CN113257859A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基板，包括显示区域和在所述显示区域外部的非显示区域；平坦化层，在所述基板上方，其中，第一接触孔、第二接触孔和虚设孔限定为穿过所述平坦化层；第一像素，在所述平坦化层上并且包括第一像素电极，其中，所述第一像素电极与所述第一接触孔和所述虚设孔重叠；以及第二像素，在所述平坦化层上并且包括第二像素电极，其中，所述第二像素电极与所述第二接触孔重叠。

Description

显示装置
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种由反射光引起的颜色分离减少的显示装置。
背景技术
通常，显示装置可以在各种环境下使用。因此，显示装置可以在外界光环境下使用。特别地，当显示装置是移动设备时，存在移动设备在室外空间中存在外部光的环境下使用的高可能性。
发明内容
然而，在常规的显示装置中，由于外部光被显示装置反射，因此可能观察到色带。
一个或多个实施例包括可以减少由外部光反射引起的色带的出现程度的显示装置。
根据一实施例，一种显示装置包括：基板，包括显示区域和在所述显示区域外的非显示区域；平坦化层，在所述基板上方，其中，第一接触孔、第二接触孔和虚设孔限定为穿过所述平坦化层；第一像素，在所述平坦化层上并且包括第一像素电极，其中，所述第一像素电极与所述第一接触孔和所述虚设孔重叠；以及第二像素，在所述平坦化层上并且包括第二像素电极，其中，所述第二像素电极与所述第二接触孔重叠。
在一实施例中，所述第一像素电极和所述第二像素电极可以在彼此相同的方向上倾斜。
在一实施例中，所述显示装置还可以包括：像素限定层，在所述第一像素电极上，其中，第一开口限定为穿过所述像素限定层以暴露所述第一像素电极的至少一部分，并且所述第一接触孔和所述虚设孔可以彼此分隔开，所述像素限定层的所述第一开口位于所述第一接触孔和所述虚设孔之间。
在一实施例中，所述虚设孔可以与所述像素限定层重叠。
在一实施例中，所述像素限定层可以包括遮光材料。
在一实施例中，所述平坦化层可以包括第一平坦化层和第二平坦化层，并且所述第一接触孔可以限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
在一实施例中，所述虚设孔可以限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
在一实施例中，所述虚设孔可以仅限定在所述第二平坦化层中。
在一实施例中，所述第一平坦化层和所述第二平坦化层可以包括彼此不同的材料。
在一实施例中，所述显示装置还可以包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个在所述基板上方，其中，所述第一薄膜晶体管可以通过所述第一接触孔连接到所述第一像素电极，并且所述第二薄膜晶体管可以通过所述第二接触孔连接到所述第二像素电极。
在一实施例中，所述第一像素还可以包括在所述第一像素电极上的第一中间层，所述第二像素还可以包括在所述第二像素电极上的第二中间层，所述第一中间层和所述第二中间层中的一个以绿色波长发射光，并且所述第一中间层和所述第二中间层中的另一个以红色或蓝色波长发射光。
在一实施例中，所述第一中间层可以以所述红色或蓝色波长发射光，并且所述第二中间层可以以所述绿色波长发射光。
在一实施例中，所述显示装置还可以包括：遮光层，与所述像素限定层重叠，其中，第二开口限定为穿过所述遮光层，所述遮光层可以与所述虚设孔分隔开第一距离，并且所述第一距离可以限定为所述第二开口的内表面和所述虚设孔之间的最短距离。
根据一实施例，一种显示装置包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个在所述基板上方；平坦化层，在所述基板上方，其中，第一接触孔、第二接触孔和虚设孔限定为穿过所述平坦化层；第一像素电极，在所述平坦化层上，与所述虚设孔重叠，并且通过所述第一接触孔连接到所述第一薄膜晶体管；以及第二像素电极，在所述平坦化层上并且通过所述第二接触孔连接到所述第二薄膜晶体管。
在一实施例中，所述第一像素电极和所述第二像素电极可以在彼此相同的方向上倾斜。
在一实施例中，所述显示装置还可以包括：像素限定层，在所述第一像素电极和所述第二像素电极上，其中，开口限定为穿过所述像素限定层以暴露第一像素电极和第二像素电极的至少一部分，并且所述第一接触孔可以与所述虚设孔分隔开，所述像素限定层的所述开口位于所述第一接触孔和所述虚设孔之间。
在一实施例中，所述平坦化层可以包括第一平坦化层和第二平坦化层，并且所述第一接触孔可以限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
在一实施例中，所述虚设孔可以限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
在一实施例中，所述虚设孔可以仅限定在所述第二平坦化层中。
在一实施例中，所述显示装置还可以包括：第一中间层和第二中间层，所述第一中间层和所述第二中间层分别在所述第一像素电极和所述第二像素电极上；以及相对电极，覆盖所述第一中间层和所述第二中间层，其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的一个以绿色波长发射光，并且所述第一中间层和所述第二中间层中的另一个以红色或蓝色波长发射光。
从实施例的下述描述、附图和权利要求，本发明的实施例的这些和/或其它特征将变得明显并且更容易理解。
附图说明
从结合附图进行的下述描述，本公开的实施例的上述和其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据一实施例的显示装置的透视图；
图2是根据一实施例的显示装置的平面图；
图3和图4是根据实施例的显示装置中的像素的等效电路图；
图5是根据一实施例的显示装置的平面图；
图6是根据一实施例的显示装置的截面图；
图7A、图7B和图7C是根据一实施例的显示装置的示意图；
图8和图9是根据可替代实施例的显示装置的截面图；
图10是根据一可替代实施例的显示装置的平面图；
图11是根据一实施例的显示装置的截面图；
图12A、图12B、图12C是根据一实施例的显示装置的平面图；并且
图13和图14是根据可替代实施例的显示装置的截面图。
具体实施例
现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出各种实施例。然而，本发明可以以许多不同形式实施，并且不应被解释为限于在本文中所阐述的实施例。更确切地，提供这些实施例，使得本公开将是透彻和完整的并且将把本发明的范围全面地传达给本领域技术人员。相似的附图标记始终是指相似的元件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，元件可以直接在另一元件上，或者元件和另一元件之间可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中使用以描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、一个组件、一个区域、一个层或一个部分与另一元件、另一组件、另一区域、另一层或另一部分。因此，在不脱离在本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
在本文中使用的术语只是为了描述具体实施例的目的，并且不旨在是限制的。除非内容另外明确地指出,如在本文中所使用的，单数形式“一(a，an)”和“所述(该)”旨在包括复数形式，包括“至少一个(至少一种)”。“或”意味着“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的列出项的任意和全部组合。如在本文中所使用的，“A和B中的至少一个”意味着A、B、或A和B。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，a、b和c的全部，或其变型。还将理解的是，当在说明书中使用时，术语“包括(comprises和/或comprising)”和/或“包含(includes和/或including)”指示所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个的其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
另外，在本文中可以使用诸如“下(lower)”或“底部”和“上(upper)”或“顶部”的相对术语，以描述在附图中示出的一个元件的与另一元件的关系。将理解的是，相对术语旨在涵盖除了附图中描述的取向之外的装置的不同取向。例如，如果附图中的一个中的装置翻转，那么被描述为在其它元件的“下”侧上的元件于是将取向为在其它元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下”可以涵盖“下”的取向和“上”的取向两者，取决于附图的具体取向。相似地，如果附图中的一个中的装置翻转，那么被描述为“在”其它元件“之下”或“在”其它元件“下”的元件于是将取向为“在”其它元件“之上”。因此，示例性术语“在……之下”或“在……下”可以涵盖“在……之上”的取向和“在……之下”的取向两者。
考虑所讨论的测量和与具体量的测量关联的误差(即，测量***的局限性)，如在本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员所确定的对于具体值而言在可接受的偏差范围之内。例如，“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差之内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％之内。
除非另有定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在常用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与术语在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过度形式的意义解释。
如在本文中所使用的，当布线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，这意味着布线不仅在第一方向或第二方向上以直线形状延伸，而且在第一方向或第二方向上以之字形或以曲线延伸。
如在本文中所使用的，“在平面图上”意味着从上观察目标部分，并且“在截面图上”意味着从横侧观察目标部分的垂直地截取的截面。如在本文中所使用的，“与……重叠”包括“在平面图中”与……重叠和“在截面图中”与……重叠。
在本文中参考截面示图描述实施例，截面示图为理想化的实施例的示意图。这样，例如由于制造技术和/或公差导致的与示图的形状的偏离将被预期。因此，在本文中所描述的实施例不应解释为限于在本文中所示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状中的偏差。例如，被示出为或被描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。再者，被示出的尖锐的角可以是圆形的。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状且不旨在限制本发明的范围。
在下文中，参考附图详细描述本公开的实施例。
图1是根据一实施例的显示装置1的透视图。
参考图1，显示装置1的一实施例包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光而显示图像。非显示区域NDA可以包括在其中不显示图像的区域。
在下文中，为了便于描述，将详细描述显示装置1是有机发光显示装置的实施例，但是显示装置1不限于此。在一可替代实施例中，显示装置1可以是另一类型的显示装置，诸如无机发光显示器或量子点发光显示器。在一个实施例中，例如，显示装置1的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或无机材料和量子点。
图1示出显示装置1具有平坦的显示表面的一实施例，但是实施例不限于此。在一可替代实施例中，显示装置1可以包括三维的显示表面或弯曲的显示表面。
在显示装置1包括三维的显示表面的一实施例中，显示装置1可以包括指示不同方向的多个显示区域，并且例如可以包括多棱镜型显示表面。在显示装置1包括弯曲的显示表面的一实施例中，显示装置1可以以诸如柔性显示装置、可折叠显示装置或可卷曲显示装置的各种形式实现。
图1示出显示装置1是移动电话终端的一实施例。尽管未示出，但是在这样的实施例中，安装在主板上的电子模块、照相机模块、电源模块等可以与显示装置1一起布置在支架/壳体上，使得移动电话终端可以被配置。在一实施例中，显示装置1可应用于诸如平板个人计算机、汽车导航设备、游戏机和智能手表的小型和中型电子设备，以及诸如电视、监视器的大型电子设备等。
图1示出显示装置1的显示区域DA为四边形的一实施例，但实施例不限于此。可替代地，显示区域DA可以具有圆形形状或椭圆形形状，或者诸如三角形或五边形的多边形形状。
图2是根据一实施例的显示装置1的平面图。
参考图2，显示装置1的一实施例包括布置在显示区域DA中的多个像素P。多个像素P中的每一个可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。多个像素P中的每一个可以从有机发光二极管OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。在如上所述的一实施例中，显示装置1的像素P可以包括发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的像素，即，红色像素、绿色像素、蓝色像素或白色像素。
每个像素P可以电连接到布置在非显示区域NDA中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120、第二发射驱动电路125、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以布置在非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL将扫描信号提供到每个像素P。第一发射驱动电路115可以通过发射控制线EL将发射控制信号提供到每个像素P。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，显示区域DA在第二扫描驱动电路120和第一扫描驱动电路110之间。布置在显示区域DA中的像素P的一些像素可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且像素P的其余像素可以电连接到第二扫描驱动电路120。第二发射驱动电路125可以与第一发射驱动电路115平行地布置，显示区域DA在第二发射驱动电路125和第一发射驱动电路115之间。布置在显示区域DA中的像素P的一些像素可以电连接到第一发射驱动电路115，并且像素P的其余像素可以电连接到第二发射驱动电路125。
在一实施例中，第一发射驱动电路115可以在x方向上与第一扫描驱动电路110分隔开，并且布置在非显示区域NDA中。在这样的实施例中，第一发射驱动电路115可以与第一扫描驱动电路110在y方向上交替地布置。
在一实施例中，第二发射驱动电路125可以在x方向上与第二扫描驱动电路120分隔开，并且布置在非显示区域NDA中。在这样的实施例中，第二发射驱动电路125可以与第二扫描驱动电路120在y方向上交替地布置。
端子140可以布置在基板100的一个侧上或边缘部分上。端子140可以通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示装置1的端子140。印刷电路板PCB将控制器(未示出)的信号或电力传输到显示装置1。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB传输到第一扫描驱动电路110、第一发射驱动电路115、第二扫描驱动电路120和第二发射驱动电路125。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171将第一电源电压ELVDD(参见图3)(也称为驱动电压)和第二电源电压ELVSS(参见图3)(也称为公共电压)分别提供到第一电源线160和第二电源线170。通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL可以将第一电源电压ELVDD提供到像素P，并且可以将第二电源电压ELVSS提供到连接到第二电源线170的像素P的相对电极。
在显示装置1的一实施例中，数据驱动电路150电连接到数据线DL。通过连接线151和数据线DL可以将数据驱动电路150的数据信号提供到每个像素P，连接线151连接到端子140，并且数据线DL连接到连接线151。
在一实施例中，如图2中所示，数据驱动电路150可以布置在印刷电路板PCB上，但实施例不限于此。可替代地，数据驱动电路150可以布置在基板100上。在一个实施例中，例如，数据驱动电路150可以布置在端子140和第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163在x方向上彼此平行地延伸，显示区域DA在第一子线162和第二子线163之间。第二电源线170可以具有具有一个开放侧的环形形状并且可以部分地围绕显示区域DA。
图3和图4是根据实施例的显示装置1中的像素P的等效电路图。
参考图3，像素P的一实施例包括像素电路PC和有机发光二极管OLED，其中，像素电路PC连接到扫描线SL和数据线DL，并且有机发光二极管OLED连接到像素电路PC。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且基于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn，将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压而控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
在一实施例中，如图3所示，像素电路PC包括两个薄膜晶体管T1、T2和单个存储电容器Cst，但是实施例不限于此。在一可替代实施例中，如图4中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及单个存储电容器Cst。
参考图4，像素P的一实施例包括像素电路PC和有机发光二极管OLED，有机发光二极管OLED电连接到像素电路PC。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和驱动电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括扫描线SL、前一条扫描线SL-1、后一条扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL。在这样的实施例中，扫描线SL可以传输扫描信号Sn，前一条扫描线SL-1可以将前一个扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4，后一条扫描线SL+1可以将扫描信号Sn传输到第二初始化薄膜晶体管T7，发射控制线EL可以将发射控制信号传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6，并且与扫描线SL交叉的数据线DL可以传输数据信号Dm。驱动电压线PL可以将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以将初始化电压Vint传输到第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以将初始化电压Vint传输到第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1连接到存储电容器Cst的第一电极CE1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1基于开关薄膜晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极G2连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源极电极S2连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1，并且通过操作控制薄膜晶体管T5同时连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极G3连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1并通过发射控制薄膜晶体管T6同时连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3连接到存储电容器Cst的第一电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且通过将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1而二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极G4连接到前一条扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极电极S4连接到第一初始化电压线VL1，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4连接到存储电容器Cst的第一电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一条扫描线SL-1传输的前一个扫描信号Sn-1而导通，并且执行通过将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1而初始化驱动薄膜晶体管T1的栅极电极G1的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅极电极G5连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源极电极S5连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏极电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅极电极G6连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源极电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En而被同时导通，驱动电压ELVDD被传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极G7连接到后一条扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极电极D7连接到第二初始化电压线VL2。
在扫描线SL电连接到后一条扫描线SL+1的这样的实施例中，可以将相同的扫描信号Sn施加到扫描线SL和后一条扫描线SL+1。因此，第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过后一条扫描线SL+1传输的扫描信号Sn而导通，并且可以执行初始化有机发光二极管OLED的像素电极的操作。
在这样的实施例中，存储电容器Cst的第二电极CE2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的公共电极连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED并且发光而显示图像。
在一实施例中，如图4中所示，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以各自具有双栅极电极，但实施例不限于此。可替代地，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以各自具有单栅极电极。
图5是根据一实施例的显示装置1的平面图，图6是根据一实施例的显示装置1的截面图，并且图7A、图7B、图7C是根据一实施例的显示装置1的示意图。
更具体地，图5是图2的区域A的放大图，图6是沿着图5的线I-I’、线II-II’和线III-III’截取的显示装置1的截面图，并且图7A、图7B、图7C是图6的区域B、区域C、区域D的放大图。
参考图5和图6，显示装置1的一实施例可以包括绿色像素Pg、红色像素Pr和蓝色像素Pb。在这样的实施例中，绿色像素Pg发射具有绿色波长的光，红色像素Pr发射具有红色波长的光，并且蓝色像素Pb发射具有蓝色波长的光。在图5的一实施例中，绿色像素Pg可以限定第一像素，红色像素Pr和蓝色像素Pb可以限定第二像素。
显示装置1的一实施例可以包括第一平坦化层109(如图6中所示)、绿色像素Pg和红色像素Pr。在这样的实施例中，第一平坦化层109可以布置在基板100上方，第一接触孔113a、第二接触孔113b和虚设孔114限定为穿过第一平坦化层109，绿色像素Pg布置在第一平坦化层109上且包括与第一接触孔113a和虚设孔114重叠的第一像素电极210a，并且红色像素Pr布置在第一平坦化层109上且包括与第二接触孔113b重叠的第二像素电极210b。
在一实施例中，显示装置1还可以包括蓝色像素Pb，蓝色像素Pb布置在第一平坦化层109上且包括与第三接触孔113c重叠的第三像素电极210c。
在一实施例中，基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。在这样的实施例中，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯折的。基板100可以具有多层结构，多层结构包括包括聚合物树脂的层和无机层(未示出)。
在显示装置1的一实施例中，缓冲层101可以布置在基板100上。缓冲层101可以位于基板100上，可以减少或阻止外来物质、湿气或外部空气从基板100下渗透，并且可以在基板100上提供平坦的表面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料、或有机/无机复合材料，并且包括包括无机材料和有机材料的单层或多层。
在显示装置1的一实施例中，第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3可以布置在缓冲层101上。每个薄膜晶体管TFT1、TFT2、TFT3可以包括半导体层134、栅极电极136、源极电极137和漏极电极138，源极电极137和漏极电极138起连接电极的作用。
第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3可以分别并且电连接到下面描述的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3，以驱动第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。
半导体层134布置在缓冲层101上，并且可以包括沟道区域132、源极区域131和漏极区域133。在这样的实施例中，沟道区域132可以与栅极电极136重叠，并且源极区域131和漏极区域133可以布置在沟道区域132的两个相对侧上且可以包括具有比沟道区域132的浓度高的浓度的杂质。这里，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。尽管未示出，但是源极区域131和漏极区域133可以电连接到连接电极。
半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在半导体层134包括氧化物半导体的一实施例中，半导体层134可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。在一个实施例中，例如，半导体层134可以包括选自InSnZnO(“ITZO”)、InGaZnO(“IGZO”)等中的至少一种。在半导体层134包括硅半导体的一实施例中，半导体层134可以包括非晶硅(“a-Si”)或通过使a-Si结晶而形成的低温多晶硅(“LTPS”)。
在显示装置1的一实施例中，第一绝缘层103可以布置在半导体层134上。第一绝缘层103可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种无机绝缘材料。第一绝缘层103可以是包括上述的无机绝缘材料的单层或多层。
栅极电极136可以布置在第一绝缘层103上。栅极电极136可以是包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属的单层或多层。栅极电极136可以连接到将电信号施加到栅极电极136的栅极线。
在显示装置1的一实施例中，第二绝缘层105可以布置在栅极电极136上。第二绝缘层105可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种无机绝缘材料。第二绝缘层105可以是包括上述的无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst可以布置在第一绝缘层103上。存储电容器Cst可以包括底部电极144和与底部电极144重叠的顶部电极146。存储电容器Cst的底部电极144可以与第一薄膜晶体管TFT1的栅极电极136重叠，并且存储电容器Cst的底部电极144可以与第一薄膜晶体管TFT1的栅极电极136一体地形成为单一整个本体。在一实施例中，存储电容器Cst可以不与第一薄膜晶体管TFT1重叠，并且可以是独立于与第一薄膜晶体管TFT1的栅极电极136的分离元件。
存储电容器Cst的顶部电极146可以包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种，并且可以是包括上述的材料的单层或多层。
在显示装置1的一实施例中，第三绝缘层107可以布置在顶部电极146上。第三绝缘层107可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种无机绝缘材料。第三绝缘层107可以是包括上述的无机绝缘材料的单层或多层。
为连接电极的源极电极137和漏极电极138可以布置在第三绝缘层107上。源极电极137和漏极电极138可以包括包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以是包括上述的材料的单层或多层。在一个实施例中，例如，源极电极137和漏极电极138可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
在显示装置1的一实施例中，第一平坦化层109可以布置在源极电极137和漏极电极138上。第一接触孔113a、第二接触孔113b、第三接触孔113c和虚设孔114可以限定在第一平坦化层109中。第一平坦化层109可以是包括有机材料或无机材料的单层或多层。在一实施例中，第一平坦化层109可以包括诸如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺(“PI”)、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物；具有苯酚基基团的聚合物衍生物；丙烯酸基聚合物；酰亚胺基聚合物；芳基醚基聚合物；酰胺基聚合物；氟基聚合物；对二甲苯基聚合物；乙烯醇基聚合物；或其混合物。第一平坦化层109可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括硅氧烷基聚合物材料或PI。
在显示装置1的一实施例中，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以布置在第一平坦化层109上。在这样的实施例中，第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极210a、第一中间层220a和相对电极230，第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极210b、第二中间层220b和相对电极230，并且第三有机发光二极管OLED3可以包括第三像素电极210c、第三中间层220c和相对电极230。
第一薄膜晶体管TFT1可以通过第一接触孔113a连接到第一像素电极210a以驱动第一有机发光二极管OLED1，第二薄膜晶体管TFT2可以通过第二接触孔113b连接到第二像素电极210b以驱动第二有机发光二极管OLED2，并且第三薄膜晶体管TFT3可以通过第三接触孔113c连接到第三像素电极210c以驱动第三有机发光二极管OLED3。
第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c可以布置在第一平坦化层109上。第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c可以彼此分隔开并且可以设置在彼此相同的层中。
第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c中的每一个可以包括(半)透明电极或反射电极。在一个实施例中，例如，第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c可以包括反射层以及在反射层上的透明或半透明电极层。在这样的实施例中，反射层可以包括选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)及其化合物中的至少一种。透明或半透明电极层可以包括选自氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)中的至少一种。第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c中的每一个可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
在显示装置1的一实施例中，屏蔽构件212还可以布置在第一平坦化层109上。在一实施例中，如图5中所示，屏蔽构件212可以在x方向上沿着第一像素电极210a的边缘、第二像素电极210b的边缘和第三像素电极210c的边缘的一部分延伸，以在平面图上不与第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c重叠，并且可以布置在每一行之上或每一行之下。取决于在同一行中的第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c的布置，屏蔽构件212可以以直线延伸或以之字形延伸。屏蔽构件212可以包括具有遮光特性的金属。在一个实施例中，例如，屏蔽构件212可以包括选自铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，并且可以是包括上述的材料的单层或多层。在一个实施例中，例如，屏蔽构件212可以是Ti/Al/Ti的多层。屏蔽构件212可以包括与第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c的材料相同的材料。屏蔽构件212可以彼此分隔开并且针对每一行独立地提供。屏蔽构件212可以浮置并且电连接到恒定电压布线(例如，电源电压线、初始化电压线等)以从恒定电压布线接收恒定电压。
在显示装置1的一实施例中，像素限定层180可以布置在第一平坦化层109上。像素限定层180可以与限定在第一平坦化层109中的第一接触孔113a、第二接触孔113b、第三接触孔113和虚设孔114重叠，并且可以布置在第一平坦化层109上。
在一实施例中，暴露第一像素电极210a的至少一部分的第一开口OP1限定为穿过像素限定层180。由像素限定层180暴露的区域可以限定为第一发射区域EA1。第一发射区域EA1的周围是非发射区域，并且非发射区域可以围绕第一发射区域EA1。
暴露第二像素电极210b的至少一部分的第二开口OP2限定为穿过像素限定层180。由像素限定层180暴露的区域可以限定为第二发射区域EA2。第二发射区域EA2的周围是非发射区域，并且非发射区域可以围绕第二发射区域EA2。
暴露第三像素电极210c的至少一部分的第三开口OP3限定为穿过像素限定层180。由像素限定层180暴露的区域可以限定为第三发射区域EA3。第三发射区域EA3的周围是非发射区域，并且非发射区域可以围绕第三发射区域EA3。
通过增大第一像素电极210a的边缘、第二像素电极210b的边缘和第三像素电极210c的边缘与相对电极230的距离，像素限定层180可以防止在第一像素电极210a的边缘、第二像素电极210b的边缘和第三像素电极210c的边缘处出现电弧等。像素限定层180可以包括例如包括PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂形成。
在一实施例中，像素限定层180可以包括包括遮光材料的黑矩阵。黑矩阵可以包括选自例如混合黑色颜料、铬(Cr)或氧化铬(CrOx)的有机材料的各种材料中的至少一种。在黑矩阵包括铬(Cr)或氧化铬(CrOx)的一实施例中，黑矩阵可以是包括铬(Cr)或氧化铬(CrOx)的单层或多层。
限定在第一平坦化层109中的第一接触孔113a和虚设孔114可以彼此分隔开，像素限定层180的第一开口OP1在第一接触孔113a和虚设孔114之间。在一个实施例中，例如，如图5中所示，第一接触孔113a和虚设孔114可以在y方向上彼此分隔开，像素限定层180的第一开口OP1在第一接触孔113a和虚设孔114之间。
第一薄膜晶体管TFT1可以通过限定在第一平坦化层109中的第一接触孔113a连接到在第一平坦化层109上的第一像素电极210a，第二薄膜晶体管TFT2可以通过限定在第一平坦化层109中的第二接触孔113b连接到在第一平坦化层109上的第二像素电极210b，并且第三薄膜晶体管TFT3可以通过限定在第一平坦化层109中的第三接触孔113c连接到在第一平坦化层109上的第三像素电极210c。
通过完全地形成平坦化层并且然后使用掩模图案化平坦化层，形成限定在平坦化层中的接触孔。平坦化层的接触孔被图案化的一部分的高度小于其它部分的高度。因此，平坦化层上的像素电极可能在一个侧上倾斜。在一实施例中，如图5中所示，在绿色像素Pg中，在平面图中第一接触孔113a被限定在第一像素电极210a的顶部部分中。在红色像素Pr和蓝色像素Pb中，在平面图中第二接触孔113b和第三接触孔113c被限定在第二像素电极210b和第三像素电极210c的底部部分中。因此，绿色像素Pg的第一像素电极210a以及红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c在不同方向上倾斜，并且因此可能出现由外部光反射引起的色带。
在本发明的一实施例中，通过在第一平坦化层109中包括虚设孔114并且因此使绿色像素Pg的第一像素电极210a以及红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向相同，可以有效地防止由外部光反射引起的色带。
为了使绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向与红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向一致，显示装置1的第一平坦化层109可以包括与绿色像素Pg的第一像素电极210a重叠的虚设孔114。
参考图7A、图7B和图7C，在一实施例中，第一平坦化层109包括虚设孔114，使得第一平坦化层109的与第一平坦化层109的虚设孔114被图案化的一部分相邻的高度变为小于第一平坦化层109的第一接触孔113a被图案化的一部分的高度。因此，绿色像素Pg的第一像素电极210a在与红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向相同的方向上倾斜，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
更具体地，绿色像素Pg的第一像素电极210a可以在包括第一轴11和第二轴12的平面上相对于第一轴11朝向z方向形成第一倾斜角度θ1，第一轴11在y方向上延伸并且第二轴12在与y方向交叉的z方向上延伸。第一像素电极210a可以布置在第一平坦化层109上。红色像素Pr的第二像素电极210b可以在包括第一轴11和第二轴12的平面上相对于第一轴11朝向z方向形成第二倾斜角度θ2。第二像素电极210b可以布置在第一平坦化层109上。蓝色像素Pb的第三像素电极210c可以在包括第一轴11和第二轴12的平面上相对于第一轴11朝向z方向形成第三倾斜角度θ3。第三像素电极210c可以布置在第一平坦化层109上。在一实施例中，第一倾斜角度θ1、第二倾斜角度θ2和第三倾斜角度θ3可以具有在大约0°至大约3°的范围内的角度，可以具有在大约0°至大约2°的范围内的角度，或可以具有在大约0°至大约1.5°的范围内的角度。在这样的实施例中，可以进行各种修改。在一个实施例中，例如，第一倾斜角度θ1、第二倾斜角度θ2和第三倾斜角度θ3可以具有在大约0°至大约1°的范围内的倾斜角度。
在这样的实施例中，绿色像素Pg的第一像素电极210a、红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c具有在相同的方向上的倾斜角度(即，在相同的方向上倾斜)，使得可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
往回参考图6，第一中间层220a可以布置在第一像素电极210a的由像素限定层180暴露的至少一部分上，第二中间层220b可以布置在第二像素电极210b的由像素限定层180暴露的至少一部分上，并且第三中间层220c可以布置在第三像素电极210c的由像素限定层180暴露的至少一部分上。
第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c可以各自包括发射层。第一功能层和第二功能层可以选择性地布置在发射层上和发射层下方。
第一功能层可以包括空穴注入层和/或空穴传输层，并且第二功能层可以包括电子传输层和/或电子注入层。发射层可以包括包括发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的荧光材料或磷光材料的有机材料。发射层可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
在发射层包括低分子量有机材料的一实施例中，第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c可以具有空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层等以单个或复合配置堆叠的结构。发射层可以包括选自诸如铜酞菁(“CuPc”)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(“NPB”)和三(8-羟基喹啉)铝(“Alq3”)的各种有机材料中的至少一种。这些层可以通过真空沉积形成。
在发射层包括聚合物有机材料的一实施例中，第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c可以具有通常包括空穴传输层和发射层的结构。在这样的实施例中，空穴传输层可以包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(“PEDOT”)，并且发射层可以包括诸如聚亚苯基亚乙烯(“PPV”)基材料和聚芴基材料的聚合物材料。可以通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(“LITI”)形成发射层。
在一实施例中，绿色像素Pg的第一中间层220a可以以绿色波长发射光，红色像素Pr的第二中间层220b可以以红色波长发射光，并且蓝色像素Pb的第三中间层220c可以以蓝色波长发射光。
相对电极230可以布置在第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c上。相对电极230可以被布置为完全地覆盖第一中间层220a、第二中间层220b和第三中间层220c。相对电极230可以布置在显示区域DA中并且布置为完全地覆盖显示区域DA。在一实施例中，通过使用开放掩模，可以将相对电极230形成为在整个显示面板上方的单一整个本体以覆盖布置在显示区域DA中的多个像素P。相对电极230可以包括具有低功函的导电材料。在一个实施例中，例如，相对电极230可以包括(半)透明层，(半)透明层包括选自银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)及其合金中的至少一种。可替代地，相对电极230还可以在包括上述的材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的层。
在显示装置1的一实施例中，薄膜封装层300可以布置在相对电极230上。薄膜封装层300可以包括无机封装层和有机封装层。在一实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的至少一种。有机封装层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括选自丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯中的至少一种。在一个实施例中，例如，有机封装层320可以包括例如PMMA或聚丙烯酸的丙烯酸基树脂。
在显示装置1的一实施例中，触摸单元400可以布置在薄膜封装层300上。触摸单元400可以直接布置在薄膜封装层300上。触摸单元400可以包括第一导电层410、第二导电层430、第一触摸绝缘层420和第二触摸绝缘层440。在这样的实施例中，第二导电层430可以布置在第一导电层410上，第一触摸绝缘层420可以在第一导电层410和第二导电层430之间，并且第二触摸绝缘层440可以布置在第二导电层430上。至少一个绝缘层还可以布置在薄膜封装层300和第一导电层410之间。
第一导电层410和第二导电层430可以包括感测电极和信号线。在一实施例中，第一导电层410和第二导电层430可以与像素限定层180重叠以防止用户观察到第一导电层410和第二导电层430，并且可以具有网格形状。
第一导电层410和第二导电层430可以具有单层结构或堆叠的多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括选自钼、银、钛、铜、铝及其合金中的至少一种。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。在一实施例中，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线和石墨烯。具有多层结构的导电层可以包括多层金属层。多层金属层可以包括Ti/Al/Ti的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括金属层和透明导电层。
第一触摸绝缘层420和第二触摸绝缘层440中的每一个可以具有单层结构或多层结构。第一触摸绝缘层420和第二触摸绝缘层440中的每一个可以包括无机材料、有机材料或复合材料。
第一触摸绝缘层420和第二触摸绝缘层440中的至少一个可以包括无机层。无机层可以包括选自氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化钽、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
第一触摸绝缘层420和第二触摸绝缘层440中的至少一个可以包括有机层。有机层可以包括选自丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和聚对二甲苯基树脂中的至少一种。
触摸单元400可以通过使用例如电容方法而感测外部输入。在一实施例中，触摸单元400的操作方法不被具体地限制。触摸单元400的一实施例可以通过使用电磁感应或输入感测方法而感测外部输入。
在显示装置1的一实施例中，滤色器层可以布置在触摸单元400上。滤色器层可以包括第一滤色器520a、第二滤色器520b和第三滤色器520c，第一滤色器520a与第一像素电极210a重叠，第二滤色器520b与第二像素电极210b重叠，并且第三滤色器520c与第三像素电极210c重叠。在一实施例中，可以还包括遮光层510，并且遮光层510可以布置在第一滤色器520a、第二滤色器520b和第三滤色器520c之间。
遮光层510可以布置在触摸单元400上。暴露触摸单元400的至少一部分的开口(例如，第四开口OP4)可以限定为穿过遮光层510。遮光层510的第四开口OP4可以与由像素限定层180限定的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3重叠。即，遮光层510可以不与由像素限定层180限定的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3重叠。
遮光层510可以与像素限定层180重叠。遮光层510可以包括选自例如混合黑色颜料、铬(Cr)或氧化铬(CrOx)的有机材料的各种材料中的至少一种。在遮光层510包括铬或氧化铬的一实施例中，遮光层510可以是铬(Cr)或氧化铬(CrOx)的单层或多层。在一实施例中，遮光层510可以包括与像素限定层180的材料相同的材料。
第一滤色器520a、第二滤色器520b和第三滤色器520c可以布置在暴露触摸单元400的至少一部分的第四开口OP4中。第一滤色器520a、第二滤色器520b和第三滤色器520c可以包括包括颜料或染料的有机材料图案。第一滤色器520a可以选择性地以绿色波长透射光，第二滤色器520b可以选择性地以红色波长透射光，并且第三滤色器520c可以选择性地以蓝色波长透射光。在一个实施例中，例如，第一滤色器520a可以被布置为对应于第一像素电极210a，第二滤色器520b可以被布置为对应于第二像素电极210b，并且第三滤色器520c可以被布置为对应于第三像素电极210c。
在一实施例中，通过使用遮光层510和滤色器520a、520b、520c而不是偏光板，可以提高显示装置1的柔性。
遮光层510可以与限定在第一平坦化层109中的虚设孔114重叠。遮光层510可以与虚设孔114分隔开第一距离d1，其中，第一距离d1被限定为形成在遮光层510中的开口(即，第四开口OP4)的内表面和限定在第一平坦化层109中的虚设孔114之间的最短距离。即，当虚设孔114和遮光层510布置在同一平面上时，虚设孔114可以与遮光层510分隔开第一距离d1，其中，第一距离d1被限定为从遮光层510中的第四开口OP4的内表面到虚设孔114的最短距离。在一实施例中，第一距离d1可以是大约5微米(μm)或更大、大约6μm或更大、或大约7μm或更大。可以进行各种修改。在一个实施例中，例如，第一距离d1可以是大约5.5μm或更大。
在一实施例中，显示装置1可以包括第一像素和第二像素。在这样的实施例中，第一像素可以布置在平坦化层上且可以包括与第一接触孔和虚设孔重叠的第一像素电极，并且第二像素可以布置在平坦化层上且可以包括与第二接触孔重叠的第二像素电极。在一个实施例中，例如，第一像素可以包括绿色像素Pg，并且第二像素可以包括红色像素Pr或蓝色像素Pb。因为第一像素包括与虚设孔重叠的第一像素电极，所以第一像素电极倾斜的方向变为与第二像素电极倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
图8和图9是根据可替代实施例的显示装置1的截面图。
除了第二平坦化层111提供在第一平坦化层109上，图8和图9的实施例与图6的实施例基本上相同。在图8和图9中示出的相同或相似的元件已被标记与如上文用于描述在图6中示出的显示装置1的实施例的附图标记相同的附图标记，并且在下文中将省略或简化在图8和图9中示出的相同或相似的元件的任何重复的详细描述。
参考图8，显示装置1的一实施例可以包括第一平坦化层109和第二平坦化层111。
第一平坦化层109可以包括诸如BCB、PI、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物；具有酚基基团的聚合物衍生物；丙烯酸基聚合物；酰亚胺基聚合物；芳醚基聚合物；酰胺基聚合物；氟基聚合物；对二甲苯基聚合物；乙烯醇基聚合物；或其混合物。第一平坦化层109可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
第二平坦化层111可以包括诸如BCB、PI、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物；具有酚基基团的聚合物衍生物；丙烯酸基聚合物；酰亚胺基聚合物；芳醚基聚合物；酰胺基聚合物；氟基聚合物；对二甲苯基聚合物；乙烯醇基聚合物；或其混合物。第二平坦化层111可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
在一实施例中，第一平坦化层109可以包括与第二平坦化层111的材料不同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括硅氧烷基聚合物材料，并且第二平坦化层111可以包括PI。
第一平坦化层109和第二平坦化层111可以包括彼此材料相同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括PI，并且第二平坦化层111可以包括PI。
第一接触孔113a、第二接触孔113b和第三接触孔113c可以限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中。第一薄膜晶体管TFT1可以通过限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中的第一接触孔113a连接到第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极210a。第二薄膜晶体管TFT2可以通过限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中的第二接触孔113b连接到第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极210b。第三薄膜晶体管TFT3可以通过限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中的第三接触孔113c连接到第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极210c。
虚设孔114可以限定在各自与第一像素电极210a重叠的第一平坦化层109和第二平坦化层111中。在这样的实施例中，虚设孔114提供在各自与第一像素电极210a重叠的第一平坦化层109和第二平坦化层111中，使得绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向变为与红色像素Pr的第二像素电极210b倾斜的方向和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
参考图9，显示装置1的一实施例可以包括第一平坦化层109和第二平坦化层111。
第一平坦化层109可以包括与第二平坦化层111的材料不同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括硅氧烷基聚合物材料，并且第二平坦化层111可以包括PI。
第一平坦化层109和第二平坦化层111可以包括彼此材料相同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括PI，并且第二平坦化层111可以包括PI。
虚设孔114可以被限定在与第一像素电极210a重叠的第二平坦化层111中。在这样的实施例中，虚设孔114提供在与第一像素电极210a重叠的第二平坦化层111中，使得绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向变为与红色像素Pr的第二像素电极210b倾斜的方向和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。在这样的实施例中，因为仅在与第一像素电极210a重叠的第二平坦化层111中提供虚设孔114，所以可以有效地防止平坦化层损失并且显示装置1可以具有更稳定的结构。
图10是根据一可替代实施例的显示装置1的平面图，图11是根据一实施例的显示装置1的截面图，并且图12A、图12B和图12C是根据一实施例的显示装置1的平面图。
更具体地，图10是图2的区域A的放大图，图11是沿着图5的线I-I’、线II-II’和线III-III’截取的显示装置1的截面图，并且图12A、图12B和图12C分别是图11的区域B、区域C和区域D的放大图。
除了提供分别与红色像素Pr和蓝色像素Pb重叠的第一虚设孔114a和第二虚设孔114b，图10、图11、图12A、图12B和图12C的实施例与图5、图6、图7A、图7B和图7C的实施例基本上相同。在图10、图11、图12A、图12B和图12C中示出的相同或相似的元件已被标记与如上文用于描述在图5、图6、图7A、图7B和图7C中示出的显示装置1的实施例的附图标记相同的附图标记，并且在下文中将省略或简化对在图10、图11、图12A、图12B和图12C中示出的相同或相似的元件的任何重复的详细描述。
参考图10至图11，显示装置1的一实施例可以包括绿色像素Pg、红色像素Pr和蓝色像素Pb。在这样的实施例中，绿色像素Pg以绿色波长发射光、红色像素Pr以红色波长发射光，并且蓝色像素Pb以蓝色波长发射光。在图10的一实施例中，红色像素Pr和蓝色像素Pb可以共同限定第一像素，并且绿色像素Pg可以限定第二像素。
显示装置1可以包括第一平坦化层109、绿色像素Pg和红色像素Pr。在这样的实施例中，第一平坦化层109可以布置在基板100上方，并且第一接触孔113a、第二接触孔113b和第一虚设孔114a可以限定为穿过第一平坦化层109。在这样的实施例中，绿色像素Pg可以布置在第一平坦化层109上且可以包括与第一接触孔113a重叠的第一像素电极210a，并且红色像素Pr可以布置在第一平坦化层109上且可以包括与第二接触孔113b和第一虚设孔114a重叠的第二像素电极210b。
在一实施例中，显示装置1还可以包括蓝色像素Pb。在这样的实施例中，第一平坦化层109可以布置在基板100上方，并且第一接触孔113a、第二接触孔113b、第三接触孔113c、第一虚设孔114a和第二虚设孔114b可以限定为穿过第一平坦化层109。在这样的实施例中，绿色像素Pg可以布置在第一平坦化层109上且可以包括与第一接触孔113a重叠的第一像素电极210a，红色像素Pr可以包括第二像素电极210b，并且蓝色像素Pb可以包括第三像素电极210c。在这样的实施例中，第二像素电极210b可以布置在第一平坦化层109上且与第二接触孔113b和第一虚设孔114a重叠，并且第三像素电极210c可以布置在第一平坦化层109上且与第三接触孔113c和第二虚设孔114b重叠。
第一平坦化层109可以布置在源极电极137和漏极电极138上。第一接触孔113a、第二接触孔113b、第三接触孔113c、第一虚设孔114a和第二虚设孔114b可以限定在第一平坦化层109中。第一平坦化层109可以是包括有机材料或无机材料的单层或多层。在一实施例中，第一平坦化层109可以包括诸如BCB、PI、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物；具有酚基基团的聚合物衍生物；丙烯酸基聚合物；酰亚胺基聚合物；芳醚基聚合物；酰胺基聚合物；氟基聚合物；对二甲苯基聚合物；乙烯醇基聚合物；或其混合物。第一平坦化层109可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括硅氧烷基聚合物材料或PI。
第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c可以布置在第一平坦化层109上。第一像素电极210a、第二像素电极210b和第三像素电极210c可以彼此分隔开并且可以设置在彼此相同的层中。
像素限定层180可以布置在第一平坦化层109上。像素限定层180可以与各自限定在第一平坦化层109中的第一接触孔113a、第二接触孔113b、第三接触孔113c、第一虚设孔114a和第二虚设孔114b重叠，并且可以布置在第一平坦化层109上。
限定在第一平坦化层109中的第二接触孔113b和第一虚设孔114a可以彼此分隔开，像素限定层180的第二开口OP2在第二接触孔113b和第一虚设孔114a之间。限定在第一平坦化层109中的第三接触孔113c和第二虚设孔114b可以彼此分隔开，像素限定层180的第三开口OP3在第三接触孔113c和第二虚设孔114b之间。在一个实施例中，例如，如图10中所示，第二接触孔113b和第一虚设孔114a可以在y方向上彼此分隔开，像素限定层180的第二开口OP2在第二接触孔113b和第一虚设孔114a之间。第三接触孔113c和第二虚设孔114b可以在y方向上彼此分隔开，像素限定层180的第三开口OP3在第三接触孔113c和第二虚设孔114b之间。
第一薄膜晶体管TFT1可以通过限定在第一平坦化层109中的第一接触孔113a连接到布置在第一平坦化层109上的第一像素电极210a。第二薄膜晶体管TFT2可以通过限定在第一平坦化层109中的第二接触孔113b连接到布置在第一平坦化层109上的第二像素电极210b。第三薄膜晶体管TFT3可以通过限定在第一平坦化层109中的第三接触孔113c连接到布置在第一平坦化层109上的第三像素电极210c。
在这样的实施例中，第一平坦化层109包括第一虚设孔114a和第二虚设孔114b，使得绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向变为与红色像素Pr的第二像素电极210b倾斜的方向和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
在一实施例中，第一虚设孔114a与红色像素Pr的第二像素电极210b重叠，并且第二虚设孔114b与蓝色像素Pb的第三像素电极210c重叠，第一虚设孔114a和第二虚设孔114b限定为穿过显示装置1的第一平坦化层109，以使绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向与红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向一致。
参考图12A、图12B和图12C，因为第一虚设孔114a和第二虚设孔114b限定为穿过第一平坦化层109，所以第一平坦化层109的与第一虚设孔114a被图案化的一部分相邻的高度变为小于第一平坦化层109的第二接触孔113b被图案化的一部分的高度，并且第一平坦化层109的与第二虚设孔114b被图案化的一部分相邻的高度变为小于第一平坦化层109的第三接触孔113c被图案化的一部分的高度，使得红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c在与绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向相同的方向上倾斜。因此，可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
更具体地，绿色像素Pg的第一像素电极210a在包括第一轴11和第二轴12的平面上相对于第一轴11朝向-z方向可以形成第四倾斜角度θ4，其中，第一轴11在y方向上延伸，并且第二轴12在与y方向交叉的z方向上延伸。第一像素电极210a可以布置在第一平坦化层109上。红色像素Pr的第二像素电极210b在包括第一轴11和第二轴12的平面上相对于第一轴11朝向-z方向可以形成第五倾斜角度θ5。第二像素电极210b可以布置在第一平坦化层109上。蓝色像素Pb的第三像素电极210c在包括第一轴11和第二轴12的平面上相对于第一轴11朝向-z方向可以形成第六倾斜角度θ6。第三像素电极210c可以布置在第一平坦化层109上。在这样的实施例中，第四倾斜角度θ4、第五倾斜角度θ5和第六倾斜角度θ6可以具有在大约0°至大约3°的范围内的角度，可以具有在大约0°至大约2°的范围内的角度，或可以具有在大约0°至大约1.5°的范围内的角度。可以进行各种修改。在一个实施例中，例如，第一倾斜角度θ1、第二倾斜角度θ2和第三倾斜角度θ3可以具有在大约0°至大约1°的范围内的角度。
在一实施例中，如上所述，绿色像素Pg的第一像素电极210a、红色像素Pr的第二像素电极210b和蓝色像素Pb的第三像素电极210c具有在相同的方向上的倾斜角度(即，在相同的方向上倾斜)，使得可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
往回参考图11，遮光层510可以与限定在第一平坦化层109中的第一虚设孔114a和第二虚设孔114b重叠。遮光层510可以与第一虚设孔114a分隔开第一距离d1，其中，第一距离d1被限定为形成在遮光层510中的开口(即，第四开口OP4)的内表面和限定在第一平坦化层109中的第一虚设孔114a之间的最短距离。即，当第一虚设孔114a和遮光层510布置在同一平面上时，第一虚设孔114a可以与遮光层510分隔开第一距离d1，其中，第一距离d1限定为遮光层510中的第四开口OP4的内表面与第一虚设孔114a之间的最短距离。在这样的实施例中，遮光层510可以与第二虚设孔114b分隔开第一距离d1，其中，第一距离d1被限定为形成在遮光层510中的开口(即，第四开口OP4)的内表面和限定在第一平坦化层109中的第二虚设孔114b之间的最短距离。即，当第二虚设孔114b和遮光层510布置在同一平面上时，第二虚设孔114b可以与遮光层510分隔开第一距离d1，其中，第一距离d1被限定为遮光层510中的第四开口OP4的内表面与第二虚设孔114b之间的最短距离。在一实施例中，第一距离d1可以是大约5μm或更大，大约6μm或更大，或大约7μm或更大。可以进行各种修改。在一个实施例中，例如，第一距离d1可以是大约5.5μm或更大。
显示装置1的一实施例可以包括第一像素和第二像素。在这样的实施例中，第一像素包括第一像素电极，第二像素包括第二像素电极，第一像素电极布置在平坦化层上且与第一接触孔和虚设孔重叠，并且第二像素电极布置在平坦化层上且与第二接触孔重叠。在一个实施例中，例如，第一像素可以包括红色像素Pr或蓝色像素Pb，并且第二像素可以包括绿色像素Pg。在这样的实施例中，因为第一像素包括与虚设孔重叠的第一像素电极，所以第一像素的第一像素电极倾斜的方向变为与第二像素的第二像素电极倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
图13和图14是根据可替代实施例的显示装置1的截面图。
除了第二平坦化层111提供在第一平坦化层109上，图13和图14的实施例与图11的实施例基本上相同。在图13和图14中示出的相同或相似的元件已被标记与如上文用于描述在图11中示出的显示装置1的实施例的附图标记相同的附图标记，并且在下文中将省略或简化在图13和图14中示出的相同或相似的元件的任何重复的详细描述。
参考图13，显示装置1的一实施例可以包括第一平坦化层109和第二平坦化层111。
第一平坦化层109可以包括诸如BCB、PI、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物；具有酚基基团的聚合物衍生物；丙烯酸基聚合物；酰亚胺基聚合物；芳醚基聚合物；酰胺基聚合物；氟基聚合物；对二甲苯基聚合物；乙烯醇基聚合物；或其混合物。在一实施例中，第一平坦化层109可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
第二平坦化层111可以包括诸如BCB、PI、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物；具有酚基基团的聚合物衍生物；丙烯酸基聚合物；酰亚胺基聚合物；芳醚基聚合物；酰胺基聚合物；氟基聚合物；对二甲苯基聚合物；乙烯醇基聚合物；或其混合物。在一实施例中，第二平坦化层111可以包括选自氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
在一实施例中，第一平坦化层109可以包括与第二平坦化层111的材料不同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括硅氧烷基聚合物材料，并且第二平坦化层111可以包括PI。
第一平坦化层109和第二平坦化层111可以包括彼此材料相同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括PI，并且第二平坦化层111可以包括PI。
第一接触孔113a、第二接触孔113b和第三接触孔113c可以限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中。第一薄膜晶体管TFT1可以通过限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中的第一接触孔113a连接到第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极210a。第二薄膜晶体管TFT2可以通过限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中的第二接触孔113b连接到第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极210b。第三薄膜晶体管TFT3可以通过限定在第一平坦化层109和第二平坦化层111中的第三接触孔113c连接到第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极210c。
第一虚设孔114a可以限定在各自与第二像素电极210b重叠的第一平坦化层109和第二平坦化层111中。第二虚设孔114b可以限定在各自与第三像素电极210c重叠的第一平坦化层109和第二平坦化层111中。在这样的实施例中，因为第一虚设孔114a提供在各自与第二像素电极210b重叠的第一平坦化层109和第二平坦化层111中，并且第二虚设孔114b提供在各自与第三像素电极210c重叠的第一平坦化层109和第二平坦化层111中，因此红色像素Pr的第二像素电极210b倾斜的方向和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向变为与绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
参考图14，显示装置1的一实施例可以包括第一平坦化层109和第二平坦化层111。
第一平坦化层109可以包括与第二平坦化层111的材料不同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括硅氧烷基聚合物材料，并且第二平坦化层111可以包括PI。
第一平坦化层109和第二平坦化层111可以包括彼此材料相同的材料。在一个实施例中，例如，第一平坦化层109可以包括PI，并且第二平坦化层111可以包括PI。
第一虚设孔114a可以限定在与第二像素电极210b重叠的第二平坦化层111中，并且第二虚设孔114b可以限定在与第三像素电极210c重叠的第二平坦化层111中。在这样的实施例中，因为第一虚设孔114a提供在与第二像素电极210b重叠的第二平坦化层111中，并且第二虚设孔114b提供在与第三像素电极210c重叠的第二平坦化层111中，因此红色像素Pr的第二像素电极210b倾斜的方向和蓝色像素Pb的第三像素电极210c倾斜的方向变为与绿色像素Pg的第一像素电极210a倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
在这样的实施例中，因为仅在第二平坦化层111中提供第一虚设孔114a和第二虚设孔114b，所以可以防止平坦化层损失并且显示装置1可以具有更稳定的结构。
在平面图中，在用于发射具有绿色波长的光的像素中，接触孔限定在像素电极的顶部部分中，并且在用于发射具有红色波长的光的像素和用于发射具有蓝色波长的光的像素中，接触孔限定在像素电极的底部部分中，用于发射具有绿色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向不同于用于发射具有红色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向和用于发射具有蓝色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向，并且因此出现由外部光反射引起的色带。
在本发明的一实施例中，与用于发射具有绿色波长的光的像素的像素电极重叠的虚设孔被图案化在平坦化层中，使得用于发射具有绿色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向变为与用于发射具有红色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向和用于发射具有蓝色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向相同，并且因此可以有效地防止由外部光反射引起的色带的出现。
在本发明的一实施例中，因为分别与用于发射具有红色波长的光的像素的像素电极和用于发射具有蓝色波长的光的像素的像素电极重叠的虚设孔被图案化在平坦化层中，所以用于发射具有红色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向和用于发射具有蓝色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向变为与用于发射具有绿色波长的光的像素的像素电极倾斜的方向相同，并且因此可以提供可以防止由外部光反射引起的色带的出现的显示装置。
根据一实施例，可以实现可以减少由外部光反射引起的色带的出现程度的显示装置。
本发明不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。更确切地，提供这些实施例，使得本公开将是透彻和完整的并且将把本发明的概念全面地传达给本领域技术人员。
尽管已经参考本发明的实施例具体地示出和描述本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明的实施例中进行形式和细节中的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基板，包括显示区域和在所述显示区域外部的非显示区域；
平坦化层，在所述基板上方，其中，第一接触孔、第二接触孔和虚设孔限定为穿过所述平坦化层；
第一像素，在所述平坦化层上并且包括第一像素电极，其中，所述第一像素电极与所述第一接触孔和所述虚设孔重叠；以及
第二像素，在所述平坦化层上并且包括第二像素电极，其中，所述第二像素电极与所述第二接触孔重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极在彼此相同的方向上倾斜。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
像素限定层，在所述第一像素电极上，其中，第一开口限定为穿过所述像素限定层以暴露所述第一像素电极的至少一部分，
其中，所述第一接触孔和所述虚设孔彼此分隔开，所述像素限定层的所述第一开口位于所述第一接触孔和所述虚设孔之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述虚设孔与所述像素限定层重叠。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述像素限定层包括遮光材料。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，并且
第一接触孔限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述虚设孔限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述虚设孔仅限定在所述第二平坦化层中。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一平坦化层和所述第二平坦化层包括彼此不同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个在所述基板上方，
其中，所述第一薄膜晶体管通过所述第一接触孔连接到所述第一像素电极，并且
所述第二薄膜晶体管通过所述第二接触孔连接到所述第二像素电极。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中
所述第一像素还包括在所述第一像素电极上的第一中间层，
所述第二像素还包括在所述第二像素电极上的第二中间层，
所述第一中间层和所述第二中间层中的一个以绿色波长发射光，并且
所述第一中间层和所述第二中间层中的另一个以红色或蓝色波长发射光。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中
所述第一中间层以所述红色或蓝色波长发射光，并且
所述第二中间层以所述绿色波长发射光。
13.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
遮光层，与所述像素限定层重叠，其中，第二开口限定为穿过所述遮光层，
其中，所述遮光层与所述虚设孔分隔开第一距离，
所述第一距离限定为所述第二开口的内表面和所述虚设孔之间的最短距离。
14.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个在基板上方；
平坦化层，在所述基板上方，其中，第一接触孔、第二接触孔和虚设孔限定为穿过所述平坦化层；
第一像素电极，在所述平坦化层上，与所述虚设孔重叠，并且通过所述第一接触孔连接到所述第一薄膜晶体管；以及
第二像素电极，在所述平坦化层上并且通过所述第二接触孔连接到所述第二薄膜晶体管。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极在彼此相同的方向上倾斜。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
像素限定层，在所述第一像素电极和所述第二像素电极上，其中，开口限定为穿过所述像素限定层以暴露所述第一像素电极和所述第二像素电极的至少一部分，
其中，所述第一接触孔与所述虚设孔分隔开，所述像素限定层的所述开口位于所述第一接触孔和所述虚设孔之间。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中
所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，并且
所述第一接触孔限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述虚设孔限定在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述虚设孔仅限定在所述第二平坦化层中。
20.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第一中间层和第二中间层，所述第一中间层和所述第二中间层分别在所述第一像素电极和所述第二像素电极上；以及
相对电极，覆盖所述第一中间层和所述第二中间层，
其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的一个以绿色波长发射光，并且
所述第一中间层和所述第二中间层中的另一个以红色或蓝色波长发射光。
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