CN114654752A - Mylar热熔装置及工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种Mylar热熔装置及工艺。一种Mylar热熔装置，包括：第一上料机构及热熔机构，通过第一承托台的第一侧面设有第一定位件，能够使Mylar底托板与Mylar之间相互对齐，减少了人工对齐所需要的时间并提升了定位精度；通过第一承托台的第二侧面与导向件之间滑动连接，能够使第一承托台沿导向件的长度方向来回移动，实现对Mylar底托板以及加工完成后的Mylar组件进行上料、下料与热熔，提高生产效率；通过第一运动组件带动热熔块在靠近第一承托台的一侧的空间内移动，有利于控制热熔块的热熔时间与热熔位置，能够有效改善热熔后的Mylar组件的外观。

Description

Mylar热熔装置及工艺

技术领域

本发明涉及铝壳电池电芯绝缘Mylar热熔技术领域，特别是涉及Mylar热熔装置及工艺。

背景技术

在电池的生产过程中，需要对电池的电芯进行绝缘处理。通常需要在电芯的外侧包裹具有绝缘性能的薄膜Mylar，也称麦拉片。Mylar作为对铝壳电池进行外部绝缘的关键零件，通常需要与Mylar底托板之间进行热熔后形成Mylar组件包裹至电芯的外侧。现有技术中在进行Mylar组件中Mylar与Mylar底托板的热熔过程中，主要依靠Mylar底托板与Mylar上的定位孔进行人工手动对位，然后再用电烙铁与Mylar接触完成热熔。然而，由于Mylar底托板与Mylar上的定位孔通过手动对位，导致定位精度差、效率低的问题，影响铝壳电池的产品质量与生产效率。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中Mylar与Mylar底托板之间的定位精度较差的问题，提供一种Mylar热熔装置及工艺。

一种Mylar热熔装置，包括：

第一上料机构，包括第一承托台以及导向件，所述第一承托台的第一侧面设有第一定位件且所述第一承托台的第一侧面用于放置Mylar底托板与Mylar，所述第一定位件用于使所述Mylar底托板与Mylar对齐，所述导向件滑动连接于所述第一承托台的第二侧面用于驱动所述第一承托台移动；

热熔机构，包括热熔块以及第一运动组件，所述第一运动组件连接于所述热熔块且能够带动所述热熔块在靠近所述第一承托台的第一侧面的空间内移动，所述热熔块用于使所述Mylar热熔于所述Mylar底托板形成Mylar组件。

在其中一个实施例中，所述第一运动组件包括第一水平导轨与第一竖直导轨，所述第一水平导轨与所述第一竖直导轨的长度方向相互垂直，所述第一水平导轨的长度方向与所述第一承托台的长度方向相平行，所述第一竖直导轨的一侧滑动连接于所述第一水平导轨，所述第一竖直导轨的另一侧滑动连接于所述热熔块。

在其中一个实施例中，所述Mylar热熔装置还包括第二上料机构，所述第二上料机构包括上料携持件以及第二运动组件，所述上料携持件用于夹持Mylar，所述第二运动组件连接于所述上料携持件能够带动所述上料携持件靠近或远离所述第一承托台用于转运Mylar。

在其中一个实施例中，所述第二运动组件包括第二水平导轨与第二竖直导轨，所述第二水平导轨与所述第一水平导轨的长度方向相互平行，所述第二水平导轨与所述第一水平导轨相错设置，所述第二竖直导轨的一侧滑动连接于所述第二水平导轨，所述第二竖直导轨的另一侧滑动连接于所述上料携持件。

在其中一个实施例中，所述Mylar热熔装置还包括下料机构，所述下料机构包括下料携持件以及第三运动组件，所述下料夹持件用于夹持所述Mylar组件，所述第三运动组件连接于所述下料携持件能够带动所述下料携持件靠近或远离所述第一承托台用于转运热熔后的Mylar组件。

在其中一个实施例中，所述第三运动组件包括第三水平导轨与第三竖直导轨，所述第三水平导轨与所述第一水平导轨的长度方向相互平行，所述第三水平导轨与所述第一水平导轨相错设置，所述第三竖直导轨的一侧滑动连接于所述第三水平导轨，所述第三竖直导轨的另一侧滑动连接于所述下料携持件。

在其中一个实施例中，所述第一定位件为销钉，所述销钉的数量为至少两个；或，

所述第一定位件为限位框，所述限位框的内壁用于与所述Mylar组件的外周相贴合。

上述Mylar热熔装置，通过第一承托台的第一侧面设有第一定位件，能够使Mylar底托板与Mylar之间相互对齐，减少了人工对齐所需要的时间并提升了定位精度；通过第一承托台的第二侧面与导向件之间滑动连接，能够使第一承托台沿导向件的长度方向来回移动，实现对Mylar底托板以及加工完成后的Mylar组件进行上料、下料与热熔，提高生产效率；通过第一运动组件带动热熔块在靠近第一承托台的一侧的空间内移动，有利于控制热熔块的热熔时间与热熔位置，能够有效改善热熔后的Mylar组件的外观。

一种Mylar热熔工艺，包括如下步骤：

第一承托台位于第一入料处，Mylar底托板入料于所述第一承托台，并通过所述第一承托台上的第一定位件实现定位；

所述第一承托台移动至组合定位处，Mylar入料于所述Mylar底托板上方，并通过所述第一定位件使所述Mylar与所述Mylar底托板对齐；

所述第一承托台移动至热熔处，第一运动组件带动热熔块运动使所述Mylar与所述Mylar底托板进行热熔形成Mylar组件；

所述第一承托台移动回组合定位处，所述Mylar组件出料。

在其中一个实施例中，Mylar入料于所述Mylar底托板上方，包括如下步骤：

上料携持件移动至第二入料处；

所述上料携带件于所述第二入料处携带所述Mylar；

所述上料携带件带动所述Mylar移动至所述组合定位处。

在其中一个实施例中，Mylar组件出料，包括如下步骤：

下料携带件移动至所述组合定位处；

所述下料携带件于所述组合定位处携带所述Mylar组件；

所述下料携带件带动所述Mylar组件移动至出料处。

上述Mylar热熔工艺，通过第一承托台设有第一定位件，能够使Mylar底托板与Mylar之间相互对齐，减少了人工对齐所需要的时间并提升了定位精度；通过第一承托台于第一入料处、组合定位处与热熔处之间移动，能够实现对Mylar底托板以及加工完成后的Mylar组件进行上料、下料与热熔，提高生产效率；通过第一运动组件带动热熔块使Mylar与Mylar底托板进行热熔形成Mylar组件，有利于控制热熔块的热熔时间与热熔位置，能够有效改善热熔后的Mylar组件的外观。

附图说明

图1为一实施例的Mylar热熔装置的结构示意图；

图2为一实施例的Mylar热熔工艺的流程示意图；

图3为图2中一实施例的步骤S2的流程示意图；

图4为图2中一实施例的步骤S4的流程示意图。

图中：

100、Mylar热熔装置；10、热熔机构；11、热熔块；12、第一运动组件；121、第一水平导轨；122、第一竖直导轨；13、第一支柱；20、第一上料机构；21、第一承托台；22、导向件；30、第二上料机构；31、上料携持件；32、第二运动组件；321、第二水平导轨；322、第二竖直导轨；33、第二承托台；34、第二支柱；40、下料机构；41、下料携持件；42、第三运动组件；421、第三水平导轨；422、第三竖直导轨；43、第三承托台；44、第三支柱；50、底板。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

一方面，本申请保护一种Mylar热熔装置100。请参考图1，图1示出了本申请一实施例的Mylar热熔装置100的结构示意图。图1示出的Mylar热熔装置100，包括：第一上料机构20以及热熔机构10。

进一步地，第一上料机构20包括第一承托台21以及导向件22，第一承托台21的第一侧面设有第一定位件且第一承托台21的第一侧面用于放置Mylar底托板与Mylar，第一定位件用于使Mylar底托板与Mylar对齐，导向件22滑动连接于第一承托台21的第二侧面用于驱动第一承托台21移动。从而，导向件22能够驱动第一承托台21于第一入料处、组合定位处以及热熔处之间来回移动，以实现在不同的位置对Mylar及Mylar底托板进行相应的操作。具体地，第一入料处位于导向件22远离第一运动组件12的一端。

具体地，在本实施例中，第一定位件为连接销，连接销的数量为两个，两个连接销呈对称设置于第一承托台21的中线两侧。进一步地，两个连接销之间的距离与Mylar底托板或Mylar上的两个定位孔之间的距离相等。从而，Mylar底托板或Mylar放置于第一承托台21上时能够通过连接销实现定位，防止Mylar底托板或Mylar在热熔过程中发生移动，同时省去了人工对准Mylar底托板与Mylar所需要的时间，提升了对准效率。比如，连接销的直径为2.45mm，高度为23mm,两个连接销的中心距为134mm；可满足50片Mylar底托板缓存。

在其他实施例中，第一定位件也可为限位框，限位框的形状与Mylar底托板或Mylar的形状相拟合，当Mylar底托板放置于第一承托台21上时，限位框的内壁与Mylar底托板或Mylar组件的外周相贴合，防止产生移动影响加工后的Mylar组件的成品质量。

进一步地，热熔机构10包括热熔块11以及第一运动组件12，第一运动组件12连接于热熔块11且能够带动热熔块11在靠近第一承托台21的第一侧面的空间内移动，热熔块11用于使Mylar热熔于Mylar底托板形成Mylar组件。具体地，热熔块11通过电线连接于电源，则可以通过改变热熔块11的尺寸控制热熔块11的电阻以改变热熔温度。或者，热熔块11通过智能控制器连接于电源，从而能够对热熔块11的温度进行智能控制，使热熔块11的温度保持在合理的范围内，以保证Mylar组件的外观良好且提升热熔质量。进一步地，热熔块11与Mylar之间的接触区域为单点状。从而，热熔块11接触于Mylar时，Mylar与Mylar底托板之间形成热熔点，使二者之间形成连接。或者，热熔块11与Mylar之间的接触区域为呈线性排列的多点状，通过第一运动组件12的一次移动即可实现Mylar与Mylar底托板之间的多点热熔连接。

上述Mylar热熔装置100，通过第一承托台21的第一侧面设有第一定位件，能够使Mylar底托板与Mylar之间相互对齐，减少了人工对齐所需要的时间并提升了定位精度；通过第一承托台21的第二侧面与导向件22之间滑动连接，能够使第一承托台21沿导向件22的长度方向来回移动，实现对Mylar底托板以及加工完成后的Mylar组件进行上料、下料与热熔，提高生产效率；通过第一运动组件12带动热熔块11在靠近第一承托台21的一侧的空间内移动，有利于控制热熔块11的热熔时间与热熔位置，能够有效改善热熔后的Mylar组件的外观。

在其中一个实施例中，第一运动组件12包括第一水平导轨121与第一竖直导轨122，第一水平导轨121与第一竖直导轨122的长度方向相互垂直，第一水平导轨121的长度方向与第一承托台21的长度方向相平行，第一竖直导轨122的一侧滑动连接于第一水平导轨121，第一竖直导轨122的另一侧滑动连接于热熔块11。从而，第一竖直导轨122与热熔块11能够沿第一水平导轨121的长度方向移动，热熔块11能够沿第一竖直导轨122的长度方向移动，从而热熔块11能够在第一水平导轨121与第一竖直导轨122组成的平面范围内移动或停驻，即热熔块11能够相对Mylar接触或分离，同时能够改变热熔块11相对Mylar的热熔位置。

进一步地，第一运动组件12中还包括第一伺服单元，第一伺服单元电性连接于第一运动组件12，从而能够控制第一运动组件12的运动位置，以使热熔块11落在Mylar上的位置能够更加精准。由于Mylar底托板与Mylar之间通常需要多个呈直线排列的热熔点进行连接，通过设置第一伺服单元，能够有效地保证多个热熔点之间的排列整齐度，以及能够更加方便直观地对每个热熔点之间的距离进行设置。

进一步地，第一运动组件12还包括两个第一支柱13，两个第一支柱13分别支撑于第一水平导轨121的相对两端，使第一水平导轨121的长度方向与底板50相平行。具体地，导向件22的长度方向、第一水平导轨121的长度方向与第一竖直导轨122的长度方向分别平行于空间坐标系中的X轴、Y轴与Z轴。进一步地，第一水平导轨121于导向件22上的投影位置则为热熔处。在其他实施例中，第一运动组件12也可以是机械臂末端，通过将热熔块11连接于机械臂末端，能够实现热熔块11在机械臂可移动范围内进行移动，通过设置机械臂末端的运动轨迹即可实现对热熔块11的位置控制。

在其中一个实施例中，Mylar热熔装置100还包括第二上料机构30，第二上料机构30包括上料携持件31以及第二运动组件32，上料携持件31用于夹持Mylar，第二运动组件32连接于上料携持件31能够带动上料携持件31靠近或远离第一承托台21用于转运Mylar。具体地，上料携持件31为真空吸板。在其他实施例中，上料携持件31也可为静电吸附板、粘性吸附板等能够使Mylar附着的零部件。

具体地，第二运动组件32包括第二水平导轨321与第二竖直导轨322，第二水平导轨321与第一水平导轨121的长度方向相互平行，第二水平导轨321与第一水平导轨121相错设置，即第二水平导轨321于导向件22上的投影位置为组合定位处。进一步地，第二竖直导轨322的一侧滑动连接于第二水平导轨321，第二竖直导轨322的另一侧滑动连接于上料携持件31，从而第二竖直导轨322与上料携持件31能够沿第二水平导轨321的长度方向移动，上料携持件31能够沿第二竖直导轨322的长度方向移动。与前述实施例中相同的是，第二运动组件32也可以为机械臂，通过对机械臂进行程序设定，能够使机械臂连接上料携持件31将Mylar由第二承托台33移动至第一承托台21中Mylar底托板的上方。

进一步地，第二运动组件32还包括两个第二支柱34，两个第二支柱34分别支撑于第二水平导轨321的相对两端，使第二水平导轨321的长度方向与底板50相平行。

在其中一个实施例中，第二上料机构30还包括第二承托台33，第二承托台33的一侧设有第二定位件，用于放置待加工的Mylar。进一步地，第二定位件可为连接销或限位框，与前述实施例中对第一定位件的描述相同，在此不做赘述。优选地，第二承托台33对于Mylar的承托限度为100-120片，能够对待加工的Mylar进行较大数量的存储，并且能够尽可能地缩短第二上料机构30中上料携持件31所需要行走的距离，使Mylar能够更快地从第二承托台33移动至第一次承托台，提升热熔效率。比如，第二定位件为限位框，限位框宽度为2mm,深度为1.5mm；可缓存Mylar数量100片。

在其中一个实施例中，Mylar热熔装置100还包括下料机构40，下料机构40包括下料携持件41以及第三运动组件42，下料夹持件用于夹持Mylar组件，第三运动组件42连接于下料携持件41能够带动下料携持件41靠近或远离第一承托台21用于转运热熔后的Mylar组件。与前述实施例中相同的是，下料携持件41为真空吸板。在其他实施例中，下料携持件41也可为静电吸附板、粘性吸附板等能够使Mylar组件附着的零部件。

在其中一个实施例中，下料机构40还包括第三承托台43，第三承托台43的一侧设有第三定位件，用于放置热熔后的Mylar组件。进一步地，第三定位件也可为定位销或限位框，此处与前述实施例中的第一定位件的描述相同，在此不做赘述。优选地，第三承托台43对于Mylar组件的承托限度为70-90片，能够放置一定数量的Mylar组件，有助于后期Mylar组件的分批存放。

在其中一个实施例中，第三运动组件42包括第三水平导轨421与第三竖直导轨422，第三水平导轨421与第一水平导轨121的长度方向相互平行，第三水平导轨421与第一水平导轨121相错设置，第三竖直导轨422的一侧滑动连接于第三水平导轨421，第三竖直导轨422的另一侧滑动连接于下料携持件41。进一步地，第三竖直导轨422的一侧滑动连接于第三水平导轨421，第三竖直导轨422的另一侧滑动连接于下料携持件41，从而第三竖直导轨422与下料携持件41能够沿第三水平导轨421的长度方向移动，下料携持件41能够沿第三竖直导轨422的长度方向移动。与前述实施例中相同的是，第三运动组件42也可以为机械臂，通过对机械臂进行程序设定，能够使机械臂连接下料携持件41将Mylar组件由第一承托台21移动至第三承托台43。

进一步地，第三运动组件42还包括两个第三支柱44，两个第三支柱44分别支撑于第三水平导轨421的相对两端，使第三水平导轨421的长度方向与底板50相平行。

另一方面，本申请提供一种Mylar热熔工艺。请参考图2，图2示出了本申请一实施例的Mylar热熔工艺，包括如下步骤：

S1、第一承托台位于第一入料处，Mylar底托板入料于第一承托台，并通过第一承托台上的第一定位件实现定位。

具体地，第一入料处用于存放待加工的Mylar底托板，通过第一承托台上的第一定位件实现对Mylar底托板的定位，能够使下一步骤中的Mylar能够更加准确地放置于Mylar底托板的上方。

S2、第一承托台移动至组合定位处，Mylar入料于Mylar底托板上方，并通过第一定位件使Mylar与Mylar底托板对齐。

具体地，通过第一定位件使Mylar底托板与Mylar之间相互对齐，减少了人工对齐所需要的时间并提升了定位精度，提升了Mylar组件的成品率。

S3、第一承托台移动至热熔处，第一运动组件带动热熔块运动使Mylar与Mylar底托板进行热熔形成Mylar组件。

具体地，驱动第一运动组件带动热熔块运动，有利于控制热熔块的热熔时间与热熔位置，能够有效改善热熔后的Mylar组件的外观。

S4、第一承托台移动回组合定位处，Mylar组件出料。

进一步地，Mylar组件出料后，第一承托台移动回第一入料处，待加工的Mylar底托板于第一入料处入料于第一承托板，再次按照一实施例的Mylar热熔工艺进行操作。

上述Mylar热熔工艺，通过第一承托台设有第一定位件，能够使Mylar底托板与Mylar之间相互对齐，减少了人工对齐所需要的时间并提升了定位精度；通过第一承托台于第一入料处、组合定位处与热熔处之间移动，能够实现对Mylar底托板以及加工完成后的Mylar组件进行上料、下料与热熔，提高生产效率；通过第一运动组件带动热熔块使Mylar与Mylar底托板进行热熔形成Mylar组件，有利于控制热熔块的热熔时间与热熔位置，能够有效改善热熔后的Mylar组件的外观。

请参考图3，在其中一个实施例中，步骤S2中的Mylar入料于Mylar底托板上方，包括如下步骤：

S2-1、上料携持件移动至第二入料处。

具体地，第二入料处用于存放待加工的Mylar。第二入料处能够存放的Mylar数量由第二入料处的承托能力决定。优选地，第二入料处能够存放Mylar的数量为100-120片，能够在短期内减少人工参与，实现Mylar的自动化转运。

S2-2、上料携带件于第二入料处携带Mylar。

具体地，上料携带件可通过真空吸附、静电吸附、粘性附着等方式使Mylar附着于上料携带件。

S2-3、上料携带件带动Mylar移动至组合定位处。

具体地，上料携带件带动Mylar移动至组合定位处并使Mylar放置于Mylar底托板的上方。

请参考图4，在其中一个实施例中，步骤S4中的Mylar组件出料，包括如下步骤：

S4-1、下料携带件移动至组合定位处。

S4-2、下料携带件于组合定位处携带Mylar组件。

具体地，下料携带件可通过真空吸附、静电吸附、粘性附着等方式使Mylar附着于下料携带件。

S4-3、下料携带件带动Mylar组件移动至出料处。

具体地，出料处用于存放加工完成后的Mylar组件。出料处能够存放的Mylar数量由出料处的承托能力决定。优选地，出料处能够存放的Mylar组件的数量为70-90片，有助于Mylar组件的计数或分批存放。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种Mylar热熔装置，其特征在于，所述Mylar热熔装置包括：

第一上料机构，包括第一承托台以及导向件，所述第一承托台的第一侧面设有第一定位件且所述第一承托台的第一侧面用于放置Mylar底托板与Mylar，所述第一定位件用于使所述Mylar底托板与Mylar对齐，所述导向件滑动连接于所述第一承托台的第二侧面用于驱动所述第一承托台移动；

热熔机构，包括热熔块以及第一运动组件，所述第一运动组件连接于所述热熔块且能够带动所述热熔块在靠近所述第一承托台的第一侧面的空间内移动，所述热熔块用于使所述Mylar热熔于所述Mylar底托板形成Mylar组件。

2.根据权利要求1所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第一运动组件包括第一水平导轨与第一竖直导轨，所述第一水平导轨与所述第一竖直导轨的长度方向相互垂直，所述第一水平导轨的长度方向与所述第一承托台的长度方向相平行，所述第一竖直导轨的一侧滑动连接于所述第一水平导轨，所述第一竖直导轨的另一侧滑动连接于所述热熔块。

3.根据权利要求1所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述Mylar热熔装置还包括第二上料机构，所述第二上料机构包括上料携持件以及第二运动组件，所述上料携持件用于夹持Mylar，所述第二运动组件连接于所述上料携持件能够带动所述上料携持件靠近或远离所述第一承托台用于转运Mylar。

4.根据权利要求3所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第二运动组件包括第二水平导轨与第二竖直导轨，所述第二水平导轨与所述第一水平导轨的长度方向相互平行，所述第二水平导轨与所述第一水平导轨相错设置，所述第二竖直导轨的一侧滑动连接于所述第二水平导轨，所述第二竖直导轨的另一侧滑动连接于所述上料携持件。

5.根据权利要求1-4任一项所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述Mylar热熔装置还包括下料机构，所述下料机构包括下料携持件以及第三运动组件，所述下料夹持件用于夹持所述Mylar组件，所述第三运动组件连接于所述下料携持件能够带动所述下料携持件靠近或远离所述第一承托台用于转运热熔后的Mylar组件。

6.根据权利要求5所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第三运动组件包括第三水平导轨与第三竖直导轨，所述第三水平导轨与所述第一水平导轨的长度方向相互平行，所述第三水平导轨与所述第一水平导轨相错设置，所述第三竖直导轨的一侧滑动连接于所述第三水平导轨，所述第三竖直导轨的另一侧滑动连接于所述下料携持件。

7.根据权利要求1所述的Mylar热熔装置，其特征在于，所述第一定位件为销钉，所述销钉的数量为至少两个；或，

所述第一定位件为限位框，所述限位框的内壁用于与所述Mylar组件的外周相贴合。

8.一种Mylar热熔工艺，其特征在于，包括如下步骤：

第一承托台位于第一入料处，Mylar底托板入料于所述第一承托台，并通过所述第一承托台上的第一定位件实现定位；

所述第一承托台移动至组合定位处，Mylar入料于所述Mylar底托板上方，并通过所述第一定位件使所述Mylar与所述Mylar底托板对齐；

所述第一承托台移动至热熔处，第一运动组件带动热熔块运动使所述Mylar与所述Mylar底托板进行热熔形成Mylar组件；

所述第一承托台移动回组合定位处，所述Mylar组件出料。

9.根据权利要求8所述的Mylar热熔工艺，其特征在于，Mylar入料于所述Mylar底托板上方，包括如下步骤：

上料携持件移动至第二入料处；

所述上料携带件于所述第二入料处携带所述Mylar；

所述上料携带件带动所述Mylar移动至所述组合定位处。

10.根据权利要求8所述的Mylar热熔工艺，其特征在于，Mylar组件出料，包括如下步骤：

下料携带件移动至所述组合定位处；

所述下料携带件于所述组合定位处携带所述Mylar组件；

所述下料携带件带动所述Mylar组件移动至出料处。

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