CN114171566B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制作方法,该方法中阳极复合层包括第一阳极材料层和第二阳极材料层;由于蚀刻剂对第一阳极材料层的蚀刻速度小于蚀刻剂对第二阳极材料层的蚀刻速度,因此形成的阳极图案的边沿处,第一阳极材料层会相较于第二阳极材料层侧向外凸,第一阳极材料层对应镂空区外凸部分形成悬空部,其下方即为阴极搭接需要的底切结构。本方法能够在形成阳极图案的同时形成底切结构,不会增加光罩制程,工艺更加简单。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
显示技术不断更迭,显示器件朝着多功能和数字化方向发展。大尺寸、高解析度、高色饱、节能、高亮、柔性、透明等逐渐成为技术发展的主流趋势,OLED(包括QLED)能够最终实现以上极致性能;OLED电流驱动不同于LCD的电压驱动,所以在OLED驱动中,IR Drop(压降现象)严重影响着显示效果,尤其是在大尺寸显示中印象更严重,是目前大尺寸OLED显示需要攻克的难题之一。
目前常用的改善方法之一就是TFT基板上形成底切结构,利用阴极制程蒸镀成膜遮挡面积不同,使得阴极和TFT基板上的辅助电极接触,让阴极和辅助电极以并联方式曾现,从而达到降低阴极电阻目的,而改善IR Drop问题。
在目前的底切结构制作工艺中,最常用的是制作牺牲层或者利用HFE(氢氟酸蚀刻液)刻蚀PV层(材料为SiO2)得到底切结构,这两个方案都会增加光罩制程数,制约产能。其中以牺牲层形成底切结构对阳极结构有所限制(如牺牲层为IZO,则阳极不可以使用IZO),而HFE对基板本身也会有腐蚀性,会在玻璃背面形成坑洼,影响整体品质。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法,以解决现有的显示面板的制作过程中底切结构制备工艺复杂的问题。
第一方面,本申请实施例提供一种显示面板的制作方法,所述方法包括:
S10、制备辅助电极于衬底基板上,所述衬底基板配置有电晶体阵列层;
S20、制备平坦层以覆盖所述衬底基板,所述平坦层上形成有镂空区,所述镂空区对应所述辅助电极设置,所述辅助电极藉由所述镂空区暴露出来;
S30、制备阳极复合层于所述平坦层上,所述阳极复合层包括第一阳极材料层和设置于所述第一阳极材料层和所述平坦层之间的第二阳极材料层;使用蚀刻剂对所述阳极复合层进行蚀刻形成图案,所述蚀刻剂对所述第一阳极材料层的蚀刻速度小于所述蚀刻剂对所述第二阳极材料层的蚀刻速度,所述阳极复合层的图案包括覆盖所述平坦层的阳极和对应所述镂空区的悬空部,所述悬空部遮挡部分所述辅助电极;
S40、制备像素定义层于所述阳极复合层上,所述像素定义层包括位于所述阳极边沿处的第一挡墙和分隔所述阳极和所述悬空部的第二挡墙;
S50、制备功能层于所述像素定义层和所述阳极复合层上,所述功能层被所述悬空部分隔为位于所述阳极上的发光层和位于所述镂空区的延伸部;
S60、制备阴极材料层于所述功能层上,所述阴极材料层被所述悬空部分隔为位于所述发光层上的阴极和位于所述延伸部上的搭接部,所述搭接部延伸至所述悬空部下方与所述辅助电极搭接,所述搭接部和所述阴极在所述悬空部的位置被分隔,所述搭接部在所述悬空部以外的位置与所述阴极为一体;
其中,所述像素定义层对除所述悬空部以外的其他悬空边沿进行填充和遮挡。
可选的,所述第一阳极材料层的材料为IZO,所述第二阳极材料层的材料为ANCL;所述蚀刻剂为铝蚀刻液。
可选的,所述阳极复合层还包括设置于所述第二阳极材料层和所述平坦层之间的第三阳极材料层;所述蚀刻剂对所述第一阳极材料层的蚀刻速度小于或等于所述蚀刻剂对所述第三阳极材料层的蚀刻速度。
可选的,所述第一阳极材料层的材料为IZO,所述第二阳极材料层的材料为ANCL,所述第三阳极材料层的材料为MoTiNi;所述蚀刻剂为铝蚀刻液。
可选的,所述第一阳极材料层的材料为IZO,所述第二阳极材料层的材料为Ag,所述第三阳极材料层的材料为IZO;或,所述第一阳极材料层的材料为ITO,所述第二阳极材料层的材料为Ag,所述第三阳极材料层的材料为ITO;所述蚀刻剂为银蚀刻液。
可选的,所述镂空区的形状为圆形或多边形。
可选的,所述辅助电极的数量为多个;多个所述辅助电极均匀分布于所述显示面板的显示区内;或,多个所述辅助电极在所述显示面板的边缘沿朝向所述显示面板的显示区的方向上,排列密度递减。
可选的,所述像素定义层包括呈阵列分布的多个像素区,且多个所述像素区中的每一者或每多者皆对应一个所述辅助电极。
第二方面,本申请实施例还提供一种显示面板,所述显示面板包括:
衬底基板,所述衬底基板配置有电晶体阵列层;
辅助电极,设置于所述衬底基板上;
平坦层,设置于所述衬底基板上,且所述平坦层上设置有镂空区,所述镂空区对应所述辅助电极设置,所述辅助电极藉由所述镂空区暴露出来;
阳极复合层,设置于所述平坦层上,所述阳极复合层包括第一阳极材料层和设置于所述第一阳极材料层和所述平坦层之间的第二阳极材料层,所述阳极复合层形成的图案包括覆盖所述平坦层的阳极和对应所述镂空区的悬空部,所述悬空部由所述第一阳极材料层形成,所述悬空部遮挡部分所述辅助电极;
像素定义层,设置于所述阳极复合层上,所述像素定义层包括位于所述阳极边沿处的第一挡墙和分隔所述阳极和所述悬空部的第二挡墙;
功能层,设置于所述像素定义层和所述阳极复合层上,所述功能层包括位于所述阳极上的发光层和位于所述镂空区的延伸部;以及
阴极材料层,设置于所述功能层上,所述阴极材料层包括位于所述发光层上的阴极和位于所述延伸部上的搭接部,所述搭接部延伸至所述悬空部下方与所述辅助电极搭接,所述搭接部和所述阴极在所述悬空部的位置被分隔,所述搭接部在所述悬空部以外的位置与所述阴极为一体;
其中,所述像素定义层对除所述悬空部以外的其他悬空边沿进行填充和遮挡。
可选的,所述阳极复合层还包括设置于所述第二阳极材料层和所述平坦层之间的第三阳极材料层。
本申请实施例提供的显示面板的制作方法,使用阳极复合层作为阳极材料,该阳极复合层具有至少两层的叠层结构。通过选定合适的蚀刻剂对阳极复合层进行蚀刻形成图案,由于蚀刻剂对第一阳极材料层蚀刻速度比较慢,而对设置于所述第一阳极材料层和所述平坦层之间的第二阳极材料层蚀刻速度比较快,因此在完成蚀刻后,形成的图案的边沿处,第一阳极材料层会相较于第二阳极材料层侧向外凸,第一阳极材料层对应镂空区外凸部分形成悬空部,其下方即为阴极搭接需要的底切结构。由此可见,本申请的技术方案能够在形成阳极图案的同时形成底切结构,不会增加光罩制程,工艺简单,能够大大的释放产能。本方法中不需要利用牺牲层,因此对阳极结构限制小,且不是利用牺牲层单独形成悬空部,本申请中的悬空部与其他位置的第一阳极材料层是一个整体,因此本申请的方法中形成的底切结构的可靠性也会有所提升。且本方法不需要使用氢氟酸,能够避免对玻璃基板的腐蚀,保证产品的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对本领域技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果,下面将结合附图来进行说明。其中,在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为本申请一实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
图2A为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S10对应的流程结构示意图。
图2B为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S20对应的流程结构示意图。
图2C为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S30形成图案前对应的流程结构示意图。
图2D为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S30形成图案后对应的流程结构示意图。
图2E为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S40对应的流程结构示意图。
图2F为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S50对应的流程结构示意图。
图2G为图1所示的显示面板的制作方法制得的显示面板的结构示意图。
图3A为本申请实施例提供的一种辅助电极分布示意图。
图3B为本申请实施例提供的另一种辅助电极分布示意图。
图4为本申请另一实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
图5A为图4所示的显示面板的制作方法中步骤S30'形成图案前对应的流程结构示意图。
图5B为图4所示的显示面板的制作方法中步骤S30'形成图案后对应的流程结构示意图。
图5C为图4所示的显示面板的制作方法制得的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法,以解决现有的显示面板的制作方法中底切结构制备工艺复杂的问题。以下将结合附图对进行说明。
本申请实施例提供的显示面板的制作方法可应用于制备显示面板,示例性的,请参阅图1,图1为本申请一实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
所述方法包括:
S10、制备辅助电极102于衬底基板101上,所述衬底基板101配置有电晶体阵列层。
请参阅图2A,图2A所示的显示面板的制作方法中步骤S10对应的流程结构示意图。其中衬底基板101通过制备电晶体阵列层于所述基板1011上制得,其中,所述电晶体阵列层包括设置于所述基板1011上电晶体器件1016以及包覆所述电晶体器件1016的间隔层,所述间隔层包括依次设置于所述基板1011上的阻挡层1012、钝化层1013、第一绝缘层1014以及第二绝缘层1015,且所述电晶体器件包括设置于所述钝化层1013上的有源层、设置于所述第一绝缘层1014上的栅极、源极和漏极,且所述源极和所述漏极通过贯穿所述第一绝缘层1014的过孔分别与所述有源层的两侧搭接,需要说明的是,本申请实施例中提供的电晶体器件不限于LTPS、Oxide TFT或者SPC等电晶体器件。
制备辅助电极102于所述衬底基板101上,即将所述辅助电极102制备于所述第二绝缘层1015上,且所述辅助电极102的材料包括Mo、AL、Ti、Cu以及ITO中的任意一种或者几种的组合。
由于所述显示面板包括显示区110以及非显示区111,请参照图3A,图3A为本申请实施例提供的一种辅助电极102分布示意图,如图所示所述辅助电极102102可以均匀的分布于所述显示区110内。请参照图3B,图3B为本申请实施例提供的另一种辅助电极102分布示意图,如图所示在本申请的另一些实施例中,所述辅助电极102102也可以非均匀的分布于所述显示区110内,例如可以是在所述显示面板的边缘,即所述非显示区111,沿朝向所述显示面板的显示区110的方向上,所述辅助电极102的排列密度递减,具体设置可根据实际情况进行选择,在此不作限定。
S20、制备平坦层103以覆盖所述衬底基板101,所述平坦层103上形成有镂空区108,所述镂空区108对应所述辅助电极102设置,所述辅助电极102藉由所述镂空区108暴露出来。
请参阅图2B,图2B所示的显示面板的制作方法中步骤S20对应的流程结构示意图。可以采用化学气相沉积法制备膜层结构于所述衬底基板101上,并通过涂覆光阻、曝光以及显影等制程形成所述镂空区108于所述膜层结构中,所述镂空区108对应暴露所述辅助电极102的部分上表面,所述镂空区108在俯视图中的形状可以是圆形或多边形等,在此不作限定。
S30、制备阳极复合层104于所述平坦层103上,所述阳极复合层104包括第一阳极材料层1041和设置于所述第一阳极材料层1041和所述平坦层103之间的第二阳极材料层1042;使用蚀刻剂对所述阳极复合层104进行蚀刻形成图案,所述蚀刻剂对所述第一阳极材料层1041的蚀刻速度小于所述蚀刻剂对所述第二阳极材料层1042的蚀刻速度,所述阳极复合层104的图案包括覆盖所述平坦层103的阳极1043和对应所述镂空区108的悬空部1044,所述悬空部1044遮挡部分所述辅助电极102。
阳极复合层104具有至少两个不同材料形成的导电层,其可以是导电薄膜或者金属层,且所述导电薄膜的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)等,所述金属层的材料包括Ag(银)、AL(铝)合金等,但不限于此,其他可行阳极材料均可以应用于本方法中。
蚀刻剂选取能够与阳极复合层104的各导电层反应溶解,以形成图案的化学制剂,例如是常用的酸性蚀刻液等,其需要根据第一阳极材料层1041和第二阳极材料层1042的材料进行合适的选用,原则上只要蚀刻剂对所述第一阳极材料层1041的蚀刻速度小于所蚀刻剂对所述第二阳极材料层1042的蚀刻速度即可,在此不作具体限定。
使用阳极复合层104作为阳极材料,该阳极复合层104具有至少两层的叠层结构。通过选定合适的蚀刻剂对阳极复合层104进行蚀刻形成图案,由于蚀刻剂对第一阳极材料层1041蚀刻速度比较慢,而对设置于所述第一阳极材料层1041和所述平坦层103之间的第二阳极材料层1042蚀刻速度比较快,因此在完成蚀刻后,形成的图案的边沿处,第一阳极材料层1041会相较于第二阳极材料层1042侧向外凸,因此就第一阳极材料层1041对应镂空区108外凸部分形成悬空部1044,其下方即为阴极搭接需要的底切结构。
阳极复合层104的导电层层数可以是两层也可以超过两层,原则上只要具有材料不同的两个导电层,即可以通过选取合适的蚀刻剂达到本方法中的蚀刻效果,进而形成阴极搭接所需的底切结构。
请参阅图2C和图2D,图2C为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S30形成图案前对应的流程结构示意图;图2D为图1所示的显示面板的制作方法中步骤S30形成图案后对应的流程结构示意图。在本实施例中,该阳极复合层104为两层结构,所述第一阳极材料层1041的材料为IZO,所述第二阳极材料层1042的材料为ANCL(AL、Ni、Cu、La混合物),其中,IZO是透明导电的氧化物,其具有均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点;ANCL是以铝为主要成分的合金,ANCL是目前常用的阳极材料之一,其性能相对稳定,能够改善显示面板的黑点问题。根据两者不同的化学性质,可以选用与铝反应比较快的铝蚀刻液作为蚀刻剂,此时,铝蚀刻液对ANCL的蚀刻速度明显大于其对IZO的蚀刻速度,因此在完成蚀刻后,形成的图案边沿处,IZO层会相较于ANCL层外凸,IZO层外凸的部分形成了悬空部1044,悬空部1044下方即为底切结构。
S40、制备像素定义层105于所述阳极复合层104上,所述像素定义层105包括位于所述阳极1043边沿处的第一挡墙1051和分隔所述阳极1043和所述悬空部1044的第二挡墙1052。
请参阅图2E,图2E所示的显示面板的制作方法中步骤S40对应的流程结构示意图。像素定义层105可以划分出阵列分布的多个像素区,多个像素区中的每一者或每多者皆对应设置有一个所述辅助电极102102,可以由三个所述像素区组成一个像素单元,且每个所述像素单元对应设置一个所述辅助电极102,以实现单独控制阴极,降低压降,实现显示均一的目的;同时像素定义层105还能够遮挡步骤S30中得到的图形边沿,对除悬空部1044以外的其他悬空边沿进行填充和遮挡,从而保证后续制程的顺利进行。
S50、制备功能层106于所述像素定义层105上,所述功能层106被所述悬空部1044分隔为位于所述阳极1043上的发光层1061和位于所述镂空区108的延伸部1062。
请参阅图2F,图2F所示的显示面板的制作方法中步骤S50对应的流程结构示意图。通过蒸镀有机发光材料于所述像素定义层105和所述阳极复合层104上上,形成所述功能层106,且由于悬空部1044对所述镂空区108的遮挡作用,使得所述功能层106在对应所述辅助电极102的所述镂空区108的位置被分隔为位于所述阳极1043上的发光层1061和位于所述镂空区108的延伸部1062。
S60、制备阴极材料层107于所述功能层106上,所述阴极材料层107被所述悬空部1044分隔为位于所述发光层1061上的阴极和位于所述延伸部1062的搭接部,所述搭接部延伸至所述悬空部1044下方与所述辅助电极102搭接。请参阅图2G,图2G为图1所示的显示面板的制作方法制得的显示面板的结构示意图。且由于悬空部1044对所述镂空区108的遮挡作用,使得所述阴极材料层107在对应所述悬空部1044的位置被分隔为位于所述发光层1061上的阴极1071和位于所述延伸部1062的搭接部1072,且控制光刻工艺参数,使得所述搭接部1072延伸至所述悬空部1044下方并与所述辅助电极102搭接,其中搭接部1072和阴极1071仅仅在悬空部1044的位置被分隔,而在悬空部1044以外的位置搭接部1072和阴极1071依旧是一个整体,因此只要搭接部1072与辅助电极102搭接即可以实现阴极1071与辅助电极102的搭接,从而实现单独控制阴极1071,改善压降问题,使得显示面板显示均匀。
进一步参阅图2G,由图1所示显示面板的制作方法制得的显示面板包括:衬底基板101,所述衬底基板101配置有电晶体阵列层;
辅助电极102,设置于所述衬底基板101上;
平坦层103,设置于所述衬底基板101上,所述平坦层103上设置有镂空区108,所述镂空区108对应所述辅助电极102设置,所述辅助电极102藉由所述镂空区108暴露出来;
阳极复合层104,设置于所述平坦层103上,所述阳极复合层104包括第一阳极材料层1041和设置于所述第一阳极材料层1041和所述平坦层103之间的第二阳极材料层1042,所述阳极复合层104形成的图案包括覆盖所述平坦层103的阳极1043和对应所述镂空区108的悬空部1044,所述悬空部1044遮挡部分所述辅助电极102;
像素定义层105,设置于所述阳极复合层104上,所述像素定义层105包括位于所述阳极1043边沿处的第一挡墙1051和分隔所述阳极1043和所述悬空部1044的第二挡墙1052;
功能层106,设置于所述像素定义层105上,所述功能层106包括位于所述阳极1043上的发光层1061和位于所述镂空区108的延伸部1062;以及
阴极材料层107,设置于所述功能层106上,所述阴极材料层107包括位于所述发光层1061上的阴极1071和位于所述延伸部1062的搭接部1072,所述搭接部1072延伸至所述悬空部1044下方与所述辅助电极102搭接。
本实施例提供的显示面板由图1所示的显示面板的制作方法制得,使用阳极复合层104作为阳极材料,该阳极复合层104具有至少两层的叠层结构。该阳极复合层104形成的图案的边沿处,第一阳极材料层1041会相较于第二阳极材料层1042侧向外凸,因此第一阳极材料层1041对应镂空区108外凸部分形成悬空部1044,其下方即为阴极1071搭接需要的底切结构。本申请的显示面板没有单独设置的悬空结构,结构更简单,不会增加光罩制程,能够大大的释放产能。本申请中显示面板的悬空部1044与其他位置的第一阳极材料层1041是一个整体,因此本申请中显示面板的底切结构的可靠性也会有所提升,更好的保证产品的性能。
需要说明的是,阳极复合层104并不限于两层结构,还可以具有更多层。示例性的,请参阅图4,图4为本申请另一实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
在本申请另一实施例提供的显示面板的制作方法中,该方法包括:
S10'、制备辅助电极102于衬底基板101上,所述衬底基板101配置有电晶体阵列层。
S20'、制备平坦层103以覆盖所述辅助电极102以及所述衬底基板101,所述平坦层103上形成有镂空区108,所述镂空区108对应所述辅助电极102设置,所述辅助电极102藉由所述镂空区108暴露出来。
S30'、制备阳极复合层104'于所述平坦层103上,所述阳极复合层104'包括第一阳极材料层1041'、位于所述第一阳极材料层1041'下方的第二阳极材料层1042'以及位于所述第二阳极材料层1042'和所述平坦层103之间的第三阳极材料层1045;使用蚀刻剂对所述阳极复合层104'进行蚀刻形成图案,所述蚀刻剂对所述第一阳极材料层1041'的蚀刻速度小于所述蚀刻剂对所述第二阳极材料层1042'的蚀刻速度,所述蚀刻剂对所述第一阳极材料层1041'的蚀刻速度小于或等于所述蚀刻剂对所述第三阳极材料层1045的蚀刻速度;所述阳极复合层104'的图案包括覆盖所述平坦层103的阳极1043'和对应所述镂空区108的悬空部1044',所述悬空部1044'遮挡部分所述辅助电极102。
S40'、制备像素定义层105于所述阳极复合层104'上,所述像素定义层105包括位于所述阳极1043'边沿处的第一挡墙1051和分隔所述阳极1043'和所述悬空部1044'的第二挡墙1052。
S50'、制备功能层106于所述像素定义层105上,所述功能层106被所述悬空部1044'分隔为位于所述阳极1043'上的发光层1061和位于所述镂空区108的延伸部1062。
S60'、制备阴极材料层107于所述功能层106上,所述阴极材料层107被所述悬空部1044'分隔为位于所述发光层1061上的阴极1071和位于所述延伸部1062的搭接部1072,所述搭接部1072延伸至所述悬空部1044'下方与所述辅助电极102搭接。
步骤S10'、步骤S20'、步骤S40'、步骤S50'和步骤S60'与图1所示的显示面板的制作方法的步骤S10、步骤S20、步骤S40、步骤S50和步骤S60相同,在此不做赘述。
为了更好的说明步骤S30',请参阅图5A和图5B,图5A为图4所示的显示面板的制作方法中步骤S30'形成图案前对应的流程结构示意图;图5B为图4所示的显示面板的制作方法中步骤S30'形成图案后对应的流程结构示意图。在本实施例中,该阳极复合层104'具有三个不同材料形成的导电层,其可以是导电薄膜或者金属层,且所述导电薄膜的材料包括IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)等,所述金属层的材料包括Ag(银)、AL(铝)合金等,但不限于此,其他可行阳极材料均可以应用于本实施例中,蚀刻剂选取能够与阳极复合层104'的各导电层反应溶解,以形成图案的化学制剂,例如是常用的酸性蚀刻液等,其需要根据第一阳极材料层1041'、第二阳极材料层1042'和第三阳极材料层1045的材料进行合适的选用,原则上只要蚀刻剂对所述第一阳极材料层1041'的蚀刻速度小于所蚀刻剂对所述第二阳极材料层1042'的蚀刻速度,且蚀刻剂对所述第一阳极材料层1041'的蚀刻速度小于或等于所述蚀刻剂对所述第三阳极材料层1045的蚀刻速度即可,在此不作具体限定。
示例性的,在一可选方案中,所述第一阳极材料层1041'的材料为IZO,所述第二阳极材料层1042'的材料为ANCL,所述第三阳极材料层1045的材料为MoTiNi(Mo、Ti、Ni混合物)。其中,IZO是透明导电的氧化物,其具有均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点;ANCL是以铝为主要成分的合金,ANCL是目前常用的阳极材料之一,其性能相对稳定,能够改善显示面板的黑点问题,MoTiNi是常用的导电金属膜材料。根据三者不同的化学性质,可以选用与铝反应比较快的铝蚀刻液作为蚀刻剂,此时,铝蚀刻液对ANCL的蚀刻速度明显大于其对IZO的蚀刻速度,而铝蚀刻液对MoTiNi蚀刻速度也大于其对IZO的蚀刻速度,因此在完成蚀刻后,形成的图案边沿处,IZO层会相较于ANCL层和MoTiNi外凸,IZO层外凸的部分形成了悬空部1044',悬空部1044'下方即为底切结构。
在另一可选方案中,所述第一阳极材料层1041'的材料为IZO,所述第二阳极材料层1042'的材料为Ag,所述第三阳极材料层1045的材料为IZO。其中,IZO是透明导电的氧化物,其具有均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点;Ag是目前常用的阳极材料之一,常应用于顶发射的显示面板中,主要是起到反射作用,将发射光都从顶部反射回去,Ag性能相对活泼;通过设置三层结构利用两层性能稳定的IZO夹住性能的活泼的Ag,可以提升银金属层(第二阳极材料层1042的稳定性,从而达到稳定的显示效果。根据IZO和Ag不同的化学性质,可以选用与银反应比较快的银蚀刻液作为蚀刻剂,此时,银蚀刻液对Ag的蚀刻速度明显大于其对IZO的蚀刻速度,而因为银蚀刻液向下流动并滞留,因此在完成蚀刻后,形成的图案边沿处,上方的IZO层(第一阳极材料层1041')会相较于Ag层和下方的IZO层(第三阳极材料层1045)外凸,第一阳极材料层1041'外凸的部分形成了悬空部1044',悬空部1044'下方即为底切结构。
在又一可选方案中,所述第一阳极材料层1041'的材料为ITO,所述第二阳极材料层1042'的材料为Ag,所述第三阳极材料层1045的材料为ITO;其中,ITO是透明导电的氧化物,其具有均匀性好、透光性佳、电学稳定性好等优点;Ag是目前常用的阳极材料之一,常应用于顶发射的显示面板中,主要是起到反射作用,将发射光都从顶部反射回去,Ag性能相对活泼;通过设置三层结构利用两层性能稳定的ITO夹住性能的活泼的Ag,可以提升银金属层即第二阳极材料层1042'的稳定性,从而达到稳定的显示效果。根据ITO和Ag不同的化学性质,可以选用与银反应比较快的银蚀刻液作为蚀刻剂,此时,银蚀刻液对Ag的蚀刻速度明显大于其对ITO的蚀刻速度,而因为银蚀刻液向下流动并滞留,因此在完成蚀刻后,形成的图案边沿处,上方的ITO层(第一阳极材料层1041')会相较于Ag层和下方的ITO层(第三阳极材料层1045)外凸,第一阳极材料层1041'外凸的部分形成了悬空部1044',悬空部1044'下方即为底切结构。
阳极复合层104'的导电层层数还可以更多,原则上只要具有材料不同的导电层,即可以通过选取合适的蚀刻剂达到本方法中的蚀刻效果,进而形成阴极1071搭接所需的底切结构。
请参阅图5C,其为图4所示的显示面板的制作方法制得的显示面板的结构示意图,该显示面板包括:衬底基板101,所述衬底基板101配置有电晶体阵列层;
辅助电极102,设置于所述衬底基板101上;
平坦层103,设置于所述衬底基板101上,且所述平坦层103上设置有镂空区108,所述镂空区108对应所述辅助电极102设置,所述辅助电极102藉由所述镂空区108暴露出来;
阳极复合层104',设置于所述平坦层103上,所述阳极复合层104'包括第一阳极材料层1041'、位于所述第一阳极材料层1041'下方的第二阳极材料层1042'以及位于所述第二阳极材料层1042'和所述平坦层103之间的第三阳极材料层1045,所述阳极复合层104'形成的图案包括覆盖所述平坦层103的阳极1043'和对应所述镂空区108的悬空部1044',所述悬空部1044'由所述第一阳极材料层1041'形成,所述悬空部1044'遮挡部分所述辅助电极102;
像素定义层105,设置于所述阳极复合层104'上,所述像素定义层105包括位于所述阳极1043'边沿处的第一挡墙1051和分隔所述阳极1043'和所述悬空部1044'的第二挡墙1052;
功能层106,设置于所述像素定义层105上,所述功能层106包括位于所述阳极1043'上的发光层1061和位于所述镂空区108的延伸部1062;以及
阴极材料层107,设置于所述功能层106上,所述阴极材料层107包括位于所述发光层1061上的阴极1071和位于所述延伸部1062的搭接部1072,所述搭接部1072延伸至所述悬空部1044'下方与所述辅助电极102搭接。
本实施例提供的显示面板由图4所示的显示面板的制作方法制得,使用阳极复合层104'作为阳极材料,该阳极复合层104'具有三层的叠层结构。该阳极复合层104'形成的图案的边沿处,第一阳极材料层1041'会相较于第二阳极材料层1042'和第三阳极材料层1045侧向外凸,因此第一阳极材料层1041'对应镂空区108外凸部分形成悬空部1044',其下方即为阴极1071搭接需要的底切结构。本申请的显示面板没有单独设置的悬空结构,结构更简单,不会增加光罩制程,能够大大的释放产能。本申请中显示面板的悬空部1044'与其他位置的第一阳极材料层1041'是一个整体,因此本申请中显示面板的底切结构的可靠性也会有所提升,更好的保证产品的性能。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
以上对本申请实施例所提供的显示面板的制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
S10、制备辅助电极于衬底基板上,所述衬底基板配置有电晶体阵列层;
S20、制备平坦层以覆盖所述衬底基板,所述平坦层上形成有镂空区,所述镂空区对应所述辅助电极设置,所述辅助电极藉由所述镂空区暴露出来;
S30、制备阳极复合层于所述平坦层上,所述阳极复合层包括第一阳极材料层和设置于所述第一阳极材料层和所述平坦层之间的第二阳极材料层;使用蚀刻剂对所述阳极复合层进行蚀刻形成图案,所述蚀刻剂对所述第一阳极材料层的蚀刻速度小于所述蚀刻剂对所述第二阳极材料层的蚀刻速度,所述阳极复合层的图案包括覆盖所述平坦层的阳极和对应所述镂空区的悬空部,所述悬空部遮挡部分所述辅助电极;
S40、制备像素定义层于所述阳极复合层上,所述像素定义层包括位于所述阳极边沿处的第一挡墙和分隔所述阳极和所述悬空部的第二挡墙;
S50、制备功能层于所述像素定义层和所述阳极复合层上,所述功能层被所述悬空部分隔为位于所述阳极上的发光层和位于所述镂空区的延伸部;
S60、制备阴极材料层于所述功能层上,所述阴极材料层被所述悬空部分隔为位于所述发光层上的阴极和位于所述延伸部上的搭接部,所述搭接部延伸至所述悬空部下方与所述辅助电极搭接,所述搭接部和所述阴极在所述悬空部的位置被分隔,所述搭接部在所述悬空部以外的位置与所述阴极为一体;
其中,所述像素定义层对除所述悬空部以外的其他悬空边沿进行填充和遮挡。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一阳极材料层的材料为IZO,所述第二阳极材料层的材料为ANCL;所述蚀刻剂为铝蚀刻液。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述阳极复合层还包括设置于所述第二阳极材料层和所述平坦层之间的第三阳极材料层;所述蚀刻剂对所述第一阳极材料层的蚀刻速度小于或等于所述蚀刻剂对所述第三阳极材料层的蚀刻速度。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一阳极材料层的材料为IZO,所述第二阳极材料层的材料为ANCL,所述第三阳极材料层的材料为MoTiNi;所述蚀刻剂为铝蚀刻液。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一阳极材料层的材料为IZO,所述第二阳极材料层的材料为Ag,所述第三阳极材料层的材料为IZO;或,所述第一阳极材料层的材料为ITO,所述第二阳极材料层的材料为Ag,所述第三阳极材料层的材料为ITO;所述蚀刻剂为银蚀刻液。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述镂空区的形状为圆形或多边形。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述辅助电极的数量为多个;多个所述辅助电极均匀分布于所述显示面板的显示区内;或,多个所述辅助电极在所述显示面板的边缘沿朝向所述显示面板的显示区的方向上,排列密度递减。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述像素定义层包括呈阵列分布的多个像素区,且多个所述像素区中的每一者或每多者皆对应一个所述辅助电极。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底基板,所述衬底基板配置有电晶体阵列层;
辅助电极,设置于所述衬底基板上;
平坦层,设置于所述衬底基板上,且所述平坦层上设置有镂空区,所述镂空区对应所述辅助电极设置,所述辅助电极藉由所述镂空区暴露出来;
阳极复合层,设置于所述平坦层上,所述阳极复合层包括第一阳极材料层和设置于所述第一阳极材料层和所述平坦层之间的第二阳极材料层,所述阳极复合层形成的图案包括覆盖所述平坦层的阳极和对应所述镂空区的悬空部,所述悬空部由所述第一阳极材料层形成,所述悬空部遮挡部分所述辅助电极;
像素定义层,设置于所述阳极复合层上,所述像素定义层包括位于所述阳极边沿处的第一挡墙和分隔所述阳极和所述悬空部的第二挡墙;
功能层,设置于所述像素定义层和所述阳极复合层上,所述功能层包括位于所述阳极上的发光层和位于所述镂空区的延伸部;以及
阴极材料层,设置于所述功能层上,所述阴极材料层包括位于所述发光层上的阴极和位于所述延伸部上的搭接部,所述搭接部延伸至所述悬空部下方与所述辅助电极搭接,所述搭接部和所述阴极在所述悬空部的位置被分隔,所述搭接部在所述悬空部以外的位置与所述阴极为一体;
其中,所述像素定义层对除所述悬空部以外的其他悬空边沿进行填充和遮挡。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述阳极复合层还包括设置于所述第二阳极材料层和所述平坦层之间的第三阳极材料层。
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