CN114420864A - 一种封装结构及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种封装结构及其制备方法。本发明的封装结构包括预封装层和主封装层，所述预封装层包括层叠设置的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述主封装层包括frit封装层和盖板层。本发明具有如下技术效果：1）本发明提供的预封装层可以吸收并隔绝OLED器件在主封装前可能接触的空气和水汽；主封装层可隔绝内部器件在封装后可能接触的空气和水汽，达到了器件防水氧侵蚀的作用，从而大幅度延长了OLED器件的使用寿命；2）预封装采用的是蒸镀工艺，和前工序匹配度非常高，工艺较为简单，可实施性好；3）预封装层水氧含量可以控制在10^‑5数量级，具有良好的封装效果；4)预封装层具有良好的散热效果，可以一定程度上避免Frit过程中激光对于OLED器件的损坏。

Description

一种封装结构及其制备方法

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，具体属于OLED玻璃封装技术领域。

背景技术

OLED(有机发光二极管)的基本结构是由薄而透明且具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)与电源正极相连，再加上另一个金属阴极组成。整个OLED基本结构层中包括了：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)。当电源电压至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝三基色，构成基本色彩。

在制备完成OLED器件后，由于OLED器件对氧气和水比较敏感，长时间暴露在空气中OLED器件会很快退化甚至无法工作，所以需要对OLED器件进行封装，使OLED器件配合frit封装能够隔离水氧，延长使用寿命。

现有的封装技术通常用以下几种：

1、UV胶配合干燥剂封装技术，此封装技术在初期有较好的阻水氧能力，随着使用时间的增长，水氧还是会侵蚀到器件内部，寿命不长；

2、UV胶预固化后frit主封装技术。此封装技术的阻水氧能力较好，但是工艺较为复杂，周转腔体过多，不利于连续量产。

3、中国专利CN202010655689.7提供了一种封装技术，通过在器件上蒸镀金属氧化物和金属层形成预封装层，然后通过沉积氧化硅薄膜和/或氮化硅薄膜为薄膜封装层，缓解了氧气和水汽的渗透能力。此技术方案虽然可以解决封装前水汽侵蚀器件的问题，但是此方式也存在如下3个技术问题：

1)氧化物薄膜与器件之间无缓冲材料，影响器件的性能；

2)更重要的是，氧化硅和/或氮化硅薄膜的阻水氧能力双85条件下只能达到10^-5g/m²·day，距离大部分产品的实际需求10^-6g/m²·day仍有一定的差距；

3)薄膜封装工艺较玻璃盖板封装工艺在柔性等领域有一定的优势，但是工艺复杂，成本较高，需要新增薄膜封装设备，无法将封装设备与蒸镀设备共通。

4、中国专利201210057243提供了一种封装技术，通过在器件上沉积有机薄膜作为缓冲层或者半透明MgF₂/ZnS作为预封装层，然后通过沉积氧化硅薄膜和/或氮化硅薄膜为薄膜封装层，形成复合薄膜结构。缓解了氧气和水汽的渗透能力。此技术虽然解决了封装前水汽侵蚀器件的问题，但是此方式同样存在如下3个技术问题：

1)有机层与/或金属化合物层作为预封装层，解决了缓冲材料的问题，但是水氧阻隔性能依然不能保证；

2)主封装层的氧化硅和/或氮化硅薄膜的阻水氧能力双85条件下只能达到10^-5g/m²·day，距离大部分产品的实际需求10^-6g/m²·day仍有一定的差距；

3)主封装层的化学气相沉积技术工艺复杂，成本较高，需要新增化学气相沉积设备。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种用于OLED的玻璃封装结构及其制备方法，可以达到长时间阻隔水氧的效果，同时可利用已有的蒸镀设备，无需为预封装新增设备，工艺简单，便于量产化。

本发明的技术方案如下：

本发明的封装结构，包括预封装层和主封装层，所述预封装层包括层叠设置的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述主封装层包括frit封装层和盖板层。

优选地，所述有机物层的材料选自ALq3、NPB、TPBI、或者其他有机物的一种或者几种。

优选地，所述金属氧化物层的材料为MoO₂和MoO₃的混合物，或者WO₂和WO₃的混合物，混合物中两种材料的重量比为1：5到5：1。

优选地，所述金属层的材料选自铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。

优选地，所述有机物层、金属氧化物层和金属层呈周期性排列，所述周期性排列的周期数优选为1～5。

优选地，所述有机物层与金属氧化物层之间还包括Ca层，所述钙层为Ca单质，其中：

所述钙层的厚度为50～200nm。此厚度适用于正常非透明OLED器件。

或者，

所述钙层的厚度为0～50nm。此厚度适用于透明OLED器件。

所述有机物层的厚度为50～100nm，所述金属氧化物层的厚度为50～100nm，所述金属层的厚度为50～100nm。此厚度适用于正常非透明OLED器件。

或者，

所述有机物层的厚度为0～50nm，所述金属氧化物层的厚度为0～50nm，所述金属层的厚度为0～50nm。此厚度适用于透明OLED器件。

优选地，所述Frit层由氧化物、填料和粘合剂烧结而成。其中，

Frit材料中的氧化物选自钒氧化物(VOx)、磷氧化物(POx)、铁氧化物(FeOx)、碲氧化物(TeOx)、钡氧化物(BaOx)、硅氧化物、硼氧化物(BOx)、铅氧化物(PbOx)以及锡氧化物(SnOx)中的至少一种。以硼氧化物(BOx)为例，BOx的含义是BO₂、BO₃、BO中一种或者多种的混合物。

所述填料选自陶瓷粉，和/或，高熔点氧化物，高熔点氧化物是熔点高于烧结温度的氧化物，烧结温度是烧结Frit材料的温度；

所述粘合剂为树脂。

优选地，所述盖板层为无碱玻璃材质，或者，所述盖板层为有碱玻璃材质。

本发明还提供了所述封装结构的制备方法，包括以下步骤：

S1、在器件上依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层，形成所述预封装层；

S2、在封装盖板上涂布frit层；

S3、盖板对位后，进行预烘烤、烧结工艺，完成主封装层的制备。

本发明的原理如下：

本发明提供的封装器件，发光器件在完成常规的蒸镀工艺后，切换蒸镀mask，直接蒸镀预封装层；整个预封装工艺均在蒸镀腔体中完成，不需要新增额外的工艺，整个预封装过程不会接触空气中的水氧；同时，由于预封装层的目的是主封装前的阻水氧，因此预封装层对厚度均匀性及表面粗糙度的要求并不高，可以采用大速率蒸镀，蒸镀速率可达

本发明预封装层中的金属氧化物层是二价和三价金属氧化物的混合体，二价金属氧化物能够吸收氧气反应形成三价金属氧化物，达到吸收渗入到器件中的氧气的作用；三价金属氧化物遇到水会缓慢的反应生成相应的金属酸，达到吸收渗入到器件中的水分的作用。本发明提供的金属氧化物层通过吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到了防护作用；所述有机物层能够起到有机缓冲层的作用；所述金属层能够与三价金属氧化物遇到水反应生成的金属酸反应生成稳定的金属酸盐，从而促进体系的稳定性，可以在一定的时间阻隔水氧的侵蚀。

本发明主封装层采用frit结构，上方为封装盖板，下方为半成品的玻璃基板，因为玻璃胶熔融后，有类似玻璃优异的阻水氧效果，因而可以达到较好的封装效果。

本发明相对于现有技术，具有如下技术效果：

1)本发明提供的预封装层可以吸收并隔绝OLED器件在主封装前可能接触的空气和水汽；主封装层可隔绝内部器件在封装后可能接触的空气和水汽，达到了器件防水氧侵蚀的作用，从而大幅度延长了OLED器件的使用寿命。

2)预封装采用的是蒸镀工艺，和前工序匹配度非常高，同时蒸镀速率较高，工艺较为简单，实施节奏快，可实施性好。

3)预封装层水氧含量可以控制在10^-5数量级，具有良好的封装效果。

4)预封装层具有良好的散热效果，可以一定程度上避免Frit过程中激光对于OLED期间的损坏。

5)主封装技术采用frit封装技术，配合预封装层的效果，水氧含量可以控制在10^-6数量级，阻水氧效果优异。

附图说明

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

图1是本发明封装结构的结构示意图。

图2是本发明实施例1器件的结构示意图。

图3是本发明实施例2器件的结构示意图。

其中；10为基板；11为阳极层；12为有机功能层；13为阴极层；20为预封装层；21为有机物层；22为金属氧化物层；23为金属层；24为Ca层；30为主封装层；31为Frit封装层；32为盖板层。

具体实施方式

本发明所提供的一种封装结构，如图1所示，依次包括基板10、阳极层11、有机功能层12、阴极层13、预封装层和主封装层，其中预封装层包括有机物层21、金属氧化物层22、金属层23；主封装层包括Frit封装层31和盖板层32。

在本发明中，基板10，阳极层11，有机功能层12采用现有常规的材料。

例如

在本发明中，基板10选择玻璃基板；

在本发明中，阳极层选择ITO、IZO、FTO、Ag等透明薄膜材料，厚度为0-300nm；

有机功能层12选择NPB、TPD、TAPC等材料作为空穴传输层；选择Alq3、Bphen、TPBi等材料作为电子传输层；选择DCJTB、DPAVBi、香豆素545T等材料作为发光层；

在本发明中，所述阴极层13材料选择Ag、Al、Mg、Mo等金属材料的一种或者几种的混合物；其中：在底发光器件中，阴极层13的厚度为50-300nm；在顶发光器件中，阴极层13的厚度为0-50nm。

在本发明中，所述有机物层21选自三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。在本发明中，所述有机物层21的厚度优选为50～100nm，更优选为50～70nm。在本发明中，所述有机物层21能够起到缓冲和绝缘的作用。

在本发明中，所述金属氧化物层22的材料为MoO₂和MoO₃的混合物，或者WO₂和WO₃的混合物。混合比例可以是1：5到5:1之间的任意配比，优选配比为1:1；在本发明中，所述金属氧化物层22的厚度优选为50～100nm，更优选为50～70nm。

在本发明中，所述金属氧化物层22既包括二价的金属氧化物也包括三价的金属氧化物。在本发明中，所述金属氧化物为低温易沉类金属化合物，是二价和三价金属氧化物的混合体，其中二价金属氧化物能够吸收氧气反应形成三价金属氧化物，达到吸收渗入到器件中的氧气的作用；三价金属氧化物遇到水会缓慢的反应生成相应的金属酸，达到吸收渗入到器件中的水分的作用，从而吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到防护作用，大幅度延长OLED器件的使用寿命。

在本发明中，所述金属层23选自铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种；所述铝的形式优选为铝单质或铝合金，所述银的形式优选为银单质或银合金，所述锌的形式优选为锌单质或锌合金，所述镍的形式优选为镍单质或镍合金，所述镁的形式优选为镁单质或镁合金。本发明对所述银合金、锌合金、镍合金和镁合金的具体组成没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的相应金属合金即可。在本发明中，所述金属层的厚度优选为50～100nm，更优选为70～100nm。在本发明中，所述金属层23能够与生成的金属酸反应生成稳定的金属酸盐，从而促进体系的稳定性，延长OLED器件的使用寿命。

在本发明中，所述OLED预封装层中有机物层21、金属氧化物层22和金属层23优选呈周期性排列，所述周期性排列的周期数优选为1～5。具体的如周期性为2时，排列的具体形式为有机物层21-金属氧化物层22-金属层23-有机物层21-金属氧化物层22-金属层23，当周期性为其它时，依此类推。在本发明中，所述有机物层21、金属氧化物层22和金属层23呈周期性叠加，随着周期性的增加，更有利于吸收外界的水氧，从而提高封装效果，延长OLED器件的使用寿命。

在本发明中，所述有机物层21与金属氧化物层22之间优选还包括钙层24，所述钙层24的厚度优选为50～200nm。在本发明中，所述钙层24优选包括单质钙。在本发明中，所述钙层24能够吸收渗入到OLED器件中的水氧，从而延长OLED器件的使用寿命。在本发明中，当所述有机物层21与金属氧化物层22之间包括钙层24时，所述OLED薄膜封装层中有机物层21、钙层24、金属氧化物层22和金属层23优选呈周期性排列，所述周期性排列的周期数优选为1～3。具体的如周期性为2时，排列的具体形式为有机物层21-钙层24-金属氧化物层22-金属层23-有机物层21-钙层24-金属氧化物层22-金属层23，当周期性为其它时，依此类推。

在本发明中，Frit封装层31由氧化物、填料和粘合剂烧结而成。其中，氧化物包括钒氧化物(VO x)、磷氧化物(PO x)、铁氧化物(FeO x)、碲氧化物(TeO x)、钡氧化物(BaOx)、硅氧化物、硼氧化物(BO x)、铅氧化物(PbO x)以及锡氧化物(SnO x)中的至少一种；填料包括陶瓷粉，和/或，高熔点氧化物，高熔点氧化物是熔点高于烧结温度的氧化物，烧结温度是烧结Frit材料的温度；粘合剂选用树脂。

本发明还提供了上述所述OLED薄膜封装层的制备方法，其中包括OLED器件的制备过程，具体步骤如下：

S1、通过磁控溅射，在玻璃基板10上镀ITO薄膜，然后经过刻蚀，得到阳极层11，经过清洗、干燥和紫外照射，得到洁净的图案化ITO基板；

S2、将洁净的ITO图案化基板放入蒸镀腔体中进行蒸镀有机材料，依次优选包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层，形成有机功能层12；

S3、在有机发光层上方继续蒸镀金属材料，形成阴极层13；

S4、切换mask，优选周期性蒸镀预封装层20，依次包括有机物层21、金属氧化物层22和金属层23；

S5、在封装盖板32上涂布frit封装层31；

S6、封装盖板层32与S4制作完成的器件对位后，进行预烘烤、烧结工艺，完成主封装层30的制备。对位表示两个部分之间的定位。

当含有钙层24时，所述钙层24优选蒸镀在有机物层21与金属氧化物层22之间。

当所述有机物层21、金属氧化物层22和金属层23或者有机物层21、钙层24、金属氧化物层22和金属层23呈周期性排列时，按照前述技术方案对应不同物质层的蒸镀条件，依次循环蒸镀即可。

本发明提供的封装器件，预封装层的制作工艺与前蒸镀工艺完全匹配，只需要一次切换mask，不需要额外的工艺，同时器件不需要取出蒸镀腔体，避免器件封装前会接触到大气中的水氧。

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。

本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。

实施例1

S1、OLED器件的制备

在低于2.0×10^-5mbar的基础压力下，通过磁控溅射，在玻璃基板10上镀ITO薄膜(150nm)，然后经过刻蚀，得到阳极图案化的ITO玻璃基板11；

在ITO玻璃基板上倒入洗涤剂、去污粉和去离子水，在超声机中超声3次，每次90分钟，功率为900W，每次超声更换为新的去离子水、丙酮和异丙醇重复上述步骤，然后经过干燥，紫外波长185nm下照射20min，得到洁净的ITO玻璃基板；

将洁净的ITO基板放入蒸镀舱中，添加有机掩膜版，依次蒸镀NPB材料(厚度50nm，蒸镀温度265℃，蒸镀速率为

)、C545T、(厚度10nm，蒸镀温度130℃，蒸镀速率为

)、ALq3/LiF材料(厚度40nm/2nm，蒸镀温度210℃，蒸镀速率为

)，切换金属掩膜版，蒸镀Ag材料(厚度100nm，蒸镀电流85A，蒸镀速率为

)，完成器件的制备；

S2、预封装层的制备

有机物层21选择Alq3材料；金属氧化物22层选择MoO₂和MoO₃的混合物层；金属层23选择Al材料，周期性排列数选择2，具体步骤如下：

蒸镀完器件后，直接切换蒸镀mask，在电流为40A的条件下，蒸镀Alq3层(50nm)；在电流为90A的条件下，蒸镀MoO₂和MoO₃的混合物层(50nm)，电流为30A的条件下，蒸镀Al层(50nm)，得到Alq3/MoO_x/Al封装薄膜。其中MoOx代表MoO₂和MoO₃的混合物层。其中MoO₂和MoO₃的重量比为1：1。

S3、主封装层的制备

Frit封装层31的氧化物材料选择V₂O₅和Fe₂O₃的混合物(V₂O₅和Fe₂O₃两者的重量比为1：1)，填料选择陶瓷粉，粘合剂树脂选择二甘醇一丁醚；封装盖板层32选择凹槽玻璃。

预封装完成，经过丝网印刷、烘烤。烧结工艺，形成有效的封装结构。

S4、封装器件性能检测

检测方法：本实验采用的水氧透过率检测方法为Ca法，步骤为：SS1、在基板上蒸镀钙薄膜层；SS2、在保护气体下，通过原子层沉积方法在基板上沉积封装薄膜层，封装薄膜层覆盖所述钙薄膜层，获得待测薄膜器件；SS3、采用开尔文四探针法对步骤SS2获得的待测薄膜器件进行测试，获得待测薄膜器件中钙薄膜层的随时间t变化的电导率曲线，提取曲线线性部分的斜率：d(1/R)/dt，代入下式

得到薄膜水汽透过率ηWVTR：式中，n为25℃温度下水汽透过特征系数，M(H2O)为水的摩尔质量，M(Ca)为钙的摩尔质量，δ为钙电阻率，ρ为钙密度，L为钙薄膜层的长度，W为钙薄膜层的宽度，I/R为钙的电导率。本发明的测试精度可以达到1×10^-6g/m²·day。，具有快速、简单、精度高等优点。

检测结果：

1)实施例1的预封装层(S2)成品的水氧透过率的测试数据，经过检测，在温度85℃湿度85％RH环境下，水氧透过率在4.2*10^-5g/m²·day。

2)实施例1的封装器件，在温度85℃湿度85％RH环境下，1000h未出现直径10μm以上的黑点，阻水氧能力可以达到2.6*10^-6g/m²·day。

实施例2

S1、OLED器件的制备

与实施例1相同

S2、预封装层的制备

有机物层21选择NPB材料；金属氧化物22层选择WO₂和WO₃的混合物材料；金属层23选择Mg材料，周期性排列数选择3，具体步骤如下：

蒸镀完器件后，在电流为50A的条件下，蒸镀NPB层(60nm)；在电流为70A的条件下，蒸镀Ca层(50nm)；在电流为90A的条件下，蒸镀WO₂和WO₃的混合物(50nm)；电流为30A的条件下，蒸镀Mg层(50nm)，得到NPB/Ca/WOx/Mg封装薄膜，其中WOx代表WO₂和WO₃的混合物层。其中WO₂和WO₃的重量比为1：1。

S3、主封装层的制备

Frit封装层31的氧化物材料选择P₂O₅和BaO的混合物(P₂O₅和BaO两者的重量比为1：2)，填料选择碳钢粉，粘合剂树脂选择二甘醇一丁醚；封装盖板层32选择凹槽玻璃。

预封装完成后，经过涂布、烘烤、烧结工艺，形成有效的封装结构。

S4、封装器件性能检测

检测方法：本实验的检测方法为Ca法，具体步骤与实施例1相同。

检测结果：

1)实施例2的预封装层(S2)成品的水氧透过率的测试数据，经过检测，在温度85℃湿度85％RH环境下，水氧透过率在2.2*10^-5g/m²·day。

2)实施例2提供的封装器件，在温度85℃湿度85％RH环境下，1000h未出现直径10μm以上的黑点，阻水氧能力可以达到1.27*10^-6g/m²·day。

对比例1

本发明还做了一组对比试验，该试验采用传统的UV胶+干燥剂的传统封装技术，制作工艺如下：

S1、OLED器件的制备

在低于2.0×10^-5mbar的基础压力下，通过磁控溅射，在玻璃基板10上镀ITO薄膜(150nm)，然后经过刻蚀，得到阳极化图案11的ITO玻璃基板；

在ITO玻璃基板上倒入洗涤剂、去污粉和去离子水，在超声机中超声3次，每次90分钟，功率为900W，每次超声更换为新的去离子水、丙酮和异丙醇重复上述步骤，然后经过干燥，紫外波长185nm下照射20min，得到洁净的ITO玻璃基板；

将洁净的ITO基板放入蒸镀舱中，添加有机掩膜版，依次蒸镀NPB材料(厚度50nm，蒸镀温度265℃，蒸镀速率为

)、C545T、(厚度10nm，蒸镀温度130℃，蒸镀速率为

)、ALq3/LiF材料(厚度40nm/2nm，蒸镀温度210℃，蒸镀速率为

)，切换金属掩膜版，蒸镀Ag材料(厚度100nm，蒸镀电流85A，蒸镀速率为

)，完成器件的制备；

S2、在封装盖板32中丝印一层UV胶，选择nagase的XNR5516(C)-SA1，在封装胶内部旋涂一层干燥剂，选择SAES的ZetaFill HC，经过UV固化，烘烤工艺，完成封装层的制备；

S3、封装器件性能检测

检测方法：本实验的检测方法为Ca法，具体步骤与实施例2相同。

检测结果：

对比例提供的封装器件，在温度85℃湿度85％RH环境下，500小时后显微镜观察，出现直径20μm的黑点，同时水氧透过率检测结果6.5*10^-6g/m²·day。

通过对比实验可得，本发明提供的封装器件具有更优的水氧阻隔率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，并非对本发明作任何形式上的限制。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种封装结构，其特征在于，所述的封装结构包括预封装层和主封装层，所述预封装层包括层叠设置的有机物层、金属氧化物层和金属层；所述主封装层包括frit封装层和盖板层。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机物层的材料选自ALq3、NPB、TPBI中的一种或者几种。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属氧化物层的材料为MoO₂和MoO₃的混合物，或者WO₂和WO₃的混合物，混合物中两种材料的重量比为1：5到5：1。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属层的材料选自铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机物层、金属氧化物层和金属层呈周期性排列，所述周期性排列的周期数为1～5。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机物层与金属氧化物层之间还包括Ca层，所述钙层为Ca单质，其中：

所述钙层的厚度为50～200nm；此厚度适用于正常非透明OLED器件；

或者，所述钙层的厚度为0~50nm，此厚度适用于透明OLED器件。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，

所述有机物层的厚度为50～100nm，所述金属氧化物层的厚度为50～100nm，所述金属层的厚度为50～100nm；此厚度适用于正常非透明OLED器件；

或者，

所述有机物层的厚度为0～50nm，所述金属氧化物层的厚度为0～50nm，所述金属层的厚度为0～50nm，此厚度适用于透明OLED器件。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述Frit封装层由氧化物、填料和粘合剂烧结而成；

所述氧化物选自钒氧化物、磷氧化物、铁氧化物、碲氧化物、钡氧化物、硅氧化物、硼氧化物、铅氧化物以及锡氧化物中的至少一种；

所述填料选自陶瓷粉，和/或高熔点氧化物，所述的高熔点氧化物是熔点高于烧结温度的氧化物，所述的烧结温度是烧结Frit材料的温度；

所述粘合剂为树脂。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述盖板层为玻璃材质。

10.如权利要求1-9任意一项所述封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在蒸镀完成的器件上直接依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层，形成所述预封装层；

S2、在封装盖板上涂布frit封装层；

S3、盖板对位后，进行预烘烤、烧结工艺，完成主封装层的制备。

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