CN114447139B - 太阳能电池片及其划片方法、光伏组件 - Google Patents

太阳能电池片及其划片方法、光伏组件 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种太阳能电池片及其划片方法及光伏组件，所述太阳能电池片包括位于其一表面的狭长型激光划片槽，所述激光划片槽包括第一划槽、位于所述第一划槽底部的第二划槽，所述第一划槽和所述第二划槽分别由光斑尺寸不同的两束激光依次划得。本发明通过将第二划槽设置于所述第一划槽的底部，且所述第二划槽的直径不大于所述第一划槽的直径，可以使得整个激光划片槽的宽度降低5％～20％；且在形成所述第二划槽的过程中不再累加形成热影响区域，形成的激光划片槽的热影响宽度相较于现有划片工艺降低5％～10％；对太阳能电池片的损伤变小，形成微裂纹的比例相应降低50％，大大提高了光伏组件的载荷能力。

Description

太阳能电池片及其划片方法、光伏组件
技术领域
本发明涉及光伏领域，尤其涉及一种能够减少微裂纹的太阳能电池片及其划片方法及光伏组件。
背景技术
随着市场对光伏组件功率要求越来越高，光伏组件版型也变的越来越大，另外为降低组件成本，太阳能电池片也在往薄片化方向发展；导致光伏组件载荷风险也相应增加。研究发现，载荷测试中，裂片起点主要从切口区微裂纹开始。
有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳能电池片及其划片方法及光伏组件，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够减少微裂纹的太阳能电池片及其划片方法及由掰片后形成的条形太阳能电池片形成的光伏组件。
为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：
一种太阳能电池片，包括位于其一表面的狭长型激光划片槽，所述激光划片槽包括第一划槽及位于所述第一划槽底部的第二划槽，所述第一划槽和第二划槽分别由光斑尺寸不同的两束激光依次划得。
进一步地，所述第二划槽的槽口宽度小于所述第一划槽的槽底宽度。
进一步地，所述第二划槽的深度大于所述第一划槽的深度。
进一步地，所述第一划槽的深度与所述第二划槽的深度的比值介于1:5～1:10。
进一步地，所述第一划槽在宽度方向上的中心与所述第二划槽在宽度方向上的中心重合。
进一步地，所述第一划槽的截面呈梯形；所述第二划槽的截面呈三角形。
一种太阳能电池片的划片方法，包括如下步骤：
采用第一激光束在太阳能电池片的划道上划片形成第一划槽；
采用第二激光束在所述第一划槽的底部进行划片形成第二划槽；
其中，所述第一激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸大于所述第二激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸。
进一步地，所述第一激光束的划片次数小于所述第二激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸的划片次数。
进一步地，所述第一激光束划片1～2刀；所述第二激光束划片2～8刀。
进一步地，所述第一激光束与所述第二激光束同轴。
进一步地，所述第一激光束的频率大于所述第二激光束的频率，和/或，所述第一激光束的脉冲宽度大于所述第二激光束的脉冲宽度。。
进一步地，所述第一激光束的光斑大小在30um～40um，频率范围在500KHZ～4000KHZ，脉冲宽度范围为45ns～65ns；所述第二激光束的光斑大小在20um～30um，频率范围在400KHZ～4000KHZ，脉冲宽度范围为20ns～40ns。
一种光伏组件，包括若干相互串联的太阳能电池片，相邻的所述太阳能电池片的边缘呈交叠设置，所述太阳能电池片的边缘在厚度方向上具有第一激光切割区域和第二激光切割区域，所述第一激光切割区域、所述第二激光切割区域分别由两束激光依次划得。
进一步地，所述边缘还具有位于所述第二激光区域背离所述第一激光切割区域的机械断裂区域，所述第一激光切割区域、所述第二激光切割区域及所述机械断裂区域不在同一个平面上。
进一步地，所述第一激光切割区域包括倾斜区域、平台区域；或所述第一激光切割区域为一个倾斜的区域。
本发明的有益效果是：相较于传统的划片工艺，本发明先通过在太阳能电池片上形成的光斑尺寸较大的第一激光束在太阳能电池片表面形成第一划槽，再通过在太阳能电池片上形成的光斑尺寸较小的第二激光束在所述第一划槽的底部形成第二划槽，使得整个激光划片槽的宽度降低5％～20％；且所述第二划槽的形成过程不再累加形成热影响区域，形成的激光划片槽的热影响宽度相较于现有划片工艺降低5％～10％；对太阳能电池片的损伤变小，形成微裂纹的比例相应降低50％，大大提高了光伏组件的载荷能力。
附图说明
图1是采用传统划片工艺划片后的太阳能电池片的截面图；
图2是采用本发明的划片方法划片后的太阳能电池片的立体图；
图3是图2的截面图；
图4是图3掰片后的示意图；
图5是掰片后的又一实施例的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
在本发明的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本发明的主题的基本结构。
目前划片工艺主要为振镜方式，在太阳能电池片上1'的同一位置，采用相同的划片工艺进行多次划片，以达到划片深度要求。研究发现，这样的划片工艺也会对同一位置划片槽2'两边形成累加的热灼烧效果，形成微裂纹，导致组件受力时，从微裂纹开始进行裂片。因此，优化划片工艺，减少微裂纹，降低载荷风险，势在必行。
请参阅图2和图3所示，本发明的太阳能电池片的划片工艺包括如下步骤：采用第一激光束在太阳能电池片1的划道上划片形成狭长型的第一划槽21；采用第二激光束在所述第一划槽的底部进行划片形成狭长型的第二划槽22；所述第一滑槽21与所述第二滑槽22共同构成一狭长型的激光划片槽2。
其中，所述第一激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸大于所述第二激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸。一般情况下，光斑为圆形，光斑尺寸即光斑的直径。
相较于传统的划片工艺，本发明先通过在太阳能电池片上形成的光斑尺寸较大的第一激光束在太阳能电池片1表面形成第一划槽21，再通过在太阳能电池片上形成的光斑尺寸较小的第二激光束在所述第一划槽21的底部形成第二划槽22，由所述第一划槽21和所述第二划槽22构成的整个激光划片槽2的宽度降低5％～20％；且所述第二划槽22的形成过程不再累加形成热影响区域，形成的激光划片槽2的热影响宽度相较于现有划片工艺降低5％～10％；对太阳能电池片1的损伤变小，形成微裂纹的比例相应降低50％，大大提高了光伏组件的载荷能力。
一优选的实施例中，所述第一激光束的光斑大小在30um～40um，所述第二激光束的光斑大小在20um～30um。
所述第一激光束的划片次数小于所述第二激光束的划片次数，形成的所述第一划槽21的深度小于所述第二划槽22的深度。通过减少第一激光束的划片次数，相对地增大第二激光束的划片次数，在保证整个激光划片槽2深度的前提下，尽可能地减小整个激光划片槽2的宽度，减少热影响宽度以及降低隐裂比例。
一优选实施例中，所述第一激光束划片1～2刀；所述第二激光束划片2～8刀。
进一步地，所述第一激光束与所述第二激光束同轴，因此在宽度方向上所述第一划槽21的中心与所述第二划槽22的中心重合，避免在形成所述第二划槽22时，由于所述第二激光束的一侧超出所述第一划槽21而增加热影响区域的宽度。
另，所述第一激光束的频率大于所述第二激光束的频率，因此第一激光束的输出功率大于所述第二激光束的输出功率，第一激光束划片的线宽大于第二激光束划片的线宽，在形成所述第二划槽22时，减小或不再形成热影响区域，减少对太阳能电池片1的损伤。
一优选实施例中，所述第一激光束的频率范围在500KHZ～4000KHZ，所述第二激光束的频率范围在400KHZ～4000KHZ。
所述第一激光束的脉冲宽度大于所述第二激光束的脉冲宽度；因此第一激光束的单点能量大于所述第二激光束的单点能量，第一激光束划片的线宽大于第二激光束划片的线宽，在形成所述第二划槽22时，减小或不再形成热影响区域，减少对太阳能电池片1的损伤。
一优选实施例中，所述第一激光束的脉冲宽度为45ns～65ns；所述第二激光束的脉冲宽度为20ns～40ns。
一具体实施例中，选用光斑大小在30um～40um、频率范围在500KHZ～4000KHZ、脉冲宽度范围为45ns～65ns的激光作为第一激光束，在太阳能电池片的划片道划1～2刀形成第一划槽21；再以光斑大小在20um～30um、频率范围在400KHZ～4000KHZ、脉冲宽度范围为20ns～40ns的激光作为第二激光束，在第二激光束与第一激光束同轴的情况下，在第一划槽21的底部划2～8刀，形成所述第二划槽22。
本发明还提供一种太阳能电池片1，包括位于其一表面的狭长型激光划片槽2，所述激光划片槽2包括第一划槽21、位于所述第一划槽21底部的第二划槽22，所述第一划槽21和第二划槽22分别由光斑尺寸不同的两个激光束依次划得，包括但不限于采用上述太阳能电池片划片方法。
通过将第二划槽22设置于所述第一划槽21的底部，且所述第二划槽22的槽口宽度不大于所述第一划槽21的槽底宽度，可以使得整个激光划片槽2的宽度降低5％～20％；且在形成所述第二划槽22的过程中不再累加形成热影响区域，形成的激光划片槽2的热影响宽度相较于现有划片工艺降低5％～10％；对太阳能电池片1的损伤变小，形成微裂纹的比例相应降低50％，大大提高了光伏组件的载荷能力。
进一步地，所述第二划槽22的深度大于所述第一划槽21的深度。通过减少第一划槽21的深度，相对地增大第二划槽22的深度，在保证整个激光划片槽2深度的前提下，尽可能地减小整个激光划片槽2的宽度，减少热影响宽度以及降低隐裂比例。
优选地，所述第一划槽21的深度与所述第二划槽的深度22的比值介于1:5～1:10。整个激光划片槽2的深度是太阳能电池片1的深度的40％～60％，便于后续掰片。
进一步地，所述第一划槽21在宽度方向上的中心与所述第二划槽22在宽度方向上的中心重合，一方面避免在形成所述第二划槽22时对所述第一划槽21的侧壁造成破坏，扩大热影响宽度；另一方面在后续掰片时，所述激光划片槽2两侧的受力较为均匀，以免对太阳能电池片1造成不必要的损伤。
激光束的光斑的能量呈高斯分布，光斑中心的能量比边缘的能量大，且划片过程中，硅片气化后粉末若未及时逸出会在形成的划槽的两侧沉积，因此若同一激光束在同一位置连续多次划片，会形成一截面呈类锥形的划片槽。。本发明中，所述激光划片槽2通过光斑尺寸不同的两个激光束依次划得，一优选实施例中，所述第一划槽21的截面呈梯形；所述第二划槽22的截面呈三角形，方便划片与后续掰片。
请参阅图4和图5所示，由上述太阳能电池片1掰片后形成的条形太阳能电池片3，其边缘在厚度方向上分布有由两道激光光束分别切割而形成的有第一激光切割区域31和第二激光切割区域32，所述边缘还包括位于所述第二激光区域背离所述第一激光切割区域31的机械断裂区域33。
优选地，所述第一激光切割区域31、所述第二激光切割区域32及所述机械断裂区域33不在同一个平面上；该两个激光区域分别由上述第一滑槽21、第二滑槽22形成，所述机械断裂面为沿所述第二滑槽22的底部掰裂形成。
其中，如图4所示，所述第二滑槽22的槽口小于所述第一滑槽21的槽底宽度一致时，所述第一激光切割区域31呈台阶状，包括倾斜区域311、平台区域312；或如图5所示，所述第二滑槽22的槽口与所述第一滑槽21的槽底宽度一致时，所述第一激光切割区域31为一个倾斜的区域。
本发明还提供一种光伏组件，包括若干相互串联的条形太阳能电池片3，相邻的所述条形太阳能电池片3的边缘呈交叠设置，所述条形太阳能电池片3如上设置。
具体地，其边缘在厚度方向上具有第一激光切割区域31和第二激光切割区域32，所述第一激光切割区域31、所述第二激光切割区域32分别由两束激光依次划得。优选地，所述边缘还具有位于所述第二激光区域背离所述第一激光切割区域31的机械断裂区域33，所述第一激光切割区域31、所述第二激光切割区域32及所述机械断裂区域33不在同一个平面上，所述第一激光切割区域31包括倾斜区域311、平台区域312；或所述第一激光切割区域31为一个倾斜的区域。
综上所述，本发明先通过在太阳能电池片上形成的光斑尺寸较大的第一激光束在太阳能电池片表面形成第一划槽21，再通过在太阳能电池片上形成的光斑尺寸较小的第二激光束在所述第一划槽21的底部形成第二划槽22，使得整个激光划片槽2的宽度降低5％～20％；且所述第二划槽22的形成过程不再累加形成热影响区域，形成的激光划片槽2的热影响宽度相较于现有划片工艺降低5％～10％；对太阳能电池片的损伤变小，形成微裂纹的比例相应降低50％，大大提高了光伏组件的载荷能力。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种太阳能电池片，包括位于其一表面的狭长型激光划片槽，其特征在于，所述激光划片槽包括第一划槽及位于所述第一划槽底部的第二划槽，所述第一划槽和第二划槽分别由光斑尺寸不同的两束激光依次划得；形成所述第一划槽的第一激光束的划片次数小于形成所述第二划槽的第二激光束的划片次数；所述第二划槽的深度大于所述第一划槽的深度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第二划槽的槽口宽度不大于所述第一划槽的槽底宽度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第一划槽的深度与所述第二划槽的深度的比值介于1:5～1:10。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第一划槽在宽度方向上的中心与所述第二划槽在宽度方向上的中心重合。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第一划槽的截面呈梯形；所述第二划槽的截面呈三角形。
6.一种太阳能电池片的划片方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用第一激光束在太阳能电池片的划道上划片形成第一划槽；
采用第二激光束在所述第一划槽的底部进行划片形成第二划槽；
其中，所述第一激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸大于所述第二激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸；所述第一激光束的划片次数小于所述第二激光束在太阳能电池片上的光斑尺寸的划片次数；所述第二划槽的深度大于所述第一划槽的深度。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池片的划片方法，其特征在于，所述第一激光束划片1～2刀；所述第二激光束划片2～8刀。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池片的划片方法，其特征在于，所述第一激光束与所述第二激光束同轴。
9.根据权利要求6所述的太阳能电池片的划片方法，其特征在于，所述第一激光束的频率大于所述第二激光束的频率，和/或，所述第一激光束的脉冲宽度大于所述第二激光束的脉冲宽度。
10.根据权利要求6所述的太阳能电池片的划片方法，其特征在于，所述第一激光束的光斑大小在30um～40um，频率范围在500KHZ～4000KHZ，脉冲宽度范围为45ns～65ns；所述第二激光束的光斑大小在20um～30um，频率范围在400KHZ～4000KHZ，脉冲宽度范围为20ns～40ns。
11.一种光伏组件，包括若干相互串联的太阳能电池片，相邻的所述太阳能电池片的边缘呈交叠设置，其特征在于，所述太阳能电池片的边缘在厚度方向上具有第一激光切割区域和第二激光切割区域，所述第一激光切割区域、所述第二激光切割区域分别由两束激光依次划得；形成所述第一激光切割区域的第一激光束的划片次数小于形成第二激光切割区域的第二激光束的划片次数；所述第二激光切割区域的深度大于所述第一激光切割区域的深度。
12.根据权利要求11所述的光伏组件，其特征在于，所述边缘还具有位于所述第二激光区域背离所述第一激光切割区域的机械断裂区域，所述第一激光切割区域、所述第二激光切割区域及所述机械断裂区域不在同一个平面上。
13.根据权利要求11所述的光伏组件，其特征在于，所述第一激光切割区域包括倾斜区域、平台区域；或所述第一激光切割区域为一个倾斜的区域。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102060437A (zh) * 2009-10-06 2011-05-18 株式会社莱奥 基于大区域不均匀温度分布的脆性材料的热应力切割方法及装置
CN104051581A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 台积太阳能股份有限公司 太阳能电池激光划线方法
CN104269449A (zh) * 2014-10-20 2015-01-07 上海空间电源研究所 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
CN104332530A (zh) * 2014-11-05 2015-02-04 四川钟顺太阳能开发有限公司 一种降低切割后太阳电池效率损失的方法以及该方法生产的太阳电池
WO2015132008A1 (de) * 2014-03-04 2015-09-11 Saint-Gobain Glass France Verfahren zum schneiden einer laminierten, ultradünnen glasschicht
WO2018018908A1 (zh) * 2016-07-29 2018-02-01 无锡嘉瑞光伏有限公司 一种太阳能电池片及组件及其制备工艺
KR20180137608A (ko) * 2014-05-27 2018-12-27 선파워 코포레이션 슁글드 태양 전지 모듈
CN109514092A (zh) * 2017-09-18 2019-03-26 苏州沃特维自动化***有限公司 一种脉冲激光切割晶体硅片的装置及方法
CN110444621A (zh) * 2018-05-04 2019-11-12 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 太阳能电池组件的制备方法
CN110473937A (zh) * 2019-07-29 2019-11-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 电池片生产方法、电池片、电池组件
CN111276570A (zh) * 2020-02-17 2020-06-12 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种无倒角电池条、叠瓦电池串及叠瓦组件的制作方法
CN111730217A (zh) * 2020-05-27 2020-10-02 苏州索雷特自动化科技有限公司 一种太阳能电池片的双激光热裂切割装置及热裂切割方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8598490B2 (en) * 2008-03-31 2013-12-03 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for laser processing a workpiece using a plurality of tailored laser pulse shapes

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102060437A (zh) * 2009-10-06 2011-05-18 株式会社莱奥 基于大区域不均匀温度分布的脆性材料的热应力切割方法及装置
CN104051581A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 台积太阳能股份有限公司 太阳能电池激光划线方法
WO2015132008A1 (de) * 2014-03-04 2015-09-11 Saint-Gobain Glass France Verfahren zum schneiden einer laminierten, ultradünnen glasschicht
KR20180137608A (ko) * 2014-05-27 2018-12-27 선파워 코포레이션 슁글드 태양 전지 모듈
CN104269449A (zh) * 2014-10-20 2015-01-07 上海空间电源研究所 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法
CN104332530A (zh) * 2014-11-05 2015-02-04 四川钟顺太阳能开发有限公司 一种降低切割后太阳电池效率损失的方法以及该方法生产的太阳电池
WO2018018908A1 (zh) * 2016-07-29 2018-02-01 无锡嘉瑞光伏有限公司 一种太阳能电池片及组件及其制备工艺
CN109514092A (zh) * 2017-09-18 2019-03-26 苏州沃特维自动化***有限公司 一种脉冲激光切割晶体硅片的装置及方法
CN110444621A (zh) * 2018-05-04 2019-11-12 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 太阳能电池组件的制备方法
CN110473937A (zh) * 2019-07-29 2019-11-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 电池片生产方法、电池片、电池组件
CN111276570A (zh) * 2020-02-17 2020-06-12 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种无倒角电池条、叠瓦电池串及叠瓦组件的制作方法
CN111730217A (zh) * 2020-05-27 2020-10-02 苏州索雷特自动化科技有限公司 一种太阳能电池片的双激光热裂切割装置及热裂切割方法

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