CN114388721B - 一种硅基oled显示基板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种硅基OLED显示基板。该硅基OLED显示基板包括:晶圆基板和多个支撑隔离部件,晶圆基板包括基底以及形成于基底上的多个裸片;多个支撑隔离部件位于晶圆基板上的相邻裸片之间,并且支撑隔离部件的高度大于裸片的高度,支撑隔离部件条用于支撑蒸镀用通用型掩膜版。本实施例解决了现有硅基OLED产品受颗粒影响严重,良率异常,以及封装失效的技术问题,在白光OLED器件的蒸镀过程中,对掩膜版和基板进行有效隔离,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到基板上,减少了掩膜版引入硅基OLED产品的颗粒数量,有利于提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种硅基OLED显示基板。
背景技术
随着VR技术的兴起,VR产品对显示器件的像素密度要求愈发严苛,一般需要像素密度高于2000PPI,而传统LCD和OLED技术均难以制备更高像素密度的显示器件。
目前,应用于VR产品的显示器件多为硅基OLED,硅基OLED彩色化的实现方式之一是制备白光OLED器件,并通过彩色滤光片进行彩色化。其中,白光OLED器件通常采用蒸镀方式,以将有机材料蒸镀到基板上实现发光。
与手机显示屏幕的制备过程不同,蒸镀白光OLED器件需要使用通用型掩膜版。由于该掩膜版的存在,现有硅基OLED产品受颗粒影响严重,存在良率异常和封装失效等问题。
发明内容
本发明实施例提供一种硅基OLED显示基板,以减少蒸镀用掩膜版引入硅基OLED产品的颗粒数量,有利于提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险。
本发明实施例提供了一种硅基OLED显示基板,包括:
晶圆基板,所述晶圆基板包括基底以及形成于所述基底上的多个裸片;
多个支撑隔离部件,位于所述晶圆基板上的相邻裸片之间,并且所述支撑隔离部件的高度大于所述裸片的高度,所述支撑隔离部件用于支撑蒸镀用通用型掩膜版。
该技术方案通过在圆晶基板上相邻裸片之间设置高度高于裸片的多个支撑隔离部件,以支撑蒸镀用通用型掩膜版。这样设置可以在白光OLED器件的蒸镀过程中,对掩膜版和基板进行有效隔离,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到基板上,减少了掩膜版引入硅基OLED产品的颗粒数量,有利于提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险。
可选地,所述支撑隔离部件包括沿行方向延伸的支撑隔离条,每行所述裸片位于两条支撑隔离条之间;或
所述支撑隔离部件包括沿列方向延伸的支撑隔离条,每列所述裸片位于两条支撑隔离条之间。
该技术方案通过在圆晶基板上每行裸片的上下两边设置两条沿行方向延伸的支撑隔离条,或者每列裸片的左右两边设置两条沿列方向延伸的支撑隔离条,以支撑蒸镀用通用型掩膜版。这样设置能够在白光OLED器件的蒸镀过程中,对掩膜版和基板进行有效隔离,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到基板上,减少了掩膜版引入硅基OLED产品的颗粒数量,有利于提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险。
可选地,所述支撑隔离部件包括多个非连续的支撑隔离子部。
可选地,所述支撑隔离子部呈条状、块状或者柱状。
可选地,所述支撑隔离子部围绕至少一所述裸片设置。
可选地,支撑隔离子部呈多行排列,一行所述支撑隔离子部位于相邻行所述裸片之间。
该技术方案通过设置包括多个非连续,不同形状,以及多种排列方式的支撑隔离子部的支撑隔离部件,不仅能够有效隔离掩膜版和基板,还能进一步减少掩膜版引入硅基OLED产品的颗粒数量,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到基板上,有利于提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险。
可选地,所述支撑隔离子部远离所述晶圆基板的顶端包括向上突起的弧形面。
该技术方案通过设置支撑隔离子部远离晶圆基板的顶端包括向上突起的弧形面,使得支撑隔离条远离晶圆基板一侧的极少部分弧面与掩膜版直接接触,进一步降低了支撑隔离条粘附的颗粒数量,因而更有益于提高硅基OLED产品良率,以及规避封装失效风险。
可选地,所述支撑隔离子部的顶端呈拱形或半圆形。
该技术方案通过设置支撑隔离子部的顶端呈拱形或半圆形,使得支撑隔离条远离晶圆基板一侧的极少部分弧面与掩膜版直接接触,进一步降低了支撑隔离条粘附的颗粒数量,因而更有益于提高硅基OLED产品良率,以及规避封装失效风险。
可选地,所述支撑隔离部件的高度范围为10~50μm。
该技术方案在保证掩膜版和基板之间隔离的有效性的基础上,降低了蒸镀阴影对硅基OLED产品的负面影响,达到了提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险的效果。
可选地,所述显示基板上还包括设置于相邻两个所述裸片之间的两条切割道,所述支撑隔离部件位于两条所述切割道之间。
该技术方案通过在相邻两个裸片之间设置两条切割道,并将支撑隔离部件装设于两条切割道之间,在蒸镀形成裸片上的膜层时,支撑隔离部件能够支撑蒸镀用的通用掩膜版,而且不会占用最终形成的显示面板的显示区,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到裸片上,即使支撑隔离部件与掩膜版接触并粘附有颗粒,由于支撑隔离部件会随两切割道之间晶圆基板的切除而去除,该颗粒也不会对最终形成的硅基OLED产品造成影响。
本发明实施例的技术方案通过在圆晶基板上相邻裸片之间设置高度高于裸片的多个支撑隔离部件,以支撑蒸镀用通用型掩膜版。这样设置可以在白光OLED器件的蒸镀过程中,对掩膜版和基板进行有效隔离,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到基板上,减少了掩膜版引入硅基OLED产品的颗粒数量,有利于提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险。
附图说明
图1是现有技术中颗粒存在区的位置示意图;
图2是本发明实施例提供的一种硅基OLED显示基板的侧视图;
图3是本发明实施例提供的一种硅基OLED显示基板的俯视图;
图4是本发明实施例提供的一种支撑隔离条的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种支撑隔离条的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的又一种支撑隔离条的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的另一种硅基OLED显示基板的俯视图;
图8是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图;
图9是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图;
图10是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图;
图11是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术中提到的现有硅基OLED产品受颗粒影响严重,存在良率异常和封装失效等技术问题,发明人经过仔细研究发现,产生此技术问题的原因在于,图1是现有技术中颗粒存在区的位置示意图,参见图1,在现有硅基OLED的生产环节中,蒸镀产生的颗粒占比较高,经过清洁和反复抽真空后,腔室内的颗粒在真空下一般很少,大多数颗粒来自于蒸镀用通用型掩膜版和基板。其中,基板上的颗粒能够通过清洗基本解决,但掩膜版上的颗粒会因有机材料的蒸镀过程而不断增多,同时,对掩膜版进行清洗也无法彻底清除存在的颗粒。因此,在基板和掩膜版贴合后,掩膜版上残存的颗粒会粘附到基板上,即颗粒存在区110。
由于硅基OLED产品的像素密度较高,像素的尺寸相对偏小,一般小于5μm,因而硅基OLED产品对颗粒的容忍度较低,2μm以上的颗粒就会造成产品不良。由此可见,由于蒸镀用通用型掩膜版的存在,现有硅基OLED产品受颗粒影响严重,存在良率异常和封装失效等问题。
针对上述技术问题,本发明提出如下解决方案:
图2是本发明实施例提供的一种硅基OLED显示基板的侧视图,参见图2,该硅基OLED显示基板的结构包括:晶圆基板210,晶圆基板210包括基底211以及形成于基底211上的多个裸片212;多个支撑隔离部件220,位于晶圆基板210上的相邻裸片212之间,并且支撑隔离部件220的高度大于裸片212的高度,支撑隔离部件220条用于支撑蒸镀用通用型掩膜版。
其中,支撑隔离部件220用于在白光OLED器件的蒸镀过程中,支撑蒸镀用通用型掩膜版。由于支撑隔离部件220的高度大于裸片212的高度,因而当基板与掩膜版贴合时,仅支撑隔离部件220与掩膜版相互接触,基板其他位置不会接触掩膜版,在掩膜版清洗后,仅有极少部分的残存颗粒会被带到基板上,并进入下一工艺段。
可知地,支撑隔离部件220的高度可以根据颗粒大小,以及工艺贴合过程中硅基OLED产品对蒸镀阴影的容忍性等方面的考虑进行适应性调整,支撑隔离部件220的宽度应尽可能小,本发明对此均不进行限制。假设圆晶基板210上的裸片212高度是aμm,可选地,支撑隔离部件220的高度范围为10~50μm,即支撑隔离部件220的高出裸片212的高度范围为(10-a)μm至(50-a)μm之间。示例性地,支撑隔离部件220的高度可以优选设定为20μm。
可以理解的是,支撑隔离部件220的高度低于10μm,会导致掩膜版以及基板之间难以实现有效隔离;支撑隔离部件220的高度高于50μm,会导致蒸镀阴影过大,易于引发封装失效问题,影响硅基OLED产品良率。因此,支撑隔离部件220的高度范围为10~50μm,在保证掩膜版和基板之间隔离的有效性的基础上,降低蒸镀阴影对硅基OLED产品的负面影响。
示例性地,支撑隔离部件220的材料可以是SiNx、SiOx、Al2O3、Al或TiN等半导体工艺常用材料,支撑隔离部件220的制作过程可以是通过PVD或CVD成膜,以及黄光刻蚀形成所需图案。
具体地,当支撑隔离部件220的材料选用SiOx时,支撑隔离部件220的制作过程可以是通过CVD成膜,以及黄光刻蚀形成所需图案。此外,支撑隔离部件220可以和硅基OLED显示基板的PDL层位于同一层且材料相同,这样设置能够在制作PDL层的同时,制作支撑隔离部件220,实现了简化工艺流程,降低制作成本的技术效果。
具体地,当支撑隔离部件220的材料选用SiNx、Al2O3或TiN时,支撑隔离部件220的制作过程可以是通过CVD成膜,ALD成膜或者PVD成膜,以及黄光刻蚀形成所需图案。另外,支撑隔离部件220可以和硅基OLED显示基板的绝缘层位于同一层且材料相同,这样设置能够在制作绝缘层的同时,制作支撑隔离部件220,进而简化了工艺流程,并降低了制作成本。
具体地,当支撑隔离部件220的材料选用Al时,支撑隔离部件220的制作过程可以是通过PVD成膜,以及黄光刻蚀形成所需图案。另外,支撑隔离部件220可以和硅基OLED显示基板的金属阳极层位于同一层且材料相同,这样设置能够在制作金属阳极层的同时,制作支撑隔离部件220,达到了简化工艺流程,降低制作成本的效果。
以硅基OLED显示基板的典型结构为例,在一些实施例中,硅基OLED显示基板的具体制作流程至少包括如下步骤:
S1、裸片上形成有金属阳极层,并在形成金属阳极层的同时,形成支撑隔离部件,以支撑蒸镀用通用型掩膜版;
S2、利用蒸镀用通用型掩膜版蒸镀白光OLED器件材料层,例如由靠近金属阳极层的一侧向远离金属阳极层的一侧先后蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层;
S3、制作透明阴极;
S4、对白光OLED器件进行薄膜封装;
S5、利用UV胶将含有色彩滤光片的玻璃盖板与薄膜封装后的裸片进行对位贴合,并通过紫外线照射的方式进行固化。
与上述硅基OLED显示基板的制作流程相比,现有硅基OLED产品大多直接在金属阳极层上利用蒸镀用通用型掩膜版蒸镀白光OLED器件。在使用各有机材料蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层的过程中,掩膜版上的颗粒会逐渐累积,由于掩膜版与基板相贴合,掩膜版上的颗粒会粘附到基板上,也即裸片上。在利用UV胶将含有色彩滤光片的玻璃盖板与薄膜封装后的裸片进行对位贴合,并通过紫外线照射的方式进行固化后,原本应与裸片紧密结合的UV胶会和该颗粒粘合,又由于颗粒与裸片之间的粘附并不牢固,因而UV胶将难以对含有色彩滤光片的玻璃盖板以及薄膜封装后的裸片进行有效贴合,存在封装失效风险,并且影响硅基OLED产品的良率。
由此可见,本实施例通过在圆晶基板上相邻裸片之间设置高度高于裸片的多个支撑隔离部件,以支撑蒸镀用通用型掩膜版。这样设置可以在白光OLED器件的蒸镀过程中,对掩膜版和基板进行有效隔离,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到基板上,减少了掩膜版引入硅基OLED产品的颗粒数量,有利于提高硅基OLED产品良率,并规避封装失效风险。
可选地,在上述实施例的基础上,图3是本发明实施例提供的一种硅基OLED显示基板的俯视图,参见图3,该硅基OLED显示基板中的支撑隔离部件包括沿行方向延伸的支撑隔离条221,每行裸片212位于两条支撑隔离条221之间。
其中,支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端可以是平面或者弧面。
示例性地,图4是本发明实施例提供的一种支撑隔离条的结构示意图,参见图4,该支撑隔离条221沿行方向为长方形,支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端是平面;图5是本发明实施例提供的另一种支撑隔离条的结构示意图,参见图5,该支撑隔离条221沿行方向为饼图扇形,支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端是弧面;图6是本发明实施例提供的又一种支撑隔离条的结构示意图,参见图6,该支撑隔离条221沿行方向下部为方形,上部为半圆形,支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端是弧面。
可以理解的是,本实施例可以将支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端设置为弧面,这样设置的原因在于:当支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端是平面时,支撑隔离条221远离晶圆基板一侧的平面会与掩膜版完全接触,支撑隔离条221粘附的颗粒数量偏多,而当支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端是弧面时,仅有支撑隔离条221远离晶圆基板一侧的极少部分弧面与掩膜版直接接触,支撑隔离条221粘附的颗粒数量更少,有益于提高硅基OLED产品良率,以及规避封装失效风险。
可选地,在上述实施例的基础上,图7是本发明实施例提供的另一种硅基OLED显示基板的俯视图,参见图7,该硅基OLED显示基板中的支撑隔离部件包括沿列方向延伸的支撑隔离条221,每列裸片212位于两条支撑隔离条221之间。
其中,沿列方向延伸的支撑隔离条221远离晶圆基板的顶端可以是平面或者弧面,其技术原理和实现的效果与沿行方向延伸的支撑隔离条221类似,不再进行赘述。
在一个实施例中,图8是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图,参见图8,该硅基OLED显示基板中的支撑隔离部件包括沿列方向延伸的支撑隔离条221,每列裸片212位于两条支撑隔离条221之间,以及,沿行方向延伸的支撑隔离条221,每行裸片212位于两条支撑隔离条221之间,其技术原理和实现的效果类似,不再赘述。
可选地,在上述实施例的基础上,图9是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图,参见图9,该硅基OLED显示基板中的支撑隔离部件包括多个非连续的支撑隔离子部222。
其中,图9示例性示出了多个非连续的支撑隔离子部222呈非均匀分布,但不作为对本发明的限定。可以理解的是,本发明实施例可以将多个非连续的支撑隔离子部222的排布方式优选设定为均匀分布,这样设置的原因在,在均匀分布的多个非连续的支撑隔离子部222的作用下,掩膜版的受力相对均匀,有利于延长掩膜版的使用寿命。
另外,支撑隔离子部222的长度可以根据硅基OLED显示基板的实际应用需求进行设定。可知地,不同长度的支撑隔离子部222对应于不同的形状,根据长度由长到短,可选地,支撑隔离子部222呈条状、块状或者柱状。
可选地,支撑隔离子部222远离晶圆基板的顶端包括向上突起的弧形面,支撑隔离子部222的顶端呈拱形或半圆形。可知地,这样设置的技术原理和实现的效果与支撑隔离条的弧面顶端类似,当支撑隔离子部222的顶端包括向上突起的弧形面时,仅支撑隔离子部222远离晶圆基板一侧的极少部分弧面会直接接触掩膜版,因而支撑隔离子部222粘附的颗粒数量更少,有利于提高硅基OLED产品良率,规避封装失效风险。
可选地,在上述实施例的基础上,图10是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图,参见图10,该硅基OLED显示基板中的支撑隔离子部222围绕至少一裸片212设置;支撑隔离子部222呈多行排列,一行支撑隔离子部222位于相邻行裸片212之间。
可选地,在上述实施例的基础上,图11是本发明实施例提供的又一种硅基OLED显示基板的俯视图,参见图11,该硅基OLED显示基板上还包括设置于相邻两个裸片212之间的两条切割道230,支撑隔离部件位于两条切割道230之间。
其中,切割道230用于为砂轮、微水刀激光或激光等切割媒介提供切割通道,以将晶圆基板上的多个裸片212分离成单个裸片212。
具体地,两条切割道230可以均匀分布在临近两个裸片212的中心线的左右和/或上下两侧。当切割媒介沿切割道230切割晶圆基板时,由于支撑隔离部件位于两条切割道230之间,因而支撑隔离部件会随两切割道230之间晶圆基板的切除而去除,即使支撑隔离部件与掩膜版接触并粘附有颗粒,该颗粒也无法对硅基OLED产品造成影响,有利于克服现有硅基OLED产品良率异常和封装失效的技术问题。换句话说,通常相邻裸片212之间存在一条切割道230,本申请在相邻裸片212之间设置两条切割道230,并将支撑隔离部件设置于两条切割道之间,一方面在蒸镀形成裸片212上的膜层时,支撑隔离部件能够支撑蒸镀用的通用掩膜版,而且不会占用最终形成的显示面板的显示区,防止清洗后残存于掩膜版上的颗粒粘附到裸片212上,即使支撑隔离部件与掩膜版接触并粘附有颗粒,由于支撑隔离部件会随两切割道230之间晶圆基板的切除而去除,该颗粒也不会对最终形成的硅基OLED产品造成影响。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (9)
1.一种硅基OLED显示基板,其特征在于,包括:
晶圆基板,所述晶圆基板包括基底以及形成于所述基底上的多个裸片;
多个支撑隔离部件,位于所述晶圆基板上的相邻裸片之间,并且所述支撑隔离部件的高度大于所述裸片的高度,所述支撑隔离部件用于支撑蒸镀用通用型掩膜版;
所述显示基板上还包括设置于相邻两个所述裸片之间的两条切割道,所述支撑隔离部件位于两条所述切割道之间。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述支撑隔离部件包括沿行方向延伸的支撑隔离条,每行所述裸片位于两条支撑隔离条之间;或
所述支撑隔离部件包括沿列方向延伸的支撑隔离条,每列所述裸片位于两条支撑隔离条之间。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述支撑隔离部件包括多个非连续的支撑隔离子部。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述支撑隔离子部呈条状、块状或者柱状。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述支撑隔离子部围绕至少一所述裸片设置。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,支撑隔离子部呈多行排列,一行所述支撑隔离子部位于相邻行所述裸片之间。
7.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述支撑隔离子部远离所述晶圆基板的顶端包括向上突起的弧形面。
8.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述支撑隔离子部的顶端呈拱形或半圆形。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述支撑隔离部件的高度范围为10~50μm。
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