CN109950424A - 一种oled薄膜封装层及其制备方法 - Google Patents

一种oled薄膜封装层及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种OLED薄膜封装层及其制备方法，属于OLED薄膜封装技术领域。本发明提供的OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8‑羟基喹啉)铝、N,N’‑二苯基‑N,N’‑二(1‑萘基)‑1,1’‑联苯‑4,4’‑二胺或1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。本发明提供的金属氧化物层通过吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到了防护作用，从而大幅度延长了OLED器件的使用寿命。

Description

一种OLED薄膜封装层及其制备方法
技术领域
本发明涉及OLED薄膜封装技术领域，特别涉及一种OLED薄膜封装层及其制备方法。
背景技术
OLED(有机发光二极管)的基本结构是由薄而透明且具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)与电源正极相连，再加上另一个金属阴极组成。整个OLED基本结构层中包括了：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)。当电源电压至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝三基色，构成基本色彩。
在制备完成OLED器件后，由于OLED器件对氧气和水比较敏感，长时间暴露在空气中OLED器件会很快退化甚至无法工作，所以需要对OLED器件进行封装，使OLED器件能够隔离水氧，延长使用寿命。现有的薄膜封装技术一般基于氧化铝或有机-无机多层薄膜结构，仅仅能在使用之初暂时性的起到隔离水氧的作用，但是会随着使用时间的延长，封装薄膜会失去隔离作用，导致这种薄膜封装无法提高OLED的实际使用寿命。
发明内容
鉴于此，本发明的目的在于提供一种OLED薄膜封装层及其制备方法。本发明提供的OLED薄膜封装层能够大幅度延长OLED器件的使用寿命。
为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：
本发明提供了一种OLED薄膜封装层，从化学组成上，所述OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。
优选地，所述铝的形式为铝单质或铝合金，所述银的形式为银单质或银合金，所述锌的形式为单质锌和锌合金，所述镍的形式为单质镍或镍合金，所述镁的形式为单质镁或镁合金。
优选地，所述OLED薄膜封装层中有机物层、金属氧化物层和金属层呈周期性排列。
优选地，所述周期性排列的周期数为1～8。
优选地，所述有机物层与金属氧化物层之间还包括钙层。
优选地，所述钙层的厚度为50～200nm。
优选地，所述有机物层、金属氧化物层和金属层的厚度独立地为50～100nm。
本发明还提供了上述技术方案所述OLED薄膜封装层的制备方法，包括以下步骤：
在OLED器件上依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层，得到所述OLED薄膜封装层。
优选地，所述蒸镀的电流为30～100A。
优选地，所述蒸镀中金属氧化物蒸发速率为
本发明提供了一种OLED薄膜封装层，所述OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。本发明薄膜封装层中的金属氧化物层是二价和三价金属氧化物的混合体，二价金属氧化物能够吸收氧气反应形成三价金属氧化物，达到吸收渗入到器件中的氧气的作用；三价金属氧化物遇到水会缓慢的反应生成相应的金属酸，达到吸收渗入到器件中的水分的作用。本发明提供的金属氧化物层通过吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到了防护作用，从而大幅度延长了OLED器件的使用寿命；所述有机物层能够起到有机缓冲层的作用；所述金属层能够与三价金属氧化物遇到水反应生成的金属酸反应生成稳定的金属酸盐，从而促进体系的稳定性，延长OLED器件的使用寿命。
实施例的结果表明，本发明的OLED薄膜封装层在相当长的时间内点亮OLED器件时，相同电流下OLED器件电压和亮度不会有明显变化，而对比例的OLED薄膜封装层在短时间内点亮OLED器件时，相同电流下OLED器件电压和亮度发生了明显变化，电压随时间增长大幅升高，亮度随时间增长大幅下降，证明本发明的OLED薄膜封装层能够大幅度延长OLED器件的使用寿命。
附图说明
图1是本发明实施例2制得的OLED器件完整示意图；
图2是本发明实施例1和对比例1制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件亮度随时间的变化图；
图3是本发明实施例1和对比例1制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件电压随时间的变化图；
图4是本发明实施例2和实施例3制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件亮度随时间的变化图；
图5是本发明实施例2和实施例3制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件电压随时间的变化图。
具体实施方式
本发明提供了一种OLED薄膜封装层，所述OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。
在本发明中，所述OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层。在本发明中，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。在本发明中，所述有机物层的厚度优选为50～100nm，更优选为50～70nm。本发明对所述有机物层的来源没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的市售产品即可。在本发明中，所述有机物层能够起到有机缓冲层的作用。
在本发明中，所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物，优选包括(MoO2和WO3的混合物)或(MoO3和WO2的混合物)。在本发明中，所述金属氧化物层的厚度优选为50～100nm，更优选为50～70nm。
在本发明中，所述金属氧化物既包括二价的金属氧化物也包括三价的金属氧化物，所述金属氧化物的来源优选在SIGMA购买，其中钼氧化物的型号优选为MOLYBDENUM(VI)OXIDE。在本发明中，所述金属氧化物为低温易沉类金属化合物，是二价和三价金属氧化物的混合体，其中二价金属氧化物能够吸收氧气反应形成三价金属氧化物，达到吸收渗入到器件中的氧气的作用；三价金属氧化物遇到水会缓慢的反应生成相应的金属酸，达到吸收渗入到器件中的水分的作用，从而吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到防护作用，大幅度延长OLED器件的使用寿命。
在本发明中，所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种；所述铝的形式优选为铝单质或铝合金，所述银的形式优选为银单质或银合金，所述锌的形式优选为锌单质或锌合金，所述镍的形式优选为镍单质或镍合金，所述镁的形式优选为镁单质或镁合金。本发明对所述银合金、锌合金、镍合金和镁合金的具体组成没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的相应金属合金即可。在本发明中，所述金属层的厚度优选为50～100nm，更优选为70～100nm。本发明对所述金属层的来源没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的市售产品或通过常规技术手段制备得到即可。在本发明中，所述金属层能够与生成的金属酸反应生成稳定的金属酸盐，从而促进体系的稳定性，延长OLED器件的使用寿命。
在本发明中，所述OLED薄膜封装层中有机物层、金属氧化物层和金属层优选呈周期性排列，所述周期性排列的周期数优选为1～8，更优选为2～3。具体的如周期性为2时，排列的具体形式为有机物层-金属氧化物层-金属层-有机物层-金属氧化物层-金属层，当周期性为其它时，依此类推。在本发明中，所述有机物层、金属氧化物层和金属层呈周期性叠加，随着周期性的增加，更有利于吸收外界的水氧，从而提高封装效果，延长OLED器件的使用寿命。
在本发明中，所述有机物层与金属氧化物层之间优选还包括钙层，所述钙层的厚度优选为50～200nm。在本发明中，所述钙层优选包括单质钙。本发明对所述钙层的来源没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的常用产品即可。在本发明中，所述钙层能够吸收渗入到OLED器件中的水氧，从而延长OLED器件的使用寿命。在本发明中，当所述有机物层与金属氧化物层之间包括钙层时，所述OLED薄膜封装层中有机物层、钙层、金属氧化物层和金属层优选呈周期性排列，所述周期性排列的周期数优选为1～8，更优选为2～3。具体的如周期性为2时，排列的具体形式为有机物层-钙层-金属氧化物层-金属层-有机物层-钙层-金属氧化物层-金属层，当周期性为其它时，依此类推。
本发明还提供了上述所述OLED薄膜封装层的制备方法，包括以下步骤：在OLED器件上依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层，得到所述OLED薄膜封装层。
本发明对所述OLED器件的来源没有特殊要求，任意需要封装的均可；采用本领域技术人员所熟知的OLED器件或自行制备得到均可。当自行制备时，所述OLED器件的制备过程，优选包括以下步骤：
通过磁控溅射，在玻璃基板上镀ITO薄膜，然后经过刻蚀，得到ITO薄膜玻璃基板；
清洗所述ITO薄膜玻璃基板，然后经过干燥和紫外照射，得到洁净的ITO薄膜玻璃基板；
将所需蒸镀的材料放入蒸镀舱的各个舟源或坩埚源上，将洁净的ITO基板放入蒸镀舱中进行蒸镀，得到所述OLED器件。
本发明通过磁控溅射，在玻璃基板上镀ITO薄膜，然后经过刻蚀，得到ITO薄膜玻璃基板。
在本发明中，所述磁控溅射的压力优选低于2.0×10-5mbar，所述ITO薄膜的厚度优选为150nm。
在本发明中，所述刻蚀优选采用光刻机。本发明优选将刻蚀后的玻璃基板放到显影液中涮洗2～3次，然后在王水中浸泡5～10分钟，再放到丙酮溶液中清洗。
本发明对所述刻蚀后的玻璃基板的结构没有特殊的要求，按预先设计好的结构进行刻蚀即可。
得到ITO薄膜玻璃基板后，本发明清洗所述ITO薄膜玻璃基板，然后经过干燥和紫外照射，得到洁净的ITO薄膜玻璃基板。
在本发明中，所述清洗的清洗剂优选采用洗涤剂和/或去污粉。本发明对所述清洗剂的来源没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的产品即可。本发明对所述清洗剂的用量比例也没有特殊的限定，能够将所述ITO薄膜玻璃基板清洗干净即可。
在本发明中，所述清洗优选在超声条件下进行，每次超声均采用新的清洁剂。所述超声的功率优选为800～1000W，所述超声的时间优选为60～120min，所述超声的次数优选为3～4次。
本发明对所述干燥的温度和时间没有特殊的限定，采用本领域常规的技术手段能将ITO薄膜玻璃基板烘干即可。
在本发明中，所述紫外照射的波长优选为185～254nm，所述紫外照射的时间优选为15～20min。
得到洁净的ITO薄膜玻璃基板后，本发明将所需蒸镀的材料放入蒸镀舱的各个舟源或坩埚源上，将洁净的ITO基板放入蒸镀舱中进行蒸镀，得到所述OLED器件。
本发明优选在蒸镀前对所述舟源或坩埚源进行预热。在本发明中，所述预热的温度优选为100℃，所述预热的时间优选为1～3min。
在本发明中，所述蒸镀的压力优选低于10-5mbar。
在本发明中，所述蒸镀的材料依次优选包括对应阳极玻璃基板、空穴注入层-1、空穴传输层-1、发光层、电子传输层-2、电子注入层-2和阴极组分的材料，其中空穴注入层-1、空穴传输层-1、发光层、电子传输层-2、电子注入层-2为有机物，阴极为金属层。
在本发明中，当蒸镀的材料为有机层时，所述蒸镀的电流优选为20A，所述蒸镀的蒸发速率优选为当蒸镀的材料为金属层时，所述蒸镀的蒸发速率优选为
得到OLED器件后，本发明在OLED器件上依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层，得到所述OLED薄膜封装层。本发明优选在OLED器件的阴极上依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层。
在本发明中，当蒸镀有机物层时，所述蒸镀的电流根据有机物的不同选择不同的蒸镀电流，具体的如Alq3层的蒸镀电流为40A，所述蒸镀的蒸发速率优选为当蒸镀金属氧化物层时，所述蒸镀的电流优选为80～100A，所述蒸镀的蒸发速率优选为当蒸镀金属层时，所述蒸镀的电流根据金属的不同选择不同的蒸镀电流，具体的如铝的蒸镀电流为30A，银的蒸镀电流为110～120A，锌的蒸镀电流为70～90A，所述蒸镀的蒸发蒸发速率优选为
当含有钙层时，所述钙层优选蒸镀在有机物层与金属氧化物层之间。
在本发明中，当蒸镀钙层时，所述蒸镀的电流优选为70A，蒸发的速率优选为
当所述有机物层、金属氧化物层和金属层或者有机物层、钙层、金属氧化物层和金属层呈周期性排列时，按照前述技术方案对应不同物质层的蒸镀条件，依次循环蒸镀即可。
本发明在所述OLED器件表面制备所述OLED薄膜封装层，实现对OLED器件的封装，有助于提高OLED器件的寿命。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的OLED薄膜封装层及其制备方法进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
OLED器件的制备：
在低于2.0×10-5mbar的基础压力下，通过磁控溅射，在玻璃基板上镀ITO薄膜(150nm)，然后经过刻蚀，得到相应发光图案的ITO薄膜玻璃基板；
在ITO薄膜玻璃基板上倒入洗涤剂、去污粉和去离子水，在超声机中超声3次，每次90分钟，功率为900W，每次超声更换为新的去离子水、丙酮和异丙醇重复上述步骤，然后经过干燥，紫外波长185nm下照射20min，得到洁净的ITO薄膜玻璃基板；
将所需蒸镀的材料放入蒸镀舱的各个舟源或坩埚源上，将洁净的ITO基板放入蒸镀舱中进行蒸镀，得到所述OLED器件；
蒸镀完器件后，在电流为40A的条件下，蒸镀Alq3层(50nm)，电流为70A的条件下，蒸镀Ca层(50nm)、电流为90A的条件下，蒸镀MoO2和MoO3的混合物层(50nm)，使蒸镀的蒸发速率为电流为30A的条件下，蒸镀Al层(50nm)，得到Alq3/Ca/MoOx/Al封装薄膜，其中MoOx代表MoO2和MoO3的混合物层。
实施例2
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀Alq3、MoOx和Al，得到Alq3/MoOx/Al封装薄膜。
实施例3
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次循环蒸镀Alq3、MoOx和铝，连续蒸镀3个周期，得到Alq3/MoOx/Al周期性封装薄膜，其中MoOx代表MoO2和MoO3的混合物层。
实施例4
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀Alq3、WOx和Al，得到Alq3/WOx/Al封装薄膜，其中WOx代表WO2和WO3的混合物层。
经过亮度和电压的检测，在0～180h，本实施例制得的OLED亮度从2177cd/m2变为1284cd/m2，电压从6.74V变为9.97V。
实施例5
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀NPB、WOx和Mg，得到NPB/WOx/Mg封装薄膜。
经过亮度和电压的检测，在0～180h，本实施例制得的OLED亮度从2103cd/m2变为1000cd/m2，电压从6.54V变为10.01V。
实施例6
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀TPBi、MoOx和Zn，得到TPBi/MoOx/Zn封装薄膜，其中MoOx代表MoO2和MoO3的混合物层。
经过亮度和电压的检测，在0～180h，本实施例制得的OLED亮度从2080cd/m2变为1090cd/m2，电压从6.24V变为9.80V。
实施例7
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀TPBi、MoOx和锌合金，得到TPBi/MoOx/锌合金封装薄膜，其中MoOx代表MoO2和MoO3的混合物层。
经过亮度和电压的检测，在0～180h，本实施例制得的OLED亮度从2008cd/m2变为1384cd/m2，电压从6.41V变为7.81V。
实施例8
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀NPB、WOx和镁合金，得到NPB/WOx/Mg合金封装薄膜，其中WOx代表WO2和WO3的混合物层。
经过亮度和电压的检测，在0～180h，本实施例制得的OLED亮度从2130cd/m2变为1734cd/m2，电压从6.74V变为9.97V。
实施例9
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀Alq3、WOx和铝合金，得到Alq3/WOx/Al合金封装薄膜，其中WOx代表WO2和WO3的混合物层。
经过亮度和电压的检测，在0～180h，本实施例制得的OLED亮度从2100cd/m2变为500cd/m2，电压从6.24V变为12V。
实施例10
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本实施例依次蒸镀TPBi、WOx和Al，得到TPBi/MoOx/Al封装薄膜，其中WOx代表WO2和WO3的混合物层。
经过亮度和电压的检测，在0～180h，本实施例制得的OLED亮度2100cd/m2变为1100cd/m2，电压从6.24V变为10.5V。
对比例1
OLED器件的制备方法与实施例1相同，蒸镀的OLED薄膜封装层材料不同。本对比例1依次蒸镀Alq3、LiF和Al，得到Alq3/LiF/Al封装薄膜。
图1为实施例2制得的OLED器件及Alq3/MoOx/Al封装薄膜示意图。
图2为实施例1和对比例1制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件亮度随时间的变化图，从中可以得到：本发明实施例1制得的OLED薄膜封装层在0～160h内点亮OLED器件时，相同电流下实施例1OLED器件亮度从2150cd/m2下降到1980cd/m2，而对比例1OLED薄膜封装层在0～100h内点亮OLED器件时，相同电流下对比例1OLED器件亮度从2050cd/m2下降到600cd/m2，发生了明显变化，证明本发明的OLED薄膜封装层能够大幅度延长OLED器件的使用寿命。
图3为实施例1和对比例1制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件电压随时间的变化图，从中可以得到：本发明实施例1制得的OLED薄膜封装层在0～160h内点亮OLED器件时，相同电流下实施例1OLED器件电压从6.0V上升到6.3V，而对比例1OLED薄膜封装层在0～100h内点亮OLED器件时，相同电流下对比例1OLED器件电压从6.6V上升到13.0V，发生了明显变化，证明本发明的OLED薄膜封装层能够大幅度延长OLED器件的使用寿命。
图4为实施例2和实施例3制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件亮度随时间的变化图，从中可以得到：本发明实施例2制得的OLED薄膜封装层在0～160h内点亮OLED器件时，相同电流下实施例2OLED器件亮度从2150cd/m2下降到1360cd/m2，实施例3制得的OLED薄膜封装层在0～160h内点亮OLED器件时，相同电流下实施例3OLED器件亮度由2100cd/m2下降到1980cd/m2，说明周期性叠加的封装层的封装效果优于一个周期的封装层，更能延长OLED器件的使用寿命。
图5为实施例2和实施例3制得的OLED薄膜封装层应用在OLED器件上后，OLED器件电压随时间的变化图，从中可以得到：本发明实施例2制得的OLED薄膜封装层在0～160h内点亮OLED器件时，相同电流下实施例2OLED器件电压从6.8V上升到10.0V，实施例3制得的OLED薄膜封装层在0～160h内点亮OLED器件时，相同电流下实施例3OLED器件电压由从5.4V上升到6.0V，说明周期性叠加的封装层的封装效果优于一个周期的封装层，更能延长OLED器件的使用寿命。
并且，实施例1制得的OLED器件亮度稳定性优于实施例2，说明钙层的加入有利于延长OLED器件的使用寿命。
由实施例1～10和对比例1可以得到，本发明的OLED薄膜封装层在相当长的时间内点亮OLED器件时，相同电流下OLED器件电压和亮度不会有明显变化，证明本发明的OLED薄膜封装层能够大幅度延长OLED器件的使用寿命；并且钙层和周期性排列的封装层也能够延长OLED器件的使用寿命。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并非对本发明作任何形式上的限制。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED薄膜封装层，其特征在于，所述OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述铝的形式为铝单质或铝合金，所述银的形式为银单质或银合金，所述锌的形式为单质锌或锌合金，所述镍的形式为单质镍或镍合金，所述镁的形式为单质镁或镁合金。
3.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述OLED薄膜封装层中有机物层、金属氧化物层和金属层呈周期性排列。
4.根据权利要求3所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述周期性排列的周期数为1～8。
5.根据权利要求1或3所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述有机物层与金属氧化物层之间还包括钙层。
6.根据权利要求5所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述钙层的厚度为50～200nm。
7.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述有机物层、金属氧化物层和金属层的厚度独立地为50～100nm。
8.权利要求1～7任一项所述OLED薄膜封装层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在OLED器件上依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层，得到所述OLED薄膜封装层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的电流为30～100A。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀中金属氧化物蒸发速率为
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