CN113745247A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板；该显示面板包括显示区和位于显示区一侧的弯折区，显示面板还包括第一透明衬底、位于透明衬底一侧的第一无机层以及位于第一无机层远离第一透明衬底一侧的第二无机层，第二无机层在弯折区形成有第一过孔，第一过孔贯穿第二无机层及部分第一无机层，使得第一无机层在对应第一过孔的区域保留一定厚度的整面膜层，以保护第一透明衬底，以缓解现有显示面板在靠近弯折区的位置存在局部亮度不均的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，市场对于高屏占比的显示面板的需求越来越迫切，显示面板正朝着全面屏、轻薄化方向发展，而全面屏的实现离不开屏下摄像头技术。顾名思义，屏下摄像头技术即是把前置摄像头放在显示面板的下面，而把前置摄像头放在显示面板的下面并不困难，困难的是如何解决屏下摄像头区的透光问题。为了很好的提高屏下摄像头区的透过率，显示面板的基板材料可采用透明聚酰亚胺(Clear Polyimide，CPI)，但是透明聚酰亚胺存在热应力大、吸水以及热膨胀系数大的问题，如此会导致在靠近显示面板弯折(Bending)区的位置出现局部亮度不均(Mura)。
因此，现有显示面板在靠近弯折区的位置存在局部亮度不均的问题需要解决。
发明内容
本申请提供一种显示面板，以缓解现有显示面板在靠近弯折区的位置存在局部亮度不均的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种显示面板，其包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述显示面板还包括：
第一透明衬底；
位于所述第一透明衬底一侧的第一无机层；
半导体层，设置于所述第一无机层远离所述第一透明衬底的一侧；以及
第二无机层，覆于所述半导体层及所述第一无机层上；
其中，所述第二无机层在所述弯折区形成有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第二无机层及部分所述第一无机层。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一无机层包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一无机层包括覆于所述第一透明衬底上的第一氮化硅层以及覆于所述第一氮化硅层远离所述第一透明衬底一侧的第一氧化硅层，所述第一过孔贯穿部分或全部所述第一氧化硅层，以裸露出所述第一氮化硅层。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一无机层还包括覆于所述第一氧化硅层远离所述第一氮化硅层的第二氮化硅层，所述第一过孔还贯穿所述第二氮化硅层。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一无机层包括依次层叠设置在所述第一透明衬底上的第一氧化硅层、第一氮化硅层、第二氧化硅层以及第二氮化硅层，所述第一过孔贯穿所述第二氮化硅层和所述第二氧化硅层，以裸露出所述第一氮化硅层。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一氧化硅层的厚度小于所述第二氧化硅层的厚度。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一透明衬底在对应所述第一开孔的区域设置有多个第一凸起。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一过孔裸露出的所述第一无机层表面设置有多个第二凸起。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一过孔裸露出的所述第一无机层的厚度范围为1000埃至5000埃。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括临近所述显示区设置的功能区，以及设置在所述显示区的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管靠近所述功能区设置，所述显示面板还包括：
导电电极层，设置于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述第一透明衬底的一侧，在所述功能区形成有第一像素电极，在所述显示区形成有第二像素电极，所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管连接，所述第二像素电极与所述第二薄膜晶体管连接。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一薄膜晶体管和所述导电电极层之间还设置有桥接层，所述桥接层在所述功能区形成第一桥接电极，并在所述显示区形成第二桥接电极，所述第一像素电极通过所述第一桥接电极与所述第一薄膜晶体管连接，所述第二像素电极通过所述第二桥接电极与所述第二薄膜晶体管连接。
在本申请实施例提供的显示面板中，所述第二无机层包括依次层叠设置的栅极绝缘层、层间绝缘层，所述栅极绝缘层面向所述半导体层设置，所述半导体层在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区，所述栅极绝缘层覆于所述半导体层及所述第一无机层上；所述显示面板还包括：
栅极层，设置于所述栅极绝缘层上，在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极，并在所述弯折区形成有第一信号转接线，所述层间绝缘层覆于所述栅极层及所述栅极绝缘层上，且所述层间绝缘层图案化形成所述第一过孔，并在所述显示区形成第二过孔；
第一源漏极层，设置于所述层间绝缘层上，在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，并在所述弯折区形成有第二信号转接线；
第一平坦化层，覆于所述第一源漏极层及所述层间绝缘层上，并填充所述第一过孔；
第二源漏极层，设置于所述第一平坦化层上，在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第二源极，并在所述弯折区形成有多个绑定走线；
第二平坦化层，覆于所述第二源漏极层及所述第一平坦化层上，所述桥接层设置所述第二平坦化层上；
第三平坦化层，覆于所述桥接层及所述第二平坦化层上，所述导电电极层设置于所述第三平坦化层上；
其中，所述栅极与所述沟道区对应设置，所述第一源极与所述源区连接，所述第一漏极与所述漏区连接，所述第二源极与所述第一漏极连接，所述第一桥接电极和所述第二桥接电极分别与对应的所述第二源极连接；所述第一信号转接线与所述第二信号转接线连接，所述绑定走线与所述第二信号转接线连接。
本申请的有益效果为：本申请提供的显示面板中，显示面板包括依次设置于第一透明衬底上的第一无机层、半导体层以及第二无机层，第二无机层在显示面板的弯折区形成有第一过孔，第一过孔贯穿第二无机层及部分所述第一无机层，使得第一无机层在对应第一过孔的区域保留一定厚度的整面膜层，以保护第一透明衬底，避免了水汽以及第一过孔的蚀刻制程对第一透明衬底的影响，进而避免了第一透明衬底裸露引起的靠近弯折区出现亮度不均的问题，从而解决了现有显示面板在靠近弯折区的位置存在局部亮度不均的问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的第一种剖面结构示意图。
图3为图2中显示面板的局部剖面结构示意图。
图4和图5为本申请实施例提供的第一过孔的细节图。
图6为本申请实施例提供的显示面板的第二种剖面结构示意图。
图7为本申请实施例提供的显示面板的第三种剖面结构示意图。
图8为本申请实施例提供的显示面板的第四种剖面结构示意图。
图9为图8中显示面板的局部剖面结构示意图。
图10为本申请实施例提供的通过仿真得出的第一无机层保留厚度与弯折区弯折应力的关系图示。
图11为本申请实施例提供的显示面板的第五种剖面结构示意图。
图12为本申请实施例提供的显示面板的第六种剖面结构示意图。
图13为本申请提供的显示面板的部分细节结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
请结合参照图1至图5，图1为本申请实施例提供的显示面板的俯视结构示意图，图2为本申请实施例提供的显示面板的第一种剖面结构示意图，图3为图2中显示面板的局部剖面结构示意图，图4和图5为本申请实施例提供的第一过孔的细节图。所述显示面板100包括显示区AA、临近所述显示区AA设置的功能区FA以及位于所述显示区AA一侧的弯折区PA，所述弯折区PA可弯折到所述显示面板100的背面，以实现窄边框或无边框。所述功能区FA可位于所述显示区AA内的任意位置，所述功能区FA可用于实现屏下指纹识别、人脸识别、屏下摄像头等各种功能，且还可用于显示功能，以实现真正意义的全面屏。
具体地，所述显示面板100还包括第一透明衬底11、第一无机层12、半导体层50以及第二无机层20，所述第一无机层12位于所述第一透明衬底11一侧，所述半导体层50设置于所述第一无机层12远离所述第一透明衬底11的一侧，所述第二无机层20覆于所述半导体层50以及所述第一无机层12上。所述第二无机层20在所述弯折区PA形成有第一过孔21，所述第一过孔21贯穿所述第二无机层20及部分所述第一无机层12。
所述第一透明衬底11的材料包括透明聚酰亚胺(Clear Polyimide，CPI)等，所述透明聚酰亚胺相较于淡黄色聚酰亚胺(Yellow Polyimide，YPI)具有较高的透过率，故使用所述透明聚酰亚胺能够提高所述功能区FA的透光性。但是使用所述透明聚酰亚胺还会带来诸多不期望的结果，比如由于所述透明聚酰亚胺的水汽透过率大，会导致制备所述第一过孔21时水汽进入到所述第一透明衬底11内；又比如所述透明聚酰亚胺的热应力大，会导致所述弯折区PA的应力向所述显示区AA扩展，进而导致所述弯折区PA附近的所述显示区AA出现亮度不均。
而本申请的所述第一过孔21贯穿部分所述第一无机层12，也即所述第一过孔21贯穿所述半导体层50和所述第一透明衬底11之间的部分所述第一无机层12，使所述第一过孔21对应的所述第一透明衬底11上边保留一定厚度的所述第一无机层12，也即所述第一过孔21裸露出一定厚度的所述第一无机层12。所述第一无机层12的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等无机材料中的一种，本实施例的所述第一无机层12可由单层氮化硅形成，氮化硅具有优异的阻隔水汽能力，故在第一透明衬底11上边保留一定厚度的所述第一无机层12能够保护所述第一透明衬底11，避免所述第一透明衬底11使用透明聚酰亚胺导致的亮度不均现象。
下面将具体阐述所述显示面板100上各区域的膜层结构：
所述显示面板100包括所述第一透明衬底11、设置在所述第一透明衬底11一侧的所述第二无机层20、设置于所述第二无机层20内的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2、设置于所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2远离所述第一透明衬底11一侧的导电电极层30。
可选地，所述显示面板100还包括第三无机层14和第二透明衬底13，所述第三无机层14位于所述第一透明衬底11远离所述第一无机层12一侧，所述第二透明衬底13位于所述第三无机层14远离所述第一透明衬底11的一侧。所述第二透明衬底13的材料和所述第一透明衬底11的材料相同，所述第三无机层14的材料和所述第一无机层12的材料相同，以实现更好的阻隔水汽性能。
可选地，所述第一透明衬底11和所述第二透明衬底13均可通过涂布(Coating)的方式进行湿膜涂布，湿膜涂布完成后进行高真空干燥(High Vacuum Dry，HVCD)以去除溶剂，然后通过固化(Curing)的方式进行固化成膜。其中，高真空干燥可采用在温度为40℃至80℃，底压为0-10Pa的条件下，干燥250秒至550秒。固化可采用在温度为400℃至450℃的条件下，固化30分钟。
所述第二无机层20包括依次层叠设置的栅极绝缘层22、层间绝缘层23，所述栅极绝缘层22面向所述半导体层50设置。
所述显示面板100在所述显示区AA的所述第二无机层20内设置有第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2，所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2同层设置，且所述第一薄膜晶体管T1靠近所述功能区FA设置。
所述导电电极层30设置于所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2远离所述第一透明衬底11的一侧。所述导电电极层30在所述功能区FA形成有第一像素电极31，并在所述显示区AA形成有第二像素电极32，所述第一像素电极31与所述第一薄膜晶体管T1连接，所述第二像素电极32与所述第二薄膜晶体管T2连接。
可选地，所述第一薄膜晶体管T1和所述导电电极层30之间还设置有桥接层40，所述桥接层40在所述功能区FA形成第一桥接电极41，并在所述显示区AA形成第二桥接电极42。其中所述第一桥接电极41从所述功能区FA延伸至所述显示区AA内，并于所述第一薄膜晶体管T1连接，所述第一像素电极31通过所述第一桥接电极41与所述第一薄膜晶体管T1连接，所述第二像素电极32通过所述第二桥接电极42与所述第二薄膜晶体管T2连接。
具体地，所述显示面板100还包括栅极层60、第一源漏极层70、第二源漏极层80以及多层平坦化层。所述半导体层50设置于所述第一无机层12上，可选地，所述第一无机层12和所述半导体层50之间还可设置缓冲层15，所述半导体层50设置于所述缓冲层15上。所述缓冲层15的材料可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等无机材料，所述缓冲层15可以防止不期望的杂质或污染物(例如湿气、氧气等)从所述第一透明衬底11扩散至可能因这些杂质或污染物而受损的器件中，同时还可以提供平坦的顶表面。
所述半导体层50在所述显示区AA形成所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2的沟道区51以及位于沟道区51两侧的源区52和漏区53，所述栅极绝缘层22覆于所述半导体层50及所述第一无机层12上，当然地，如果所述显示面100还包括缓冲层15时，所述栅极绝缘层22覆于所述半导体层50及所述缓冲层15上。
所述栅极层60设置于所述栅极绝缘层22上，所述栅极层60在所述显示区AA形成所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2的栅极61，所述栅极61与所述沟道区51对应设置，当然地，所述栅极层60还可在所述显示区AA形成栅极扫描线63等信号线。所述栅极层60还在所述弯折区PA形成有第一信号转接线62，所述第一信号转接线62与所述栅极扫描线63连接，用于给所述栅极61提供扫描信号，以控制对应的所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2的关断。
所述层间绝缘层23覆于所述栅极层60及所述栅极绝缘层22上，且图案化所述层间绝缘层23在所述弯折区PA形成所述第一过孔21，并在所述显示区AA形成第二过孔231。
所述第一过孔21包括第一子孔211和第二子孔212，所述第一子孔211的开口大于所述第二子孔212。所述第一子孔211和所述第二过孔231在同一工艺条件下形成，所述第一子孔211和所述第二过孔231均贯穿所述层间绝缘层23以及部分所述栅极绝缘层22，所述第二过孔231分别裸露出对应的所述源区52和所述漏区53，如图4所示。当然地，在形成第一子孔211和所述第二过孔231的同时，在所述弯折区PA还形成有第三过孔232，所述第三过孔232也贯穿所述层间绝缘层23以及部分所述栅极绝缘层22，以裸露出所述第一信号转接线62。
在形成所述第一子孔211后，采用干法蚀刻对所述第一子孔211孔底的膜层进行蚀刻以形成所述第二子孔212，所述第二子孔212贯穿所述第一子孔211孔底的所述栅极绝缘层22、缓冲层15以及部分所述第一无机层12，如图5所示。在形成所述第二子孔212时，通过控制所述干法蚀刻的时间，使得在第一过孔21孔区的所述第一透明衬底11上保留一定厚度的所述第一无机层12，以保护所述第一透明衬底11。可选地，保留的所述第一无机层12的厚度范围为1000埃至5000埃，以保证良好的阻隔水汽性能。
所述第一源漏极层70设置于所述层间绝缘层23上，所述第一源漏极层70在所述显示区AA形成所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2的第一源极71和第一漏极72，所述第一源极71和所述第一漏极72分别通过不同的所述第二过孔231与对应的所述源区52和所述漏区53连接。当然地，所述第一源漏极层70在所述显示区AA还形成有数据线74等信号线。
所述第一源漏极层70在所述弯折区PA形成有第二信号转接线73，一部分所述第二信号转接线73与对应的所述数据线74连接，用于给对应的所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2提供数据信号。另一部分所述第二信号转接线73通过所述第三过孔232与对应的所述第一信号转接线62连接。
所述第一平坦化层91覆于所述第一源漏极层70及所述层间绝缘层23上，并填充所述第一过孔21。所述第一平坦化层91为有机材料，把所述第一平坦化层91填充在所述第一过孔21内，能够提高所述弯折区PA的弯折性能，且可以简化在所述第一过孔21内填充其他有机材料的制程。
可以理解的是，在制备由有机材料形成的所述第一平坦化层91时，通常会采用涂布、喷墨打印等工艺把有机材料溶液制备在其他膜层上并固化成膜，而所述第一过孔21孔底保留的所述第一无机层12能够有效阻挡有机材料溶液进入所述第一透明衬底11内，在所述第一透明衬底11内产生游离的电荷。同时在制备所述第一过孔21的黄光工艺中，通常会有剥离光阻的制程，所述第一过孔21孔底保留的所述第一无机层12还能够阻挡用于剥离光阻的剥离液进入所述第一透明衬底11，而如果剥离液进入所述第一透明衬底11，由于所述第一透明衬底11具有较高的水汽透过率，会使剥离液渗入所述第一透明衬底11与其他衬底的接触界面，导致所述第一透明衬底11与其他衬底之间的粘附力下降，而且所述第一透明衬底11的热应力大，如此会导致所述第一过孔21孔区的应力扩展到粘附力小的区域，并延伸到靠近所述弯折区PA的所述显示区AA，使该区域薄膜晶体管的半导体器件的晶界发生变化，进而引起薄膜晶体管的特性发生变化，使该区域呈现亮度不均现象。故所述第一过孔21孔底保留的所述第一无机层12还能够解决靠近所述弯折区PA的所述显示区AA出现亮度不均的问题。
第二源漏极层80设置于所述第一平坦化层91上，所述第二源漏极层80在所述显示区AA形成所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2的第二源极81，所述第二源极81通过所述第一平坦化层91的过孔与所述第一漏极72连接。所述第二源漏极层80还在所述弯折区PA形成有多个绑定走线82，所述绑定走线82通过所述第一平坦化层91的过孔与所述第二信号转接线73连接。
第二平坦化层92覆于所述第二源漏极层80及所述第一平坦化层91上，所述桥接层40设置所述第二平坦化层92上，所述桥接层40为透明导电电极层，以提高所述功能区FA的透过率。所述桥接层40的材料包括ITO、IZO、ZnO或In2O3等透明导电氧化物(TransparentConductive Oxide，TCO)材料。所述桥接层40形成的所述第一桥接电极41和所述第二桥接电极42分别通过所述第二平坦化层92的不同过孔与对应的所述第二源极81连接。
第三平坦化层93覆于所述桥接层40及所述第二平坦化层92上，所述导电电极层30设置于所述第三平坦化层93上，所述导电电极层30形成的所述第一像素电极31和所述第二像素电极32分别通过所述第三平坦化层93的不同过孔与对应的所述第一桥接电极41和所述第二桥接电极42连接。通过把所述第一薄膜晶体管T1设置在靠近所述功能区FA的显示区AA内，并通过所述第一桥接电极41与所述第一像素电极31连接，在满足所述功能区FA显示功能的前提下，还可提高所述功能区FA的透过率。可选地，所述导电电极层30的材料可与所述桥接层40的材料相同，或者所述导电电极层30的材料也可选用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等电极材料。
当然地，所述显示面板100还包括设置于所述导电电极层30以及所述第三平坦化层93上的像素定义层94，所述像素定义层94在对应所述第一像素电极31和所述第二像素电极32的位于设置有像素开口941，以裸露出所述第一像素电极31和所述第二像素电极32。
在一种实施例中，请参照图6，图6为本申请实施例提供的显示面板的第二种剖面结构示意图，与上述实施例不同的是，在本实施例的显示面板101中，所述第一透明衬底11在对应所述第一过孔21的区域设置有多个第一凸起111，所述第一凸起111能够延长水汽的扩散和渗入路径，并减小所述第一过孔21孔区的所述第一透明衬底11的热应力带来的应力扩展，从而达到实现释放水汽和应力的目的，如此可进一步改善靠近所述弯折区PA的所述显示区AA出现亮度不均的问题。可选地，所述第一凸起111的截面形状包括方形、梯形、三角形等。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图7，图7为本申请实施例提供的显示面板的第三种剖面结构示意图，与上述实施例不同的是，在本实施例的显示面板102中，所述第一无机层12采用叠层结构，以实现更好的阻隔水汽性能，所述第一无机层12包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层。具体地，所述第一无机层12包括覆于所述第一透明衬底11上的第一氮化硅层121以及覆于所述第一氮化硅层121远离所述第一透明衬底11一侧的第一氧化硅层122，所述第一过孔21贯穿部分或全部所述第一氧化硅层122，以裸露出所述第一氮化硅层121。可选地，所述第一过孔21裸露出的所述第一无机层12的厚度范围为1000埃至5000埃，也即所述第一过孔21孔区保留的所述第一氮化硅层121的厚度范围为1000埃至5000埃。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请结合参照图8和图9，图8为本申请实施例提供的显示面板的第四种剖面结构示意图，图9为图8中显示面板的局部剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，在本实施例的显示面板103中，所述第一无机层12还包括覆于所述第一氧化硅层122远离所述第一氮化硅层121的第二氮化硅层123，所述第一过孔21还贯穿所述第二氮化硅层123，也即所述第一过孔21贯穿所述第一无机层12的所述第二氮化硅层123和部分或全部所述第一氧化硅层122。
可选地，所述第一氮化硅层121的厚度范围为500埃至2000埃，所述第一氧化硅层122的厚度范围为2000埃至6000埃，所述第二氮化硅层123的厚度范围为500埃至2000埃。所述第一过孔21裸露出的所述第一无机层12的厚度范围为1000埃至5000埃，通过设置层叠结构的所述第一无机层12，并在所述第一过孔21孔区保留1000埃至5000埃厚度的所述第一无机层12，除了满足阻隔水汽保护所述第一透明衬底11的作用外，还有利于调节所述弯折区PA的应力中心层，避免增大所述弯折区PA绑定走线82断裂(crack)的风险。
需要说明的是，为了降低所述弯折区PA绑定走线82断裂的风险，通常会把设置绑定走线82的膜层调整为弯折区PA的应力中心层。而在所述第一过孔21的孔区保留一定厚度的所述第一无机层12，会导致所述弯折区PA的应力中心层下移，使所述弯折区PA的绑定走线82受到的弯折应力增大，且随着所述第一无机层12保留厚度的增加，所述弯折区PA的绑定走线82受到的弯折应力也会增大，如图10所示，图10为本申请实施例提供的通过仿真得出的第一无机层保留厚度与弯折区弯折应力的关系图示。在图10中，横坐标表示第一无机层12的保留厚度，纵坐标表示所述弯折区PA的绑定走线82受到的弯折应力值，从图10的仿真结果可以看出，所述第一无机层12的保留厚度在1000埃至5000埃范围内(也即图10示出的100纳米至500纳米)，所述弯折区PA的绑定走线82受到的应力虽然有增大，但增大范围很小，基本不会增大所述绑定走线82发生断裂的风险，以保证所述弯折区PA弯折的可靠性。同时，把所述第一无机层12设置为叠层结构，可使保留的所述第一无机层12的厚度更薄，在满足阻隔水汽的前提下，更有利于调整所述弯折区PA应力中心层的位置，以降低所述绑定走线82发生断裂的风险。
另外，与上述实施例不同的还有，本实施例采用双栅结构，同时所述桥接层40采用多层桥接，且所述导电电极层30采用叠层结构。
具体地，所述栅极层60包括第一栅极层60-1和第二栅极层60-2，则相应地，所述栅极绝缘层22也包括第一栅极绝缘层22-1和第二栅极绝缘层22-2，所述第一栅极绝缘层22-1位于所述半导体层50与所述第一栅极层60-1之间，所述第二栅极绝缘层22-2位于所述第一栅极层60-1与所述第二栅极层60-2之间。所述第一栅极层60-1在所述显示区AA形成所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2的第一栅极61-1，并同时形成有对应的栅极扫描线63。所述第一栅极层60-1在所述弯折区PA形成有第一信号转接线62。所述第二栅极层60-2在所述显示区AA形成所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2的第二栅极61-2，当然地，所述第二栅极层60-2还可在所述显示区AA形成有其他信号线，并在所述弯折区PA形成对应的其他信号转接线。
进一步地，把所述桥接层40设置为多层，能够更好的调整所述弯折区PA的应力中心层。所述桥接层40包括第一桥接层40-1和第二桥接层40-2，所述第一桥接层40-1设置于所述第二平坦化层92上，则相应地，还需要设置第四平坦化层95，所述第四平坦化层95覆于所述第一桥接层40-1以及所述第二平坦化层92上，所述第二桥接层40-2设置于所述第四平坦化层95上，所述第三平坦化层93覆于所述第二桥接层40-2以及所述第四平坦化层95上。所述第一桥接层40-1在所述功能区FA形成第一桥接电极41，并在所述显示区AA形成第二桥接电极42。所述第二桥接层40-2在所述功能区FA形成有第三桥接电极43，并在所述显示区AA形成有第四桥接电极44。其中所述第一桥接电极41由所述功能区FA延伸到所述显示区AA，并与所述第一薄膜晶体管T1的第二源极81连接，所述第三桥接电极43与所述第一桥接电极41连接。所述第二桥接电极42与所述第二薄膜晶体管T2的第二源极81连接，所述第四桥接电极44与所述第二桥接电极42连接。
进一步地，所述导电电极层30设置于所述第三平坦化层93上，所述导电电极层30包括层叠设置的第一导电电极层30-1和第二导电电极层30-2，所述第一导电电极层30-1在所述功能区FA形成第一辅助电极33，并在所述显示区AA形成第二辅助电极34，所述第一辅助电极33与所述第三桥接电极43连接，所述第二辅助电极34与所述第四桥接电极44连接。所述第二导电电极层30-2在所述功能区FA形成所述第一像素电极31，并在所述显示区AA形成所述第二像素电极32，所述第一像素电极31与所述第一辅助电极33连接，所述第二像素电极32与所述第二辅助电极34连接。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图11，图11为本申请实施例提供的显示面板的第五种剖面结构示意图，与上述实施例不同的是，在本实施例的显示面板104中，所述第一无机层12包括依次层叠设置在所述第一透明衬底11上的第一氧化硅层122、第一氮化硅层121、第二氧化硅层124以及第二氮化硅层123，所述第一过孔21贯穿所述第二氮化硅层123和所述第二氧化硅层124，以裸露出所述第一氮化硅层121。
可选地，所述第一氧化硅层122的厚度小于所述第二氧化硅层124的厚度。所述第一氧化硅层122的厚度范围为100埃至1000埃，所述第一氮化硅层121的厚度范围为500埃至2000埃，所述第一氧化硅层122的厚度范围为2000埃至6000埃，所述第二氮化硅层123的厚度范围为500埃至2000埃。而所述第一过孔21裸露出的所述第一无机层12的厚度范围控制在1000埃至5000埃之间。
可以理解的是，氧化硅的水汽阻隔性能相较于氮化硅差，故在所述弯折区PA保留的所述第一无机层12尽可能包括第一氧化硅层122和第一氮化硅层121，而同时为了减小保留的所述第一无机层12的厚度，就可设置较小厚度的所述第一氧化硅层122，在满足与所述第一透明衬底11的界面粘附力的前提下，尽可能使保留的所述第一无机层12的厚度减小。而所述第二氧化硅层124会被所述第一过孔21贯穿，即在对应所述第一过孔21的区域所述第二氧化硅层124会被完全蚀刻掉，且氧化硅与有机衬底材料之间的应力匹配性更好调整，故可设置较厚的所述第二氧化硅层124。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图12，图12为本申请实施例提供的显示面板的第六种剖面结构示意图，与上述实施例不同的是，在本实施例的显示面板105中，所述第一过孔21裸露出的所述第一无机层12表面设置有多个第二凸起1211，所述第一过孔21裸露出的所述第一无机层12包括所述第一氮化硅层121和所述第一氧化硅层122，其中所述第一氮化硅层121上设置有多个所述第二凸起1211。所述第二凸起1211能够延长水汽的扩散和渗入路径，并减小所述第一过孔21孔区的所述第一透明衬底11的热应力带来的应力扩展，从而达到实现释放水汽和应力的目的，如此可进一步改善靠近所述弯折区PA的所述显示区AA出现亮度不均的问题。可选地，所述第二凸起1211的截面形状也包括方形、梯形、三角形等。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
另外需要说明的是，为了实现显示面板的显示功能，本申请的显示面板还还包括设置于所述像素定义层94上的发光功能层，而为了保护所述发光功能层，本申请的所述显示面板还包括设置于所述发光功能层上的封装层，下面将以上述实施例中的显示面板105为例说明。
具体地，请参照图13，图13为本申请提供的显示面板的部分细节结构示意图。所述发光功能层200包括发光单元201以及阴极202。所述发光单元201是由打印在所述像素定义层94的像素开口内的发光材料形成，不同颜色的发光材料形成不同颜色的发光单元，不同颜色的发光单元发射不同颜色的光，进而实现显示面板的彩色显示。比如发光单元201可以包括由红色发光材料形成的红色发光单元，由绿色发光材料形成的绿色发光单元，由蓝色发光材料形成的蓝色发光单元，红色发光单元发出红光，绿色发光单元发出绿光，蓝色发光单元发出蓝光。
所述阴极202覆于所述发光单元201以及所述像素定义层94上。所述发光单元201在对应的像素电极(如所述第一像素电极31或所述第二像素电极32)与所述阴极202的共同作用下发光。
可选地，所述发光功能层200还可包括设置于所述发光单元201与所述像素电极之间的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)；以及设置于所述发光单元201与所述阴极202之间的电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)。空穴注入层接收像素电极传输的空穴，空穴经由空穴传输层传输至发光单元201，电子注入层接收阴极202传输的电子，电子经由电子传输层传输至发光单元201，空穴和电子在发光单元201位置结合后产生激子，激子由激发态跃迁至基态释放能量并发光。
所述封装层300覆于所述发光功能层200上，用于保护所述发光功能层200的发光单元201，避免水汽入侵导致发光单元201失效。可选地，所述封装层300可采用薄膜封装，比如所述封装层300可以为由第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层三层薄膜依次层叠形成的叠层结构或更多层的叠层结构。
当然地，本申请的所述显示面板105还可包括设置于所述封装层300远离所述发光功能层200一侧的触控电极层、偏光片、盖板等结构，在此不再赘述。
根据上述实施例可知：
本申请提供一种显示面板，该显示面板包括显示区和位于显示区一侧的弯折区，显示面板还包括第一透明衬底、位于透明衬底一侧的第一无机层以及位于第一无机层远离第一透明衬底的一侧的第二无机层，第二无机层在弯折区形成有第一过孔，第一过孔贯穿第二无机层及部分第一无机层，使得第一无机层在对应第一过孔的区域保留一定厚度的整面膜层，以保护第一透明衬底，避免了水汽以及第一过孔的蚀刻制程对第一透明衬底的影响，进而避免了第一透明衬底裸露引起的靠近弯折区出现亮度不均的问题，从而解决了现有显示面板在靠近弯折区的位置存在局部亮度不均的问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (12)
1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区，所述显示面板还包括：
第一透明衬底；
位于所述第一透明衬底一侧的第一无机层；
半导体层，设置于所述第一无机层远离所述第一透明衬底的一侧；以及
第二无机层，覆于所述半导体层及所述第一无机层上；
其中，所述第二无机层在所述弯折区形成有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第二无机层及部分所述第一无机层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层包括覆于所述第一透明衬底上的第一氮化硅层以及覆于所述第一氮化硅层远离所述第一透明衬底一侧的第一氧化硅层，所述第一过孔贯穿部分或全部所述第一氧化硅层，以裸露出所述第一氮化硅层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层还包括覆于所述第一氧化硅层远离所述第一氮化硅层的第二氮化硅层，所述第一过孔还贯穿所述第二氮化硅层。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层包括依次层叠设置在所述第一透明衬底上的第一氧化硅层、第一氮化硅层、第二氧化硅层以及第二氮化硅层，所述第一过孔贯穿所述第二氮化硅层和所述第二氧化硅层，以裸露出所述第一氮化硅层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度小于所述第二氧化硅层的厚度。
7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明衬底在对应所述第一开孔的区域设置有多个第一凸起。
8.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔裸露出的所述第一无机层表面设置有多个第二凸起。
9.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔裸露出的所述第一无机层的厚度范围为1000埃至5000埃。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括临近所述显示区设置的功能区，以及设置在所述显示区的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管靠近所述功能区设置，所述显示面板还包括：
导电电极层，设置于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述第一透明衬底的一侧，在所述功能区形成有第一像素电极，在所述显示区形成有第二像素电极，所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管连接，所述第二像素电极与所述第二薄膜晶体管连接。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述导电电极层之间还设置有桥接层，所述桥接层在所述功能区形成第一桥接电极，并在所述显示区形成第二桥接电极，所述第一像素电极通过所述第一桥接电极与所述第一薄膜晶体管连接，所述第二像素电极通过所述第二桥接电极与所述第二薄膜晶体管连接。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层包括依次层叠设置的栅极绝缘层、层间绝缘层，所述栅极绝缘层面向所述半导体层设置，所述半导体层在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区，所述栅极绝缘层覆于所述半导体层及所述第一无机层上；所述显示面板还包括：
栅极层，设置于所述栅极绝缘层上，在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极，并在所述弯折区形成有第一信号转接线，所述层间绝缘层覆于所述栅极层及所述栅极绝缘层上，且所述层间绝缘层图案化形成所述第一过孔，并在所述显示区形成第二过孔；
第一源漏极层，设置于所述层间绝缘层上，在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，并在所述弯折区形成有第二信号转接线；
第一平坦化层，覆于所述第一源漏极层及所述层间绝缘层上，并填充所述第一过孔；
第二源漏极层，设置于所述第一平坦化层上，在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第二源极，并在所述弯折区形成有多个绑定走线；
第二平坦化层，覆于所述第二源漏极层及所述第一平坦化层上，所述桥接层设置所述第二平坦化层上；
第三平坦化层，覆于所述桥接层及所述第二平坦化层上，所述导电电极层设置于所述第三平坦化层上；
其中，所述栅极与所述沟道区对应设置，所述第一源极与所述源区连接，所述第一漏极与所述漏区连接，所述第二源极与所述第一漏极连接，所述第一桥接电极和所述第二桥接电极分别与对应的所述第二源极连接；所述第一信号转接线与所述第二信号转接线连接，所述绑定走线与所述第二信号转接线连接。
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