CN105914267A - 一种利用激光切割制备蓝宝石衬底led芯片的方法 - Google Patents
一种利用激光切割制备蓝宝石衬底led芯片的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105914267A CN105914267A CN201610367065.9A CN201610367065A CN105914267A CN 105914267 A CN105914267 A CN 105914267A CN 201610367065 A CN201610367065 A CN 201610367065A CN 105914267 A CN105914267 A CN 105914267A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- led chip
- sapphire substrate
- grain pattern
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000289 melt material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M propyromazine bromide Chemical compound [Br-].C12=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1C(=O)C(C)[N+]1(C)CCCC1 OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,通过固定蓝宝石衬底晶格结构方向,并制作与之方向对应的光刻晶粒图形,配合隐形切割激光频率、功率、焦深、平台移动速度,扩大了激光打点间距,尤其是扩大了晶粒长边激光打点间距,减少对蓝宝石晶格结构的破坏,减少了对光线出射的阻挡,提高外量子效率,从而提高了LED芯片的亮度。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,属于LED芯片切割技术领域。
背景技术
蓝宝石衬底LED芯片以其耗能低、发光效率高、寿命长、绿色环保、冷光源、响应时间快、可在各种恶劣条件下使用等优点,近年来得到日新月异的发展,成为2l世纪的新一代照明光源。随着III-V族半导体工艺的日趋成熟,LED芯片研制不断向更高效率、更高亮度方向发展。随着其应用越来越广泛,如何提高GaN基LED的发光效率越来越成为关注的焦点,影响LED发光效率的因素主要有内量子效率与外量子效率,而外量子效率的提高成为目前半导体照明LED关键技术之一。
由于蓝宝石在透明性、导热性、稳定性以及在与GaN晶格匹配方面的优良表现,目前行业内普遍以蓝宝石作为GaN基LED芯片衬底,GaN层一般只有3~5μm,而蓝宝石衬底基本在400~500μm厚度,减薄之后,厚度仍有100μm左右,对GaN基LED芯片的切割,其实就是对蓝宝石进行切割。
蓝宝石其莫氏硬度为9,仅次于金刚石,是一种相当难加工的材料,其切割也存在很大的难度。
传统的芯片切割方式如金刚刀划片,砂轮刀锯切因其效率低,成品率不高已逐渐落伍,不能满足现代化生产的需要,目前激光切割方式正逐渐取代传统切割,成为目前主流切割方式。激光切割又分为表层切割和内部切割,即隐形切割。激光划片是一种新型的切割技术,它是随着激光技术的发展而兴起的,它采用一定波长的激光聚焦在晶片表面或内部,在极短时间内释放大量的热量,使材料熔化甚至气化,配合激光头的移动或物件的移动,形成切割痕迹,实现切割的目的。
表层切割采用355nm或266nm紫外激光,切割深度一般在50μm以内,难以进一步加深。
表层切割后,激光产生的高能量瞬间破坏了蓝宝石的晶格结构,侧面激光灼烧痕迹阻挡了LED芯片的出光,对芯片外量子效率影响较大。
隐形切割采用1064nm红外光或532nm绿光进行加工,激光作用于芯片内部某一深度,沿切割道形成激光划痕,即一个个间断的微小“***点”,此“***点”破坏了蓝宝石的晶格结构,其点间距在4-10μm之间,“***点”产生的应力,使芯片部分断裂,对芯片再施以外力,使之沿切割道分开。
激光切割使LED芯片加工变得相对简单,但激光切割方法破坏了芯片侧面蓝宝石衬底晶格结构,阻挡了光线的出射,降低LED芯片的出光能力,对芯片外量子效率产生一定的影响。
理论与实验发现,激光划痕造成的发光损耗面积即蓝宝石晶格结构损伤面积越大,对芯片外量子效率的影响也越大,芯片亮度越低。
蓝宝石的主要成分是三氧化二铝(Al2O3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键形式结合而成,其晶体结构呈现为六方晶格结构。它常被应用的切面有a-Plane,c-Plane以及R-Plane,而c-Plane蓝宝石基板是目前使用最多的一种,因为沿此轴生长的蓝宝石晶体物理、化学性能稳定,生长工艺成熟,成本较低,在此面进行外延层的沉积技术也相对成熟。
中国专利文献CN103022284A公开的《一种基于侧壁腐蚀的LED芯片切割方法》,LED晶圆经过正面激光划片、侧壁腐蚀后,按照正常的LED芯片制造流程完成芯片制造;晶圆减薄、背镀后进行背面激光隐形切割,控制隐形切割线位置使其与正面划片线错开;裂片时在应力诱导下,晶粒侧壁将出现一斜裂面,更有利于侧面出光,增加芯片的整体光通量而不影响芯片的外观和电性。进一步的还公开了一种根据以上所述的LED芯片切割方法所制备的LED芯片,LED芯片的边缘呈具有斜裂面的“ㄣ”形断面。半导体衬底GaN晶圆在经过芯片侧壁腐蚀工艺后,结合激光隐形切割制作出“ㄣ”形断面,从增加侧壁出光量的方面增加整个LED芯片的亮度。这种方式采用了正面激光划片加背面激光隐形切割,两次激光切割,破坏的蓝宝石晶格结构面积增大,且效率低。
中国专利文献CN103811602A公开的《GAN基LED芯片制备方法》提供了一种GaN基LED芯片的制备方法,包括如下步骤:1)提供蓝宝石衬底,其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;2)在所述蓝宝石衬底的所述第一表面的一预设高度处进行隐形切割,使第一表面沿切割线产生微裂纹;3)在所述蓝宝石衬底的所述第一表面形成GaN半导体层;4)在所述GaN半导体层上形成透明导电层、N电极及P电极;5)从所述蓝宝石衬底的第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底;以及6)进行裂片。这种方式容易产生2种不良后果:1)出现大量碎片,裂片率高,产出率低;2)无法劈开,或劈裂不良,良率低。
中国专利文献CN103000507B公开的《一种中大尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法》,具体公开了一种采用背面隐形切割并且切割深度大于芯片厚度1/2的切割工艺,解决了因斜裂问题而导致良率偏低、亮度偏低等技术问题。由于切割位置接近芯片正面,崩裂的时候能有效减少切割位置与实际裂开位置的偏差。这种方式相对于切割深度小于芯片厚度1/2的切割工艺,所需激光功率较大,而激光功率较大,破坏蓝宝石晶格结构的面积随之增大,不利于芯片亮度的提高,且切割深度过深,容易产生芯片漏电问题。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法。该方法减少激光对蓝宝石的破坏,提高芯片的亮度,操作方便、简单,易于量产。
本发明的技术方案如下:
一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,包括:
(1)在c-Plane蓝宝石衬底上长有外延发光层的外延片,并在外延片上蒸镀透明电极层,在所述透明电极层上进行晶粒图形光刻,形成多个具有相同周期的晶粒图形,晶粒图形以矩形为单元,排满整个芯片,使所述晶粒图形的长边方向垂直于蓝宝石衬底的解理边方向,即a-Plane面;
(2)利用现有工艺流程对LED芯片的晶圆进行刻蚀、P、N电极蒸镀,剥离、退火和研磨;
通过隐形切割激光对LED芯片进行切割:
在晶粒图形的长边侧进行激光打点,所述激光打点的间距为12-20μm;在晶粒图形的短边侧进行激光打点,所述激光打点的间距为7-10μm;激光打点深度为LED芯片厚度的(1/5)-(1/2)、且靠近蓝宝石衬底,激光打点释放的应力延伸到所述LED芯片表面,形成近似直线的裂痕;
(3)对LED芯片沿步骤(2)所述裂痕方向施以外力,使LED芯片分隔成独立的发光单元。
根据本发明优选的,所述步骤(2)中所述隐形切割激光的参数包括:
激光功率为300-600mW;
Y方向激光频率为40-65KHz;
隐形切割激光所在平台的移动速度为480-1350mm/s;
X方向激光频率为40-65KHz;
隐形切割激光所在平台移动速度280-650mm/s。
根据本发明优选的,所述晶粒图形的长边和短边满足以下参数:1<(长边长度:短边长度)<12。
根据本发明优选的,所述晶粒图形的长边和短边的长度范围100-1200μm。
当晶粒图形的长边与短边比值越大时,即在晶粒宽度一定时,长度越长,对LED芯片亮度的提升作用越显著。
本发明的优势在于:
本发明通过固定蓝宝石衬底晶格结构方向,并制作与之方向对应的光刻晶粒图形,配合隐形切割激光频率、功率、焦深、平台移动速度,扩大了激光打点间距,尤其是扩大了晶粒长边激光打点间距,减少对蓝宝石晶格结构的破坏,减少了对光线出射的阻挡,提高外量子效率,从而提高了LED芯片的亮度。
附图说明
图1为蓝宝石晶格结构图;其中,标记有a-Plane,c-Plane以及R-Plane;
图2为本发明中多个晶粒图形的排列方向,其中X轴在a-Plane面上,与X轴垂直的Y轴在R-Plane面上;
图3为经过激光切割后的单个晶粒的断面图;
图中,1、晶粒图形长边;2、晶粒图形短边;3、长边方向的激光打点裂痕;4、短边方向的激光打点裂痕。
具体实施方式
下面结合实施例和说明书附图对本发明做详细的说明,但不限于此。
实施例1、
一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,包括:
(1)在c-Plane蓝宝石衬底上长有外延发光层的外延片,并在外延片上蒸镀透明电极层,在所述透明电极层上进行晶粒图形光刻,形成多个具有相同周期的晶粒图形,晶粒图形以矩形为单元,排满整个芯片,使所述晶粒图形的长边方向垂直于蓝宝石衬底的解理边方向,即a-Plane面;
(2)利用现有工艺流程对LED芯片的晶圆进行刻蚀、P、N电极蒸镀,剥离、退火和研磨;
通过隐形切割激光对LED芯片进行切割:
在晶粒图形的长边1侧进行激光打点,所述激光打点的间距为12-20μm;在晶粒图形的短边2侧进行激光打点,所述激光打点的间距为7-10μm;激光打点深度为LED芯片厚度的(1/5)-(1/2)、且靠近蓝宝石衬底,激光打点释放的应力延伸到所述LED芯片表面,形成近似直线的裂痕;
(3)对LED芯片沿步骤(2)所述裂痕方向施以外力,使LED芯片分隔成独立的发光单元。
实施例2、
如实施例1所述的一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,其区别在于,所述步骤(2)中所述隐形切割激光的参数包括:
激光功率为300-600mW;
Y方向激光频率为40-65KHz;
隐形切割激光所在平台的移动速度为480-1350mm/s;
X方向激光频率为40-65KHz;
隐形切割激光所在平台移动速度280-650mm/s。
实施例3、
如实施例1所述的一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,其区别在于,所述晶粒图形的长边和短边满足以下参数:1<(长边长度:短边长度)<12。
所述晶粒图形的长边和短边的长度范围:100-1200μm。
实施例4、
如实施例1-3所述的一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,其区别在于,所述步骤(1)中晶粒图形长边为760μm,晶粒图形短边为254μm;
所述步骤(2)中对LED芯片的晶圆研磨的厚度为120μm;
步骤(2)中所述隐形切割激光的参数包括:
激光功率为550mW;
Y方向激光频率为50KHz;
隐形切割激光所在平台的移动速度为800mm/s;激光打点深度50μm,晶粒图形长边方向激光打点间距为16μm;
X方向激光频率为50KHz;
隐形切割激光所在平台移动速度500mm/s;激光打点深度44μm,晶粒图形短边方向激光打点间距为10μm。
对比应用例、
利用一种现有常用的切割方法、本发明所述切割方法分别对相同尺寸的两个LED芯片的蓝宝石衬底层进行切割,其中,尺寸为228μm*508μm,然后针对分别切割后的各项参数进行对比如表1:
表1:常用的切割方法与本发明所述切割方法的对比表
对比参数 | 现有隐形切割方法 | 本发明所述激光切割方法 |
需要的激光打点间距(μm) | X轴方向:5,Y轴方向:8 | X轴方向:8,Y轴方向:16 |
单个晶粒图形激光打点数量(个) | 260 | 120 |
蓝宝石晶格破坏面积比例 | 3.76% | 1.74% |
LED芯片亮度(mW@60mA) | 56.4 | 57.2 |
亮度提升 | ---- | 1.42% |
综上可知,本发明扩大了激光打点间距,尤其是扩大了晶粒长边激光打点间距,减少对蓝宝石晶格结构的破坏,减少了对光线出射的阻挡,提高外量子效率,从而提高了LED芯片的亮度。
Claims (4)
1.一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,其特征在于,该方法包括:
(1)在c-Plane蓝宝石衬底上长有外延发光层的外延片,并在外延片上蒸镀透明电极层,在所述透明电极层上进行晶粒图形光刻,形成多个具有相同周期的晶粒图形,晶粒图形以矩形为单元,排满整个芯片,使所述晶粒图形的长边方向垂直于蓝宝石衬底的解理边方向,即a-Plane面;
(2)利用现有工艺流程对LED芯片的晶圆进行刻蚀、P、N电极蒸镀,剥离、退火和研磨;
通过隐形切割激光对LED芯片进行切割:
在晶粒图形的长边侧进行激光打点,所述激光打点的间距为12-20μm;在晶粒图形的短边侧进行激光打点,所述激光打点的间距为7-10μm;激光打点深度为LED芯片厚度的(1/5)-(1/2)、且靠近蓝宝石衬底,激光打点释放的应力延伸到所述LED芯片表面,形成近似直线的裂痕;
(3)对LED芯片沿步骤(2)所述裂痕方向施以外力,使LED芯片分隔成独立的发光单元。
2.根据权利要求1所述的一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,其特征在于,所述步骤(2)中所述隐形切割激光的参数包括:
激光功率为300-600mW;
Y方向激光频率为40-65KHz;
隐形切割激光所在平台的移动速度为480-1350mm/s;
X方向激光频率为40-65KHz;
隐形切割激光所在平台移动速度280-650mm/s。
3.根据权利要求1或2所述的一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,其特征在于,所述晶粒图形的长边和短边满足以下参数:1<(长边长度:短边长度)<12。
4.根据权利要求3所述的一种利用激光切割制备蓝宝石衬底LED芯片的方法,其特征在于,所述晶粒图形的长边和短边的长度范围100-1200μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610367065.9A CN105914267B (zh) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 一种利用激光切割制备蓝宝石衬底led芯片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610367065.9A CN105914267B (zh) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 一种利用激光切割制备蓝宝石衬底led芯片的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105914267A true CN105914267A (zh) | 2016-08-31 |
CN105914267B CN105914267B (zh) | 2018-08-17 |
Family
ID=56741813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610367065.9A Active CN105914267B (zh) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 一种利用激光切割制备蓝宝石衬底led芯片的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105914267B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107302042A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-27 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管芯片的制备方法和光转换装置 |
CN110797272A (zh) * | 2018-08-01 | 2020-02-14 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 芯片切割方法及芯片切割装置 |
CN112775539A (zh) * | 2019-11-07 | 2021-05-11 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光加工方法及装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101055908A (zh) * | 2006-04-14 | 2007-10-17 | 大连路美芯片科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法 |
CN103000507A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-27 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种中大尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法 |
CN104319319A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 广东德力光电有限公司 | 一种led芯片的研切方法 |
CN104625433A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-20 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | 一种用于切割led灯丝透明材料支架的方法 |
CN105127605A (zh) * | 2015-09-29 | 2015-12-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种蓝宝石衬底led芯片激光切割方法 |
CN105575898A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-11 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 一种发光二极管的切割方法 |
-
2016
- 2016-05-27 CN CN201610367065.9A patent/CN105914267B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101055908A (zh) * | 2006-04-14 | 2007-10-17 | 大连路美芯片科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法 |
CN103000507A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-27 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 一种中大尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法 |
CN104319319A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 广东德力光电有限公司 | 一种led芯片的研切方法 |
CN104625433A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-20 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | 一种用于切割led灯丝透明材料支架的方法 |
CN105127605A (zh) * | 2015-09-29 | 2015-12-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种蓝宝石衬底led芯片激光切割方法 |
CN105575898A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-11 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 一种发光二极管的切割方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107302042A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-27 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管芯片的制备方法和光转换装置 |
CN107302042B (zh) * | 2017-05-17 | 2019-11-29 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管芯片的制备方法和光转换装置 |
CN110797272A (zh) * | 2018-08-01 | 2020-02-14 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 芯片切割方法及芯片切割装置 |
CN110797272B (zh) * | 2018-08-01 | 2022-08-26 | 上海祖强能源有限公司 | 芯片切割方法及芯片切割装置 |
CN112775539A (zh) * | 2019-11-07 | 2021-05-11 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光加工方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105914267B (zh) | 2018-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107538136A (zh) | 一种利用激光切割蓝宝石衬底led芯片的方法 | |
EP3267495A1 (en) | Semiconductor light emitting element | |
CN105127605A (zh) | 一种蓝宝石衬底led芯片激光切割方法 | |
CN104701427B (zh) | 一种垂直结构led芯片制备方法 | |
JP2005166728A (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
CN102881783A (zh) | 一种深刻蚀切割发光二极管芯片的方法 | |
CN105914267A (zh) | 一种利用激光切割制备蓝宝石衬底led芯片的方法 | |
CN108538783A (zh) | 一种隐形切割led芯片及其制作方法 | |
CN104752571A (zh) | 一种晶圆级白光led芯片的切割方法 | |
JP4386142B2 (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
CN101814565A (zh) | 一种发光二极管芯片的结构及其制造方法 | |
JP2003151921A (ja) | 化合物半導体とその製造方法 | |
CN102569543B (zh) | 一种发光二极管芯片的制作方法 | |
CN111900080B (zh) | 一种led芯片的切割方法 | |
CN106328778B (zh) | 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的led芯片的方法 | |
CN208938998U (zh) | 一种提高光提取效率的深紫外发光二极管芯片 | |
CN208400832U (zh) | 一种隐形切割led芯片 | |
CN102837369B (zh) | 一种绿激光划片蓝宝石的工艺方法 | |
CN103022284A (zh) | Led芯片切割方法及其制备的led芯片 | |
CN103137810B (zh) | 一种利用两次划片制备的GaN基发光二极管芯片及其制备方法 | |
CN103311392A (zh) | 一种隐形切割led芯片及其制作方法 | |
WO2020177026A1 (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
CN103325910A (zh) | 基于微切削的led表面强化出光结构的制作方法及多齿刀具 | |
CN102990229B (zh) | 发光二极管晶圆切割方法 | |
CN104319319A (zh) | 一种led芯片的研切方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |