区域CDA可以布置在显示面板10-1的角部CN处。在此，显示面板10-1的角部CN可以是其中显示面板10-1的边缘之中的在第一方向(例如，x轴或-x轴方向)上的短边与显示面板10-1的边缘之中的在第二方向(例如，y轴或-y轴方向)上的长边相遇的部分。
角部显示区域CDA可以布置在邻近的侧显示区域SDA之间。例如，角部显示区域CDA可以布置在第一侧显示区域SDA1与第二侧显示区域SDA2之间。可选择地，角部显示区域CDA可以布置在第二侧显示区域SDA2与第三侧显示区域SDA3之间、第三侧显示区域SDA3与第四侧显示区域SDA4之间或者第四侧显示区域SDA4与第一侧显示区域SDA1之间。
角部显示区域CDA可以围绕前显示区域FDA的至少一部分。例如，角部显示区域CDA可以布置在第一侧显示区域SDA1与第二侧显示区域SDA2之间以围绕前显示区域FDA的至少一部分。
包括显示元件的第二像素PX2可以布置在角部显示区域CDA中，并且角部显示区域CDA可以弯曲。换句话说，如上面参照图15所描述的，角部显示区域CDA可以布置为对应于角部CN，并且可以是从前显示区域FDA弯曲的区域。
中间显示区域MDA可以布置在前显示区域FDA与角部显示区域CDA之间。根据实施例，中间显示区域MDA可以在侧显示区域SDA与角部显示区域CDA之间延伸。例如，中间显示区域MDA可以在第一侧显示区域SDA1与角部显示区域CDA之间和/或在第二侧显示区域SDA2与角部显示区域CDA之间延伸。根据实施例，中间显示区域MDA可以弯曲。
包括显示元件的第三像素PX3可以布置在中间显示区域MDA中。另外，根据实施例，提供电信号的驱动电路DC或提供电力的电源布线也可以布置在中间显示区域MDA中。根据实施例，驱动电路DC可以沿着中间显示区域MDA和/或***区域PA布置。在这种情况下，布置在中间显示区域MDA中的第三像素PX3可以与驱动电路DC或电源布线叠置。根据另一实施例，第三像素PX3可以不与驱动电路DC或电源布线叠置。在这种情况下，驱动电路DC可以沿着***区域PA布置。
侧显示区域SDA、角部显示区域CDA和中间显示区域MDA中的至少一个可以弯曲。在这种情况下，侧显示区域SDA之中的第一侧显示区域SDA1可以以第一曲率半径弯曲，并且侧显示区域SDA之中的第二侧显示区域SDA2可以以第二曲率半径弯曲。当第一曲率半径小于第二曲率半径时，用于使角部显示区域CDA弯曲的曲率半径可以在从第一侧显示区域SDA1到第二侧显示区域SDA2的方向上逐渐增大。
当角部显示区域CDA弯曲时，在角部显示区域CDA中压缩应变可以大于拉伸应变。在这种情况下，可能需要将可收缩的基底和多层膜结构应用于角部显示区域CDA。因此，布置在角部显示区域CDA中的多层膜的堆叠结构或基底100的形状可以与布置在前显示区域FDA中的多层膜的堆叠结构或基底100的形状不同。
图18是根据实施例的显示面板10-1的角部CN的放大图。图18是图17的区域D的放大图。在图18中，与图17的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释该附图，将省略其冗余描述。
参照图18，显示面板10-1可以包括角部CN。在此，基底100可以包括前显示区域FDA、第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2、角部显示区域CDA、中间显示区域MDA和***区域PA。角部显示区域CDA可以布置在显示面板10-1的角部CN处。另外，角部显示区域CDA可以布置在前显示区域FDA与***区域PA之间。中间显示区域MDA可以布置在角部显示区域CDA与前显示区域FDA之间。
第一像素PX1可以布置在前显示区域FDA中。第二像素PX2可以布置在角部显示区域CDA中。驱动电路DC和与驱动电路DC叠置的第三像素PX3可以布置在中间显示区域MDA中。根据一些实施例，可以省略驱动电路DC。
基底100可以包括与角部显示区域CDA至少部分地叠置的多个延伸区域LA。多个延伸区域LA可以均在远离前显示区域FDA的方向上延伸。换句话说，基底100可以包括主体区域BA和延伸区域LA。主体区域BA可以与前显示区域FDA、第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2和中间显示区域MDA叠置。
多个延伸区域LA可以均在远离主体区域BA的方向上延伸。根据实施例，多个延伸区域LA可以与角部显示区域CDA和***区域PA叠置。在这种情况下，第二像素PX2可以布置在延伸区域LA中。多个第二像素PX2可以沿着延伸区域LA的延伸方向平行地布置。
穿透部分PNP可以限定在相邻的延伸区域LA之间。穿透部分PNP可以穿透显示面板10-1。当角部显示区域CDA弯曲时，在角部显示区域CDA中压缩应变可以大于拉伸应变。因为穿透部分PNP限定在相邻的延伸区域LA之间，所以多个延伸区域LA可以收缩。因此，当角部显示区域CDA弯曲时，显示面板10-1可以弯曲而没有损坏。
图19是根据实施例的主体区域BA和延伸区域LA的平面图。
参照图19，显示面板10-1可以包括基底100和布置在基底100上的像素PX。基底100可以包括在远离前显示区域FDA的方向上延伸的多个延伸区域LA。换句话说，基底100可以包括主体区域BA和延伸区域LA。主体区域BA可以与中间显示区域MDA叠置。
多个延伸区域LA可以均在远离主体区域BA的方向上延伸。延伸区域LA可以在远离前显示区域FDA的方向上延伸。延伸区域LA可以与角部显示区域CDA至少部分地叠置。
延伸区域LA可以沿着延伸方向EDR延伸。根据实施例，延伸方向EDR可以是与第一方向(例如，x轴或-x轴方向)和第二方向(例如，y轴或-y轴方向)交叉的方向。
延伸区域LA可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。根据实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以与角部显示区域CDA至少部分地叠置。
根据实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以在远离前显示区域FDA的方向上延伸。根据实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以在远离中间显示区域MDA和/或主体区域BA的方向上延伸。
根据实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以在不同的方向上延伸。根据另一实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以在同一方向上延伸。在下文中，将主要详细描述其中第一区域AR1和第二区域AR2在同一延伸方向EDR上延伸的情况。
第一区域AR1和第二区域AR2可以在竖直方向VDR上彼此间隔开。根据实施例，竖直方向VDR可以是垂直于延伸方向EDR的方向。
第一区域AR1可以包括作为边缘区域的第一外部区域ER1。第一外部区域ER1可以沿着第一区域AR1的边缘延伸。第一外部区域ER1可以包括作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1。
第二区域AR2可以包括作为边缘区域的第二外部区域ER2。第二外部区域ER2可以沿着第二区域AR2的边缘延伸。第二外部区域ER2可以包括作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2。根据实施例，第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以彼此面对。
根据实施例，第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。这将在稍后描述。
第一区域AR1和第二区域AR2可以彼此间隔开且穿透部分PNP在它们之间。根据实施例，显示面板10-1的组件可以不布置在第一区域AR1与第二区域AR2之间。换句话说，基底100的分离区域V可以限定在第一区域AR1与第二区域AR2之间。分离区域V可以与穿透部分PNP叠置。
基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。另外，基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定分离区域V。
第二像素PX2可以布置在角部显示区域CDA中。根据实施例，第二像素PX2可以沿着延伸区域LA的延伸方向EDR平行地布置。
多个第三像素PX3可以布置在中间显示区域MDA中。根据实施例，多个第三像素PX3可以沿着延伸区域LA的延伸方向EDR平行地布置。在这种情况下，多个第三像素PX3可以与多个第二像素PX2沿着竖直方向VDR平行地布置。
第二像素PX2和第三像素PX3可以均包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别发射红光、绿光和蓝光。
第二像素PX2的子像素布置结构和第三像素PX3的子像素布置结构可以包括S-stripe结构。第二像素PX2和第三像素PX3可以均包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。
红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以布置在第一列1l中，并且绿色子像素Pg可以布置在相邻的第二列2l中。在此，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以以矩形形状布置，并且绿色子像素Pg可以以在竖直方向VDR上具有长边的矩形形状布置。换句话说，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb的边可以被布置为面对绿色子像素Pg的长边。根据实施例，红色子像素Pr的在垂直于延伸方向EDR的竖直方向VDR上的边的长度可以小于蓝色子像素Pb的在竖直方向VDR上的边的长度。
根据另一实施例，第二像素PX2的子像素布置结构和第三像素PX3的子像素布置结构可以是pentile型。根据另一实施例，第二像素PX2的子像素布置结构和第三像素PX3的子像素布置结构可以是stripe型。
图20是根据实施例的显示面板10-1的剖视图。图20是沿着图19的线E-E'截取的显示面板10-1的剖视图。在图20中，与图9的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释该附图，将省略其冗余描述。
参照图20，显示面板10-1可以包括穿透部分PNP。显示面板10-1的组件可以不布置在穿透部分PNP中。穿透部分PNP可以被限定为显示面板10-1的组件的边缘。例如，穿透部分PNP可以被限定为基底100的边缘。
显示面板10-1可以包括基底100、缓冲层111、像素电路PC、绝缘层IL、作为显示元件的有机发光二极管OLED和封装层300。基底100可以包括彼此间隔开的第一区域AR1和第二区域AR2且穿透部分PNP在它们之间。
基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。根据实施例，彼此面对的第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的空间可以被限定为基底100的分离区域V。分离区域V可以与穿透部分PNP叠置。
基底100可以包括面对有机发光二极管OLED的上表面100US和与上表面100US背对的下表面100LS。从基底100的上表面100US在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第一间隔int1可以小于从基底100的下表面100LS在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第二间隔int2。第一间隔int1可以是从第一点100P1到第二点100P2的间隔，基底100的上表面100US与第一侧表面RS1在第一点100P1处彼此接触，基底100的上表面100US与第二侧表面RS2在第二点100P2处彼此接触。第二间隔int2可以是从第三点100P3到第四点100P4的间隔，基底100的下表面100LS与第一侧表面RS1在第三点100P3处彼此接触，基底100的下表面100LS与第二侧表面RS2在第四点100P4处彼此接触。
基底100可以包括基体层和基体层上的阻挡层。根据实施例，基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，第一基体层100a可以包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。
第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。第一倾斜表面ICS1可以与作为第一区域AR1的边缘区域的第一外部区域ER1叠置。第二倾斜表面ICS2可以与作为第二区域AR2的边缘区域的第二外部区域ER2叠置。
根据实施例，第一倾斜表面ICS1可以在第一区域AR1处连接到基底100的下表面100LS。第二倾斜表面ICS2可以在第二区域AR2处连接到基底100的下表面100LS。根据实施例，第一倾斜表面ICS1与第二倾斜表面ICS2之间的距离可以在从基底100的下表面100LS到基底100的上表面100US的方向上减小。换句话说，基底100可以基于穿透部分PNP包括倒锥形形状。
第一基体层100a可以包括第一基体层100a的上表面100aUS、第一基体层100a的下表面100aLS、第一基体层100a的第一倾斜表面ICS1和第一基体层100a的第一表面SS1。
第一基体层100a的上表面100aUS可以面对有机发光二极管OLED。第一基体层100a的下表面100aLS可以是与第一基体层100a的上表面100aUS背对的表面。第一倾斜表面ICS1可以接触第一基体层100a的下表面100aLS。
第一基体层100a的第一表面SS1可以与第一基体层100a的上表面100aUS和第一倾斜表面ICS1交叉。第一基体层100a的第一表面SS1可以接触第一基体层100a的上表面100aUS和第一倾斜表面ICS1。例如，第一基体层100a的第一表面SS1的一侧可以接触第一基体层100a的上表面100aUS，并且第一基体层100a的第一表面SS1的另一侧可以接触第一倾斜表面ICS1。第一基体层100a的第一表面SS1可以是经由蚀刻工艺形成的表面。
缓冲层111可以布置在基底100上。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
绝缘层IL可以包括第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114、第一无机层PVX1、第一有机绝缘层115、第二有机绝缘层116和第二无机层PVX2。
有机发光二极管OLED可以布置在第二有机绝缘层116上。有机发光二极管OLED可以包括第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2。第一有机发光二极管OLED1作为第一显示元件可以与第一区域AR1叠置。第二有机发光二极管OLED2作为第二显示元件可以与第二区域AR2叠置。
第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极211A、中间层212和对电极213。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极211B、中间层212和对电极213。
第一无机封装层310可以覆盖有机发光二极管OLED。第一无机封装层310可以完全且连续地覆盖基底100。第一无机封装层310可以覆盖第一有机发光二极管OLED1、孔HL、第一坝部分DAM1、第二坝部分DAM2和第二有机发光二极管OLED2。第一无机封装层310可以接触第二无机层PVX2的突出尖端PT。第一无机封装层310可以接触第一无机层PVX1。因此，可以防止湿气或氧通过包括有机材料的层从穿透部分PNP被引入到有机发光二极管OLED。
有机封装层320可以布置在第一无机封装层310上。有机封装层320可以与第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2叠置，并且可以填充孔HL。根据实施例，有机封装层320可以基于穿透部分PNP分离。因为第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2从第二无机层PVX2的上表面在基底100的厚度方向上突出，所以可以控制有机封装层320的流动。
第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320。第二无机封装层330可以完全且连续地覆盖基底100。第二无机封装层330可以在第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2上接触第一无机封装层310。因此，有机封装层320可以通过第一坝部分DAM1和第二坝部分DAM2而分离。
根据实施例，穿透部分PNP可以被限定在显示面板10-1中并且增强显示面板10-1的柔性。穿透部分PNP可以由基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2限定。第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。
根据实施例，第一间隔int1可以小于第二间隔int2，并且基底100包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。因此，可以减少在分离区域V中被蚀刻的基底100的量，从而减少显示面板10-1的处理时间。
图21A是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的平面图。图21B至图21D是用于描述根据公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图21B至图21D是示出沿着图21A的线F-F'截取的支撑基底SS和形成在支撑基底SS上的多层膜的剖视图。在图21A至图21D中，与图10A至图10E的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释这些附图，将省略其冗余描述。
参照图21A，可以准备包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的支撑基底SS。支撑基底SS还可以包括前凹形部分FCCP。前凹形部分FCCP可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2是一体的。第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2可以在远离前凹形部分FCCP的方向上延伸。
可以在支撑基底SS上形成与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置的基底100。基底100可以包括主体区域BA、延伸区域LA(例如，第一区域AR1和第二区域AR2)和分离区域V。主体区域BA可以与前凹形部分FCCP叠置。
第一区域AR1可以与第一凹形部分CCP1叠置。第一区域AR1可以包括作为边缘区域的第一外部区域ER1。第一外部区域ER1可以沿着第一区域AR1的边缘延伸。第一外部区域ER1可以接触分离区域V。
第二区域AR2可以与第二凹形部分CCP2叠置。第二区域AR2可以包括作为边缘区域的第二外部区域ER2。第二外部区域ER2可以沿着第二区域AR2的边缘延伸。第二外部区域ER2可以接触分离区域V。
参照图21B，基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，基底100可以是根据参照图2A描述的第二实施例的基底100。根据另一实施例，基底100可以是根据参照图1A至图1C描述的第一实施例的基底100、根据参照图2B描述的第三实施例的基底100、根据参照图3A至图3D描述的第四实施例的基底100、根据参照图4描述的第五实施例的基底100和根据参照图5A至图5C描述的第六实施例的基底100中的一个。在下文中，将主要描述其中基底100是根据参照图2A描述的第二实施例的基底100的情况。
根据实施例，支撑基底SS可以包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2，并且基底100可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。因此，基底100的厚度可以根据区域而改变。例如，第一区域AR1中的基底100的厚度100t1可以大于第一区域AR1与第二区域AR2之间的基底100的厚度100t2。
参照图21C，可以去除基底100的与支撑基底SS的第一上表面SSUS1叠置的部分。换句话说，可以去除基底100的与分离区域V叠置的部分。因此，支撑基底SS的第一上表面SSUS1可以暴露在外。
当去除基底100的与支撑基底SS的第一上表面SSUS1叠置的所述部分时，可以形成穿透部分PNP。基底100的作为第一区域AR1的边缘的第一侧表面RS1和基底100的作为第二区域AR2的边缘的第二侧表面RS2可以限定穿透部分PNP的至少一部分。
根据实施例，支撑基底SS可以包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2，并且基底100可以与第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2叠置。因此，可以减少在分离区域V中被蚀刻的基底100的量。例如，基底100的被蚀刻的量可以减少第一凹形部分CCP1和/或第二凹形部分CCP2的深度SSdp，并且可以减少显示面板10-1和/或显示装置的处理时间。
接下来，可以在基底100上形成中间层212和对电极213。因此，可以形成第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2。接下来，可以形成封装层300。
根据实施例，支撑基底SS可以包括与第一区域AR1叠置的第一凹形部分CCP1和与第二区域AR2叠置的第二凹形部分CCP2。因此，穿透部分PNP的深度可以从封装层300的上表面到支撑基底SS的第一上表面SSUS1限定。
其中与支撑基底SS不包括第一凹形部分CCP1和第二凹形部分CCP2的情况相比，从支撑基底SS的上表面SSUS到封装层300的上表面的高度可以减小第一凹形部分CCP1和/或第二凹形部分CCP2的深度SSdp。因此，可以降低由穿透部分PNP的深度引起的工艺难度水平。
然后，可以将基底100从支撑基底SS剥离。根据实施例，可以根据将激光束照射到基底100上的激光释放来将基底100与支撑基底SS分离。
从基底100的上表面100US在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第一间隔int1可以小于从基底100的下表面100LS在第一侧表面RS1与第二侧表面RS2之间的第二间隔int2。另外，第一侧表面RS1和第二侧表面RS2可以分别包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。因此，可以将基底100容易地从支撑基底SS剥离。
参照图21D，制造的显示面板10-1可以被弯曲。具体地，与制造的显示面板10-1的角部CN叠置的角部显示区域CDA可以被弯曲。根据实施例，角部显示区域CDA可以具有第三曲率半径R3。根据实施例，在引导膜布置在制造的显示面板10-1下方之后，角部显示区域CDA可以在真空状态下弯曲。根据实施例，角部显示区域CDA可以经由热成形方法弯曲。
然后，可以在如上方制造的显示面板10-1上布置覆盖窗20-1。制造的显示面板10-1可以粘附到覆盖窗20-1。根据实施例，制造的显示面板10-1可以经由光学透明粘合剂连接到覆盖窗20-1。制造的显示面板10-1可以经由层压工艺粘附到覆盖窗20-1。如此，覆盖窗20-1可以布置在角部显示区域CDA中。
图22是根据实施例的显示装置3的透视图。在图22中，与图15的附图标记同样的附图标记表示同样的元件，因此，为了易于解释该附图，将省略其冗余描述。
参照图22，显示装置3可以包括显示面板10-2。显示面板10-2可以包括组件区域CA、显示区域DA和***区域PA。
组件区域CA实现图像，并且组件可以布置在其中。辅助像素Pa和多个透射区域TA可以布置在组件区域CA中。辅助像素Pa可以包括辅助显示元件。根据实施例，辅助像素Pa可以布置在相邻的透射区域TA之间。
显示区域DA可以实现图像。显示区域DA可以围绕组件区域CA的至少一部分。根据实施例，显示区域DA可以完全围绕组件区域CA。主像素Pm可以布置在显示区域DA中。主像素Pm可以包括主显示元件。根据实施例，多个主像素Pm可以布置在显示区域DA中。
图23是根据实施例的显示装置3的剖视图。
参照图23，显示装置3可以包括显示面板10-2、覆盖窗20-2和组件30。
显示面板10-2可以包括基底100和布置在基底100上的多层膜。根据实施例，显示面板10-2可以包括基底100、底部金属层BML、缓冲层111、绝缘层IL、封装层300、触摸电极层400和光学功能层500。
显示区域DA和组件区域CA可以限定在基底100和/或多层膜中。换句话说，基底100和/或多层膜可以包括显示区域DA和组件区域CA。在下文中，将主要详细描述其中显示区域DA和组件区域CA限定在基底100中的情况。
根据实施例，基底100可以是根据参照图2A描述的第二实施例的基底100。根据另一实施例，基底100可以是根据参照图1A至图1C描述的第一实施例的基底100、根据参照图2B描述的第三实施例的基底100、根据参照图3A至图3D描述的第四实施例的基底100、根据参照图4描述的第五实施例的基底100和根据参照图5A至图5C描述的第六实施例的基底100中的一个。在下文中，将主要描述其中基底100是根据参照图2A描述的第二实施例的基底100的情况。
基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d，第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d以所陈述的顺序依次堆叠在彼此上。根据实施例，第一基体层100a可以包括第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2。根据实施例，第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2可以限定凹槽GV。因此，基底100的厚度可以根据区域而改变。例如，凹槽GV处的基底100的厚度100t2可以小于显示区域DA处的基底100的厚度100t1。
主像素Pm可以布置在显示区域DA中。主像素Pm可以包括主像素电路PCm和连接到其的主有机发光二极管OLEDm。主像素电路PCm可以包括至少一个主薄膜晶体管TFTm。
组件区域CA可以包括多个透射区域TA，并且辅助像素Pa可以布置在相邻的透射区域TA之间。辅助像素Pa可以包括辅助像素电路PCa和连接到其的辅助有机发光二极管OLEDa。辅助像素电路PCa可以包括至少一个辅助薄膜晶体管TFTa。换句话说，辅助有机发光二极管OLEDa可以布置在组件区域CA中并与透射区域TA间隔开。
多个透射区域TA可以与组件30叠置。图23仅示出了一个透射区域TA。多个透射区域TA可以是从组件30发射的光/信号或入射在组件30上的光/信号透射通过其的区域。
根据实施例，凹槽GV可以与透射区域TA叠置并且面对组件30。根据实施例，第一倾斜表面ICS1和第二倾斜表面ICS2可以面对组件30。因此，因为凹槽GV处的第一基体层100a的厚度100t2小于显示区域DA处的第一基体层100a的厚度100t1，所以可以增强透射区域TA中的透光率。
底部金属层BML可以布置在组件区域CA中。底部金属层BML可以布置为对应于辅助薄膜晶体管TFTa的底部。底部金属层BML可以防止外部光到达辅助薄膜晶体管TFTa。根据一些实施例，可以将恒定电压或信号施加到底部金属层BML，从而防止由静电放电引起的对像素电路PCa的损坏。在图23中，底部金属层BML布置在基底100上，但是根据一些实施例，底部金属层BML可以***到基底100中。
封装层300可以覆盖辅助有机发光二极管OLEDa和主有机发光二极管OLEDm。根据实施例，封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。至少一个无机封装层可以包括来自Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZnO、SiO2、SiNx和SiON之中的至少一种无机材料。至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。根据实施例，至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯。
根据另一实施例，封装层300可以具有其中基底100和透明构件的上基底经由密封构件组合的结构，从而密封基底100与上基底之间的内部空间。在此，吸湿剂或填料可以位于内部空间中。密封构件可以是密封剂，并且根据另一实施例，密封构件可以包括通过激光束硬化的材料。例如，密封构件可以是玻璃料。详细地，密封构件可以包括作为有机密封剂的聚氨酯类树脂、环氧类树脂或丙烯酰类树脂，或者作为无机密封剂的硅酮。聚氨酯类树脂可以使用例如聚氨酯丙烯酸酯。丙烯酰类树脂可以使用例如丙烯酸丁酯或丙烯酸乙基己酯。同时，密封构件可以包括通过加热硬化的材料。
触摸电极层400可以布置在封装层300上。触摸电极层400可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。
光学功能层500可以布置在触摸电极层400上。光学功能层500可以降低从外部朝向显示装置3入射的光(外部光)的反射率和/或增强从显示装置3发射的光的色纯度。
根据实施例，光学功能层500可以包括与多个透射区域TA叠置的开口500OP。因此，可以增强多个透射区域TA的透光率。诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料可以填充在与多个透射区域TA叠置的开口500OP中。
覆盖窗20-2可以布置在显示面板10-2上。覆盖窗20-2可以通过透明粘合构件(诸如光学透明粘合剂OCA)粘附到显示面板10-2。图23的覆盖窗20-2类似于图6的覆盖窗20，因此，为了易于解释该附图，将省略其细节。
组件30可以与组件区域CA叠置。组件30可以包括电子元件。例如，组件30可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括接收并使用光的传感器(诸如红外传感器)、通过接收光捕获图像的相机、通过输出并检测光或声音来测量距离或者识别指纹的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光或紫外光。
如上面所描述的，因为在基底的上表面处在第一侧表面与第二侧表面之间的距离小于在基底的下表面处在第一侧表面与第二侧表面之间的距离，所以根据实施例的显示面板可以通过包括限定穿透部分的第一侧表面和第二侧表面而是柔性的，并且可以具有增强的可靠性。
另外，因为凹槽处的第一基体层的厚度小于显示区域处的第一基体层的厚度，所以根据公开的实施例的显示装置可以在透射区域中具有增强的透光率。
此外，在制造显示装置的方法中，根据实施例，可以通过在包括第一凹形部分和第二凹形部分的支撑基底上形成与第一凹形部分和第二凹形部分叠置的基底来制造具有增强的可靠性的显示装置。
尽管在此已经描述了某些实施例和实施方式，但是根据该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的更广泛的范围以及如对于本领域普通技术人员而言将是明显的各种明显的修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种包括穿透部分的显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域彼此间隔开且所述穿透部分设置在所述第一区域与所述第二区域之间；以及
显示元件，布置在所述基底上并且包括与所述第一区域叠置的第一显示元件和与所述第二区域叠置的第二显示元件，
其中，所述基底的与所述第一区域的边缘对应的第一侧表面和所述基底的与所述第二区域的边缘对应的第二侧表面限定所述穿透部分的至少部分，并且
在所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的最靠近所述基底的面对所述显示元件的上表面的间隔小于在所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的最靠近所述基底的下表面的间隔，所述下表面与所述基底的所述上表面背对且不面对所述显示元件。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述基底包括第一基体层和布置在所述第一基体层上的第一阻挡层，并且
所述第一侧表面和所述第二侧表面分别包括所述第一基体层的第一倾斜表面和所述第一基体层的第二倾斜表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一基体层进一步包括：所述第一基体层的上表面，面对所述显示元件；所述第一基体层的下表面，与所述第一基体层的所述上表面背对并且连接到所述第一倾斜表面；以及第一表面，连接到所述第一基体层的所述上表面和所述第一倾斜表面并且与所述第一基体层的所述第一倾斜表面和所述上表面交叉。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一基体层进一步包括：所述第一基体层的上表面，面对所述显示元件；以及所述第一基体层的下表面，与所述第一基体层的所述上表面背对并且连接到所述第一倾斜表面，
其中，所述第一倾斜表面连接到所述第一基体层的所述上表面。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述基底还包括覆盖所述第一阻挡层的第二基体层和第二阻挡层，
其中，所述第二基体层接触所述第一基体层的至少一部分。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一基体层包括与所述第一区域叠置的第一基体图案和与所述第二区域叠置并且与所述第一基体图案间隔开的第二基体图案，
所述第一阻挡层包括布置在所述第一基体图案上的第一阻挡图案和布置在所述第二基体图案上并且与所述第一阻挡图案间隔开的第二阻挡图案，并且
所述第一阻挡图案与所述第二阻挡图案之间的最短距离小于所述第一基体图案与所述第二基体图案之间的最短距离。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一倾斜表面与所述第二倾斜表面之间的距离在从所述第一基体层的下表面朝向所述第一基体层的上表面的方向上减小。
8.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括覆盖所述显示元件并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层，
其中，所述至少一个有机封装层包括第一有机封装层区域和第二有机封装层区域，所述第一有机封装层区域和所述第二有机封装层区域基于设置在所述第一有机封装层区域与所述第二有机封装层区域之间的所述穿透部分而彼此分离。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一区域包括第一中心区域、从所述第一中心区域在第一方向上延伸的第一连接区域以及在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二连接区域，
所述第一连接区域和所述第二连接区域中的一个从所述第一中心区域延伸到所述第二区域。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述基底还包括前显示区域、从所述前显示区域在第一方向上延伸的第一侧显示区域、从所述前显示区域在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二侧显示区域以及布置在所述第一侧显示区域与所述第二侧显示区域之间的角部显示区域，
所述第一区域和所述第二区域与所述角部显示区域至少部分地叠置，并且
所述第一区域和所述第二区域在远离所述前显示区域的方向上延伸。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括包含透射区域的组件区域和围绕所述组件区域的至少一部分的显示区域；
显示元件，布置在所述组件区域中并且与所述透射区域间隔开；以及
组件，与所述组件区域叠置，
其中，所述基底还包括第一基体层和布置在所述第一基体层上的第一阻挡层，
所述第一基体层包括限定凹槽的倾斜表面，所述凹槽与所述透射区域叠置并且面对所述组件，并且
所述凹槽中的所述第一基体层的厚度小于所述显示区域中的所述第一基体层的厚度。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备包括第一凹形部分和第二凹形部分的支撑基底；
在所述支撑基底上形成与所述第一凹形部分和所述第二凹形部分叠置的基底；
在所述基底上形成与所述第一凹形部分叠置的第一像素电极和与所述第二凹形部分叠置的第二像素电极；以及
将所述基底从所述支撑基底剥离。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述基底的步骤包括：
形成填充所述第一凹形部分和所述第二凹形部分的第一基体层；以及
在所述第一基体层上形成第一阻挡层。
14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括通过去除所述第一基体层的至少一部分来形成布置在所述第一凹形部分上的第一基体图案和布置在所述第二凹形部分上并且与所述第一基体图案间隔开的第二基体图案。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述第一阻挡层的步骤包括形成与所述第一凹形部分叠置的第一阻挡图案和与所述第二凹形部分叠置并且与所述第一阻挡图案间隔开的第二阻挡图案。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括形成第二基体层以接触所述第一基体层。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，准备所述支撑基底的步骤包括在所述支撑基底的上表面上形成所述第一凹形部分和所述第二凹形部分。
18.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括去除所述基底的与所述支撑基底的第一上表面叠置并且布置在所述第一凹形部分与所述第二凹形部分之间的部分。
19.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一凹形部分包括第一中心部分、从所述第一中心部分在第一方向上延伸的第一连接部分以及在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二连接部分，并且
所述第一连接部分和所述第二连接部分中的一个从所述第一中心部分朝向所述第二凹形部分延伸。
20.根据权利要求12所述的方法，其中，所述支撑基底进一步包括与所述第一凹形部分和所述第二凹形部分成一体的前凹形部分，并且
所述第一凹形部分和所述第二凹形部分在远离所述前凹形部分的方向上延伸。
CN202111327003.2A 2020-12-23 2021-11-10 显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法 Pending CN114664887A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200182420A KR20220091688A (ko) 2020-12-23 2020-12-23 표시 패널, 표시 장치, 및 표시 장치의 제조방법
KR10-2020-0182420 2020-12-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114664887A true CN114664887A (zh) 2022-06-24

Family

ID=82021678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111327003.2A Pending CN114664887A (zh) 2020-12-23 2021-11-10 显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11849628B2 (zh)
KR (1) KR20220091688A (zh)
CN (1) CN114664887A (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1891689A2 (en) * 2005-05-31 2008-02-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible display device
KR102253531B1 (ko) 2014-07-25 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180021306A (ko) 2016-08-18 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN111293235B (zh) 2020-02-17 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11849628B2 (en) 2023-12-19
US20240244944A1 (en) 2024-07-18
US20220199920A1 (en) 2022-06-23
KR20220091688A (ko) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11683951B2 (en) Display panel and display device
US11825684B2 (en) Display panel and display apparatus
US20220149324A1 (en) Display panel, display device, and method of manufacturing the display device
CN114203768A (zh) 制造显示面板的方法
US20240023390A1 (en) Display panel and display apparatus
US20230130999A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
CN116088234A (zh) 显示面板以及显示装置
US12016222B2 (en) Display device having dummy pattern in bending area extending to pad area
KR20230139955A (ko) 표시 패널 및 전자 기기, 표시 패널의 제조방법
CN114664887A (zh) 显示面板、显示装置以及制造显示装置的方法
KR20210151634A (ko) 표시 패널 및 표시 장치
US20220149303A1 (en) Display panel, display apparatus, and method of manufacturing the display apparatus
US20240179974A1 (en) Bending area structure of display apparatus and method of providing the same
US20220328590A1 (en) Display panel and display device
US20230269318A1 (en) Protection panel and display apparatus including the same
US20220216276A1 (en) Display device and method of manufacturing the display device
US20240152184A1 (en) Display apparatus, method of manufacturing the display apparatus, and electronic apparatus
US20240040900A1 (en) Display panel and display apparatus
US20220328569A1 (en) Display panel, display device, and method of manufacturing of the display device
US20230015869A1 (en) Apparatus and method for manufacturing display device
US20230006174A1 (en) Display panel and display apparatus
US20240099077A1 (en) Display apparatus
CN115020456A (zh) 显示设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination