CN114574807B - 等离子体传输装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种等离子体传输装置,包括传输管道和偏压供电装置,等离子体从传输管道的入口端进入传输管道并从传输管道的出口端输出,传输管道包括至少两个沿其周向间隔分布的电极板;偏压供电装置用于对各电极板进行偏压供电并切换各电极板的供电状态以使传输管道的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变,从而防止传输管道的等离子体中的负电粒子始终向外运动撞击挂壁使管壁呈负电而破坏管壁的导电性,进而提高传输管道的传输性能的稳定性。由于传输管道的等离子体在轴壁间来回运动使等离子体之间相互碰撞,提高等离子体的离化效率。此外,通过偏压供电装置对各电极板供电,结构简单,能够有效降低等离子体传输装置的成本。

Description

等离子体传输装置
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术领域,尤其涉及一种等离子体传输装置。
背景技术
真空离子束镀膜技术广泛地应用在各种行业,机电、光学及航空航天等领域。阴极真空电弧源因其引出束流大,离化率高,能够引出离子种类多等优点广泛应用于材料表面改性领域,其中离子束沉积、离子注入是最主要的两个应用。具有工艺温度低、溅射速度快、设备简单、易于控制、镀膜面积大及附着力强等特性,非常适合于长时间批量化生产,并可应用于DLC或半导体薄膜制备等高端产业中。
阴极真空电弧源利用阴阳极间的弧放电产生等离子体,进而用以等离子体沉积镀膜。但是,在等离子体沉积过程中,阴极表面电弧斑放电剧烈,在产生高密度等离子体的同时也产生大量的宏观颗粒。其中,宏观颗粒是指直径约为几微米至几十微米的大颗粒。宏观大颗粒与等离子体的协同沉积,常常使薄膜表面粗糙度增加,膜基结合力下降,影响高质量薄膜的获得,已成为阴极真空电弧方法产业化应用中的关键技术瓶颈。
目前,主要通过电场加磁场减少宏观大颗粒的产生,或通过电场和磁场改变等离子体和宏观大颗粒的运动轨迹,从而将等离子体和宏观大颗粒分离,避免宏观大颗粒和等离子体协调沉积。但是,在镀膜设备中同时设置电场和磁场,会有以下缺陷:
一、偏压电场将正负离子分离,使正离子被束缚于管道中部,负离子被吸引至管壁,当大量负离子被吸附沉积至管壁,导致管壁呈负电而将正离子向管壁吸引,影响传输管道的传输性能;
二、线圈多、能耗大,电磁干扰高影响粒子的稳定性;
三、所需电源多,导致成本较高;
四、设置多级磁场和电场对宏观大颗粒的过滤效果较佳,但是结构和控制方式复杂;
五、磁过滤宏观大颗粒的过程中,在弯管接偏压电源,等离子束受到磁场作用轰击弯管,产生的弧流经弯管偏压释放,其弧流经常大至上百安培,会引起偏压电源自我保护而停机,从而影响等离子体的稳定输出。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子体传输装置,能够提高等离子体传输的稳定性、降低成本且结构简单。
为了实现上述目的,本发明提供了一种等离子体传输装置,包括:
传输管道,等离子体从所述传输管道的入口端进入所述传输管道并从所述传输管道的出口端输出,所述传输管道包括至少两个沿其周向间隔分布的电极板;
偏压供电装置,所述偏压供电装置用于对各所述电极板进行偏压供电并切换各所述电极板的供电状态以使所述传输管道的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变。
可选地,多个所述电极板间隔设置于所述传输管道的内壁,所述传输管道与所述电极板绝缘;或
所述传输管道由多个主体板和多个所述电极板交替拼接形成,所述主体板与所述电极板绝缘。
可选地,至少两个所述电极板关于所述传输管道的轴心旋转对称。
可选地,所述偏压供电装置包括偏压电源和电源控制器,所述偏压电源与所述电源控制器连接,所述电源控制器对各所述电极板的供电状态进行切换。
可选地,所述装置还包括导电环,所述导电环与所述电源控制器连接,所述导电环套接于所述传输管道并分别与每一所述电极板连接,所述偏压电源通过所述电源控制器和所述导电环对多个所述电极板供电。
可选地,所述等离子体传输装置还包括电位中和器,所述电位中和器的一端连接所述电极板远离所述导电环的一端,其另一端接地。
可选地,所述电位中和器包括至少两CR电路,每一所述CR电路包括相互串联的电容和电阻,至少两所述CR电路分别连接至少两所述电极板。
可选地,所述装置包括三个旋转对称的所述电极板,所述电源控制器为三相IC控制器,所述导电环为三相导电环,三个所述电极板通过所述三相导电环分别连接至所述三相IC控制器的三相,所述三相IC控制器与所述偏压电源连接;所述三相IC控制器将所述偏压电源转化为三相电以分别对三个所述电极板进行供电。
可选地,所述装置包括四个旋转对称的所述电极板,所述电源控制器为三相IC控制器,所述导电环为三相导电环,所述三相IC控制器的第一相通过所述三相导电环的第一相连接至两个相互对称的所述电极板,所述三相IC控制器的第二相和第三相通过所述三相导电环的第二相和第三相分别连接至另外两所述电极板,所述三相IC控制器与所述偏压电源连接;所述三相IC控制器将所述偏压电源转化为三相电以分别对四个所述电极板进行供电。
可选的,还包括冷却流体入口、冷却流体通道和冷却流体出口,所述冷却流体入口和所述冷却流体出口分别开设于所述传输管道的侧壁靠近所述入口端和所述出口端的位置,所述冷却流体入口外接外部冷却***,所述外部冷却***的冷却流体自所述冷却流体入口流入所述冷却流体通道,从所述冷却流体出口输出,以对所述电极板进行降温。
本发明的等离子体传输装置中,至少两个电极板沿传输管道的周向间隔分布,偏压电源被配置为对各电极板的供电状态进行切换以使传输管道中的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变,使得等离子体能够在传输管道的管中心轴和管壁间来回运动,从而防止传输管道内的等离子体中的负电粒子始终向外运动撞击挂壁使管壁呈负电导致正离子被吸附沉积破坏管壁导电性,进而提高传输管道的传输性能的稳定性。同时,由于传输管道的等离子体在轴壁间来回运动,使等离子体之间相互碰撞,进而提高等离子体的离化效率。此外,通过偏压供电装置对各电极板供电,结构简单,能够有效降低等离子体传输装置的成本。
附图说明
图1是本发明实施例等离子体传输装置的结构图。
图2是本发明实施例传输管道的出口端的截面示意图。
图3是本发明另一实施例等离子体传输装置的结构图。
图4是本发明另一实施例传输管道的端口的截面示意图。
图5是本发明另一实施例等离子体传输装置的等离子束形状变化图。
具体实施方式
为了详细说明本发明的技术内容、构造特征、实现的效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
如图1至图5所示,本发明实施例公开了一种等离子体传输装置,包括传输管道10和偏压供电装置20,等离子体从传输管道10的入口端进入传输管道10并传输管道10的出口端输出,传输管道10包括至少两个沿其周向间隔分布的电极板11,偏压供电装置20用于对各电极板11进行偏压供电并切换各电极板11的供电状态以使传输管道10的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变。
本发明实施例中,至少两个电极板11沿传输管道10的周向间隔分布,偏压供电装置20被配置为对电极板11的供电状态进行切换以使传输管道10的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变,使得等离子体能够在传输管道10的管中心轴和管壁间来回运动,从而防止传输管道10内的等离子体中的电子和负电粒子始终向外运动撞击挂壁使管壁呈负电而导致正离子被吸附沉积破坏管壁导电性,进而提高传输管道10的传输性能的稳定性。同时,由于传输管道10的等离子体在轴壁间来回运动,使等离子体之间相互碰撞,进而提高等离子体的离化效率。此外,通过偏压供电装置20对各电极板11供电,结构简单,能够有效降低等离子体传输装置的成本。
需要说明的是,本发明实施例的等离子传输装置中,“向外运动”是指等离子体向靠近传输管道10的管壁的方向运动,“向内运动”是指等离子体向靠近传输管道10的管中心轴的方向运动;“负电粒子”包括负离子和/或电子。
可以理解的是,为了使等离子体在整个传输管道10中的传输过程都能够根据电极板11的供电状态在向外运动和向内运动之间来回改变,每一电极板11自传输管道10的入口端延伸至传输管道10的出口端。
本发明实施例中,多个电极板11可以间隔设置于传输管道10的内壁,传输管道10与电极板11绝缘,从而当偏压供电装置20切换各电极板11的供电状态时,各电极板11与传输管道10之间形成电压差而形成不同方向的电场,从而使等离子体向内运动或向外运动。由于电极板11与传输管道10之间绝缘,能够防止电极板11带电时使传输管道10也带电,使多个电极板11供电状态的切换无法使传输管道10的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变。
可以理解的是,为了将电极板11稳定地安装在传输管道10的内壁,可以通过螺丝或卡箍等紧固件将电极板11紧固在传输管道10的内壁上。
电极板11要求良好的导电性,优选地,电极板11可以是铜极板。当然,电极板11也可以由其他导电材料制成,比如铝、不锈钢等;传输管道10可以由不锈钢制成,需设置为与电极板11绝缘。
如图1和图3所示,传输管道10中的等离子体束流图中箭头表示所指的方向输出。
如图2和图4所示,传输管道10还可以由多个主体板12和多个电极板11交替拼接形成,主体板12与电极板11绝缘,当偏压供电装置20切换各电极板11的供电状态时,各电极板11形成不同方向的电场,从而使等离子体在向内运动和向外运动之间来回改变。将电极板11和主体板12交替拼接形成传输管道10,能够降低传输管道10的成本。
由于电极板11与主体板12之间绝缘,能够防止电极板11带电时使主体板12也带电,从而使整个传输管道10均带电,使偏压供电装置20切换时无法改变各电极板11电位,进而无法控制等离子体来回运动。
可以理解的是,为了保证电极板11和主体板12之间拼接的密封性以保证传输管道10内的真空环境,可以在接触面加工密封槽放入密封圈,再通过螺丝或卡箍等紧固件将电极板11和主体板12固定拼接在一起。
电极板11要求良好的导电性,优选地,电极板11可以是铜极板。当然电极板11也可以由其他导电材料制成,比如铝、不锈钢等;主体板12可以由不锈钢制成,需设置为与电极板11绝缘。
如图2和图4所示,至少两个电极板11关于传输管道10的轴心旋转对称,有利于偏压供电装置20对等离子体的向内运动和向外运动的控制。
需要说明的是,“旋转对称”并非仅指将各电路板11关于传输管道10的轴线旋转一定角度后与原始状态完全重合,还包括各电路板11关于传输管道10的轴线旋转一定角度后与原始状态部分重合的情况,比如,各电极板11的中心轴线沿传输管道10的轴线等距设置,各电路板11的大小不一,将各电路板11关于传输管道10的轴线旋转一定角度后,各电路板11的中心轴线与原始状态时各电路板11的中心轴线完全重合,但各电路板11之间不完全重合;又比如个电极板11关于传输管道11的中心轴线旋转一定角度后,各电路板11与旋转前的状态仅电路板11的部分重合。
为了方便偏压供电装置20对各电极板11的供电状态进行切换,偏压供电装置20包括偏压电源21和电源控制器22,偏压电源21与电源控制器22连接,电源控制器22对各电极板11的供电状态进行切换。
进一步地,等离子体传输装置还包括导电环30,导电环30与电源控制器22连接,导电环30套接于传输管道10并分别与每一电极板11连接,偏压电源21通过电源控制器22和导电环30对多个电极板11供电,从而使电源控制器22和电极板11之间的连接更为稳定且能够提高安全性。
如图1和图3所示,等离子体传输装置还包括电位中和器40,电位中和器40的一端连接电极板11远离导电环30的一端,其另一端接地,以使电源控制器22停止对任一电极板11供电时,该电极板11的电荷能够迅速释放至接地端,从而使电极板11的能量在短时间内释放,提高传输管道10的电路稳定性。
具体地,电位中和器40包括至少两CR电路,每一所述CR电路包括相互串联的电容C和电阻R,至少两所述CR电路分别连接至少两所述电极板11。
具体地,每一CR电路分别连接一电极板11;每一CR电路中,电容C的一端连接电极板11,电容C的另一端连接电阻R的一端,电阻R的另一端接地,电源控制器22对任意电极板11供电时,电流流经该电极板11至电容C,电容C对电荷进行存储,当电源控制器22对该电极板11断电时,电容C上存储的电荷释放至电阻R流入接地端,从而实现电极板11的能量的快速释放,保护传输管道10的稳定性。
更具体地,电容C的总电容C量大于等于10000μF,耐压值大于等于200V,电阻R的阻值大于等于1000Ω。当然,电容C和电阻R可以根据实际需求匹配设置。
当然,电位中和器40不限于上述具体示例,也可以设置为其他能够使电极板11被供电时上电极板11保持电位,而电极板11断电时其上电荷迅速进行释放的器件。
如图1和图2所示,等离子传输装置包括三个旋转对称的电极板11,电源控制器22为三相IC控制器,导电环30为三相导电环,三个电极板11通过三相导电环分别连接至三相IC控制器的三相,三相IC控制器与偏压电源21连接;三相IC控制器将偏压电源21转化为三相电以分别对三个电极板11进行供电。
具体而言,如图2所示,三相IC控制器的三相分别为X相、Y相和Z相,三个电极板11沿传输管道10的周向间隔分布,三个电极板11通过三相导电环的分别连接至三相IC控制器的X相、Y相和Z相,三个电极板11分别为第一电极板、第二电极板和第三电极板,第一电极板连接X相,第二电极板连接Y相,第三电极板连接Z相。偏压电源21为脉冲偏压,偏压电源21能够控制相IC控制器的X相、Y相和Z相输出的波形、大小、占空比等参数,通过控制三相IC控制器的输出方式,三相IC控制器的两相同时接通,能够实现对应的两电极板11同时带电,比如,当X相和Y相两相同时接通时,第一电极板和第二电极板呈正电位,在第一电极板和第二电极板形成的电场作用下,等离子体中的正离子偏向第三电极板运动,等离子体中的负电粒子偏向第一电极板和第二电极板运动,等离子体束流的形状为偏向第三电极板的椭球状;当X相和Z相两相同时接通时,第一电极板和第三电极板呈正电位,在第一电极板和第三电极板形成的正偏压电场作用下,等离子体中的正离子偏向第二电极板运动,等离子体中的负电粒子偏向第一电极板和第三电极板运动,等离子体束流的形状为偏向第二电极板的椭球状;当Y相和Z相两相同时接通时,第二电极板和第三电极板呈正电位,在第二电极板和第三电极板形成的正偏压电场作用下,等离子体中的正离子偏向第一电极板运动,等离子体中的负电粒子偏向第二电极板和第三电极板运动,等离子体束流的形状为偏向第一电极板的椭球状;在三相IC控制器和三相导电环的相位快速变化下,传输管道10中的等离子体快速在向内运动和向外运动之间来回改变,使传输管道10中的等离子体能够形成束缚于传输管道10中部的等离子体束流,进而在传输管道10的出口端能够形成较为稳定的梅花状等离子体束流(如图2所示),使等离子体的沉积更稳定。
如图3至图5所示,等离子传输装置包括四个电极板11,电源控制器22为三相IC控制器,导电环为三相导电环,三相IC控制器的第一相通过三相导电环的第一相连接至两个相互对称的电极板11,三相IC控制器的第二相和第三相通过三相导电环的第二相和第三相分别连接至另外两电极板11,三相IC控制器与偏压电源21连接;三相IC控制器将偏压电源21转化为三相电以分别对四个电极板11进行供电。
具体而言,如图4和图5所示,三相IC控制器的三相分别为X相、Y相和Z相,四个电极板11沿传输管道10的周向等距间隔设置,四个电极板11通过三相导电环分别连接至三相IC控制器的三相,四个电极板11分别为第一电极板、第二电极板、第三电极板和第四电极板,第一电极板和第三电极板连接X相,第二电极板连接Y相,第四电极板连接Z相。偏压电源21为脉冲偏压,偏压供电装置20能够控制相IC控制器的X相、Y相和Z相输出的波形、大小、占空比等参数,通过控制三相IC控制器的输出方式,三相IC控制器的两相同时接通,能够实现两电极板11或三电极板11同时带电,比如,当X相和Y相两相同时接通时,第一电极板、第二电极板和第三电极板呈正电位,在第一电极板、第二电极板和第三电极板形成的正偏压电场作用下,等离子体中的正离子偏向第四电极板运动,等离子体中的负电粒子偏向第一电极板、第二电极板和第三电极板运动,等离子体束流的形状为偏向第四电极板的椭球状;当X相和Z相两相同时接通时,第一电极板、第三电极板和第四电极板呈正电位,在第一电极板、第三电极板和第四电极板形成的正偏压电场作用下,等离子体中的正离子偏向第二电极板运动,等离子体中的负电粒子偏向第一电极板、第三电极板和第四电极板运动,等离子体束流的形状为偏向第二电极板的椭球状;当Y相和Z相两相同时接通时,第二电极板和第三电极板呈正电位,在第二电极板和第四电极板形成的正偏压电场作用下,等离子体中的正离子偏向第一电极板和第三电极板运动,等离子体中的负电粒子偏向第二电极板和第四电极板运动,等离子体束流的形状为偏向第一电极板和第三电极板的哑铃状;在三相IC控制器和三相导电环的相位快速变化下,传输管道10中的等离子体快速在向内运动和向外运动之间来回改变,使传输管道10中的等离子体能够形成束缚于传输管道10中部的等离子束流,传输管道10的出口端能够形成偏向第一电极板和第三电极板的扫描式等离子束流(如图5所示),使等离子体的沉积更均匀。
本发明实施例中,电源控制器22对各电极板11的供电状态的切换不限于上述具体示例,比如,电源控制器22也可以对各电极板11同时供电和同时断电,当电源控制器22对各电极板11供电时,等离子体中的正离子向内运动,负离子向外运动,当电源控制器22对各电极板11断电时,等离子体的正负离子相互吸引,正离子向外运动,负离子向内运动,从而使等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变。又比如,电源控制器22还可以对各电极板11进行切换供电,比如,同一时刻仅对其中一电极板11供电,随电源控制器22对各电极板进行切换供电,各电极板11在传输管道10中形成各方向不同的正电场,从而使等离子体在向内运动和向外运动之间来回改变。因此,本发明实施例对电源控制器22对各电极板11的供电状态的切换方式不作限制,只要能够使等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变即可。
当然,本发明实施例中,电极板11数量不限于上述具体示例,传输管道10中的等离子束流形状也不限于上述具体示例,等离子束流根据电极板11数量和三相IC控制器的设置形成一定形状。
可以理解的是,为了防止电极板11过热,等离子体传输装置还包括冷却流体入口50、冷却流体通道52和冷却流体出口51,冷却流体入口50和冷却流体出口51分别开设于传输管道10的侧壁靠近的入口端和出口端的位置,冷却流体入口50外接外部冷却***,外部冷却***的冷却流体自冷却流体入口50流入冷却流体通道52,从冷却流体出口51输出,以对电极板11进行降温。
具体而言,如图1至图4所示,传输管道10由电极板11和主体板12依次交替拼接形成,每一电极板11的中部贯穿形成有冷却流体通道52,每一电极板11靠近入口端的位置开设有冷却流体入口50,每一电极板11靠近出口端的位置开设有冷却流体出口51,外部冷却***将冷却流体从冷却流体入口50送入每一电极板11中的冷却流体通道52中,从而实现对电极板11的降温散热。
在另外一些实施例中,也可以在传输通道10的外侧形成夹层(图未示),冷却流体通道52为该夹层,冷却流体入口50和冷却流体出口51分别设置在传输通道10靠近入口端和出口端的位置,外部冷却***将冷却流体从冷却流体入口50输入冷却流体通道52,即能够对分布在传输通道10上的电极板11进行降温散热,也能够对传输通道10进行降温散热。
如图1和图3所示,等离子体通过设置在传输管道10的入口端的阴极弧源60和直流弧电源70产生,直流弧电源70的正极连接传输管道10,直流弧电源70的阴极连接阴极弧源60,阴极弧源60在直流弧电源70工作时产生等离子体。通过将直流弧电源70的正极连接传输管道10,负极连接阴极弧源60,在直流弧电源70工作时,实现引弧和稳定烧蚀,以产生等离子体。
需要注意的是,当传输管道10由主体板12和电极板11交替拼接形成时,直流弧电源70的正极连接至主体板12。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已,其作用是方便本领域的技术人员理解并据以实施,当然不能以此来限定本发明的之权利范围,因此依本发明的申请专利范围所作的等同变化,仍属于本发明的所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种等离子体传输装置,其特征在于,包括:
传输管道,等离子体从所述传输管道的入口端进入所述传输管道并从所述传输管道的出口端输出,所述传输管道包括至少两个沿其周向间隔分布的电极板,至少两个所述电极板关于所述传输管道的轴心旋转对称;
偏压供电装置,所述偏压供电装置用于对各所述电极板进行偏压供电并切换各所述电极板的供电状态以使所述传输管道的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变;
所述偏压供电装置包括偏压电源和电源控制器,所述偏压电源与所述电源控制器连接,所述电源控制器对各所述电极板的供电状态进行切换;
所述装置还包括导电环,所述导电环与所述电源控制器连接,所述导电环套接于所述传输管道并分别与每一所述电极板连接,所述偏压电源通过所述电源控制器和所述导电环对多个所述电极板供电;
所述装置包括三个旋转对称的所述电极板,所述电源控制器为三相IC控制器,所述导电环为三相导电环,三个所述电极板通过所述三相导电环分别连接至所述三相IC控制器的三相,所述三相IC控制器与所述偏压电源连接;所述三相IC控制器将所述偏压电源转化为三相电以分别对三个所述电极板进行供电。
2.根据权利要求1所述的等离子体传输装置,其特征在于,
多个所述电极板间隔设置于所述传输管道的内壁,所述传输管道与所述电极板绝缘;或
所述传输管道由多个主体板和多个所述电极板交替拼接形成,所述主体板与所述电极板绝缘。
3.根据权利要求1所述的等离子体传输装置,其特征在于,还包括电位中和器,所述电位中和器的一端连接所述电极板远离所述导电环的一端,其另一端接地。
4.根据权利要求3所述的等离子体传输装置,其特征在于,所述电位中和器包括至少两CR电路,每一所述CR电路包括相互串联的电容和电阻,至少两所述CR电路分别连接至少两所述电极板。
5.根据权利要求1所述的等离子体传输装置,其特征在于,还包括冷却流体入口、冷却流体通道和冷却流体出口,所述冷却流体入口和所述冷却流体出口分别开设于所述传输管道的侧壁靠近所述入口端和所述出口端的位置,所述冷却流体入口外接外部冷却***,所述外部冷却***的冷却流体自所述冷却流体入口流入所述冷却流体通道,从所述冷却流体出口输出,以对所述电极板进行降温。
6.一种等离子体传输装置,其特征在于,包括:
传输管道,等离子体从所述传输管道的入口端进入所述传输管道并从所述传输管道的出口端输出,所述传输管道包括至少两个沿其周向间隔分布的电极板,至少两个所述电极板关于所述传输管道的轴心旋转对称;
偏压供电装置,所述偏压供电装置用于对各所述电极板进行偏压供电并切换各所述电极板的供电状态以使所述传输管道的等离子体在向外运动和向内运动之间来回改变;
所述偏压供电装置包括偏压电源和电源控制器,所述偏压电源与所述电源控制器连接,所述电源控制器对各所述电极板的供电状态进行切换;
所述装置还包括导电环,所述导电环与所述电源控制器连接,所述导电环套接于所述传输管道并分别与每一所述电极板连接,所述偏压电源通过所述电源控制器和所述导电环对多个所述电极板供电;
所述装置包括四个旋转对称的所述电极板,所述电源控制器为三相IC控制器,所述导电环为三相导电环,所述三相IC控制器的第一相通过所述三相导电环的第一相连接至两个相互对称的所述电极板,所述三相IC控制器的第二相和第三相通过所述三相导电环的第二相和第三相分别连接至另外两所述电极板,所述三相IC控制器与所述偏压电源连接;所述三相IC控制器将所述偏压电源转化为三相电以分别对四个所述电极板进行供电;
所述三相IC控制器的三相分别为X相、Y相和Z相,所述四个电极板沿所述传输管道的周向等距间隔设置,四个所述电极板通过所述三相导电环分别连接至所述三相IC 控制器的三相,四个所述电极板分别为第一电极板、第二电极板、第三电极板和第四电极板,所述第一电极板和所述第三电极板连接X相,所述第二电极板连接Y相,所述第四电极板连接Z相。
7.根据权利要求6所述的等离子体传输装置,其特征在于,
多个所述电极板间隔设置于所述传输管道的内壁,所述传输管道与所述电极板绝缘;或
所述传输管道由多个主体板和多个所述电极板交替拼接形成,所述主体板与所述电极板绝缘。
8.根据权利要求6所述的等离子体传输装置,其特征在于,还包括电位中和器,所述电位中和器的一端连接所述电极板远离所述导电环的一端,其另一端接地。
9.根据权利要求8所述的等离子体传输装置,其特征在于,所述电位中和器包括至少两CR电路,每一所述CR电路包括相互串联的电容和电阻,至少两所述CR电路分别连接至少两所述电极板。
10.根据权利要求6所述的等离子体传输装置,其特征在于,还包括冷却流体入口、冷却流体通道和冷却流体出口,所述冷却流体入口和所述冷却流体出口分别开设于所述传输管道的侧壁靠近所述入口端和所述出口端的位置,所述冷却流体入口外接外部冷却***,所述外部冷却***的冷却流体自所述冷却流体入口流入所述冷却流体通道,从所述冷却流体出口输出,以对所述电极板进行降温。
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