CN114141793A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
一种显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114141793A CN114141793A CN202111445725.8A CN202111445725A CN114141793A CN 114141793 A CN114141793 A CN 114141793A CN 202111445725 A CN202111445725 A CN 202111445725A CN 114141793 A CN114141793 A CN 114141793A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- display panel
- cavity
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 450
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 173
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 173
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,显示面板包括衬底、凸起结构和第一有机层;衬底包括非显示区和显示区;凸起结构设置在衬底的非显示区,凸起结构包括堆叠的第一复合层和第二复合层,并且凸起结构包括空腔;第一复合层位于第二复合层靠近衬底的一侧,并且沿显示面板的厚度方向,空腔贯穿第二复合层及至少部分第一复合层;第一有机层由显示区延伸至非显示区,第一有机层位于第二复合层远离衬底的一侧,第一有机层在空腔处断开。本申请中,第一有机层在空腔处断开,阻断了外界水氧进入显示区的路径。同时,凸起结构中的两层复合层中还可以包括金属,有利于提高空腔的稳固性,保证第一有机层在空腔处断开的可靠性。
Description
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
有机发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板具有制造工艺简单、功耗低、质量轻、响应速度快、视角宽、分辨率高以及温度特性宽等优点,具有广泛的市场应用前景。
目前,OLED显示面板的显示区域越来越大,为丰富显示装置的使用功能,通常会将一些感光元件设置在显示区域,并在感光元件周围设置非显示区域。这就导致外界环境中的水氧容易通过感光元件所在区域以及其周围的非显示区进入显示区域,侵蚀显示区域的元器件,从而影响显示面板的成品良率。
【申请内容】
有鉴于此,本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,以解决上述问题。
第一方面,本申请实施例提供一种显示面板,包括衬底、凸起结构和第一有机层;衬底包括非显示区和显示区;凸起结构设置在衬底的非显示区,凸起结构包括堆叠的第一复合层和第二复合层,并且凸起结构包括空腔;第一复合层位于第二复合层靠近衬底的一侧,并且沿显示面板的厚度方向,空腔贯穿第二复合层及至少部分第一复合层;第一有机层由显示区延伸至非显示区,第一有机层位于第二复合层远离衬底的一侧,第一有机层在空腔处断开。
在第一方面的一种实现方式中,衬底还包括开口区,开口区贯穿衬底,非显示区包括第一非显示区,第一非显示区位于开口区和显示区之间,并且第一非显示区至少部分围绕开口区,显示区至少部分围绕第一非显示区;第一有机层由显示区延伸至第一非显示区,并且凸起结构设置在衬底的第一非显示区。
在第一方面的一种实现方式中,第二复合层包括第一金属层和第二金属层,第一金属层位于第二金属层靠近衬底的一侧;并且第一金属层与第二金属层的材料不同。
在第一方面的一种实现方式中,第二复合层还包括第三金属层,第三金属层位于第二金属层远离第一金属层的一侧,并且第三金属层与第一金属层的材料相同。
在第一方面的一种实现方式中,第一金属层的材料包括Ti、第二金属层的材料包括Al。
在第一方面的一种实现方式中,第一复合层包括第四金属层,第四金属层位于空腔靠近衬底的一侧,第四金属层与第一金属层相连,并且第四金属层与第一金属层的材料相同。
在第一方面的一种实现方式中,第一复合层还包括第五金属层,并且第五金属层附着于第一金属层朝向于衬底的表面,第五金属层与第一金属层的材料相同。
在第一方面的一种实现方式中,显示面板还包括晶体管阵列层,晶体管阵列层包括晶体管,第一复合层与晶体管的源极或者漏极同层制备。
在第一方面的一种实现方式中,显示面板还包括过渡金属层,过渡金属层位于晶体管的源极或者漏极远离衬底的一侧,第二复合层与过渡金属层同层制备。
在第一方面的一种实现方式中,沿显示面板的厚度方向,第一有机层的厚度小于空腔的深度。
在第一方面的一种实现方式中,空腔包括相互连接的第一侧面,第一侧面与空腔的底面相连,并且第一侧面与空腔的底面之间的夹角为θ,0°<θ≤90°。
在第一方面的一种实现方式中,第一有机层在所述显示区整面设置。
在第一方面的一种实现方式中,第一有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一者。
在第一方面的一种实现方式中,凸起结构还包括保护层,保护层至少覆盖第二复合层朝向空腔的部分表面。
第二方面,本申请实施例提供一种显示装置,包括如第一方面提供的显示面板。
第三方面,本申请实施例提供一种显示面板的制作方法,包括:
提供衬底,衬底包括非显示区和显示区;
在衬底的非显示区沉积第一膜层,刻蚀第一膜层形成初始结构;
在初始结构上沉积第二膜层,第二膜层覆盖初始结构;
刻蚀第二膜层形成第二复合层,第二复合层包括第一开口;
刻蚀初始结构形成第一复合层,第一复合层包括第二开口;
其中,第一开口与第二开口连通形成空腔。
在第三方面的一种实现方式中,第二复合层包括第一金属层和第二金属层,第一金属层位于第二金属层与初始结构之间;并且第一金属层与所述第二金属层的材料不同。
在第三方面的一种实现方式中,初始结构包括中间层和第五金属层,第五金属层位于中间层远离衬底的一侧;第五金属层与第一金属层的材料相同,并且与中间层的材料不同;
刻蚀初始结构形成第一金属复合层,包括:
干刻第五金属层,在第五金属层中形成第一子开口;
湿刻中间层,形成包括第一子开口的第二开口。
在第三方面的一种实现方式中,在刻蚀初始结构形成第一复合层之前,还包括:制备保护层,保护层至少覆盖第二复合层朝向空腔的部分表面。
在本申请中,第一有机层在空腔处断开,阻断了外界水氧通过第一有机层进入显示区的路径,从而避免了水氧对显示区中元器件的侵蚀,进而提高显示面板的成品良率。同时,凸起结构包括两层复合层,而且两层复合层中还可以包括金属,有利于提高凸起结构的稳固性,从而有利于保证空腔的形态稳固可控,提高了第一有机层在空腔处断开的可靠性。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图;
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意图;
图5为本申请实施例提供的一种凸起结构的示意图;
图6为本申请实施例提供的又一种凸起结构的示意图;
图7为本申请实施例提供的另一种凸起结构的示意图;
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图9为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图10为本申请实施例提供的再一种凸起结构的示意图;
图11为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法流程示意图;
图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的制作方法流程示意图;
图13为图11中步骤S4形成的一种结构放大图;
图14为图12中步骤S4形成的一种结构放大图;
图15为本申请实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程示意图;
图16为本申请实施例提供的再一种显示面板的制作方法流程示意图;
图17为本申请实施例提供的一种显示面板的局部制作流程示意图;
图18为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本申请的技术方案,下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本说明书的描述中,需要理解的是,本申请权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语,是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内,可以大体上认同的,而不是一个精确值。
应当理解,尽管在本申请实施例中可能采用术语第一、第二等来描述复合层、金属层等,但这些复合层、金属层等不应限于这些术语。这些术语仅用来将复合层、金属层等彼此区分开。例如,在不脱离本申请实施例范围的情况下,第一复合层也可以被称为第二复合层,类似地,第二复合层也可以被称为第一复合层。
本案申请人通过细致深入研究,对于现有技术中所存在的问题,而提供了一种解决方案。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
本申请实施例提供一种显示面板001,如图1所示,显示面板001包括衬底10、凸起结构20和第一有机层30,衬底10包括显示区AA和非显示区BB。凸起结构20设置在衬底10的非显示区BB,凸起结构20包括堆叠的第一复合层21和第二复合层22,第一复合层21位于第二复合层22靠近衬底10的一侧。即沿显示面板001的厚度方向,第二复合层22覆盖第一复合层21的外表面。
本申请中的第一复合层21和第二复合层22均为显示面板001中的具体结构。但是需要说明的是,第一复合层21在显示面板001中的最终结构形态可能仅为一个膜层,而将其命名为第一复合层21是在显示面板001的制备过程中,其中间状态包含层叠的不同材料膜层。此外,第一复合层21在显示面板001中的最终结构形态也可以包括不同的材料膜层,或者如图1所示,第一复合层21在显示面板001中的最终结构形态还包括其他膜层的部分残留物210,第二复合膜层22在显示面板001中的最终结构形态也可以包括不同的材料膜层。
进一步地,第一复合层21和第二复合层22可以均为金属复合层。进一步地,第一复合层21和第二复合层22可以包括相同材料的金属复合层。
凸起结构20还包括空腔23,沿显示面板001的厚度方向,空腔23贯穿第二复合层22及至少部分第一复合层21。也就是说,空腔23包括远离衬底10的开口。可以理解的是,空腔23可以通过对第二复合层22和第一复合层21中的材料进行刻蚀形成。由图1可以看出,第二复合层22位于第一复合层21的***且包围第一复合层21,空腔23的侧面中至少包括第二复合层22,则空腔23的形成可以对被第二复合层22包裹的第一复合层21进行刻蚀形成空腔23。
第一有机层30由显示区AA延伸至非显示区BB,第一有机层30位于第二复合层22远离衬底10的一侧,即在非显示区BB,第一有机层30位于凸起结构20远离衬底10的一侧。其中,第一有机层30在空腔23处断开,即第一有机层30位于空腔23两侧的部分为非连续结构。也就是说,第一有机层30位于非显示区BB的部分不连续。
其中,有机发光显示面板中的发光器件可以为有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED),OLED属于一种电流型的有机发光器件,通过载流子的注入和复合进行发光,发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下,阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动,分别向空穴传输层和电子传输层注入,迁移到发光层。当二者在发光层相遇时,产生能量激子,从而激发发光分子最终产生可见光。
在OLED显示面板的制备过程中,位于发光层两侧的空穴传输层和电子传输层等功能层通常采用公共掩膜板整面蒸镀,这就导致这些功能层会从显示区延伸到非显示区。而且这些功能层通常为有机材料形成的有机层,而有机层阻隔水氧的效果较差,当有外界环境中的水氧侵入时,水氧会沿着有机层进入显示面板内部,侵蚀显示区域的元器件,从而影响显示面板的正常显示。
本申请中的第一有机层30可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一者。
可选地,第一有机层30在显示区AA中整面设置。
在本申请实施例中,第一有机层30在空腔23处断开,阻断了外界水氧通过第一有机层30进入显示区AA的路径,从而避免了水氧对显示区AA中元器件的侵蚀,进而提高显示面板001的成品良率。
同时,凸起结构20包括两层复合层,第二复合层22位于第一复合层21的***且包围第一复合层21,空腔23的侧面至少部分被第二复合层22包围。则位于空腔23侧面的第二复合层22提高了凸起结构20的稳固性,从而有利于保证空腔23的形态稳固,提高了第一有机层30在空腔23处断开的可靠性。
图2为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
如图2所示,在本申请的一个实施例中,第二复合层22包括平行于衬底10且向远离空腔23的方向延伸的基底部220。
本申请实施例通过设置基底部220,增加了第二复合层22与其下方的膜层的接触面积,例如增加了第二复合层22与衬底10的接触面积,进一步提高了凸起结构20的稳固性,从而有利于保证空腔23的形态稳固。
图3为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图,图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意图。
在本申请的一个实施例中,请结合图1和图3或者图1和图4,衬底10还包括开口区CC,开口区CC贯穿衬底10。非显示区域BB包括第一非显示区YB,第一非显示区YB位于开口区CC和显示区AA之间,并且第一非显示区YB至少部分围绕开口区CC,显示区AA至少部分围绕第一非显示区YB。
可选地,如图3所示,第一非显示区YB全部围绕开口区CC,显示区AA全部围绕第一非显示区YB。
可选地,如图4所示,第一非显示区YB部分围绕开口区CC,显示区AA部分围绕第一非显示区YB。
其中,第一有机层30由显示区AA延伸至第一非显示区YB,并且凸起结构20设置在衬底10的第一非显示区YB。
可以理解的是,开口区CC可以用来设置感光元件(如摄像头、指纹识别等),且开口区CC内对感光元件的光采集过程不存在遮挡的器件,提供了光感器件所采集信号的准确度。由于开口区CC的存在,外部环境中的水氧容易通过开口区CC侵入第一有机层30,并经由第一有机层30进入显示区AA。
本申请实施例中,凸起结构20设置在至少部分围绕开口区CC的第一非显示区YB,则第一有机层30延伸至第一非显示区YB的部分会在凸起结构20的空腔23处断开,阻断外部环境中的水氧经由第一有机层30进入显示区AA,从而避免了水氧对显示区AA中元器件的侵蚀,进而提高显示面板001的成品良率。
需要说明的是,凸起结构20可以围绕开口区CC,即空腔23可以围绕开口区CC。从而保证阻断外部环境中的水氧从开口区CC的各个方向进入显示区AA。
此外,凸起结构20可以沿着第一非显示区YB的延伸方向设置,即空腔23沿着第一非显示区YB的延伸方向设置。例如,当第一非显示区YB部分围绕开口区CC时,则空腔23设置在第一非显示区YB,且开口区CC被第一非显示区YB包围的部分也被空腔23所包围。
图5为本申请实施例提供的一种凸起结构的示意图。
在本申请的一个实施例中,如图5所示,第二复合层22包括第一金属层221和第二金属层222,第一金属层221位于第二金属层222靠近衬底10的一侧或者说第一金属层221位于第二金属层222靠近空腔23的一侧,并且第一金属层221与第二金属层222的材料不同。
需要说明的是,在使用同种方法刻蚀第一金属层221和第二金属层222时,第一金属层221及第二金属层222被刻蚀的速率可以不同。
在本申请实施例中,第二复合层22包括两层被刻蚀速率不同的金属层,则在凸起结构20中形成空腔23的过程中,容易控制第二复合层22的刻蚀程度。而且由于第二复合层22覆盖第一复合层21的外表面,则在刻蚀第一复合层21的过程中,第二复合层22中的第一金属层221的刻蚀速率可以相对于第一复合层21中被刻蚀掉形成空腔的材料层的刻蚀速率缓慢,因此,可以很好的保护第二复合层22包围空腔23侧面的部分,避免在空腔23的侧面形成开口而导致凸起结构20坍塌。本申请实施例有利于提高凸起结构20的稳固性,从而提高空腔23的可靠性。
图6为本申请实施例提供的又一种凸起结构的示意图。
如图6所示,在本申请的一个实施例中,第二复合层22还包括第三金属层223,第三金属层223位于第二金属层222远离第一金属层221的一侧,也就是说,第二金属层222位于第一金属层221和第三金属层223的中间。
其中,第三金属层223与第一金属层221的材料相同。进一步地,第一金属层221和第三金属层223被刻蚀的速率可以相同,第一金属层221相对于第二金属层222被刻蚀的速率可以较慢。
在本申请实施例中,第二金属层222的至少部分区域被至少两层刻蚀速度均较慢的金属层所保护,则有利于进一步减小第二复合层22被刻蚀的程度。避免在形成空腔23的过程中,空腔23的侧面形成开口而导致凸起结构20坍塌,从而进一步提高空腔23的稳固性及可靠性。
可选地,第一金属层221的材料包括Ti,第二金属层222的材料包括Al。可以理解的是,第三金属层223的材料也包括Ti。
图7为本申请实施例提供的另一种凸起结构的示意图。
如图7所示,在本申请的一个实施例中,第一复合层21包括第四金属层211,第四金属层211位于空腔23靠近衬底10的一侧,即第四金属层211位于空腔23的底侧。第四金属层211与第一金属层221相连,并且第四金属层211与第一金属层221的材料相同。
可以理解的是,第一金属层221包括围绕空腔侧面的部分。材料相同的第四金属层211与第一金属层221相连成为一个整体。则空腔23的侧面和底面至少部分被第四金属层211和第一金属层221连接而成的整体围绕,进一步提高了空腔23的稳固性,并且有利于实现空腔23尺寸的可控性。
在本申请的一个实施例中,请继续参考图7,第一复合层21还包括第五金属层212,并且第五金属层212附着于第一金属层221朝向衬底10的表面,也就是说,第五金属层212与第一金属层221直接接触,并且第五金属层212位于第一金属层221的下方。第五金属层212与第一金属层221的材料相同。
本申请实施例中,第五金属层212的设置可以对第一金属层221起到支撑作用,即第一复合层21中的第五金属层212可以支撑第二复合层22,能够更好的保证凸起结构20的形貌。而且,由于第五金属层212与第一金属层221的材料相同,则在刻蚀第一复合层21的过程中,第五金属层212可以保护第一金属层221,从而保护第二复合层22不被进一步刻蚀,有利于保护第二复合层22的形态。
需要说明的是,请继续参考图7,在本申请实施例中,沿显示面板001的厚度方向,第五金属层212可以覆盖空腔23的部分区域Q1。因此,在使用蒸镀等工艺制备第一有机层30时,在空腔23被第五有机层212覆盖的区域Q1不会形成第一有机层30,提高了第一有机层30在空腔23处断开的可靠性,从而减小外部环境中的水氧进入显示区AA的可能性。
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
如图8所示,在本申请的一个实施例中,显示面板001还包括晶体管阵列层40,晶体管阵列层40包括晶体管41,第一复合层21与晶体管41的源极411/漏极412同层制备。
其中,晶体管阵列层40位于第一有机层30与衬底10之间,晶体管41的源极411和漏极412是同层制备的。本申请实施例中将第一复合层21与晶体管41的源极411/漏极412同层制备,有利于简化制备工序,节省制作成本。
进一步地,第一复合层21所包括的材料可以与晶体管41的源极411的材料/漏极412的材料至少部分相同。需要说明的是,在形成空腔23的过程中,第一复合层21是经过刻蚀形成的,则第一复合层21对应的被刻蚀前的结构的材料可以与晶体管41的源极411的材料/漏极412的材料完全相同,但是经过刻蚀形成的第一复合层21的材料可以仅与源极411的部分材料/漏极412的部分材料相同。
此外,晶体管41的源极411和漏极412是Ti/Al/Ti的复合层,则第一复合层21也可以为Ti/Al/Ti,或者第一复合层21可以为Ti/Ti。
图9为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。
在本申请的一个实施例中,如图9所示,显示面板001还包括过渡金属层50,过渡金属层50位于晶体管41的源极或者漏极远离衬底10的一侧,第二复合层22与过渡金属层50同层制备。
可以理解的是,显示面板001中包括发光器件,晶体管阵列层40中由晶体管41构成的像素电路用于给发光器件提供发光信号。发光信号通常由晶体管41的源极411或者漏极412传递给发光器件的电极,晶体管41的源极411或者漏极412和发光器件的电极通过过孔电连接。但是,由于过孔的深度较深,晶体管41的源极411或者漏极412和发光器件的电极通过过孔电连接时容易发生断裂。因此,为了提高晶体管41的源极411或者漏极412和发光器件的电极电连接的可靠性,在晶体管41的源极411或者漏极412和发光器件的电极之间设置一层过渡金属层50,晶体管41的源极411或者漏极412和发光器件的电极通过过渡金属层50电连接。当然,过渡金属层50位于第一有机层30和晶体管阵列层40之间。
本申请实施例中,第二复合层22与过渡金属层50采用同一道构图工艺形成,这样在制备过渡金属层50时,同时完成对第二复合层22的制备,进一步简化了制备工艺,节省了制作成本。
需要说明的是,第二复合层22可以包括和过渡金属层50的材料相同的材料。
请继续参考图1,在本申请的一个实施例中,沿显示面板001的厚度方向,第一有机层30的厚度D1小于空腔23的深度D2。保证了第一有机层30在空腔23处断开的可靠性。
具体地,如图1所示,第一有机层30包括第一部分31和第二部分32,第一部分31覆盖第二复合层22远离衬底10的至少部分表面,第二部分32位于空腔23内。可以理解的是,第一部分31和第二部分32是由同一制备工艺形成的。由于空腔23的设置,使得第一有机层30可以在空腔23处断开形成位于空腔23外的第一部分31和位于空腔内的第二部分32。
又由于第一有机层30的厚度D1小于空腔23的深度D2,则第一部分31和第二部分32的厚度D1均小于空腔23的深度D2。也就是说,沿显示面板001的厚度方向,第一部分31靠近衬底10的表面与第二部分32远离衬底10的表面之间存在距离。保证了第一部分31与第二部分32之间完全断开,从而保证完全阻断了外接环境中的水氧侵入的路径。
在本申请的一个实施例中,请继续参考图7,空腔23包括相互连接的第一侧面231,第一侧面231与空腔的底面232相连,并且第一侧面231与空腔23的底面232之间的夹角为θ,其中,0°<θ≤90°。
其中,空腔23中越靠近衬底10的位置处,其相对两侧的侧面之间的距离越大,即越靠近衬底10,空腔23的宽度越大,保证第一有机层30在空腔23位置处断开的可靠性。
在本申请实施例中,由于夹角θ的设置,则沿显示面板001的厚度方向,空腔23的底面232被第一侧面231覆盖的面积可以增大。因此,在使用蒸镀等工艺制备第一有机层30时,由于第一侧面231的遮挡,在空腔23被第一侧面231所覆盖的区域不会形成第一有机层30,进一步提高了第一有机层30在空腔23处断开的可靠性,能够进一步减小外部环境中的水氧进入显示区AA的可能性。
图10为本申请实施例提供的再一种凸起结构的示意图。
在本申请的一个实施例中,如图10所示,凸起结构20还包括保护层24,保护层24至少覆盖第二复合层22朝向空腔23的部分表面22a。
具体地,空腔23贯穿第二复合层22的部分可以为第一开口22M,保护层24至少覆盖第二复合层22朝向第一开口22M的表面。
可选地,保护层24覆盖第二复合层22朝向第一开口22M的表面和第二复合层22远离衬底10的表面,有利于方便保护层24的制备。
本申请实施例中,在刻蚀第一复合层21的过程中,保护层24的设置可以保护第二复合层22朝向空腔23的表面22a不被进一步刻蚀,有利于实现第二复合层22的形态可控。
图11为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法流程示意图,图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的制作方法流程示意图。
本申请实施例提供一种显示面板001的制作方法,该制作方法可以用于制备如上述实施例提供的显示面板001。如图11和图12所示,制作方法包括:
步骤S1:提供衬底10,衬底10包括非显示区BB和显示区AA。
步骤S2:在衬底10的非显示区BB沉积第一膜层21A,刻蚀第一膜层21A形成初始结构21B。初始结构21B的侧面和底面的夹角为θ,0°<θ≤90°。
第一膜层21A为复合膜层。进一步地,第一膜层21A可以和晶体管41的源极411、漏极412同层沉积,并且第一膜层21A可以和源极411或者漏极412采用相同的材料结构。例如,源极411和漏极412可以采用Ti/Al/Ti合金制成,第一膜层21A也可以是Ti/Al/Ti结构。
步骤S3:在初始结构21B上沉积第二膜层22A,第二膜层22A覆盖初始结构21B;
第二膜层22A覆盖初始结构21B除靠近衬底10的表面之外的其他表面,即第二膜层22A覆盖初始结构21B的侧壁面和顶面。
第二膜层22A为复合膜层。进一步地,第二膜层22A可以和过渡金属层
50同层沉积,相应地,第二膜层22A可以和过渡金属层50采用相同的材料结构。例如,过渡金属层50可以采用Ti/Al/Ti合金制成,第二膜层22A也可以是Ti/Al/Ti结构。
步骤S4:刻蚀第二膜层22A形成第二复合层22,第二复合层22包括第一开口22M;可以理解的是,第一开口22M贯穿第二复合层22。
可选地,刻蚀第二膜层22A采用干法刻蚀,有利于控制第一开口22M的形态。
步骤S5:刻蚀初始结构21B形成第一复合层21,第一复合层21包括第二开口21M。需要说明的是,第二开口21M可以贯穿第一复合层21,或者第二开口21M贯穿第一复合层21的部分。
其中,第一开口22M与第二开口21M连通形成空腔23。
可以理解的是,衬底10还可以包括开口区(图中未示出),开口区贯穿衬底10,非显示区BB还可以包括第一非显示区YB,第一非显示区YB位于开口区和显示区AA之间,并且第一非显示区YB至少部分围绕开口区,显示区AA至少部分围绕第一非显示区YB。
其中,图11和图12中的步骤S2-步骤S5可以均在第一非显示区YB制备。
图13为图11中步骤S4形成的一种结构放大图,图14为图12中步骤S4形成的一种结构放大图。
在本申请的一个实施例中,如图13和图14所示,第二复合层22包括第一金属层221和第二金属层222,第一金属层221位于第二金属层222与初始结构21B之间,并且第一金属层221与第二金属层222的材料不同。可以理解的是,第一金属层221和第二金属层222被刻蚀的速率可以不同。
进一步地,第一金属层221的刻蚀速率可以小于第二金属层222的刻蚀速率,图11和图12的步骤S5中,在刻蚀初始结构21B的过程中,可以保证第二开口21M保持稳固的形态。避免在形成空腔23的过程中,在空腔23的侧面形成开口而导致凸起结构20坍塌。
需要说明的是,如图13和图14所示,第二复合层22还可以包括第三金属层223,第三金属层223位于第二金属层222远离第一金属层221的一侧。也就是说,第二金属层222位于第一金属层221和第三金属层223的中间。
可选地,第三金属层223的材料与第一金属层221的材料相同。
图15为本申请实施例提供的另一种显示面板的制作方法流程示意图,图16为本申请实施例提供的再一种显示面板的制作方法流程示意图。
在本申请的一个实施例中,请继续参考图13,初始结构21B包括中间层213和第五金属层212,第五金属层212位于中间层213远离衬底10的一侧,第五金属层212可以与第一金属层221的材料相同,并且第五金属层212与中间层213的材料不同。
可选地,如图14所示,初始结构21B还可以包括第四金属层211,第四金属层211位于中间层213靠近衬底10的一侧;第四金属层211与第一金属层221相连,且第四金属层211与第一金属层221的材料相同。
其中,如图15所示,在图11所示的步骤S5中,或者如图16所示,在图12的所示步骤S5中,刻蚀初始结构21B形成第一复合层21,包括:
步骤S51:干刻第五金属层212,在第五金属层212中形成第一子开口211M;
步骤S52:湿刻中间层213,形成包括第一子开口211M的第二开口21M。
其中,采用湿法刻蚀后形成的第二开口21M可以具有较大的容积,第二开口21M中越靠近衬底10的位置处,其相对两侧的侧面之间的距离越大,即越靠近衬底10,第二开口21M的宽度越大,有效保证第一有机层30在空腔23位置处断开的可靠性。
中间层213可以被全部刻蚀,空腔23包括中间层213所在全部区域。需要说明的是,在实际制备工艺中,由于工艺条件限制,中间层213也可以仅被刻蚀掉一部分,空腔23内也可以包括残留的中间层213的部分。
在本实施例提供的制备方法中,采用干法刻蚀第五金属层212,避免了对第二复合层22的进一步刻蚀,有效保护了第二复合层22中第一开口22M的形态。采用湿法刻蚀中间层213可以使第二开口21M的容积较大,同时由于第二复合层22覆盖初始结构21B的侧壁,在湿法刻蚀中间层213的过程中,第二复合层22中第一金属层221的刻蚀速率可以低于中间层213的刻蚀速率,从而可以保证第二开口21M的形态稳固可控。
图17为本申请实施例提供的一种显示面板的局部制作流程示意图。
在图11中的步骤S5之前,即在刻蚀初始结构21B形成第一复合层21之前,如图17所示,显示面板001的制作方法还包括:
步骤S4A:制备保护层24,保护层24至少覆盖第二复合层22朝向空腔23的部分表面。
进一步地,保护层24至少覆盖第一开口22M的侧面。
在刻蚀初始结构21B形成第一复合层21的过程中,保护层24的设置可以保护第第一开口22M不被进一步刻蚀,有利于实现第一开口22M的形态可控。
可以理解的是,步骤S4A也可以设置在图12中的步骤S5之前。
图18为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。
本申请实施例提供一种显示装置100,如图18所示,包括如上述任意一个实施例提供的显示面板001。本申请实施例提供的显示装置100可以为手机,也可以为电脑、电视等显示装置。
在显示装置100中,第一有机层30在空腔23处断开,阻断了外界水氧通过第一有机层30进入显示区AA的路径,从而避免了水氧对显示区AA中元器件的侵蚀,进而提高显示面板001的成品良率。同时,凸起结构20包括两层复合层,而且两层复合层中还可以包括金属,有利于提高凸起结构20的稳固性,从而有利于保证空腔23的形态稳固可控,提高了第一有机层30在空腔23处断开的可靠性。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请保护的范围之内。
Claims (19)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底,包括非显示区和显示区;
凸起结构,所述凸起结构设置在所述衬底的所述非显示区;所述凸起结构包括堆叠的第一复合层和第二复合层,且所述凸起结构包括空腔;所述第一复合层位于所述第二复合层靠近所述衬底的一侧,且沿所述显示面板的厚度方向,所述空腔贯穿所述第二复合层及至少部分所述第一复合层;
第一有机层,所述第一有机层由所述显示区延伸至所述非显示区;所述第一有机层位于所述第二复合层远离所述衬底的一侧,所述第一有机层在所述空腔处断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底还包括开口区,所述开口区贯穿所述衬底,所述非显示区包括第一非显示区,所述第一非显示区位于所述开口区和所述显示区之间,且所述第一非显示区至少部分围绕所述开口区,所述显示区至少部分围绕所述第一非显示区;
所述第一有机层由所述显示区延伸至所述第一非显示区,且所述凸起结构设置在所述衬底的所述第一非显示区。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二复合层包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述第二金属层靠近所述衬底的一侧;且所述第一金属层与所述第二金属层的材料不同。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二复合层还包括第三金属层,所述第三金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧,且所述第三金属层与所述第一金属层的材料相同。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层的材料包括Ti、所述第二金属层的材料包括Al。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一复合层包括第四金属层,所述第四金属层位于所述空腔靠近所述衬底的一侧,所述第四金属层与所述第一金属层相连,且所述第四金属层与所述第一金属层的材料相同。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一复合层还包括第五金属层,且所述第五金属层附着于所述第一金属层朝向于所述衬底的表面,所述第五金属层与所述第一金属层的材料相同。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括晶体管阵列层,所述晶体管阵列层包括晶体管,所述第一复合层与所述晶体管的源极或者漏极同层制备。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括过渡金属层,所述过渡金属层位于所述晶体管的源极或者漏极远离所述衬底的一侧,所述第二复合层与所述过渡金属层同层制备。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述第一有机层的厚度小于所述空腔的深度。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述空腔包括相互连接的第一侧面,所述第一侧面与所述空腔的底面相连,且所述第一侧面与所述空腔的底面之间的夹角为θ,0°<θ≤90°。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机层在所述显示区整面设置。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一者。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸起结构还包括保护层,所述保护层至少覆盖所述第二复合层朝向所述空腔的部分表面。
15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-14任意一项所述的显示面板。
16.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板的制作方法包括:
提供衬底,所述衬底包括非显示区和显示区;
在所述衬底的所述非显示区沉积第一膜层,刻蚀所述第一膜层形成初始结构;
在所述初始结构上沉积第二膜层,所述第二膜层覆盖所述初始结构;
刻蚀所述第二膜层形成第二复合层,所述第二复合层包括第一开口;
刻蚀所述初始结构形成第一复合层,所述第一复合层包括第二开口;
其中,所述第一开口与所述第二开口连通形成空腔。
17.根据权利要求16所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第二复合层包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述第二金属层与所述初始结构之间;且所述第一金属层与所述第二金属层的材料不同。
18.根据权利要求17所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述初始结构包括中间层和第五金属层,所述第五金属层位于所述中间层远离所述衬底的一侧;所述第五金属层与所述第一金属层的材料相同,且与所述中间层的材料不同;
所述刻蚀所述初始结构形成所述第一复合层,包括:
干刻所述第五金属层,在所述第五金属层中形成第一子开口;
湿刻所述中间层,形成包括第一子开口的所述第二开口。
19.根据权利要求16所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在刻蚀所述初始结构形成所述第一复合层之前,还包括:
制备保护层,所述保护层至少覆盖所述第二复合层朝向所述空腔的部分表面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111445725.8A CN114141793A (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111445725.8A CN114141793A (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114141793A true CN114141793A (zh) | 2022-03-04 |
Family
ID=80386078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111445725.8A Pending CN114141793A (zh) | 2021-11-30 | 2021-11-30 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114141793A (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060001091A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Tae-Seong Kim | Thin film transistor (TFT) and flat panel display including the TFT and their methods of manufacture |
CN103337594A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板和显示装置 |
CN110212118A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-09-06 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN111146261A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN211719594U (zh) * | 2020-02-21 | 2020-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN112447924A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板、制备方法及包括其的显示装置 |
US20210226167A1 (en) * | 2020-12-21 | 2021-07-22 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
-
2021
- 2021-11-30 CN CN202111445725.8A patent/CN114141793A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060001091A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Tae-Seong Kim | Thin film transistor (TFT) and flat panel display including the TFT and their methods of manufacture |
CN103337594A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板和显示装置 |
CN110212118A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-09-06 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112447924A (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-05 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板、制备方法及包括其的显示装置 |
CN111146261A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN211719594U (zh) * | 2020-02-21 | 2020-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
US20210226167A1 (en) * | 2020-12-21 | 2021-07-22 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11133369B2 (en) | Flexible display panel and manufacturing method thereof | |
CN110212118B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
US11903234B2 (en) | Display substrate, preparation method thereof and display device | |
CN211719594U (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
US11282904B2 (en) | Organic light emitting diode display device, method of manufacturing the OLED display device, and electronic device | |
US11315977B2 (en) | Photosensitive assembly and method for preparing the same, array substrate, and display device | |
US11417719B2 (en) | Organic light-emitting diode display panel with anode layer on signal trace in non-display area | |
CN108962955B (zh) | Oled面板及其制作方法 | |
CN107957813A (zh) | 一种柔性触控显示屏及其制作方法 | |
WO2023004647A1 (zh) | 显示基板、显示装置 | |
CN210535696U (zh) | 一种电致发光显示基板和包含其的电致发光显示装置 | |
CN111312723A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN113748533B (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
US11307722B2 (en) | Display panel, display device and method for preparing a display panel | |
WO2018205587A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN111863922A (zh) | 一种提高显示效果的面板结构及制作驱动方法 | |
CN113937236A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
KR20160127459A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
CN113838996B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN109638042B (zh) | 一种oled显示面板 | |
CN114203778A (zh) | 有源矩阵oled显示面板及其制备方法 | |
CN114141793A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
EP4024463A1 (en) | Display substrate and preparation method thereof, and electronic device | |
CN114927627A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
KR20210061085A (ko) | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |