CN114583076A - 显示面板及其制备方法、电子装置 - Google Patents
显示面板及其制备方法、电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114583076A CN114583076A CN202210140633.7A CN202210140633A CN114583076A CN 114583076 A CN114583076 A CN 114583076A CN 202210140633 A CN202210140633 A CN 202210140633A CN 114583076 A CN114583076 A CN 114583076A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- pixel
- light
- electrode
- pixel opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 259
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical compound [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 moisture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法以及电子装置，该显示面板包括基板、第一电极、像素定义层、发光层以及反光层。第一电极阵列排布在基板上。像素定义层覆于第一电极以及基板上，包括多个像素开口，每个像素开口裸露出部分第一电极。发光层设置于像素开口内，并覆于第一电极上。反光层设置于像素开口内的像素定义层的第一表面上，且位于像素定义层和发光层之间。本申请通过在像素开口内设置反光层，反光层能够反射发光层射向像素定义层的光线，使得发光层发出的光线向中间靠拢，提高了发光层的光线利用率，以缓解现有OLED结构中发光像素发光利用效率较低的技术问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、电子装置。
背景技术
现有有机发光二极管显示器件(Organic Light emitting Display，OLED)结构中，OLED发光像素中只有垂直电极方向上的光被有效利用，非垂直方向的光则被像素隔堤(Bank)等有机材料吸收，发光利用效率较低，且转化的热能可能会对器件稳定性造成影响。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法、电子装置，以缓解现有OLED结构中发光像素发光利用效率较低的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种显示面板，其包括：
基板；
第一电极，阵列排布在所述基板上；
像素定义层，覆于所述第一电极以及所述基板上，包括多个像素开口，每个所述像素开口裸露出部分所述第一电极；
发光层，设置于所述像素开口内，并覆于所述第一电极上；以及
反光层，设置于所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，且位于所述像素定义层和所述发光层之间。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述反光层的材料包括金属聚合物纳米复合材料。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述反光层的材料包括银、铬。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述反光层呈凸凹微结构。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一表面与所述像素开口裸露的所述第一电极的夹角大于90度。
本申请实施例还提供一种显示面板制备方法，其包括：
提供基板，在所述基板上制备第一电极；
在所述第一电极以及所述基板上制备像素定义层，图案化所述像素定义层形成像素开口，每个所述像素开口裸露出部分所述第一电极；
在所述像素开口内制备发光层和反光层，所述反光层覆于所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，且位于所述像素定义层和所述发光层之间。
在本申请实施例提供的显示面板制备方法中，所述在所述像素开口内制备发光层和反光层的步骤包括：
将金属聚合物纳米复合材料和发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；
把所述墨水打印在所述像素开口内；
对所述像素开口内的所述墨水进行烘干，使得所述发光材料形成所述发光层，并使得所述金属聚合物纳米复合材料附着在所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，形成所述反光层。
在本申请实施例提供的显示面板制备方法中，所述在所述像素开口内制备发光层和反光层的步骤包括：
对所述像素开口内的所述像素定义层表面进行改性处理形成凸凹微结构作为所述发光层；
将发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；
在所述像素开口内打印所述墨水形成所述发光层。
在本申请实施例提供的显示面板制备方法中，所述在所述像素开口内制备发光层和反光层的步骤包括：
在所述像素开口内的所述像素定义层表面镀一层银或铬的金属薄膜作为所述反光层；
将发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；
在所述像素开口内打印所述墨水形成所述发光层。
本申请实施例还提供一种电子装置，其包括前述实施例其中之一的显示面板。
本申请的有益效果为：本申请提供的显示面板及其制备方法以及电子装置中，该显示面板包括基板、第一电极、像素定义层、发光层以及反光层。所述第一电极阵列排布在所述基板上。所述像素定义层覆于所述第一电极以及所述基板上，包括多个像素开口，每个所述像素开口裸露出部分所述第一电极。所述发光层设置于所述像素开口内，并覆于所述第一电极上。所述反光层设置于所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，且位于所述像素定义层和所述发光层之间。本申请通过在像素开口内设置反光层，反光层能够反射发光层射向像素定义层的光线，使得发光层发出的光线向中间靠拢，提高了发光层的光线利用率，进而解决了现有OLED结构中发光像素发光利用效率较低的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的另一种剖面结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板的又一种剖面结构示意图
图4为本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
请参照图1，图1为本申请实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。所述显示面板100包括基板10、第一电极20、像素定义层30、发光层40以及反光层50。所述第一电极20阵列排布在所述基板10上。所述像素定义层30覆于所述第一电极20以及所述基板10上，包括多个像素开口300，每个所述像素开口300裸露出部分所述第一电极20。所述发光层40设置于所述像素开口300内，并覆于所述第一电极20上。所述反光层50设置于所述像素开口300内的所述像素定义层30的第一表面上，且位于所述像素定义层30和所述发光层40之间。
具体地，所述基板10包括衬底11以及设置在所述衬底11上的驱动电路层12。可选地，所述衬底11和所述驱动电路层12之间还可设置缓冲层13，所述缓冲层13的材料可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等无机材料，所述缓冲层13可以进一步防止不期望的杂质或污染物(例如湿气、氧气等)从所述衬底11扩散至可能因这些杂质或污染物而受损的器件中，同时还可以提供平坦的顶表面。
可选地，所述衬底11可以为刚性基板或柔性基板；所述衬底11为刚性基板时，可包括玻璃基板等硬性基板；所述衬底11为柔性基板时，可包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜、超薄玻璃薄膜等柔性基板，采用柔性基板作衬底11可以制作柔性显示面板，以实现显示面板的弯折、卷曲等特殊性能。
所述驱动电路层12包括依次层叠设置在所述缓冲层13上的有源层121、栅极绝缘层122、栅极123、层间绝缘层124、源漏极层125、钝化层126以及平坦化层127。所述有源层121包括沟道区1211以及位于所述沟道区1211两侧的源极区1212和漏极区1213。所述栅极绝缘层122覆于所述有源层121，并对应所述沟道区1211设置。所述栅极123设置与所述栅极绝缘层122上，且所述栅极123与所述沟道区1211对应设置。
可选地，所述基板10还包括遮光层14，所述遮光层14设置于所述衬底11上，所述缓冲层13覆于所述遮光层14以及所述衬底11上。所述遮光层14对应所述有源层121设置，使得所述有源层121在所述衬底11上的正投影落在所述遮光层14在所述衬底11上的正投影范围内，也即所述遮光层14能够完全遮挡所述有源层121，避免光线照射所述有源层121。
所述层间绝缘层124覆于所述栅极123以及所述缓冲层13上，所述源漏极层125设置于所述层间绝缘层124上，所述源漏极层125图案化形成源极1251、漏极1252等，所述源极1251通过所述层间绝缘层124的过孔与所述源极区1212连接，所述漏极1252通过所述层间绝缘层124的另一过孔与所述漏极区1213连接。同时可选地，所述源极1251还通过所述层间绝缘层124的再一过孔与所述遮光层14连接。
所述钝化层126覆于所述源漏极层125以及所述层间绝缘层124上，所述平坦化层127覆于所述钝化层126上。设置所述平坦化层127可为所述基板10提供平坦的膜层表面。
需要说明的是，本申请驱动电路层12的结构不限于本实施例示意的，本申请的驱动电路层12还可包括更多或更少的膜层，且各膜层的位置关系也不限于本实施例示意的，比如所述栅极123还可位于所述有源层121的下方，形成底栅结构。
所述第一电极20阵列排布在所述平坦化层127上，每个所述第一电极20通过所述平坦化层127以及所述钝化层126的过孔与所述源极1251或所述漏极1252连接，本申请以所述第一电极20与所述漏极1252连接为例说明。
可选地，所述第一电极20可以是透明电极或反射电极，如果所述第一电极20是透明电极，则所述第一电极20可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO或In2O3形成。如果所述第一电极20是反射电极，则所述第一电极20例如可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。然而，第一电极20不限于此，第一电极20可以由各种材料形成，并且也可以形成为单层或多层结构。
所述像素定义层30覆于所述第一电极20以及所述平坦化层127上，所述像素定义层30图案化形成有像素开口300。每个所述像素开口300对应一个所述第一电极20，并裸露出部分所述第一电极20，以定义出发光区域。
所述发光层40设置在所述像素开口300内，并覆于所述像素开口300内的所述第一电极20上。所述发光层40是把不同颜色的发光材料打印在所述像素开口300内形成，具体而言，把不同颜色的发光材料分别溶融在不同的有机溶液中，形成不同颜色的墨水，然后采用喷墨打印等工艺把不同颜色的墨水分别打印在不同的所述像素开口300内以形成所述发光层40。不同颜色的发光材料发射不同颜色的光，比如红色发光材料发射红光，绿色发光材料发射绿光，蓝色发光材料发射蓝光。
所述反光层50设置于所述像素开口300内的所述像素定义层30的第一表面上，且位于所述像素定义层30和所述发光层40之间，其中所述第一表面是指在所述像素定义层30上设置所述像素开口300后，所述像素开口300暴露出来的所述像素定义层30的表面。所述第一表面与所述像素开口300裸露的所述第一电极20的夹角大于90度，使得所述像素开口300的截面形成呈倒梯形。所述反光层50能够把所述发光层40射向像素定义层30的光线反射回去，使得所述发光层40发出的光线向中间靠拢，提高了所述发光层40的光线利用率，进而解决了现有OLED结构中发光像素发光利用效率较低的技术问题。
具体地，所述反光层50的材料包括金属聚合物纳米复合材料，比如所述反光层50的材料为银或铬等金属形成的金属聚合物纳米复合材料。把金属聚合物纳米复合材料与所述发光材料一块溶融在有机溶液中形成墨水，然后采用喷墨打印等工艺把该墨水打印在所述像素开口300内，并对所述像素开口300内的墨水进行干燥，使所述发光材料形成所述发光层40。由于所述金属聚合物纳米复合材料中的聚合物分子中有机分子链段与像素定义层30的材料结构相似，使得所述金属聚合物纳米复合材料依靠分子间作用力或氢键作用力，并在有机溶液加热挥发过程中向所述第一表面移动，并附着在所述第一表面上形成所述反光层50，如图1所示。
可以理解的是，为了使所述发光层40发光，所述显示面板100还包括设置在所述发光层40以及所述像素定义层30上的第二电极60。所述发光层40在所述第一电极20和所述第二电极60的共同作用下发光，不同颜色的发光层40发射不同颜色的光，进而实现所述显示面板100的全彩显示。其中可选地，所述第一电极20为阳极，所述第二电极60为阴极，当然地，本申请不限于此。
可选地，为了提高光线的透过率，所述第二电极60采用透明导电材料形成。例如所述第二电极60可由ITO、IZO、ZnO或In2O3等透明导电氧化物(Transparent ConductiveOxide，TCO)形成。
另外可选地，所述显示面板100还可包括设置于所述发光层40与所述第一电极20之间的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)；以及设置于所述发光层40与所述第二电极60之间的电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)。空穴注入层接收第一电极20传输的空穴，空穴经由空穴传输层传输至发光层40，电子注入层接收第二电极60传输的电子，电子经由电子传输层传输至发光层40，空穴和电子在发光层40位置结合后产生激子，激子由激发态跃迁至基态释放能量并发光。
再者，为了保护所述发光层40，避免水氧入侵导致发光层40失效，所述显示面板100还包括设置所述第二电极60上的封装层70。可选地，所述封装层70可采用薄膜封装，比如所述封装层70可以为由第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层三层薄膜依次层叠形成的叠层结构或更多层的叠层结构。
在一种实施例中，请参照图2，图2为本申请实施例提供的另一种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，在所述显示面板101中，所述反光层50的材料包括银、铬等具有反光功能材料。在所述像素定义层30上形成所述像素开口300后，在所述像素开口300内的所述像素定义层30的第一表面上镀一层银、铬等薄膜以形成所述反光层50，如图2所示。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图3，图3为本申请实施例提供的显示面板的又一种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，所述显示面板102的反光层50呈凸凹微结构，所述凸凹微结构能够增大界面的反射面积，进而使照射到所述反光层50的光线反射回去更多，使得所述发光层40发出的光线向中间靠拢，提高了所述发光层40的光线利用率，进而解决了现有OLED结构中发光像素发光利用效率较低的技术问题。
可选地，在所述像素定义层30上形成所述像素开口300后，对所述像素开口300暴露出来的所述像素定义层30进行表面改性以增加此处的漫反射或全反射的能力，进而形成呈凸凹微结构的所述反光层50。所述表面改性的方式包括Plasma表面植绒、Plasma离子注入、表面粗糙度改善等。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，本申请还提供一种显示面板制备方法，请结合参照图1至图4，图4为本申请实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。所述显示面板制备方法包括以下步骤：
S301：提供基板10，在所述基板10上制备第一电极20；
具体地，提供衬底11，在所述衬底11上制备遮光层14，在所述遮光层14以及所述衬底11上覆盖所述缓冲层13，在所述缓冲层13上制备驱动电路层12，在所述驱动电路层12上制备第一电极20。
具体而言，所述驱动电路层12包括依次层叠设置在所述缓冲层13上的有源层121、栅极绝缘层122、栅极123、层间绝缘层124、源漏极层125、钝化层126以及平坦化层127。所述有源层121包括沟道区1211以及位于所述沟道区1211两侧的源极区1212和漏极区1213。所述栅极绝缘层122覆于所述有源层121，并对应所述沟道区1211设置。所述栅极123设置与所述栅极绝缘层122上，且所述栅极123与所述沟道区1211对应设置。
所述遮光层14对应所述有源层121设置，使得所述有源层121在所述衬底11上的正投影落在所述遮光层14在所述衬底11上的正投影范围内，也即所述遮光层14能够完全遮挡所述有源层121，避免光线照射所述有源层121。
所述层间绝缘层124覆于所述栅极123以及所述缓冲层13上，所述源漏极层125设置于所述层间绝缘层124上，所述源漏极层125图案化形成源极1251、漏极1252等，所述源极1251通过所述层间绝缘层124的过孔与所述源极区1212连接，所述漏极1252通过所述层间绝缘层124的另一过孔与所述漏极区1213连接。同时可选地，所述源极1251还通过所述层间绝缘层124的再一过孔与所述遮光层14连接。
所述钝化层126覆于所述源漏极层125以及所述层间绝缘层124上，所述平坦化层127覆于所述钝化层126上。设置所述平坦化层127可为所述基板10提供平坦的膜层表面。
所述第一电极20阵列排布在所述平坦化层127上，每个所述第一电极20通过所述平坦化层127以及所述钝化层126的过孔与所述源极1251或所述漏极1252连接，本申请以所述第一电极20与所述漏极1252连接为例说明。
S302：在所述第一电极20以及所述基板10上制备像素定义层30，图案化所述像素定义层30形成像素开口300，每个所述像素开口300裸露出部分所述第一电极20；
具体地，所述像素定义层30覆于所述第一电极20以及所述平坦化层127上，所述像素定义层30图案化形成有像素开口300。每个所述像素开口300对应一个所述第一电极20，并裸露出部分所述第一电极20，以定义出发光区域。
S303：在所述像素开口300内制备发光层40和反光层50，所述反光层50覆于所述像素开口300内的所述像素定义层30的第一表面上，且位于所述像素定义层30和所述发光层40之间。
具体地，在一种实施例中，在所述像素开口300内制备发光层40和反光层50的步骤包括：将金属聚合物纳米复合材料和发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；把所述墨水打印在所述像素开口300内；对所述像素开口300内的所述墨水进行烘干，使得所述发光材料形成所述发光层40，并使得所述金属聚合物纳米复合材料附着在所述像素开口300内的所述像素定义层30的第一表面上，形成所述反光层50。
更具体地，把金属聚合物纳米复合材料与所述发光材料一块溶融在有机溶液中形成墨水，然后采用喷墨打印等工艺把该墨水打印在所述像素开口300内，并对所述像素开口300内的墨水进行干燥，使所述发光材料形成所述发光层40。由于所述金属聚合物纳米复合材料中的聚合物分子中有机分子链段与像素定义层30的材料结构相似，使得所述金属聚合物纳米复合材料依靠分子间作用力或氢键作用力，并在有机溶液加热挥发过程中向所述第一表面移动，并附着在所述第一表面上形成所述反光层50，如图1所示。其中所述第一表面与所述像素开口300裸露的所述第一电极20的夹角大于90度，使得所述像素开口300的截面形成呈倒梯形。
在一种实施例中，在所述像素开口300内制备发光层40和反光层50的步骤包括：对所述像素开口300内的所述像素定义层30表面进行改性处理形成凸凹微结构作为所述发光层40；将发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；在所述像素开口300内打印所述墨水形成所述发光层40。
具体地，在所述像素定义层30上形成所述像素开口300后，对所述像素开口300暴露出来的所述像素定义层30进行表面改性以增加此处的漫反射或全反射的能力，进而形成呈凸凹微结构的所述反光层50，如图2所示。所述表面改性的方式包括Plasma表面植绒、Plasma离子注入、表面粗糙度改善等。
在一种实施例中，在所述像素开口300内制备发光层40和反光层50的步骤包括：在所述像素开口300内的所述像素定义层30表面镀一层银或铬的金属薄膜作为所述反光层50，如图2所示；将发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；在所述像素开口300内打印所述墨水形成所述发光层40。
基于同一发明构思，本申请还提供一种电子装置，其包括前述实施例其中之一的显示面板，所述电子装置包括手机、电视、可穿戴电子设备等显示产品。
根据上述实施例可知：
本申请提供一种显示面板及其制备方法以及电子装置中，该显示面板包括基板、第一电极、像素定义层、发光层以及反光层。所述第一电极阵列排布在所述基板上。所述像素定义层覆于所述第一电极以及所述基板上，包括多个像素开口，每个所述像素开口裸露出部分所述第一电极。所述发光层设置于所述像素开口内，并覆于所述第一电极上。所述反光层设置于所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，且位于所述像素定义层和所述发光层之间。本申请通过在像素开口内设置反光层，反光层能够反射发光层射向像素定义层的光线，使得发光层发出的光线向中间靠拢，提高了发光层的光线利用率，进而解决了现有OLED结构中发光像素发光利用效率较低的技术问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
第一电极，阵列排布在所述基板上；
像素定义层，覆于所述第一电极以及所述基板上，包括多个像素开口，每个所述像素开口裸露出部分所述第一电极；
发光层，设置于所述像素开口内，并覆于所述第一电极上；以及
反光层，设置于所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，且位于所述像素定义层和所述发光层之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反光层的材料包括金属聚合物纳米复合材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反光层的材料包括银、铬。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反光层呈凸凹微结构。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一表面与所述像素开口裸露的所述第一电极的夹角大于90度。
6.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上制备第一电极；
在所述第一电极以及所述基板上制备像素定义层，图案化所述像素定义层形成像素开口，每个所述像素开口裸露出部分所述第一电极；
在所述像素开口内制备发光层和反光层，所述反光层覆于所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，且位于所述像素定义层和所述发光层之间。
7.根据权利要求6所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述像素开口内制备发光层和反光层的步骤包括：
将金属聚合物纳米复合材料和发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；
把所述墨水打印在所述像素开口内；
对所述像素开口内的所述墨水进行烘干，使得所述发光材料形成所述发光层，并使得所述金属聚合物纳米复合材料附着在所述像素开口内的所述像素定义层的第一表面上，形成所述反光层。
8.根据权利要求6所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述像素开口内制备发光层和反光层的步骤包括：
对所述像素开口内的所述像素定义层表面进行改性处理形成凸凹微结构作为所述发光层；
将发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；
在所述像素开口内打印所述墨水形成所述发光层。
9.根据权利要求6所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述像素开口内制备发光层和反光层的步骤包括：
在所述像素开口内的所述像素定义层表面镀一层银或铬的金属薄膜作为所述反光层；
将发光材料溶融在有机溶液中形成墨水；
在所述像素开口内打印所述墨水形成所述发光层。
10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210140633.7A CN114583076A (zh) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 显示面板及其制备方法、电子装置 |
| US17/753,740 US20240057454A1 (en) | 2022-02-16 | 2022-02-23 | Display panel, manufacturing method thereof, and electronic device |
| PCT/CN2022/077495 WO2023155223A1 (zh) | 2022-02-16 | 2022-02-23 | 显示面板及其制备方法、电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210140633.7A CN114583076A (zh) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 显示面板及其制备方法、电子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114583076A true CN114583076A (zh) | 2022-06-03 |
Family
ID=81774071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210140633.7A Pending CN114583076A (zh) | 2022-02-16 | 2022-02-16 | 显示面板及其制备方法、电子装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240057454A1 (zh) |
| CN (1) | CN114583076A (zh) |
| WO (1) | WO2023155223A1 (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106941113A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-07-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN108461651A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及其制备方法、显示面板 |
| CN112599697A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法以及电子设备 |
| CN213071143U (zh) * | 2020-11-05 | 2021-04-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示面板及电子设备 |
| CN113053967A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113871549A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102480091B1 (ko) * | 2018-01-30 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN111261665A (zh) * | 2018-12-03 | 2020-06-09 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示装置 |
| CN110767724B (zh) * | 2019-10-28 | 2022-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其oled面板 |
-
2022
- 2022-02-16 CN CN202210140633.7A patent/CN114583076A/zh active Pending
- 2022-02-23 WO PCT/CN2022/077495 patent/WO2023155223A1/zh active Application Filing
- 2022-02-23 US US17/753,740 patent/US20240057454A1/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106941113A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-07-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN108461651A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及其制备方法、显示面板 |
| CN213071143U (zh) * | 2020-11-05 | 2021-04-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示面板及电子设备 |
| CN112599697A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法以及电子设备 |
| CN113053967A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113871549A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023155223A1 (zh) | 2023-08-24 |
| US20240057454A1 (en) | 2024-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9252398B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| CN110148611B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| KR100941129B1 (ko) | 발광장치 및 그의 제조방법 | |
| WO2020228209A1 (zh) | 显示面板 | |
| EP4376573A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
| US8698177B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| WO2021082146A1 (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
| CN113013360B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| WO2023015627A1 (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN111341812A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20210064559A (ko) | 발광 표시 장치 | |
| KR20140057852A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP2011054424A (ja) | トップエミッション型有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法並びにそれに用いる色フィルター | |
| CN108511623B (zh) | 光取出结构、显示屏体及其制作方法、显示装置 | |
| WO2021027141A1 (zh) | 显示面板 | |
| CN113764489B (zh) | 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置 | |
| CN114583076A (zh) | 显示面板及其制备方法、电子装置 | |
| CN216054781U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| CN110085765B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| US11094906B2 (en) | Display panel | |
| WO2023044945A1 (zh) | Oled显示面板 | |
| CN113745247A (zh) | 显示面板 | |
| WO2021027138A1 (zh) | 显示面板 | |
| JP2021089868A (ja) | 自発光表示パネルおよびその製造方法 | |
| JP6040553B2 (ja) | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |