CN114078729A - 基片处理装置和基片运送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制设置于开口部的构造物的劣化的基片处理装置和基片运送方法。基片处理装置包括：具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，该内部空间被控制为大气压环境；开口部，其设置在该基片送入送出模块，将内部空间与外部空间连通；闸门，其设置在开口部，具有运送空间；从外部空间侧向开口部的缘部喷出吹扫气体的喷出部；和经由与开口部不同的路径对运送空间进行排气的排气口。

Description

基片处理装置和基片运送方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片运送方法。
背景技术
在基片处理装置中，在基片送出时等供基片通过的开口部，设置有闸门等的构造物(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-220588号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供抑制设置于开口部的构造物的劣化的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，该内部空间被控制为大气压环境；设置在该基片送入送出模块，将内部空间与外部空间连通的开口部；设置在开口部，具有运送空间的闸门；从外部空间侧向开口部的缘部喷出吹扫气体的喷出部；和经由与开口部不同的路径对运送空间进行排气的排气口。
发明效果
依照本发明，能够抑制设置于开口部的构造物的劣化。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置1的概要结构的例子的图。
图2是表示负载锁定室4的概要结构的例子的图。
图3是表示负载锁定室4和闸门5的概要结构的例子的图。
图4是表示负载锁定室4和闸门5的概要结构的例子的图。
图5是示意地表示基片G、闸门5和负载锁定室4的概要结构的图。
图6是表示负载锁定面板6的概要结构的例子的图。
图7是表示负载锁定面板6的概要结构的例子的图。
图8是示意地表示被喷出的吹扫气体的流动的图。
图9是示意地表示被喷出的吹扫气体的流动的图。
图10是表示喷嘴61的概要结构的例子的图。
图11是从负载锁定室4侧观察负载锁定面板6的图。
图12是示意地表示被排气的气体的流动的图。
图13是示意地表示被排气的气体的流动的图。
图14是示意地表示被排气的气体的流动的图。
图15是示意地表示被排气的气体的流动的图。
图16是示意地表示被排气的气体的流动的图。
图17是示意地表示被排气的气体的流动的图。
图18是表示在基片处理装置1中执行的处理(基片运送方法)的例子的流程图。
图19是表示负载锁定室4、闸门5、喷嘴61和排气管64A的概要结构的例子的图。
附图标记说明
1 基片处理装置
2 处理腔室
3 运送室
4 负载锁定室
5 闸门
6 负载锁定面板
7 控制部
8 装载机
42 开口部
51U 门盖
51L 门盖
55 导轨
61 喷嘴(喷出部)
421U 缘部
421L 缘部
422U 缘部
422L 缘部
641U 排气口
642U 排气口
643U 排气口
644U 排气口
645U 排气口
646U 排气口
641L 排气口
642L 排气口
643L 排气口
644L 排气口
645L 排气口
646L 排气口。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明公开的基片处理装置和基片运送方法的实施方式进行说明。此外，公开的基片处理装置和基片运送方法并不由本实施方式限定。
在基片处理装置中，在将已处理的基片送出到外部时，存在附着于基片的处理气体附着在设置于送出基片的开口部的构造物而发生腐蚀等构造物劣化的可能性。因此，人们期望抑制设置于送出基片的开口部的构造物的劣化的技术。
图1是表示实施方式的基片处理装置1的概要结构的例子的图。在图中，示出XYZ坐标系。X轴方向和Y轴方向各自对应将处于送出基片的开口部的一侧作为正面时的基片处理装置的左右方向和前后方向。Z轴方向对应水平配置的基片处理装置的上下方向(高度方向)，即铅垂方向。
基片处理装置1包括处理腔室2、运送室3、负载锁定室4、闸门5、负载锁定面板6和控制部7。此外，在图1中，负载锁定面板6以从闸门5被取下的状态进行图示。控制部7由功能模块图示。基片处理装置1的负载锁定室4能够在与运送室3相反一侧与装载机8连结。装载机8可以不为基片处理装置1的构成要素，也可以为基片处理装置1的构成要素。
在基片处理装置1中，处理腔室2、运送室3和负载锁定室4分别具有收纳基片等的内部空间。相邻内部空间彼此经由开口部连通。在开口部设置有开闭用的构造物。开闭用构造物的例子为闸门，其中之一图示为闸门5。通过关闭开口部使内部空间为气密状态，能够将各内部空间控制为彼此不同的气压环境。可控制的气压环境的例子为大气压环境和减压环境。减压环境为压力比大气压环境低的环境(例如，真空压环境)。
以下，依次说明基片处理装置1的构成要素。此外，作为基片处理装置1的处理对象的基片，在后述的图5中图示为基片G，下文中称为基片G。
处理腔室2是进行基片G的处理的部分(模块)。处理腔室2以能够对基片G实施处理的多个处理腔室21～处理腔室23例示。在处理腔室21～处理腔室23中对基片G实施的处理可以为相同的处理，也可以为不同的处理。基片G的例子为FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基片。FPD的例子为液晶显示器、有机EL显示器等。基片G的其他例子为由聚酰亚胺等合成树脂形成的可弯曲的材料构成的片或膜。基片处理的例子为等离子体处理。等离子体处理的例子为蚀刻处理、灰化处理、成膜处理等等离子体处理。在基片处理中，能够使用各种处理气体。处理气体的例子为含有氯原子的氯系气体和含有氟原子的氟系气体。这样的处理气体例如对基片处理装置1的一部分构成要素可能为腐蚀性气体。尤其是，与含有水分的大气混合时，其腐蚀性变得更显著。
运送室3是在处理腔室2与负载锁定室4之间运送基片G的部分(模块)。基片G例如能够由真空机器人运送。虽然未图示，但是，运送室3具有2层结构的运送机器人，能够进行基片运送，即将已处理的基片G从处理腔室2送出并保持，并且将未处理的基片G送入处理腔室2。
负载锁定室4是将基片G暂时保持在设置于内部的未图示的缓冲部，由此作为运送室3与外部空间之间的基片G的运送的中介的基片送入送出模块。在该例子中，装载机8所具有的空间相当于外部空间，负载锁定室4在其与装载机8之间进行基片G的送入和送出。基片G的送入包括将在处理腔室2中处理前的基片G(未处理基片)从装载机8取入(送入)负载锁定室4的内部空间的处理。基片G的送出包括将在处理腔室2中处理了的基片G(已处理基片)从负载锁定室4取出(送出)到装载机8的处理。此外，如上述那样运送机器人具有2层结构，因此负载锁定室4也具有2层结构。还参照图2，对负载锁定室4进行说明。
图2是表示负载锁定室4的概要结构的例子的图。负载锁定室4包括主体41和开口部42。主体41规定内部空间S。开口部42连通内部空间S和外部空间即装载机8。基片G通过内部空间S而被送出到装载机8时，内部空间S被控制为大气压，装载机8被控制成与大气压相比为正压。控制由后述的控制部7进行。
内部空间S包含彼此上下分离的内部空间SU(上侧内部空间)和内部空间SL(下侧内部空间)。与此对应，开口部42包含开口部42U和开口部42L。
开口部42U连通内部空间SU和装载机8。将开口部42U之中的、在上下方向(Z轴方向)上延伸的缘部称为缘部421U进行图示。缘部421U是位于开口部42U的左右的一对缘部。将开口部42U之中的、在左右方向(X轴方向)上延伸的缘部称为缘部422U进行图示。缘部422U是位于开口部42U的上下的一对缘部。
开口部42L连通内部空间SL和装载机8。将开口部42L之中的、在上下方向(Z轴方向)上延伸的缘部称为缘部421L进行图示。缘部421L是位于开口部42L的左右的一对缘部。将开口部42L之中的、在左右方向(X轴方向)上延伸的缘部称为缘部422L进行图示。缘部422L是位于开口部42L的上下的一对缘部。
返回图1，闸门5设置在负载锁定室4的开口部之中的、隔着负载锁定室4与运送室3相反一侧即装载机8侧的开口部。如上所述，还参照图3和图4，进一步对设置在负载锁定室4的闸门5的进行说明。
图3和图4是表示负载锁定室4和闸门5的概要结构的例子的图。图3为半截面图。图4中的中空箭头示意地表示阀的开闭方向。
负载锁定室4的主体41作为规定内部空间S的上下表面和侧面的壁部进行图示。在若干壁部标注附图标记，作为上部壁411、中间壁412和下部壁413进行图示。上部壁411规定内部空间S之中的、内部空间SU的上表面。中间壁412规定内部空间S之中的、内部空间SU的下表面和内部空间SL的上表面。下部壁413规定内部空间S之中的、内部空间SL的下表面。
闸门5设置在开口部42。更具体而言，闸门5包括闸门5U、闸门5L和划分壁56。闸门5U是与开口部42U对应的上侧闸门。闸门5U在开放时，其开口部与开口部42U连通。闸门5U的开口部能够在负载锁定室4与负载锁定面板6之间，规定与内部空间SU连续且与装载机8的内部连通的上侧运送空间。闸门5L是与开口部42L对应的下侧闸门。闸门5L在开放时，其开口部与开口部42L连通。闸门5L的开口部在负载锁定室4与负载锁定面板6之间，规定与内部空间SL连续且与装载机8的内部连通的下侧运送空间。划分壁56在闸门5U与闸门5L之间，与负载锁定室4的中间壁412连接地设置。划分壁56能够规定上侧运送空间和下侧运送空间的一部分。下文中，将上侧运送空间和下侧运送空间统称为运送空间。
闸门5U包括门盖51U、阀体52U、气缸53U、引导块54U和导轨55U。门盖51U与设置于门盖51U的内侧的阀体52U一起上下移动。门盖51U沿着负载锁定室4的开口部42U的缘部421U伴随阀体52U的上下移动而移动。阀体52U与气缸53U连动地上下移动。气缸53U例如是能够控制上下方向的移动的致动器。此外，阀体52U经由引导块54U可滑动地与导轨55U连接。导轨55U在阀体52U的移动方向上进行引导。导轨55U是设置于开口部42U的缘部421U的一对导轨，在上下方向上延伸。阀体52U通过沿导轨55U移动，而使阀体52U的上下方向的移动稳定。导轨55U是支承阀体52U的移动的部分，因此与其他部分相比要求更高的强度。用于赋予这样的高强度的导轨55U的材质的例子为SUS440C。
闸门5L包括门盖51L、阀体52L、气缸53L、引导块54L和导轨55L。上述的要素与闸门5U的对应的部分相同，因此省略说明。此外，将导轨55U和导轨55L统称为导轨55(参照后述的图6)。
图5是示意地表示基片G、闸门5和负载锁定室4的概要结构的图。此外，负载锁定面板6的图示省略。在横向(Y轴方向)上延伸的中空箭头示意地表示基片G的移动方向。在纵向(Z轴方向)上延伸的中空箭头示意地表示闸门5的开闭方向。例如，阀体52U向上方移动而开口部42U打开时，由臂A支承的基片G从装载机8经由上侧运送空间被送入内部空间SU。此外，基片G从内部空间SU经由上侧运送空间被送出到装载机8。对阀体52L可以进行同样的描述。此外，在负载锁定室4和闸门5中，用于提高气密性的密封部件用黑点图示。
返回图1，负载锁定面板6安装在闸门5。关于负载锁定面板6的详情，后面参照图6及后图来进行说明。
控制部7控制基片处理装置1的各部的动作。控制部7包含控制器71、用户接口72和存储部73等。控制器71具有CPU，例如控制处理腔室2、运送室3、负载锁定室4、闸门5和安装于负载锁定面板6的喷嘴61(后述)等的动作。用户接口72例如具有为了让工程管理者管理基片处理装置1而进行指令的输入操作等的键盘、将基片处理装置1的运行状况可视化显示的显示器。在存储部73保存了存储有用于在控制器71的控制下实现由基片处理装置1执行的各种处理的控制程序(软件)和处理条件数据等的方案。用户接口72和存储部73与控制器71连接。而且，根据需要，由来自用户接口72的指示等将任意方案从存储部73调取并使控制器71执行，由此在控制器71的控制下，进行基片处理装置1中的所希望的处理。控制程序和处理条件数据等的方案能够使用保存于计算机可读取的存储介质例如CD-ROM、硬盘、软盘、闪存的状态的方案。此外，也能够从其他装置例如经由专用回线即时传送以在线利用。
装载机8是在其与负载锁定室4之间进行基片G的送入和送出的部分(模块)。装载机8例如包含指示器(indexer)和配置在指示器上并收纳基片G的一对盒等。在盒内，基片G上下隔开间隔地配置多层。例如，在一个盒收纳未处理基片，在另一个盒收纳已处理基片。
在以上说明的基片处理装置1的动作之中，重点说明与基片G的运送有关的动作的概要。闸门5打开，将基片G从装载机8送入负载锁定室4。闸门5关闭，将负载锁定室4从大气压控制为减压环境。被送入负载锁定室4的基片G经由运送室3被运送到处理腔室2。运送室3和处理腔室2均被控制为减压环境。在从负载锁定室4向运送室3移送基片G时，负载锁定室4和运送室3被控制为相同程度的减压环境。在处理腔室2中，进行使用处理气体的基片G的处理。在处理完成后，基片G经由运送室3被运送到负载锁定室4。在将负载锁定室4升压控制为大气压的后，闸门5打开，将基片G从负载锁定室4送出到装载机8。
此处，在处理腔室2中进行了处理的基片G(已处理基片)通过运送室3和负载锁定室4被送出到装载机8时，负载锁定室4被升压控制为大气压，但是也可以将装载机8控制成与大气压相比为正压。因此，产生从装载机8去往负载锁定室4的气流。而且，在基片G(已处理基片)附着有处理气体。因此，附着于被送出的基片G的处理气体从装载机8向负载锁定室4扩散，随着气流与设置于负载锁定室4的开口部42的缘部的构造物(例如，闸门5的导轨55)碰撞而附着于其上。设置于开口部42的缘部的构造物也暴露在大气中，因此，存在因处理气体的成分与大气中的水分的反应而腐蚀(劣化)的可能性。
为了抑制处理气体对设置于开口部42的缘部的构造物的附着(即，构造物的劣化)，在实施方式的基片处理装置1中，从装载机8侧向开口部42的缘部喷出气体。喷出机构(喷出部)的例子是吹出作为气体的从吹扫气体的供给管线供给来的吹扫气体的喷嘴、从装载机8侧对周围的气体进行送风的风扇等。在下文中，对喷出部为喷嘴的例子进行说明。利用喷嘴的吹扫气体喷出的实现机构的一个例子为负载锁定面板6。负载锁定面板6例如通过在负载锁定室4与外部空间之间的分隔部组装喷嘴等而构成。
图6和图7是表示负载锁定面板6的概要结构的例子的图。图6是负载锁定室4、闸门5和负载锁定面板6的分解立体图。图7是从装载机8侧观察负载锁定面板6的图。负载锁定面板6在隔着闸门5与负载锁定室4相反的一侧，与负载锁定室4和闸门5相对地配置。图6和图7中示出负载锁定面板6的构成要素之中的喷嘴61、开口部62、供气管63和分隔壁66。
喷嘴61与开口部42的缘部相对地设置，以能够从装载机8侧向负载锁定室4的开口部42的缘部喷出吹扫气体。导轨55作为构造物设置在开口部42的缘部，因此喷嘴61与导轨55相对地设置以能够向导轨55喷出吹扫气体。具体而言，喷嘴61包含喷嘴61U和喷嘴61L。喷嘴61U是与开口部42U的缘部421U、即一对导轨55U相对地设置的一对喷嘴。喷嘴61L是与开口部42L的缘部421L、即一对导轨55L相对地设置的一对喷嘴。
开口部62被设置成与负载锁定室4的开口部42和闸门5的开口部连通。开口部62包含开口部62U和开口部62L。开口部62U被设置成与开口部42U和闸门5U的开口部连通。开口部62U能够规定上侧运送空间的端部。开口部62L被设置成与开口部42L和闸门5L的开口部连通。开口部62L能够规定下侧运送空间的端部。
供气管63是将吹扫气体供给到喷嘴61的供气流路(供给流路)。吹扫气体的例子为干燥气体。供气管63包含供气管63U和供气管63L。供气管63U对喷嘴61U供给吹扫气体。供气管63L对喷嘴61L供给吹扫气体。
分隔壁66将开口部62U和开口部62L分隔，与闸门5的划分壁56连接地设置。分隔壁66能够规定上侧运送空间的端部和下侧运送空间的端部的一部分。
喷嘴61与导轨55相对地设置，因此喷嘴61将吹扫气体向导轨55的正面喷出。由此，能够使吹扫气体高效地碰撞到导轨55。对此，参照图8和图9进行说明。
图8和图9是示意地表示被喷出的吹扫气体的流动的图。如图8所示在向导轨55的侧面喷出吹扫气体的情况下，在隔着导轨55与该侧面相反一侧的部分难以产生吹扫气体的流动。因此，在难以产生吹扫气体的流动的部位，从装载机8扩散的处理气体可能会附着在导轨55。如图9所示，在向导轨55的正面喷出吹扫气体的情况下，在导轨55的正面部分和两侧部分均产生吹扫气体的流动。因此，从装载机8扩散的处理气体在到达导轨55之前由吹扫气体的流动除去，难以附着在导轨55。所以，优选不向导轨55的侧面而向导轨55的正面喷出吹扫气体。
图10是表示喷嘴的概要结构的例子的图。在该例中，喷嘴61是从多个孔喷出吹扫气体的喷淋板，包含板611、板612和密封部件613。板611包含设置于不同位置的端口611a、端口611b和端口611c。通过在上述端口中的任一者选择性地连接供气管63，能够调整供气管63的连接部位。在该例中，在端口611b连接供气管63，其他端口611a和端口611c保留(敞开)。此外，与供气管63连接的端口并不一定需要为3个，当决定了最适合于从板12向导轨55的气体喷出的位置时可以仅设置一个，此外也可以设置以多个根据状况的不同而适当选择最适合的位置。
板612具有多个喷出孔612a。多个喷出孔612a被设置成能够获得所希望的流量，例如几十L/min～几百L/min程度的流量。多个喷出孔612a例如在上下方向(Z轴方向)和左右方向(X轴方向)上呈格子状设置。各喷出孔612a例如具有直径为几mm程度的圆形形状。此外，不限于上述，多个喷出孔612a可以按斜方状、同心圆状等排列，此外各喷出孔可以为矩形、长圆形状等。
板611和板612经由密封部件613结合，以气密地形成将供给到板611的端口(在该例中为，端口611b)的吹扫气体引导到板612的各喷出孔612a的内部空间。
通过使喷嘴61为喷淋板，而容易调整例如吹扫气体的喷出范围。例如，如以上所说明的对由喷嘴61喷出的吹扫气体进行排气的结构，也被组装到负载锁定面板6。对此，参照图11进行说明。
图11是从负载锁定室4侧观察负载锁定面板6的图。负载锁定面板6除了至此已说明的喷嘴61、开口部62、供气管63和分隔壁66之外，还包括排气管64、排气口641U～排气口646U和排气口641L～排气口646L、以及吹扫气体控制器65。此外，在该例子中，供气管63的供气管63U在负载锁定面板6的上部中央在分支点63Ua分支而在左右方向(X轴方向)上延伸，连接到喷嘴61。供气管63的供气管63L在负载锁定面板6的下部中央在分支点63La分支而在左右方向上延伸，连接到喷嘴61L。
排气管64是用于对运送空间进行排气的排气流路。排气管64包括排气管64U和排气管64L。
排气管64U与排气口641U～排气口646U连接。排气口641U～646U经由与开口部42U、闸门5U的开口部和负载锁定面板6的开口部62U不同的路径，对上侧运送空间进行排气。排气口641U～排气口646U设置在负载锁定室4的开口部42U的缘部422U的附近(例如，几mm至几cm程度的范围内)，并且沿着缘部422U(在X轴方向上)设置。
排气管64L与排气口641L～排气口646L连接。排气口641L～646L经由与开口部42L、闸门5L的开口部和负载锁定面板6的开口部62L不同的路径，对下侧运送空间进行排气。排气口641L～排气口646L设置在负载锁定室4的开口部42L的缘部422L的附近，并且沿缘部422L(在X轴方向上)设置。
对排气管64U和排气管64L进一步进行说明。排气管64U在负载锁定面板6的上部中央在分支点64Ua分支而在左右方向上延伸，分别连接到排气口641U～排气口646U。排气口641U～646U设置在上侧运送空间内的上方。排气口641U～排气口646U具有与开口部42U的开口中心轴方向(Y轴方向)交叉的中心轴方向(在该例子中，为Z轴方向的中心轴方向)。排气口641U～排气口646U位于设置在开口部42U的左右的缘部421U的一对导轨55U彼此之间。排气口641U和排气口646U设置在导轨55U附近。排气口643U和排气口644U设置在上侧运送空间的中央附近。排气口642U设置在排气口641U和643U之间。排气口645U设置在排气口644U和排气口646U之间。
排气管64L在负载锁定面板6的下部中央在分支点64La分支而在左右方向上延伸，分别连接到排气口641L～排气口646L。排气口641L～646L设置在下侧运送空间内的下方。排气口641L～排气口646L具有与开口部42L的开口中心轴方向(Y轴方向)交叉的中心轴方向(在该例子中，为Z轴方向的中心轴方向)。排气口641L～排气口646L位于设置在开口部42L的左右的缘部421L的一对导轨55L彼此之间。排气口641L和排气口646L设置在导轨55L附近。排气口643L和排气口644L设置在下侧运送空间的中央附近。排气口642L设置在排气口641L和643L之间。排气口645L设置在排气口644L和排气口646L之间。
如上所述，不仅在导轨55附近，在上侧运送空间和下侧运送空间的中央附近也设置排气口，由此运送空间整体变得容易排气。对此，参照图12～图17进行说明。
图12～图17是示意地表示被排气的气体的流动的图。如图12和图13所示，仅在导轨55附近设置有排气口时，仅在导轨55附近形成吹扫气体的排气的流动。如图14和图15所示，在导轨55附近与运送空间中央附近之间(中间位置)也设置排气口时，在中间位置也形成吹扫气体的排气的流动。如图16和图17所示，在运送空间中央也设置排气口时，在中央附近也形成吹扫气体的排气的流动。因此，优选不仅设置在导轨55附近，至运送空间中央附近为止也设置排气口。
返回图11，吹扫气体控制器65控制由供气管63进行的吹扫气体的供气。吹扫气体的供气控制的例子为供气的开启和关闭、流量的调节等。此外，吹扫气体控制器65控制由排气管64进行的排气。吹扫气体的排气控制的例子为排气的开启和关闭、流量的调节等。为了实现上述的供气控制和排气控制，吹扫气体控制器65可以包含对供气管63和排气管64设置的可变阀、流量仪等。
对由吹扫气体控制器65进行的供气和排气的开启和关闭控制的例子，进行说明。在将未处理基片从装载机8送入负载锁定室4时，供气和排气被控制为关闭。在将已处理基片从负载锁定室4向装载机8送出时，供气和排气被控制为开启。此外，虽然在通常的处理中不实施，但是，在因任何理由将未处理基片从负载锁定室4向装载机8送出时，供气和排气被控制为关闭。在基片处理装置1启动(空闲状态)时，供气和排气被控制为开启。在基片处理装置1不启动(停机状态)时，供气和排气被控制为关闭。在吹扫气体的供气和/或排气没有正常工作的情况下，供气和排气被控制为关闭。此外，由吹扫气体控制器65进行的供气控制和排气控制也可以在控制部7(图1)的控制下进行。在由吹扫气体控制器65进行的吹扫气体的供气和/或排气没有正常工作的情况下(例如，流量降低了的情况下)，控制部7也可以进行发出警报的控制。
参照图18，说明在以上说明的基片处理装置1的动作之中的、尤其是从负载锁定室4对装载机8送出基片G时的动作。
图18是表示在基片处理装置中执行的处理(基片运送方法)的例子的流程图。除了特别说明的情况之外，各处理在控制部7的控制下进行。起初，基片G为处理前的状态并处于处理腔室2内。
在步骤S1中，进行基片处理。即，在处理腔室2中，执行使用处理气体(例如，氯系气体)的基片G的处理。在基片G上附着处理中未消耗而残留的处理气体。
在步骤S2中，将负载锁定室控制为减压环境。即，将负载锁定室4控制成与大气压相比的减压环境。此外，也可以在将未处理的基片G从负载锁定室4送入处理腔室2的时刻起持续维持减压环境。
在步骤S3中，对吹扫气体进行喷出、排气。即，将吹扫气体经由供气管63供给到喷嘴61，向导轨55U和导轨55L喷出。伴随于此，经由排气口641U～排气口646U和641L～排气口646L以及排气管64，对运送空间进行排气。
在步骤S4中，将基片G送出。即，如上述步骤S3所示，在将吹扫气体进行喷出、排气的状态下，基片G从处理腔室2通过运送室3和负载锁定室4被送出到装载机8。此时，从运送室3移送到负载锁定室4的基片G暂时停留在负载锁定室4，在将负载锁定室4升压至大气压后，将闸门5开放而将该基片G向装载机8送出。此外，吹扫气体的喷出、排气也可以与基片G的从处理腔室2向运送室3的运送并行地开始，还可以在向运送室3运送基片G后，至将闸门5开放为止的期间开始。
在以上的处理中，在将基片G从负载锁定室4送出到装载机8时，与吹扫气体的喷出一起进行运送空间的排气(步骤S3和S4)。因此，如至此为止所说明的那样，能够抑制由处理气体对设置于开口部42的构造物(例如，导轨55)的附着导致的构造物的劣化。
应当认为，以上说明的实施方式在所有方面均是例示，而并非限制性的。上述实施方式能够以各种方式具体实现。上述实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、替换、改变。
在上述实施方式中，说明了从上方对上侧的上侧运送空间进行排气的例子。但是，也可以从下方对上侧运送空间进行排气。在该情况下，排气口设置在上侧运送空间的下方。此外，也可以从上方和下方这两方对上侧运送空间进行排气。在该情况下，排气口设置在上侧运送空间内的上方和下方。
在上述实施方式中，说明了从下方对下侧的下侧运送空间进行排气的例子。但是，也可以从上方对下侧运送空间进行排气。在该情况下，排气口设置在下侧运送空间内的上方。此外，也可以从上方和下方这两方对下侧运送空间进行排气。在该情况下，例如，排气口设置在下侧运送空间内的上方和下方。
例如，在与吹扫气体一起被排气的处理气体比空气轻的情况下，气体容易向上侧运送空间和下侧运送空间的上方移动，因此，进行上方排气的方式与进行下方排气的方式相比，能够高效地将气体喷出的可能性提高。在与吹扫气体一起被排气的处理气体比空气重的情况下(例如，氯系气体的情况下)，气体容易向上侧运送空间和下侧运送空间的下方移动，因此，进行下方排气的方式与进行上方排气的方式相比，能够高效地将气体喷出的可能性提高。参照图19，说明上侧运送空间也进行下方排气的例子。
图19是表示负载锁定室4、闸门5、喷嘴61和排气管64A的概要结构的例子的图(半截面图)。负载锁定面板6除了喷嘴61和排气管64A以外都省略了。作为排气流路的排气管64A包含排气管64UA和排气管64LA。排气管64UA通过闸门5的划分壁56上的缘部，连接到多个排气口。例示出多个排气口之中的排气口646UA和排气口645UA。设置于划分壁56上的上述排气口，设置在上侧运送空间内的下方，从下方对上侧运送空间进行排气。与排气管64L同样地，排气管64LA连接到下侧运送空间内的下方的排气口，因此从下方对下侧运送空间进行排气。
在上述实施方式中，对与吹扫气体的喷出和排气有关的要素，例如喷嘴61和排气口641U等组装在负载锁定面板6例子，进行了说明。但是，不限于这样的方式，与吹扫气体的喷出和排气有关的要素也可以以任何方式设置在基片处理装置1。
在上述实施方式中，对处理腔室2为处理腔室21～处理腔室23这3个处理腔室的例子进行了说明。但是，处理腔室2也可以为一个处理腔室，还可以为2个或者4个以上的处理腔室。
在上述实施方式中，对基片送入送出模块为负载锁定室4的例子进行了说明。但是，除了负载锁定室4以外，在基片处理装置1中能够进行基片G的送出送入的所有模块都可以用作基片送入送出模块。
以上说明的基片处理装置1例如如下述那样确定。如参照图1～图17等所说明的那样，基片处理装置1包括基片送入送出模块(例如，负载锁定室4)、开口部42、闸门5、喷出部(例如，喷嘴61)和排气口(排气口641U等)。基片送入送出模块具有内部空间S，在将基片G送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间(例如，装载机8)时，该内部空间S被控制为大气压环境而供基片G通过。开口部42设置在基片送入送出模块，将内部空间S和外部空间连通。闸门5对开口部42设置，具有运送空间。喷出部从外部空间侧向开口部42的缘部喷出吹扫气体。排气口(641U等)经由与开口部42不同的路径对运送空间进行排气。
依照上述的基片处理装置1，从比开口部42靠外部空间侧向开口部42的缘部喷出吹扫气体。此外，经由与开口部42不同的路径对运送空间进行排气。由此，能够抑制在送出基片G时附着于基片G的处理气体对设置于开口部42的缘部的构造物的附着。因此，能够抑制设置于开口部42的构造物的劣化。
如参照图11等所说明的那样，也可以为，排气口沿着开口部42的缘部422U和缘部422L设置多个(排气口641U～排气口646U和排气口641L～排气口646L等)。由此，运送空间整体变得容易排气。
如参照图11等所说明的那样，也可以为，排气口具有与开口部42的开口中心轴方向(Y轴方向)交叉的中心轴方向(例如，Z轴方向的中心轴方向)。例如，这样一来，能够在与开口部42不同的方向对运送空间进行排气。
如参照图11和图19等所说明的那样，也可以为，排气口包含设置于运送空间的下方的排气口(排气口641L等、排气口646UA等)。通过对运送空间进行下方排气，能够高效地喷出比空气重的气体。
如参照图2、图3、图6和图11等所说明的那样，也可以为，内部空间S包含上侧内部空间(内部空间SU)和下侧内部空间(内部空间SL)，运送空间包括与上侧内部空间连通的上侧运送空间和与下侧内部空间连通的下侧运送空间，排气口设置在上侧运送空间和下侧运送空间中的每一者(排气口641U等和排气口641L等)。由此，能够对上侧运送空间和下侧运送空间中的任意者进行排气。
如参照图10等所说明的那样，也可以为，喷出部为喷淋板。由此，例如，吹扫气体的喷出范围变得容易调节。
如参照图3、图4、图6和图7等所说明的那样，也可以为，闸门5包含：沿着开口部42的缘部421U等移动的阀体52U等；和对阀体52U等的移动方向进行引导的导轨55，喷出部向导轨55喷出吹扫气体。基片处理装置1也可以包括使用能够使导轨55腐蚀的处理气体(例如，含有氯原子的处理气体)对基片G进行处理的处理腔室2。由此，能够抑制导轨55的腐蚀。
参照图18说明的基片运送方法也是本发明的一个方式。即，基片运送方法包括：在基片处理装置1中，从比开口部42靠外部空间侧(装载机8侧)向开口部42的缘部喷出吹扫气体并且经由与开口部42不同的路径对运送空间进行排气的步骤S3。依照该基片运送方法，如至此所说明的那样，能够抑制设置于开口部42的构造物的劣化。

Claims (11)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将所述基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，所述内部空间被控制为大气压环境；
开口部，其设置在该基片送入送出模块，将所述内部空间与所述外部空间连通；
对所述开口部设置的闸门，其具有运送空间；
从所述外部空间侧向所述开口部的缘部喷出吹扫气体的喷出部；和
经由与所述开口部不同的路径对所述运送空间进行排气的排气口。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气口沿着所述开口部的缘部设置多个。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气口具有与开口部的开口中心轴方向交叉的中心轴方向。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气口包含设置于所述运送空间的下方的排气口。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述内部空间包含上侧内部空间和下侧内部空间，
所述运送空间包含与所述上侧内部空间连通的上侧运送空间和与所述下侧内部空间连通的下侧运送空间，
所述排气口设置在所述上侧运送空间和所述下侧运送空间中的每一者。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷出部是喷淋板。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片送入送出模块是能够与具有所述外部空间的装载机连结的负载锁定室。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述闸门包括：能够沿着所述开口部的缘部之中的在第1方向上延伸的第1缘部移动的阀体；和对该阀体的移动方向进行引导的导轨，
所述喷出部向所述导轨喷出所述吹扫气体。
9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
包括使用能够使所述导轨腐蚀的处理气体对所述基片进行处理的处理腔室。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理气体含有氯原子。
11.一种基片运送方法，其特征在于：
基片处理装置包括：
具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将所述基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，所述内部空间被控制为大气压环境；
开口部，其设置在该基片送入送出模块，将所述内部空间与外部空间连通；和
对所述开口部设置的闸门，其具有运送空间，
所述基片运送方法包括：
在所述基片处理装置中，从比所述开口部靠所述外部空间侧向所述开口部的缘部喷出吹扫气体并且经由与所述开口部不同的路径对所述运送空间进行排气的步骤。
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